12月8日，OpenAI發佈報告The state of enterprise AI，首次全面展示了企業應用AI的現狀。報告指出，企業採用AI的動作正在加速，尤其是在幾個關鍵行業，其中醫療保健成為增長最快的領域之一。AI醫療實現驚人增長報告顯示，企業對AI的態度從試點轉向全面部署，醫療保健行業表現尤為突出，其OpenAI客戶的年同比增長率高達8倍（8x）。在增長速度上，醫療保健僅次於科技行業（11x），位列第二，超越了製造業（7x）。雖然像金融和科技等行業在AI使用規模上仍舊保持領先，但醫療保健和製造業等行業是從較小的基數起步，目前正以最快的速度迎頭趕上，正迅速縮小與領先者的差距。深入應用：AI為醫療保健帶來的實際價值報告通過具體的企業案例，展示了AI醫療在提升效率、改善客戶體驗等方面的實際效果。例如，生物科技公司Moderna利用ChatGPT Enterprise顯著壓縮了目標產品資料（TPP）的製作周期。過去，撰寫TPP是個複雜又費時的任務，通常要花上幾周時間，還得仔細閱讀多達300頁的資料。為瞭解決這個問題，Moderna引入AI系統，幫助從大量檔案中找出關鍵資訊和假設，自動生成結構清晰的草稿，並自動標記潛在錯誤。Moderna表示，在某些情況下，原本要花幾周才能完成的核心分析工作，現在幾個小時就能搞定。團隊可以更專注於驗證方案的可靠性、做出更周全的決策，從而更快地把新藥帶給患者。又比如，醫療保險公司Oscar Health推出了面向會員的聊天機器人，幫助使用者更輕鬆地應對複雜的醫療保健系統。這些聊天機器人與Oscar自身的系統和資料深度整合，能夠訪問會員的醫療記錄、理賠資訊等，從而提供個性化的回答，並協助完成諸如尋找醫生、續開處方等常見任務。上線後，該平台已能即時解答58%的問題，並在無需人工介入的情況下處理了39%的諮詢。這不僅提升了服務效率，也為會員提供了一個統一且可靠的入口，讓他們更容易理解並順利享受醫保服務。 (智藥局)

“我不知道”如果你身邊有朋友問你，“記憶體什麼時候能降價”，那麼你可以把這個文章甩給他，直接告訴ta，你不知道。全球主要 DRAM 供應商之一 SK 海力士近日就當前記憶體市場供應短缺及擴產計畫發表了看法。由於 AI 產業需求的爆炸性增長，記憶體供應持續緊張，製造商們面臨著激進的價格上漲壓力。有行業預測顯示，記憶體短缺的局面可能將持續到 2027 年甚至更久。WCCFTech向海力士談論了如今的“記憶體超級周期”以及公司的對策，海力士表示目前下結論還為時尚早。海力士表示，公司已提前完成 M15X 晶圓廠兩年的建設工作並已啟用。該工廠將專注於HBM的生產，計畫在明年啟動全面量產。M15X是SK海力士投入約36億美元的重大項目，預計將為公司整體晶圓產能貢獻重要份額。公司還提及正在建設中的龍仁（Yongin）晶圓廠，該廠預計在 2027 年上半年投產。公司表示，鑑於記憶體需求增長速度超過預期，公司正通過建設 M15X 和龍仁工廠等先進生產基礎設施，主動確保“晶圓廠空間”和“生產能力”，以高效響應不斷增長的 AI 記憶體需求和客戶的演變要求。而問及記憶體短缺何時結束時，海力士認為，由於 AI 領域潛在需求的不確定性，供應鏈仍在適應新的市場格局，無法精準預測短缺的持續時間。目前，公司計畫在HBM 市場保持高份額，不僅繼續供應主要的 GPU 客戶，還將覆蓋包括 ASIC 領域在內的多元化客戶群體。有意思的是，海力士明確知道，當下的消費級通用記憶體市場（用於PC、手機的普通記憶體）供應處於緊迫局勢，其表示這是由於大型雲服務提供商（CSP）和科技巨頭傾向於鎖定長期 DRAM 採購合同，而供給側產量不足導致。公司估計，2027年上半年將大幅增加DRAM生產能力，以滿足市場需求，但考慮到從工廠擴建到生產線重新分配需要數月時間，消費級產品，包括 DDR5 記憶體等，價格短期內恐將持續承壓。顯然，儲存巨頭正在將產能重心從傳統的通用記憶體轉向高利潤、高技術壁壘的 AI 記憶體。而對於普通消費者和終端銷售商，可能不得不繼續承受這一輪 AI 軍備競賽帶來的成本外溢效應。 (AMP實驗室)

伯恩斯坦更新了儲存器及行業模型（包括高頻寬儲存器（HBM）、動態隨機存取儲存器（DRAM）、快閃記憶體（NAND）、三星、SK 海力士、美光及鎧俠的模型）。即將到來的資本支出增加或於 2026 年底推動儲存器價格 “正常化”。近期訊號顯示，三星、SK 海力士及美光將大幅增加 DRAM 資本支出，因此，隨著 2026 年底新增產能釋放，儲存器價格或將開始走軟。我們認為，HBM 的增長具備結構性特徵，因此其價格在 2027 年底僅會 “正常化”（而非 “暴跌”）至本輪上漲啟動前的水平。成本下降將維持高利潤率，造就史上最強周期。儘管價格最終會回落至起點，但此期間的成本下降將支撐利潤率維持高位。我們預測，2026 年四季度行業 DRAM 毛利率將達到 77% 的歷史新高，2027 年四季度僅小幅回落至 62%，這意味著本輪周期將成為行業史上表現最佳的周期。歷史交易規律顯示，當前 “下車” 仍為時過早。資本支出增加及中國競爭對手 IPO 可能構成利空訊號，但在以往周期中，只有當儲存器現貨 / 合約價格實際開始下跌時，相關股票才會開啟回呼。中國競爭對手將提升市場份額，但短期內不足以扭轉供需短缺格局。憑藉產能擴張、技術升級及良率提升，我們預測長鑫儲存（DRAM 領域）與長江儲存（NAND 領域）的位元市場份額將從 2025 年的 8%、12%，分別提升至 2027 年的 10%、15%。儘管從低基數來看增速可觀，但未來兩年其新增供給規模仍不足以推動市場從短缺轉向過剩。DRAM 資本支出大幅增加，NAND 增幅有限。我們預計 2026 年 DRAM 行業資本支出將增長 40%，以支援裝置及基礎設施建設；NAND 資本支出雖也將增長，但基數極低，且總體規模仍將顯著低於 2022 年及之前水平。結構性邏輯不變，但需警惕短期波動。儲存器類股票貝塔係數較高，估值易受宏觀風險偏好及 AI 泡沫擔憂影響。我們近期研究進一步印證了 “儲存器是資料經濟基石” 的觀點，但投資者仍需謹慎對待此類股票。註：加粗部分為目標價調整 / 預期調整；評級說明：O - 跑贏大盤，M - 與大盤持平，U - 跑輸大盤，NR - 未評級，CS - 暫停覆蓋；美光的 EPS 為調整後資料，市盈率為調整後市盈率（倍），基準年份為 2025 年。詳細分析即將到來的資本支出增加或於 2026 年底推動儲存器價格 “正常化”，成本下降將維持高利潤率，造就史上最強周期隨著雲服務商需求日益明確，我們認為儲存器供應商或將在 2026 年大幅增加資本支出，以把握當前供需短缺及價格飆升的機遇。因此，我們預計相關企業將在即將發佈的財報中披露 2026 年資本支出大幅增加的計畫；若未披露，晶圓廠裝置（WFE）供應商也可能在其下一次財報中釋放類似訊號。然而，由於裝置訂單到儲存器產能釋放存在時滯，2026 年大部分時間新增產能難以實質貢獻供給，直至 2026 年底新增產能逐步上市，並在 2027 年進一步擴大。因此，短期記憶體儲器短缺局面仍將持續，價格或繼續上漲；2026 年下半年起，價格漲幅將逐漸縮小，2027 年底趨於平穩。2027 年隨著更多產能釋放，價格將出現回落（詳見圖表 1 - 圖表 2）。但我們預計價格不會重現 2019 年的暴跌態勢，因潔淨室空間限制將制約產能擴張幅度；同時，2027 年 HBM 需求仍將保持強勁，使得傳統 DRAM 產能相對緊張。因此，我們認為 2027 年儲存器價格更多是 “正常化”，預計 2027 年底傳統 DRAM 價格將回落至 2025 年三季度末本輪上漲啟動前的水平（詳見圖表 3 - 圖表 4）。短期內價格大幅上漲也將推動利潤率攀升，預計 2026 年下半年利潤率達到峰值，水平接近甚至超過 2018 年的高點。2027 年價格雖將回落，但成本同步下降，我們預測 2027 年底 DRAM 毛利率仍將高於當前水平。如圖表 5 - 圖表 6 所示，本輪周期將成為行業史上最強周期：上行階段推動毛利率創歷史新高，下行階段僅為 “正常化” 而非 “調整” 或 “崩盤”，使得 2027 年底毛利率仍維持在高位。圖表 1：預計 DRAM 價格將持續上漲，直至 2026 年底開始走軟圖表 2：NAND 價格預計呈現類似走勢，但漲幅或不及 DRAM 顯著圖表 3：2026 年底及 2027 年更多產能釋放後，DRAM 價格有望回落至本輪上漲前水平圖表 4：雖對 NAND 需求持續性信心不足，但預計供給增長將保持克制，因此價格或於 2026 年底開始正常化，並在 2027 年進一步延續圖表 5：預計 2026 年底行業 DRAM 毛利率將創歷史新高，即便後續平均售價正常化，2027 年底毛利率仍將維持高位圖表 6：預計行業 NAND 毛利率也將升至新高，並在後續維持強勁水平上調 HBM 及晶圓代工（CoWoS）預期：供應商擴產以滿足強勁需求鑑於過去數月宣佈的 AI 項目及下游積極訊號，我們預計台積電、日月光（未覆蓋）、安靠（未覆蓋）將擴大 CoWoS 產能（詳見我們近期關於台積電的報告）；同理，三星、SK 海力士、美光也將增加 HBM 供給，以支撐這些 AI 項目。例如，輝達若要實現 5000 億美元營收目標，就需要更多 HBM 供給；未來若有更多下游項目公佈，供給缺口或進一步擴大。因此，我們上調 HBM 位元出貨量預期，預計 2026 年增長 100%，2027 年再增長 35%（詳見圖表 23）。2026 年 HBM 與傳統儲存器均將面臨供給緊張，因此 HBM 價格有望保持堅挺 ——HBM3E 價格下跌將被 HBM4 的溢價部分抵消。我們預測，明年起 HBM3E 價格將下跌 20% 以上，但 HBM4 價格較 HBM3E 將有 40% 以上的溢價；綜合來看，2025-2026 年 HBM 綜合平均售價同比僅小幅下跌 5%（詳見圖表 24 - 圖表 25）。這意味著 2026 年 HBM 總收入將增長 91%，達到 750 億美元（詳見圖表 26）。不過，由於傳統 DRAM 價格及收入大幅飆升，2026 年 HBM 在整體 DRAM 收入中的佔比或出現下滑；2027 年隨著傳統 DRAM 價格正常化，HBM 佔比有望回升至約 40%（詳見圖表 27）。鑑於 HBM 對整體 DRAM 平均售價的支撐作用增強，我們預測 2027 年底 DRAM 綜合平均售價仍將高於當前水平（詳見圖表 3）。從晶圓消耗量來看，預計到 2027 年，HBM 晶圓消耗量將佔 DRAM 行業總消耗量的近 30%，或超過傳統伺服器 DRAM，成為 DRAM 晶圓最大應用領域（詳見圖表 29）。如前所述，HBM 晶圓消耗量的擴大將繼續制約傳統 DRAM 產能，因此我們僅預測 DRAM 平均售價 “正常化”，且 2027 年底 DRAM 毛利率仍將維持在可觀水平。相比之下，我們認為三星在 HBM 領域的地位將從 HBM3E 時代向 HBM4 時代提升 —— 其更先進的 DRAM 及基底晶片製造技術，使其既能滿足輝達對更高速度的要求，又能保持良好良率。此外，三星的潔淨室空間限制小於 SK 海力士和美光，在當前供給短缺的市場中可釋放更多產能以提升份額。因此，我們預測 2026 年三星在 HBM 市場的份額將出現回升（詳見圖表 30）。圖表 23：上調 HBM 預期，預計 2026 年 HBM 位元出貨量增長 100%圖表 24：HBM3E 價格下跌將被 HBM4 溢價大幅抵消圖表 25：隨著張量處理單元（TPU）需求升溫，預計 2026 年 HBM3E 及 HBM4 位元出貨量佔比僅為 27%圖表 26：總體來看，預計明年 HBM 總收入將接近翻倍，達到 750 億美元圖表 27：2026 年受傳統 DRAM 價格強勁上漲影響，HBM 收入佔比或下滑；2027 年有望回升圖表 28：預計 2026 年 HBM 位元出貨量佔比將顯著提升，並在 2027 年繼續增長圖表 29：預計 2027 年 HBM 晶圓消耗量將佔 DRAM 行業總消耗量的 28%，或超過傳統伺服器 DRAM圖表 30：預計三星在 HBM 市場的份額將提升 —— 既因 HBM3E 產能釋放，也因 HBM4 時代競爭地位較 HBM3E 時代改善短期與長期需求明確，預計 2026 年 DRAM 資本支出大幅增加，NAND 增幅有限美光首席財務官在近期會議中明確暗示將大幅增加資本支出；我們從供應鏈也獲悉，三星和 SK 海力士也計畫顯著提高資本支出。據此，我們預測 2026 年三星、SK 海力士、美光的 DRAM 資本支出同比增幅將達 30%-65%，整個 DRAM 行業資本支出同比增長 40%，用於晶圓廠裝置採購及基礎設施持續建設（詳見圖表 31）。值得注意的是，資本支出增加的訊號主要集中在 DRAM 領域，NAND 領域相關訊號則弱得多。我們瞭解到，三星甚至計畫將一座 NAND 工廠改造為 DRAM 工廠。這與我們對 NAND 市場的長期謹慎立場一致，因此預測 2026 年 NAND 資本支出同比增長 30%，但基數極低，且總體支出仍將顯著低於 2022 年及之前水平（詳見圖表 32）。圖表 31：預計 2026 年 DRAM 行業資本支出將增長 40%，再創歷史新高DRAM 行業資本支出圖表 32：預計 NAND 資本支出增速較慢，且總體規模仍將顯著低於 2022 年及之前水平NAND 行業資本支出中國企業借力 IPO 擴產，但明年不足以扭轉供需短缺中國正抓住當前供給短缺的機遇擴大生產、提升市場份額，甚至可能借助儲存器價格飆升獲得可觀盈利。我們瞭解到，長江儲存和長鑫儲存正將現有潔淨室空間下的產能提升至接近滿產狀態。隨著製程遷移及良率改善，預計 2026 年兩家企業的位元產出將增長 40%-50%。此外，兩家企業均在尋求 A 股 IPO（詳見相關連結），預計通過股權市場融資後，將啟動新工廠建設，未來兩年內完成並釋放新增產能。儘管如此，中國企業的增長基數仍較低，明年新增供給規模不足以扭轉市場短缺格局。尤其值得注意的是，長鑫儲存或需供應 HBM 以支援中國本土 AI 晶片生產，這將進一步減少其傳統 DRAM 的可用產能。因此，我們預測未來兩年中國企業市場份額將逐步提升，但幅度有限，尤其是在 DRAM 領域（詳見圖表 33）。長期來看，NAND 技術迭代無需極紫外光刻（EUV）裝置，中國在出口管制背景下仍能獲得足夠的本土裝置支援以擴大產能，因此我們認為中國企業是現有 NAND 供應商的長期威脅，這也是我們對 NAND 市場持結構性謹慎立場的原因之一。圖表 33：預計未來兩年長鑫儲存（CXMT）和長江儲存（YMTC）市場份額將提升，但基數較低，幅度有限（長鑫儲存尤為明顯）各企業位元出貨量市場份額總結：雖對 DRAM 持結構性樂觀、對 NAND 持結構性悲觀，但需警惕儲存器股票的高貝塔屬性我們一直主張 “儲存器是資料經濟的基石”然而，傳統儲存器價格的快速波動及對 AI 泡沫的擔憂，仍將導致相關股票波動率高企。因此，儘管我們對 DRAM 持結構性樂觀、對 NAND 持結構性悲觀態度，但仍建議投資者謹慎對待此類股票。 (大行投研)

“一天一個價，甚至一天幾個價”，深圳華強北的儲存商戶們這樣描述近期的市場行情。這是儲存行業進入超級周期的鮮明寫照。眾所周知，隨著AI需求的爆發，儲存行業正經歷一場前所未有的結構性變革。2025年下半年，尤其是近幾個月以來，儲存行業全面進入加速上行周期，儲存原廠盈利能力持續提升，HBM供應緊張，SK海力士2026年底前的產能已基本被AI大客戶鎖定，三星留給中小廠商的份額不足10%。HBM之外，在這一浪潮中，DRAM作為儲存賽道的另一關鍵領域，重新回到了各大廠商的戰略核心位置，備受追捧。面對當前儲存市場供不應求、價格持續上漲的局面，三星電子、SK海力士、美光三大儲存晶片巨頭採取了不同的應對策略，以適應市場的變化，搶佔未來發展的制高點。AI熱潮下，儲存巨頭轉向與產能豪賭三星：縮減HBM產能，擴建DRAM產線近期，三星電子計畫將用於HBM3E生產的第四代1a奈米製程產能下調30%-40%，轉而投入第五代1b奈米製程的通用DRAM生產，每月可新增約8萬片晶圓產能。據悉，目前三星的HBM3和HBM3E記憶體均基於1a奈米製程的DRAM，而HBM4則基於1c奈米製程，以形成對SK海力士的競爭優勢，1b奈米製程工藝產能主要由通用DRAM佔據，包括DDR5、LPDDR5X等，也有部分會用於生產GDDR7。因此，對於三星電子而言其1b製程DRAM產能的盈利能力反而超過了受益於HBM高價格的1a製程，進而推動其產能從HBM熱潮到DRAM轉向。據瞭解，三星這次調整的背後是明確的利潤考量。三星內部評估顯示，儘管HBM產品單位售價高，但其議價能力弱。雖然三星HBM3E良率已有顯著提升，今年下半年也加入了輝達的HBM3E供應鏈，但其供應量仍然有限，且供給輝達這些大客戶的HBM3E價格也要比競爭對手低，這也導致了三星當前的HBM3E產品的利潤率只有約30%左右。此外，輝達、AMD等頭部廠商都計畫從明年開始將其主要產品的需求過渡到HBM4，這也將導致HBM3E市場需求減少。據預計，明年12層HBM3E產品的售價可能將再下降30%以上，這也意味著三星HBM3E的利潤率可能會進一步降低。而相比之下，在AI熱潮下，HBM搶佔標準DRAM產能，短期內DRAM擴產幅度有限等原因，導致基於1b奈米製程DRAM產能的通用DRAM產品供不應求、價格持續上漲。三星基於1b DRAM產能的DDR5等通用DRAM的利潤率將超過60%，遠高於HBM3E產品。因此，對於三星來說，降低HBM3E產能，擴大標準DRAM產出將更有利可圖。不僅如此，三星還將平澤和華城園區的部分NAND快閃記憶體產線改造為DRAM產線，聚焦資料中心所需的大容量DDR5及LPDDR5X產品，以快速響應AI伺服器的旺盛需求。另一方面，三星為搶佔HBM4先機，也正在加緊提升1cnm DRAM的生產能力，計畫到2026年第二季度將產能提升至每月14萬片晶圓，到第四季度進一步提高到每月20萬片晶圓。據TrendForce報導，為實現這一目標，三星一方面通過現有的DRAM生產線過渡，另一方面通過平澤P4工廠的新投資來實現。不過最近也有傳聞表示，三星對於HBM4的投資偏於謹慎，可能也在考慮進一步削減投資。從整體而言，在這場產能佈局的調整中，三星展現出了果斷的決策力。通過這一系列舉措，旨在最佳化產能配置，提高生產效率，從而在激烈的市場競爭中佔據更有利的地位。正如業內知情人士透露：“三星致力於在明年取得優異的市場業績，其核心目標是實現比SK海力士更高的利潤，並在盈利能力方面實現趕超。因此，這也是三星計畫保持DRAM產量的高速增長，並計畫將大部分產能分配給利潤率較高的通用DRAM的原因所在。”SK海力士：通用DRAM需求激增，產能暴漲8倍與三星的戰略調整相呼應，SK海力士也在調整自己的產能佈局。據報導，為應對旺盛的DRAM需求，SK海力士計畫將DRAM產能投資目標翻了一番。不過不同的是，SK海力士的大部分DRAM產能的擴張仍是投資於HBM等資料中心產品的應用。SK海力士在其第三季度財報會上進一步強化了這一預期：“儘管通用DRAM的利潤率可能與HBM相近，但我們不會僅僅因為盈利能力的暫時性變化就立即調整產能結構。”可見，SK海力士擴產規劃與旨在通過擴大通用DRAM供給來提升獲利的三星電子存在差異，其更傾向於提高面向資料中心的DRAM產品需求來提升獲利，畢竟SK海力士在HBM領域的市場份額遙遙領先，並且2026年的HBM產能已銷售一空。對此，SK海力士M15X晶圓廠預計2025年底量產1b DRAM，初期月產能3.5萬片，主要用於HBM3E核心晶片生產，以鞏固其在HBM市場50%以上的份額優勢，未來預計可擴大至5.5萬-6萬片。業界估算SK海力士的HBM4利潤率約為60%。，其明年HBM銷售額約為40兆至42兆韓元。若維持與今年相同的利潤率，SK海力士僅HBM業務就將產生約25兆韓元營業利潤，較今年的17兆韓元增長近50%。不過值得注意的是，在加碼HBM產能的同時，SK海力士並未放緩通用DRAM的佈局。SK海力士的產能提升計畫重心主要集中在最先進的1c DRAM技術節點。據韓國媒體報導，SK海力士計畫明年將第六代10奈米DRAM（1c DRAM）月產能從目前約2萬片300mm晶圓提升至16萬至19萬片，增幅達8至9倍，佔其DRAM總產能的三分之一以上。據業內人士透露，SK海力士已將1c DRAM的良率提升至80%以上，該製程主要用於製造DDR5、LPDDR和GDDR7等最新通用DRAM產品。而此次擴產後的1c DRAM將主要聚焦於生產GDDR7和SOCAMM2等產品，以滿足輝達等大型科技公司的訂單需求。此前，SK海力士將產能重點放在HBM上，判斷HBM需求增長將超過通用DRAM。但隨著AI模型從學習擴展到推理領域，通用DRAM的需求增速預計將與HBM相當。在AI推理應用中，比HBM更節能、更經濟的先進通用DRAM成為主流選擇。輝達近期發佈的AI加速器Rubin CPX採用的是GDDR視訊記憶體而非HBM視訊記憶體，直接部署在處理器旁邊。輝達使用的面向AI伺服器和PC的記憶體模組標準的SOCAMM2記憶體模組同樣採用1c DRAM，與HBM相比頻寬較低但能效更高。Google、OpenAI和亞馬遜網路服務等大型科技公司也在開發整合大量通用DRAM的定製AI加速器。在此行業趨勢下，業內人士預測SK海力士將獲得一定數量的供應訂單。這一戰略調整反映出AI推理應用對成本效益更高的通用DRAM需求激增，SK海力士正將戰略重心從HBM擴展至更廣泛的AI記憶體市場。相比需要複雜堆疊工藝的HBM，1c DRAM的生產效率更高，能夠更快速響應市場需求的爆發式增長。綜合來看，在HBM和通用DRAM雙輪驅動下，業內人士預計，SK海力士明年設施投資額將輕鬆突破30兆韓元，較今年預計的25兆韓元大幅增長。市場預測該公司明年營業利潤有望超過70兆韓元，創下歷史新高。美光：多業務終止，聚焦高價值DRAM相較於韓國儲存雙雄，美光的戰略轉向顯得更加決絕。美光不僅選擇終止移動NAND產品開發、甚至不惜砍掉消費類業務品牌Crucial，計畫將這部分產能重新分配到毛利潤率更高的HBM/企業級DRAM和SSD產品上來，將未來所有產能和研發資源全力投向資料中心市場，以滿足AI領域日益增長的需求。這個看似簡單的品牌“停擺”決策，背後藏著一張利潤表的激烈博弈。據美光內部一份未公開的財務資料顯示，2025年上半年，資料中心儲存晶片的毛利率高達42%，而消費級儲存產品的毛利率僅為14%，前者的利潤是後者的3倍。對此，Crucial品牌營運負責人在內部會議上無奈表示：“我們不是放棄消費者，而是在資本的選擇裡，沒有太多餘地。”TrendForce集邦諮詢報告指出，美光目前正在新建多個工廠的產能。比如，在台灣的A5工廠，主要是擴大HBM堆疊能力，目前正計畫破土動工；美光在美國的ID1晶圓廠位於愛達荷州博伊西市美光研發中心附近，奠基儀式於2024年舉行，預計新晶圓廠將於2027年上半年開始生產晶圓；在美國的ID2晶圓廠的第二階段將在第一階段晶圓廠完工後開始建設，並比N.Y.Fab更早進入大規模生產；位於美國的N.Y.Fab目前仍處於準備階段，計畫於 2025 年底開始破土動工，預計將於2030年前進入量產階段；位於日本廣島工廠預計將於 2026 年開始建設，主要將用於HBM相關生產。值得注意的是，在愛達荷州的博伊西晶圓廠，美光把原本生產消費級儲存晶片的3條生產線，全部改成了生產HBM和資料中心用DRAM晶片的生產線。“我們跟輝達簽了一份為期3年的供貨協議，每年要給他們供應至少120萬顆HBM晶片，為了完成這個訂單，我們不得不調整產能。”美光首席執行長Sanjay Mehrotra在財報電話會議上表示。據路透社消息，在經過大規模的市場調查之後發現，今年10月，Google、亞馬遜、微軟和Meta也紛紛向美光提出了“無限期訂單”，他們告訴美光，無論價格如何，只要能交付多少，他們就會接收多少。這或許也能解釋，美光為何不惜砍掉自家的消費類品牌來增加資料中心/企業級的供給。美光科技首席商務官Sumit Sadana在接受採訪時表示，2026年DRAM記憶體供應形勢將比當前更為嚴峻。他指出，HBM產品對晶圓的消耗約為傳統DRAM的三倍，而主要廠商正將大量產能轉向HBM，疊加新建DRAM晶圓廠成本上升與周期延長，短期內難以實現大規模擴產。美光計畫於2026年小批次交付HBM4，有望提升其在該領域的市場份額，逐步接近整體DRAM市場的佔有率水平。今年6月，美光宣佈開始逐步停產DDR4，預計在未來6到9個月內出貨量將逐步下滑，直至最終徹底停產。這一動作清晰地展現出其對高端產品的傾斜與對未來趨勢的前瞻判斷。美光通過聚焦高價值儲存戰略，強化了其在高端儲存市場的優勢，也為未來發展積蓄了新的動能。不過，隨著智慧型手機、汽車等領域DRAM搭載量持續提升，美光正與客戶協商調整車用記憶體定價策略，並將適當延長DDR4記憶體生產以滿足市場需求。產能轉向背後，深層邏輯與三重驅動分析來看，儲存巨頭的產能轉向並非偶然，而是由利潤、需求和技術三重因素共同驅動的戰略調整，但其路徑選擇卻因各自市場地位與技術儲備的不同而呈現出顯著差異。利潤是最直接的驅動力： 三星的HBM3E因定價較競爭對手低約三成，且市場份額有限，營業利潤率僅為30%左右。相比之下，AI熱潮導致的供應緊張，使得基於1b奈米製程的通用DRAM（如DDR5）的預期利潤率超過60%。這一巨大的利潤差，直接驅動三星計畫將30%-40%的1a奈米HBM3E產能轉向通用DRAM；而SK海力士因其在HBM市場佔據絕對主導地位，其HBM業務利潤率高達約70%，因此其重心仍優先保障HBM，但也同時加速擴產1c DRAM，應對通用DRAM利潤率即將追平HBM的市場變化；美光則最為決絕，通過砍掉消費級品牌Crucial，將全部產能和資源重新分配給利潤率數倍於消費級產品的資料中心/HBM市場，規避低利潤陷阱。市場需求的變化同樣關鍵：在需求層面，AI應用從訓練向推理及邊緣側延伸，引發了對大容量、高性價比儲存的結構性變化。這不僅持續推高HBM需求，更催生了對GDDR7、大容量DDR5/LPDDR5X等通用DRAM的爆發性需求。例如，輝達新發佈的AI加速器也採用了基於通用DRAM的解決方案。面對Google、微軟等雲巨頭“無限期訂單”的強勁需求，巨頭們不得不重新評估產能分配。面對AI浪潮下的市場結構變革，三星聚焦AI伺服器亟需的大容量DDR5/LPDDR5X，搶抓通用DRAM短缺紅利；SK海力士兼顧AI訓練對HBM的剛需與AI推理對GDDR7等高效通用DRAM的新增需求，平衡短期訂單與長期趨勢；美光則響應輝達、Google等巨頭的“無限期訂單”，加碼資料中心儲存供給。技術與產能的適配性是戰略落地的基礎：HBM生產複雜、良率爬升慢，擠壓了通用DRAM的晶圓產能。因此，三巨頭的製程策略出現分化：三星以1b製程提升通用DRAM產能效率，同步押注更先進的1c奈米製程用於未來HBM4，以尋求技術超車；SK海力士則基於其領先優勢，選擇將更成熟、可快速擴產的1b奈米製程作為HBM3E/HBM4的產能基石，實現通用產品快速擴產，規避HBM複雜工藝的產能限制；美光通過產線改造與DDR4停產，集中資源攻克HBM4技術與高端DRAM領域，適配高端市場需求，三者均以製程升級實現產能最佳化與利潤最大化的雙重目標。同時，為快速響應市場，三星和SK海力士都在大幅擴建1c奈米通用DRAM產能，而新建工廠周期較長，普遍到2027年及以後才能達產，也迫使它們必須最佳化現有產能。儲存三巨頭，博弈與分野在這場儲存盛宴中，三星、SK海力士、美光三巨頭憑藉技術優勢、市場份額與產能規模，成為最大受益者，各自謀劃未來藍圖。三星電子、SK海力士和美光科技在DRAM領域的競爭呈現差異化特徵。三星正以規模優勢重塑其市場地位，計畫將每月1b奈米製程產能增加約8萬片晶圓。該公司計畫通過平澤Fab 4工廠的1c製程專用產線，在2026年將DRAM產能提升至每月15萬片。從市場份額來看，2025年Q1三星在全球DRAM市場的份額為34%，落後於SK海力士的36%。但三星憑藉其強大的技術實力和產能優勢，採用“通用DRAM保量、HBM4搶高端”的雙線策略，目標是在2026年實現DRAM營業利潤超越SK海力士，重新奪回全球DRAM市場份額第一的寶座。SK海力士則採取了不同策略，作為HBM市場的絕對龍頭，選擇聚焦高壁壘的HBM3E/HBM4產能擴張，短期以HBM3E保障輝達、Google等核心客戶的確定性需求，規避HBM4量產過早帶來的技術驗證風險；長期通過HBM4、HBM4E的技術迭代與產能擴張，維持市場龍頭地位並鎖定高端溢價。同時增加資料中心級DRAM供應，以1c製程擴產為核心抓手，既通過資料中心專用產品承接AI算力爆發需求，又靈活調整通用DRAM產出，把握價格上漲周期的盈利機遇，同時保障客戶供應鏈穩定。SK海力士在DRAM與HBM兩大賽道的佈局始終緊跟市場需求變化，形成核心業務穩固擴張、高端產品精準卡位的雙軌戰略。據報導，SK海力士2026年全系列儲存訂單基本已經售罄。在面對市場變化和競爭壓力時，美光的策略更加聚焦。在退出中國資料中心市場後，美光將資源集中於HBM4技術研發與DDR5產能建設，計畫在2026年將HBM產能增加四倍，並加速 1α 奈米製程的量產。同時主動縮減消費級DRAM品牌業務，將產能優先分配給蘋果、Google等高價客戶，這一舉措雖然在短期內可能會影響美光在消費市場的份額，但從長期來看，有助於美光提升整體利潤率。在技術研發上美光也不遺餘力，不斷提升HBM和DDR5的性能指標，以滿足高端市場對儲存性能的嚴格要求。儲存漲價潮持續，重塑產業鏈儲存巨頭的產能轉向正在對整個行業產生深遠影響。對消費電子市場的影響首當其衝。有業內人士表示，記憶體價格已經飆升到“幾乎負擔不起”的程度。這種局面大機率會貫穿整個2026年，可能要到2027年下半年才有所緩解。在供應鏈層面，儲存模組廠成為受影響最直接的一環，產品隨行就市，上游漲價，下游傳導。許多頭部模組廠已經決定暫停出貨並重新評估報價。能夠感受到，產業鏈重塑正在悄然發生。尤其是在AI浪潮帶來的超級周期下，儲存市場正從消費驅動向技術驅動轉型。隨著大模型訓練和推理對記憶體容量需求的激增，HBM和DDR5記憶體的緊缺可能進一步傳導至整個儲存產業鏈。市場預計這一供需失衡局面將持續到2027年，當新的產線陸續投入營運，儲存行業的格局也將隨之改變。不過，隨著輝達將AI晶片更新周期縮短至一年，儲存行業的這場技術軍備競賽，遠未到停歇之時。(半導體行業觀察)