兆空間！面向大規模智算叢集場景光互連技術白皮書！ 2025

前言

目前，智算叢集已成為支撐人工智慧大模型訓練、自動駕駛演算法迭代等前沿領域的核心基礎設施，並以驚人的速度從萬卡向十萬卡級規模演進。隨著單節點算力突破每秒百億億次，這類超大規模叢集的極致運算能力對互連鏈路頻寬、延遲和功耗提出了極為嚴苛的要求。

傳統以銅介質為基礎的電互連方案，正面臨「頻寬牆」、「延遲牆」及「功耗牆」等三重嚴峻挑戰：單通道速率難以突破400Gbps，傳輸延遲高達數微秒，單機架互連功耗佔比更是超過40%，這一系列瓶頸已成為制約超大規模智算叢集互連功耗的核心障礙。

相較於傳統可插拔光模組等設備級光互連技術，晶片級光互連正開闢全新的技術路徑與產業賽道。它透過先進封裝將光引擎與電晶片合封在一起，把電訊號的傳輸距離從米級大幅壓縮至毫米級，從而改寫了物理層互連架構，實現50%以上的系統能源效率提升。由此建構的「晶片—設備—叢集」一貫式全光互連架構，已被業界廣泛認定為下一代智算基礎設施的關鍵技術。

本白皮書系統性剖析晶片級光互連技術的核心原理與架構設計，深入探討光源、調變器等關鍵元件的技術發展路徑。同時，全面整理晶片級光互連在國內外的產業現狀，客觀地研判未來演進趨勢與技術挑戰。期望透過產學研用多方協作，加速晶片級光互連技術從實驗室原型走向規模化商用落地，推動中國智算基礎設施在硬體架構層面實現跨越式升級，為數位經濟的高品質發展築牢堅實的算力基石。

1. 下一代智算叢集提出近乎嚴苛的互連需求

1.1. 大模型的巨量迭代引發智算叢集架構變革

實現通用人工智慧（AGI, Artificial General Intelligent）已成為大模型未來發展方向的廣泛共識。

大模型技術整體仍遵循擴展法則（Scaling Law），參數已邁向兆甚至十兆規模，對智慧算力的需求呈現爆炸性成長。

如下圖所示，模型參數規模的成長速度約每兩年400倍，其演算法結構在原有Transformer的基礎上，引入擴散模型、專家系統（MoE, Mixture of Expert）等，使模型泛化能力增強，並具備處理10M+超長序列能力，推動晶片算力（FLOPS）約每兩年3倍的提升，需要至少百倍規模的叢集演進速度來支撐大模型的發展，但晶片間的互連能力提升緩慢，只有約每兩年1.4倍，遠落後於模型規模和算力的演進速度。

超大模型的訓練過程尤其是張量並行（TP, Tensor Parallelism）、專家並行（EP, Expert Parallelism）等模式依賴叢集內GPU晶片之間頻繁的資料互動。

然而，互連速率的提升已嚴重滯後於算力的快速演進，導致顯著的通訊開銷，這直接限制了叢集有效算力隨GPU數量的線性增長，已成為制約叢集規模擴展和性能提升的關鍵瓶頸，如下圖所示。

在此背景下，僅依靠IB（InfiniBand）或RoCE（RDMA over ConvergedEthernet）等傳統網路技術來滿足模型效能指標已十分困難，需建構具備高頻寬、低延遲特徵的GPU卡間互連技術體系，以擴大節點規模，大幅降低通訊時間佔比，最終實現叢集算效的顯著叢集算效的顯著叢集。

同時，全球智算中心規模觸達十萬卡級別，智算叢集架構正經歷一場根本變革，從傳統單機八卡向超節點演變。

超節點並非簡單的硬體堆疊，是一種透過極致效能的高速互連技術，將數十乃至上千顆GPU晶片整合於單一或多個機櫃的叢集系統，突破傳統裝置算力瓶頸，大幅降低多晶片並行運算的通訊損耗，實現大模型訓練與推理效率的飛躍。

1.2. 大規模智算叢集呼喚「光進電退」技術

目前，超節點智算群集展現出三大技術特性，

• 一是互連效能高，GPU之間具有超低時延超高頻寬（百奈秒級，TB/s級）且無收斂的互連能力；
• 二是算力密度高，由單一或多個機櫃構成，包含32個以上甚至到千卡的GPU數量，不斷逼近電互連物理部署極限；
• 第三是能源效率PUE高，超節點單機櫃功率可達40kW以上，採用液冷為主、風冷為輔的散熱方案，配合櫃級集中電源供電，在提供更高供電效率的同時大幅降低資料中心PUE。

為了實現更高的叢集算效水平，互連技術方案的演進迫在眉睫。

• 在超節點設備的互連選擇上，目前主要存在兩種路徑：基於銅纜和基於光纖的傳輸方式。
• 儘管銅纜作為目前的主流方案，相較於傳統的可插拔光模組與光纖組合，擁有技術成熟度、成本、可靠性以及部署維護便利性等多方面優勢。
• 通常在小於2公尺短距離、低於800Gbps的非超高速網路場景中，銅纜憑藉這些優勢仍能滿足絕大多數應用需求。

特別是無源直連銅纜（DAC, Direct Attach Cable），憑藉其極低的成本和超高的平均無故障時間（MTBF, Mean Time Between Failures），成為當前主流選擇。

然而，在高速傳輸場景下，銅纜面臨距離受限、功耗激增、速率瓶頸和佈線困難等嚴峻挑戰，已然逼近其效能極限。隨著超節點叢集規模持續擴展至256節點乃至千卡級別，且單通道傳輸速率邁向800Gb/s，銅纜的固有物理侷限性正日益凸顯，已成為制約智算叢集互連性能與擴展潛力的嚴峻挑戰。

• 首先，銅纜的限制體現在其距離限制。受限於訊號衰減，銅纜的有效傳輸距離極為有限。例如，在極短的10公分PCB走線中，100Gbps的速率就足以造成超過15dB的插入損耗，導致訊號失真率突破5%。當GPU跨越多機櫃時，距離超過10公尺的情況下，訊號衰減與功耗問題更為突出。其次，功耗激增是另一個核心痛點。
• 在800Gbps及以上的高速傳輸場景下，電流通過銅線產生的巨大熱量不僅大幅推高了資料中心的營運成本，也顯著增加了系統的散熱複雜性。
• 再者，銅纜面臨傳輸速率瓶頸。受限於「趨膚效應」和PCB走線的寄生電容、電感，其中長距離傳輸的單通道速率難以突破200Gbps，且多通道並行會導致嚴重的串擾，進一步限制了電互連的頻寬密度。
• 最後，佈線困難成為規模化部署的巨大障礙。隨著智算叢集規模呈指數級擴張，所需的銅纜數量幾何級增長，使得佈線難度與成本顯著提高，嚴重限制叢集快速擴展和高效運維。這四大固有物理侷限，使得銅纜已無法滿足未來高算力密度和大規模擴展的智算叢集的嚴苛需求。

為跨越基於電訊號銅纜傳輸的固有物理極限，新一代光互連技術正快速登上歷史舞台。以近封裝光學（NPO, Near Package Optics）、共封裝光學（CPO, Co-Packaged Optics）、以及光輸入/輸出（OIO, OpticalInput Output）為代表的創新方案成為替代銅纜方案的優秀選擇。

這些技術的核心在於最大程度地縮短電訊號與光引擎（OE, OpticaEngine）之間的距離，實現在晶片層面即完成光電轉換，從根本上規避了傳統可插拔光模組的高成本與易故障問題，同時繼承了光纖傳輸的技術優勢。

功耗顯著降低。 NPO、CPO等技術將光引擎與GPU封裝在同一基板甚至同一晶片上，將電信號路徑縮短至釐米甚至毫米級別，大幅減少了傳輸過程中的中繼損耗，並降低了SerDes介面的性能要求，從而係統性地降低了整體功耗。

頻寬密度顯著提升。透過縮短電訊號傳輸路徑，這些技術可支援更高的單一連接埠傳輸速率，同時在同一封裝體內整合多個光通道，使得頻寬密度達到百Gbps/mm²至Tbps/mm²，遠超銅纜互連方案。此外，連接距離得到極大擴展。光訊號的低損耗特性使其能夠輕鬆覆蓋資料中心內數百公尺甚至10公里以上的距離，徹底打破了銅纜在遠距離傳輸上的桎梏。

更重要的是，光互連在訊號完整性上展現出壓倒性優勢。多根銅纜並行傳輸時固有的串擾和反射問題，需依賴複雜的均衡演算法進行補償，而光訊號在傳輸過程中幾乎不受電磁幹擾，其傳輸損耗比電訊號低4至5個數量級，且與傳輸頻率無關，從根本上保障了訊號純度。

在空間利用方面，光互連在空間佔用和重量上也展現出較大優勢。一束直徑僅6mm的光纖即可容納12根光纖，提供超過19.2Tbps的總傳輸頻寬，而提供同等頻寬的銅纜束直徑將超過50mm，重量更是光纖的8倍。這種極致的輕量化與小型化設計，大大簡化了大規模叢集的佈線難度，降低了資料中心的營運成本，並為未來更高密度的整合提供了寶貴的實體空間。

儘管面臨初期成本高和技術門檻高等挑戰，但光互連技術所帶來的低損耗、長距離、高頻寬密度、高訊號完整性以及低空間佔用等核心優勢，使其成為突破超節點規模和算力極限的關鍵支撐。透過將光電轉換技術整合到晶片級別，光互連不僅拓展了傳輸距離，降低了系統功耗，更透過光訊號的長距離傳輸解決了單節點規模擴大的空間限制問題。 「光進銅退」已成為智算叢集的必然趨勢，是實現未來算力跨越式發展的核心驅動力。

此外，光技術的引入已拓展到交換層，即光交換技術（OCS，OpticalCircuit Switching）。為解決傳統電交換機多次光電轉換導致的高能耗和微妙級延遲瓶頸，OCS直接在光域完成訊號路由，最高可達奈秒切換速度，較電交換快2-3個數量級。純光交換中微鏡反射型（MEMS，Micro-Electro-Mechanical Systems）做為其中一種比較成熟的技術，已經實現了商業化應用。

2. 極致化需求驅動光互連技術革新

根據不同應用場景，光互連技術主要分為資料中心間（DataCenter Interconnect，DCI）與資料中心內兩大類。資料中心內聚焦短距離傳輸場景（數公尺至數百公尺），核心訴求是高頻寬密度、低延遲及低功耗，常用多模光纖，精準適配機櫃內/跨機櫃互連需求。本白皮書重點探討資料中心內光互連技術的分類、裝置與技術趨勢。

2.1. 業界存在兩大類光互連技術

光互連技術是透過應用光電轉換與融合技術，取代電訊號在傳統資料傳輸場景中的主導角色，甚至直接取代晶片上的電IO功能，最終實現訊號在傳輸過程中遠距離、低功耗、高密度的目標。

其中，實現光電轉換的光引擎（Optical Engine，OE）是光互連技術的核心。根據應用場景、光引擎與xPU晶片的距離以及封裝整合程度的差異，業界衍生出許多技術範疇，我們將其主要分為兩大類：設備級光互連和晶片級光互連。

如下圖所示，在未來十萬卡級以上的智算中心群集設計中，設備級光互連主要有兩大技術，

• 一是以光交換技術為主，主要應用於交換設備間網路連線中，提供超高連接埠密度、極高速率（無頻寬瓶頸）、連接距離從公尺到百公里級；
• 二是以可插拔光模組技術為主，主要應用於超節點設備間網路連接中，提供較高速率、千卡以上規模、公里級長距離連接。

晶片級光互連主要以共封裝光學為主，主要應用於超節點內並進一步下探到晶片內場景，提供超高頻寬密度（可達Tbps/mm²級）、超低時延、千卡以下互連規模、公里距離之內的連接，要求高可靠性。

2.1.1. 設備級光互連：光交換器的演進與應用

隨著智算群集規模持續擴展，電交換晶片逐漸顯現瓶頸。單晶片容量受制於積體電路製程的發展，使得電交換晶片在製程製程、轉送架構與快取設計等方面面臨諸多挑戰，交換晶片更新迭代速度明顯放緩，網路規模難以快速擴展；高速SerDes和複雜轉送架構導致功耗和延遲不斷上升，訊號完整性問題也需要依賴複雜DSP補償。

光交換為突破電交換的限制提供了新的路徑：

一是，其在光層面直接完成連接埠間的切換，無需OEO轉換，徹底繞開了過程、緩存和SerDes衰減等物理瓶頸，可支援極高傳輸速率與超大規模叢集部署。光交換天然具備速率和協議無關的特性，從400G到800G乃至1.6T均可平滑支援，在速率升級時無需更換交換設備，極大降低了系統演進的複雜度和成本。

二是，光交換透過端對端光路直通，避免了複雜的包解析與快取轉發，延遲大幅降低，功耗顯著優於電交換。其大規模連接埠整合能力，使得數百乃至數千埠的互聯成為可能，從而支撐大規模GPU叢集的靈活網路需求。

第三是，透過集中化的控制與軟體編排，光交換也能夠支援拓樸重構、故障繞行和網路切片，提升算力利用率與網路穩健性。在維運方面，自動化光路配置減少了人工佈線帶來的潛在錯誤，進一步增強了網路的可用性和可靠性。

2.1.2. 設備級光互連：可插拔光模組的演進與應用

可插拔光模組已廣泛應用在傳統資料中心、電信網路以及智算中心大規模連接中，具備靈活性高與相容性強等特徵。

其將光引擎（OE, Optical Engine）整合在可插拔模組中，如下圖所示，透過PCB（PCB，Printed Circuit Board）板級走線與有獨立基板的xPU（GPU, NPU, Swtich, etc）相連。

目前市場主力產品的速率已達800G，未來採用矽光技術可達1.6T水平，封裝向高密度QSFP-DD/OSFP等演進。但面向智算未來高速率1.6T/3.2T以上的互連場景下，可插拔光模組將面臨訊號完整性惡化、依賴數位訊號處理器（DSP，Digital Signal Processor）進行複雜訊號補償所導致的系統功耗高、傳輸時延高等難題。

為解決DSP帶來的功耗、時延等難題，2022年Macom聯合輝達推出線性直驅可插拔光模組（LPO, Linear Pluggable Optics）方案，如下圖所示，相較於傳統可插拔光模組，LPO直接去除了DSP晶片，保留發射端高線性度的驅動晶片（Driver），以及接收電阻端高程的高線性度的驅動晶片（線性度電聯機（BD先前） Amplifier），從而建構一個純粹的模擬、「線性直驅」的光訊號處理通道，實現功耗和延遲的降低。雖然去除了DSP，但是DSP的功能並未消失，而是將部分功能轉移到了xPU晶片中。這意味著xPU的SerDes必須具備更強的線性驅動能力和訊號處理能力。

2.1.3. 晶片級光互連：從近封裝到光學I/O

隨著專家模型的大EP（Expert Parallelism）架構發展趨勢，更大規模、更高頻寬密度和極低時延成為智算叢集的主要需求。

如下圖所示：

• 在規模方面，目前Scale-Up單層規模以32卡或64卡為主，需要進一步提升至256卡甚至千卡，高速傳輸的距離從板級、櫃內擴展到櫃間；
• 在頻寬密度方面，目前國內單通道頻寬以200Gbps為主，需要進一步向800Gbps 甚至1.6Tbps 邁進， 頻寬密度要求提升至百Gbps/mm 2 到TGbps/mm 2 ；
• 在時延方面，目前卡間資料傳輸時延為微秒級，需要進一步縮短至百奈米甚至十奈秒。

目前可插拔光模組的互連延遲和頻寬瓶頸已無法滿足大規模智算群集互連需求。

晶片級光互連技術透過將電訊號傳輸路徑縮短至公分到毫米級（即加速卡內部），相較於基於電互連與可插拔光模組的互連方案，可實現超高頻寬密度、超低時延及高能效的智算群集互連能力。依據應用情境、光引擎與xPU 晶片的距離及包裝整合度，可將此技術分為近封裝光學（NPO，Near Packaged Optics）、共封裝光學（CPO，Co-packaged Optics）及光學IO（OIO，Optical Input/Output）三類。

• 近封裝光學（NPO）

NPO的核心思想是將光引擎（OE）與封裝後的xPU晶片相鄰佈局於同一塊高性能PCB基板上，透過極短的高性能電氣鏈路與GPU相連，形成一個整合度較高的系統，GPU與OE的間距通常在數釐米以內，同時確保通道損耗≤13dB。相較於傳統可插拔光模組，互連密度提高了2-3倍，是光互連向高整合度發展的過渡階段技術，為進一步向CPO演進奠定基礎。

因NPO將GPU與光引擎物理分離，避免了GPU在工作時的高溫熱量直接衝擊對溫度敏感的光器件，從而導致波長漂移和系統性能下降，因此散熱設計更簡單、高效，系統更加穩定。

同時，由於光引擎未和GPU共同封裝，在可維護性方面具備一定優勢，如果光部分失效，只需更換光引擎模組即可，避免了大量的維護成本；因此，NPO目前是國內GPU晶片廠商選擇的主要技術路徑，但仍需要在整合度、頻寬密度、延遲和能源效率方面進一步優化。

• 共封裝光學（CPO）

CPO技術透過將OE與電晶片共同封裝在同一晶片基板或中介層上，

實現系統的高整合度，使電訊號只需傳輸幾毫米。

CPO技術大幅提升了互連頻寬密度並能夠大幅降低系統誤碼率和設備功耗，同時也能夠大幅節省設備（如交換器）面板的空間，克服面板IO密度的限制。目前作為可插拔光模組的替代技術，CPO可實現整機設備功耗降低50%左右，如下圖所示。

由於光引擎和電晶片緊密共封裝，任何子模組的故障都可能導致整個封裝體的更換，對良率和可維護性方面提出了極高要求。

因此，基於CPO技術的產品處於發展初期，主要應用場景是智算中心的交換設備。但憑藉其在超高頻寬、低功耗、低延遲、高密度互連等方面的巨大潛力，CPO有望進一步下探至GPU算力晶片，實現算力晶片的直接出光，建構更有效率的端對端光互連鏈路。

• 片間光學互連（OIO）

相較於NPO/CPO是突破可插拔光模組的性能限制，OIO技術目標是為了取代計算晶片上電IO方案，透過先進封裝以芯粒形式與計算晶片整合，比CPO的互連性能更優。其核心理念是徹底摒棄傳統的銅線電氣I/O，消除了板級電氣走線的瓶頸，將頻寬密度提升至1Tbps/mm²（3D封裝）並將延遲降低至納秒級，能效提升相比CPO低一個數量級。

OIO技術可以在運算資源池化領域發揮更大的作用，如應對計算晶片顯存容量和頻寬擴展受限的雙重挑戰，依託其顯著傳輸性能和距離，打破單晶片顯存物理邊界，將多節點獨立顯存整合為共享顯存池，透過光域直連實現池化顯存的低時延調度與高頻寬訪問，成為未來新數據中心的新關鍵結構架構。

2.1.4. 新型光互連技術具備巨大潛力

可插拔光模組、NPO、CPO和OIO四大技術在頻寬密度、時延、能耗、相容性等方面表現各異，共同構成了覆蓋資料中心內不同需求場景的光互連技術體系（見下表），其中晶片級光互連聚焦出更能精準匹配智算群集未來演進需求的潛力技術，後續聚焦此類將聚焦。

表2-1 傳統電交換與光交換（OCS）比較分析

表2-2 光互連技術比較分析

2.2. 晶片級光互連三大技術路線場景互補

2.2.1. 晶片級光互連技術的組成原理

從元件構成上來看，相較於採用分離式元件的傳統可插拔光模組，主流晶片級光互連技術由於矽光的引入，除雷射外，大部分已實現了多種光電元件的矽基整合。

其技術方案構成主要分為三大關鍵組件：雷射（外部或與光引擎耦合）、光引擎、光纖及連接器。無論與電晶片的距離與整合度如何，實現高效光電轉換的光引擎和雷射都是晶片級光互連方案的主要研究對象。

如下圖所示，光引擎由光積體電路（PIC, Photonic IntegratedCircuit）和電積體電路（EIC, Electronic Integrated Circuit）組成。

其中PIC主要包含調製器（MOD, Modulator）和探測器（PD, Photo-detector），基於矽光子或III-V族化合物材料實現光訊號的調製、探測、解調和濾波等功能。

• 其中，調製器負責將光訊號調製為與電氣介面相符的頻寬能力，多採用矽光調變器，包括馬赫-曾德爾調變器（MZM, Mach-Zehnder Modulator）、微環調變器（MRM, Micro Ring Modulator）等方案。
• 偵測器負責在收端將光訊號轉換成電訊號；傳統可插拔光模組中常採用分立的PIN或雪崩光電偵測器，在晶片級光互連中，整合於矽光晶片上的鍺矽探測器（Ge-Si, Germanium-Silicon）成主流方案。
• EIC 主要由驅動電路（ DRV, Driver ） 、 跨阻放大器（ TIA, Transimpedance Amplifier）等組成，提供光調製器的驅動與控制，接收端訊號的放大、均衡以及功耗管理等功能。

雷射（Laser）負責提供連續的、高品質的光源，而調製器則將電訊號編碼到光訊號上。與傳統光模組將雷射和調製器封裝在同一個發射光組件（TOSA， Transmitter Optical Subassembly）內不同，該方案通常將調製器整合到矽光晶片上，而將雷射器作為獨立的外接光源（ELS, External Laser Source）。

這種架構通常以可插拔模組的形式存在，如下圖所示，可減少散熱影響，增強系統穩定性。外接雷射方案與光引擎的耦合帶了新的挑戰，業界也有基於直接調製光源的技術方案，可解決光源與調製器分離帶來的光效率問題，但也面臨傳輸距離以及速率性能受限等難題。

與傳統設備內部無光纖佈線設計不同，基於晶片級光互連技術的設備內部引入了額外的光纖及光纖連接器。如下圖所示，以基於矽光技術的CPO交換設備為例，光引擎緊密地圍繞ASIC晶片放置，設備內部的光互連路徑包含兩條：從ELS到光引擎，以及光引擎到機殼前方面板。其中後者為業界主要研究方向，其連接方法和類型會影響訊號、熱量和佈線密度的設備設計。

2.2.2. 三大技術路線並駕齊驅，矽光或成未來主流

業界已提出並應用了多種晶片級光互連（如CPO）的實現方案，這些方案可按材料分類，也可按雷射器的放置位置分類，而材料與雷射器位置往往密切相關。

業界目前有三大主要技術路線：其中基於矽光的整合方案通常採用外接雷射光源，屬於間接調製（即需要一個獨立的調製器來對光進行編碼）；而基於垂直腔面發射雷射（VCSEL, Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser）的方案則是由電子設備直接改變其註入電流來調製光源，無需額外的獨立調製器；Micro-LED則摒棄傳統雷射器，採用Micro-LED作為光源，採用陣列形式，單個晶片可整合數十至數百個，滿足高聚合速率需求。

目前產業主線多以矽光整合為核心，採用MZM或MRM等調製方式，並配合外接雷射器實現高速信號中短距（~幾百米）傳輸；VCSEL陣列則在短距互連（~幾十米）中有成熟應用，但在高溫穩定性和更高速率下仍面臨一定挑戰；Mic ro-LED作為一種新興技術，主要聚焦於櫃內短距高速鏈路（~數米內）中的應用，展現出高響應速度、高密度陣列整合及低功耗的特性，但其在高速調製（如100Gbps以上）的穩定性以及與電晶片異質整合適配性等方面仍存在問題。

• 外接雷射光源+矽光光引擎

矽光整合方案是利用現有CMOS （ Complementary Metal OxideSemiconductor）製程進行光元件（包括調變器、偵測器、光波導等）開發與整合的技術。

依調製器的不同，矽光方案可進一步分為兩類：

一類採用MZM調變器，另一類則採用MRM調變器。 MZM在矽光可插拔光模組市場中應用廣泛，經過大量部署驗證了其可靠性。基於MZM的晶片級互連方案藉助此優勢，透過高度整合進一步提升了密度。

MRM方案則提供了另一種可能，能夠進一步降低調變器的功耗，並提高整合密度。 MZM與MRM相比，MRM具有小尺寸及低驅動電壓的優點，而MZM則有較寬的可操作光波長範圍及較佳的熱穩定性，相關比較如圖2-13所示。

矽光技術方案因整合度高、調變速率高，光源外接穩定性高，可涵蓋其他短距方案等特性，成為CPO的主流方案。

隨著研究的深入，矽光技術有望成為OIO中最核心的光學解決方案。

採用MRM的矽光整合方案實現OIO的第一步，可利用多個波長攜帶訊號，提高頻寬密度。目前此路線面臨光鏈路效率與系統協同性上的挑戰。

• 一是外接雷射耦合損耗與對準難題，易因偏移導致功率衰減，雷射需提升輸出功率增加整體耗電量；
• 二是單一光源故障可能影響多通道工作；
• 第三是光源參數與矽光引擎的驅動需求適配依賴客製化調試，缺乏統一標準導致整合成本高。

未來產業可透過採用晶圓級光學技術整合微透鏡陣列，並結合先進封裝方案，將系統損耗降低；光源側可採用量子點光頻梳雷射器，減少光纖用量並降低功耗並透過標準化統一光源電氣與機械參數，進一步優化能效與互通性。

• 基於VCSEL的光引擎方案

VCSEL方案依託垂直出光結構所帶來的光路設計彈性，以及高密度陣列支援多聲道並行傳輸的能力，可滿足智算群集櫃內/間的短距傳輸需求。憑藉成本優勢與低功耗特性，在光模組領域已應用多年。

但基於VCSEL的晶片級互連方案目前仍處研發階段，核心瓶頸在於砷化鎵材料與矽基製程存在晶格失配，異質整合良率低，難以實現與電晶片的深度共封裝，更適合應用於NPO互連方案。

基於VCSEL的晶片級互連方案研究趨勢主要聚焦於性能瓶頸突破，如推動單模化以解決頻寬限制，業界透過光子晶體結構設計、氧化限制層精度優化，結合PAM4高階調變技術，已實現單通道200Gbps速率高電導率電能提升訊號耗耗；透過低損耗訊號與電波進一步提升方案電能化電能與動力提升的關係電能提升距離電能動能與功率提升方案相增動能。

• 基於Micro-LED的光引擎方案

在光互連領域中，Micro-LED作為新型光源陣列逐漸受到關注。與矽光和VCSEL相比，Micro-LED的突出特點在於其天然適合建構二維高密度陣列，能夠實現多通道並行和空分複用，在有限封裝岸線上實現超過Tbps/mm 2的頻寬密度。

在功耗方面，研究顯示其連結能源效率可望達到亞pJ/bit量級，適用於機櫃內的10公尺級短距連接。

在製程路徑上，Micro-LED通常基於氮化鎵（GaN, Gallium Nitride）外延，在藍寶石或GaN基板上製備微米級發光單元，並透過異質整合與CMOS電路鍵合，為短距互連帶來一種能效與密度兼具的潛力方案。

基於Micro-LED的光互連方案技術趨勢著重於優化驅動電路、改進量子阱材料結構、延長雷射光源使用壽命以適應大規模叢集的高可靠性需求。

整體來看，矽光方案因其性能優、CMOS製程整合高等特性已形成較成熟的產業和標準牽引，VCSEL陣列依託既有的短距應用在NPO方案中仍具競爭力，Micro-LED陣列提供了能效和並行密度上的新路徑。三者將在智算互連不同場景中形成互補，共同推動短距至中短距光互連技術的迭代升級。 （AI雲原生智慧算力架構）