在全球儲存器市場持續供不應求的背景下，三星電子近日悄然啟動大規模內部調查，重點核查其員工與代理商在儲存晶片銷售過程中涉嫌收受回扣的違規行為。據業內消息，三星總部已派遣調查團隊赴台灣地區，對半導體相關部門展開全面審查。知情人士透露，此次調查重點鎖定多名三星員工與代理商，涉嫌記憶體相關產品「收受回扣弊案」，以在配給高度緊張的情況下優先取得三星記憶體供貨，甚至新加坡也參與其中。約談多位員工後，三星果斷開鍘，行銷、業務已有首波人事異動。三星電子發言體系表示，相關內部調查屬於例行營運流程的一部分，進一步細節則不便評論。公司對調查內容嚴格保密，但高層對此事件相當重視，核心目標是防止有限的產能被不透明交易扭曲，以維持整體供應鏈的穩定與公平分配。當前儲存器報價持續攀升，交貨周期顯著延長，供應商庫存水平遠低於正常閾值。在此背景下，市場出現了不正常的利潤空間，部分人員鋌而走險，通過不正當手段謀取利益。供應鏈業者進一步指出，市場價格已明顯失序，連月來儲存器報價不斷拉升，交期也大幅拉長，供貨商平均庫存已遠低於正常水平，而此成本壓力也迅速擴散至手機、PC等終端消費市場，包括宏碁（Acer）、戴爾（Dell）與華碩等，將調漲產品以反映成本，此也恐將壓抑市場買氣。 (半導體技術天地)

12月24日消息，據媒體報導，今日三星電子華城工廠一座研發樓出現冒煙情況。火災發生後，接到疏散通知，樓內約120多名員工立即撤離至室外。三星電子自有消防隊在接到火警報告後，立即趕赴現場，於上午10點15分左右成功撲滅了主火，距離火災發生僅約13分鐘。目前報告顯示，這起火災是由於工廠配套設施中的“泵”裝置發生碳化而引起的，沒有造成人員傷亡。三星電子相關人士表示： “該裝置在發生碳化時產生了煙霧和灰燼，但已立即撲滅，情況已經結束，生產沒有任何中斷。”火災對生產的影響評估資料顯示，華城工廠是三星電子的核心半導體研發和製造基地。特別是在當前儲存晶片持續供不應求、價格大漲的背景下，業界非常關心此次火災是否影響到三星這家全球儲存晶片大廠的儲存晶片生產。不過，從官方通報來看，此次火災起於研發大樓，而非生產線，並且被迅速撲滅，因此似乎並未直接影響半導體生產。三星電子一位官員表示：“涉事裝置在發生碳化時產生了煙霧，但火災很快被撲滅並結束。”他還補充說：“生產沒有中斷，也沒有人員傷亡。”連續安全事故引發擔憂雖然此次華城工廠火災被迅速撲滅且無人員傷亡，但三星旗下子公司連續兩天發生安全事故，引發了人們的擔憂。12月23日下午12點30分左右，一名60多歲的分包商員工A先生在位於忠清南道牙山市的三星顯示器牙山2園區進行裝置維護工作時，被機器捲入身亡。工業界安全呼籲工業界呼籲重新審視安全法規的呼聲日益高漲，因為節假日期間安全法規很容易被放鬆。尤其是在半導體和顯示器等製造工廠，即使是輕微事故也可能造成重大人員傷亡或巨大的生產損失，因此，無論此次消防事故原因如何，都應徹底調查並採取措施防止再次發生。 (電子技術應用ChinaAET)

根據券商Kiwoon Securities的高級研究員預計，三星明年的營業利潤將達到90兆至100兆韓元（約台幣2.14兆元）。這呼應了先前報告指出，三星計畫在2027年實現晶圓代工業務獲利，意味著提高2nm GAA製程的良率是其首要任務，還有高頻寬記憶體HBM4和DRAM價格56%上漲的加持。wccftech報導，三星面臨的第一個真正考驗是，其首款採用上述曝光技術製造的晶片組Exynos 2600在應用於Galaxy S26系列後的性能表現。資深研究員朴有岳（Park Yoo-ak，音譯）對三星在2026年登頂業界霸主地位做出了最為樂觀的預測，他表示該公司明年的營業利潤將達到100兆韓元。根據《韓國經濟日報》報導，他的預測基於高頻寬記憶體HBM4市場佔額的顯著增長，以及通用DRAM價格56%的上漲。朴有岳也提到，由於NAND快閃記憶體價格上漲，三星的營收可望大幅提升。此外，該公司2nm GAA製程的良率有望提高，目前已獲得兩家中國加密貨幣挖礦裝置製造商的訂單，並與特斯拉簽署了價值165億美元的巨額交易，這將有助於三星建立穩固的客戶基礎。三星還向高通提供驍龍8 Elite Gen 5的樣品，用於評估其2nm GAA製程，但隨著驍龍8 Elite Gen 6 明年的發佈，三星的作用可能會更加突出。另一位來自KB證券的研究員金東元（Kim Dong-won，音譯）指出，三星的成功部分源自於GoogleTPU訂單的成長。根據Newspim報導，金東元還表示，由於Google Gemini的整合，記憶體供應增加，Galaxy智慧型手機銷量上升，這將有利於三星的營業利潤，預計營業利潤將達到100兆韓元，年增129%。HBM4的押注推動三星進入新一輪牛市三星電子股價目前已突破 10 萬韓元（68 美元），投資者開始質疑這家科技巨頭能否保持上漲勢頭，達到幾家券商預測的 15 萬韓元目標價位。這些券商指出，市場對人工智慧至關重要的高頻寬記憶體晶片的需求正在加速增長。10 月 30 日，三星公佈了強於預期的第三季度財報；第二天，人工智慧巨頭輝達宣佈計畫向三星和其他韓國科技公司提供 GPU。受此消息影響，當地券商紛紛上調三星目標股價。韓國投資證券、KB證券和Eugene投資證券均將目標價上調至15萬韓元，NH投資的目標價為14.5萬韓元，未來資產的目標價為14.2萬韓元。SK證券的目標價更高，達到17萬韓元。即使是去年警告儲存晶片行業“寒冬將至”的摩根士丹利，也將其對三星的目標股價上調至 144,000 韓元，並表示在牛市情況下，假設對儲存器和有機發光二極體的強勁需求持續，宏觀經濟狀況趨於穩定，而中國努力進入儲存晶片行業，其股價甚至可能達到 175,000 韓元。樂觀的前景主要基於這樣的預期：三星能夠向輝達供應其下一代 HBM4 晶片，並在 HBM3E 延遲發佈後重新奪回市場份額，此前 HBM3E 的延遲發佈導致該公司落後於競爭對手，並拖累了其盈利。KB證券高級分析師金東元周四表示，他預計三星明年將佔據輝達HBM4供應鏈的40%，並預測三星2026年的HBM出貨量將比今年增長2.5倍。金表示：“三星預計將成為最大的受益者，因為過去三年HBM的折扣價將轉為溢價，而傳統DRAM的價格則持續上漲。”他指出，這一組合可能推動三星市值達到1000兆韓元。截至周四發稿時，三星的市值為675兆韓元。韓國投資證券分析師蔡敏淑也表達了樂觀的看法，她說：“人工智慧驅動的記憶體上行周期才剛剛開始。”“由於供應短缺，平均售價將持續上漲至 2026 年，而 HBM 銷售的擴大將顯著提高（三星的）盈利能力。”三星、SK海力士股價進入第二波上漲行情“從輝達的GPU（圖形處理器）到Google的TPU（張量處理器），人工智慧記憶體半導體的需求比供應量高出50%以上。三星電子和SK海力士即將進入第二波增長階段。”KB證券研究部主管、汝矣島半導體行業長期“最佳分析師”金東元（人稱“半導體先生”）預測，半導體股票將進入第二輪上漲行情。金在1日的一份報告中指出：“三星電子和SK海力士的股價在過去一個月裡從高點下跌了15%，進入了暫時的回呼階段。這主要是由於短期美元流動性收緊、聯準會降息以及對人工智慧泡沫的擔憂引發的外資拋售，但預計這些不確定因素將從12月開始緩解。”他分析道：“人工智慧生態系統的多元化，包括Google的TPU和輝達的GPU，將直接推動HBM（高頻寬記憶體）和伺服器DRAM的普及，從而加劇未來記憶體價格上漲和出貨量增長。截至第四季度，人工智慧記憶體需求已超過供應50%以上，由於供應短缺加劇，預計第四季度的價格漲幅將遠超市場預期。”KB證券預測，三星電子明年的營業利潤將同比增長129%至97兆韓元，而SK海力士的營業利潤將增長89%至81兆韓元。三星預計將受益於北美“七大巨頭”（M7）公司HBM供應量的增加以及晶圓代工廠產能利用率的提高，而SK海力士則將受益於強勁的HBM出貨量。兩家公司明年的合併營業利潤預計為178兆韓元，佔韓國綜合股價指數（KOSPI）預計總營業利潤的40%。金特別指出：“從明年開始，Google的下一代TPU預計將採用HBM4，這將加劇供應短缺。三星電子在HBM4速度方面具有競爭優勢，極有可能在今年年初通過質量認證，從而為擴大對北美大型科技公司的供應鋪平道路。” (EDA365電子論壇)

一、全球儲存公司梳理：總覽（按市佔率）三星電子、海力士在DRAM、HBM、NAND、SSD等領域市佔率均較高，為全球儲存龍頭公司；其次為美光，產品矩陣全面，但市佔率略低於三星、海力士；SanDisk、鎧俠聚焦於NAND、SSD領域，西部資料、希捷科技聚焦於HDD領域；從地域來看，全球儲存公司主要集中在韓國、美國、中國（包括台灣）、日本。圖1：全球儲存公司總覽（25Q2各產品市佔率情況）二、全球儲存公司梳理：三星電子三星電子：全球NAND、DRAM領先企業。三星電子業務包括消費電子產品、儲存產品（NAND&DRAM等）、OLED手機面板以及Harman（音響產品）等。從收入結構來看：根據公司財報披露資料，3QFY2025公司DX部門（TV、手機、空調等）、DS部門（DRAM、NAND、移動Aps等）、SDC（OLED手機面板）、Harman（智能座艙、汽車音響等）收入佔比分別為55%、33%、8%、4%，儲存業務為公司第二大業務，僅次於消費電子業務。從競爭格局來看：根據IDC披露資料，25Q2全球DRAM市場，三星電子市佔率為33.2%，全球第二；25Q2全球NAND市場，海力士市佔率34.0%，全球第一；25Q2全球HBM市場，三星電子市佔率17.0%，全球第二；25Q2全球SSD市場三星電子市佔率為32.0%，全球第一，在消費級、企業級SSD均具備競爭優勢。從發展歷史來看：1）公司發展歷史：公司1969年成立，最初主要生產電子電器類產品，1874年通過收購韓國半導體進軍半導體業務；1983年開始發力DRAM領域，1984年研發成功64kDRAM；1988年公司在韓國推出第一部手機；1998年開發出第一款128MB Flash快閃記憶體，2004年公司研發出全球首款8GB NAND快閃記憶體，2005年開始進入晶圓代工行業，2011年出售HDD業務，專注發展儲存晶片，2016年收購Harman，強化自身在汽車晶片、車載娛樂領域優勢。2）從DRAM產品發展歷史來看：1984年研發成功64k DRAM，1996年首次提出DDR概念，1998年發佈全球第一個商用DDR晶片，2003年量產DDR2，2008年開始DDR3，2013年量產DDR4，2021年量產DDR5。3）從HBM產品發展歷史來看：2016年量產HBM2，2020年量產HBM2E，2023年量產HBM3，2024年量產HBM3E。4）從NAND產品發展歷史來看：1998年開發出第一款128NM Flash快閃記憶體，2013年開始進入3D V-NAND階段（24層），後堆疊層數持續增長，2024年第九代VNAND（300+層）量產。圖2：三星電子HBM產品lineup圖3：三星電子NAND產品發展圖4：三星電子SSD產品發展圖5：三星電子收入結構（25Q3）三、全球儲存公司梳理：海力士海力士：全球NAND、DRAM領先企業。海力士主要從事NAND、DRAM的開發、生產和銷售，產品覆蓋DRAM、NAND、HBM、SSD等。從收入結構來看：根據公司財報披露資料，3QFY2025公司DRAM（包括HBM）、NAND（包括SSD）、其他業務收入佔比分別為78%、20%、2%，DRAM、NAND業務為公司主營業務。從競爭格局來看：根據IDC披露資料，25Q2全球DRAM市場，海力士市佔率為39.1%，全球第一；25Q2全球NAND市場，海力士市佔率22.0%，全球第二；25Q2全球HBM市場，海力士市佔率67.0%，全球第一；25Q2全球SSD市場海力士市佔率為19.6%（包括Solidigm，收購的英特爾的NAND業務），其中海力士優勢在消費級SSD領域，市佔率為9.15%，全球第四，Solidigm 優勢在企業級SSD領域，市佔率23.18%，全球第二。從發展歷史來看：1）公司發展歷史：公司1983年成立，最初名為現代電子，以DRAM的生產製造為主；1998年收購LG半導體，2001年改名為海力士，2003年從現代集團完成剝離，2004年出售非儲存業務，將重心轉向半導體儲存；公司於2012年併入SK集團，改名為SK海力士；2021年SK海力士收購英特爾的NAND業務，成立了Solidigm；2023年開發並大規模生產全球最高規格的HBM3E。2）從DRAM產品發展歷史來看：1985年，公司256kb DRAM量產，整合LG半導體後於2001年推出128MB DDR SDRAM；2003年底512MB DDR2通過英特爾認證，2004年開始量產；2007年開發出業內首款DDR3並獲得英特爾認證；2011年成功研發2GB DDR4；2018年完成DDR5研發，2020年正式量產；2013年與AMD聯合開發全球首款HBM1，2017年發佈HBM2，2019年發佈HBM2E，2021年發佈HBM3，2023年量產HBM3E。3）從NAND產品發展歷史來看：2004年開始進軍快閃記憶體領域，開發了512MB NAND快閃記憶體，2014年正式進軍3D NAND領域，推出24層3D NAND晶片，2018年業內率先實現4D NAND商業化突破，發佈96層4D NAND快閃記憶體，2024年開始量產全球首款321層4D NAND快閃記憶體。圖6：海力士NAND產品發展圖7：海力士HBM產品發展四、大模型對儲存的需求：訓練&推全球儲存公司梳理：美光美光：全球DRAM、NAND領先企業。美光主要從事DRAM、NAND的開發、生產和銷售，產品覆蓋DRAM、NAND、HBM等。從收入結構來看：根據公司財報披露資料，FY2025公司DRAM（包括HBM）、NAND、其他業務收入佔比分別為76%、23%、1%，DRAM、NAND業務為公司主營業務。從競爭格局來看：根據IDC披露資料，25Q2全球DRAM市場，美光市佔率為22.8%，全球第三；25Q2全球NAND市場，美光市佔率13.8%，全球第四；25Q2全球HBM市場，美光市佔率16.0%，全球第三；25Q2全球SSD市場美光市佔率為11.1%，全球第三。從發展歷史來看：1）公司發展歷史：公司1978年成立，以DRAM的生產製造為主，1981年量產64KB DRAM；1998年收購TI(德州儀器）全球儲存業務，躋身全球儲存前列；同年，併購Rendition，進入3D圖形晶片領域；1999年發佈產業內第一款DDR晶片；2002年美光收購日本東芝在美國的DRAM工廠，生產能力進一步提升；2005年美光與英特爾合資成立IM FlashTechnologies，開進發力NAND領域，2006年又收購了Lexar Media，進一步開拓消費級儲存卡和SSD市場；2009年收購奇夢達持有的華亞科技全部股份，2015年收購華亞科技全部股份，改名為台灣美光；2013年美光完成對爾必達的收購，改名為美光日本；2015年美光與英特爾聯合發佈3D NAND技術；2018年美光放棄HMC技術，開始轉向HBM產品的研發，2020年美光開始提供HBM2產品。2）從DRAM產品發展歷史來看：1981年，公司64KB DRAM量產，通過收購TI儲存業務、華亞科技、爾必達，DRAM產品能力持續提升；1991年推出DDR1，2003年推出DDR2，2007年推出DDR3，2014年推出DDR4，2020年推出DDR5；3）從HBM產品發展歷史來看：美光最初專注於HMC技術，2011年發佈第一代HMC，2018年放棄HMC，開始轉向HBM技術，2020年推出HBM2,後持續迭代；4）從NAND產品發展歷史來看：2005年通過和英特爾合資公司進軍快閃記憶體領域，2015年和英特爾聯合發佈3D NAND技術，2024年232層NAND已經大批次量產。圖8：美光發展歷史圖9：美光收入結構（FY2025）五、全球儲存公司梳理：SanDiskSanDisk：全球消費級NAND領先企業。SanDisk主要從事快閃記憶體及固定硬碟（SSD）的開發、生產和銷售，在消費級儲存市場具有領先優勢。從收入結構來看：根據公司財報披露資料，公司產品主要包括儲存卡、USB快閃記憶體驅動器、SSD，FY2025公司消費端、商業端、雲端產品收入佔比分別為56%、31%、13%。從競爭格局來看：根據IDC披露資料，從全球NAND競爭格局來看，25Q2SanDisk市佔率為12.1%，全球市佔率第五；從全球SSD市場來看，25Q2SanDisk市佔率為11.8%，全球市佔率第三名；從消費級SSD市場，25Q2SanDisk市佔率分別為19.0%，市佔率全球第二。從發展歷史來看：1）公司發展歷史：1988年公司成立，1991年推出首款基於快閃記憶體的固態硬碟，2016年被西部資料收購，2025年西部資料剝離快閃記憶體業務，獨立上市；2）從NAND和SSD產品發展歷史來看：1991年SanDisk為IBM生產了首款基於快閃記憶體的SSD；1992年推出FlashDisk，可以插入筆記型電腦的拓展槽中；1994年發佈CF卡，成為早期數位相機和可攜式電子裝置的主流儲存方案；2000年，公司正式推出SD儲存卡格式；2001年，公司與東芝聯合發佈全球首款商業化的NAND MLC快閃記憶體技術；2004年，作為核心推動者參與制定microSD儲存卡標準；2005年發佈首款基於快閃記憶體的MP3播放器SanDisk Sansa e100，開始進入數字音訊播放器領域；2011年，公司收購固態硬碟製造商Pliant Technology；2012年，發佈首款SATA SSD產品，發力消費級SSD市場；2013年，公司收購面向企業市場的SSD製造商SMART Storage Systems；2014年，公司收購企業資料中心快閃記憶體製造商Fusion-io，開始佈局企業級SSD市場；2019年SanDisk主導發佈SD Express標準，通過PCIe NVMe將介面速度大幅提升；2024年SanDisk發佈microSD Express儲存卡。圖10：SanDisk產品發展歷史圖11：SanDisk收入結構（FY2025）六、大模型對儲存的需求：訓練&推全球儲存公司梳理：西部資料西部資料：全球HDD領先企業。西部資料主要從事硬碟（HDD）的開發、生產和銷售，覆蓋資料中心級、商業級、消費級HDD產品。從收入結構來看：根據西部資料財報披露資料，HDD為其核心產品，FY2025財年西部資料Cloud（雲）、Client（商業級）、Consumer（消費級）收入佔比分別為88%、6%、6%，資料中心等級HDD貢獻主要收入。從競爭格局來看：根據IDC披露資料，2024年希捷、西部資料、東芝市佔率分別為40.8%、40.0%、19.2%，其中希捷、西部資料市佔率合計達80.8%，呈現雙寡頭壟斷格局。從發展歷史來看：1）公司發展歷史：1970年西部資料成立，為全球知名的儲存解決方案提供商，1990年開始確立“硬碟主業”戰略，2011年收購日立環球儲存科技，擴張企業級HDD市場，2016年收購SanDisk，確立“HDD+快閃記憶體”雙核心業務，2025年完成對SanDisk分拆，正式剝離NAND快閃記憶體業務，目前全面聚焦於HDD領域；2）從HDD產品發展歷史來看：1988年收購Tandon，切入硬碟製造領域；1992年發佈Caviar驅動器，獲得市場認可；1999年，同IBM合作，推出Expert系列驅動器；2001年，西部資料成為第一家提供8MB磁碟緩衝區的主流ATA硬碟驅動器製造商；2003年收購磁頭製造商Read-Rite，推出首款10,000轉SATA硬碟WD Raptor；2005年，開始進入筆記本HDD市場，推出Scorpio系列硬碟；2006年推出採用垂直磁記錄（PMR）技術的硬碟；2009年，推出全球首款2TB硬碟WD Caviar Green；2012年，完成對HGST收購，成為全球最大的傳統硬碟製造商，並獲得HGST在企業級HDD和氦氣硬碟技術優勢；2013年，發佈全球首款商用氦氣硬碟Ultrastar He；2017年，展示MAMR（微波輔助磁記錄）技術原型；2020年，發佈ePMR技術(Energy-Assist PMR)。圖12：西部資料產品發展圖13：西部資料收入結構（FY2025）七、大模型對儲存的需求：訓練&推理全球儲存公司梳理：希捷科技希捷科技：全球HDD領先企業。希捷科技主要從事硬碟及儲存產品的開發、生產和銷售，核心產品為HDD硬碟，此外亦覆蓋系統、SSD等產品。從收入結構來看：根據公司財報披露資料，FY2025公司HHD、系統&SSD&其他產品收入佔比分別為93%、7%，HDD產品業務為公司主營業務。從競爭格局來看：根據IDC披露資料，2024年HDD市場希捷、西部資料、東芝市佔率分別為40.8%、40.0%、19.2%，希捷為全球龍頭；SSD產品全球佔比較低。從發展歷史來看：1）公司發展歷史：公司成立於1978年，1980年發佈全球首款5.25英吋硬碟ST-506，後成為IBM PC主要供應商，1989年收購CDC旗下的儲存部門ImprimisTechnology，進一步擴大企業級HDD市場份額；1996年，公司與Conner Peripherals合併，成為當時全球最大的獨立儲存裝置製造商；2003年發佈Momentus系列產品，重回筆記本HDD市場；2006年收購Maxtor，整合其消費級產品線，市場份額進一步提升；2011年，為應對西部資料收購HSFT，希捷收購三星旗下硬碟業務；2013年佈局SSD市場，2014年收購LSI快閃記憶體業務；2020年公司HAMR技術開始商業化，HDD容量大幅提升。2）從HDD產品發展歷史來看：1980年公司發佈全球首款5.25英吋硬碟ST-506，為個人電腦提供了首個標準儲存解決方案，1981年發佈10MB版本ST-412，以此獲得IBM主要OEM供應商合同，後出貨量快速增長；1989年收購CDC旗下的儲存部門Imprimis Technology，進一步擴大企業級HDD市場份額；1992年發佈全球首款7200RPM硬碟BarraCuda（酷魚），1996年發佈全球首款10000RPM硬碟Cheetah系列，鞏固其在企業級儲存領域地位；2003年發佈Momentus系列硬碟，重回筆記本硬碟領域；2005年收購Maxtor，整合其消費級產品線FreeAgent等，擴大消費級市場份額；2011年收購三星旗下硬碟業務，進一步提升市場份額；2020年HAMR技術開始商業化，2022年推出基於HAMR技術的Exos M系列硬碟，2025年推動第二代HAMR技術開發，目標容量提升到30TB以上。圖14：通過HAMR技術，希捷產品容量持續提升圖15：希捷科技收入結構（FY2025）八、大模型對儲存的需求：訓練&推全球儲存公司梳理：鎧俠鎧俠：全球NAND快閃記憶體領先企業。鎧俠主要從事快閃記憶體及固定硬碟（SSD）的開發、生產和銷售，覆蓋企業儲存產品、個人消費儲存產品。從收入結構來看：根據公司財報披露資料，2025H1公司SSD&儲存、智能裝置、其他業務收入佔比分別為53%、31%、16%，SSD&儲存業務為公司主營業務。從競爭格局來看：根據IDC披露資料，從全球NAND競爭格局來看，25Q2三星、海力士、鎧俠、美光、SanDisk佔比分別為34.0%、22.0%、13.9%、13.9%、12.1%，鎧俠僅次於三星、海力士；從全球SSD市場來看，25Q2三星、Solidigm、SanDisk、美光、鎧俠市佔率分別為28.7%、12.6%、11.8%、11.2%、8.1%，全球市佔率第五名。從發展歷史來看：1）公司發展歷史：1987年東芝公司發明NAND快閃記憶體，2017年鎧俠前身東芝儲存器集團從東芝公司剝離，2019年公司改名為鎧俠；2）從NAND產品發展歷史來看：1987年公司發明NAND快閃記憶體，1991年發佈全球首個4MB NAND快閃記憶體（全球第一個商業化NAND產品），2001年鎧俠和SanDisk聯合開發，推出首款1GB MLC NAND產品（首次在NAND中使用MLC技術，實現每單元儲存2位資料），2007年率先發佈三維(3D)快閃記憶體層疊技術，2014年發佈全球首款15nm工藝NAND產品，2015年發佈全球首款256GB（48層）TLC BICS FLASH，實現了3D NAND技術的商業化突破，2019年全球首次實現量產96層QLC 3D NAND產品，後續堆疊層數、容量持續提升；3）從SSD產品發展歷史來看：2001年發佈首個PATA SSD，2007年發佈第一代SATA介面SSD（128GB），2010年首款SAS SLC企業級SSD發佈，2012年發佈首款SAS MLC企業級SSD+QSBC技術（錯誤矯正技術），2016年面向消費級市場推出SATA介面TLC SSD產品，2018年發佈全球首款採購96層BiCS4 FLASH的NVMe SSD。圖16：鎧俠產品發展圖17：鎧俠收入結構（2025H1）(AI雲原生智能算力架構)

據報導，三星電子計畫向其位於美國德克薩斯州奧斯汀的半導體晶圓廠追加約19億美元（約合人民幣135億元）投資，用於升級現有產線並引進尖端晶片製造裝置。此舉標誌著三星持續深化其在美國本土的高端製造能力，特別是通過強化與蘋果、特斯拉等科技巨頭的合作，鞏固自身在先進半導體領域的戰略地位。據悉，此次投資的核心目標之一是提升CMOS圖像感測器（CIS）的生產能力。行業消息指出，三星正與蘋果聯合開發一款尺寸為1/2.6英吋的超廣角圖像感測器，預計將搭載於2026年發佈的iPhone 18及後續機型。儘管雙方尚未公開具體技術參數，但這一合作若順利落地，意味著三星將繼索尼之後，成為蘋果高端手機圖像感測器的重要供應商。這些為蘋果定製的感測器將由升級後的奧斯汀工廠生產，實現“美國製造+美國客戶”的本地化閉環。此外，這筆投資有望撬動更多美國政府政策紅利。奧斯汀市議會將於11月20日表決一項動議，擬將三星奧斯汀工廠納入“德克薩斯企業項目”（Texas Enterprise Project）。一旦獲批，三星將有資格在未來數年享受州政府提供的稅收返還優惠。自奧斯汀工廠1996年投產以來，三星已累計投資超過400億美元，成為德克薩斯州歷史上最大規模的單一外資項目。此次19億美元的追加投入，將進一步推動工廠從傳統邏輯晶片製造向高附加值圖像感測器和先進製程轉型。此外，三星正在泰勒市建設的全新先進製程晶圓廠，專注於2奈米晶片量產，預計2026年正式投產。據悉，該廠已斬獲特斯拉AI6晶片的2奈米代工訂單，將成為特斯拉下一代自動駕駛與AI算力核心的製造基地。 (半導體材料與工藝裝置)

顯示卡很快就要受到影響集邦諮詢最新市場報告顯示，DRAM和NAND快閃記憶體市場均持續強勁的漲價勢頭，其中一個關鍵指標預示著記憶體模組價格即將迎來新一輪大幅上漲。目前，現貨市場上 DDR4 和 DDR5 產品的晶片（顆粒）報價正在持續攀升。更值得注意的是，DRAM 晶片的報價已經顯著超過了同容量記憶體模組的整體報價——這一消息實際上已經在約兩周前我從上游管道確認。集邦諮詢分析認為，晶片與模組之間價差的拉大，意味著現貨市場中的記憶體模組價格在短期內將迅速上漲，以縮小與晶片成本之間的差距。對於DRAM晶片，本周主流 DDR4 晶片（1GB×8 3200MT/s）的平均現貨價格相比上周上漲了 7.10%，達到了 11.857 美元。儘管由於賣方惜售和貨源有限，實際交易量目前偏低，但價格上漲的趨勢非常明確。正如很多論壇、討論組流傳的那樣，不少廠商已經停止報價，等待進一步價格變動。而在NAND晶片上，現貨市場同樣受到合約市場價格強勁拉動的帶動，報價的上漲幅度和頻率都在增加。由於供貨緊張，部分中小型買家開始轉向現貨市場採購，而現貨貿易商也因貨源稀缺而延遲出貨、惜售。在報價方面，本周512Gb TLC晶圓的現貨價格出現了17.07%的暴漲，達到 6.455 美元。集邦諮詢預計，短期內現貨市場供應將保持緊張，漲價動能有望持續到下一季度。當下，晶片製造商在上游環節擁有絕對的議價權，惜售心理和 AI 需求導致的產能擠壓，使得晶片成本被急劇抬高。記憶體模組廠商的利潤空間被嚴重壓縮甚至倒掛，這必然會促使模組廠商在短期內大幅上調成品價格，以彌補成本並確保利潤。而在更上游，近日摩根士丹利（Morgan Stanley）近日發佈了一份名為《記憶體——最強定價權》（Memory–Maximum Pricing Power）的行業報告，明確看好儲存晶片行業的未來走勢，並基於此上調了韓國兩大儲存晶片巨頭三星電子和 SK 海力士的目標股價。摩根士丹利在報告中指出，驅動這輪“儲存晶片超級周期”的核心力量，是超大規模人工智慧（AI）營運商之間日益激烈的競爭。這些 AI 巨頭對元件成本的敏感度較低，持續推動著動態隨機存取儲存器（DRAM）和 NAND 快閃記憶體價格的上漲。該行強調，儲存行業投資邏輯簡單明了：“在周期上行階段，利潤率會擴大、股價會上漲、企業創造巨額利潤，投資者則從中獲得高回報。”當前 DRAM 價格已經超越了歷史最高水平，而新的價格峰值通常會伴隨著新的股價峰值。摩根士丹利評估認為，本輪上漲有強勁的盈利作為支撐，且 AI 的長期增長動力依舊強勁，因此記憶體價格上漲已進入“前所未有的領域”。摩根士丹利預測，DRAM 價格在接下來的幾周內將繼續大幅上漲。此外，受強勁的企業級固態硬碟（eSSD）訂單推動，NAND 合約價格在第四季度也可能上漲 20% 至 30%。該行判斷，考慮到 AI 基礎設施投資的規模，本輪價格峰值將超過 2018 年雲端運算超級周期的高點。本輪超級周期本質是由於AI行業爆火使得HBM擠佔了通用DRAM產能，為了生產高利潤的 HBM，三星、SK 海力士等儲存晶片巨頭將產能從傳統的 DDR/GDDR 生產線轉移。雖然GDDR視訊記憶體和DDR記憶體屬於不同類型，但它們共享大部分基礎晶圓產能和製造資源。當通用 DRAM 供應被 HBM 大量擠壓時，GDDR 視訊記憶體的供應同樣會受到衝擊，成本自然水漲船高。前天我已經從管道收到消息，G7 2GB顆粒報價已經提升了10美元，也就是說當下16GB的RTX 50顯示卡預計價格要上漲700元左右。而結合此前消息稱RTX 50SUPER延期至明年Q3季度，加上輝達或將視訊記憶體採購轉移給AIC夥伴，這一消息大機率是真的，只是目前資訊傳達具有遲滯性，加上市面上庫存還較多，但是預計最多一個季度，這一漲價潮就要傳播到顯示卡類目上。 (AMP實驗室)

近期，儲存賽道熱度席捲全球。筆者曾對儲存市場周期進行了分析預判，“超級周期”、“前所未有的新繁榮”等行業論述持續升溫。近日，三星電子、SK海力士、西部資料等全球儲存晶片巨頭相繼發佈最新季度財報，業績全面超過預期，賺得盆滿缽滿。這一亮眼表現不僅標誌著儲存晶片企業從去年的行業低谷中強勢復甦，或許進一步印證了市場關於儲存晶片進入新一輪“超級周期”的論調。儲存巨頭財報解析：營收利潤雙爆發，正式邁入上升周期三星電子：儲存業務強勢反彈，利潤達近三年最高2025年第三季度，三星電子交出超預期成績單：營收達86.1兆韓元，同比增長9%，環比增長15%；營業利潤飆升至12.2兆韓元，同比增長32.6%，環比激增159.6%，創下近三年來最高水平。其中，儲存業務成為絕對增長引擎。從業務結構來看，裝置解決方案（DS）部門營收33.1兆韓元，環比增長19%，其中Memory業務營收26.7兆韓元，環比增長26%，同比增長20%，佔集團總營收的31%，成為本季度拉動業績的“發動機”。這一增長主要得益於AI伺服器和高性能計算市場的旺盛需求，生成式AI與大模型訓練對記憶體頻寬和容量的高要求，推動HBM與DDR5成為核心增量來源。三星在HBM領域的佈局也取得重要進展。據悉，三星128GB DDR5、24Gb GDDR7等高端產品已進入量產階段，HBM3E實現規模化出貨，單季度位元銷量環比增長80%。更值得關注的是，HBM4樣品已交付所有目標客戶，其低功耗下11Gbps的傳輸性能正吸引輝達等AI巨頭調整原定計畫並提出更高性能要求，計畫2026年正式量產。另一方面，三星的產能與技術佈局同步升級。據財報會披露，三星計畫2025年投入47.4兆韓元用於設施建設，其中86%的預算投向半導體部門，重點擴建1c DRAM產線滿足HBM4需求、推進24GB GDDR7量產及高密度QLC固態硬碟開發。在先進製程方面，2奈米GAA工藝正推進量產準備，計畫2026年在美國泰勒工廠正式投產，儘管目前試產良率約30%，但通過最佳化製程與擴大4奈米成熟節點產能，力求平衡技術領先性與商業化可行性。在技術創新方面，三星正在加速押注DRAM領域，從ASML購入5台全新High-NA EUV光刻機，其中2台將部署在三星半導體代工事業部，其餘裝置則專供儲存事業部。這標誌著三星在先進儲存技術方面的投入進入新階段。與此同時，三星與輝達展開深度合作，共建全球首個AI半導體工廠，部署超過5萬塊NVIDIA GPU提供算力，通過數字孿生與GPU加速光刻技術提升生產效率。同時，“晶片-終端-顯示-車載”四大業務形成閉環，DS部門的AI儲存產能擴張與DX部門的AI終端普及相互反哺，推動集團整體盈利能力持續改善。從財務表現來看，三星的盈利能力顯著改善。儲存業務的營業利潤達到7兆韓元，佔集團整體利潤的過半，這主要得益於產品價格上漲以及庫存價值調整等一次性成本顯著降低。公司預測，2026年對儲存器需求將比往年更強勁、更快，主要客戶訂單量已超過自身供應能力。SK海力士：HBM領跑行業，利潤刷新記錄SK海力士在本輪浪潮中表現尤為搶眼。2025財年第三季度，SK海力士業績創下歷史峰值：營業收入24.45兆韓元，同比增長39%，環比增長10%；營業利潤11.38兆韓元，同比增長62%，環比增長24%；淨利潤12.6兆韓元，同比激增119%，淨利率高達52%，營業利潤率47%刷新紀錄。這一創紀錄表現的關鍵在於兩點：DRAM和NAND價格同步回升，以及AI伺服器用高性能儲存晶片的需求全面提升。具體來看，SK海力士儲存業務結構持續最佳化。DRAM作為核心收入來源，佔比達78%，營收19.07兆韓元，bit出貨量環比增長7%-9%，平均銷售單價（ASP）環比上升4%-6%；NAND業務營收4.89兆韓元，佔比20%，儘管bit出貨量環比下降4%-6%，但受AI伺服器端eSSD高附加值需求拉動，ASP大漲10%-15%。另一方面，AI伺服器與高端移動裝置的需求推動高容量DDR5與LPDDR5出貨量持續攀升，128GB以上DDR5記憶體出貨量環比翻倍，12層HBM3E銷量持續攀升，HBM業務在DRAM總銷售額中佔比高達40%。更值得關注的是，SK海力士已與主要客戶就明年的HBM供應達成協議。SK海力士表示，目前已完成2026年HBM供應談判，HBM4於9月完成開發並啟動量產，已為滿足客戶所有性能要求及實現業界最高速度做好準備，第四季度正式出貨。基於此，SK海力士在HBM領域的議價能力顯著提升。據報導，SK海力士已與輝達就明年HBM4的供應完成價格和數量談判，HBM4單價確認約為560美元，比目前供應的HBM3E價格高出50%以上。這一漲價幅度充分反映了HBM產品的稀缺性和SK海力士在技術上的領先地位。據瞭解，SK海力士在全球HBM市場佔據58%的份額，且已鎖定2026年所有DRAM、NAND及HBM產能，部分客戶甚至提前預購傳統儲存晶片，顯示出極強的市場議價能力。SK海力士：從儲存供應商到“全端AI儲存創造者”值得關注的是，SK海力士還提出了"全端AI儲存創造者"的願景，計畫通過AI-DRAM、AI-NAND和定製HBM重塑未來儲存技術體系。目前，SK海力士公司正在從提供標準化儲存器件向參與AI計算架構的協同設計轉型，這種戰略定位將進一步鞏固其在AI儲存市場的領導地位。據芝能智芯報導，在產品路線方面，SK海力士提出兩個階段的技術演進方向：2026至2028年，將推出16層堆疊HBM4與HBM4E，並同步量產LPDDR6、PCIe Gen6 SSD與UFS 5.0等標準產品。三大AI儲存系列將全面佈局：AI-DRAM、AI-NAND與定製HBM，針對不同AI負載提供低功耗、超容量與跨領域的三種方案，同時通過晶片內嵌GPU/ASIC功能，實現儲存與計算的物理融合，縮短資料路徑、降低能耗。2029至2031年，SK海力士計畫進一步升級至HBM5/HBM5E與3D DRAM技術，並推出400+層堆疊NAND、PCIe Gen7 SSD及UFS 6.0標準，以支撐PB級AI資料集的即時處理與儲存需求。此外，在技術與產能方面，SK海力士加速推進1c nm DRAM工藝量產，2026年將實現伺服器、移動端、圖形處理等全產品線覆蓋，預計年底1c nm製程將佔據韓國境內傳統DRAM產能的一半以上；NAND業務重點擴大321層TLC、QLC產品供應，預計2026年底321層產品佔比將超NAND位元產量的50%。產能擴張方面，SK海力士啟動兩大戰略基地：清州M15X工廠和龍仁半導體產業群，M15X已在2025年第四季度投入營運，主要負責先進DRAM與HBM4生產，以應對超出預期的客戶需求；龍仁基地預計2027年投產，包含四座大型晶圓廠，總建築面積提升至原計畫的490%，產能相當於24個M15X，將成為全球最大AI儲存生產叢集，專為未來十年AI伺服器與資料中心的爆發性需求而建。SK海力士的目標是在數量和質量兩方面都超越競爭對手，並確保AI儲存供應不再出現短缺。西部資料：雲端儲存需求爆發，技術迭代鞏固份額除了韓系儲存巨頭外，西部資料也交出了亮眼的成績單。西部資料2026財年第一季度營收達28.2億美元，同比增長27%，環比增長8%；營業利潤率30.4%，毛利率提升至43.9%，同比擴大6.6個百分點。業績實現跨越式增長。雲業務成為西部資料絕對增長支柱。財報資料顯示，雲服務業務營收25.1億美元，同比增長31%，佔總營收比重達89%。西部資料首席執行官Irving Tan表示：“在雲資料儲存需求增長推動的強勁市場環境下，西部資料持續保持良好營運。公司近90%的銷售額來自雲端儲存客戶，反映了在AI應用驅動下，市場對可擴展資料儲存的不斷增長需求。”核心驅動力來自超大規模雲服務商對高容量近線儲存產品的需求強勁，32TB UltraSMR、26TB CMR等ePMR產品出貨量突破220萬台，近線儲存容量出貨達183艾字節，同比增長30%。更值得關注的是西部資料的訂單能見度。前七大客戶均提交了2026年上半年採購訂單，其中5家覆蓋全年需求，最大的超大規模客戶更是簽訂了覆蓋2027年全年的長期協議。這種長期化的訂單不僅保障了產能利用率，更降低了庫存波動風險，為盈利穩定性奠定基礎。在技術研發進展方面，西部資料持續突破。其下一代36TB ePMR硬碟認證提前3個月完成，計畫2026年下半年量產，單盤毛利率預計達47%；HAMR（熱輔助磁記錄）技術推進超預期，2026年上半年將啟動首家超大規模客戶認證，2027年實現50TB型號量產，單盤儲存成本較36TB下降20%；西部資料開設AI測試實驗室，通過人工智慧最佳化韌體現代化和工程流程，提升營運效率。不難預見，這些技術的突破將進一步鞏固西部資料在高容量儲存市場的領導地位。此外，西部資料還聚焦產能策略的效率提升，明確表示不新增單位產能，而是通過自動化升級與AI最佳化，將泰國、馬來西亞基地的產能利用率提升至90%，既規避產能過剩風險，又通過產品結構最佳化實現成本控制。預計2026財年第二季度營收將達29億美元，同比增長20%，毛利率維持在44%-45%區間。美光科技：2026年，全球儲存晶片供需失衡將加劇美光科技的表現同樣不俗。2025財年，美光科技營收創下373.8億美元的歷史紀錄，同比增長48.8%，兩年累計增長141%；第四季度營收113.2億美元，環比增長21.7%，同比激增46%。盈利能力大幅提升，毛利率從2024財年的23.7%躍升至40.9%，營業利潤率達29.0%，第四季度毛利率進一步攀升至44.7%，營業利潤率32.3%。憑藉AI資料中心需求的強勁推動，美光科技的營收與利潤雙雙創下歷史新高。資料中心業務成為美光最大的增長亮點，2025財年美光資料中心業務佔總營收的56%，HBM、高容量DIMM、伺服器LP DRAM產品合計收入100億美元，較上一財年增長超五倍；僅第四季度HBM收入就接近20億美元，年化營收達80億美元。DRAM業務營收90億美元，佔總營收79%，ASP環比提升11%，出貨量環比增長14%；NAND業務營收23億美元，佔比20%，均價環比增長9%，資料中心固態硬碟業務市場份額創下紀錄。在技術佈局上，美光科技率先量產1γ節點DRAM，這是美光首次採用EUV光刻技術的工藝。HBM3E功耗較競品低30%，容量高50%，頻寬達2TB/s以上；232層3D NAND容量提升3倍，G9技術支援AI向量搜尋，延遲降低、能量傳輸效率提升80%；PCIe Gen6 SSD首發，支援E1.S形式因子，適用於超大規模資料中心。同時，美光正評估跳過1e工藝直接過渡到9nm DRAM的技術路線，力求在先進製程競爭中搶佔先機。作為唯一美國本土記憶體製造商，美光受益於地緣政治多元化佈局，新加坡封裝廠持續擴產，與NVIDIA、AMD等巨頭深度合作，HBM3E 2025年產能已全部訂滿。美光科技首席商務官Sumit Sadana拋出了一顆“深水炸彈”：2026年DRAM供應可能比現在還要緊張。他指出，AI應用對HBM的需求大幅上升，而HBM生產消耗的晶圓量約為標準DRAM的三倍，這導致全球儲存晶片供需失衡將進一步加劇。對此，美光的產能規劃聚焦高端需求。預計2026財年資本支出達131億美元，重點擴大HBM與高容量儲存產品產能，計畫逐步停止DDR4生產，優先保障AI相關產品供應。行業結構性訊號釋放：漲價、長單、產能傾斜三重共振產品漲價成常態，供需失衡持續加劇綜合儲存巨頭財報和行業動態來看，儲存產品價格進入強勁上行通道。DRAM價格漲幅尤為顯著，DDR5 16Gb顆粒報價在一個月內暴漲至15.5美元，PC通用DRAM固定交易價格從1月的1.35美元上漲至9月的6.30美元，漲幅達367%，佔PC生產成本的7%，遠超4%的歷史平均水平。HBM作為AI核心元件，價格漲幅更為突出，SK海力士HBM4單價達560美元，較HBM3E上漲50%以上，即便輝達初期抗拒，最終仍接受定價，彰顯頭部廠商的議價權。其背後，供需失衡成為漲價核心邏輯。AI領域每月對記憶體的需求達數十萬片晶圓，推動HBM、DDR5等高性能產品供不應求，三星已停止DDR5 DRAM合同報價，SK海力士部分DDR5產品實現“零庫存”銷售。瑞銀對此分析指出，記憶體行業正面臨潛在的嚴重短缺，AI引發的HBM強勁需求、傳統伺服器更新換代、AI與HDD短缺帶來的eSSD額外需求，以及晶圓產能優先投向HBM等諸多驅動因素導致傳統產品供應約束。前文中曾提到價格飆升的背後，是全球儲存巨頭的產能戰略性傾斜。三星、SK海力士、美光三大寡頭摒棄了過去“規模優先”的策略，轉向“利潤優先”，將先進製程產能集中投向高附加值產品。DRAM領域，三星率先停止DDR4生產，SK海力士計畫將DDR4產能壓縮至20%，美光與SK海力士年底便停止接收LPDDR4X新訂單，所有資源向DDR5與HBM傾斜；NAND市場，廠商紛紛縮減消費級產能，將產能轉向企業級3D QLC產品。這種結構性傾斜導致了市場“冰火兩重天”：高端HBM與DDR5供不應求，中低端DDR4因減產速度超過需求下降速度，出現嚴重供需錯配。產能傾斜與需求倒逼共同推動了儲存技術的加速突破，成為行業變革的核心動力。其中，HBM領域的技術迭代最為迅猛，據瞭解，2025年全球HBM總產能已增至54萬片，同比激增105%，但仍難以填補AI帶來的需求缺口。SK海力士已建成HBM4量產體系，預計將佔據HBM4市場60%以上份額，三星、美光等廠商也在加緊籌備HBM4量產，力爭搶佔輝達、AMD認證先機，而國內相關廠商也在加速突破，國產替代窗口期持續擴大。總的來看，這場由AI引發的產業新變革，徹底打破了儲存行業傳統的“供需博弈”周期邏輯，形成了AI需求牽引-產能高端傾斜-技術迭代加速-價格結構性上漲的新閉環。從HBM的一芯難求到NAND的從白菜價到緊俏貨，從巨頭的產能重構到國產廠商的突圍，儲存晶片市場正經歷著新一輪的深度重塑，將儲存晶片從標準化大宗商品，重塑為影響算力發展的戰略性資源，標誌著產業已進入一個由技術迭代與需求爆發共同定義的全新時代。大客戶簽約鎖定長期需求儲存巨頭與AI龍頭的合作持續升級。SK海力士與輝達完成HBM4供應談判，鎖定明年核心訂單；三星通過輝達先進HBM晶片認證，第四季度起正式供應HBM3E，雙方共建的AI工廠將進一步強化合作。同時，三星與SK海力士均與OpenAI簽署協議，參與價值5000億美元的Stargate資料中心項目，在為OpenAI的ChatGPT建設20個專注於AI的資料中心目標指引下，每月需聯合供應90萬片DRAM晶圓（主要用於HBM），推動HBM產能加速擴張。能看到，長期協議正在成為行業新趨勢。西部資料前七大客戶訂單覆蓋2026-2027年，美光與超大規模客戶簽訂長期供應協議，SK海力士2026年全系列儲存晶片產能已全部售罄。這種“先下單、後生產”的模式，既提升了市場可預測性與業務穩定性，也使得儲存廠商與AI、雲巨頭形成深度繫結，行業壁壘持續抬高。技術升級與產能擴張各大廠商都在加速技術升級和產能擴張。三星電子計畫2025年投資47.4兆韓元進行產能升級，其中半導體部門獨佔86%預算。SK海力士提前啟用M15X工廠潔淨室並啟動裝置安裝以新增產能，2026年資本支出預計高於2025年。美光科技預計2026財年資本支出將達到131億美元。在技術方面，High NA EUV光刻技術成為新的競爭焦點。三星電子和SK海力士都已引進High NA EUV光刻機，用於下一代儲存產品的研發和量產。這標誌著儲存行業正在進入一個新的技術競爭階段。ASML的最新財報也從側面證實了儲存市場的旺盛需求。第三季度ASML的新訂單額達到了54億歐元，高於市場預期，其中儲存類新訂單佔比從16%提升至47%。這表明儲存行業對先進製造裝置的強勁需求，技術迭代進入加速期，而儲存廠商正在加大資本開支力度，為下一輪技術競爭做準備。在產品技術方面，HBM4成為各大廠商競爭的焦點。SK海力士率先向輝達交付全球首個HBM4 12層堆疊樣品，並已獲得積極評價。三星也計畫亮相其第六代12層HBM4產品。HBM4擁有2048個資料傳輸通道，是HBM3E的兩倍，將帶來頻寬和容量的巨大提升。同時，傳統DRAM技術也在快速演進。SK海力士正在加速轉換至已實現穩定量產的最先進1cnm（第六代10nm等級）工藝，這將有助於推出儲存位元更密集、讀寫速度更快、功耗更低的DDR5記憶體以及更高容量的HBM堆疊。綜合來看，儲存巨頭正通過技術迭代、產能鎖定與生態繫結，進一步擠壓中小廠商生存空間。三星、SK海力士、美光、西部資料等頭部企業佔據全球儲存市場絕大部分份額，且在AI儲存等高附加值領域的優勢持續擴大，行業“馬太效應”日益顯著。儲存行業：走向結構性繁榮新時代從儲存巨頭的財報表現與行業動態來看，可以清晰地看到儲存市場正在經歷一場由AI驅動的結構性變革，這一周期並非傳統意義上的周期性復甦，而是由技術革新與需求重構引發的結構性增長。結合儲存行業與企業動態分析，這場變革或將呈現出以下特點和趨勢：需求結構發生根本性變化：AI應用對高頻寬記憶體的需求呈現爆發式增長，HBM成為新的增長引擎。同時，AI伺服器對傳統DRAM和NAND的需求也在快速增長。供需關係出現結構性失衡：HBM生產消耗大量晶圓產能，導致傳統儲存產品供應緊張。這種供需失衡可能持續較長時間，預計2026年全球DRAM bit需求增長超20%，NAND bit需求增長17%-19%，供需缺口將持續支撐產品價格與廠商盈利能力。技術競爭進入新階段：High NA EUV等新技術的應用，以及HBM4等下一代產品的開發，將成為廠商競爭的關鍵。這些關鍵能力將進一步分化行業格局。行業集中度進一步提升：儲存行業長期受供需周期波動影響，但AI帶來的剛性需求與技術升級，使得頭部廠商擺脫傳統周期束縛，形成“技術迭代-需求增長-盈利提升”的正向循環。三星、SK海力士、美光等企業通過繫結AI與雲巨頭，實現收入與利潤的持續增長，行業成長邏輯日益清晰。對於產業鏈參與者而言，把握AI儲存（HBM）、高容量DRAM/NAND、先進製造工藝三大主線，將成為搶佔市場紅利的關鍵。未來，儲存行業不僅是資料儲存的載體，更將成為AI算力生態的核心組成部分，技術創新與生態協同將持續推動行業走向新的繁榮。 (半導體行業觀察)

10月30日，輝達CEO黃仁勳在首爾三成洞的炸雞店“Kkanbu Chicken”與三星電子董事長李在鎔會面，兩人進行了一次吃炸雞喝啤酒的會面。“做個孝順的兒子。” 李在鎔會長為一名兒童簽名。黃仁勳與三星電子董事長李在鎔和現代汽車集團董事長鄭義宣，舉行了一場“吃雞喝啤酒”的約會。黃仁勳表示，我們在韓國擁有非常優秀的合作夥伴公司。明天將與李在明總統以及合作夥伴公司在APEC峰會上共同宣佈重要消息。黃仁勳說，我喜歡和朋友們一起享用炸雞和啤酒。當被問及中美峰會期間為何沒有討論輝達人工智慧晶片出口問題時，他回答：“我認為兩國進行了很好的對話，內容不一定非要涉及我的工作。”用餐期間，黃仁勳突然出來，向圍觀的群眾分發了香蕉牛奶、紫菜包飯等小吃。 (芯報告)