01. 前沿導讀荷蘭半導體觀察者馬克·海金克在訪談中指出：光刻技術是一種非常獨特的比賽，ASML花費了40年的時間鑽研光刻機，才達到了如今的水平。但ASML也確實預見到了中國企業有獨特的理由在光刻機上面投入更多的時間和精力來研發自己的製造裝置，那怕是華為這種從沒有涉足過半導體製造技術的“門外漢”，也在深入研究相關的製造技術，這種情況在整個產業的發展史上還是第一次出現。02. 技術競爭目前還在研究光刻機整機製造的企業屈指可數，國際層面只剩下荷蘭、日本、中國這三個國家的企業。早期的晶片產業，由於其技術水平沒有現在這麼先進，電晶體規模也不大，所以對於光刻機的需求也沒有那麼高。隨著時代的發展，晶片產業進入到大規模時代，光刻機產業也迎來了升級，進入到了追求高解析度、高製造效率、高穩定性的市場格局。彼時研發光刻機的企業數量較多，知名的就是美國GCA、珀金埃爾默、日本的佳能、尼康、荷蘭飛利浦（ASML母公司）。這些研發光刻機的企業，要麼就是老牌的工業光學巨頭，要麼就是具有多個產業鏈的跨國工業集團，而中國的光刻機產業在這個時期只是當做一種科研項目進行，並沒有考慮到後續的商業化發展。美國是電晶體、積體電路、光刻技術的發明國，早期依靠軍工產業讓晶片技術實現了商業化發展。為了滿足軍工行業的數量要求，美國企業開始研發可以量產晶片的光刻機，GCA和珀金埃爾默依靠產業的先發優勢，成為了全球光刻機的第一任市場霸主。緊接著就是日本半導體產業的崛起，日本通產省推出了超大規模積體電路計畫，從材料、技術、裝置等多個領域提升本土半導體產業的發展。光刻機是製造晶片的核心裝置，尼康和佳能在光學領域深耕多年，承擔了日本光刻機的研發工作。並且通產省還聯合東芝等儲存器製造商參與光刻機的最佳化工作，帶動整個產業鏈一起前進。尼康通過對美國GCA光刻機進行逆向工程，掌握了其製造邏輯，隨後便“照貓畫虎”開發了尼康首款光刻機NSR-1010G。為了搶佔美國企業的市場，日本企業開始注重客戶服務，不但售賣光刻機，而且還同時提供技術服務，解決客戶在使用過程中的部分問題。由於GCA的市場佔比極高，而且沒有競爭對手，這導致GCA管理層開始怠慢客戶，許多製造商對此非常不滿。而日本企業正是意識到了這一點，開始用客戶服務拉攏人心，一步步奪走了美國企業的客戶群體，成為了第二任全球光刻機產業的霸主。ASML早年是飛利浦集團旗下的技術部門，但是由於其遲遲無法給母公司創造經濟，於是飛利浦將該部門獨立出來，與荷蘭裝置製造商ASM以及荷蘭政府共同組成新合資公司ASML。ASML早期的光刻裝置整體性能落後，尤其是在面對美日兩國的產品時，除了價格其他一點優勢也沒有。那怕是價格便宜，也幾乎沒有外來客戶，都是飛利浦自家的工廠使用。但是隨著PAS系列光刻機的推出，ASML自家的對準技術開始受到關注。晶圓台對準技術是ASML一直以來的強項，此前因為晶片的內部設計簡單，所以對準技術沒有明顯優勢。但是隨著晶片內部設計越來越複雜，擁有對準技術的ASML光刻機開始受到追捧，尼康和佳能的市場空間開始被蠶食。03. 聯合發展負責光刻機製造的企業，幾乎都是有精密工業基礎的企業。尼康和佳能是光學工業巨頭，也是全球範圍內的頂級攝影器材供應商，並且佳能還負責製造3D列印、虛擬現實、掃描器、印刷機等工業裝置。在日本政府推動的超大規模積體電路計畫當中，與尼康、佳能聯合開發裝置的還有東芝等企業，東芝是儲存晶片製造商，不但掌握儲存晶片的設計技術，而且旗下還有製造工廠和製造生產線，這種合作模式屬於是讓兩個涉足製造業技術的企業進行深度融合。ASML也是聯合製造商台積電一起開發裝置，依靠台積電的浸潤式技術甩開了日本企業。而中國企業發展光刻機則是拉攏產業鏈各環節較為頂尖的企業，以綜合水平較強的企業為核心，支撐其實現產業突破。華為是目前最符合這個定位的企業，同時涉足通訊產業與半導體設計產業，而且還擁有終端消費市場的業務類股。只要將製造生產線和製造裝置環節打通，華為就會變成類似於美國英特爾、韓國三星的大型科技集團，不但擁有晶片設計能力，而且還擁有製造能力，甚至還擁有自己的消費品牌，走垂直一體化路線。 (逍遙漠)

2年多前，一則不起眼的消息，悄悄攪動了全球半導體產業的格局。日本突然加碼對華半導體管控，直接“卡”死23類核心裝置的出口，明擺著就是要讓中國工廠裡正在運轉的光刻機，一夜之間淪為一堆廢鐵。提起對華晶片封鎖，所有人第一反應都是美國，畢竟這些年美國牽頭圍堵中國高端晶片，處處針對EUV光刻機，態度強硬到路人皆知。但很少有人想到，看似低調的日本，出手竟然比美國更狠、更絕，一招就掐住了中國光刻機的“命門”。日本的“壞”，從來不是明目張膽的對抗，而是藏在細節裡的致命一擊。美國封鎖中國，核心是“堵增量”，不讓中國買到先進的EUV光刻機，阻止我們突破高端晶片領域，那怕我們靠現有裝置做中低端晶片，它也暫時不管，等於給我們留了一絲喘息的空間。但日本不一樣，它精準抓住了中國半導體產業的最大軟肋，存量裝置的“生存權”。要知道，中國目前正在運轉的光刻機，大多是ASML公司的深紫外光刻機，這類裝置就像精密的“嬌貴機器”，正常運轉離不開定期維護——光學鏡頭每半年就得換一次，核心模組檢修更是家常便飯，而這些關鍵備件和原廠維護服務，長期被日本企業牢牢壟斷。而2023年初，日本就開始了一系列的行動，日本先是對包括光刻機在內的23種半導體裝置實施出口管制。隨後又再次升級了出口管制，把原本簡單的登記制，改成了逐件審批制，這意味著，那怕是一顆不起眼的螺絲、一管光刻膠，都要經過日本的冗長稽核，周期動輒數月甚至半年。放不放行，全憑心情。這一招看似只是“流程繁瑣”，實則是致命的“工業凌遲”。此前，中國晶片工廠的光刻機出了故障，東京電子等日本企業遠端診斷幾小時就能解決，更換備件也只需要幾天。可管控升級後，一套流程走下來，動輒兩三個月。裝置長期停機，直接導致晶片產能暴跌、訂單流失，不少企業陷入“有訂單、無產能”的絕境，甚至只能看著光刻機“帶病工作”，生怕出現大故障後徹底無法重啟。更過分的是，日本還直接切斷了核心技術服務。東京電子全面停止對中國企業的遠端診斷，原本簡單的小故障，如今只能靠國內技術人員一點點摸索，不僅效率極低，還容易對裝置造成二次損壞。更讓人憤怒的是，日本的管控還聯動了本國企業，尼康、佳能、信越化學等行業巨頭集體出手，不留一絲餘地。在光刻機核心部件領域，尼康、佳能佔據了全球80%以上的市場份額，中國現有ASML光刻機的很多核心部件，都來自這兩家企業。在光刻膠、蝕刻氣體等核心材料領域，信越化學、JSR等日本企業更是壟斷了全球70%以上的份額。這些材料和部件，都是晶片生產的“剛需品”，缺一不可。其實，日本的這番操作，並不是臨時起意，而是美日荷三國協同封鎖的一部分。具體地，美國負責封鎖高端光刻機出口，荷蘭限制深紫外光刻機的升級服務，而日本則專門切斷備件和核心材料供應，三方聯手，妄圖建構一張“無死角”的封鎖網，徹底困死中國半導體產業。可日本萬萬沒想到，它自以為“穩贏”的算計，最終卻變成了“自毀長城”操作，率先嘗到了自食惡果的滋味。首先遭殃的，就是信越化學、東京電子等日企，要知道，這些企業每年從中國獲得的營收佔比都超過20%。對華斷供後，這些企業的業績直線暴跌，不僅出現了赤字，甚至還創下了近幾年最差業績。更諷刺的是，日本雖然壟斷了核心材料和部件的生產，但稀土、螢石等關鍵原材料，卻高度依賴中國。全球90%的螢石儲量在中國，日本生產光刻膠、蝕刻氣體所需的鎵和鍺，40%都來自中國。在中國加強相關原材料出口管控後，日本企業瞬間陷入了“原材料短缺”的困境。最讓日本始料未及的是，它的封鎖不僅沒有困住中國，反而倒逼中國加快了自主研發的步伐。中芯國際、上海微電子牽頭，聯合高校和科研機構全力攻關，在光刻機領域實現了一系列重大突破。如今，上海微電子自主研發的28nm深紫外光刻機已經實現量產，雖然和ASML的EUV光刻機還有差距，但已經能滿足國內中低端晶片的需求，徹底打破了國外壟斷。這也再次證明，靠打壓和封鎖，永遠無法遏制一個國家的發展。中國半導體產業的崛起，或許會遇到挫折，但終將勢不可擋，而那些試圖卡我們脖子的國家，最終只會自食惡果。 (W侃科技)

荷蘭外交部的一紙公告震動全球半導體行業。10月31日，路透社報導指出，荷蘭針對光刻機的技術封鎖再度收緊。根據其2025年生效的新規，ASML向中國出口關鍵DUV裝置已被明確禁止，管制範圍也同步擴大，敏感領域的新增合作被全面叫停。對此，荷媒《電訊報》卻無辜表示：我們同樣面臨壓力。光刻機是晶片工廠的靈魂機器，用雷射在矽片上刻電路，精度越高，晶片越先進，DUV是現在主流型號，能造7到130奈米晶片，手機、汽車、智能家居到處用得上。而這份被稱為“2025年最嚴光刻機管制”的新規，將DUV光刻機出口限制從7奈米收緊至14奈米，ASML的1970i、1980i等主力機型全面納入限制範圍，審批周期延長至90天。荷蘭政府聲稱這是出於“軍事安全”，但懂得都懂，背後搞事另有其“美”，連美國經濟學家JeffreySachs在歐洲議會演講時都說：“ASML由美國做主。”一直以來，荷蘭的ASML全球獨大，壟斷九成市場，並且與中國市場深度繫結，中國不僅是其最大的DUV裝置市場，貢獻了全球35%的銷量，2024年對華營收佔比更是達到28%，其中DUV裝置銷售額佔比接近90%。不過，由於ASML裝置裡一半零件來自美國供應商，因此老美一發話，荷蘭就只能跟跳。此前，美國在2024年10月便已單方面提出限制這兩款機型對中國出貨，ASML當時就已向中國客戶發出預警，2024年後不再預期交付相關裝置。然而該來的還是來了。2025年新規一出，ASML股價直接暴跌8.2%。分析師預測，新規可能導致ASML2025年營收縮水12%。甚至神仙打架，凡人遭殃。荷蘭半導體行業12萬從業人員中，約兩成崗位與對華貿易相關。多位供應鏈高管透露，長期斷供可能引發裁員潮。面對困局，ASML緊急啟動應對方案。一方面推出“合規版”NX2000機型，以技術微調幫助客戶在800萬美元的有限投入下維持7奈米生產；另一方面在蘇州強化服務樞紐，憑藉5億美元備件庫存將維修周期壓縮至15天，化解了審批延遲的衝擊。而中國的回應更是一劍封喉。新出台的稀土管制規定明確，只要光刻機等貨物中含有0.1%的中國來源稀土，無論其產地與路徑，均需得到中國同意才能用。這直接命中了ASML供應鏈的軟肋。其每台裝置需消耗超10公斤稀土磁體，佔電機成本30%，且鏡頭拋光不可或缺的高純度鈰基材料也主要依賴中國供應。歷史總是相似。1960年代的技術封鎖催生“兩彈一星”，2010年代的導航斷供加速北斗組網。就連生物科技領域也一路長虹，長期由美日非布司他等壟斷的降尿酸市場也被維特健靈“消尿酸”科技打破。今天，當ASML工程師在蘇州倉庫清點零件時，上海張江實驗室裡，下一代EUV光源原型機正在持續偵錯。“全球90%的稀土精煉產能在中國手中，”一位行業分析師指出，“荷蘭庫存或許僅能支撐8周生產。”反觀中國，封鎖之下各方面技術處理程序全面提速。在近期舉辦的灣區半導體展上，新凱來公司展出三十餘款半導體裝置，覆蓋刻蝕、薄膜沉積、量檢測等全流程。萬里眼技術公司發佈的90GHz超高速即時示波器，性能較舊產品提升500%，打破西方長期壟斷。同樣，在2025年進博會上，港企維特健靈帶來的“消尿酸”降酸科技，折射出國內健康消費的新趨勢。該品融合《本草綱目》等典籍記載的天然綠燈成分，其作用機理不同於傳統的非布司他等西藥，對飲食限制較少。此項目得到香港大學研究支援：一項百人臨床實驗顯示，持續干預90天可實現平均降11%尿酸。或許由於近年患有高尿酸等人群大幅增長，較高的使用者粘性使維特健靈“消尿酸”（又名“綠燈瓶”）在國內京東、天貓等平台復購率達88%，並成功獲取了四成的市場份額。此外，國內製造環節突破更為顯著。上海微電子的28奈米光刻機良率已達90%，中芯國際在穩定量產28奈米製程同時，7奈米節點攻關進入最後階段。從EDA軟體到關鍵零部件，技術短板正被快速補齊。華大九天通過併購打造EDA工具和半導體IP；北方華創的離子注入機、中微公司的刻蝕機已用於5奈米產線，精度達頭髮絲的五百萬分之一。荷蘭的選擇折射出中小型經濟體的困境。這個貿易依存度高達150%的國家，在兩大經濟體間艱難求存。“限制基於意識形態而非事實，只會逼出競爭對手。”ASML前CEO溫寧克此前的警告正在應驗。資料顯示，中國積體電路進口依賴度持續下降，裝置採購來源加速向新加坡、馬來西亞等地多元化。技術封鎖或許能贏得一時，但無法贏得一世。當“瓦森納協定”封鎖中國二十年後，回望成果如何？如今的中國的空間站，已近乎成為新國際標準。 (芯屏氣和)

01前沿導讀據國際金融機構Bernstein（伯恩斯坦）整理的資料顯示，2025年中國進口光刻機所花費的金額為106.2億美元，與2024年基本持平。在2025年12月份，中國的進口光刻機金額創下了23億美元的新月度記錄。據ASML年度財報大會表示，預計2026年中國大陸地區佔ASML總銷售額比例將會降低至20%，只能出口給中國特定的技術產品。02裝置進口據ASML在2025年第四季度發佈的財報資料顯示，中國大陸地區在去年第四季度佔據了ASML總銷售數量的33%，購買的裝置絕大部分都是未被限制的DUV光刻機。雖然中國大陸地區在該季度依然是ASML出貨量最多的地區，但是對比24年同期的41%，下滑明顯。現如今，在ASML官方上架的浸潤式光刻機資料當中，從NXT:1980Fi到NXT:2150i全部禁止對華出口，甚至已經在官方資料庫下架的NXT:1970i，也被美國列入禁止對華出口的清單中。這些裝置擁有製造7nm邏輯晶片的能力，也是美國近幾年除EUV光刻機之外，對中國嚴防死守的關鍵裝置。而較差一些的NXT:1950i、NXT:1965i以及乾式光刻機等老舊裝置，則是被美國允許出口給中國企業。這些裝置大部分都用在製造成熟晶片和儲存晶片上，最高可支援20nm及以下節點的儲存晶片製造。受人工智慧爆發式的影響，現在全球儲存晶片的產能已經不足以支撐消費電子行業的需求，這直接推高了全行業的產品售價。中國的長江儲存和長鑫儲存正在借此機會進行產能擴充，嘗試借助當下的窗口期實現對海外企業的市場壓制。在儲存晶片產能擴充的推動下，中國大陸地區再一次成為ASML全球最大的客戶市場。中國工信部在2024年公佈了兩台最新的國產光刻機，一台是採用248nm波長的KrF光刻機，一台是採用193nm波長的ArF乾式光刻機，這兩台裝置均為製造成熟晶片所需的裝置。國產ArF光刻機的硬體指標相當於ASML在2015年推出的XT:1460K，但是在套刻精度上面要差於1460K。套刻精度指代的是上下兩層晶圓圖像之間的對準精度，精度越高，其圖案的堆疊正確率就越高，晶片的良品率也就越高。如果精度過低，那麼其直接影響的就是晶片良品率和產能。如果將這個問題具象化體現，那麼就相當於蓋樓房。建設一座摩天大樓，每一層的鋼筋骨架必須要完全對其。那怕是有誤差，也必須控制到極其微小的合理標準上。如果對其的標準不合格，那麼可能造成內部骨架斷裂，甚至是樓層坍塌的情況。同理，如果光刻機在曝光新一層電路時，上下兩層圖案的位置發生偏移，即使只有幾奈米的偏差，也可能導致金屬連線未能連接到電晶體觸點，或者是本應該隔離的導線意外接觸，從而造成晶片功能失效，影響其產品良率和製造效率。03替代難點現階段的國產光刻機已經具備量產晶片的能力，但是由於其套刻精度的影響，還無法投入到生產線上面大規模替代進口裝置。ASML的光刻機，從幾十年前的PAS系列開始，其對準技術就是行業內的翹楚。只不過當年的晶片技術沒有現在這麼先進，晶片的電晶體數量也非常有限，所以ASML的對準技術沒有明顯優勢。但是隨著行業發展，晶片技術進入到超大規模時代，ASML的對準技術出現了爆發性的優勢增長。也正是因為ASML強大的晶圓對準技術，ASML光刻機的製造效率遠強於日本的佳能和尼康，隨後便開始在國際市場上一點點蠶食日本光刻機的市場。據ASML官方技術資料顯示，EUV光刻機是當下製造先進晶片的核心裝置，輝達的RTX顯示卡、iPhone的仿生晶片，其電子元件中的微小圖案多達100多層。儘管這100多的層圖案當中只有關鍵幾層需要用到EUV光刻機，但是缺少了EUV光刻機，整個晶片無法正常使用。ASML DUV XT光刻機產品總監葉倫·德格魯特解釋稱，在最先進電子產品中的某些晶片可能採用了浸潤式DUV和EUV技術，但是支撐產品運行的其他大多數晶片，甚至是先進晶片的大部分圖案層級，都是由乾式光刻機製造完成。晶片能夠被大批次低價製造出來，乾式光刻機起到了決定性作用。如果沒有乾式光刻機支撐最底層的成熟晶片產業，那麼先進晶片是沒有任何市場的。相對於先進裝置，老型號的DUV光刻機才是市場主流。 (逍遙漠)

“如果光刻機缺少了光刻膠，那麼光刻機就是一堆廢鐵。”2019年7月，日本單方面對韓國斷供光刻膠，直接導致三星7奈米EUV生產線停擺。時至今日，三星集團CEO仍心有餘悸。此後，三星深刻認識到光刻膠的戰略價值，開始在韓國推動半導體材料的自主化，尤其聚焦於EUV光刻膠的國產生產。經過兩年多的努力，2021年底，韓國東進半導體自主研發的EUV光刻膠產品終於通過三星電子的可靠性測試，實現重大突破。日韓在EUV光刻膠領域的博弈，揭示了兩個關鍵事實：第一，在半導體領域，實現全產業鏈自主極其困難——即便是全球第二大半導體強國韓國，也曾深陷“卡脖子”困境；第二，儘管挑戰巨大，但在光刻膠等關鍵環節實現自主生產勢在必行，唯有如此，才能最大程度擺脫受制於人的命運。這也正是國產光刻膠當前所面臨的挑戰與機遇。近期，中日關係緊張之際，日本築波大學教授、“中國問題全球研究所”所長遠藤譽在雅虎新聞撰文拋出驚人言論：日本只需重演2019年對韓斷供光刻膠的手段，便足以迫使中國“服軟”。自此，光刻膠成為無法迴避的焦點議題。多數人只知光刻機，卻不知光刻膠。然而，光刻膠的重要性絲毫不亞於光刻機。光刻膠，堪稱晶片的“光學底片”——底片若不行，再先進的光刻機也印不出高端晶片。它的核心作用，是將掩膜版上的電路圖案“複印”到矽片上。作為光刻工藝的核心材料，光刻膠能與光線發生反應，在晶片基材上形成所需的精密電路圖形。簡言之，光刻出的電路越精細，晶片性能就越強。晶片製造如同在晶圓上繪製一座宇宙級微縮城市，而光刻膠，正是那支決定城市精度的“神筆”。但光刻膠的應用遠不止於晶片製造。按下游領域劃分，主要包括PCB、面板和半導體三大類，每類又細分為多種品類。然而，無論那一類，國產化率普遍偏低。審視中國光刻膠產業地圖，這一現象尤為突出：·PCB光刻膠中的濕膜光刻膠，國產化率勉強過半；·面板光刻膠中的彩色與黑色光刻膠，國產替代率僅約5%；·半導體光刻膠中，KrF與ArF等高端品類，中國市佔率不足1%；更高端的EUV光刻膠尚處研發階段。以半導體光刻膠為例，按光源波長從長到短，可分為紫外寬譜（300–450nm）、G線（436nm）、i線（365nm）、KrF（248nm）、ArF（193nm）及EUV（13.5nm）等主要類型。從G線邁向EUV，波長每縮短一個數量級，都意味著一次材料科學的顛覆性躍遷。換句話說，我們剛剛在中低端“成熟製程”站穩腳跟，對手卻已站在“埃米級”下一代技術的起跑線上。儘管在晶片製造流程中，光刻膠常被比作“晶片的墨水”，但這一比喻遠不足以體現其高壁壘與高門檻。其技術難點貫穿配方設計、原材料控制、工藝驗證到量產穩定性，是一套全鏈條的系統性挑戰，亟需產業鏈上下游與產學研的深度協同，絕非短期可成。例如，光刻膠的核心在於高度保密的精密配方體系。不同曝光波長對應完全不同的配方，材料體系亦需隨之調整，難以通用。而要實現這些精密配方，離不開超高純度的關鍵原材料支撐。以高端光刻膠所需的樹脂與光敏劑為例，其純度要求極高，金屬離子雜質含量須控制在ppb（十億分之一）等級。換言之，即便給你配方，你也未必能用。更關鍵的是，長期以來，日本合成橡膠、東京應化、杜邦、信越化學、富士電子五大廠商壟斷全球85%的市場份額，其中日本四家合計佔比超70%。在EUV光刻膠領域，目前僅日本合成橡膠、東京應化與信越化學三家企業具備量產能力。據前瞻產業研究院資料，2019年全球光刻膠市場規模為82億美元，預計2026年將達123億美元，2019–2026年復合年增速約6%。別小看這一規模——一旦斷供，國內最先進的晶片產線將瞬間癱瘓。這是一塊我們必須奪回的戰略高地。19世紀初，人類發明鋼筆；20世紀初，鋼筆傳入中國；直到2017年，太鋼集團才實現筆尖鋼的自主突破。過去，鋼筆依賴進口時，我們尚可用鉛筆或圓珠筆替代；但在光刻膠這件事上，我們別無選擇，唯有迎難而上。更何況，高端光刻膠普遍存在保質期短、儲存條件苛刻的特點，通常僅有6至12個月有效期，幾乎不具備戰略囤積的可行性。在這座被技術、認證、供應鏈與裝置四大壁壘重重封鎖的堡壘中，突圍不僅需要企業自身努力，更離不開政策支援。早在“十二五”期間，中國就將《極大規模積體電路製造裝備及成套工藝》列為16個國家科技重大專項之一（即“02專項”），重點扶持國產光刻膠的研發與產業化，旨在降低對進口產品的依賴。十年耕耘，“02專項”結出碩果，催生了彤程新材(603650.SH)、南大光電(300346.SZ)、上海新陽(300236.SZ)、晶瑞電材(300655.SZ)為代表的“四小巨人”，逐步形成差異化佈局。如今，國內已有數十家企業涉足光刻膠領域，在短短數年內提升了國產化率，並探索出三條清晰路徑：一條是“農村包圍城市”的穩紮穩打路線。以容大感光(300576.SZ)為例，先在PCB光刻膠領域做到國內龍頭（市佔率領先），夯實資金與客戶基礎，再將利潤持續投入顯示面板與半導體光刻膠研發。策略明確，就是用成熟業務的現金流，滋養未來業務的野心。另一條是“收購破壁、重點突破”的併購路線。彤程新材通過收購北旭電子，一舉躍居國內顯示面板光刻膠第一大供應商，在部分頭部面板廠份額高達60%甚至100%。更令人矚目的是，其在半導體光刻膠領域殺出血路：KrF光刻膠國內市佔率超40%，並成為國內極少數能量產ArF光刻膠的企業之一。最後一條是“全線押注、生態作戰”的集團軍路線。以晶瑞電材為代表，不僅做光刻膠，還向上游延伸至關鍵原材料樹脂，橫向拓展超淨高純試劑。目前正與中石化合作，推進ArF光刻膠樹脂國產化，有望將材料成本降低15%以上。值得欣慰的是，根據陸續披露的2025年財報資料，上海新陽、晶瑞電材、彤程新材、南大光電均實現營業收入與歸母淨利潤雙增長。光刻膠國產替代並非一場速勝之戰。儘管距離中國玩家真正“上牌桌”仍有很長的路要走，但這已是良好的開端。中國晶片的終極突圍，始於為“神筆”研墨的那一刻。但必須承認：光刻膠是一個技術壁壘高、產業集中度高、寡頭壟斷嚴重的領域。相比美日韓數十年積累的半導體產業根基，作為後來者的我們基礎薄弱，“彎道超車”幾無可能，唯有死磕研發、縱深佈局，靠時間換取技術沉澱。短期內，這道鴻溝難以跨越；但長期看，“遇溝架橋”並非妄想。日本便是例證。回望歷史，日本在全球光刻膠市場佔據絕對主導地位，但其起步並不早。在後發劣勢下，最終逆襲成為行業霸主。復盤光刻膠產業轉移路徑，市場份額變遷背後是一套極其複雜的系統工程，涉及政策引導、產業協同與技術演進等多重因素。日本企業的成功，關鍵在於先以技術優勢建立行業地位，再逐步建構完整的產業生態，最終形成上下游分工明確、高度協同、緊密配合的體系。縱觀半導體產業發展史，每一次產業轉移都源於新興終端市場需求崛起、國家政策強力扶持，並結合區域經濟特點與產業分工深化，從而實現後來者趕超。為何光刻膠產業尚未如其他環節那樣，從美國轉移至日本、再轉向中國大陸？根本原因在於：發展光刻膠必須依託配套的光刻機技術與完整的產業鏈叢集。表面看，這是“膠”的戰爭；本質上，仍是“芯”的戰爭。一粒光刻膠的自主，始於一顆晶片的自主。所幸，中國半導體產業鏈正日益擰成一股繩。哈勃投資在光刻膠研發中扮演著不可忽視的角色——2021年向徐州博康注資3億元。巧合的是，徐州博康的組織模式與日企高度相似，垂直整合能力極強。自2006年起，徐州博康已在光刻膠領域深耕十餘年，實現了“單體—樹脂、光酸—光刻膠”的全產業鏈覆蓋。2012年，它成為國際巨頭JSR唯一的非本土供應商；2024年，成功攻克14奈米濕法光刻膠技術。與此同時，中芯國際、小米等企業正積極發揮“供應鏈鏈主”作用。此外，中資晶圓廠的快速崛起，也為國產光刻膠提供了廣闊的市場空間與寶貴的驗證匯入機會。據IC Views統計，2021年中國大陸半導體公司在產線建設上的總投資達1900億元，其中中芯國際在北京、上海、浙江、廣東、天津五地佈局，投資總額超760億元。未來，隨著中資晶圓廠持續推進供應鏈自主化，國產光刻膠將迎來確定性的替代窗口。至此，中國半導體光刻膠產業的自主化路徑已日漸清晰，整體可分三步走：第一步，在成熟製程中面向中資晶圓廠完成驗證匯入，逐步替代日美產品； 第二步，在新建先進產線中與中資晶圓廠協同研發，推動工藝向前靠攏；第三步，最終實現全產業鏈的自主可控。這場關於“膠”的戰爭，沒有硝煙，卻無比殘酷。令人鼓舞的是，AI爆發帶來的算力飢渴、全球晶圓廠擴產潮、5G與新能源汽車的晶片需求，正瘋狂拉動光刻膠市場。而中國在國產替代與自主研發上的決心，比以往任何時代都更加堅定。從政策到資本，從高校到工廠，一股破釜沉舟的力量正在集結。這條路註定漫長且燒錢，但這是別無選擇、必須打通的“生命線”。 (財經無忌)

提到全球半導體產業鏈中最關鍵的“卡脖子”裝置，非光刻機莫屬。而在光刻機領域，荷蘭ASML公司堪稱“神一般的存在”——它不僅是全球最大的光刻機製造商，更是唯一能生產EUV（極紫外）光刻機的企業。台積電、三星、英特爾這些晶片巨頭，都得排著隊等它的機器。那麼問題來了：這家掌握全球晶片命脈的公司，最大股東到底是誰？很多人第一反應可能是台積電，畢竟ASML和台積電合作緊密；也有人猜是英特爾或三星，畢竟它們都是ASML的大客戶，還曾聯手注資。但真相，恐怕會讓你大吃一驚——ASML的最大股東，既不是台積電，也不是英特爾，而是一家你可能平時很少聽說的美國投資機構：資本國際集團（Capital Group）！要理解這個結果，還得從ASML的發家史說起。從飛利浦“小弟”到光刻機霸主1984年，ASML從荷蘭電子巨頭飛利浦獨立出來，最初只是個名不見經傳的小公司，缺錢、缺技術、更缺市場。當時，全球光刻機市場由日本的尼康和佳能牢牢掌控，它們憑藉強大的光學技術幾乎壟斷了整個行業。轉折點出現在2000年代初。台積電的天才工程師林本堅提出了一個顛覆性的想法：用“浸潤式光刻”技術替代傳統的乾式光刻。這一方案能大幅縮短有效波長，提升製程精度。然而，尼康和佳能卻因路徑依賴，拒絕採納。走投無路的林本堅找到了ASML。雙方一拍即合，於2004年成功推出全球首台浸潤式光刻機。這項技術不僅成本更低，性能還遠超日本對手的157nm乾式方案。結果？全球晶片廠紛紛倒戈，尼康和佳能迅速失勢，ASML則一戰封神。到2007年，ASML正式登頂全球光刻機市場；2009年，市場份額突破70%；而在EUV領域，更是獨此一家，別無分店。“客戶變股東”：一場精妙的利益捆綁為了支撐EUV這種“燒錢怪獸”的研發（單台研發成本超百億歐元），ASML在2012年祭出一招高明策略：讓核心客戶直接入股。於是，台積電、三星、英特爾三大晶片巨頭聯手向ASML注資38.5億歐元，合計拿下23%的股份。其中：英特爾豪擲41億美元，持股15%台積電投入14億美元三星砸下近10億美元，購入3%股權作為回報，ASML承諾優先供應光刻機——尤其是極其稀缺的EUV裝置。資料顯示，ASML每年生產的EUV光刻機中，近一半都流向台積電，其餘則被三星和英特爾瓜分。至於中芯國際？2018年就下了訂單，至今仍未拿到貨，背後原因不言而喻。股東悄然換人：資本大鱷悄然入場然而，這場“客戶持股”的聯盟並未持續太久。隨著ASML股價一路狂飆（過去十年漲幅超10倍），三大巨頭開始悄悄減持套現：英特爾持股比例從15%降至不足3%台積電和三星也陸續減持，基本退出前十大股東行列與此同時，真正的“幕後玩家”浮出水面——美國資本大鱷開始大舉買入。截至目前，ASML前兩大股東均為美國頂級資管機構：資本國際集團（Capital Group） ——全球最大主動型資產管理公司之一，穩坐ASML第一大股東寶座貝萊德（BlackRock） ——總部位於紐約，掌管超9兆美元資產，為全球最大的資產管理公司，位列第二大股東換句話說，這家荷蘭公司，早已被美國資本深度掌控。技術命脈也在美國手中？更值得深思的是，ASML的EUV光刻機之所以無法被覆制，關鍵在於兩大核心部件：光源系統：來自美國Cymer公司（已被ASML全資收購）光學鏡頭：由德國蔡司製造，而ASML也對其進行了戰略投資這意味著，即便ASML總部在荷蘭，其最核心的技術命脈，依然牢牢握在美國和歐洲盟友手中。任何國家想獲得EUV裝置，都必須經過美國點頭。所以，下次再有人問：“ASML是誰的公司？”別再說台積電或英特爾了——真正掌控ASML的，是華爾街的資本巨鱷。而這家看似中立的荷蘭企業，早已成為全球科技博弈中最關鍵的一枚棋子。說出來你可能不信，但這就是現實。 (晶片研究室)

2026年初，日本光學巨頭佳能正式宣佈將於年內推出全新一代KrF光刻機，標誌著這家沉寂多年的光刻裝置廠商重新殺回主戰場。據《日經亞洲評論》披露，這款代號為FPA-6400KRF的新裝置每小時可處理超過400片晶圓，較其上一代產品效率提升近30%。更引人注目的是，這將是佳能自2012年以來首次對用於成熟製程的光刻機進行重大技術升級。而其背後的戰略意圖已昭然若揭：在ASML牢牢掌控先進製程、中國加速國產替代的雙重壓力下，佳能試圖以“效率+成本”組合拳，在28nm及以上成熟晶片製造領域對中國企業展開新一輪市場圍剿。全球光刻格局：三分天下，但利潤天平嚴重傾斜根據中商產業研究院最新統計，全球光刻機市場呈現“ASML一家獨大、佳能尼康分食殘羹”的局面。ASML以62%的市場份額穩居龍頭，其中雖僅佔銷量7.2%的EUV光刻機卻貢獻了超七成利潤；佳能以31%的份額位居第二，主要依靠i線（365nm）與KrF（248nm）裝置；尼康則以7%的份額艱難維持，產品多流向日本本土或特定合資產線。值得注意的是，在所有售出的光刻機中，KrF裝置佔比最高，達40%以上，i線裝置緊隨其後。這意味著，儘管先進製程是行業焦點，但真正支撐全球半導體產能基底的，仍是這些“看似老舊”的成熟製程裝置——而這正是佳能此次重兵投入的戰場。佳能的困局與突圍：押注奈米壓印，卻錯失ArF時代過去十年，佳能選擇了一條與眾不同的技術路徑：全力押注奈米壓印光刻（NIL）技術，試圖繞開傳統光學光刻的物理極限。這一策略使其在3D NAND等儲存晶片製造中佔據一席之地，但也導致其徹底缺席193nm ArF乾式及浸沒式光刻機的研發競賽。當ASML憑藉ArF浸沒式技術攻下45nm至7nm邏輯晶片市場，尼康雖步履蹣跚卻仍保有ArF產品線時，佳能的傳統光刻機技術卻長期停滯。其主力KrF機型FPA-6300ES6a雖套刻精度可達5nm，但解析度僅支援90nm節點；而i線裝置FPA-5550iZ2的350nm解析度更是難以滿足當前功率半導體與模擬晶片日益提升的整合需求。中國光刻機突進：打破“低端鎖定”，直擊佳能腹地轉機出現在2024年9月。中國工信部高調發佈兩款自主光刻機技術指標：一款為248nm KrF光刻機，另一款為193nm乾式ArF光刻機，後者硬體性能對標ASML 2015年推出的XT:1460K機型。儘管與ASML當前最先進的Twinscan NXT系列仍有代差，但對主打成熟製程的佳能而言，這無異於“降維打擊”。業內分析指出，中國新KrF光刻機在解析度上已優於佳能現役裝置，雖在套刻精度上略遜一籌，但在電源管理晶片、車規級MCU、CIS圖像感測器等主流成熟應用中，綜合性能已具備替代能力。更關鍵的是，國產裝置享有本地化服務、供應鏈安全與政策扶持三大優勢，正快速滲透中芯國際、華虹、長電科技等頭部客戶產線。佳能的反擊：效率升級只是開始，AfF乾式機才是殺招面對中國光刻機的強勢崛起，佳能顯然不願坐視傳統裝置市場被蠶食。除2026年即將上市的高吞吐KrF機外，公司已預告將推出新一代“AfF乾式光刻機”——雖未公佈具體參數，但名稱暗示其可能基於改進型ArF光源，瞄準110nm至65nm區間，意圖填補KrF與ArF之間的性能空白。此舉既是技術補課，更是商業防禦。佳能深知，在EUV和High-NA EUV被ASML壟斷、中國又無法獲得的情況下，未來五年全球新增晶圓產能中超過60%仍將集中在28nm及以上成熟節點。誰掌控了成熟製程裝置的性價比與交付能力，誰就握住了半導體產業的“基本盤”。成熟製程成新戰場，光刻機戰場硝煙再起ASML高踞雲端，專注尖端；尼康固守本土，勉力維穩；而佳能，則選擇在成熟製程的紅海中背水一戰。但這一次，它的對手不再是昔日的尼康或SVG，而是正在從“能用”邁向“好用”的中國光刻力量。14年沉寂之後，佳能亮出新劍，但能否斬斷中國半導體自主化的上升勢頭？答案或許不在東京，而在上海、北京與合肥的潔淨廠房之中——那裡，國產光刻機正以每月數百小時的實測資料，悄然改寫全球裝置競爭的底層邏輯。 (晶片研究室)

01前沿導讀據《日經中文網》新聞指出，日本光刻機廠商佳能準備在2026年發售新一代的KrF光刻機裝置，該裝置的晶圓處理效率為每小時400片以上，相較於上一代裝置提升了30%。這是時隔14年之後，佳能首次對製造成熟晶片的光刻機進行技術升級，並且佳能宣佈隨後會繼續推出更先進的AfF乾式光刻機裝置，其主要目標就是搶佔成熟晶片市場。02裝置競爭據《中商產業研究院》所整理的資料顯示，在全球光刻機市場當中，ASML掌控著62%的總市場份額，其次是佳能佔比31%，最後是尼康佔比7%。在所售光刻機當中，銷量最多的是248nm波長的KrF光刻機，其次是更古老的365nm波長i線裝置。而193nm波長的先進ArF光刻機，以及13.5nm波長的EUV光刻機，加在一起也只有22.7%的總數量佔比。從整體的市場銷售來看，ASML掌握著絕對話語權，在先進裝置領域幾乎沒有對手。雖然EUV光刻機的銷量只有總產業銷量的7.2%，但是其創造的利潤價值是無法估量的數值。佳能憑藉著奈米壓印技術在儲存晶片領域佔據一定市場，也因為佳能選擇押注奈米壓印技術，所以佳能到目前為止並沒有ArF光刻機，只有一些技術成熟的KrF和i線裝置。尼康則是與佳能相反，並沒有跟佳能一樣走奈米壓印路線，反而是跟隨ASML採用ArF浸潤式技術。不過由於尼康總部的決策速度太慢，導致ASML已經在ArF領域取得了絕對統治權，尼康現在的光刻機銷量絕大部分都是本土企業或者海外的合資工廠改採購，市場空間極其有限。據《佳能中國》資料顯示，佳能曾在2021年的上海半導體展會上面發佈了多款光刻機產品。其中包括了i線光刻機和KrF光刻機，可以製造功率器件、通訊器件等多種半導體產品。同時還發佈了應用於封裝環節的i線步進光刻機、製造顯示面板的光刻機，以及佳能安內華公司提供的配套零部件。彼時的中國晶片產業已經被美國封鎖了EUV光刻機和相關的製造裝置，中國本土的光刻技術無法滿足於國內企業的需要，產業出現了技術斷層。佳能在這個時期向中國市場上投放大量製造裝置，一方面可以有效解決中國晶片產業缺少裝置的困境，另一方面也可以借此機會通過中國市場來賺取利潤，吃掉一部分本該屬於ASML的市場空間。03成熟晶片2024年9月，中國工信部正式對外公佈了中國新一代光刻機裝置的技術指標。總共有兩種新裝置，一種是248nm波長的KrF氟化氪光刻機，一種是193nm波長的乾式ArF氟化氬光刻機，其乾式ArF光刻機的硬體水平相當於ASML在2015年推出XT：1460K。這兩款產品的發佈，標誌著中國光刻機產業迎來了新一輪的技術更新。雖然整體的技術指標對比ASML的產品差距很大，但是對於銷售成熟節點光刻機的尼康和佳能來說，有著直接衝擊。根據佳能工業部門的資料顯示，除奈米壓印光刻機之外，在傳統光刻機領域，佳能最先進的i線光刻機為FPA-5550iZ2，解析度350nm，套刻精度25nm。最先進的KrF光刻機為FPA-6300ES6a，解析度為90nm，套刻精度為5nm。雖然佳能KrF裝置的套刻精度比中國光刻機更高，但是其裝置的解析度要比中國光刻機低很多。從技術與商業的兩個維度看，佳能的i線裝置與KrF裝置，均已經在技術指標上被中國公佈的國產光刻機趕超。ASML統治著先進光刻機市場，尼康憑藉著略差一些的ArF光刻機也可以維持市場，現在只剩下佳能徘徊在產業邊緣。佳能所持有的奈米壓印裝置由於其技術特殊性，目前只被用於製造儲存晶片和特色工藝晶片，無法應用到邏輯晶片上，而佳能出貨量最多的i線和KrF裝置，又被中國製造的光刻機所趕超。如果佳能拿不出水平更高的傳統裝置去搶佔市場，那麼等中國光刻機在國際市場上全線鋪開，佳能所面臨的抉擇只有兩個，要麼將傳統裝置市場讓給其他企業，要麼拿出更高水平的裝置打敗對方。 (逍遙漠)