當美國在2022年聯合日本、荷蘭實施尖端半導體裝置出口管制時，多數外國研究人員普遍認為中國高端儲存晶片產業將遭遇沉重打擊。然而三年後的今天，長江儲存為代表的國內企業不僅沒有倒下，反而在自主化的道路上走出了令人驚訝的速度——從被迫“自力更生”到建成首條全本土裝置產線，中國儲存晶片的逆境突圍揭示了一個被忽視的真相：技術封鎖往往催生出意想不到的產業韌性。2022年的裝置禁令像一道突如其來的閘門，切斷了中國儲存晶片企業獲取先進製造工具的管道。長江儲存作為國內領先者，彼時剛推出領先全球的232層3D NAND晶片，卻在擴產關鍵時刻遭遇美系裝置斷供。二期工廠產能從預期10萬片驟降至4萬多片，市場份額在2025年二季度一度跌破5%——這是制裁立竿見影的“陣痛期”。然而，困境往往孕育著轉折。企業被迫做出的戰略調整，反而加速了原本可能需要十年才能完成的供應鏈本土化處理程序。當應用材料、科磊等美國供應商退出後，長江儲存迅速轉向國內夥伴。北方華創的刻蝕裝置、中微半導體的薄膜沉積、上海微電子的光刻技術開始進入主流產線。這種“被迫聯姻”在短期內雖面臨工藝適配挑戰，卻為本土裝置商提供了寶貴的迭代機會。2023年荷蘭深紫外光刻機也被列入禁售名單後，長江儲存牽頭組建的中國國產裝置聯盟顯示出更強的戰略意義。這個覆蓋離子注入、化學機械拋光等關鍵環節的協作網路，不僅解決裝置“有無”問題，更通過聯合研發推動技術升級。2024年上半年，試驗線中國國產化率突破92%，北方華創單家企業就獲得超50億元訂單。值得注意的是，這種合作並非簡單的裝置採購，而是深度工藝協同。針對3D NAND高深寬比刻蝕的精度要求，裝置商與製造企業共同開展數百次聯合測試，最終形成自主工藝規範。2025年提交國際委員會審議的3D NAND中國國產整合標準，標誌著中國正從被動適配轉向主動參與規則制定。中國國產化率的提升並非以犧牲技術先進性為代價。長江儲存採用Xtacking 4.0架構，通過雙層堆疊實現294層等效密度，對裝置精度提出更高要求。本土裝置經過兩年密集迭代，已能支撐複雜工藝需求。2026年計畫推出的X5系列晶片將完全基於中國國產裝置開發，這既是技術驗證，也是市場宣言。更值得關注的是，2025年開始建設的第三工廠已規劃DRAM產線，顯示出從單一產品向全儲存品類拓展的雄心。2024年底，長江儲存全球市場份額回升至8%，看似不起眼的數字背後是結構性變化：其訂單拉動國內裝置市場規模將在2026年突破250億美元，北方華創等供應商的技術升級速度比預期快30%以上。這種“製造商—裝置商”協同創新模式，正在複製韓國半導體崛起期的產業聯動經驗。美國製裁的本意是延緩中國技術進步，卻客觀上催生了更完整的本土生態。當長江儲存2025年下半年試產全本土裝置產線時，一個悖論顯現。裝置禁運反而減少了中國企業對海外技術的路徑依賴。儘管在產量一致性和成本控制上仍面臨挑戰，但自主供應鏈的“學習曲線”正快速縮短。長江儲存2025年底起訴老美，不僅是法律抗爭，更是技術自信的體現。即便訴訟結果難料，這一姿態已向全球市場表明，中國企業不會被動接受技術隔離。從更宏觀視角看，AI與資料中心爆發的儲存需求，正創造新的市場窗口。中國本土產能若能在2026年實現15%市場份額目標，全球NAND供應格局將迎來深刻調整。 (W侃科技)

最近3個月記憶體及快閃記憶體兩種儲存晶片價格大漲，而且漲勢之猛是30多年來最強的。這一次尤其關鍵的一個轉變就是，國內公司沒有缺席，長江、長鑫兩家公司的記憶體及快閃記憶體已經不可小覷。日前有消息稱長江儲存發佈了通知，宣佈快閃記憶體晶圓漲價40%，模組產品漲價100%，不過這個消息並沒有得到完全證實。供應鏈人士表示12月的快閃記憶體晶圓成交價比11月提升了10%多一點，SSD成品漲幅在15-20%。供應鏈表示，該公司今年已經多次調整價格，部分規格的產品價格已經不輸三星等原廠，暗示策略已經轉向控量穩價，不再是追求低價搶市場。報導還提到了兩家國產儲存廠商產能，長江儲存的快閃記憶體產能達到了16萬片/月，長鑫的記憶體產能更是高達28萬片晶圓/月，2026年還會進一步提升到30萬片/月。隨著產能及價格策略的變化，這兩家公司的儲存晶片已經不是以往的備胎，電腦廠商也會開始採購他們的晶片，進行測試驗證。其中華碩、宏碁已經進入評估階段，希望借此提高供應鏈彈性，分散風險。在技術上，長江儲存已經發佈了300層堆疊的快閃記憶體產品，長鑫11月底也發佈了8000MHz的DDR5產品，LPDDR5也達到了10677MHz。這些都是當前的頂級產品，被認為與三星等廠商的技術差距不到1年時間了。國產記憶體及快閃記憶體晶片目前主要的問題還是裝置受限，導致產能及良率面臨挑戰，但是在一步步解決自主供應鏈之後，很快不再受美國禁令影響。到時候會真正有機會重塑市場格局，兩三年內超越三星不太可能，但坐三望二是有機會的。說到三星，日前有消息稱AMD最快明年1月份跟三星簽訂合作協議，將使用後者的2nm工藝SF2P生產新一代晶片，這有望給三星帶來數十億美元的訂單。與此同時，Intel也在跟三星談晶片代工合作，不過他們已經有自己的18A工藝了，不需要三星2nm代工，這次談的反而是已經很成熟的5nm及8nm工藝，尤其是後者，Intel決定將PCH晶片組訂單給三星8nm來做。這個晶片組主要用於新一代處理器，也就是26年底的Nova Lake處理器，目前已經準備進入量產階段。Intel當前的PCH晶片組使用的是三星14nm工藝，是在三星美國工廠生產的，但8nm PCH晶片要轉回韓國的華城工廠生產，這裡的產能畢竟穩定，可以月產3-4萬晶圓，這也是Intel選擇三星韓國工廠生產的關鍵原因。對Intel來說，他們自己將專注於先進工藝的研發生產，PCH晶片組這樣的簡單產品外包給代工廠更有助於降低成本，三星的8nm也是比較成熟穩定的工藝了，之前NVIDIA的RTX 30系列GPU就是這個工藝生產的。從14nm升級到8nm之後，預計Nova Lake的晶片組面積會更小，發熱也會更低，這對PC玩家來說也是好事，不然高負載下工作時主機板的散熱也不讓人放心。(硬體世界)

中國領先的儲存晶片製造企業長江儲存（YMTC）正通過加強自主研發、推動產業鏈協同等方式，積極應對當前面臨的技術發展挑戰。作為國記憶體儲晶片產業的重要力量，該企業的創新發展路徑備受業界關注。在當前的國際產業環境下，長江儲存持續聚焦3D NAND快閃記憶體技術的創新研發。據悉，企業已成功實現232層3D NAND快閃記憶體晶片的量產，這一技術突破標誌著中國在高端儲存晶片領域取得重要進展。儘管面臨裝置更新和技術迭代的挑戰，但企業通過最佳化現有產線、提升工藝水平，保持了基本產能的穩定。行業分析顯示，儲存晶片作為數字經濟的核心基礎設施，其技術自主可控至關重要。長江儲存通過加強與國內裝置、材料供應商的合作，推動產業鏈上下游協同創新，在關鍵工藝環節取得系列突破。這種以企業為主體、市場為導向的創新體系，正逐步顯現成效。值得注意的是，中國龐大的內需市場為儲存晶片產業發展提供了有力支撐。隨著5G、人工智慧、物聯網等新技術的快速普及，對高性能儲存晶片的需求持續增長。這一市場優勢為企業技術迭代和產品升級創造了有利條件。在技術研發方面，長江儲存持續加大投入，聚焦下一代儲存架構的創新。業界專家指出，儲存晶片技術發展呈現多元化趨勢，除了堆疊層數的競爭外，新材料、新結構的探索同樣重要。中國企業在這些新興技術路線上的佈局，可能帶來換道超車的機會。當前，全球儲存晶片市場格局正在重塑。中國企業的穩步發展，為全球產業鏈供應鏈帶來了新的可能性。通過持續的技術創新和產業協同，長江儲存正朝著建構自主可控的儲存晶片產業體系穩步邁進。這一處理程序不僅關乎企業自身發展，更對中國數字經濟的安全穩定具有重要意義。展望未來，隨著中國半導體產業整體水平的提升，以及創新環境的持續最佳化，儲存晶片領域有望實現更多技術突破，為全球半導體產業發展注入新的活力。 (晶片行業)

先進封裝技術存在於成本和吞吐量與性能和密度的連續統一體中。在本系列的第一部分中，我們討論了先進封裝技術的必要性。儘管對先進封裝技術的需求顯而易見，但英特爾（EMIB、Foveros、Foveros Omni、Foveros Direct）、台積電（InFO-OS、InFO-LSI、InFO-SOW、InFO-SoIS、CoWoS-S、CoWoS-R、CoWoS-L、SoIC）、三星（FOSiP、X-Cube、I-Cube、HBM、DDR/LPDDR DRAM、CIS）、ASE（FoCoS、FOEB）、索尼（CIS）、美光科技（HBM）、SK海力士（HBM）和長江儲存科技（XStacking）等公司都推出了眾多先進封裝類型和品牌。這些封裝類型被AMD、Nvidia等我們喜愛的公司廣泛使用。在第二部分中，我們將詳細介紹所有這些封裝類型及其用途。在深度剖析的第三部分中，我們分析了TCB市場，包括英特爾的角色、HBM、ASM Pacific、Besi和Kulicke and Soffa。 倒裝晶片是引線鍵合後常見的封裝形式之一。它由代工廠、整合設計製造商以及外包組裝和測試公司等眾多公司提供。在倒裝晶片中，印刷電路板（PCB）、基板或其他晶圓上設有焊盤。然後，將晶片精準放置在其上，使凸塊與焊盤接觸。晶片被送入回流焊爐，加熱元件並使凸塊回流，從而將兩者粘合在一起。助焊劑被清除，並在兩者之間沉積底層填料。這只是一個基本工藝流程，因為倒裝晶片有許多不同的類型，包括但不限於無助焊劑倒裝晶片。 儘管倒裝晶片技術極為普遍，但間距小於100微米的先進版本卻相對較少見。根據我們在第一部分所界定的先進封裝定義，僅有台積電（TSMC）、三星（Samsung）、英特爾（Intel）、安靠（Amkor）和日月光半導體（ASE）等少數企業，大規模採用倒裝晶片技術來進行邏輯先進封裝。其中三家公司還負責製造完整的矽片，而另外兩家公司則負責外包組裝和測試（OSAT）。 這就是各種不同類型的倒裝晶片封裝開始出現的地方。我們將以台積電（TSMC）為例，然後進行擴展，並將其他公司的封裝解決方案與台積電的進行比較。台積電所有封裝選項之間的最大差異與基板材料、尺寸、重分佈層（RDL）和堆疊有關。

在NAND向400層以上邁進攻堅之際，三星做出了新的選擇。 韓媒報導，三星已確認從V10（第10代）開始，將使用中國NAND製造商YMTC的專利技術，特別是在新的先進封裝技術「混合鍵合」方面。 YMTC是最早將混合鍵結應用於3D NAND的企業，因此在相關技術上擁有強大的專利累積。三星電子選擇透過與YMTC達成協議，而不是冒險規避專利，來化解未來可能出現的風險。 根據ZDNet Korea的報導，三星電子最近與YMTC簽署了3D NAND混合鍵結專利的授權協議。

在全球半導體晶片市場，記憶體晶片是一個非常特殊的存在，用量大，是僅次於處理器晶片的第二大品類；但一直被三星、SK海力士、美光以及西部資料等少數國際巨頭所壟斷，中國市場也不例外。 如根據中國海關資料，2024年度中國海關的晶片（積體電路）進口金額27499億元，與去年相比，增長了11.8% 。其中最大類別的是“處理器及控製器”，金額為13719億元；其次就是進口“儲存器”7000億左右，佔據全部進口額的四分之一左右。 但隨著近期國產記憶體晶片技術的持續突破，以及國產儲存廠商的崛起，國產記憶體晶片也迎來了全面反攻的時代。 根據TechInsights最新消息，國產快閃記憶體巨頭長江存儲已開始出貨其第五代3D NAND記憶體晶片，該晶片共有294層，有232個有效層。

今年的雙十一剛過去不久，波瀾不驚！但對於中國國產儲存晶片廠商——長江儲存是值得紀念的。 根據京東平台資料，長江儲存旗下致態品牌首次獲得京東SSD品類雙十一大促交易總額（GMV）及銷量雙料第一，致態京東交易總額同比增長43%，總銷量同比增長16%。這也是國記憶體儲品牌首次超越三星獲得冠軍，成為SSD市場「領跑者」。 那此次逆轉是國產儲存晶片廠商的“曇花一現”，還是扭轉乾坤呢？ 一、長江儲存市場份額不到5%

據彭博社援引行業權威分析機構TechInsights的最新報導，面對美國嚴苛的出口限制及實體清單的嚴峻挑戰，中國儲存晶片巨頭長江儲存展現出了非凡的韌性與創新能力。公司成功實現了關鍵生產裝置的國產替代，利用本土技術資源製造出了高性能的3D NAND快閃記憶體晶片，標誌著中國在高端儲存晶片領域邁出了堅實的一步。 （相關報導截圖） 長江儲存的這一壯舉不僅打破了國外技術封鎖的桎梏，更以自研的Xtacking架構引領行業潮流。該架構能夠實現高達232層的3D NAND堆疊，與國際頂尖製造商如美光、三星、SK海力士等相媲美，展現出強大的技術競爭力和市場潛力。 儘管在國產化初期，長江儲存面臨著裝置適應性和工藝良率等挑戰，導致最新批次的3D NAND晶片堆疊層數相比早期版本有所減少。但公司迅速作出回應，強調層數的變化與裝置產量無直接關聯，並承諾將持續最佳化製造工藝、提升裝置性能和流程管理，以逐步恢復並提升堆疊層數，確保產品性能達到國際領先水平。