最近3個月記憶體及快閃記憶體兩種儲存晶片價格大漲，而且漲勢之猛是30多年來最強的。這一次尤其關鍵的一個轉變就是，國內公司沒有缺席，長江、長鑫兩家公司的記憶體及快閃記憶體已經不可小覷。日前有消息稱長江儲存發佈了通知，宣佈快閃記憶體晶圓漲價40%，模組產品漲價100%，不過這個消息並沒有得到完全證實。供應鏈人士表示12月的快閃記憶體晶圓成交價比11月提升了10%多一點，SSD成品漲幅在15-20%。供應鏈表示，該公司今年已經多次調整價格，部分規格的產品價格已經不輸三星等原廠，暗示策略已經轉向控量穩價，不再是追求低價搶市場。報導還提到了兩家國產儲存廠商產能，長江儲存的快閃記憶體產能達到了16萬片/月，長鑫的記憶體產能更是高達28萬片晶圓/月，2026年還會進一步提升到30萬片/月。隨著產能及價格策略的變化，這兩家公司的儲存晶片已經不是以往的備胎，電腦廠商也會開始採購他們的晶片，進行測試驗證。其中華碩、宏碁已經進入評估階段，希望借此提高供應鏈彈性，分散風險。在技術上，長江儲存已經發佈了300層堆疊的快閃記憶體產品，長鑫11月底也發佈了8000MHz的DDR5產品，LPDDR5也達到了10677MHz。這些都是當前的頂級產品，被認為與三星等廠商的技術差距不到1年時間了。國產記憶體及快閃記憶體晶片目前主要的問題還是裝置受限，導致產能及良率面臨挑戰，但是在一步步解決自主供應鏈之後，很快不再受美國禁令影響。到時候會真正有機會重塑市場格局，兩三年內超越三星不太可能，但坐三望二是有機會的。說到三星，日前有消息稱AMD最快明年1月份跟三星簽訂合作協議，將使用後者的2nm工藝SF2P生產新一代晶片，這有望給三星帶來數十億美元的訂單。與此同時，Intel也在跟三星談晶片代工合作，不過他們已經有自己的18A工藝了，不需要三星2nm代工，這次談的反而是已經很成熟的5nm及8nm工藝，尤其是後者，Intel決定將PCH晶片組訂單給三星8nm來做。這個晶片組主要用於新一代處理器，也就是26年底的Nova Lake處理器，目前已經準備進入量產階段。Intel當前的PCH晶片組使用的是三星14nm工藝，是在三星美國工廠生產的，但8nm PCH晶片要轉回韓國的華城工廠生產，這裡的產能畢竟穩定，可以月產3-4萬晶圓，這也是Intel選擇三星韓國工廠生產的關鍵原因。對Intel來說，他們自己將專注於先進工藝的研發生產，PCH晶片組這樣的簡單產品外包給代工廠更有助於降低成本，三星的8nm也是比較成熟穩定的工藝了，之前NVIDIA的RTX 30系列GPU就是這個工藝生產的。從14nm升級到8nm之後，預計Nova Lake的晶片組面積會更小，發熱也會更低，這對PC玩家來說也是好事，不然高負載下工作時主機板的散熱也不讓人放心。(硬體世界)

中國領先的儲存晶片製造企業長江儲存（YMTC）正通過加強自主研發、推動產業鏈協同等方式，積極應對當前面臨的技術發展挑戰。作為國記憶體儲晶片產業的重要力量，該企業的創新發展路徑備受業界關注。在當前的國際產業環境下，長江儲存持續聚焦3D NAND快閃記憶體技術的創新研發。據悉，企業已成功實現232層3D NAND快閃記憶體晶片的量產，這一技術突破標誌著中國在高端儲存晶片領域取得重要進展。儘管面臨裝置更新和技術迭代的挑戰，但企業通過最佳化現有產線、提升工藝水平，保持了基本產能的穩定。行業分析顯示，儲存晶片作為數字經濟的核心基礎設施，其技術自主可控至關重要。長江儲存通過加強與國內裝置、材料供應商的合作，推動產業鏈上下游協同創新，在關鍵工藝環節取得系列突破。這種以企業為主體、市場為導向的創新體系，正逐步顯現成效。值得注意的是，中國龐大的內需市場為儲存晶片產業發展提供了有力支撐。隨著5G、人工智慧、物聯網等新技術的快速普及，對高性能儲存晶片的需求持續增長。這一市場優勢為企業技術迭代和產品升級創造了有利條件。在技術研發方面，長江儲存持續加大投入，聚焦下一代儲存架構的創新。業界專家指出，儲存晶片技術發展呈現多元化趨勢，除了堆疊層數的競爭外，新材料、新結構的探索同樣重要。中國企業在這些新興技術路線上的佈局，可能帶來換道超車的機會。當前，全球儲存晶片市場格局正在重塑。中國企業的穩步發展，為全球產業鏈供應鏈帶來了新的可能性。通過持續的技術創新和產業協同，長江儲存正朝著建構自主可控的儲存晶片產業體系穩步邁進。這一處理程序不僅關乎企業自身發展，更對中國數字經濟的安全穩定具有重要意義。展望未來，隨著中國半導體產業整體水平的提升，以及創新環境的持續最佳化，儲存晶片領域有望實現更多技術突破，為全球半導體產業發展注入新的活力。 (晶片行業)

先進封裝技術存在於成本和吞吐量與性能和密度的連續統一體中。在本系列的第一部分中，我們討論了先進封裝技術的必要性。儘管對先進封裝技術的需求顯而易見，但英特爾（EMIB、Foveros、Foveros Omni、Foveros Direct）、台積電（InFO-OS、InFO-LSI、InFO-SOW、InFO-SoIS、CoWoS-S、CoWoS-R、CoWoS-L、SoIC）、三星（FOSiP、X-Cube、I-Cube、HBM、DDR/LPDDR DRAM、CIS）、ASE（FoCoS、FOEB）、索尼（CIS）、美光科技（HBM）、SK海力士（HBM）和長江儲存科技（XStacking）等公司都推出了眾多先進封裝類型和品牌。這些封裝類型被AMD、Nvidia等我們喜愛的公司廣泛使用。在第二部分中，我們將詳細介紹所有這些封裝類型及其用途。在深度剖析的第三部分中，我們分析了TCB市場，包括英特爾的角色、HBM、ASM Pacific、Besi和Kulicke and Soffa。 倒裝晶片是引線鍵合後常見的封裝形式之一。它由代工廠、整合設計製造商以及外包組裝和測試公司等眾多公司提供。在倒裝晶片中，印刷電路板（PCB）、基板或其他晶圓上設有焊盤。然後，將晶片精準放置在其上，使凸塊與焊盤接觸。晶片被送入回流焊爐，加熱元件並使凸塊回流，從而將兩者粘合在一起。助焊劑被清除，並在兩者之間沉積底層填料。這只是一個基本工藝流程，因為倒裝晶片有許多不同的類型，包括但不限於無助焊劑倒裝晶片。 儘管倒裝晶片技術極為普遍，但間距小於100微米的先進版本卻相對較少見。根據我們在第一部分所界定的先進封裝定義，僅有台積電（TSMC）、三星（Samsung）、英特爾（Intel）、安靠（Amkor）和日月光半導體（ASE）等少數企業，大規模採用倒裝晶片技術來進行邏輯先進封裝。其中三家公司還負責製造完整的矽片，而另外兩家公司則負責外包組裝和測試（OSAT）。 這就是各種不同類型的倒裝晶片封裝開始出現的地方。我們將以台積電（TSMC）為例，然後進行擴展，並將其他公司的封裝解決方案與台積電的進行比較。台積電所有封裝選項之間的最大差異與基板材料、尺寸、重分佈層（RDL）和堆疊有關。

在NAND向400層以上邁進攻堅之際，三星做出了新的選擇。 韓媒報導，三星已確認從V10（第10代）開始，將使用中國NAND製造商YMTC的專利技術，特別是在新的先進封裝技術「混合鍵合」方面。 YMTC是最早將混合鍵結應用於3D NAND的企業，因此在相關技術上擁有強大的專利累積。三星電子選擇透過與YMTC達成協議，而不是冒險規避專利，來化解未來可能出現的風險。 根據ZDNet Korea的報導，三星電子最近與YMTC簽署了3D NAND混合鍵結專利的授權協議。

在全球半導體晶片市場，記憶體晶片是一個非常特殊的存在，用量大，是僅次於處理器晶片的第二大品類；但一直被三星、SK海力士、美光以及西部資料等少數國際巨頭所壟斷，中國市場也不例外。 如根據中國海關資料，2024年度中國海關的晶片（積體電路）進口金額27499億元，與去年相比，增長了11.8% 。其中最大類別的是“處理器及控製器”，金額為13719億元；其次就是進口“儲存器”7000億左右，佔據全部進口額的四分之一左右。 但隨著近期國產記憶體晶片技術的持續突破，以及國產儲存廠商的崛起，國產記憶體晶片也迎來了全面反攻的時代。 根據TechInsights最新消息，國產快閃記憶體巨頭長江存儲已開始出貨其第五代3D NAND記憶體晶片，該晶片共有294層，有232個有效層。

今年的雙十一剛過去不久，波瀾不驚！但對於中國國產儲存晶片廠商——長江儲存是值得紀念的。 根據京東平台資料，長江儲存旗下致態品牌首次獲得京東SSD品類雙十一大促交易總額（GMV）及銷量雙料第一，致態京東交易總額同比增長43%，總銷量同比增長16%。這也是國記憶體儲品牌首次超越三星獲得冠軍，成為SSD市場「領跑者」。 那此次逆轉是國產儲存晶片廠商的“曇花一現”，還是扭轉乾坤呢？ 一、長江儲存市場份額不到5%

據彭博社援引行業權威分析機構TechInsights的最新報導，面對美國嚴苛的出口限制及實體清單的嚴峻挑戰，中國儲存晶片巨頭長江儲存展現出了非凡的韌性與創新能力。公司成功實現了關鍵生產裝置的國產替代，利用本土技術資源製造出了高性能的3D NAND快閃記憶體晶片，標誌著中國在高端儲存晶片領域邁出了堅實的一步。 （相關報導截圖） 長江儲存的這一壯舉不僅打破了國外技術封鎖的桎梏，更以自研的Xtacking架構引領行業潮流。該架構能夠實現高達232層的3D NAND堆疊，與國際頂尖製造商如美光、三星、SK海力士等相媲美，展現出強大的技術競爭力和市場潛力。 儘管在國產化初期，長江儲存面臨著裝置適應性和工藝良率等挑戰，導致最新批次的3D NAND晶片堆疊層數相比早期版本有所減少。但公司迅速作出回應，強調層數的變化與裝置產量無直接關聯，並承諾將持續最佳化製造工藝、提升裝置性能和流程管理，以逐步恢復並提升堆疊層數，確保產品性能達到國際領先水平。

中國3D NAND 領導企業長江儲存已在加州北區對美光提起訴訟，指控這家美國公司侵犯了其11 項專利，涉及3D NAND 操作的各個方面。長江儲存請求法院下令美光停止在美國銷售其記憶體，並向其支付專利使用費。 長江儲存表示，美光的96 層（B27A）、128 層（B37R）、176 層（B47R）和232 層（B58R）3D NAND 儲存器以及美光的部分DDR5 SDRAM 產品（Y2BM 系列）侵犯了其在美國提交的11 項專利或專利申請。從相關作者收集的專利申請清單表明，它們涵蓋了3D NAND 和DRAM 功能的一般方面，這可能意味著長江儲存正試圖讓美光的生活變得更加艱難，以獲得對美國政府的籌碼。 美國商務部 於2022 年底將長江儲存列入黑名單，這大大增加了該公司從美國公司獲得先進晶圓廠裝置以製造其市場領先的3D NAND 裝置的難度。去年，該公司面臨更大的問題，因為美國商務部禁止銷售可用於製造具有超過128 個活動層的3D NAND 的晶圓廠工具和技術，這對該公司來說是另一個打擊。 儘管美國政府設定了嚴格的限制，長江儲存仍在繼續發展其3D NAND 儲存器。該公司的Xtacking 3.0 快閃記憶體已投入量產（其中一些裝置甚至不違反美國製裁），現在該公司正在開發採用其Xtacking 4.0 架構的3D NAND 。此外，今年稍早，該公司表示已成功將3D QLC NAND 的耐用性大幅提高 到3D TLC NAND 的水平（達到4,000 次程式設計/擦除周期），這顯著改善了廉價SSD 的特性。