隨著英特爾、三星、台積電以及日本即將落成的先進晶圓代工廠 Rapidus儘管各家公司都各自準備將越來越多的電晶體塞進每平方毫米的矽片中，但它們有一個共同點，那就是它們所依賴的極紫外 (EUV) 光刻技術極其複雜、極其昂貴，而且操作成本極高。主要原因是，該系統的 13.5 納米光的來源是使用地球上最強大的商用雷射器噴射飛散的熔融錫滴的精確且昂貴的過程。 但一種非常規替代方案正在醞釀之中。日本築波高能加速器研究組織（KEK）的一組研究人員認為，如果利用粒子加速器的能量，EUV 光刻技術可能會更便宜、更快速、更高效。 甚至在晶圓廠安裝首批 EUV 機器之前，研究人員就看到了使用粒子加速器產生的強大光源（ 自由電子雷射 (FEL:free-electron laser)）進行 EUV 光刻的可能性。然而，KEK 的科學家表示，並不是任何粒子加速器都可以做到這一點。他們聲稱，EUV 光刻的最佳候選方案是採用粒子加速器版本的再生制動（原文：They claim the best candidate for EUV lithography incorporates the particle-accelerator version of regenerative braking）。它被稱為能量回收線性加速器（energy recovery linear accelerator），可以使自由電子雷射經濟地產生數十千瓦的 EUV 功率。這足以同時驅動不止一台而是多台下一代光刻機，從而降低先進晶片製造的成本。 KEK 先進光源研究員 Norio Nakamura在參觀該設施時告訴我：“FEL 光束的極高功率、較窄的光譜寬度以及其他特性使其非常適合用於未來的光刻技術。”