自美國拜登政府推動《晶片與科學法案》以來，已過去兩年時間。該法案撥款520億美元用於補貼，旨在鼓勵半導體製造商在美國國內建設產能，並對中國出口晶片相關技術實施廣泛限制。目標是實現美國在微晶片方面的自給自足，並阻止中國實現這一目標。然而，這一目標是否已經實現？

美國對中國的限制主要集中在最先進的積體電路（IC）上，這些IC佔全球半導體市場的80%以上。IC主要有三種類型：邏輯晶片、DRAM和NAND。這三種晶片在中國均有生產，儘管中國企業在技術和市場份額方面一直在追趕競爭對手，但打入高端市場正變得越來越困難。

晶片製造的成本和複雜性正在迅速上升，而美國的制裁嚴重限制了中國公司獲得生產最先進半導體所需的技術。尤其是節點尺寸小於14納米的邏輯晶片、小於18納米的DRAM和128層或更多層的NAND儲存晶片。

儘管如此，中國企業在某些領域正緊跟全球領軍企業。例如，YMTC的128層3D NAND產品於2021年推出，與競爭對手的產品不相上下。截至2023年10月，世界上最先進的3D NAND儲存晶片被發現在YMTC製造的固態驅動器中。

中國可能很快就能同樣深入進入DRAM市場，從而推進其對微晶片自給自足的追求。高頻寬儲存器（HBM）晶片是一種先進的DRAM晶片，製造過程不一定需要尖端的EUV光刻技術，而且HBM晶片通常比傳統的10nm以下節點的DRAM晶片更容易生產。這意味著中國可以在沒有最新裝置的情況下製造自己的版本。

HBM晶片需求量很大，該技術克服了記憶體傳輸速度的限制，並允許更高的能源效率，因此它正在成為人工智慧模型和高性能計算的首選解決方案。韓國的SK海力士目前生產最先進的HBM晶片，並從人工智慧熱潮中受益匪淺。但中國公司正在努力追趕：雖然中國大陸在美國註冊的傳統DRAM和邏輯晶片專利方面落後於韓國和台灣，但在HBM專利方面卻處於領先地位。

中國政府推動晶片自給自足的努力，也促使中國晶片製造商向本土企業尋求所需裝置。因此，北方華創科技集團和中微等裝置生產商的收入和利潤出現了顯著增長。與此同時，晶片裝置和零部件在中國的國產化率大幅上升，從2021年的21%上升到去年底的40%以上。

目前主導晶片市場的韓國和台灣已對這一切做出了回應，它們增加了產能，尤其是在高端領域，同時保持了較低的海外產能。三星在韓國生產其核心產品——DRAM晶片。在全球半導體產業的競爭格局中，中美晶片自主化處理程序仍在繼續，挑戰與機遇並存。 (晶片行業)