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從CoWoS到CoPoS:先進封裝技術的物理極限挑戰與玻璃基板革命
5月27-29日,無錫國際會議中心,“重構玻璃基板技術路線”iTGV2026國際玻璃通孔技術創新與應用論壇盛大啟動。作為提前場免費論壇——CoPoS技術峰會在5月27日為您呈現玻璃基板與面板級封裝的可落地的融合方案。 從CoWoS到CoPoS:先進封裝技術的物理極限挑戰與玻璃基板革命 在半導體產業的漫長征途上,封裝技術從來不是配角,而是決定AI、HPC與下一代運算效能的關鍵戰場。TSMC的CoWoS(Chip on Wafer on Substrate)技術,曾以矽中介層(Silicon Interposer)實現高密度2.5D異質整合,成功支撐NVIDIA H100、H200乃至Blackwell系列GPU的爆發式成長,讓數千億電晶體在單一封裝內高速互聯。然而,隨著AI晶片規模持續擴大,圓形晶圓的reticle尺寸限制(目前約3.3X至9.5X)已成為物理瓶頸。CoPoS(Chip on Panel on Substrate)應運而生,它將圓形矽中介層轉換為方形玻璃面板(Panel),尺寸可達310×310mm甚至更大,實現更高產能、更低成本與更高密度的3D IC整合。 這一轉變看似順理成章,卻在材料與製程層面遭遇兩大致命挑戰:材料熱脹冷縮導致的“翹曲”(Warpage)與膠體固化縮水造成的“晶片偏移”(Die Shift)。本文將深入剖析這兩大問題的成因、影響,以及產業如何通過玻璃核心基板、TGV(Through Glass Via)塞滿銅導通技術、Buffer Layer緩衝層與Nikon數位投影曝光機等創新解法,完成從CoWoS到CoPoS的華麗轉身。這些突破不僅是工程細節的堆疊,更是人類對物理極限的頑強徵服。