#長江儲存
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《研報》長鑫記憶體、長江儲存、兆易創新、瀾起科技、江波龍深度商業解讀：從DRAM、NAND到主控與SSD，讀懂中國儲存產業鏈價值分工

研究對象：長鑫儲存（DRAM IDM）、長江儲存（3D NAND IDM）、兆易創新（NOR+SPI NAND Fabless）、瀾起科技（記憶體介面晶片Fabless）、江波龍（儲存模組/SSD系統整合） 核心命題：五家企業並非同業競爭，而是儲存產業鏈上五個完全不同的價值節點。長鑫與長江是底層晶圓顆粒製造（IDM）；兆易是小容量非易失儲存晶片設計；瀾起是伺服器記憶體互連配套晶片；江波龍是把顆粒、主控、PCB組裝成記憶體條、SSD、嵌入式儲存模組的系統整合商。 底層邏輯：儲存產業鏈的價值分配，遵循「裝置材料>晶圓製造IDM>專用晶片設計>模組整合」。儲存週期波動傳導順序：上游裝置材料→儲存原廠顆粒→模組廠商。國產儲存的突圍不是單點突破，而是顆粒、配套晶片、主控、模組、韌體、測試全鏈條協同。 第一卷 緒論：大眾最容易混淆的概念——DRAM、NAND、NOR、記憶體介面晶片、SSD模組
A股#長鑫儲存#長江儲存#兆易創新
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長江記憶體這下要爆了！

9月23日，儲存行業傳來重磅司法進展，長江儲存與美光的全球專利戰迎來關鍵轉折。 德國慕尼黑法院完成案件裁決，認定美光侵犯長江儲存兩項實用新型專利。 法院正式頒布銷售禁令，限制美光在德國市場售賣相關侵權儲存產品。 本次判決是2023年11月雙方專利爭端全面爆發後，長存斬獲的首個實質性海外禁令。
長江記憶體這下要爆了！
科技#專利戰#長江儲存#美光
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長鑫記憶體、長江記憶體、兆易創新、瀾起科技、江波龍到底有什麼區別？從DRAM、NAND到主控和SSD，看懂中國記憶體產業鏈真正的價值分工

上一篇文章我們聊HBM時提到：未來記憶體行業競爭，不會只是“誰能製造DRAM”。 而會變成：記憶體製造能力、先進封裝能力、高速介面能力以及系統解決方案能力的綜合競爭。 這也帶來一個問題：中國記憶體產業裡面，到底誰真正受益？ 很多時候，市場會把：長鑫記憶體、長江記憶體、兆易創新、瀾起科技、江波龍、佰維記憶體放在一起討論。
科技#半導體#長鑫儲存#長江儲存
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路透報導長鑫記憶體擬在北京建NAND研發線：AI儲存短缺窗口裡，長江儲存已送樣DRAM，雙雄互攻核心市場

2026年9月18日，路透社報導了一條消息。 長鑫記憶體計畫在北京新廠，建一條NAND Flash研發產線。 它還在北京設立研究院，項目包括NAND開發。 三名知情人士對路透社透露了這些資訊。
路透報導長鑫記憶體擬在北京建NAND研發線：AI儲存短缺窗口裡，長江儲存已送樣DRAM，雙雄互攻核心市場
科技#長鑫科技#長江儲存#NAND
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大摩：中國半導體裝置強勁增長將持續2028年，看好中微、北方華創和盛美！

我們預計，中國半導體裝置市場規模在2027年和2028年均將以23%的年增速增長。持續的記憶體器投資以及本土化處理程序加速，將支援中國本土半導體裝置供應商繼續提升市場份額。 中國半導體裝置增長將持續強勁至2027-28年。大摩預計中國半導體裝置支出在2026/27/28年分別為456億美元/558億美元/686億美元，對應同比增長9%/23%/23%；中國佔全球WFE的比例分別為28%/25%/27%。增長越來越由記憶體器驅動，因為國內DRAM和NAND製造商正在擴充產能並推動關鍵工藝環節國產化。進入2028年，先進製程邏輯晶片擴產可能帶來另一增長動力，使WFE機會從記憶體器進一步擴展。 記憶體器擴產仍在持續，但時間安排更加靈活。 長江記憶體：我們預測其在 2027 年和 2028 年都將新增 10 萬片/月 (kwpm) 的產能。其 IPO 申請檔案支援了其持續的 WFE 投資強度：在其計畫募集的 330 億元人民幣中，有 208 億元已被指定用於大規模生產線的技術升級。
大摩：中國半導體裝置強勁增長將持續2028年，看好中微、北方華創和盛美！
A股#長鑫儲存#長江儲存#MATCH法案
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長江記憶體加速擴產！

長江記憶體（YMTC）已開始在武漢第三座晶圓廠（Fab 3）進行生產裝置的全面接入。隨著晶圓廠進入投產前的最後準備階段，其年內啟動初期營運已漸行漸近。 據報導，“武漢長江記憶體FAB3二次配管A區B包工藝裝置配管總承包項目”中的“氣體段3”已啟動，而二次配管（Secondary Piping）是指將已經鋪設到晶圓廠內部的氣體、水等公用工程供應網路，進一步連接到具體生產裝置。氣體管路則負責向刻蝕、沉積等半導體製造工序所使用的裝置輸送特種氣體。 業內將這一工程視為YMTC正在進一步推進已安裝生產裝置的啟用工作。 Fab 3預計年底開始初期營運
長江記憶體加速擴產！
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中國國產記憶體加速出海！

據DigiTimes報導，國記憶體儲巨頭長江記憶體（YMTC）和長鑫記憶體（CXMT）正尋求提高其記憶體器產品出口至中國以外市場的比例。 作為這一戰略的一部分，據報導，長江記憶體正在向獨立的第三方模組廠商銷售NAND，再由這些廠商將晶片組裝成企業級SSD，最終供應國外新興雲服務商等客戶，以在一定程度上規避產品原產地所帶來的敏感問題。 長江記憶體武漢三期晶圓廠原計畫於2027年第二季度開始量產，但目前預計投產時間將提前至2026 年第四季度。該晶圓廠總規劃產能為每月10萬片晶圓，初期預計以每月約5 萬片的產能運行。 值得注意的是，長江記憶體計畫將該晶圓廠約20%的產能用於LPDDR試產，這將成為長江記憶體首個DRAM製造基地。
中國國產記憶體加速出海！
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330億，長江記憶體背後有高人

65歲半導體老兵陳南翔，終於等來這個歷史性時刻。 8月21日，長江記憶體科創板IPO申請獲受理，離上市再進一步。若順利，330億元的擬募資額將使它成為科創板史上最大IPO。 IPO閃電獲受理同時，長江記憶體也交出了一張相當驚豔的成績單：今年一個季度，它就淨賺了334億元，相當於每個工作日淨利5個億。 長江記憶體走向資本市場的過程中，其董事長陳南翔的角色不容忽視。2021年，他臨危受命出任長江記憶體董事長，此後數年，長江記憶體接連遭遇美國制裁、核心裝置斷供、產業下行等重創，但長江記憶體不僅沒有在技術上停滯，而且還抓住AI浪潮的利多，打了一波漂亮的翻身仗。
330億，長江記憶體背後有高人
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