#三星電子
彭博社:儲存晶片是最佳押注
儲存需求仍被低估!跑贏97%同業的新興市場基金:AI十年景氣驅動下,儲存晶片是最佳押注ClearBridge基金經理Mathur認為,AI驅動下儲存晶片迎十年上升周期,是核心投資標的。其管理的基金因重倉三星、SK海力士跑贏97%同類產品,兩家企業業績與股價飆升,且估值優勢顯著。Divya Mathur 核心觀點未來十年,AI 推高晶片需求,儲存晶片類股是最佳投資選擇。重倉三星電子、SK 海力士,自 2015 年持倉,看好其股價後續走勢,兩家 2025 年股價 / 業績均大幅增長,且分別受益於 AI 伺服器需求、輝達 HBM 供應。市場低估 AI 記憶體需求,儲存行業處於十年上升周期第二年。亞洲 AI 企業估值合理,三星、SK 海力士市盈率顯著低於費城半導體指數。需審慎避險持倉風險,同時持有兩家可規避單一標的執行 / 延期風險。一、跑贏97%的基金:儲存晶片是最佳押注富蘭克林鄧普頓旗下資管子公司ClearBridge Investments的新興市場股票基金經理Divya Mathur,其聯合管理的14億美元規模基金ClearBridge SMASh Series EM Fund,過去一年跑贏97%同類基金,核心邏輯在於重倉儲存晶片龍頭。該基金自2015年起便持倉韓國三星電子與SK海力士,2025年兩隻個股股價表現亮眼,三星電子漲幅超一倍,SK海力士漲幅更是高達274%。作為輝達AI加速器高頻寬記憶體(HBM)的核心供應商,SK海力士去年業績爆發。三星電子則在2025年四季度利潤激增兩倍多至歷史新高,均受益於AI伺服器需求暴漲帶動的儲存晶片漲價潮。二、“儲存晶片需求仍被低估”Mathur指出,AI正永久性重塑儲存晶片行業,打破其長期以來強周期、高同質化的屬性,成為行業全新增長引擎,而市場仍低估了AI對記憶體的龐大需求。多家美國科技企業認為,當前儲存行業正處於十年上升周期的第二年,未來增長空間廣闊。更具吸引力的是估值優勢,亞洲AI相關企業較美國同行更具性價比,三星電子與SK海力士預期市盈率分別為9.3倍和7倍,遠低於費城半導體指數26倍的市盈率。Mathur 強調,儲存賽道需做好持倉避險,同時配置兩家龍頭以規避個股風險,規避 “看對賽道選錯標的” 的陷阱,並持續看好其股價。他指出,AI 正永久性重塑儲存晶片行業,打破其強周期、高同質化的固有屬性,成為新增長引擎,而市場仍低估了 AI 對記憶體的龐大需求。多家美國科技企業認為,當前儲存行業處於十年上升周期的第二年,未來增長空間廣闊。圖:三星電子與 SK 海力士的估值較美國同行存在大幅折讓(芯榜)
三大DRAM巨頭今年總產能1800萬片,但仍將供不應求!
1月14日消息,據韓國媒體《朝鮮日報》報導,市場調查機構Omdia 最新公佈調查資料顯示,今年三大DRAM原廠的晶圓總產出將達1800萬片,同比增長約5%,但是仍難以滿足的市場的需求。其中,韓國三星電子計畫在2026年將DRAM 的晶圓(Wafer)產量提升至793萬片,較2025年的759萬片增長約5%。這一增長主要依賴於平澤工廠(Pyeongtaek Campus)的產能釋放,預計三星電子的單季平均DRAM晶圓產量將首次達到200萬片大關。SK 海力士2026年的DRAM 產量將從2025年的597萬片提升至648萬片,增幅約為8%。這一增長主要來自於其清州M15X 工廠的擴產投資,相關產能預計從2026年下半年開始正式計入產量資料。相比之下,美光的DRAM產能規劃則顯得較為保守,預計其2026年全年產量將維持在與2025年相近的360萬片水平,不過其更多的新增產能將會在2027至2028年產出。也就是說,即便是三星和SK海力士的在積極的擴大產能,他們在2026年DRAM產量相比去年總共僅能夠增長85萬片。雖然目前全球三大DRAM原廠已紛紛啟動產能擴張計畫,但仍難以緩解目前市場上嚴重的DRAM供應短缺問題。而這主要是由於雲端AI晶片及AI資料中心對高性能DRAM的需求呈現爆炸式成長,導致傳統PC、智慧型手機等終端應用市場面臨嚴重的供貨短缺,預計這波DRAM漲價潮將貫穿2026年全年。《朝鮮日報》也指出,儘管2026年DRAM晶圓投入量有所增加,但實際的晶片產出卻面臨技術瓶頸。業界分析指出,三星電子在推動10nm第6代DRAM(1c)製程轉換的過程中,會面臨暫時性的生產能力損失。這種因技術升級導致的有效產能下降,使得即便晶圓投入增加,最終的市場供應量增幅仍可能低於預期。而這種現像在全球記憶體短缺背景下顯得尤為嚴峻。由於目前市場需求遠超供給,業界普遍認為,這種暫時性的產能縮減將進一步支撐高頻寬記憶體(HBM)及傳統DRAM價格的持續上揚。另外,目前的市場供需失衡程度已達到令人憂慮的水平。根據市場分析師的說法,目前DRAM 供應商對客戶的需求滿足率僅約為60%,而伺服器專用DRAM 的滿足率更是低於50%。這意味著市場上有一半的伺服器內存需求無法得到及時供應。而造成這一局面的核心原因在於供應商的戰略調整,也就是三星電子、SK 海力士與美光等DRAM原廠優先將先進製程節點與新建生產設施產能分配給HBM和伺服器DRAM。這種資源傾斜直接導致了PC 和智慧型手機製造商的困境,這類終端裝置商目前甚至只能取得所需DRAM的一半左右。在目前供應極度受限的情況下,DRAM合約價格正經歷劇烈震盪。市場研究機構TrendForce 預測,2026年第一季通用DRAM 的合約價格將較上一季度上漲55%至60%。此外,受益於伺服器需求的大幅激增,NAND Flash 的合約價格在同期也預計將上漲33%至38%。特別是在伺服器市場,預計2026年第一季伺服器專用DRAM 的價格漲幅將突破60%。這種劇烈的價格波動,反映出供應商在產能受限的情況下擁有極高的議價權。值得注意的是,儘管PC 市場的終端需求因筆記型電腦出貨量減少及規格下修而顯得相對疲軟,但這並未能阻止價格上漲。由於DRAM廠商大幅削減了對PC 製造商和模組廠商的供應配額,PC 用DRAM 價格預計在2026年上半年仍將保持陡峭的上升趨勢。而在移動裝置市場方面,供應短缺的陰影同樣揮之不去。未來幾個季度內,移動端的DRAM合約價格將持續呈現急劇上漲的態勢。這對於手機品牌商而言,無疑將增加其生產成本壓力。面對當前的DRAM供應危機,業界專家認為,短期內難以見到根本性的緩解。全球DRAM 市場的供應短缺問題,恐需等到三星電子平澤園區P4 新工廠正式投產後才具備緩解契機。根據目前的工程進度與內部預測,P4 工廠最快也要到2027年以後才可能投入營運。同樣地,SK 海力士也需要等到龍仁半導體叢集正式啟動運作,才能顯著提升其整體的DRAM生產能力。在這些大型基礎設施完工之前,全球DRAM市場將長期處於緊平衡甚至是供應不足的狀態。因此,總體來說2026年的DRAM市場正處於一個由AI 需求主導的強勢周期。雖然三星與SK 海力士試圖通過增加DRAM晶圓產能來緩解壓力,但受限於新製程轉換的產能損耗、對HBM 的資源優先配置,以及新工廠建設的長期周期,市場供給缺口在短期內依然巨大。對於下游的PC、智慧型手機及伺服器廠商來說,如何在這波價格飈升與供貨不穩的浪潮中確保供應鏈安全,將成為2026年最重要的經營課題。 (芯智訊)
全球最大記憶體巨頭利潤創新高
根據初步業績,三星電子去年第四季度的營業利潤為20兆韓元(約合138.2億美元‍),較上年同期飆升208%;這將是三星有史以來最高的季度營業利潤。周四(1月8日),全球最大的記憶體晶片製造商三星電子發佈了2025年第四季度初步業績,顯示受益於AI熱潮下的儲存晶片漲價潮,當季公司營業利潤大幅增長,且好於市場預期。根據初步業績,三星電子去年10月至12月期間的營業利潤為20兆韓元(約合138.2億美元‍),較上年同期飆升208%,高於LSEG SmartEstimate預計的18兆韓元。這將是三星有史以來最高的季度營業利潤。該公司此前的單季營業利潤峰值為 2018年三季度創下的17.6兆韓元。初步業績還顯示,三星電子第四季度銷售額同比增長23%,至93兆韓元。這是三星單季銷售額連續第二季突破80兆韓元,去年第三季度銷售額為86兆韓元。三星預計將於本月晚些時候發佈完整業績,包括其各項業務的收益明細。▌AI引爆儲存晶片漲價潮三星亮眼的業績背後,是供應緊張和人工智慧驅動的需求激增推高了傳統儲存晶片的價格。近幾個月來,儲存晶片價格持續上漲。一方面,晶片產業正轉向人工智慧相關晶片的生產,傳統儲存晶片產能因此受到擠壓;另一方面,訓練和運行人工智慧模型對傳統晶片與高端晶片的需求均在激增。三星等儲存晶片製造商正逐步縮減消費級通用儲存晶片的產能,轉而加大面向輝達等人工智慧巨頭的高利潤高端儲存晶片的生產力度,以滿足大型資料中心的需求。這一產能調整直接導致筆記型電腦與伺服器所用的標準儲存晶片供應嚴重短缺,進而推動DRAM和NAND 快閃記憶體價格大幅飆升。本周早些時候有消息稱,三星與其本土競爭對手海力士已向伺服器、PC及智慧型手機用DRAM客戶提出漲價,今年一季度報價將較去年第四季度上漲60%-70%。里昂證券韓國區研究主管Sanjeev Rana表示,2025年四季度,DRAM晶片的平均售價環比上漲超30%,NAND快閃記憶體的平均售價環比上漲了約20%。“超大規模資料中心營運商和雲服務商正在大量採購DRAM,而且願意支付溢價。” Rana表示,並補充稱,強勁價格走勢有望貫穿整個2026年,甚至延續至2027年上半年,“即便在那之後,價格也可能不會明顯回落,因為市場需求過於強勁,而供應端則處於緊張狀態”。Counterpoint Research預測,本季度DDR5價格將環比上漲40%,第二季度還將進一步增長 20%。DDR5是當前電腦和伺服器採用的最新一代傳統DRAM。在高頻寬儲存(HBM)領域,三星此前落後於SK海力士和美光科技,該公司一直在努力縮小與與競爭對手的差距。上周五,三星首席執行長全永鉉表示,三星客戶對其下一代HBM晶片(即HBM4)的競爭優勢給予了高度評價,並引用客戶的話稱“三星回歸了”。Rana預計,隨著HBM4進入商用階段,三星電子 2026 年的 HBM 出貨量將增加兩倍。三星股價2025年上漲了125%,創下26年來最大年度漲幅。新年伊始,三星股價在過去幾天進一步飆升,反映出在競爭對手美光科技給出樂觀預測後,市場對其季度業績井噴的期望。僅在過去一周,就有多位分析師上調了三星的目標價。 (科創板日報)
貴到離譜的2nm,被瘋搶
人工智慧的蓬勃發展給台積電帶來了嚴峻挑戰,該公司正努力克服2nm製程工藝供應緊張的困境,以滿足市場需求。據報導,台積電將於1月1日起上調其下一代製程工藝的價格,但儘管客戶需要支付少量溢價,訂單量似乎並未減少。事實上,根據最新資訊,到2026年第三季度,台積電2nm製程的營收有望超過3nm和5nm製程的總和。預計台積電將在其本土和美國共建設10座2奈米製程工廠,到2026年底,產能將達到8萬至10萬片晶圓。由於其2nm產能已排滿至2026年全年,台積電計畫通過在台灣新建三座工廠來滿足旺盛的市場需求,這項工程預計耗資高達286億美元。據Liberty Times Net報導,台積電的2nm技術已成為其“獨角戲”,人工智慧的爆炸式增長帶動了客戶訂單的激增。這家台灣半導體巨頭還將受益於其尖端晶圓價格的上漲,預計到2026年第三季度,2nm工藝的收入將超過3nm和5nm工藝的總和。報告還提到,台積電可能在其本土和美國建立多達10座2奈米晶圓廠,但顯然沒有將這項技術引入海外的計畫,據說它將提前一年推出3奈米晶圓,以防止三星等競爭對手搶佔先機。目前,台積電位於高雄的Fab 22工廠是其主要生產中心,其餘Fab 20工廠則位於新竹科學園區。台積電將建設5至6座晶圓廠,用於生產各種光刻工藝,總產量為3.5萬片晶圓,預計到2026年底將增至8萬至10萬片。2奈米工藝自2023年第三季度開始為台積電貢獻營收,最初約佔季度總營收的6%,隨後在第四季度躍升至15%。目前,5奈米工藝佔據了營收的絕大部分,佔總營收的60%,但隨著時間的推移,隨著3奈米和2奈米工藝的逐步發展,這一比例應該會逐漸下降。分析師估計,台積電的3奈米產能將在2026年達到極限,因為這項技術已經進入了“量產的黃金時期”。 不幸的是,台積電也必須為2奈米晶圓騰出空間,因為蘋果、高通、聯發科、AMD、輝達以及其他無數客戶都將使用2奈米晶圓。2nm製程大PK,史上最貴手機晶片來了台積電、三星製程節點都推進至2nm,智慧型手機可望成為首批終端應用,其中,台積電通吃蘋果、高通、聯發科最新2nm處理器大單,成為大贏家;三星也大秀2nm肌肉,打造Exynos 2600處理器,用於自家手機。由於2nm製程更先進,能耗將更低、效能與AI處理能力大增,但價格也將同步攀高。業界預期,以2nm製程打造的手機處理器將是「史上最貴手機晶片」。外媒披露,蘋果以台積電2nm製程打造的A20處理器成本高達280美元,比A19貴逾八成,伴隨近期記憶體價格飆漲,在處理器價格激增下,智慧型手機漲價恐箭在弦上。台積電2nm(N2)製程技術如期於去年第4季量產,採用第一代奈米片(Nanosheet)電晶體技術。台積電也發展低阻值重設導線層與超高效能金屬層間電容,以持續進行2nm製程技術效能提升。該公司先前也提到,會推出N2P製程技術,作為N2家族延伸,具備更佳的效能及功耗優勢,預計今年下半年量產。台積電強調,N2技術將提供全製程節點的效能及功耗的進步,以滿足節能運算日益增加的需求。 N2及其衍生技術將因其持續強化的策略,進一步擴大技術領先優勢。台積電2nm獲得客戶積極採用,手機更是主要應用之一。外媒報導,蘋果正開發今年iPhone 18系列高階款新機搭載的A20處理器,就是採用台積電2nm製程生產。另外,即便高通與聯發科並未對外證實,外界大多預期今年下半將發表的高通旗艦手機晶片驍龍8 Elite Gen 6系列與聯發科的旗艦晶片天璣9600,也都採用台積電2nm製程生產。聯發科已於去年9月宣佈,首款採用台積電2nm製程的旗艦系統單晶片已成功完成設計定案(tape out),成為第一批採用該技術的公司之一,預計2026年底進入量產。三星也大秀先進製程肌肉,宣佈旗下Exynos 2600處理器,採用自家2nmGAA製程打造。該晶片整合CPU、GPU與NPU,配置採用最新安謀(Arm)v9.3架構的10核心CPU,增強CPU端機器學習效能,GPU 運算效能是前一代產品的二倍,NPU則讓生成式AI效能比上一代提升113%,並降低功耗與延遲,帶來更佳的AI與遊戲體驗。三星強調,將強化Exynos處理器的競爭力,將其匯入主要旗艦機種。其晶圓代工事業部今年也將專注於穩定供應採用2nmGAA製程的新產品與HBM4。2nm,三雄爭霸台積電已於 2025 年第四季度正式啟動 2 奈米(N2)半導體工藝的量產工作,此舉創下行業里程碑 —— 台積電成為全球首家基於環繞柵極(GAA)架構奈米片電晶體技術,提供芯粒(Chiplet)代工服務的晶圓代工廠商。目前,台積電新竹寶山廠區(20 號晶圓廠)與高雄廠區(22 號晶圓廠)的 2 奈米產能正逐步爬坡,為滿足 2026 年起持續增長的市場需求做好準備。台積電董事長魏哲家表示,市場對 2 奈米工藝的客戶需求已超出公司當前的供應能力。在近期的財報電話會議上,台積電還披露其 2 奈米晶片的流片量創下歷史新高,超過了此前 3 奈米工藝同期的流片規模。為應對這一需求熱潮,台積電需在 2025 年底前實現 20 號與 22 號晶圓廠的全面投產。流片完成意味著晶片的設計階段宣告結束,正式進入量產環節。目前基於 2 奈米工藝的項目數量已超過 3 奈米階段,不過台積電並未透露具體客戶名單。與台積電在 2 奈米工藝量產上的低調推進不同,英特爾在其等效 2 奈米等級的 18A 工藝上表現得更為高調,多次對外披露該工藝的研發進展。在首席執行長陳立武的主導下,英特爾開放了其亞利桑那州 52 號晶圓廠供媒體參觀,並通過投資者溝通會發佈了工藝良率與節點研發的最新動態。英特爾首款基於 18A 工藝的處理器 “豹湖”(Panther Lake)預計將於 2025 年底交付,並計畫在 2026 年國際消費電子展(CES)上正式發佈。這款晶片將成為檢驗英特爾代工服務(IFS)吸引外部客戶能力的關鍵產品。英特爾副總裁約翰・皮策指出,18A 工藝的良率目標是在 2026 年底或 2027 年初達到行業標準水平。儘管英特爾積極推進 18A 工藝商業化,三星電子也已於 2025 年 12 月宣佈,其基於 2 奈米 GAA 工藝的移動應用處理器 Exynos 2600 正式量產,但兩家企業均面臨良率提升至商用水平的挑戰。目前,台積電仍是全球唯一一家可為外部客戶提供 2 奈米代工服務的晶圓廠,在市場競爭中佔據顯著領先優勢。在台積電龐大的客戶體系之外,2 奈米代工市場的外部客戶爭奪戰主要在英特爾與三星之間展開。SemiWiki 的消息源顯示,英特爾預計到 2026 年為其 18A 工藝爭取到 4 家外部客戶,相關產品的量產計畫定於 2028—2030 年。不過,在晶片正式流片之前,客戶的合作意向仍存在變數。特斯拉首席執行長埃隆・馬斯克曾多次提及,公司對採用台積電 N2 工藝和三星 2 奈米工藝的人工智慧晶片需求旺盛。但三星能否在這一領域搶佔更多市場份額,很大程度上取決於其位於美國德克薩斯州泰勒市的晶圓廠能否提升良率 —— 馬斯克本人正對該工廠的生產進度進行直接監督。在當前的 2 奈米代工市場,台積電佔據主導地位,三星暫時處於次要位置。業內觀察人士推測,若三星的 2 奈米產能無法滿足需求,馬斯克或許會將部分訂單轉移至台積電,或是考慮英特爾的代工服務 —— 尤其是在 2026 年英特爾與特斯拉建立合作關係的情況下。這種局面或將進一步加劇三星在新興 2 奈米市場的競爭壓力。有報導稱,高通與 AMD 正在評估三星的 2 奈米工藝,但二者仍更傾向於採用台積電技術成熟的 3 奈米(N3)與 2 奈米(N2)工藝。與此同時,英特爾正積極爭取蘋果、高通、亞馬遜雲科技、微軟等行業頭部企業,推動其採用 18A 工藝。英特爾計畫為 52 號晶圓廠配備至少 15 台極紫外(EUV)光刻機,併力爭在 2028 年實現亞利桑那州 62 號晶圓廠的投產,以支撐其 18A 工藝及後續 14A 工藝的 2 奈米 GAA 晶片量產。英特爾代工業務負責人納加・錢德拉塞卡蘭透露,英特爾下一代 14A 工藝的量產目標定在 2028 年,且該工藝在研發階段的性能與良率已超過當前的 18A 工藝。至於 14A 工藝的具體發展規劃,首席執行長陳立武將根據市場需求情況再做詳細披露。英特爾計畫在 2026 年國際消費電子展(CES)上重點展示兩款產品:基於 18A 工藝的豹湖(Panther Lake)消費級處理器,以及新一代至強 6+(Xeon 6+)資料中心晶片。這兩款產品的推出,凸顯出英特爾的核心戰略 —— 擴大自身 2 奈米 GAA 工藝的產能規模,降低對台積電代工服務的依賴。與此同時,全球 2 奈米代工市場的競爭格局已逐漸清晰:英特爾 18A 工藝與三星 2 奈米 GAA 工藝將展開正面角逐,而台積電則專注於穩步擴大產能,以滿足全球市場對 N2 工藝的強勁需求。在 2 奈米時代來臨之際,儘管競爭對手正試圖縮小技術與市場差距,但台積電憑藉低調卻果斷的技術推進,進一步鞏固了其在半導體製造領域的龍頭地位。晶圓代工,走向何方?輝達斥資超過7兆韓元(約合48.6億美元)收購英特爾股份,再次撼動了全球晶圓代工格局。此舉被解讀為輝達正在實現供應鏈多元化的訊號,此前該公司幾乎完全依賴台積電生產人工智慧晶片。隨著台積電正式宣佈2奈米製程工藝量產,三星電子和英特爾也加入競爭,圍繞大型科技公司的晶圓代工競爭正迎來一個重要的轉折點。根據近期行業報告,輝達以每股23.28美元的價格購入了214,776,632股英特爾股票,總投資額達50億美元,約合7.2兆韓元。此次收購使輝達成為英特爾的主要股東,持有約4%的股份。業內人士認為,這筆投資並非簡單的財務決策,而是一項戰略舉措。分析表明,此舉旨在將英特爾的CPU設計技術與輝達的AI能力相結合,同時為未來在晶片生產領域的合作留下空間。目前兩家公司之間尚未簽署任何代工合同。然而,鑑於雙方通過股權投資建立的緊密聯絡,評估認為輝達未來將部分人工智慧晶片生產委託給英特爾的可能性有所增加。尤其值得注意的是,這項投資與美國政府正在進行的“英特爾代工重建”戰略相契合。英特爾已從美國政府獲得57億美元的補貼,並正基於這筆資金準備大規模生產其18A工藝。輝達的這一舉措也符合旨在降低對台積電依賴的供應鏈重組趨勢。隨著人工智慧半導體需求的激增,台積電的先進工藝產能正迅速被大型科技公司的訂單填滿。此外,台灣地區的地緣政治風險以及地震可能造成的生產中斷也加劇了供應鏈多元化的必要性。與此同時,台積電通過量產其2奈米工藝,再次鞏固了其技術領先地位。去年年底,台積電正式宣佈,位於高雄南部南子科技園的Fab 22工廠已開始量產2奈米N2工藝產品。據報導,位於北部新竹科技園寶山Fab 20工廠的量產時間更早。台積電2奈米工藝的核心在於採用比現有工藝更小、更高效的電晶體結構。據評估,該工藝旨在提升性能的同時降低功耗。電源結構也得到了改進,以增強人工智慧計算所需的穩定性和效率。預計產量將從目前的每月5萬片逐步提升。蘋果、AMD和英特爾被認為是首批客戶,輝達隨後採用的可能性也正在增加。這些變化預計將為三星電子帶來機遇和挑戰。這是因為隨著台積電先進製程產能接近極限,三星必須與英特爾競爭日益增長的大型科技公司訂單,市場格局正在形成。今年,三星電子與特斯拉簽署了一份價值23兆韓元的AI晶片供應合同,並成功獲得蘋果iPhone圖像感測器的訂單,這增強了人們對其先進製程的信心。基於2奈米工藝的Exynos 2600移動晶片也有望搭載於明年的Galaxy S26手機中。業內人士評估三星電子2奈米工藝的良率約為50%。一些分析表明,就技術成熟度而言,它領先於仍處於早期階段的英特爾18A工藝。專家指出,“量產能力”是關鍵因素。分析認為,如果三星電子能夠確保良率穩定,而不僅僅是發佈技術公告,它就有可能成為包括輝達在內的大型科技公司客戶的可行替代方案。祥明大學系統半導體工程教授李鐘煥表示:“英特爾的18A工藝在數值上是1.8奈米,但實際上它本質上是2奈米等級的。”他補充道:“關鍵在於量產能力和良率,而不是技術本身。”他評估道:“由於英特爾涉足代工業務的時間並不長,因此很難在實際量產階段確保競爭力。”他還表示:“如果沒有良率保障,就很難承接大型科技公司的訂單。”關於三星電子,他表達了有條件的預期。李教授表示:“三星的2奈米製程目前還不能算是足夠成熟。”但他補充道:“如果三星的2奈米製程能夠實現與台積電持平或更優的量產能力,那麼整個行業格局可能會發生改變。”他指出:“由於2奈米製程目前是最高等級的製程,其良率的穩定必然會吸引輝達等大型科技公司的關注。”他還補充道:“如果Exynos晶片能夠在2奈米製程領域站穩腳跟,將會對代工廠的可靠性和商業可行性都產生積極影響。”他繼續分析道:“這可能是縮小與台積電差距的一個重要轉折點。” (半導體芯聞)
三星嚴查回扣問題!
在全球儲存器市場持續供不應求的背景下,三星電子近日悄然啟動大規模內部調查,重點核查其員工與代理商在儲存晶片銷售過程中涉嫌收受回扣的違規行為。據業內消息,三星總部已派遣調查團隊赴台灣地區,對半導體相關部門展開全面審查。知情人士透露,此次調查重點鎖定多名三星員工與代理商,涉嫌記憶體相關產品「收受回扣弊案」,以在配給高度緊張的情況下優先取得三星記憶體供貨,甚至新加坡也參與其中。約談多位員工後,三星果斷開鍘,行銷、業務已有首波人事異動。三星電子發言體系表示,相關內部調查屬於例行營運流程的一部分,進一步細節則不便評論。公司對調查內容嚴格保密,但高層對此事件相當重視,核心目標是防止有限的產能被不透明交易扭曲,以維持整體供應鏈的穩定與公平分配。當前儲存器報價持續攀升,交貨周期顯著延長,供應商庫存水平遠低於正常閾值。在此背景下,市場出現了不正常的利潤空間,部分人員鋌而走險,通過不正當手段謀取利益。供應鏈業者進一步指出,市場價格已明顯失序,連月來儲存器報價不斷拉升,交期也大幅拉長,供貨商平均庫存已遠低於正常水平,而此成本壓力也迅速擴散至手機、PC等終端消費市場,包括宏碁(Acer)、戴爾(Dell)與華碩等,將調漲產品以反映成本,此也恐將壓抑市場買氣。 (半導體技術天地)
儲存晶片巨頭突發火災,細節公佈!
12月24日消息,據媒體報導,今日三星電子華城工廠一座研發樓出現冒煙情況。火災發生後,接到疏散通知,樓內約120多名員工立即撤離至室外。三星電子自有消防隊在接到火警報告後,立即趕赴現場,於上午10點15分左右成功撲滅了主火,距離火災發生僅約13分鐘。目前報告顯示,這起火災是由於工廠配套設施中的“泵”裝置發生碳化而引起的,沒有造成人員傷亡。三星電子相關人士表示: “該裝置在發生碳化時產生了煙霧和灰燼,但已立即撲滅,情況已經結束,生產沒有任何中斷。”火災對生產的影響評估資料顯示,華城工廠是三星電子的核心半導體研發和製造基地。特別是在當前儲存晶片持續供不應求、價格大漲的背景下,業界非常關心此次火災是否影響到三星這家全球儲存晶片大廠的儲存晶片生產。不過,從官方通報來看,此次火災起於研發大樓,而非生產線,並且被迅速撲滅,因此似乎並未直接影響半導體生產。三星電子一位官員表示:“涉事裝置在發生碳化時產生了煙霧,但火災很快被撲滅並結束。”他還補充說:“生產沒有中斷,也沒有人員傷亡。”連續安全事故引發擔憂雖然此次華城工廠火災被迅速撲滅且無人員傷亡,但三星旗下子公司連續兩天發生安全事故,引發了人們的擔憂。12月23日下午12點30分左右,一名60多歲的分包商員工A先生在位於忠清南道牙山市的三星顯示器牙山2園區進行裝置維護工作時,被機器捲入身亡。工業界安全呼籲工業界呼籲重新審視安全法規的呼聲日益高漲,因為節假日期間安全法規很容易被放鬆。尤其是在半導體和顯示器等製造工廠,即使是輕微事故也可能造成重大人員傷亡或巨大的生產損失,因此,無論此次消防事故原因如何,都應徹底調查並採取措施防止再次發生。 (電子技術應用ChinaAET)
三星半導體,挺過來了
根據券商Kiwoon Securities的高級研究員預計,三星明年的營業利潤將達到90兆至100兆韓元(約台幣2.14兆元)。這呼應了先前報告指出,三星計畫在2027年實現晶圓代工業務獲利,意味著提高2nm GAA製程的良率是其首要任務,還有高頻寬記憶體HBM4和DRAM價格56%上漲的加持。wccftech報導,三星面臨的第一個真正考驗是,其首款採用上述曝光技術製造的晶片組Exynos 2600在應用於Galaxy S26系列後的性能表現。資深研究員朴有岳(Park Yoo-ak,音譯)對三星在2026年登頂業界霸主地位做出了最為樂觀的預測,他表示該公司明年的營業利潤將達到100兆韓元。根據《韓國經濟日報》報導,他的預測基於高頻寬記憶體HBM4市場佔額的顯著增長,以及通用DRAM價格56%的上漲。朴有岳也提到,由於NAND快閃記憶體價格上漲,三星的營收可望大幅提升。此外,該公司2nm GAA製程的良率有望提高,目前已獲得兩家中國加密貨幣挖礦裝置製造商的訂單,並與特斯拉簽署了價值165億美元的巨額交易,這將有助於三星建立穩固的客戶基礎。三星還向高通提供驍龍8 Elite Gen 5的樣品,用於評估其2nm GAA製程,但隨著驍龍8 Elite Gen 6 明年的發佈,三星的作用可能會更加突出。另一位來自KB證券的研究員金東元(Kim Dong-won,音譯)指出,三星的成功部分源自於GoogleTPU訂單的成長。根據Newspim報導,金東元還表示,由於Google Gemini的整合,記憶體供應增加,Galaxy智慧型手機銷量上升,這將有利於三星的營業利潤,預計營業利潤將達到100兆韓元,年增129%。HBM4的押注推動三星進入新一輪牛市三星電子股價目前已突破 10 萬韓元(68 美元),投資者開始質疑這家科技巨頭能否保持上漲勢頭,達到幾家券商預測的 15 萬韓元目標價位。這些券商指出,市場對人工智慧至關重要的高頻寬記憶體晶片的需求正在加速增長。10 月 30 日,三星公佈了強於預期的第三季度財報;第二天,人工智慧巨頭輝達宣佈計畫向三星和其他韓國科技公司提供 GPU。受此消息影響,當地券商紛紛上調三星目標股價。韓國投資證券、KB證券和Eugene投資證券均將目標價上調至15萬韓元,NH投資的目標價為14.5萬韓元,未來資產的目標價為14.2萬韓元。SK證券的目標價更高,達到17萬韓元。即使是去年警告儲存晶片行業“寒冬將至”的摩根士丹利,也將其對三星的目標股價上調至 144,000 韓元,並表示在牛市情況下,假設對儲存器和有機發光二極體的強勁需求持續,宏觀經濟狀況趨於穩定,而中國努力進入儲存晶片行業,其股價甚至可能達到 175,000 韓元。樂觀的前景主要基於這樣的預期:三星能夠向輝達供應其下一代 HBM4 晶片,並在 HBM3E 延遲發佈後重新奪回市場份額,此前 HBM3E 的延遲發佈導致該公司落後於競爭對手,並拖累了其盈利。KB證券高級分析師金東元周四表示,他預計三星明年將佔據輝達HBM4供應鏈的40%,並預測三星2026年的HBM出貨量將比今年增長2.5倍。金表示:“三星預計將成為最大的受益者,因為過去三年HBM的折扣價將轉為溢價,而傳統DRAM的價格則持續上漲。”他指出,這一組合可能推動三星市值達到1000兆韓元。截至周四發稿時,三星的市值為675兆韓元。韓國投資證券分析師蔡敏淑也表達了樂觀的看法,她說:“人工智慧驅動的記憶體上行周期才剛剛開始。”“由於供應短缺,平均售價將持續上漲至 2026 年,而 HBM 銷售的擴大將顯著提高(三星的)盈利能力。”三星、SK海力士股價進入第二波上漲行情“從輝達的GPU(圖形處理器)到Google的TPU(張量處理器),人工智慧記憶體半導體的需求比供應量高出50%以上。三星電子和SK海力士即將進入第二波增長階段。”KB證券研究部主管、汝矣島半導體行業長期“最佳分析師”金東元(人稱“半導體先生”)預測,半導體股票將進入第二輪上漲行情。金在1日的一份報告中指出:“三星電子和SK海力士的股價在過去一個月裡從高點下跌了15%,進入了暫時的回呼階段。這主要是由於短期美元流動性收緊、聯準會降息以及對人工智慧泡沫的擔憂引發的外資拋售,但預計這些不確定因素將從12月開始緩解。”他分析道:“人工智慧生態系統的多元化,包括Google的TPU和輝達的GPU,將直接推動HBM(高頻寬記憶體)和伺服器DRAM的普及,從而加劇未來記憶體價格上漲和出貨量增長。截至第四季度,人工智慧記憶體需求已超過供應50%以上,由於供應短缺加劇,預計第四季度的價格漲幅將遠超市場預期。”KB證券預測,三星電子明年的營業利潤將同比增長129%至97兆韓元,而SK海力士的營業利潤將增長89%至81兆韓元。三星預計將受益於北美“七大巨頭”(M7)公司HBM供應量的增加以及晶圓代工廠產能利用率的提高,而SK海力士則將受益於強勁的HBM出貨量。兩家公司明年的合併營業利潤預計為178兆韓元,佔韓國綜合股價指數(KOSPI)預計總營業利潤的40%。金特別指出:“從明年開始,Google的下一代TPU預計將採用HBM4,這將加劇供應短缺。三星電子在HBM4速度方面具有競爭優勢,極有可能在今年年初通過質量認證,從而為擴大對北美大型科技公司的供應鋪平道路。” (EDA365電子論壇)