光刻機很難突破嗎？為什麼這次新凱來沒有展示？

光刻機技術很難突破嗎?光刻機技術，並不是我們沒有信心，而是我們缺乏太多專業基礎，包括實際經驗。

我們很多華人工程師大多在台積電或輝達或荷蘭阿斯麥。他們非常清楚現場的工藝，包括過程。

別人發展科技領域領先幾十年，我們才二十來年。雖然我們有五千年的文化底蘊，但這是基礎文化，和科技不相關的。

我做半導體裝置，屬於封裝領域，可以說是半導體領域最為後段的工藝流程裝置！說直白點，我就是follow美國的裝置，對標他們家的技術，甚至連結構軟件上都follow一模一樣。

也許這就是我們能夠炫耀的資本，比較學習後再創新，這是正確的，也是彎道超車的一種辦法。

說到光刻機呢，今年三月上海慕尼黑展會看到了一匹黑馬，那就是深圳新凱來，這家公司的裝置從光刻機的前後工藝都做出來了，不是整合那種模式，而是工位分佈式完成晶圓的光刻，這就是彎道超車的本領。

既解決了光刻機技術問題，又能規避了ASML專利的風險，這就是我們新凱來的獨到之處。當然了，整台光刻機是很難達標研發攻克，因為各種零配件系統的精準度我們還沒具備。

整套系統硬體軟件包括現在所有的運動控制，驅動器技術還得依賴美國日本德國還有以色列的進口產品，所以想要遙遙領先，還差很遠，光有外表，沒有內在，不堪一擊直接對比！

雖然國產的光刻機技術的突破，本質上是整個工業體系協同進化的過程。當前咱們國內在整機整合層面已實現局部突破。

第一，精密光學系統

ASML的EUV光刻機搭載了由蔡司定製的反射鏡系統，其面形精度達到原子級（＜0.1nm RMS），這需要奈米壓印光刻、離子束拋光等超精密加工技術的支撐。國內現有光學元件加工能力集中在亞微米級（100-500nm），在極紫外線波段的光學材料熔融石英折射率穩定性控制上，仍落後三代以上工藝節點。

第二，運動控制系統的量子化瓶頸

高數值孔徑鏡頭需配合奈米級定位精度的工件台，其同步掃描精度要求達到2pm（皮米級）。目前國內直線電機+干涉儀的閉環控制方案，在熱變形補償演算法、多軸同步抖動抑制等"卡脖子"環節，與ASML的TrueForce技術存在量級差異。某國產高階光刻機在85℃溫變環境下，套刻精度波動超過3nm，而ASML同類裝置可控制在0.3nm以內。

第三，材料科學的底層限制

光刻膠作為半導體材料的"珠穆朗瑪峰"，其解析度極限與對比度係數直接決定製程能力。國內ArF光刻膠雖已量產，但在金屬層沉積用的HKMG工藝專用樹脂開發上，分子量分佈控制精度較信越化學仍有±15%偏差。更關鍵的是，光刻機需配套的超高純度化學品（金屬離子濃度＜1ppb）供應鏈體系尚未完全建立。

深圳新凱來的分佈式微影架構創新，實質是透過模組化解耦打破了傳統EUV的封閉技術生態。說白點就是搭積木這種"樂高式"創新模式的價值在於：

1. 專利突圍-採用非相干光源+多鏡面乾涉曝光的替代方案，繞開ASML的10萬+核心專利壁壘

2. 漸進式迭代-通過28nm DUV裝置積累工藝數據庫，為後續14nm工藝升級提供數據支撐

3. 生態重構-開放式裝置介面協議，吸引中微、北方華創等裝置商共建工藝解決方案平台

但真正的系統性突破，還有待觀察，而且需要藉鑑台積電以及ASML的實驗！

當前產業界出現的"光刻機偽命題"爭論，實則混淆了"整機突破"與"過程能力"的本質區別。上海微電子28nm光刻機的量產，標誌著中國已掌握深紫外光刻的核心工程化能力。

真正的挑戰在於如何通過"工藝-裝置-材料"三位一體的正向循環，將裝置良率從70%提升至ASML水準的95%以上。

歷史的經驗表明，半導體裝置的突破往往遵循"木桶效應"的逆向規律：不是最長的板決定容量，而是最短的板製約整體。

當我們為分佈式光刻架構歡呼時，更需要清醒認識到：要實現2030年7nm自主光刻機目標，需要在精密測量（誤差＜0.1nm）、計量溯源（擴展不確定度≤0.5nm）、失效分析（缺陷識別＜5nm）等37項關鍵子系統實現同步突破。

這或許需要整個產業保持戰略定力，在堅持自主創新的同時，善用全球創新資源建構開放創新網絡。 （洞察3C前沿）