營收同比暴增25.5%，淨利同比暴增40%以上，台積電就快要把光刻機“乾冒煙”了。1月15日，台積電公佈2025第四季度財報營收337.3億美元，同比增長25.5%，環比增長1.9%。淨利潤162.97億美元，同比增長40.2%，環比增長7.5%；攤薄後每股收益為0.63美元，同比增長40.2%，環比增長7.5%。337.3億美元的季度營收，換算成人民幣相當於2349.77億元（1美元兌換約人民幣6.966元），也就是說秒針每走1秒，就賺了近3萬元。不過，由於台積電按月公佈營收，第四季度營收超預期，也是預期中的事情。冒煙的光刻機和發燙的晶圓，圖片由AI生成台積電2025年營收為1224.2億美元，同比增長35.9%。對於接下來的2026年，台積電董事長魏哲家在電話會議上給了一個非常樂觀的預期：“基於台積電在先進製程、特殊工藝及先進封裝技術領域的絕對領先地位，我們預測2026年按美元計算的營收預計將實現接近30%的同比增幅。”按照30%的增長目標，這意味著台積電2026年營收有望達到1591億美元，約合人民幣11080.4億元。2025年第四季度，按照技術劃分，7nm及以下的先進製程合計佔台積電總晶圓營收的77%，其中3nm、5nm、7nm對應的營收佔比為28%、35%、14%，這個趨勢源自於2023年第四季度之後台積電的調整——不卷、少捲成熟製程，為營收創造更大的增長空間。先進製程當中，5nm貢獻了35%的季度營收，這主要與HPC產品集中在5nm節點有關，比如輝達的Blackwell架構，但隨著輝達Rubin架構量產，未來3nm的收入有望快速爬升。但無論如何，不看工藝製程，只看產品平台，疊加AI熱潮、ASIC晶片自研等因素，HPC（高性能計算）短期內對台積電的業績貢獻，有望持續維持在50%以上，甚至是60%。台積電甚至宣佈，我們將2024年至2029年AI加速器營收的復合年增長率（CAGR）指引上調至接近中高50%的水平。另外，隨著2nm量產，蘋果這種等級的大客戶匯入該節點，以及HPC又慢慢過渡到3nm，按技術節點的營收貢獻分佈，可能會大幅度的稀釋掉5nm和7nm。而按地區劃分，由於大客戶悉數在北美，目前貢獻著平均75%的收入，大陸客戶本季度也貢獻了9%的營收。台積電第四季度主要業績資料需要注意一點，AI、智慧型手機等對先進製程的依賴，大幅度推升台積電的營收，但主要集中在前段晶圓製造，後段的封裝貢獻目前還比較小。“先進封裝2025年其對總營收的貢獻約在8%左右，我們預計2026年將達到兩位數百分比。”台積電CFO黃仁昭說。第四季度，台積電還有一個關鍵的資料披露，毛利率衝破60%，達到62.3%，而之前的指引是59%-61%，直接超了指引的上限1.3個百分點。對台積電這樣的晶圓廠來說，只要產能利用率排滿，再加上舊節點逐步完成折舊，把光刻機的機台“乾冒煙”，最後大家看到的就是不斷增長的毛利率，對於一個重資產的製造企業來說，毛利率快接近輝達、AMD這樣的無晶圓廠的Fabless設計公司了，這是一個非常誇張的指標。另外，如果再把營運支出控制在合理的水平，台積電的淨利潤水平也會不斷創新高。根據台積電在財報中披露的資料，第四季度資本支出115.1億美元，全年累計409億美元（約合人民幣2849億元），單季度平均資本支出都在100億美元的水平，整個供應鏈中間，上游的裝置廠也會隨之起飛。台積電2025年資本支出不單如此，台積電在隨後的電話會議上，更是強調2026年全年的520億-560億美元，即便是下限也比2025年全年多了111億美元，等於多出來一個季度，扣除掉新節點、先進封裝等技術研發，這種量級的資本支出等於是給裝置廠發訊號：你們的金主已經準備持續“撒幣”，所以美股周四收盤，ASML收漲5.37%，泛林收漲4.16%、應材收漲5.69%。對於未來三年資本支出是否會超過2000億美元，黃仁昭在電話會議雖然迴避這個資料，但也明確表示，“2奈米、A16以及大量CoWoS產能的建設，這個數字必然會顯著攀升。”以下是台積電2025年第四季度財報電話會議精簡版：台積電首席執行長魏哲家點評：回望2025年，人工智慧（AI）領域的強勁需求貫穿全年，成為驅動行業增長的核心引擎；與此同時，非AI市場細分也在年末展現出溫和復甦的態勢。在“晶圓代工2.0”這一涵蓋邏輯晶圓製造、封裝測試及掩模製造的廣義定義下，行業整體同比增長16%。憑藉台積電卓越的技術差異化優勢和深厚的客戶基礎，我們全年按美元計算的營收實現了35.9%的大幅增長，表現顯著優於行業平均水平。步入2026年，雖然全球宏觀環境仍面臨關稅政策調整及零部件價格上漲帶來的不確定性，特別是在價格敏感的消費電子市場，但我們對業務基本面保持堅定信心。據預測，2026年晶圓代工2.0行業將繼續保持 14%的增長。基於台積電在先進製程、特殊工藝及先進封裝技術領域的絕對領先地位，我們預測2026年將是公司又一個強勁增長年，按美元計算的營收預計將實現接近30%的同比增幅。在人工智慧的大趨勢下，市場正處於結構性變革之中。2025年，來自AI加速器的營收已佔據公司總營收的高雙位數（15%-19%）百分點。隨著AI模型在消費者、企業及主權AI領域的深度滲透，全球對高性能計算能力的需求呈現出“無止境”的態勢。為應對這一挑戰，台積電正全方位最佳化產能配置。我們不僅在台灣和亞利桑那州提前了晶圓廠的建設時間表，更通過製造卓越性提升生產率，並在必要時將N5產能靈活轉換為N3產能。基於目前的評估，我們將2024年至2029年AI加速器營收的復合年增長率（CAGR）指引上調至接近中高50%的水平。相應地，未來五年公司整體營收的復合年增長率預計將接近25%，由智慧型手機、高性能計算、物聯網及汽車電子四大平台共同驅動。關於全球製造足跡的佈局，台積電始終以客戶需求為核心導向，兼顧地理靈活性與股東價值最大化。在美國亞利桑那州，我們正加速產能擴張：首座晶圓廠已於2024年第四季度成功進入高產量生產階段，良率表現優異。由於需求超出預期，第二座廠的生產計畫已提前至2027年下半年；第三座廠的建設正在進行中，同時我們正積極申請第四、第五座晶圓廠及先進封裝廠的建設許可。近期，我們增購了周邊大面積土地，旨在建構一個獨立的“千兆晶圓廠”叢集，以全方位支援人工智慧與高性能計算領域的領先客戶。在日本，通過與各級政府的緊密協作，熊本首座特殊工藝晶圓廠已於2024年底順利量產；二廠的建設也已啟動，其技術節點與擴產節奏將緊貼市場動態。在歐洲，德國特殊工藝廠的建設正按計畫穩步推進。與此同時，台灣依然是我們最核心的技術樞紐。在政府支援下，我們正於新竹和高雄科學園區籌備多階段的2奈米（N2）產能，並持續投入先進封裝設施，確保台灣在全球半導體生態中的領先地位。最後，關於技術路線圖的最新進展。台積電的2奈米及A16技術正引領行業邁向極致節能計算的新時代。N2已於2025年第四季度在台灣多個工地成功量產，良率穩定，預計2026年將迎來快速爬坡期。作為技術增強版，N2P計畫於今年下半年投入量產，提供更佳的功耗性能比。而採用超級電源軌（SPR）技術的A16，則專門針對訊號布線及電源傳輸極度複雜的頂級高性能計算產品，計畫於2026年下半年量產。我們深信，N2系列及其衍生技術將成為台積電歷史上又一個極具生命力且規模龐大的技術節點，進一步擴大我們的全球技術領先優勢。答分析師內容摘要：摩根大通分析師高庫爾·哈里哈蘭(Gokul Hariharan）：目前資本市場最關心的話題莫過於AI需求的真實性。許多投資者擔心，當雲服務提供商（CSP）完成第一輪基建後，需求會迅速萎縮，導致嚴重的產能過剩。你們如何評估這種風險？另外，面對2026年接近30%的增長預期，你們認為主要的支撐點來自那裡？魏哲家：關於AI泡沫的擔憂，我非常理解。事實上，面對每年高達520億至560億美元的資本支出，作為公司首席執行長，我必須比任何人都謹慎。為了驗證需求的真實性，在過去幾個月裡，我走訪了幾乎所有頭部的雲服務提供商以及他們的最終企業級客戶。我得到的反饋是非常清晰且一致的：AI不再僅僅是一個實驗室裡的原型，它已經深深植入到這些公司的核心業務流程中。這些CSP客戶不僅擁有極強的資本實力（甚至比台積電還要雄厚），更重要的是，他們看到了AI帶來的實際投資回報率（ROI）。此外，台積電自身就是AI的深度受益者。在我們的先進晶圓廠裡，我們利用AI模型對數以百萬計的感測器資料進行即時分析，最佳化排程並進行預防性維護。結果是顯而易見的——我們的生產率提升了1%到2%。對於台積電這種規模的公司來說，1%的效率提升意味著巨大的財務價值。如果連我們都能看到這麼明顯的收益，那麼全球數以萬計的公司必然會有更強烈的動力去部署AI晶片。關於2026年的增長，主要由N3工藝的持續爬坡、N2的早期貢獻以及先進封裝產力的翻倍增長所驅動。花旗銀行分析師勞拉·陳（Laura Chen）：我想追問關於電力供應的問題。目前AI資料中心對電力的消耗已成為全球熱議話題，這是否會成為限制台積電未來出貨的物理瓶頸？另外，在先進封裝（Advanced Packaging）方面，請詳細說明其對公司長期毛利率的影響，以及在SoIC（系統整合晶片）和3DIC（三維積體電路技術）領域的具體訂單可見度。魏哲家：電力確實是一個嚴峻的挑戰。但我必須重申，相比全球範圍，我更憂慮的是台灣本土的電力彈性，因為我們的核心製造基地依然紮根於此，我們必須確保電力供應能支撐起我們多階段的2奈米擴產計畫。至於全球資料中心，雲服務商在電力規劃上是非常具有前瞻性的，他們通常在五六年前就已經鎖定了相關的能源配額。從目前的交流來看，限制AI擴張的核心瓶頸依然是“台積電的晶片夠不夠分”，而不是“電力夠不夠用”。台積電首席財務官黃仁昭(Wendell Huang)：關於先進封裝，2025年其對總營收的貢獻約在8%左右，我們預計2026年將達到兩位數百分比。先進封裝的毛利率雖然目前仍低於公司平均水平，但隨著規模效應的顯現和製造自動化程度的提高，其利潤結構正在快速最佳化。目前，我們約10%到20%的資本支出流向了封裝與掩模製造領域。客戶對CoWoS的需求依然遠超供應，同時，我們看到越來越多的HPC客戶開始採用SoIC技術，將不同製程的晶片垂直堆疊。這種技術帶來的不僅僅是面積的縮減，更是功耗的大幅下降，它是我們維持領先地位的另一把利劍。摩根士丹利分析師詹家鴻（Charlie Chan）：關於競爭格局，目前美國的IDM競爭對手在獲得政府巨額補貼後，正試圖重奪代工市場的領導權，甚至宣稱在1.8奈米或更先進節點上取得了客戶進展。台積電在維持客戶忠誠度方面是否有新的策略？此外，面對海外建廠的高昂成本，你們如何確保不攤薄股東的回報？魏哲家：這是一個關於“護城河”的問題。在代工行業，資金確實重要，但它不是萬能的。先進製程的競爭是一場馬拉松。從邏輯設計到物理實現，再到最終的量產爬坡，每一個環節都需要數千名頂級工程師的經驗累積。我們目前的2奈米技術（N2）已經在去年四季度進入了產量爬坡期，良率表現非常穩健。競爭對手雖然喊出了響亮的口號，但從產品設計到真正能大規模量產出貨，通常存在2到3年的“時間滯後期”。至於海外成本，我們堅持“價值定價（Value-based Pricing）”。雖然美國或歐洲的營運成本更高，但我們的客戶願意為供應鏈的彈性和技術的確定性支付溢價。我們在亞利桑那州的良率已經達到了台灣同等水平，這證明了台積電的製造基因是可以成功移植的。我們依然維持長期毛利率在53%以上的目標，這絕不會動搖。新街研究分析師貝瑞特·辛普森（Brett Simpson）：我注意到台積電的混合晶圓均價（ASP）在過去兩年的復合漲幅非常驚人。這種調價是否已經充分反映了3奈米及未來2奈米的複雜性成本？此外，你們如何平衡與大客戶（如蘋果、輝達）之間的定價關係，以確保他們在面臨終端壓力時依然選擇台積電的最先進製程？魏哲家：定價策略是一個極其複雜的過程。我們每一代新製程的單片晶圓價格確實都在上漲，因為每一步工藝背後所需的EUV曝光次數、光罩層數以及材料成本都在指數級增加。但我們要看的是“每電晶體成本”或“性價比”。黃仁昭：我們在定價時會通盤考慮六大核心盈利驅動因素：領先的技術價值、製造卓越性導致的低缺陷率、跨節點的產能最佳化、產品組合、匯率波動以及全球佈局成本。通過將部分N5產能改造為N3（兩者工藝有高度相容性），我們極大降低了資本性支出的負擔，這種營運靈活性是對手無法比擬的。只要我們能通過技術幫助客戶在終端市場賺到更多錢，定價就不是問題。瑞銀分析師林曉蕾（Sunny Lin）：關於2奈米（N2）的遷移速度。我們聽到傳聞說2奈米的遷移曲線比3奈米還要陡峭。為什麼客戶在面對單片晶圓成本大幅上升的情況下，反而表現得更加急迫？另外，關於下一代A16技術，其引入的“背面供電（Backside Power Delivery）”會給性能帶來多大提升？魏哲家：你提到的“急迫感”是完全真實的。原因很簡單：在AI時代，功耗就是一切。N2相比N3能在同等頻率下降低25%-30%的功耗。對於智慧型手機廠商，這意味著更長的續航和更少的發熱；對於資料中心，這意味著在同樣的電力額度下可以多塞進20%的伺服器。黃仁昭：N2的早期採用者不僅限於手機，HPC客戶的佔比在大幅提升。至於A16，它是N2的延續和突破，引入超級電源軌技術後，邏輯密度將進一步提升。我們預計A16將在2026年下半年量產，它將主要針對那些對算力密度有極致追求的AI客戶。可以說，N2系列將成為台積電歷史上生命周期最長、產值最高的技術節點之一。高盛分析師盧博森（Bruce Lu）：關於算力鴻溝，目前Token的消耗增長遠超晶片的產出。在這種情況下，台積電未來三年的資本支出是否有望突破2000億美元？此外，你們如何看待2024-2029年AI營收50% 以上增長這一指引？這是否意味著台積電需要建設比現在多出一倍的先進產能？魏哲家：Token的消耗反映了AI的普及程度。雖然我們無法量化未來的所有需求，但目前的瓶頸確實不在軟體，而在硬體。黃仁昭：關於2000億美元的說法，我們暫不討論具體數字。但過去三年我們的投入是1010億美元，未來三年由於2奈米、A16以及大量CoWoS產能的建設，這個數字必然會顯著攀升。AI營收增長接近中高50%是基於目前大客戶給出的長期訂單能見度（Order Visibility）。這意味著我們需要在台灣新竹、高雄以及海外同步推進至少五到六座大型晶圓廠的建設。我們將採取嚴格的階梯式投入策略，確保每一分資本支出都能轉化為未來的每股收益增長。 (騰訊科技)

01. 前沿導讀美國國際關係與安全政策專家Paul J. Saunders、美國資訊技術創新基金會創始人Robert D. Atkinson、美國喬治梅森大學國家安全研究所創始人Jamil Jaffer在聯合座談會中表示，我們不可能阻擋中國晶片產業的發展，高端晶片是給手機、ai產業用的東西，大量的軍用或者民用產品並不需要3nm晶片，並且中國完全有能力製造出這些普通晶片。美國在短期內可以拖住中國的發展腳步，畢竟中國需要拿出時間來解決EUV光刻機的問題。這可能會花費中國企業十年八年的時間，那怕是只能拖慢中國5年的發展時間也挺好。但是從長遠來看，中國企業終將會摸索出解決先進晶片發展的辦法。02. 侷限性據湖北日報新聞報導指出，2025年中國成熟晶片的市場份額達到28%，並且其產業影響力還在持續上升，中國晶片已經在質量、數量、價格等多個方面對全球產業造成影響。美國的制裁已經讓中國產業的重心轉向本土技術，在近幾年以及未來的規劃中，中國企業的傳統晶片擴張速度將要超過全球同業。美國商務部曾針對中國成熟晶片啟動了301調查，經審查發現大約有四分之一的美國產品中至少含有一個來自於中國製造的晶片，並且中國晶片的成本只有整體成本的6%，價格上面的優勢也讓許多美國企業愈發對中國成熟晶片產生依賴。從《晶片法案》到現在的關稅政策，美國所推動的大方向是先進製造業回流。在製造業回流的基礎上，通過對光刻機的出口管制，壓制中國在先進晶片領域的發展，將中美之間的技術差距進一步拉大。據中國日報發佈的新聞報導指出，但就生產製造來說，美國本土製造業存在空心化情況，缺少擴大晶片生產所必須的資源以及經濟條件。福耀玻璃、富士康等中國企業曾經與美國企業合資建廠，拓寬海外管道，但是在營運的過程中都遇到了不同程度的困難。川普總統以關稅豁免為由，敦促蘋果公司將供應鏈遷回美國本土。但是美國本土缺乏製造產品所需的供應鏈體系與人力資源成本，一直在這個問題上面得不到有效的解決，只能先將供應鏈轉向越南、印度等地。美國對中國進行出口管制的影響，也同步擴大到了其他企業身上。三星、SK海力士、台積電均在中國大陸地區建設有合資工廠，美國法案要求這些受美國資助的企業不允許在中國大陸地區擴大生產，導致這些合資工廠無法獲得先進的製造裝置，進而對其整體的經濟發展造成了衝擊。2026年1月1日，台積電發佈聲明稱已獲得美國政府發放的年度許可證，可以繼續向中國南京分工廠輸送製造裝置。三星以及SK海力士也均獲得了許可，可以向中國大陸地區的合資工廠輸送裝置。美國政策的反覆變動，充分證實了其存在的侷限性與錯誤性，本打算壓制中國成熟晶片的發展，實際上只對相關的海外企業造成了影響。03. 產業韌性據七一網轉載重慶日報新聞指出，2017年美國挑起對華貿易戰，中國半導體產業成為了美國圍追堵截最慘了的行業之一。然而福禍相依，美國打壓的同時激發起了中國企業的突圍決心。美國對中國科技的封鎖雖然短期內給中國科技企業造成了一定的困擾，卻加速了中國核心技術發展的處理程序。中國的市場廣闊，晶片產業的銷售規模約為全球的33%。美國從產品到技術，再到人才，全面限制美國企業與中國企業建立合作關係，禁止中國企業用美國的技術裝置發展晶片產業。不過從長遠來看，這是一把雙刃劍。美國正在將全球最大的消費市場拱手讓給歐洲、日韓以及中國本土企業。據央廣網轉載每日經濟新聞指出，2025年10月份的灣芯展是中國晶片產業的一次成果展示，一款裝置的打磨通常需要5至6年的時間，而展會當中所展示出來的產品均為現有裝置或者是針對現有裝置的升級款，並不代表參展企業的真實技術水平。甚至部分關注度較高的敏感技術企業，在核心進度上是對外是保密的。國產製造裝置已具備一定體量的規模，部分環節具備國產替代的能力，但是在先進裝置上還有較大的突破空間。有半導體分析師對記者表示，提到中國的半導體產業，大家第一反應就是卡脖子，光刻機進不來、EDA用不了、高端晶片買不到，這是曾經中國半導體產業的真實寫照。如今這個風氣正在發生變化，從發展趨勢來看，製造裝置肯定是以國產替代為核心，逐步建構一條自主可控的晶片產業鏈。 (逍遙漠)

近日，荷蘭媒體《電訊報》對ASML總裁克里斯托夫·富凱（Christophe Fouquet）及首席財務官羅傑·達森（Roger Dassen）進行了深度專訪，聚焦全球半導體格局與中國晶片產業的發展前景。在談及中國能否突破高端光刻技術封鎖時，富凱態度明確：“目前沒有任何確鑿證據表明中國已站在EUV光刻機技術突破的臨界點。這是一項耗時十年以上的系統工程，絕非短期衝刺所能達成。”他進一步指出，自2018年起，中國便未能獲得任何一台ASML的極紫外（EUV）光刻裝置。“從技術演進角度看，這意味著中國在EUV相關製程能力上，整體落後全球先進水平大約8年。”儘管如此，富凱也承認，中國在持續高強度投入下，已在部分中低端光刻領域取得實質性進展，例如乾式ArF光刻機的研發與應用。合作曾深入，出口管製成轉折回顧歷史，ASML與中國半導體產業的合作由來已久。早在2002年，中芯國際便開始採購ASML的i線和DUV（深紫外）光刻機，雙方建立起長期穩定的技術與商業紐帶。為保障服務響應，ASML還在上海周邊設立辦事處與備件中心，形成完整的本地化支援體系。2018年，合作迎來關鍵節點——中芯國際以1.2億美元簽約採購中國大陸首台EUV光刻機，標誌著其向7奈米及以下先進製程邁出重要一步。然而，這一交易很快成為中美科技博弈的犧牲品。在美國政府持續施壓下，荷蘭當局於2019年撤銷了該裝置的出口許可證，導致這台本應交付中國的EUV光刻機至今滯留海外。據知情人士透露，時任ASML CEO彼得·溫寧克（Peter Wennink）曾多次向美方表達異議，強調ASML作為荷蘭企業秉持中立原則，不應被捲入地緣政治爭端。他還警告稱，過度封鎖將迫使中國加速建構自主產業鏈，“把原本流向我們的訂單，變成扶持本土裝置商的資本”。出口管制的“雙刃劍”效應對此，CFO羅傑·達森分析指出，美國主導的出口管制本質上是一場“技術代差管理”策略。“部分政客希望維持一個‘可控的落後’——既不讓中國追上，又不至於逼其徹底脫鉤。”但他坦言，這種平衡極其脆弱。一旦差距拉得過大，反而會激發中國在核心技術上的全面自主化決心。事實上，近年來中國在光刻領域的投入已呈指數級增長。國家大基金、地方產業基金以及頭部晶圓廠紛紛加碼半導體裝置研發。儘管路透社等外媒曾援引“匿名消息源”稱中國已研製出EUV光刻原型機，但截至目前，尚無權威機構或企業公開驗證其性能參數或量產可行性。富凱對此回應稱：“我們注意到相關報導，也理解中國在無法獲取先進裝置的情況下選擇自主研發是合乎邏輯的。但必須清醒認識到，從原型機到可穩定量產、具備高良率的商用裝置，中間隔著巨大的工程鴻溝。”他以ASML自身發展歷程為例：公司於2006年推出首台EUV原型機，歷經12年技術迭代、數千名工程師協作、數百億美元投入，才在2018年實現真正意義上的量產應用。未來格局：競爭與共存並存儘管短期內中國難以撼動ASML在高端光刻市場的壟斷地位，但ASML高管層並不否認中國崛起帶來的長期影響。“中國擁有全球最大的晶片消費市場，也有強大的製造基礎和政策執行力，”達森表示，“即便在受限條件下，其在成熟製程（如28奈米及以上）的產能擴張和技術最佳化，仍將深刻重塑全球供應鏈。”富凱最後總結道：“我們尊重每一個國家發展科技的權利。但技術進步沒有捷徑。EUV不是買來的，也不是喊口號就能造出來的——它需要時間、生態、人才和無數次失敗後的堅持。中國正在走這條路，而這條路，我們走了三十年。”在全球半導體產業進入“新冷戰”時代的背景下，ASML的態度既顯謹慎，亦帶一絲無奈。而中國，則在封鎖與自主創新的夾縫中，堅定地邁向下一代光刻技術的無人區。 (晶片研究室)

美國專家克里斯·米勒在《晶片戰爭》中直言，中國人不可怕，可怕的是買光刻機卻不單純用於生產，這一觀點讓西方不安。幾億美金一台的設備，背後是中國應對封鎖的深層佈局。二零一、八年起，美國逐步升級晶片封鎖。先是出口設卡，二零一九年施壓荷蘭，禁止ASML向中國出售高階EUV光刻機，二零二二年後更是全面限制設備、AI晶片及人才交流，二零二三年至二零二四年連中端浸潤式光刻機也禁售。中國企業順勢大規模採購、囤積ASML的DUV光刻機，二零二三年中國市場佔其銷售額近半，同時不放過二手設備。這並非米勒擔憂的單純逆向工程，光刻機結構複雜，十萬餘零件涉及數十學科頂尖技術，拆解難以複製核心製程。中國的真實佈局更深遠。這些設備是驗證平台，可測試國產光阻、鏡頭等零件，對標國際標準優化；也是戰略儲備，應對美國未來可能的全面封鎖；更能支撐成熟製程產能，十四奈米、二十八奈米晶片需求中國居全球第一，DUV足以滿足生產，藉此優勢搶佔全球價格與規模。美國的封鎖實質傷人先傷己，ASML失去中國市場後股價波動劇烈，評等被調降。反而倒逼國內晶圓廠轉向國產設備，上海微電子二十八奈米光刻機研發取得實質進展，雙工件台等核心子系統也不斷突破。如今，中國正全力打造完整的去美化半導體產業鏈，這才是米勒真正恐懼的。二、二、二、二、三零年是關鍵突圍期，只要攻克DUV技術，就能改寫全球晶片格局。中國未按西方劇本崩潰，反而將設備轉化為研發基石，把封鎖壓力變成創新動力，正是西方無力的根源。(科技直擊)

01前沿導讀據《環球時報》報導稱，路透社在近段時間爆料了一個所謂的中國曼哈頓計畫，並且聲稱中國團隊製造出了美國一直對華封鎖的EUV光刻原型機。通篇內容運用“知情人士透露”等虛無縹緲的言論來營造一種緊張的氣氛，其字裡行間表現出對中國科技進步的焦慮，這種焦慮既是不健康的心態，又對中國的科技發展存在嚴重誤解。02研發裝置光刻機一直都是美國對華封鎖的重要項目，最早可以追溯到2018年中芯國際花費1.2億美元向ASML採購EUV光刻機，該裝置預計在2019年左右交付，2021年投入使用。但是直到今日，美國一直對該產品進行出口管制，不允許荷蘭政府給予ASML對華出口的許可。而且美國對光刻機的管控是循序漸進的，最開始封鎖EUV但允許DUV出口。隨著中國企業採用DUV光刻機實現了7nm晶片的製造，美國又開始對DUV光刻機實施限制。大陸地區敏感的先進工廠在2024年不允許獲得1970i及以上的先進浸潤式光刻機，其他成熟工廠以及中外合資工廠視情況給予ASML特定產品的對華出口許可。一邊對中國先進晶片圍追堵截，一邊又向中國企業銷售老舊裝置來保證基礎晶片的產能供應。在這種情況下，中國自主研發的光刻機就成為了國內外重點關注的對象。2024年9月，中國工信部在重大裝備目錄中公佈了國產光刻機的最新進展：193nm波長、解析度65nm、套刻精度8nm的國產乾式ArF光刻機。該裝置較國際最先進的光刻機落後兩代技術，但是對比中國之前90nm節點的光刻機來說，有著明顯技術進步。這也表現出中國對於自主光刻機產業的路徑規劃清晰，其核心理念就是朝著自主可控的方向發展。光刻機是高整合度的複雜工業裝置，其依賴於全球產業鏈的合作。西方媒體一貫的思想就是中國研發先進裝置是為了將產業技術據為己有，從而自己掌握製造先進晶片的能力。但是中國官方媒體對此早就進行了回覆，即便中國在光刻機領域有所突破，那麼也不會改變晶片產業的全球化特性。中國一直強調國際開放合作，中國大陸地區也有大量中外合資的晶片工廠，例如西安的三星工廠、無錫的SK海力士工廠。這些工廠為全球市場提供儲存晶片，也是中國擁抱全球化的最好證明。03產業融合美國的對華制裁單方面讓中國企業與國際合作脫鉤，所以中國才會大力推動自主技術的產業發展。中國在尖端科技上面的發展無論進入到什麼地步，都不會影響對外合作。寧德時代的三元鋰電池，不但供應中國品牌的新能源汽車，而且供應特斯拉、沃爾沃T8、蓮花跑車等面向全球化的車型。並且寧德時代還在積極推動與外資的合作，在國外地區建設合資工廠，將中國技術擴散到其他國家，推動相關地區的能源發展。世界經濟論壇網站曾評論稱，中外（中美）合作是全球科技進步的基石，有超過30%的美國高影響力科研項目都有中國科學家的參與。甚至美國引以為傲的本土高科技企業，也有大量華人群體擔任領導。例如輝達創始人黃仁勳、AMD現任CEO蘇姿丰、英特爾現任CEO陳立武等。華人群體與美國人存在區別，華人群體對於中國本土市場頗有研究，甚至是重點關注。中國市場的規模龐大，而且地域廣闊、資源豐富、交通條件優越，對於先進技術的需求持續增高，這也是輝達不斷遊說美國政府，並且推出多款降級晶片來規避制裁與中國企業合作的主要原因。美國外交政策研究員克里斯·米勒在個人作品《Chip War》中分析稱，中國晶片在先進技術上存在明顯落後，這就導致了中國企業對於先進製造裝置存有大量需求，並且相關企業也願意拿出部分資金來採購進口的製造裝置。如果美國不允許中國購買國外的產品，那麼中國企業手中的採購資金自然而然的流向本土企業手中，繼而推動本土企業去開發自主裝置。中國投入大量資源去開發自主可控的晶片技術，其本質上是一種被迫的發展模式。國際合作本是雙贏的局面，但美國推動的小院高牆政策單方面切斷了這種雙贏的合作模式，導致中國企業走向自立自強的產業模式。中國並不侷限於自立自強，而是在實現關鍵技術自主可控的前提下，繼續擁抱全球化格局，將中國技術融入到全球創新網路中。 (逍遙漠)

早在1964年，中國就研製出了第一隻矽平面電晶體；1965年，中國就在上海生產出了第一塊矽平面數字積體電路；當時中國的技術比美國只落後7年，與日本同步；就在同一年，中國還推出了65型接觸式曝光系統，次年開始量產，第一批“國產光刻機”問世。隨後在1971年，第一台自主投影光刻機在清華大學問世，在1980年的時候，中國的光刻機技術基本達到了國際第二代的水平。但後來因為種種因素，中國的光刻機技術和晶片技術，逐漸與世界先進水平拉開差距。已經成為“工業克蘇魯”的中國，至今仍在苦苦追趕，依舊在努力摘取這顆工業皇冠上的明珠。所以提到晶片，戎評和大家一樣，心裡多少都是有一些意難平的。【1971年，中國自行研製的第一款國產光刻機】在這個領域，美國有著絕對的優勢。雖然美國自己也造不出先進的極紫外光刻機（EUV）、也需要將晶片生產外包給台積電等其他企業，但是美國在這個行業的技術滲透很深，不少技術都繞不開美國的專利，在和中國進行貿易博弈時，晶片和相關產業裝置，就成為白宮手裡的一張王牌。在這一領域，中國和國外先進水平的差距是顯而易見的。目前，台積電已經可以量產2奈米製程的晶片，而中國目前才剛剛突破7奈米，生產裝置也高度依賴荷蘭阿斯麥公司（ASML）的EUV，而美國的一紙禁令就足以讓中國無法擴產。【美國人是真的喜歡“牆”】在這個領域，EUV光源、蔡司光學鏡頭和日本的光刻膠，形成了一個穩固的“技術壁壘鐵三角”，中國國家雖然在部分領域有所突破，但要形成競爭局面，還需要時間。最重要的是，在市場層面，過去20年裡，業界已經基本形成了“電晶體堆料”和“先進製程微縮”的路徑依賴，因此誰有EUV，誰就有話語權，中國在晶片產業的話語權其實相當有限。雖然目前中國還能用稀土產品、產業鏈地位等方式，對西方形成反制，不至於被完全掐死，但這種反制本身就充滿不確定性！美國的絕對優勢，將中國逼到牆角，也逼著中國痛定思痛，無論如何都必須將核心技術掌握在自己的手裡！【荷蘭阿斯麥公司的EUV】12月29日，《每日經濟新聞》報導了一篇人物專訪，介紹了早些時候，中國研製出來的一款新型晶片。根據官方介紹，這款晶片可以支援6G、支援AI訓練，並且可以在28奈米及以上成熟工藝量產，最吸引人的是，這種晶片可以繞開光刻機。根據科研團隊介紹，這款晶片是“基於阻變儲存器的高精度、可擴展模擬矩陣計算晶片”；在世界範圍內，首次將模擬計算的精度提升至24位定點精度。戎評特地請教了相關的業內人士，他給戎評一個通俗且比較形象的比喻：按照他的描述，中國目前常見的晶片，都是數字晶片，它的計算方式比較笨，但是很精確；這就好比有人要問路，“數字晶片”式作答方式，就是將目的地的所有資訊，包括長寬高、海拔、顏色等有用沒用的資訊全輸入進去，然後精確對比，最終得出了一個精確的結果。模擬計算的方式，就跟中國平常問路一樣，向前一百米有個路口，斜對面就是，你走到那邊看看周圍，覺得大概這個就是——這個方法簡單，但是精確度較低。而中國的科研團隊，主要就是解決了這個精度問題，讓它達到了實際應用的程度。據介紹，這次突破，給中國創造了一個可以打破西方光刻機壟斷的新賽道。如果這款晶片真的能夠持續量產，以目前國產自主技術和裝置，完全可以做到產業鏈的閉環；最重要的是，這種晶片的出現，為打破“唯製程論”話語權，創造了一個新的可能，如果繼續開發下去，可以讓“成熟工藝搭配新架構”成為主流敘事，將晶片產業鏈的評判標準，從以前“誰製程先進”轉到“誰能在系統級將算力/能效做到極致”，中國已經在這個方面取得了首發優勢，在這個領域首次擁有了定義權！【為了走通晶片產業鏈，中國付出了巨大的努力】如果這條路走通了，在中國手裡，無疑是一張“王炸”，將美國最重要的技術優勢，直接歸零！當然，這一切最後能走到什麼程度，都要看這項技術的後續發展。當然，它也不是中國突破美西方技術壁壘的唯一探索。前段時間有消息稱，中國已經研製並部署了第一台國產EUV的原型機，已經跑完了完整的光刻鏈路；除此之外，中國還有多種技術路線也在緊張攻關中，這種多條路線平行發展的方式，被外界稱為“中國版曼哈頓計畫”，無論那條路線，只要能夠走通一條，意義都非常重大！在這件事上，戎評看到的是中國國家的信心和決心。中國有充足的資金、足夠的人才隊伍，以及充分的裝置保障，能夠支撐中國國家選這樣的方式。實際上在2025年，除了晶片領域的這項突破之外，中國中國還在多項技術上打破了西方的壟斷。比如在今年，洛軸研發出了3.4米外徑主軸軸承，用於配套全球單機容量最大的17MW海上風電機組，也結束了中國大功率風電軸承100%依賴進口的歷史。同樣在今年，國產T1000級高強高模碳纖維實現量產，高端碳纖維產業與國外先進水平形成競爭局面，完全可以替代國外的航空級碳纖維產品。中國還研發了新一代的高強鋁，是中國首個在先進鋁合金領域建立起“專利壁壘”級的材料。當然，還有超導鈮材實現了產業化，攻克了高純鈮錠提純和超導級成型等關鍵環節，為國家大型科學裝置、高端醫療器械、能源裝置，提供了最優質的“底層硬體”。當然，還有很多其他突破，戎評就不一一列舉了。某種意義上說，這些成績，包括上面提到的新型晶片，都是美國逼出來的！【中國2025年取得了很多科技突破】長久以來，西方一直看不起中國，覺得中國人沒有創新能力，只配跟在他們後面拾人牙慧；他們甚至傲慢地將中國改革開放取得經濟成就，歸納為自己的“恩賜”。現在中國人“不聽話了”，以為搞些“小院高牆”、搞些“瓦森納協定”這樣的壁壘，就能讓中國“原形畢露”，就能將中國鎖死在產業鏈的低端，可他們偏偏就忘了，中國人是不信命、不服輸的！外國人做得，中國人就做不得？！這句話，至今都振聾發聵！面對困難的時候，“後退”從來不是中國人的選項！不管這條路有多艱難，要付出怎樣的代價，中國有信心，將西方的那些壁壘拆得乾乾淨淨。等到了那一天的時候，西方就算一百個不情願，它們也必須老老實實地接受中國“王者歸來”的身份！ (戎評)

“中國已秘密獲得EUV光刻機”這一在網路上流傳近十年的傳言，昨日被科技媒體TechSpot的系統性調查正式證偽。報導通過比對荷蘭海關、ASML年報、全球半導體裝置追蹤庫SEMI TRAC以及中國生態環境部輻射安全許可證資料，得出一致結論：截至目前，中國大陸境內沒有任何一台可量產的極紫外（EUV）光刻機，所有18台ASML登記在冊的“中國交付”裝置均為深紫外（DUV）型號，最高支援7nm工藝節點。謠言源頭可追溯至2014年一張模糊社交平台照片——據稱拍攝於上海臨港某倉庫，外界猜測箱內為NXE:3300B EUV。TechSpot記者調取當年荷蘭鹿特丹港出口編碼，發現該批次海關單號對應的是“198-0.33 NA DUV Scanner”，即浸沒式DUV，並非EUV；同時，照片EXIF資訊顯示拍攝地點實為ASML新加坡維修中心，與“上海倉庫”說法不符。ASML 2023年財報顯示，公司累計出貨218台EUV，分佈為台積電156台、三星34台、英特爾28台，剩餘“0”台流向中國大陸。荷蘭經濟部出口管制清單也披露，2019—2024年間針對中國的57份光刻機出口許可中，沒有一份涉及13.5 nm波長系統；所有獲批型號最高為Twinscan NXT:2050i，套刻精度<2 nm，但光學解析度止步於7nm。TechSpot進一步獲得中國生態環境部輻射安全許可證資料庫記錄，顯示全國現持“Ⅰ類射線裝置”許可證的晶片製造企業共持有ASML裝置64台，其中18台標註為“極紫外”字樣的申請最終被退回或改為DUV，原因皆為“缺少荷蘭政府EUV出口批文”。這意味著，即便企業想進口，也無法跨越歐盟與美國的雙重管制。對於網路流傳的“二手EUV借道第三國”說法，報導亦予以駁斥。全球海關資料平台Panjiva顯示，2018—2023年所有標註“EUV”字樣的貨物轉運記錄最終收貨地均為美國、韓國或台灣，沒有中轉港發往中國大陸；且EUV整機需專用低振動恆溫運輸船，船期、港口及保險資訊均可在海事局公開查詢，目前未發現異常航線。國內晶圓廠內部人士對記者表示，公司確實曾在2018年評估過“黑市EUV”可行性，但備件、軟體更新及現場服務無法繞過ASML遠端鎖機，“花數億美元買一台不能開機的大鐵櫃毫無意義”。目前，國產7nm產線仍依賴DUV多重曝光，5nm及以下節點尚未進入量產。TechSpot指出，謠言持續發酵的背後，是外界對中國半導體技術跳躍式發展的擔憂，以及“技術神秘主義”情緒。事實上，中國尚未攻克EUV光源、真空腔、超精密反射鏡等核心子系統，短期內無法自造同類裝置。報導最後強調，EUV仍是全球管制最嚴的單一裝置，任何一台出貨、運輸、安裝都有跡可循，“只要數字對不上，神話就永遠只是神話”。隨著美國2024年10月新增“Foreign Direct Product”規則，未來即便非荷蘭企業試圖轉讓EUV相關技術，也需美國許可。對中國大陸而言，7nm節點天花板在短期內難以突破，國產替代與DUV工藝最佳化仍是最現實的路徑。 (晶片行業)

12月23日消息，隨著美國大力發展本土晶片製造業，英特爾、台積電、三星都在積極擴大在美國的產能。其中，作為“主場作戰”的英特爾，其目前在美國本土所擁有的產能無疑是最多的。特別是英特爾位於亞利桑那州錢德勒的Fab 52 晶圓廠，無論是在製程節點的先處理程序度、技術複雜度，還是規劃產能上，都已顯著超越台積電目前在亞利桑那州的佈局。據Tom′s Hardware 援引CNBC報導，英特爾Fab 52 是一座專為未來而生的頂級晶圓廠，其核心使命是生產Intel 18A及更先進製程。為了達成這一目標，英特爾匯入兩大革命性技術：RibbonFET 全環繞閘極（GAA）電晶體：這是英特爾在電晶體架構上的重大升級，目的在提升性能並降低功耗。PowerVia 背面供電網路：通過將供電線路移至晶圓背面，解決了傳統正面供電導致的布線擁擠與壓降問題。Intel 18A 的複雜度與精細度，遠遠超過台積電亞利桑那州Fab 21 第一期N4 或 N5 製程。即使與台積電 N4P 或 第二期工程的 N3 製程相比，Intel 18A 規格依然更具領先性。已安裝4台ASML EUV光刻機，未來整個園區將擴增至15台以上對於一座先進製程晶圓廠的實力來說，往往取決於極紫外光（EUV）光刻裝置。 英特爾Fab 52 安裝了四台ASML Twinscan NXE 標準數值孔徑EUV 系統。其中至少包括一台NXE:3800E，這是ASML 目前最先進標準數值孔徑的EUV 系統。△英特爾 Fab 52 晶圓廠內的ASML EUV光刻機據瞭解，NXE:3800E 包括更快的晶圓傳輸系統、更高效的晶圓台以及更強大的光源。在30mJ/cm² 的曝光劑量下，NXE:3800E 每小時可處理高達220 片晶圓。相較之下，廠內另外三台NXE:3600D 系統在同樣曝光劑量下的產能僅為每小時160 片。英特爾計畫在亞利桑那州的Silicon Desert 園區總共部署至少15 台EUV 光刻裝置。雖然目前尚不清楚其中有多少比例會是新一代的High-NA EUV裝置，也不清楚會有多少會被分配到即將建設的Fab 62。但至少15 台EUV光刻裝置這個數字，表示英特爾擁有極大的空間來進一步擴充其產能上限。月產能4萬片生產規模方面，英特爾Fab 52 擁有強大的產能。滿負載運轉時，產能可達每周10,000 片晶圓的，換算後約為每月40,000 片晶圓。以當今產業標準來看，這是一座規模極其龐大的超大型晶圓廠。相比之下，台積電亞利桑那州Fab 21晶圓廠已經量產的一期工程只有每月20,000片晶圓的產能，因為台積電通常以約每月20,000 片為一個生產產線。這代表著，英特爾Fab 52 的單廠產能，相當於台積電Fab 21 第一期與第二期兩個產線的產能總和。產能利用率及良率挑戰儘管技術與裝置處於領先地位，但英特爾與台積電在美國的佈局策略存在顯著差異，這也帶來了不同的營運挑戰。對於英特爾來說，其高風險高回報的模式正利用Fab 52 生產Panther Lake和Clearwater Forest處理器。目前的Intel 18A 技術仍處於良率曲線的早期階段。英特爾預計要到2027 年初，Intel 18A 的良率才能達到最高水準。在此之前，英特爾可能會刻意控制CPU 的產量，這代表著Fab 52 的產能利用率在短期內將維持在較低水平，部分時間可能會處於閒置狀態。△由英特爾Fab 52製造的基於Intel 18A製程的Clearwater Forest至於台積電，通過穩紮穩打模式在美國採用的是已經過驗證的較成熟製程（如N5/N4）。這種策略使其能夠快速提升產量，並讓工廠的產能利用率迅速接近100%。因此，兩這兩種不同的佈局，顯示出英特爾在亞利桑那州扮演的是技術開拓者的角色，試圖在美國本土直接建立最尖端的技術標竿。而台積電則傾向於將已經成熟的產線轉移至美國，以確保商業運行的穩定與效率。總結來說，英特爾在亞利桑那州的Fab 52 代表了美國本土製造的最先進佈局。它擁有更先進的Intel 18A 製程、更強大的EUV 裝置群，以及兩倍於台積電一期項目的產能潛力。雖然在2027 年良率成熟之前，英特爾在產能利用率上可能無法與台積電匹敵，但Fab 52 的存在確實鞏固了英特爾做為美國晶片之王的地位。這場對決最終的勝負，將取決於英特爾能否在2027 年如期達成Intel 14A 製程獲得頭部的外部客戶的訂單。 (芯智訊)