兩個元素,撬動半導體全球化

誰能想到,週期表上的兩個金屬元素在一夜時間成為了大家熱議的話題呢?

7月3日,商務部、海關總署發布《關於對鎵、鍺相關物項實施出口管制的公告》(以下簡稱《公告》),其中指出,根據《中華人民共和國出口管制法》《中華人民共和國對外貿易法》《中華人民共和國海關法》有關規定,為維護國家安全和利益,經國務院批准,決定對鎵、鍺相關物項實施出口管制,滿足相關特性的物項,未經許可,不得出口,該公告自2023年8月1日起正式實施。

這兩種物質都有什麼用呢?目前,鎵的消費領域包括半導體和光電材料、太陽能電池、合金、醫療器械、磁性材料等,其中半導體行業目前是鎵最大的消費領域,約佔總消費量的80%,而鍺作為同樣重要的半導體材料,在半導體、航空航天測控、核物理探測、光纖通訊、紅外光學、太陽能電池、化學催化劑、生物醫學等領域都有廣泛而重要的應用。



可以說,鎵和鍺兩種金屬在半導體行業中有著不可或缺的作用,雖然二者都不是稀土元素,產量也不高,但第一生產大國都是中國,根據美國地質調查局的報告,中國是全球最大的鎵和鍺生產國,佔全球鎵產量的95%以上、鍺產量的67%以上,在2018年至2021年間,美國53%的鎵進口和54%的鍺進口來自中國。

事實上,美國雖然鎵的儲量較低,但鍺的儲量並不低,目前全球鍺已探明的總儲備量約8000噸,美國占3800噸,位列世界第一,而鎵在世界範圍內也有不少分佈

很多人心裡可能會有這樣的疑慮:國家發布對鎵、鍺相關物項的出口管制後,包括美國在內的其他國家也可以選擇自己生產這兩種金屬,擺脫對中國材料的依賴。

這樣的想法倒也不能說錯,但鎵和鍺並不能用這樣簡單的思路去揣測,它們背後的門道,並不比台積電生產一塊4nm芯片簡單多少。



不可或缺的材料

首先需要說明的是,鎵和鍺同屬於稀散金屬,這類金屬以地殼豐度極低,在岩石中極為分散,難以富集為特徵,有觀點甚至認為它們不能形成“獨立礦床”,這些特徵也決定了它們富集成礦需要特殊的成礦條件及控制因素,其成礦理論、找礦模型和勘查技術並不完全等同於其他類型礦床。

而鎵雖然是地殼豐度最高的稀散金屬(15μg/g),但可獨立礦物卻是最少的,僅在南非Tsumeb鉛鋅礦床中發現硫鎵銅礦(CuGaS2)和羥鎵石(Ga(0H)3)兩種獨立礦物,絕大多數都以伴生金屬的形式存在,目前探明的絕大部分鎵都伴生在鋁土礦床中,主要分佈在非洲、大洋洲、南美洲、亞洲等地。

20世紀60年代初,金屬鎵開始引起各國的注意。砷化鎵作為一種新型優質半導體的研究熱興起,隨著砷化鎵化合物用作半導體材料的優異性能不斷被發現,砷化鎵也被廣泛應用到微波器件、激光器和發光二極管等產品中。



鎵相關產品中,氮化鎵(GaN)是最具代表性的第三代半導體材料之一,是目前世界上最先進的半導體材料,而砷化鎵(GaAs)則是第二代半導體材料的代表,在高頻、高速、高溫及抗輻照等微電子器件研製中佔有主要地位。

細分國家產量來看,中國鎵產量全球最高。德國和哈薩克斯坦分別於2016年和2013年停止了鎵生產(2021年德國宣布將在年底前重啟初級鎵生產),匈牙利和烏克蘭分別於2015年和2019年停止鎵生產。2020年全球從礦山原料中生產粗鎵的國家僅有 4個,分別為中國、日本、韓國和俄羅斯,中國作為全球最大的粗鎵生產國,截止2021年的全球產量佔比已超90%

前面提到,鎵主要作為鋁土礦的伴生礦而存在,這也就導致了大家不會去單獨生產鎵,而是在煉製氧化鋁中順勢精煉出來的副產品,統計數據顯示,中國生產的精煉氧化鋁僅佔全球的一半左右,那為什麼在粗鎵生產上,中國能用50%的產能做到一枝獨秀呢?

原因倒是很簡單,不賺錢的賠本買賣沒人做,在鎵的價值得以發掘後,市場中的粗鎵價格就一直在穩步下降中,這就導致了很少有氧化鋁企業願意去擴產來精煉鎵。20世紀70年代,鎵的售價高達每千克3000美元,鎵的產量在2015年達到了575噸的歷史峰值,但價格卻僅為每千克200-300美元,此後連續幾年的低價已經讓一大堆歐美的氧化鋁企業撤出了市場。

這也帶來了一個問題,短期內的鎵價格上升,根本無法吸引那些企業重新開設精煉鎵的工廠,因為建廠的成本遠超過這部分差價,萬一建完廠之後價格再跌下去,這部分激情開廠的企業到時候就欲哭無淚了。

當然了,國家下場干預也是解決思路的一種。今年3月9日,美國與歐盟正在推進一項以關鍵礦產為重點的貿易協議的起草工作,即“關鍵礦產俱樂部”的倡議,其目的就是排除中國對關鍵礦產供應的影響。

不過鎵受到出口限制,最該著急的不是美國和歐盟,而是隔海相望的日本,由於日本半導體產業發達,年消費量漲幅較大,是鎵資源的第一消費大國,截至2013年,日本消耗的鎵達到了97噸,主要依賴進口和再生鎵(鎵資源回收),而進口的主要來源當然就是中國。

就目前情況來看,精煉技術和精煉設施並非一朝一夕就能構建,有現成的鎵可以買到,誰也不願再去花大力氣虧本開採,大規模現貨只有向中國購買這一條路可走,美國、歐盟和日本都未能免俗。



再來說說鍺,它相較於鎵來說,又有一些細節上的不同,鍺在地殼中含量1.5μg/g,也很難獨立成礦,一般以分散狀態分佈於其他元素組成的礦物中。含鍺礦床可分為“煤型”含鍺礦床和“鉛鋅型”含鍺礦床,因此工業鍺主要來自鉛鋅礦床和富鍺煤的副產品。

目前全球已探明的鍺儲量僅為8600噸,主要分佈在中國、美國和俄羅斯,其中美國保有儲量為3870噸,佔全球含量的45%,其次是中國,佔全球的41%。美國含鍺礦床主要分佈在阿拉斯加、田納西州和華盛頓州,以鉛鋅礦床為主;中國含鍺礦床主要在內蒙古和雲南,在鉛鋅礦床和煤礦中均有;俄羅斯含鍺礦床主要分佈在遠東和西伯利亞,以煤礦為主。

依據鍺的特性,主要發展出了三方面的用途:首先,鍺具有紅外折射率高、紅外透過波段範圍寬、吸收係數小、色散率低、易加工和耐腐蝕等特點,非常適合製作成鍺單晶用於紅外光學鏡頭和紅外光學窗口。

其次,摻鍺光纖具有容量大、光損小、色散低、傳輸距離長且不受環境干擾等優良特性,GeCl4作為製作光纖預製棒的重要摻雜劑,能夠提高纖芯折射率,使傳輸光向更長的波長區擴展,極大地提高了光纖傳輸效率,減少了能耗。

最後,鍺也能用於製作成鍺襯底砷化鎵太陽能電池,這類電池具有高效率、高電壓、耐溫性好等特點,其能量轉化率高達50%,遠遠超過了傳統的多晶矽(17%~19%)和薄膜電池(6%~13%),被廣泛地應用於空間光伏和地面光伏領域。



如前文所說,和鎵不同,中國的鍺礦儲量,並沒有壓倒性的優勢,美國已探明的鍺儲量位居世界第一,但在產量上卻遠不及中國,美國在2013年就開始大量進口鍺礦,基本放棄了粗鍺的開採,只負責精煉加工。

很多人覺得,這是美國在保護自己的戰略性資源,實則不然。

美國雖然是全球最大的鍺儲量國,但它的鍺資源主要以與鉛鋅礦伴生為主,鍺能生產多少,全看鉛鋅礦的產量,想要提升鍺礦的產能,就得大肆開採鉛鋅礦,而鉛和鋅作為重金屬,開採起來的污染不小,驟然大幅提升產能,可能還會對地下水造成污染。

而中國的鍺主要來自於含鍺褐煤與鉛鋅礦,集中在雲南和內蒙古等地,其中褐煤佔據了大部分已探明的儲量,不論是開採難度還是環境污染,都小於鉛鋅礦,這也是中國國內能夠做到大量出口鍺礦的主要原因之一。



鍺的情況並不比鎵樂觀多少,一旦身為最大出口國的中國開啟出口管制,美國和日本這些對鍺消費量較高的國家地區,一樣會受到很大的衝擊,且短時間內無法建立合適的供應渠道。

更重要的是,中國作為半導體、通信、光伏等產業發展最為迅速的國家,對於鎵和鍺這兩種稀散金屬的需求量和消費量本就不低,而中國國內的鋁土礦和含鎵褐煤經過多年的開採,已經出現了枯竭的跡象,適當地進行出口收縮,也能夠幫助中國企業適應未來原料低品位化,從而干擾推動開發更低成本的金屬提取工藝。

如今對鎵和鍺進行出口管制,從另一種角度看,也是讓產業從初級向高端發展,將資源優勢轉化為產業優勢的一種手段。



逆全球化與再全球化

今年6月,清華大學教授魏少軍在集成電路論壇上,發表了《半導體產業的再全球化》的演講,其中公佈了不少有關中國國內半導體的數據,值得注意的是,儘管國產芯片的價值份額從2013年的13%上升到2022年的41.4%,但作為“中國製造2025”倡議的一個關鍵目標,半導體自給率到2025年仍然無法達到70%。

他強調的是,中國半導體製造行業過去十年間的加速增長,主要是由於外國公司在中國經營的晶圓廠所帶動的。從2016年起,中國本土投資者所有的半導體公司的平均複合年增長率(CAGR)為14.7%。然而,來自台灣、韓國和其他地方的非中國大陸晶圓製造企業的複合年增長速度更高,達到了30%。這不僅使中國半導體產業的擴張速度翻倍,也凸顯了中國半導體製造業對外部廠商的持續依賴。



可以說,中國半導體產業受益於全球化的發展,在新世紀到來後得以在全球半導體中扮演一個重要角色,來自世界各地的投資和需求讓中國的半導體企業乘上了東風,完成了從無到有,從有到豐富的蛻變過程。

但中國的半導體,成也全球化,敗也全球化,當國際形勢變化,新冠疫情來臨之際,半導體全球化過程也隨之中斷,供應鏈出現碎片化,在這樣的逆全球化的背景之下,對外部依賴較高的中國半導體製造業自然就會受到巨大的衝擊。

如今,主要國家和地區的半導體供應鏈,開始走上了一條逆全球化的路:美國拿出了《芯片法案》,包括英特爾、三星、台積電、格芯和德州儀器等在內的多家公司正在美國建設新的晶圓廠;日本大舉拉攏台積電、美光等半導體大廠,同時推進與IBM和Rapidus的合作,推進開發2nm製程工藝;歐洲也出台了對應的芯片法案,要在2030年之前,把目前10%的全球半導體市場份額翻一倍……

同時,這些國家紛紛出台對中國的半導體限令,上到美國,下到日本,小到芯片,大到設備,通通被列入了管控的範圍之內,中國半導體企業空有一身功夫卻難以施展。

也難怪台積電創始人張忠謀在幾次採訪中重申“全球化已死”的觀點,他表示,種種管制與實體清單的作法,讓全球化和自由貿易走向死亡,他也認為,全球供應鏈的“分叉”和逆全球化帶來的是成本大幅上升,在提高了芯片的價格之餘,也降低了芯片的普及性。

如此境地之下,中國半導體更不能閉門造車,必須像魏教授在演講中說的那樣,堅定去走再全球化的路線,擴大開放,讓更多外資進來共同發展半導體。

但再全球化並不是背靠廣闊市場和充裕人力就能高枕無憂的,如何在地緣政治因素干擾下,吸引並留住外資企業,同時解決國產企業在技術、設備和材料上的後顧之憂,才是再全球化的現實難題。

而市場和原料,既是中國的優勢,必要時候也是一種實現再全球化的反制手段。

2022年,全球鎵市場規模達到20.46億元(人民幣),中國市場規模7.77億元,全球鍺市場規模相對更小,2022年僅有16.15億元,在細分出來的半導體領域中只會更少,兩者確實沒辦法和動輒幾千億美元的半導體市場相提並論。

但它們確實能夠撬動千億美元級別的市場,原因不在於它的重要性,而是一種全球化的思維行為慣性,美國日本數十年如一日地享受低價的中國原料,正是全球化帶來的好處之一,而美國的CPU、DRAM,日本的NAND、CMOS能暢銷於中國,同樣是全球化的影響之一。

牽一髮而動全身正是對全球化的最好概括,只要是在享受著全球化便利的國家,就無法真的置身事外,不論是逆全球化也好,去全球化也罷,只是利用自己本身在全球化中的影響力,利用全球化的手段,來達成非全球化的目的,在這個過程中,反而更容易受到外部因素的影響。

放眼世界,再全球化的土壤處處皆在,而逆全球化卻是溫室中培育,誰的未來更茁壯,早已不言而喻。

那裡會有真的跳出三界外,不在五行中的半導體產業呢?(半導體行業觀察)


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