市場傳出，三星電子（Samsung Electronics Co.）的3 奈米良率已大幅拉高，整體表現有機會追上台積電。

知名爆料人Revegnus 22日透過社群平台X指出，三星的3納米製程良率一開始雖只有10~20%，但最近已拉升至三倍以上。

雖然良率依舊低於使用現有「鰭式場效」（Fin Field-Effect Transistor，FinFET）製程的台積電，但三星對第二代3奈米製程期望甚高，據傳其效能、功耗及面積（Performance、Power、Area，簡稱PPA）的前景看好（有謠言暗示可以趕上台積電的N3P）。

Revegnus表示，消息人士透露，三星3納米製程的能源效率（power efficiency）、邏輯區域（logic area）都比4納米FinFET改善20~30%。

值得注意的是，韓國媒體TheElec報導，三星共同執行長慶桂顯（Kyung Kye-hyun）3月20日在年度股東大會預測，今年的半導體相關營收可望重返2022年衰退前的水位。

慶桂顯指出，記憶體事業已於1月轉虧為盈、今年將恢復元氣，除了高頻寬記憶體（HBM）外，公司也在針對開放性高速互連通訊協定CXL（Compute Express Link）、記憶體處理器（Processor In Memory，PIM）跟客戶接洽，結果很快就能出爐。

三星晶圓代工事業總裁崔時榮（Siyoung Choi）在同一場合表示，雖然英特爾（Intel Corp.）開始談論1.4納米過程，但三星及台積電也都有相關製程規劃。他說，客戶需要的是能穩定供應、產品具競爭力的晶圓代工商，而三星4納米製程的良率已成熟。

崔時榮並表示，第二代3納米過程預計今年下半投產，2納米過程的投產時間是明年。（大話晶片）