#光刻機
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法學者警示：對華光刻機出口封鎖看似制衡，實則加速中國自研，美歐終將自食惡果

在全球半導體博弈愈發激烈的當下，美國主導的光刻機對華出口管制政策，一度被外界視作遏制中國高端晶片產業發展的關鍵手段。但這種單邊技術封鎖，真的能達成歐美預期的制衡效果嗎？法國權威媒體《回聲報》刊發的巴黎第一大學知名教授埃馬紐埃爾·孔布的深度評論文章，給出了截然相反的答案。在這位歐洲學者看來，短期的技術壁壘或許能延緩中國先進晶片的研發節奏，但長期來看，嚴苛的出口管制只會倒逼中國打通半導體全產業鏈自主化路徑，而美國與歐洲，終將成為這場技術博弈的最大輸家。 孔布在文章中客觀剖析了技術封鎖的雙重效應，指出尖端裝置出口限制存在相互制衡的兩大影響，並非單一的“遏制奏效”。從短期負面影響來看，禁止EUV、高端DUV光刻機對華出口，直接切斷了國內晶片企業獲取頂尖生產裝置的管道。缺少核心尖端裝置的支撐，國內企業在3nm、5nm等先進製程晶片的研發量產上舉步維艱，無法同步跟進全球前沿技術迭代節奏，也難以在高端製程領域積累成熟的生產經驗與技術資料，短期內中外半導體產業的技術差距看似被進一步拉大。 但從長期正向效應來看，這種無差別的技術封鎖，徹底斷絕了中國依賴進口裝置發展高端半導體產業的僥倖心理，倒逼國內半導體行業徹底轉向自主攻堅。當外部技術引進的通道被完全封堵，自主研發、國產替代就成為中國晶片產業唯一的出路。舉國資源傾斜、全行業協同攻堅的態勢全面形成，從光刻機核心零部件、光學材料、雷射系統到整機整合技術，國內產業鏈上下游企業全力突破瓶頸，開啟了半導體裝置的自主化突圍之路。 歷史早已印證：技術封鎖從來都是產業逆襲的催化劑
法學者警示：對華光刻機出口封鎖看似制衡，實則加速中國自研，美歐終將自食惡果
科技#光刻機#出口管制#ASML
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韓媒：此前中國記憶體晶片落後韓國5年，如今快閃記憶體技術差距縮短至1年，記憶體技術差距縮短至2年，HBM縮短至3年

01 前沿導讀 據快科技指出，韓國半導體產業協會首次量化了中國記憶體晶片與韓國的技術差距：NAND快閃記憶體僅落後1年，DRAM落後2年，HBM落後3年，此前這一差距長期維持在5年左右。 快閃記憶體和記憶體的技術差距已經被縮短至1到2年左右，但是在ai產業的HBM技術上，韓國企業已經實現量產，而長鑫記憶體剛啟動HBM3E試產，技術差距在3年左右。 02 技術追趕
韓媒：此前中國記憶體晶片落後韓國5年，如今快閃記憶體技術差距縮短至1年，記憶體技術差距縮短至2年，HBM縮短至3年
科技#半導體#三星#ASML
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黃仁勳：中國4年內搞定光刻機！

9月17日消息，據報導，在近前的峰會上，黃仁勳回應了主持人提問的中國什麼時候能搞定先進光刻機，黃仁勳判斷中國到2030年就能做出自己的先進光刻系統！ 他還提到一旦技術成熟，中國公司就有很強的大規模生產能力，國產裝置進入本土晶圓廠只是時間問題。 國外對中國光刻機的進展一直是非常關心的，在這方面各種表態都有，有意思的是前不久蔡司半導體負責人Frank Rohmund也回答了類似的問題，表示中國要做出國產EUV光刻機可能還需要約15年。 相比之下，黃仁勳的判斷更樂觀，不過這兩個回答之間也沒有可比性，蔡司回應的是EUV，黃仁勳說的是先進光刻機，EUV當然是先進光刻機，但DUV依然也是先進光刻機，2030年也不會落伍，重要性也不會因為EUV量產了就降低，兩種技術是獨立的生態。(國芯網)
黃仁勳：中國4年內搞定光刻機！
科技#光刻機#黃仁勳#技術研發
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為什麼歐洲做得出光刻機，卻做不出大模型？

在幾輪工業革命中長期領先的歐洲，到了人工智慧時代，也開始擔心自己掉隊。 據英國《衛報》報導，9月14日，歐洲央行行長拉加德發出警告，歐洲必須發展自己的人工智慧技術並建設更多資料中心，否則將面臨被美國或者中國切斷供應的威脅。 拉加德在維也納就歐洲與人工智慧發表講話 幾乎同一天，路透社發佈了一組資料。摩根大通估算，2025年ASML佔全球光刻機市場的94%；在製造先進AI晶片所需的EUV光刻機領域，ASML仍然沒有商業競爭對手，實際份額接近100%，產能已被預訂至2027年。
為什麼歐洲做得出光刻機，卻做不出大模型？
科技#光刻機#大模型#ASML
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華為主導中國國產DUV光刻機研發！

據英國《金融時報》9月8日報導，華為正以遠超外界預期的深度介入中國國產光刻機的研發與產業化處理程序。報導援引多位知情人士稱，華為不僅在對相關裝置和零部件公司進行戰略投資，更在協調供應商、晶圓代工廠與整機製造商，推動國產深紫外（DUV）光刻機進入實際產線。伯恩斯坦分析師將華為形容為中國DUV項目的“項目管理者”。 在這一國產光刻機攻關計畫中，進展最快的是總部位於上海的宇量昇。該公司參與開發的國產先進DUV光刻裝置，目前已在中芯國際（SMIC）等晶圓廠以及華為自己的產線上進行測試。據FT報導，宇量昇計畫在2026年底前生產12台DUV光刻機。現階段，這些裝置主要用於較簡單的晶片製造，並在持續進行工程最佳化與可靠性驗證。 國產光刻機仍依賴蔡司鏡頭，供應鏈自主尚需時日 然而，國產DUV光刻機目前尚未完全擺脫對海外供應鏈的依賴。據FT報導，宇量昇的裝置仍使用德國蔡司（Zeiss）的投影鏡頭。蔡司方面對FT表示，其光刻光學元件僅銷售給ASML。業內人士推測，這些鏡頭可能通過中國境內的二級市場購得，但具體供應路徑尚未得到證實。
華為主導中國國產DUV光刻機研發！
科技#華為#DUV#光刻機
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美國醞釀全面限制艾斯摩爾在華DUV銷售與維護，華為牽頭的國產DUV排到年底12台，艾斯摩爾對華銷售佔比降至14%

9月8日，集邦諮詢引述英國《金融時報》：華為在給國產先進DUV光刻機項目當協調方。 上海裝置商Yuliangsheng和國內夥伴，做出了第一台國產先進DUV光刻機。計畫是2026年底前，交付12台。 中芯國際和華為自有產線，已經在測試。目前先從較簡單的晶片跑起，最終目標是先進AI晶片。 距離2026年結束，還剩114天。
美國醞釀全面限制艾斯摩爾在華DUV銷售與維護，華為牽頭的國產DUV排到年底12台，艾斯摩爾對華銷售佔比降至14%
科技#華為#光刻機#DUV
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瑞銀：中國國產光刻機落後ASML二十年！

中國半導體產業在光刻裝置這一最核心環節的追趕進度，可能遠比市場預期的更為漫長。瑞銀集團（UBS）分析師弗朗索瓦-澤維爾·布維尼（François-Xavier Bouvignies）在最新一份客戶報告中指出，中國光刻技術的整體水平大致相當於行業龍頭ASML在2004年所處的階段。這一評估為近期圍繞國產光刻機“突破”的熱烈討論潑了一盆冷水。 ▍光刻：半導體製造中最複雜的一環 光刻被廣泛認為是先進半導體製造中技術最複雜、要求最嚴苛的單項工藝。一台現代光刻掃描器需要同時滿足解析度、套刻精度、聚焦控制、機台匹配、CD均勻性和線邊緣粗糙度等一系列苛刻指標。更重要的是，所有這些指標必須在保證高產出率的前提下同時實現——一台解析度極高但每小時只能處理一片晶圓的機器，無法用於大規模量產。 歷史上曾有超過十家公司生產光刻工具，但隨著技術複雜度的指數級上升，如今僅有ASML、佳能和尼康三家倖存，而ASML更是極紫外（EUV）光刻掃描器的唯一製造商。
瑞銀：中國國產光刻機落後ASML二十年！
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全息光刻下一代光刻技術？

繼昨天的芯盟科技技術分析，筆者知識星球裡幾十家的一級市場企業的分析文章，今天在結論最近比較火的光刻機企業-光科芯圖。 其他更火爆的一大堆先進封裝項目，有需要的歡迎加入筆者知識星球，掃文章末尾二維碼即可加入。 最近有不少一級市場朋友向筆者詢問北京光科芯圖，原因也很簡單：光刻機、全息光刻、EUV，這三個詞放在一起，在今天中國半導體投資環境裡實在太容易講故事。 尤其當市場把全息光刻描述成一種可以繞過傳統投影物鏡、甚至可能繞過ASML技術路線的下一代光刻技術之後，對不熟悉光刻歷史的人來說，很容易形成一個錯誤印象。
全息光刻下一代光刻技術？
科技#全息光刻#光科芯圖#光刻機