21名晶片工程師被逮捕！

據《北韓新聞》報導，一名三星電子前工程師因涉嫌挖角三星的半導體核心技術人才，加上向中國公司洩漏20納米DRAM記憶體晶片技術，遭逮捕並移送檢方。

韓聯社報導，首爾警察廳產業技術安全偵查隊今天指出，64歲三星電子前工程師因涉嫌違反"職業安定法"被捕，並移送首爾中央地方檢察廳。

據報導，該男是三星電子前員工，被指控在2018年經營一家未註冊的人力資源機構並收取經濟補償，以至少2至3倍的優渥薪資挖角三星電子核心技術人才，協助在中國"復刻"動態隨機存取記憶體（DRAM）工廠，並於2022年4月成功生產半導體晶圓。這座DRAM工廠從完工到投產僅費時1年3個月。 一般來說，晶圓從測試到量產通常需要4至5年。

同時該男子註冊機人力資源機構還安排三星電子和海力士工作的關鍵半導體人員跳槽到國外公司，這一國外公司是三星電子前董事總經理、海力士半導體副總裁崔振錫創立的公司。崔振錫目前因涉嫌通過該公司向國外洩露 30 納米以下 DRAM 製造工藝而被捕，該工藝是一項韓國國家關鍵技術，由三星電子獨立開發。崔振錫還因竊取三星電子半導體工廠藍圖並試圖建立“三星電子克隆工廠”而被捕。

韓國警方提到，外流技術的經濟價值高達4.3兆韓元（約30.4億美元），若考慮相關經濟效益，實際損失規模更加龐大。

除了這名前工程師，還有以相同手法挖角韓國半導體人才的2位獵頭公司代表及法人被移送法辦。據悉獵頭公司已挖角逾30名技術人員。

儘管韓國國家關鍵技術外流，警方只能根據刑責較輕的「職業安定法」、而非「產業技術保護法」來逮捕涉案嫌犯。警方解釋，根據現行法規，以「挖角」方式外流技術的行為不屬於「產業技術保護法」規定的懲處範圍，因此有必要針對相關法律進行修法，以嚴懲商業間諜。

報導指，包括前三星電子工程師在內，此次技術外洩案共有21人遭移送法辦。

成都高真創辦人、三星電子前常務兼SK海力士（SK Hynix）前副社長崔珍奭等人則已被捕，他們涉嫌違反「產業技術保護法」及「防止不正當競爭及商業秘密保護法」。

這是首例適用韓國《就業保障法》調查並逮捕涉嫌技術洩露犯罪的經紀人的案件。韓國《就業保障法》規定，經營者在開展海外就業安置業務時，必須獲得僱傭勞動部長官的許可才能開展業務。 (半導體技術天地)