長江儲存突破美國封鎖，晶片中國國產化成功！

據彭博社援引行業權威分析機構TechInsights的最新報導，面對美國嚴苛的出口限制及實體清單的嚴峻挑戰，中國儲存晶片巨頭長江儲存展現出了非凡的韌性與創新能力。公司成功實現了關鍵生產裝置的國產替代，利用本土技術資源製造出了高性能的3D NAND快閃記憶體晶片，標誌著中國在高端儲存晶片領域邁出了堅實的一步。

長江儲存的這一壯舉不僅打破了國外技術封鎖的桎梏，更以自研的Xtacking架構引領行業潮流。該架構能夠實現高達232層的3D NAND堆疊，與國際頂尖製造商如美光、三星、SK海力士等相媲美，展現出強大的技術競爭力和市場潛力。

儘管在國產化初期，長江儲存面臨著裝置適應性和工藝良率等挑戰，導致最新批次的3D NAND晶片堆疊層數相比早期版本有所減少。但公司迅速作出回應，強調層數的變化與裝置產量無直接關聯，並承諾將持續最佳化製造工藝、提升裝置性能和流程管理，以逐步恢復並提升堆疊層數，確保產品性能達到國際領先水平。

長江儲存的快速發展和國產化處理程序，離不開其深厚的研發實力和前瞻性的戰略佈局。自2016年成立以來，公司始終秉承創新驅動發展的理念，不斷推動晶片設計、生產製造、封裝測試及系統解決方案的自主創新。通過自主研發與國際合作的有機結合，長江儲存已成功推出了多款具有自主智慧財產權的3D NAND快閃記憶體產品，廣泛應用於移動通訊、消費數位、電腦、伺服器及資料中心等多個領域。

• 2017年10月，長江儲存通過自主研發和國際合作相結合的方式，成功設計製造了中國首款3D NAND快閃記憶體；
• 2019年9月，搭載長江儲存自主創新Xtacking® 架構的第二代TLC 3D NAND快閃記憶體正式量產；
• 2020年4月，長江儲存宣佈第三代TLC/QLC兩款產品研發成功，其中X2-6070型號作為首款第三代QLC快閃記憶體，擁有發佈之時業界最高的I/O速度，最高的儲存密度和最高的單顆容量；
• 2022年10月，美國限制先進半導體裝置對華出口，隨後將中國3D NAND Flash製造商長江儲存列入實體清單。

尤為值得一提的是，在遭遇美國製裁的兩年間，長江儲存非但沒有被擊垮，反而以更加堅定的步伐邁向了國產化替代的道路。公司積極尋求與國內半導體裝置供應商的合作，共同攻克技術難關，實現了生產裝置的全面國產化。這一壯舉不僅為中國儲存晶片產業樹立了新的標竿，也為全球半導體產業格局的演變帶來了深遠的影響。

外媒紛紛對長江儲存的成就表示高度讚賞和關注。他們認為，長江儲存的成功實踐證明了美方晶片限制政策的失效與徒勞，反而激發了中國在半導體領域的自主創新和國產替代熱情。隨著全球半導體產業的不斷髮展和技術競爭的日益激烈，長江儲存等中國企業的崛起將為全球儲存晶片市場注入新的活力和動力。 (半導體研究院)