為產業注入強勁動能。

今日，SEMICON China 2025在上海開幕。

在本次展會上，新凱來展區人頭攢動。這是新凱來首次公開亮相，同時發佈多款產品，覆蓋半導體製造全流程。

發佈的產品，在工藝裝備方面包括：擴散裝備RTP（三清山）、EPI（峨眉山）；刻蝕產品ETCH（武夷山）；薄膜產品PVD（普陀山）、CVD（長白山）、ALD（阿里山）。

在量檢測裝備方面包括：光學檢測產品岳麗山BFI、丹霞山DFI、蓬萊山PC、莫干山MBI；光學量測產品天門山IBO、天門山DBO；PX量測產品沂蒙山AFM、赤壁山-XP XPS、赤壁山-XD XRD、赤壁山-XF XRF；功率檢測產品RATE-CP、RATE-KGD、RATE-FT。

具體來看部分裝備

EPI (峨眉山)12英吋單片減壓外延生長裝置，採用創新架構設計，全面覆蓋邏輯及儲存外延等應用場景，支援向未來先進節點演進。

RTP (三清山1號)12英吋單片柵極氧化/氮化裝置，覆蓋氧化/氮化/退火等邏輯及儲存應用場景，具備精準溫度控制和電漿體控制能力，支撐先進工藝持續演進。

三清山2號覆蓋尖峰退火/超快尖峰退火等邏輯及儲存應用場景，具備大行程磁懸浮升降運動控制及背照式退火能力，支撐先進工藝持續演進。

三清山3號覆蓋均溫退火/尖峰退火等邏輯及儲存應用場景，具備低熱預算調控及超低溫退火能力，支撐先進工藝持續演進。

武夷山1號MASTER為電容耦合電漿體(CCP)干法刻燭裝置，腔室採用全對稱架構設計，整機可組態6個工藝腔(PM)，滿足先進節點各類精細介質刻蝕場景需求。

武夷山3號為電感耦合電漿體(ICP) 干法刻蝕裝置，全對稱、高流導架構設計，整機可組態6個工藝腔(PM)，滿足先進節點各類精細矽及金屬刻蝕場景需求。

武夷山5號為自由基幹法刻蝕裝置，氧化矽及矽選擇性刻蝕組合解決方案，單腔設計，整機可組態6個工藝腔(PM)，滿足先進節點高選擇性刻蝕場景需求。

普陀山1號適用於邏輯、儲存及先進封裝等主流半導體金屬平面膜應用場景，鍍膜均勻性高，同時具備高產能與高穩定性。

普陀山2號適用於邏輯、儲存等主流半導體中道金屬接觸層及硬掩膜等應用場景，顆粒缺陷低，同時具備高性能與高穩定性。

普陀山3號適用於邏輯、儲存和先進封裝等主流半導體後道金屬互連場景，架構領先，填孔品質優異，支援向未來先進節點演進。

阿里山1號搭配五邊形平台和Twin腔領先架構，覆蓋先進邏輯/儲存前中後段介質薄膜應用場景，滿足圖形化，超薄薄膜，超高深比gap fill 需求，支援向未來先進節點演進。

阿里山2號具備單腔4-Station領先架構，覆蓋先進邏輯刻蝕阻擋層薄膜應用場景，支援向未來先進節點演進。

阿里山3號可全面覆蓋邏輯和儲存金屬原子層沉積應用場景，具備創新架構和領先性能，多種工藝高度整合，金屬柵極全場覆蓋，支援向先進節點演進。

長白山1號具備單腔4-Station領先架構，全面覆蓋邏輯及儲存介質薄膜多種工藝，支援向未來先進節點演進。

長白山3號全面覆蓋邏輯和儲存金屬化學氣相沉積應用場景，具備創新架構和領先性能，多種工藝高度整合，支援向未來先進節點演進。

從產業鏈角度看，半導體裝置位於半導體產業的最上游，是決定整個產業發展水平的關鍵環節。長期以來，這一領域被應用材料(AMAT)、ASML、東京電子(TEL)等國際巨頭壟斷。而隨著新凱來、北方華創、中微公司等國內企業的技術突破，這種格局正在被逐步打破。

近年來，國內半導體裝置實現了從無到有、從弱到強的質的飛躍，令中國半導體產業生態和製造體系得以不斷完善，國內高端裝置的自給率逐步提升。科創板作為中國“硬科技”企業的聚集地，已形成了市值規模超兆的積體電路產業叢集，已上市公司超過110家，佔A股同行業上市公司數量超6成。

其中，半導體裝置公司共12家，覆蓋刻蝕、薄膜沉積、CMP、量檢測、清洗、塗膠顯影等多個半導體製造的關鍵環節，2023年合計出廠國產自主裝置超過6000台套，有力推動中國半導體產業自主可控處理程序。 (半導體產業縱橫)