2台天價光刻機，安裝完成！

在近日舉辦的SPIE大會上，ASML新任CEO傅恪禮（Christophe Fouquet）發表了精彩的開幕/主題演講，重點介紹了High NA EUV光刻機（售價或超4億歐元，約合人民幣31億元）。

ASML新任CEO傅恪禮提到，英特爾在波特蘭工廠完成了兩台 High NA EUV 光刻機的安裝。這兩台光刻機堪稱天價，每台售價超 4 億歐元。它們的安裝意義重大，顯示出 High NA EUV 相對於標準 EUV 的改進，且安裝速度不斷提升。這不僅為英特爾帶來技術優勢，也標誌著半導體行業在光刻技術上的重大突破，為未來更先進的晶片製程奠定了基礎。

一、High NA EUV 光刻機的技術創新與優勢

在近日舉辦的 SPIE 大會上，ASML 新任 CEO 傅恪禮發表了精彩演講，重點介紹了 High NA EUV 光刻機。這款光刻機售價高昂，約合人民幣 31 億元，但它更像是 EUV 光刻機的“升級款”，不太可能像最初的 EUV 光刻機那樣出現延遲，有望相對快速地推出和採用。

傅恪禮談到了組裝掃描器子元件的新方法，即在客戶現場組裝，這將大大節省時間和成本，有助於加快 High NA EUV 光刻機的發展。未來，這款光刻機可混合搭配鏡頭元件，具有大量的通用性、更多的成本節約和簡單性。此外，ASML 在聖地亞哥擁有穩定的 740 瓦電源，並有明確途徑實現 1000 瓦的供電。採用大尺寸掩模對於行業來說是“不費吹灰之力”的，這有助於克服 High NA 的晶片尺寸限制，提升 40%的性能。

二、High NA EUV 光刻機的行業影響與未來展望

英特爾院士兼光刻總監 Mark Phillips 展示了英特爾在波特蘭工廠安裝的兩個 High NA 系統的圖像，顯示了 High NA EUV 相對於標準 EUV 帶來的改進，且第二個系統的安裝比第一個更快。High NA 所需的基礎設施已到位並開始運行，光掩模檢查也已開始。目標插入點是英特爾的 Intel 14A（1.4nm）工藝，大約需要 3 年時間，可能比預期更快。台積電雖以成本為由遲遲不肯接受 High NA，但如果英特爾取得領先地位，台積電將被迫跟進。會議上還有傳言稱 ASML 的傅恪禮和英特爾的 Anne Kelleher 會面，可能討論在推出 High NA 方面的合作關係。此次會議對 High NA EUV 光刻機的推出和摩爾定律的整體技術進步非常有利，對英特爾和 ASML 來說都是利多消息。在全球半導體市場圍繞人工智慧展開的背景下，High NA EUV 光刻機的發展將為行業帶來新的機遇和挑戰。 (芯榜)