有預測稱，計畫於明年實現商業化的下一代 NAND 快閃記憶體產品——高頻寬快閃記憶體 (HBF)，將在大約 10 年內超越高頻寬儲存器 (HBM) 市場，而 HBM 是人工智慧半導體的核心元件。2月3日，韓國科學技術院（KAIST）電氣電子工程系金正浩教授在首爾中區新聞中心舉行了“HBF研究內容和技術開發戰略簡報會”，並強調“隨著人工智慧的思考和推理能力變得重要，以及從文字介面向語音介面的過渡，所需的資料量必將呈爆炸式增長”。他解釋說：“如果說中央處理器（CPU）是個人電腦時代的核心，低功耗是智慧型手機時代的關鍵，那麼記憶體就是人工智慧時代的核心。”他還補充道：“HBM決定速度，HBF決定容量。”HBF是一種通過垂直堆疊NAND快閃記憶體來顯著提升容量的記憶體，主要用於長期儲存，與HBM類似。因此，近年來NAND快閃記憶體在半導體行業的重要性日益凸顯。隨著人工智慧代理服務的擴展，作為長期記憶的“鍵值”（KV）快取的作用也日益增強。過去，HBM承擔著這一角色，但越來越多的觀點認為，NAND快閃記憶體更適合承擔這一角色。在本次簡報會上，由被譽為“HBM之父”的金教授領導的KAIST TeraLab介紹了當前人工智慧技術的發展趨勢和記憶體路線圖。金教授是HBM基本概念和結構的構思者和設計者，HBM是韓國率先在全球範圍內成功實現商業化的核心人工智慧半導體技術。當天，金教授公佈了採用HBF的下一代記憶體架構。他展示了多種架構，其中包括一種在GPU兩側分別安裝4個HBM和4個HBF，總容量為96GB HBM和2TB HBF的架構；以及另一種架構，其中兩排分別安裝8個HBM和8個HBF，以處理更大的容量。金教授強調說：“HBM 將作為書架，HBF 將作為圖書館。”他補充道：“在書架上，您可以立即取出並查看您需要的書籍；而在圖書館裡，即使速度慢一些，您也可以一次查看更多的書籍。”金教授預測，由於HBM單靠自身無法滿足爆炸式增長的需求，業界勢必會採用HBF。目前的架構是將最多兩個圖形處理器（GPU）垂直連接，並在GPU旁邊安裝HBM來處理運算；而未來，通過將HBM和HBF結合使用，可以消除容量限制。金教授預測，“當CPU、GPU和記憶體有機地結合在單個基本晶片上的MCC（記憶體中心計算）架構完成時，所需的HBF容量將進一步增加”，並且從2038年起，HBF的需求將超過HBM。金教授表示：“我們正在與三星電子、SK海力士、閃迪等公司就HBF進行技術交流，並與AMD、Google、輝達等潛在客戶公司保持聯絡。”目前，三星電子、SK海力士和閃迪等全球企業正在加速HBM的研發。金教授認為，韓國國內企業佔據了更有利的地位。閃迪目前只專注於NAND快閃記憶體，而三星電子和SK海力士則同時具備HBM和封裝能力。他表示：“未來10到20年，隨著結構性變革的推進，韓國有望在人工智慧電腦領域佔據領先地位。”他補充道：“而HBM正是實現這一目標的基石。”具體來說，SK 海力士正在開發 HBF，目標是明年實現量產；而 SanDisk 於去年 7 月成立了 HBF 技術諮詢委員會。在今年的CES 2025上，NVIDIA也提出了一種解決NAND快閃記憶體瓶頸的方案，即直接連線據處理單元（DPU）和固態硬碟（SSD），將KV快取（即推理過程中積累的先前對話上下文）儲存在大容量SSD中，而不是HBM中。金教授強調，需要通過與NVIDIA、Google和AMD等大型科技公司合作來搶佔市場。金教授表示：“由於HBF工藝與現有的HBM工藝幾乎相同，最終將演變成一場技術速度的競賽。”他補充道：“對於全面商業化而言，那些服務會採用這項技術至關重要。”金教授認為，“繼 HBM 之後，韓國記憶體製造商也必須在 HBF 領域主動出擊，以免在人工智慧市場失去影響力”，並補充道，“以記憶體為中心的人工智慧時代即將到來”。兩大巨頭，挺進HBF隨著人工智慧市場轉向推理，三星電子和SK海力士正在開發高頻寬快閃記憶體（即所謂的高頻寬記憶體的擴展），儘管它們在人工智慧記憶體競賽的下一階段的策略有所不同。由於 HBM 現在是 AI 晶片的關鍵元件，這兩家韓國儲存器製造商正尋求在下一代儲存器周期中搶佔先機。一位要求匿名的業內人士表示：“由於需求疲軟和價格下跌，NAND 市場一直處於低迷狀態，但 HBF 一旦實現商業化，可能會在人工智慧資料中心開闢新的需求基礎。”據業內人士周三透露，三星電子和SK海力士在HBF（高頻寬快閃記憶體）領域採取了不同的策略。SK海力士堅持以HBM為核心的戰略，同時將基於NAND的HBF定位為一種補充解決方案。相比之下，三星則被視為正在重新定義這項技術在更廣泛的AI記憶體和儲存架構重組中的角色。HBM專為超高速計算而設計。而HBF則作為大規模資料儲存和高效傳輸的支撐層。它的速度約為HBM的80%到90%，容量卻是HBM的8到16倍，功耗卻降低了約40%。對於大型AI訓練和推理伺服器而言，HBF被廣泛認為是能夠緩解HBM瓶頸的“中層記憶體”。其主要優勢在於處理能力。HBM優先考慮處理速度，而HBF可以在更低的成本下實現高達10倍的處理量擴展，使其成為解決HBM價格和處理能力雙重限制的理想選擇。從結構上看，HBF 是通過堆疊多層 NAND 快閃記憶體製成的，類似於 HBM 由堆疊式 DRAM 構成。第一代產品預計將堆疊 16 層 32GB 的 NAND 快閃記憶體，總容量約為 512GB。SK海力士在上周的財報電話會議上表示，正在開發HBF作為HBM的延伸技術。這家晶片製造商計畫明年開始量產HBF，並正與SanDisk合作開發下一代基於NAND快閃記憶體的儲存器以及相關的國際標準化工作。SK海力士的核心研發方向是AIN B，這是一種採用堆疊式NAND快閃記憶體的頻寬增強型設計。該公司正在探索將HBF與HBM結合使用的方案，以幫助彌補人工智慧推理系統中的容量限制。此外，SK海力士還通過與全球科技公司合作以及參與開放計算項目（OCP）的活動來拓展其生態系統。與此同時，三星電子正著力推進人工智慧記憶體和儲存架構的全面革新。在近期舉辦的全球儲存盛會上，該公司概述了人工智慧基礎設施的需求——包括性能、容量、散熱和安全性——並推出了一種整合記憶體和儲存的統一架構。三星正利用其晶圓代工部門的邏輯設計和工藝專業知識，研究如何提高下一代基於 NAND 的解決方案的控制性能和電源效率。業內觀察人士認為，三星此舉旨在圍繞人工智慧推理環境重塑下一代記憶體和儲存格局（包括 HBF）。另一位要求匿名的業內人士表示：“隨著人工智慧需求的持續增長，記憶體市場的重心正迅速從傳統的DRAM和NAND轉向高頻寬產品。”“未來兩到三年內，領導地位的競爭可能會加劇，尤其是在 HBF 和第六代 HBM4 等技術方面，這些技術將成為未來資料中心基礎設施的關鍵組成部分。”據證券公司預測，HBF市場規模將從2027年的10億美元增長到2030年的120億美元。HBF能夠在提升頻寬的同時擴展容量，因此被視為滿足人工智慧資料中心日益增長的需求的關鍵技術。不過，考慮到HBM（於2015年開發）用了七到八年時間才獲得市場認可，HBF也可能面臨漫長的發展階段。即便如此，分析師指出，NAND快閃記憶體行業似乎正處於更廣泛變革的早期階段。韓國科學技術院電氣工程學院教授金鐘浩（Kim Joung-ho）是 HBM 基本結構和概念的先驅，他周三在首爾舉行的新聞發佈會上表示，從 2038 年開始，對 HBF 的需求將超過對 HBM 的需求。“當以記憶體為中心的計算架構（其中 CPU、GPU 和記憶體有機地整合在單個基本晶片上）完全實現時，對 HBF 的需求量將顯著增加，”Kim 說。業內人士預計，輝達的新平台將採用HBF技術。這位教授強調，繼HBM之後，三星和SK海力士等韓國記憶體製造商也必須在HBF領域佔據領先地位，才能保持在全球人工智慧市場的影響力。 (半導體芯聞)

韓國股市近日上演驚天逆轉。在2月2日暴跌熔斷次日，受晶片股大幅反彈帶動，韓國股市2月3日勁升並創出歷史新高。三星電子在韓國交易所盤中一度上漲約11%，創下2009年以來的最大日內漲幅。SK海力士漲幅超過9%。兩隻股票均收復前一交易日的失地。Kospi指數上漲超過6%，今年迄今累計漲幅擴大至25%，鞏固了其作為全球表現最佳的股指之一的地位。今年以來，三星電子和SK海力士股價累計漲幅雙雙超過35%，主要受益於市場日益清晰的共識——AI對高端儲存晶片有著巨大的需求，儲存器價格上漲已轉化為盈利增長和股價上漲。市場目前普遍預計SK海力士和三星電子2026年盈利增幅將達到120%-160%，韓國股市2026年整體盈利增長預期因此上升至70%以上。這兩家韓國上市公司的總市值首次超越了中國兩大網際網路巨頭，凸顯出不斷演進的全球人工智慧熱潮如何重塑亞洲行業的投資格局。三星電子和SK海力士市值2月3日合計達到1.14兆美元，超過了香港上市的最大兩家中國科技公司阿里巴巴和騰訊控股的市值之和1.07兆美元。“我們認為韓國股市昨日的波動是對前期漲幅的良性消化，”Matthews International Capital Management的投資組合經理Sojung Park表示：“從盈利增長和估值角度來看，我們仍看好韓國股市。”此次反彈也使基準股指Kospi指數重回5000點上方，韓國總統李在明2025年的“提升估值計畫”設下該目標位。韓國政府與監管層已持續推動公司治理改革，以吸引更多全球投資者回流。近期韓國股市市值還超過了德國。根據彭博彙編的資料，截至1月28日，韓國股市自2025年初以來增加約1.7兆美元，整體市值升至3.25兆美元。這一規模超過德國的3.22兆美元，使韓國成為全球第十大股市。韓國基準股指Kospi指數在2025年飆升75.63%，跑贏全球其他主要股指。作為該指數的主要成分股，東洋高速公司和天一高速的漲幅接近900%。佔該指數權重近30%的儲存雙雄三星電子和SK海力士全年分別暴漲125%和274%。在這輪牛市之前，韓國股市是典型的價值窪地。2025年4月，韓國政府推出“外資准入改革”，核心措施包括：取消外資持股比例限制、簡化外資開戶流程（從7天縮短至1天）、降低外資交易稅費（交易印花稅從0.3%降至0.1%）。股市上漲表明韓國從周期性出口市場向全球人工智慧AI熱潮核心受益者的轉變。“韓國已不再只是全球貿易的晴雨表；而是目前唯一一個處於2020年代三大關鍵發展趨勢交匯點的市場，即人工智慧、電氣化和國防領域，”新加坡Impactfull Partners的董事總經理Keith Bortoluzzi表示。他指出，德國企業盈利受到汽車和化工行業長期下滑的困擾，而韓國則正享受由國防支出增加及AI基礎設施帶來的超級周期。消除“韓國折價”七十年來，財閥體系始終主導著韓國經濟。這些發軔於朝鮮戰爭廢墟的家族企業，從製造韓流熱門單曲到鋼鐵生產無所不包，卻因公司治理薄弱、壓制競爭及規避遺產稅，長期飽受詬病。在20世紀60至70年代的威權政府扶持下，財閥助力韓國躋身經濟強國之列，四大財閥（三星、現代、大宇、浦項）市值已佔韓國Kospi 200指數比重過半。但監管機構與投資者日益認為，這些企業已成為拖累，導致了“韓國折價”現象，即韓國股市估值低於台灣和日本股市。儘管長期以來，這種現象多被歸咎於臨近的朝鮮威脅，但越來越多的共識認為，財閥治理缺陷才是主因。散戶正成為變革關鍵力量。近30%的韓國人如今持有股票，這一比例是2019年的兩倍多，他們已成為一股強大的政治力量。2025年，散戶投資者的反對幫助阻止了斗山集團（Doosan Group，自稱韓國最古老的企業，主營工程機械）兩家獨立子公司的合併提案。大約同一時間，他們的抗議還促使議員們取消了針對小額國內股票持倉的資本利得稅提案。韓國散戶交易員——在當地被稱為“螞蟻”，向來以敢於承擔風險而聞名。隨著股市不斷飆升，韓國散戶瘋狂加槓桿。2025年3月，韓國股市融資餘額約為65兆韓元，融資交易佔比約18%；2025年12月，融資餘額飆升至158兆韓元，融資交易佔比飆升至35%。其中散戶融資交易佔比達78%。2025年2月，韓國股市日均成交額約80兆韓元，散戶交易佔比約45%；2025年4月，日均成交額飆升至180兆韓元，散戶交易佔比飆升至80%。據統計，2025年4-12月的韓國新增失業人口中，有30%是專門辭職炒股的散戶。李在明常說自己是“螞蟻”。他正提議推行強制性改革。“民主黨如今推行改革會順利得多，”新加坡百達資產管理公司(Pictet Asset Management)的基金經理喬恩·威瑟爾(Jon Withaar)說，他稱讚新總統“刻意致力於消除韓國折價”。房價高企讓韓國民眾在以創紀錄的步伐湧入股市，撤離過熱的房地產市場。韓國金融投資協會的資料顯示，2025年11月20日，韓國人通過借貸投資國內股票的規模升至26.8兆韓元（約合180億美元）的歷史新高。韓國政府試圖改變民眾的行為，尤其是年輕一代的韓國人，鼓勵他們購買股票，遠離泡沫化的房地產市場。根據韓國交易所的資料，2025年4月，韓國股市活躍散戶數約7200萬；截至2026年2月，飆升至9800萬。從持倉上來看，2025年4月，韓國散戶持倉總市值約380兆韓元；截至2026年2月，飆升至920兆韓元，區間增長了540兆韓元。韓國金融監督院的調查資料，前10%人賺走了幾乎所有盈利，虧損的散戶佔比高達65%，其中有20%虧損超過50%。 (i商周)

英特爾CEO陳立武警告：儲存晶片短缺將成為一個長期存在的問題。彭博社消息：英特爾公司首席執行長陳立武表示，電腦行業的儲存晶片短缺問題大機率將持續至少兩年。他在周二思科系統公司的一場會議上稱：“據我所知，目前尚無緩解跡象。” 陳立武透露，他曾與儲存晶片領域的兩大核心企業交流，對方表示 “直至 2028 年，短缺問題都無法得到緩解”。人工智慧基礎設施的大規模擴建推高了儲存晶片的需求，導致可供傳統電腦和智慧型手機使用的晶片供應量減少，進而引發晶片短缺與價格上漲，還可能削弱消費者對相關產品的購買意願。陳立武指出，人工智慧處理器龍頭企業輝達推出的新一代魯賓平台及後續產品，會進一步拉升儲存晶片的需求。他表示，人工智慧領域將 “消耗海量的儲存晶片”。英特爾是全球最大的個人電腦處理器製造商，而處理器的運行離不開儲存晶片對資料的儲存與管理。當前全球頭部的儲存晶片製造商為三星電子、SK 海力士和美光科技。 (芯榜)

佳能2011年進入後工序光刻裝置市場，目前幾乎壟斷了半導體巨頭使用的後工序光刻裝置。阿斯麥在前工序領域佔絕對優勢，其涉足後工序對佳能構成了威脅。尼康也計畫推出後工序光刻裝置……使用尼康面向後工序的光刻裝置製作的中間基板（2025年12月）全球最大的光刻裝置廠商荷蘭阿斯麥控股（ASML Holdings）已涉足半導體製造過程中組裝最終產品的“後工序”。推出了用於在晶片之間的連接層上繪製布線的裝置，向幾乎壟斷這一領域的佳能發起挑戰。尼康也計畫2026年度實現量產。為了提高最尖端半導體的性能，後工序的重要性日益突出，裝置廠商之間的競爭愈發激烈。在面向AI的半導體中，把圖像處理半導體（GPU）和儲存器等多個晶片組合在一起工作的“先進封裝”技術正逐漸得到普及。阿斯麥已於2025年9月前開始出貨專用於先進封裝的光刻裝置，似乎已交付給全球領先的半導體企業。對於在晶圓上描繪微細電路的“前工序”光刻裝置，阿斯麥已壟斷了面向AI半導體的市場。由於後工序也需要先進技術，市場正在擴大，因此阿斯麥決定進軍這一領域。阿斯麥在採訪中表示：“這不是在現有市場上的單純競爭，而是通過創新的解決方案來滿足新需求”。據說，阿斯麥已開始供貨的“XT:260”的生產效率是前工序用光刻裝置的4倍。此外，能夠處理比前工序更厚的基板，並能減少由於多個晶片疊加而產生的基板翹曲問題。光刻裝置是把電路圖案刻印在晶圓上的裝置。為了在後工序中連接多個晶片，需要在晶片與印刷基板之間形成名為“中間基板”的新布線層。光刻裝置的技術被轉用於繪製這種布線。佳能率先抓住這一潮流，在2011年進入後工序光刻裝置市場。目前佳能幾乎壟斷了半導體巨頭們使用的後工序光刻裝置。在後工序裝置的推動下，佳能2025年的光刻裝置銷量達到241台，5年內幾乎翻了一番。阿斯麥在前工序領域佔絕對優勢，其涉足後工序對佳能構成了威脅。佳能的常務董事武石洋明表示：“雖然我們認為自己有優勢，但性能差距可能會逐漸縮小。裝置能否解決後工序特有的需求才是關鍵”。尼康也計畫在2027年3月之前推出後工序光刻裝置。佳能的裝置採用轉印原有電路圖案的“光掩模”（Photomask）方式，尼康採用無需掩模的“數字曝光”（Digital Exposure）技術。因面向後工序的需求擴大，佳能新建的半導體製造裝置生產廠房（位於宇都宮市）新裝置也更易於滿足封裝大型化的需求。隨著晶片數量增加，用於承載晶片的中間基板也在變大。過去是從直徑300毫米的圓形矽晶圓切割而來，未來預計將更多採用從浪費更少的大型方形基板切割的方式。在光刻裝置以外，進入先進封裝裝置市場的企業也在增加。松下控股（HD）開發了垂直堆疊晶片的裝置，能滿足AI半導體的需求，計畫2027年銷售。在先進封裝領域，“3D堆疊”技術比平面連接晶片的方式更能縮短布線長度。由於布線電阻減小，功耗最多可減少一半，同時單個晶片的處理能力也會提升。台積電、英特爾、三星電子等在先進封裝領域競相開發技術。各家企業在中間基板的大小、材料、設計方法等方面展開開發競爭，並推動各自技術的標準化。與前工序不同，後工序技術開發的方向尚未明確，裝置廠商還需要具備捕捉行業趨勢和需求的能力。 (日經中文網)

儲存巨頭的暴利，已經刷新歷史紀錄了。1 月 29 日，韓國儲存雙雄三星電子與SK 海力士均交出2025年第四季度成績單。2025年Q4三星的營業利潤為20.1兆韓元（約合人民幣323.7億元），高於去年同期為6.5兆韓元，同比增長209%。三星也成為韓國首家季度營業利潤突破 20 兆韓元的企業，創下本土商業史的新紀錄。而SK海力士也不甘示弱，2025年財年Q4實現營業利潤19.16兆韓元，遠超於其最初16-17兆韓元的利潤預期。由於賺得盆滿缽滿，SK海力士2025年年終獎人均達64萬元人民幣（約1.36億韓元），也創造了公司歷史上的最高紀錄了。這波史詩級盈利的背後，是記憶體價格的一路狂飆。頭圖 | 視覺中國1月25日，三星更是祭出狠招，直接將今年第一季度NAND快閃記憶體的供應價格上調了100%以上，翻倍漲價。風口之下，國產儲存廠商同樣乘風而起。在A股儲存企業中，佰維儲存、德明利、兆易創新發佈了2025年業績預告。其中，佰維儲存預計2025年歸母淨利潤為8.5億元至10億元，同比增長427.19%至520.22%；德明利預計2025年歸母淨利潤為6.5億元至8億元，同比增長85.42%至128.21%。然而，儲存巨頭們賺得盆滿缽滿的B面，是整個電子產業鏈利潤分配的殘酷洗牌。是什麼讓三星等巨頭擁有肆意漲價的底氣？在記憶體瘋漲的背景下，投資者如何把握機會做好資產配置呢？一、瘋漲的背後是行業定價權儲存是一個寡頭壟斷的行業，SK海力士、三星、美光三家通吃全球。據Counterpoint，2025Q3 DRAM市場份額前三分別為：SK 海力士（34%）、三星（33%） 和美光（26%），三者合計份額93%；而NAND市場，同樣由三大巨頭主導。雖然儲存是標準化的產品，但產能是高度可控的稀缺資源。一方面，儲存晶圓廠建設周期約2-3年，擴產並不快。而歷史上，儲存上漲周期最久不超過3年。如果企業在儲存上漲周期擴產，建成開始量產時上漲行情就已經結束了。另一方面，儲存的商戰非常殘酷，已經上升到各國國力的競爭。比如：歷史上，背靠韓國政府三星通過逆周期擴產，發起價格戰，寧願虧損也要搶佔市場份額，最終導致德國的奇夢達因資金鏈斷裂宣佈破產、日本的爾必達退出了市場。儘管面對漲價潮，中小儲存廠商擴產也較為克制，不敢下重注。而三大儲存寡頭，集體“謹慎擴產”，形成默契以維持暴利。此外，儲存不是有錢就能造的，有較高的技術壁壘。美國對華全面禁止先進晶片及裝置出口，ASML光刻機禁運，國記憶體儲擴產也受到影響。寡頭壟斷、技術壁壘高、產能稀缺，整個儲存的行業定價集中於SK海力士（韓國）、三星（韓國）、美光（美國）這三家企業手中。現在，AI訓練及應用需要傳輸和處理海量資料。如果儲存系統性能不足，無法及時將資料提供給GPU/CPU，就會出現"GPU/CPU排隊等資料”的情況，導致算力空轉，也就是我們常看到的畫面卡頓。儲存需要往高頻寬、高容量等方向的升級迭代。而傳統的記憶體DDR4單通道約17-25 GB/s，雙通道約50 GB/s，適配AI晶片的記憶體HBM（高寬頻記憶體）頻寬可達8TB/s，甚至可以更高。而資本永遠流向利潤率最高的地方，那怕會"犧牲"低端市場。在產能有限、AI需求爆發的背景下，SK海力士、三星、美國等儲存原廠由DRAM轉向高毛利、高附加值的HBM產品，擠壓了傳統記憶體DRAM(DDR4)的產能。烤箱不烤面包，只烤定製蛋糕了。而傳統記憶體DRAM主要應用於PC、手機、平板、智能電視、機頂盒等消費電子產品，這些需求並未減弱。舊產能收縮，再加上不少管道商惜售囤貨。2025年記憶體開始瘋狂上漲，甚至出現了“儲存倒掛”現象，即舊產品（DDR4）價格高於新產品（DDR5）價格。據DIGITIMES Research最新統計，2024年底至2025年12月間，DDR5（16Gb）現貨均價由4.6美元躍升至28美元，漲幅逾500%；而DDR4（16Gb）模組價格則從約3.2美元飆升至62美元以上，累計漲幅高達1800%。那麼，這波漲價潮會持續多久呢？據Trend Force集邦諮詢，在AI伺服器、高效能運算與企業級儲存需求長期支撐下，DRAM與NAND Flash合約價漲勢預期將延續至2027年，因此市場的營收成長動能有望延續至2027年。在漲價潮下，擁有定價權的三星、SK海力士、美光3大儲存原廠，是最大的受益者。因此，三星、SK海力士已經交出了亮眼的成績單。一方面，高寬頻記憶體HBM的製造成本與技術門檻遠高於傳統DRAM，且產能被AI伺服器客戶優先鎖定，價格長期維持高位。通常來說，HBM的價格通常是DDR5的3-4倍。另一方面，三星、SK海力士及美光均表示明年HBM售罄，其中SK海力士表示DRAM和NAND訂單也已鎖定。國記憶體儲廠商還未完全實現HBM技術攻關，其增長空間主要來自傳統記憶體DRAM的漲價，暫時無法分享到HBM的紅利。不過，為了AI競爭獲勝，中國必須加入爭奪行業定價權的行列，通過卷技術、擴產能，才能瓦解美國靠科技實現霸權主義的路徑。因此，我們看到國產半導體裝置國產化率不斷提升，長鑫、長江等儲存企業、GPU“四小龍”等陸續IPO，獲得資金支援以實現技術突圍。重塑行業定價權，除了技術突圍，產能也至關重要。在產能上，中國儲存廠將成為後續全球產能主要貢獻者。據華西證券預計，中國大陸有望供給50%產能（330萬片/月），考慮到先進工藝節點升級帶來的價值量提升，擴產的空間超過10倍。這也帶來了投資機會。從投資的角度來看，除了儲存企業，因擴產預期，儲存裝置也會被資本市場給予更高的估值。另外，妙投認為儲存超級周期會持續到2027年，國內外的儲存企業的業績仍將增長，估值仍有拔高的空間。不少機構紛紛看好美光等儲存廠商，比如：法國巴黎銀行將美光科技目標價從270美元上調至500美元。此外，儲存瘋漲還會對下游產業帶來新的變化，從而影響投資者2026年的決策。二、下游必有一劫在儲存瘋漲引發通膨的背景下，整個電子產業鏈的利潤分配也將重新洗牌。妙投認為，2026年消費電子企業必將迎來一劫，AI硬體落地恐不及預期。1.消費電子必有一劫“今年，那些靠性價比的手機品牌和一些靠後的品牌都很難了。去年11月份開始漲價，新品都會漲價，漲價成了大方向”，一位手機管道人士向虎嗅妙投表示。那麼，手機廠商們又會如何應對呢？通常來說，面對成本上漲，手機廠商的策略有漲價、減配、扛下部分或所有上漲的成本。“至於漲價還是減配，要看每個公司的策略。不過，減配很少，新品減配是沒道理的。剩下，就只能虧了”，該手機管道人士表示。此外，小米盧偉冰就曾在電話會議中對此直言不諱，並預計明年產品零售價格可能會有較大幅度上漲。不僅是成本，手機銷量也將受到影響，尤其是中低端手機。“今年消費電子鏈的企業會很難，本來大家就沒什麼換機的需求，去年還搞國補消耗了一波需求”，一位蘋果鏈人士告訴虎嗅妙投。隨著儲存漲價潮越演越烈，機構也不斷下調2026年手機銷量的預測。2025年11月，TrendForce集邦諮詢預測2026年智慧型手機生產總數將下調至-2%，而現在這一數字進一步下調至-7%。此次，遊戲主機2026年出貨預測，也從原先預估的年減3.5%調降至年減4.4%。(資料來源：TrendForce集邦諮詢)據介面新聞，受上游供應鏈儲存漲價影響，在全年手機出貨數量上，小米、OPPO下調幅度超20%，vivo下調近15%，傳音則將全年出貨目標調整至7000萬台以下，此次調整主要集中在中低端機型及海外市場相關產品。相對於中低端機型的漲價、降低出貨量，蘋果將採用“高配漲價、低配持平”的策略，將儲存漲價成本轉嫁給選擇高配版的消費者。而選擇低配版本的消費者則是“賺到了”。妙投認為，2026年主打中低端的手機廠商（如：小米、傳音等）的手機業務將面臨“量利齊跌”，其盈利能力將承壓。值得注意的是，盈利下滑的預期也反映到小米、傳音的股價上。自2025年11月以來，小米、傳音的股價分別下跌了16.02%、16.45%。因此，今年消費電子的投資不確定性較高，並不適合資產配置。2.漲價潮阻礙AI硬體落地不僅僅是消費電子，儲存的漲價潮開始向汽車、家電領域蔓延。更重要的是，漲價會影響物理AI的落地進度。儲存晶片漲價，已經給家電行業帶來了較大成本壓力。創維創始人黃宏生公開表示，“目前我們高端產品會優先搭載AI功能，低端產品暫不配置，未來策略將根據晶片價格走勢調整。”汽車同樣受到波及，不僅面臨成本壓力，還拿不到晶片。2025年12月底，理想汽車供應鏈副總裁孟慶鵬公開表示，2026年汽車行業可能面臨儲存晶片供應危機，滿足率或許不足50%。今年1月初，蔚來創始人李斌在第一百萬輛新車下線媒體溝通會上，向行業發出了預警：“今年最大的成本壓力還不是原材料，是記憶體。現在記憶體漲價，已經漲瘋了。”雷軍也在1月初的一場直播中表示：“今年光是車用記憶體這一項，成本就要增加幾千塊錢。加上大宗材料也在漲，成本壓力真的很大。”而AI在汽車領域的應用，就是自動駕駛。在CES 2026上，黃仁勳把演講火力全部集中在“物理 AI（Physical AI）”上，並表示自動駕駛將成為物理AI最先實現規模化落地的應用場景。自動駕駛的規模化落地的重要因素，就是單車盈利模型能否跑通。此前，蘿蔔快跑、小馬智行等表示，在部分場景單車的經濟模型已經實現收支平衡，資本市場也開始注意自動駕駛的拐點能否到來。在單車經濟模型中，整車的成本佔比最大，各自動駕駛企業都在壓低購置和改造成本。不僅如此，車隊的規模效應也將影響盈虧平衡點。妙投認為，在儲存價格的漲價、車規儲存晶片供應危機的趨勢下，自動駕駛的規模化落地又多了不確定性因素。不僅是家電、自動駕駛，價格敏感的AI落地場景均有可能受到影響，投資者還需謹慎看待。上游賺翻、上游買單，2026年電子賽道的投資註定會是結構性行情、分化的行情。 (虎嗅APP)

三星電子和SK海力士近期成功將供應給蘋果的低功耗DRAM價格較上季度提高近一倍，標誌著全球最大智慧型手機製造商之一在記憶體供應緊張局面下也不得不接受大幅漲價。AI圖片分析認為，這一價格調整打破了蘋果長期以來憑藉市場地位獲取低價記憶體的慣例，凸顯當前記憶體市場供需失衡的嚴峻程度。1月27日，據韓國媒體zdnet報導，三星電子在與蘋果的談判中提出一季度LPDDR晶片價格上漲超過80%，而SK海力士的漲幅約為100%。蘋果去年iPhone出貨量約為2.5億部，是LPDDR的關鍵客戶。報告稱，記憶體價格飆升源於全球科技巨頭對AI基礎設施的激進投資推動DRAM需求激增，而供應商將產能重點轉向HBM（高頻寬記憶體），加劇了供應短缺。市場研究機構TrendForce預測，一季度通用型DRAM價格將環比上漲55-60%。據報導，業內人士透露，蘋果通常每年簽訂記憶體長期協議，但考慮到當前記憶體危機，今年僅完成了上半年的單價談判。隨著下半年iPhone 18等新品發佈，價格可能進一步上漲。消息出爐之後，SK海力士、三星電子午後漲幅進一步擴大，其中SK海力士漲超8%，三星電子漲近4%。01 供應緊張迫使蘋果接受大幅漲價三星電子和SK海力士在今年一季度與蘋果的談判中取得顯著成果。報導指出，據韓國業內消息人士透露，三星電子提出的LPDDR價格漲幅超過80%，SK海力士的漲幅則達到約100%。這是蘋果作為主要客戶首次在短期內接受如此大幅度的價格調整。據悉，LPDDR是一種相比標準DRAM更注重能效的記憶體類型，對包括智慧型手機在內的IT裝置至關重要。目前第七代LPDDR5X應用最為廣泛。蘋果憑藉每年約2.5億部的iPhone出貨量，一直是LPDDR市場的關鍵買家。報導指出，儘管價格大幅上漲，但蘋果支付的LPDDR價格並非市場最高水平。作為記憶體市場的主要參與者，蘋果長期利用其主導地位以低於其他公司的價格採購LPDDR。業內人士認為，此次談判顯著縮小了蘋果與記憶體供應商之間的價格差距。02 AI需求擠壓傳統記憶體供應記憶體價格急劇上漲的根本原因在於供需結構失衡。報導稱，全球大型科技公司對AI基礎設施的大規模投資推動DRAM需求激增，而三星電子和SK海力士等供應商將產能重點轉向利潤更高的HBM產品，導致傳統DRAM和LPDDR供應緊張。市場資料顯示，LPDDR5價格已在去年四季度上漲約40%。TrendForce預測，一季度通用型DRAM價格將環比上漲55-60%。一位業內人士表示："一季度的漲幅更大，整體漲幅至少達到60%。"如果蘋果的記憶體價格上漲得到全面反映，記憶體供應商一季度的整體盈利能力預計將進一步改善。這對於在去年經歷行業周期低谷的三星電子和SK海力士而言，意味著DRAM業務盈利能力在一季度實現最大化。03 下半年價格或繼續攀升與以往做法不同，蘋果今年僅完成了上半年的記憶體單價談判，而非簽訂全年長期協議。一位半導體業內人士解釋："蘋果通常每年都會簽訂記憶體長期協議，但考慮到最近的記憶體危機，據我瞭解，他們只完成了今年上半年的單價談判。"這一變化為下半年價格進一步上漲留下空間。該人士補充說："隨著下半年新產品的推出，價格可能會進一步上漲。"蘋果預計將在下半年發佈最新旗艦智慧型手機iPhone 18，屆時對LPDDR的需求將顯著增加。分析指出，短期合約的簽訂反映出當前記憶體市場的不確定性，也顯示蘋果在供應緊張環境下議價能力的減弱。對於三星電子和SK海力士而言，這意味著在下半年新一輪談判中可能獲得更大的定價主動權。 (華爾街見聞)

2025年，韓國各產業部門的境遇喜憂參半。受美國加征關稅和俄烏戰爭的影響，汽車和石化行業舉步維艱；而半導體、造船和國防等行業則因全球需求增長而蓬勃發展。我們將探討2026年影響全球經濟的關鍵因素，並預測各行業將受到的影響。[編者注]去年支撐韓國出口增長的是“半導體”行業。隨著人工智慧（AI）在全球範圍內的普及，以三星電子和SK海力士為首的儲存晶片需求激增，並進入繁榮期。半導體出口增長超過30%，抵消了石化和鋼鐵等傳統製造業的下滑。今年的前景更為光明。據韓國進出口銀行海外經濟研究所預測，韓國今年半導體出口額預計將同比增長11%，達到1880億美元（約合254兆韓元），連續第二年創下歷史新高。世界半導體貿易統計（WSTS）預測，2026年全球半導體市場規模將比上年增長超過25%，達到約9750億美元。其中，儲存器市場預計將實現30%左右的增長，超過整體增速。在DRAM市場，三星電子和SK海力士合計佔據約70%的全球市場份額；在NAND快閃記憶體市場，兩家公司的市場份額合計約為50%。三星電子和SK海力士合併後的營業利潤預計將超過200兆韓元市場將儲存器機構領域的強勁勢頭稱為“超級周期”。美國銀行（BofA）將2026年定義為“類似於20世紀90年代繁榮時期的超級周期”，並預測全球DRAM收入將同比增長51%，NAND收入將同比增長45%，而DRAM的平均售價（ASP）將上漲33%，NAND的平均售價將上漲26%。隨著半導體行業全面進入超級周期，券商紛紛上調對三星電子和SK海力士的盈利預期。Kiwoom證券將三星電子今年的合併營業利潤預期上調至107.612兆韓元，比券商此前三個月的普遍預期83.242兆韓元高出29%以上。iM證券則將SK海力士今年的營業利潤預期上調至93.843兆韓元。在最樂觀的情況下，兩家公司的合併營業利潤將超過200兆韓元。在記憶體晶片市場，結構性供應短缺（供應無法滿足需求）正在加劇，導致價格大幅上漲。隨著人工智慧訓練和推理所必需的高頻寬記憶體（HBM）需求激增，整個記憶體市場的供應限制也隨之加劇，甚至連普通商品的價格也受到影響。市場研究公司TrendForce預測，第一季度通用DRAM合約價格將比上一季度上漲超過50%，NAND快閃記憶體價格也將繼續大幅上漲，主要集中在伺服器DRAM和企業級固態硬碟（SSD）領域。分析師表示，隨著人工智慧伺服器投資的增加和庫存的消耗，記憶體市場已進入典型的“賣方市場”。此外，在經歷了2018年過度擴張的後果之後，韓國國記憶體儲器企業一直保持著以盈利為導向的“有序擴張”策略。韓國進出口銀行高級研究員李美惠表示：“半導體企業保持著保守的投資策略，短期內難以擴大產能。由於產能優先用於HBM和高容量DDR5，因此為PC和移動裝置供應通用儲存器的能力有限。”她補充道：“除三星電子外，大多數DRAM製造商都因裝置安裝空間不足而受到擴張限制，因此即使到今年年底，儲存器短缺問題也難以得到解決。”HBM市場競爭日趨激烈……市場規模正在快速擴張在HBM市場，SK海力士與三星電子之間的競爭預計將進一步加劇。SK海力士目前處於領先地位，正積極推進其從HBM3E（第五代HBM）到下一代HBM4（第六代HBM）的產品路線圖，並迅速提高高附加值產品的佔比。現代汽車證券表示：“隨著DRAM價格的飆升，SK海力士有望成為全球DRAM製造商中盈利能力最強的公司。”三星電子已全面進入追趕階段。該公司自去年下半年起擴大了HBM3E的供應，今年則集中精力研發HBM4和HBM4E（第七代HBM），力圖憑藉下一代產品扭轉頹勢。在包括SK海力士和美國美光在內的三大全球儲存器製造商中，三星的產能最大，這也被視為其優勢之一，因為在未來儲存器價格上漲周期中，三星能夠獲得更大的營運槓桿。市場研究公司Omdia預測，隨著人工智慧加速器的普及，HBM市場將繼續保持高速增長，下一代HBM4的市場份額將從今年開始真正擴張。該公司還指出，HBM需求來源日益多元化是市場擴張的關鍵驅動因素。隨著大型科技公司推進專用積體電路（ASIC）戰略以減少對輝達圖形處理器（GPU）的依賴，Google的張量處理單元（TPU）、OpenAI的自主研發人工智慧晶片、亞馬遜的Trainium 3以及微軟的Maia 200等產品相繼問世。Kiwoom Securities 高級研究員 Park Yuak 表示：“三星電子已將 ASIC 作為其主要客戶，預計到 2026 年，其 HBM 出貨量將比上一年增長三倍以上。”他補充道：“第一季度，應用於主要 ASIC 晶片的 HBM 銷量將會增加；第二季度，用於輝達‘Rubin’晶片的 HBM4 出貨量將正式開始。”系統半導體和代工廠進入復甦階段……美國關稅是最大的變數有一種觀點認為，系統半導體和代工機構市場已經觸底反彈。市場研究公司Gartner預測，受人工智慧半導體市場增長的推動，今年全球系統半導體市場預計將比上年增長約10%。韓國在系統半導體市場的份額仍然維持在2%左右，但三星電子將在今年上半年發佈的Galaxy S26手機中搭載其Exynos應用處理器，以期重振競爭力。在晶圓代工（半導體代工）機構領域，三星也在努力從關鍵客戶那裡爭取訂單，以期實現復甦。截至去年第二季度，三星晶圓代工的全球市場份額為7.3%，遠落後於台積電。但業內人士表示，隨著3奈米工藝良率的趨於穩定，以人工智慧加速器和網路晶片為中心的新訂單正在逐步增加。尤其值得一提的是，計畫於今年投產的三星電子泰勒晶圓廠，正逐漸成為台積電之外的另一種選擇。投資銀行德意志銀行在最近的一份報告中表示：“隨著台積電先進工藝產能接近飽和，主要的無晶圓廠（晶片設計專家）公司正在尋求替代生產方案，以分散供應鏈風險。”報告還補充道：“在美國設有生產基地的代工廠中，三星電子被視為一個切實可行的替代方案。”今年半導體行業最大的外部變數被認為是美國的關稅政策。美國正在將半導體重新歸類為戰略產業，並暗示可能徵收高額關稅以擴大國內產能。業內普遍認為，對於已承諾在美國投資的國內企業而言，其相對影響可能有限。由於人工智慧伺服器記憶體的替代品有限，也有分析指出，成本負擔很可能會轉嫁給客戶。關稅因素預計對中長期投資策略和生產基地重塑的影響將大於對短期收益的影響。 (半導體行業觀察)

三星電子的晶圓代工業務正逐步恢復開工率。預計隨著尖端工藝和核心工藝晶圓投入量的增加，與去年相比，虧損將有所減少。據業內人士19日透露，三星電子今年上半年晶圓廠產能利用率預計平均約為60%，較去年下半年的50%提高了約10個百分點。由於未能為3奈米等尖端工藝爭取到主要客戶，三星電子的晶圓代工部門盈利能力大幅下滑。去年第一季度和第二季度，該非儲存器部門的營業虧損估計約為2兆韓元。然而，在去年第三季度和第四季度，該公司逐步復甦，虧損縮小至約1兆韓元。這得益於其現有核心工藝（如4奈米和8奈米工藝）晶圓投入量的增加，以及對傳統（成熟）8英吋工藝進行精簡的努力，包括減少一些低利潤產品。尤其值得一提的是，自去年年底以來，該公司已開始量產基於2奈米工藝的最新移動應用處理器“Exynos 2600”。該工藝的單晶圓良率預計約為50%。因此，三星電子晶圓廠的產能利用率總體呈現復甦態勢。預計今年上半年將達到60%左右，高於去年下半年的50%左右。三星電子也計畫將相關材料和零部件的訂單量提升至類似水平。一位半導體行業內部人士表示：“三星電子正在增加對代工廠的晶圓投入，因此今年的市場環境肯定會比去年好。”他還補充道：“由於其主要競爭對手台積電在尖端工藝方面面臨供應短缺，這對三星電子的代工廠來說是一個發展良機。”行業分析表明，三星電子的晶圓代工部門需要超過 80% 的開工率才能實現盈虧平衡。因此，三星電子可能需要通過穩定量產尖端工藝來贏得全球科技巨頭的信任。去年7月，三星電子與特斯拉簽署了一份價值22兆韓元的AI6晶片委託生產合同，這已經為此奠定了基礎。 (半導體芯聞)