中芯國際創始人之一王陽元、北方華創董事長趙晉榮、長江儲存董事長陳南翔、華大九天董事長劉偉平、清華大學教授魏少軍等聯合撰寫的《建構自主可控的積體電路產業體系》，日前在中國科協的學術會刊《科技導報》網站發佈。上述作者中，陳南翔還是中國半導體行業協會理事長，趙晉榮、劉偉平、魏少軍是副理事長。據該文介紹，2024年8月，中國電子行業以11.54兆元的總市值首次超越銀行業，成為A股市場第一大行業。2024年，國內積體電路設計企業有3626家，其產品以通訊和消費類的中低端晶片為主，全行業產值為6460.4億元（約909.9億美元），即中國所有的晶片設計公司的銷售總額不及美國晶片一家設計公司輝達的銷售額（1243.77億美元）。在投資方面，國家大基金一期1387億元、二期2041.5億元、三期3440億元，3期大基金合計約967.4億美元。但2024年英特爾、三星和台積電3家1年的資本支出合計就達到857.8億美元。三星電子1年約360億美元的資本支出，接近組建一支航母戰鬥群的費用。該文的核心結論為：1、在國家安全領域，中國已經能夠實現100%自主製造、具有自主智慧財產權的晶片，築牢了國家安全的底線；2、28nm以上的成熟工藝的中低端晶片佔世界市場的80%，中國在該領域的晶片產能佔世界市場的33%，且晶片的設計與製造均不受制約；3、在攀登積體電路產業頂峰的征途中，中國已經登上了進入世界前10的“第一台階”，並在這個台階上建立了繼續攀登的“大本營”。文章指出，美國遏制中國積體電路產業發展主要是利用EDA、裝置和材料3張牌。“十五五”期間應首先解決EDA、極紫外光刻（EUV）和矽片這3個關鍵問題。“舉國之力”不應是口號，而應該是“十五五”期間必須由國家層面建立的整合機制，從而鍛造出真正可以與強手對壘的“頭部企業”。以光刻機為例，ASML的EUV有10萬個零部件，零部件供應商有5000家，ASML不過是集大成者。據報導，中國EUV的雷射光源、移動平台和光學系統均在不同單位取得突破性進展，如何以舉國之力將其整合，是“十五五”期間必須解決的問題。如何創立中國的ASML，讓“被整合者”跳出“名利”的藩籬，統一調度資金和人力資源，是有關部門應立即制定實施方案的緊急課題。同樣，EDA和矽片也必須由國家層面統籌引導，在企業合作中創造出嶄新的共贏機制。在“十五五”規劃的思考和建議部分，文章建議，在發展目標上：1、 按WSTS的統計標準，中國積體電路產業躋身積體電路產業強國前3名的行列；2、國民經濟領域需求的晶片自給率提高到80%，加強積體電路全產業生態鏈的建設，國內能夠滿足市場需求的、小於1美元的中低檔產品逐步減少進口或停止進口（用於整機產品加工復出口產品除外）；3、夯實自主可控的28nm全產業鏈體系，14 nm生產鏈能夠穩定生產，初步完成全國產化的7nm生產線建設及試運行；4、建設最先進工藝能力的公共平台來研發驗證最新器件結構、工藝（邏輯、儲存、光電、異構整合等）、裝備、零部件、材料、EDA軟體等，成熟的新結構器件迅速擴大產能；5、在基礎研究領域，原始創新能更多地湧現，在新器件結構、新材料、新工藝研發和生產的某些領域引領世界發展潮流。在實施的舉措方面，文章建議研究制定有利於企業整合、併購的政策，集中各種資源建立與世界產業巨頭比肩的頭部企業，將“各自為戰”變為“團隊作戰”。以舉國之力攻克最重要的材料（矽圓片、電子氣體）、裝置（曝光機）難關，努力提高國產EDA軟體的系統整合水平，擴大其在國內外市場的佔有率。文章最後認為：“今後5年，中國的晶片產業將會是“臥薪嘗膽”的5年；是丟掉幻想、準備鬥爭的5年；是紮穩中端腳跟、夯實內循環市場的5年；是尊重科學規律、潛心基礎研究“磨一劍”的5年。既然核心技術買不來、要不來、討不來，那就只能“幹出來”。”                               那麼，你覺得創立“中國的ASML（阿斯麥）”是否可行？那家公司有望挑起這副重擔？ (算力芯辰)

據報導，蘋果正計畫與中國長江儲存、長鑫儲存展開合作洽談，擬將兩家企業納入供應鏈，為旗下iPhone、Mac等產品採購記憶體及儲存晶片，用以應付來自日韓供應商的漲價壓力。當前，蘋果主要依賴的儲存與記憶體供應商包括鎧俠、三星和 SK 海力士等，但在行業性供給緊張和價格大幅上漲背景下，這些廠商紛紛抬價，鎧俠更是將 NAND 晶片報價翻倍，還要求按季度重新議價，讓蘋果的供應鏈成本與不確定性驟增。為增加議價籌碼、分散供應風險，蘋果開始探索與國產儲存廠商合作的可能。蘋果對供應商的品質要求極其苛刻。若能成功進入 iPhone 供應鏈，標誌著長江儲存的第五代 3D NAND 技術（密度已達領先水平）已完全達到國際一流標準。根據 TechInsights 的拆解分析，長江儲存已量產基於新一代晶棧Xtacking 4.0架構的快閃記憶體晶片，總堆疊層數達到 294 層，其中 232 層為有效儲存層，位元密度接近每平方毫米 19.8 Gb。不論是堆疊層數、儲存密度、還是可靠性，長江儲存都已達到當前全球領先水平，具備了進入蘋果供應鏈的技術基礎。若合作落地，借助蘋果的海量訂單，將推動國產儲存在先進製程與良率上的跨越式進化。而蘋果也能降低對目前主導市場的記憶體和儲存裝置製造商的依賴。而對現有日韓與部分美系儲存廠商而言，則意味著未來在高端智慧型手機和 PC 領域的市場主導地位，可能將面臨來自中國廠商的更直接競爭。 (硬體世界)

當美國在2022年聯合日本、荷蘭實施尖端半導體裝置出口管制時，多數外國研究人員普遍認為中國高端儲存晶片產業將遭遇沉重打擊。然而三年後的今天，長江儲存為代表的國內企業不僅沒有倒下，反而在自主化的道路上走出了令人驚訝的速度——從被迫“自力更生”到建成首條全本土裝置產線，中國儲存晶片的逆境突圍揭示了一個被忽視的真相：技術封鎖往往催生出意想不到的產業韌性。2022年的裝置禁令像一道突如其來的閘門，切斷了中國儲存晶片企業獲取先進製造工具的管道。長江儲存作為國內領先者，彼時剛推出領先全球的232層3D NAND晶片，卻在擴產關鍵時刻遭遇美系裝置斷供。二期工廠產能從預期10萬片驟降至4萬多片，市場份額在2025年二季度一度跌破5%——這是制裁立竿見影的“陣痛期”。然而，困境往往孕育著轉折。企業被迫做出的戰略調整，反而加速了原本可能需要十年才能完成的供應鏈本土化處理程序。當應用材料、科磊等美國供應商退出後，長江儲存迅速轉向國內夥伴。北方華創的刻蝕裝置、中微半導體的薄膜沉積、上海微電子的光刻技術開始進入主流產線。這種“被迫聯姻”在短期內雖面臨工藝適配挑戰，卻為本土裝置商提供了寶貴的迭代機會。2023年荷蘭深紫外光刻機也被列入禁售名單後，長江儲存牽頭組建的中國國產裝置聯盟顯示出更強的戰略意義。這個覆蓋離子注入、化學機械拋光等關鍵環節的協作網路，不僅解決裝置“有無”問題，更通過聯合研發推動技術升級。2024年上半年，試驗線中國國產化率突破92%，北方華創單家企業就獲得超50億元訂單。值得注意的是，這種合作並非簡單的裝置採購，而是深度工藝協同。針對3D NAND高深寬比刻蝕的精度要求，裝置商與製造企業共同開展數百次聯合測試，最終形成自主工藝規範。2025年提交國際委員會審議的3D NAND中國國產整合標準，標誌著中國正從被動適配轉向主動參與規則制定。中國國產化率的提升並非以犧牲技術先進性為代價。長江儲存採用Xtacking 4.0架構，通過雙層堆疊實現294層等效密度，對裝置精度提出更高要求。本土裝置經過兩年密集迭代，已能支撐複雜工藝需求。2026年計畫推出的X5系列晶片將完全基於中國國產裝置開發，這既是技術驗證，也是市場宣言。更值得關注的是，2025年開始建設的第三工廠已規劃DRAM產線，顯示出從單一產品向全儲存品類拓展的雄心。2024年底，長江儲存全球市場份額回升至8%，看似不起眼的數字背後是結構性變化：其訂單拉動國內裝置市場規模將在2026年突破250億美元，北方華創等供應商的技術升級速度比預期快30%以上。這種“製造商—裝置商”協同創新模式，正在複製韓國半導體崛起期的產業聯動經驗。美國製裁的本意是延緩中國技術進步，卻客觀上催生了更完整的本土生態。當長江儲存2025年下半年試產全本土裝置產線時，一個悖論顯現。裝置禁運反而減少了中國企業對海外技術的路徑依賴。儘管在產量一致性和成本控制上仍面臨挑戰，但自主供應鏈的“學習曲線”正快速縮短。長江儲存2025年底起訴老美，不僅是法律抗爭，更是技術自信的體現。即便訴訟結果難料，這一姿態已向全球市場表明，中國企業不會被動接受技術隔離。從更宏觀視角看，AI與資料中心爆發的儲存需求，正創造新的市場窗口。中國本土產能若能在2026年實現15%市場份額目標，全球NAND供應格局將迎來深刻調整。 (W侃科技)

最近3個月記憶體及快閃記憶體兩種儲存晶片價格大漲，而且漲勢之猛是30多年來最強的。這一次尤其關鍵的一個轉變就是，國內公司沒有缺席，長江、長鑫兩家公司的記憶體及快閃記憶體已經不可小覷。日前有消息稱長江儲存發佈了通知，宣佈快閃記憶體晶圓漲價40%，模組產品漲價100%，不過這個消息並沒有得到完全證實。供應鏈人士表示12月的快閃記憶體晶圓成交價比11月提升了10%多一點，SSD成品漲幅在15-20%。供應鏈表示，該公司今年已經多次調整價格，部分規格的產品價格已經不輸三星等原廠，暗示策略已經轉向控量穩價，不再是追求低價搶市場。報導還提到了兩家國產儲存廠商產能，長江儲存的快閃記憶體產能達到了16萬片/月，長鑫的記憶體產能更是高達28萬片晶圓/月，2026年還會進一步提升到30萬片/月。隨著產能及價格策略的變化，這兩家公司的儲存晶片已經不是以往的備胎，電腦廠商也會開始採購他們的晶片，進行測試驗證。其中華碩、宏碁已經進入評估階段，希望借此提高供應鏈彈性，分散風險。在技術上，長江儲存已經發佈了300層堆疊的快閃記憶體產品，長鑫11月底也發佈了8000MHz的DDR5產品，LPDDR5也達到了10677MHz。這些都是當前的頂級產品，被認為與三星等廠商的技術差距不到1年時間了。國產記憶體及快閃記憶體晶片目前主要的問題還是裝置受限，導致產能及良率面臨挑戰，但是在一步步解決自主供應鏈之後，很快不再受美國禁令影響。到時候會真正有機會重塑市場格局，兩三年內超越三星不太可能，但坐三望二是有機會的。說到三星，日前有消息稱AMD最快明年1月份跟三星簽訂合作協議，將使用後者的2nm工藝SF2P生產新一代晶片，這有望給三星帶來數十億美元的訂單。與此同時，Intel也在跟三星談晶片代工合作，不過他們已經有自己的18A工藝了，不需要三星2nm代工，這次談的反而是已經很成熟的5nm及8nm工藝，尤其是後者，Intel決定將PCH晶片組訂單給三星8nm來做。這個晶片組主要用於新一代處理器，也就是26年底的Nova Lake處理器，目前已經準備進入量產階段。Intel當前的PCH晶片組使用的是三星14nm工藝，是在三星美國工廠生產的，但8nm PCH晶片要轉回韓國的華城工廠生產，這裡的產能畢竟穩定，可以月產3-4萬晶圓，這也是Intel選擇三星韓國工廠生產的關鍵原因。對Intel來說，他們自己將專注於先進工藝的研發生產，PCH晶片組這樣的簡單產品外包給代工廠更有助於降低成本，三星的8nm也是比較成熟穩定的工藝了，之前NVIDIA的RTX 30系列GPU就是這個工藝生產的。從14nm升級到8nm之後，預計Nova Lake的晶片組面積會更小，發熱也會更低，這對PC玩家來說也是好事，不然高負載下工作時主機板的散熱也不讓人放心。(硬體世界)

中國領先的儲存晶片製造企業長江儲存（YMTC）正通過加強自主研發、推動產業鏈協同等方式，積極應對當前面臨的技術發展挑戰。作為國記憶體儲晶片產業的重要力量，該企業的創新發展路徑備受業界關注。在當前的國際產業環境下，長江儲存持續聚焦3D NAND快閃記憶體技術的創新研發。據悉，企業已成功實現232層3D NAND快閃記憶體晶片的量產，這一技術突破標誌著中國在高端儲存晶片領域取得重要進展。儘管面臨裝置更新和技術迭代的挑戰，但企業通過最佳化現有產線、提升工藝水平，保持了基本產能的穩定。行業分析顯示，儲存晶片作為數字經濟的核心基礎設施，其技術自主可控至關重要。長江儲存通過加強與國內裝置、材料供應商的合作，推動產業鏈上下游協同創新，在關鍵工藝環節取得系列突破。這種以企業為主體、市場為導向的創新體系，正逐步顯現成效。值得注意的是，中國龐大的內需市場為儲存晶片產業發展提供了有力支撐。隨著5G、人工智慧、物聯網等新技術的快速普及，對高性能儲存晶片的需求持續增長。這一市場優勢為企業技術迭代和產品升級創造了有利條件。在技術研發方面，長江儲存持續加大投入，聚焦下一代儲存架構的創新。業界專家指出，儲存晶片技術發展呈現多元化趨勢，除了堆疊層數的競爭外，新材料、新結構的探索同樣重要。中國企業在這些新興技術路線上的佈局，可能帶來換道超車的機會。當前，全球儲存晶片市場格局正在重塑。中國企業的穩步發展，為全球產業鏈供應鏈帶來了新的可能性。通過持續的技術創新和產業協同，長江儲存正朝著建構自主可控的儲存晶片產業體系穩步邁進。這一處理程序不僅關乎企業自身發展，更對中國數字經濟的安全穩定具有重要意義。展望未來，隨著中國半導體產業整體水平的提升，以及創新環境的持續最佳化，儲存晶片領域有望實現更多技術突破，為全球半導體產業發展注入新的活力。 (晶片行業)

先進封裝技術存在於成本和吞吐量與性能和密度的連續統一體中。在本系列的第一部分中，我們討論了先進封裝技術的必要性。儘管對先進封裝技術的需求顯而易見，但英特爾（EMIB、Foveros、Foveros Omni、Foveros Direct）、台積電（InFO-OS、InFO-LSI、InFO-SOW、InFO-SoIS、CoWoS-S、CoWoS-R、CoWoS-L、SoIC）、三星（FOSiP、X-Cube、I-Cube、HBM、DDR/LPDDR DRAM、CIS）、ASE（FoCoS、FOEB）、索尼（CIS）、美光科技（HBM）、SK海力士（HBM）和長江儲存科技（XStacking）等公司都推出了眾多先進封裝類型和品牌。這些封裝類型被AMD、Nvidia等我們喜愛的公司廣泛使用。在第二部分中，我們將詳細介紹所有這些封裝類型及其用途。在深度剖析的第三部分中，我們分析了TCB市場，包括英特爾的角色、HBM、ASM Pacific、Besi和Kulicke and Soffa。 倒裝晶片是引線鍵合後常見的封裝形式之一。它由代工廠、整合設計製造商以及外包組裝和測試公司等眾多公司提供。在倒裝晶片中，印刷電路板（PCB）、基板或其他晶圓上設有焊盤。然後，將晶片精準放置在其上，使凸塊與焊盤接觸。晶片被送入回流焊爐，加熱元件並使凸塊回流，從而將兩者粘合在一起。助焊劑被清除，並在兩者之間沉積底層填料。這只是一個基本工藝流程，因為倒裝晶片有許多不同的類型，包括但不限於無助焊劑倒裝晶片。 儘管倒裝晶片技術極為普遍，但間距小於100微米的先進版本卻相對較少見。根據我們在第一部分所界定的先進封裝定義，僅有台積電（TSMC）、三星（Samsung）、英特爾（Intel）、安靠（Amkor）和日月光半導體（ASE）等少數企業，大規模採用倒裝晶片技術來進行邏輯先進封裝。其中三家公司還負責製造完整的矽片，而另外兩家公司則負責外包組裝和測試（OSAT）。 這就是各種不同類型的倒裝晶片封裝開始出現的地方。我們將以台積電（TSMC）為例，然後進行擴展，並將其他公司的封裝解決方案與台積電的進行比較。台積電所有封裝選項之間的最大差異與基板材料、尺寸、重分佈層（RDL）和堆疊有關。

在NAND向400層以上邁進攻堅之際，三星做出了新的選擇。 韓媒報導，三星已確認從V10（第10代）開始，將使用中國NAND製造商YMTC的專利技術，特別是在新的先進封裝技術「混合鍵合」方面。 YMTC是最早將混合鍵結應用於3D NAND的企業，因此在相關技術上擁有強大的專利累積。三星電子選擇透過與YMTC達成協議，而不是冒險規避專利，來化解未來可能出現的風險。 根據ZDNet Korea的報導，三星電子最近與YMTC簽署了3D NAND混合鍵結專利的授權協議。

在全球半導體晶片市場，記憶體晶片是一個非常特殊的存在，用量大，是僅次於處理器晶片的第二大品類；但一直被三星、SK海力士、美光以及西部資料等少數國際巨頭所壟斷，中國市場也不例外。 如根據中國海關資料，2024年度中國海關的晶片（積體電路）進口金額27499億元，與去年相比，增長了11.8% 。其中最大類別的是“處理器及控製器”，金額為13719億元；其次就是進口“儲存器”7000億左右，佔據全部進口額的四分之一左右。 但隨著近期國產記憶體晶片技術的持續突破，以及國產儲存廠商的崛起，國產記憶體晶片也迎來了全面反攻的時代。 根據TechInsights最新消息，國產快閃記憶體巨頭長江存儲已開始出貨其第五代3D NAND記憶體晶片，該晶片共有294層，有232個有效層。