路透援引三位知情人士透露，長鑫記憶體正準備進入由三星電子等外國競爭對手主導的處於爆發期的快閃記憶體晶片市場。在全球記憶體晶片短缺的大背景下，此舉將進一步擴大其客戶群體。這也意味著，這家動態隨機存取記憶體器(DRAM)晶片領域的專家將與國內競爭對手長江記憶體展開正面交鋒，正式跨入半導體行業增長最為迅速的細分領域之一。 人工智慧伺服器的強勁需求導致了全球記憶體晶片短缺，行業高管普遍認為這一現象將至少持續至2027年。SK海力士CEO在7月份表示，從供應角度來看，2027年可能會是該行業最為嚴峻的一年；而集邦諮詢(TrendForce)則預計，NAND快閃記憶體的供應緊張狀況要到明年下半年才有可能有所緩解。 兩位知情人士透露，長鑫記憶體計畫在其位於北京的新廠房內建立一條NAND快閃記憶體研發生產線。另有一位知情人士表示，該公司還在北京設立了一家研究院，其中的研究項目就包括NAND快閃記憶體的開發。第三位知情人士透露，長鑫記憶體已與其客戶討論了NAND快閃記憶體發展計畫，其中包括一家新成立的初創公司，該公司打算採購長鑫記憶體的NAND晶片，用於AI系統及超級電腦所需的記憶體產品中。不過，該知情人士拒絕透漏這家初創公司的名稱。目前尚不清楚該研發生產線將於何時投入運行，也不清楚長鑫記憶體是否打算從研發和試產逐步過渡到大規模的商業化量產。 根據研究機構集邦諮詢的資料，按營收計算，三星電子在第二季度是全球最大的NAND快閃記憶體供應商，市場份額達到29.3%。SK海力士排名第二，緊隨其後的是美國的美光科技。 (格隆匯電報)

據報導，韓國半導體設備核心零部件全面告急——交貨周期普遍翻倍，部分日本製造零部件等待竟長達40個月，溢價也買不到。日本供應商擴產保守、產能嚴重滯後，壓力已向下遊傳導，三星平澤、SK海力士龍仁等巨額在建項目面臨推遲風險，AI晶片擴產計劃遭遇供應鏈"硬牆"。 人工智慧驅動的半導體需求熱潮正在向產業鏈上游傳導，並在關鍵零部件環節形成嚴峻瓶頸。韓國業界消息顯示，半導體製造設備所需核心零部件的交貨周期已普遍延長一倍以上，部分日本製造的關鍵零部件等待時間甚至長達40個月。供應鏈的滯後不僅威脅設備製造商的正常生產節奏，更可能波及三星電子、SK海力士等全球主要晶片廠商的資本支出計劃。 據韓國《電子新聞》9月16日援引業界人士消息，韓國國內多家半導體設備企業均反映零部件採購困難加劇。沉積設備製造商A公司一名高管表示，相關零部件的交貨周期已從此前的四個月延長至十個月；雷射工藝設備製造商B公司則面臨更為極端的情況，其所需日本製造關鍵零部件的等待時間已延伸至40個月，即便願意支付溢價也無法加快交付。 業界人士警告，零部件短缺與設備交貨延遲的雙重疊加，將顯著提升全球半導體生產基礎設施投資出現推遲的可能性，三星電子平澤及SK海力士龍仁的在建項目均面臨潛在影響。

三星電子計畫將所有額外的傳統記憶體模組生產外包，同時將內部產能集中於高價值記憶體產品，例如高頻寬記憶體（HBM）。 據業內人士9月15日透露，三星電子正強烈敦促其外包半導體組裝和測試（OSAT）合作夥伴擴大生產線，以滿足對傳統記憶體模組日益增長的需求。該公司並沒有擴大自身用於PC、伺服器和筆記型電腦的DDR5記憶體模組和固態硬碟（SSD）的產能，而是增加了分配給外包合作夥伴的產能。 一位知情人士透露：“三星電子缺乏足夠的空間來擴建現有的後端生產線，以滿足人工智慧（AI）半導體製造的需求，因此該公司正在重新分配位於天安和溫陽的封裝工廠的空間和裝置，用於包括HBM在內的先進封裝生產線。該公司已決定通過外包的方式來應對傳統記憶體模組產能的大部分增長，而不是擴大自身的產能。” 另一位知情人士表示：“三星電子自去年6月起就要求合作夥伴加大對傳統DDR5記憶體模組和固態硬碟生產線的投資。今年，該公司甚至提議合作夥伴提前實施現有產能擴張計畫。”

AI開發降速，不等於AI資本開支周期見頂。業內人士認為，只要AI應用和商業化仍在推進，算力、數據中心、電力、記憶體等基礎設施投資邏輯就未被破壞，行業甚至可能從「燒錢擴張」轉向「利用既有資產兌現回報」。更關鍵的是，AI仍處於技術快速演進的早期階段，其他參與者未必願意跟隨頭部公司踩下剎車。 AI巨頭罕見釋放「放緩開發」信號，全球AI與半導體類股遭遇拋售，但部分市場人士認為，短期情緒衝擊尚不足以逆轉AI基礎設施投資邏輯。 9月14日，AI及半導體類股普遍下挫。日韓股市中，SK海力士跌超6%，三星電子跌4%；美股盤前，記憶體晶片股同樣集體走弱，美光科技跌近5%，西部數據跌近4%，閃迪跌超5%。 市場拋售背後，是AI巨頭近期罕見的集體表態。Anthropic首席執行長Dario Amodei上周六在X平台發表長文，呼籲AI企業主動放緩最前沿模型的開發速度，並宣佈Anthropic將單方面引入獨立第三方評估機制。

2026年9月的第一周，兩則新聞讓整個記憶體晶片行業為之一振。 01. 3D DRAM，巨頭角力 AMD近日在內部技術研討會上披露了一項令人振奮的實驗資料：基於混合鍵合（Hybrid Bonding）技術的3D DRAM架構，其能效相比傳統HBM堆疊最高可提升17倍。這意味著在相同功耗下，資料傳輸效率可實現數量級的飛躍。 傳統HBM雖然通過TSV矽通孔將DRAM晶片垂直堆疊，但晶片之間仍依賴微凸塊進行連接。這些微小的焊料球在連接時會產生物理間隙，必須用液態塑料填充物填充，這帶來了寄生電阻、限制連接密度，並阻礙熱量散發等問題。

記憶體行業的供需緊張仍在，但樂觀情緒已經不足以推動投資者繼續加倉。三星與海力士接下來的差距，將取決於HBM漲價能落實多少、長期協議能否穩住利潤，以及賺到的現金如何回到股東手中。 一、市場看多，卻開始認真計算代價 記憶體行情進入了一個更挑剔的階段。高盛9月14日彙總的北美投資者反饋顯示，受訪者普遍認可行業基本面，對三星電子與SK海力士都有很高關注度；但重大短期催化劑不足，以及對持倉狀況的顧慮，仍然限制新增投入。看好行業和願意在當前預期下繼續加倉，已經成為兩個不同的問題。 這一觀察來自多倫多、波士頓、紐約和舊金山的投資者交流。高盛感受到北美投資者比亞洲投資者更積極，卻沒有發現兩家公司之間明確、一致的選股偏好。由於交流人數和抽樣方式沒有公佈，這些反饋適合用來識別爭論，不能當作全球資金配置比例的統計結論。

分析師警告稱，大型科技公司客戶對外部融資日益增長的依賴可能會拖累該行業的發展。 隨著人工智慧需求的激增延長了記憶體晶片的超級周期，分析師警告稱，大型科技公司客戶對外部融資日益增長的依賴可能會拖累該行業的發展。 三大記憶體晶片製造商通過與主要客戶簽署至少五年的長期供應協議，確保了穩定的需求，但分析師警告說，如果記憶體需求最終放緩，不應忽視重新談判的可能性。 據彭博社和業內人士透露，三星電子、SK海力士(1月至12月)和美光(財年9月至次年8月)的年度合併營業利潤預計將呈指數級增長——從2025年的105兆韓元(785億美元)增長到2026年的795兆韓元，再到2027年的1284兆韓元。

①數據顯示，本月4日至11日，外資拋售三星電子、SK海力士股票合計約3.92兆韓元，同期淨買入其他KOSPI成分股約6800億韓元；③分析人士表示若美債長期利率以及韓元兌美元匯率趨於穩定，外資或重新流入韓國半導體類股。 海外投資者正在從韓國半導體產業中撤退。數據顯示，本月，外國投資者拋售了價值約4兆韓元（約30億美元）的三星電子和SK海力士股票，並將部分資金轉移到金融、能源和汽車等行業。 韓國交易所周一指出，本月4日至11日，外國投資者在韓國證券市場淨賣出價值3.2362兆韓元的股票。其中，外資分別淨賣出價值1.9598兆韓元的三星電子和1.96兆韓元的SK海力士股票，兩隻股票合計淨賣出額達3.9199兆韓元。 而同期外國投資者淨買入了韓國Kospi指數成分股其他公司股票約6800億韓元。分析人士表示，外國投資者正在從大型半導體股票中獲利，並將資金轉移到其他股票。