2026年初，日本光學巨頭佳能正式宣佈將於年內推出全新一代KrF光刻機，標誌著這家沉寂多年的光刻裝置廠商重新殺回主戰場。據《日經亞洲評論》披露，這款代號為FPA-6400KRF的新裝置每小時可處理超過400片晶圓，較其上一代產品效率提升近30%。更引人注目的是，這將是佳能自2012年以來首次對用於成熟製程的光刻機進行重大技術升級。而其背後的戰略意圖已昭然若揭：在ASML牢牢掌控先進製程、中國加速國產替代的雙重壓力下，佳能試圖以“效率+成本”組合拳，在28nm及以上成熟晶片製造領域對中國企業展開新一輪市場圍剿。全球光刻格局：三分天下，但利潤天平嚴重傾斜根據中商產業研究院最新統計，全球光刻機市場呈現“ASML一家獨大、佳能尼康分食殘羹”的局面。ASML以62%的市場份額穩居龍頭，其中雖僅佔銷量7.2%的EUV光刻機卻貢獻了超七成利潤；佳能以31%的份額位居第二，主要依靠i線（365nm）與KrF（248nm）裝置；尼康則以7%的份額艱難維持，產品多流向日本本土或特定合資產線。值得注意的是，在所有售出的光刻機中，KrF裝置佔比最高，達40%以上，i線裝置緊隨其後。這意味著，儘管先進製程是行業焦點，但真正支撐全球半導體產能基底的，仍是這些“看似老舊”的成熟製程裝置——而這正是佳能此次重兵投入的戰場。佳能的困局與突圍：押注奈米壓印，卻錯失ArF時代過去十年，佳能選擇了一條與眾不同的技術路徑：全力押注奈米壓印光刻（NIL）技術，試圖繞開傳統光學光刻的物理極限。這一策略使其在3D NAND等儲存晶片製造中佔據一席之地，但也導致其徹底缺席193nm ArF乾式及浸沒式光刻機的研發競賽。當ASML憑藉ArF浸沒式技術攻下45nm至7nm邏輯晶片市場，尼康雖步履蹣跚卻仍保有ArF產品線時，佳能的傳統光刻機技術卻長期停滯。其主力KrF機型FPA-6300ES6a雖套刻精度可達5nm，但解析度僅支援90nm節點；而i線裝置FPA-5550iZ2的350nm解析度更是難以滿足當前功率半導體與模擬晶片日益提升的整合需求。中國光刻機突進：打破“低端鎖定”，直擊佳能腹地轉機出現在2024年9月。中國工信部高調發佈兩款自主光刻機技術指標：一款為248nm KrF光刻機，另一款為193nm乾式ArF光刻機，後者硬體性能對標ASML 2015年推出的XT:1460K機型。儘管與ASML當前最先進的Twinscan NXT系列仍有代差，但對主打成熟製程的佳能而言，這無異於“降維打擊”。業內分析指出，中國新KrF光刻機在解析度上已優於佳能現役裝置，雖在套刻精度上略遜一籌，但在電源管理晶片、車規級MCU、CIS圖像感測器等主流成熟應用中，綜合性能已具備替代能力。更關鍵的是，國產裝置享有本地化服務、供應鏈安全與政策扶持三大優勢，正快速滲透中芯國際、華虹、長電科技等頭部客戶產線。佳能的反擊：效率升級只是開始，AfF乾式機才是殺招面對中國光刻機的強勢崛起，佳能顯然不願坐視傳統裝置市場被蠶食。除2026年即將上市的高吞吐KrF機外，公司已預告將推出新一代“AfF乾式光刻機”——雖未公佈具體參數，但名稱暗示其可能基於改進型ArF光源，瞄準110nm至65nm區間，意圖填補KrF與ArF之間的性能空白。此舉既是技術補課，更是商業防禦。佳能深知，在EUV和High-NA EUV被ASML壟斷、中國又無法獲得的情況下，未來五年全球新增晶圓產能中超過60%仍將集中在28nm及以上成熟節點。誰掌控了成熟製程裝置的性價比與交付能力，誰就握住了半導體產業的“基本盤”。成熟製程成新戰場，光刻機戰場硝煙再起ASML高踞雲端，專注尖端；尼康固守本土，勉力維穩；而佳能，則選擇在成熟製程的紅海中背水一戰。但這一次，它的對手不再是昔日的尼康或SVG，而是正在從“能用”邁向“好用”的中國光刻力量。14年沉寂之後，佳能亮出新劍，但能否斬斷中國半導體自主化的上升勢頭？答案或許不在東京，而在上海、北京與合肥的潔淨廠房之中——那裡，國產光刻機正以每月數百小時的實測資料，悄然改寫全球裝置競爭的底層邏輯。 (晶片研究室)