香港晶圓廠，明年通線

據大公報報導，香港科技園與麻省光子技術合作的香港首條超高真空“第三代半導體氮化鎵外延片中試線”正在推進，據瞭解，該項目明年可望實現通線，為香港半導體製造產業鏈提供關鍵的技術支撐。這對推動香港微電子產業發展，進一步完善本港創科生態圈有重要意義。

在去年的啟動儀式上，麻省光子技術（香港）有限公司行政總裁廖翊韜表示，公司計畫於科學園設立全港首個第三代半導體氮化鎵外延工藝全球研發中心，以及於創新園開設首條超高真空量產型氮化鎵外延片中試線，預計將在香港投資至少二億港元及設立研發團隊，帶動整個第三代半導體產業鏈佈局。

廖翊韜提到，公司計畫入駐香港科學園微電子中心，建設香港首條八吋氮化鎵外延片的研發中試產線，希望通過新產品的中試研發和孵化，建立前沿、完整的超高真空氮化鎵外延技術和產品專利包，三年內完成中試並啟動在香港的氮化鎵外延量產的產線建設，實現年產一萬片八吋氮化鎵晶圓產能，將香港製造的外延片產品推向全球市場。

在香港特別行政區政府公佈的《香港創新科技發展藍圖》，其中一個發展方向為完善創科生態圈，推進香港“新型工業化”，而政府會大力支援先進製造產業，包括半導體產業在港設立或擴展先進製造生產線。

據創科局局長孫東介紹，特區政府正以產業導向為原則，積極推進微電子產業發展。香港將設立碳化硅和氮化鎵兩條中試線，協助初創、中小企業進行試產、測試和認證，促進產、學、研在第三代半導體核心技術上的合作。

根據此前報導，MassPhoton創始人兼CEO Eason Liao曾表示，該公司於2024年1月在香港成立，正與政府資助的香港科技園（HKSTP）合作建立一條8英吋GaN外延晶圓試點生產線，目標是到2027年實現年產能10000片。香港科技園孵化器在一份聲明中表示，MassPhoton專門生產紫外線C消毒產品，將投資2億港元（2560萬美元）新建晶圓生產線，並在科學園設立GaN技術研發中心。

GaN和碳化硅（SiC）是第三代半導體材料，與傳統的矽基半導體相比，具有能源效率更高、體積更小等優勢。計畫中的GaN生產線正值香港著眼於全球半導體供應鏈的份額，這是香港在地緣政治緊張局勢加劇的情況下努力成為創新和技術中心的一部分。

去年10月，香港科技園還與中國大陸晶片公司傑平方半導體（J2 Semiconductor）簽署了一份諒解備忘錄，目標是建立香港首個SiC 8英吋晶圓廠和新的第三代半導體研發中心。傑平方半導體承諾為該項目投資69億港元，並計畫到2028年實現年產24萬片晶圓的產能。香港創新科技及工業局局長孫東當時表示，香港選擇專注於第三代半導體的原因之一是，用於製造第三代半導體的裝置限制較少，因此相對容易獲得關鍵裝置。美國的出口限制切斷了中國大陸獲得一些最先進晶片製造裝置的管道。

MassPhoton CEO Eason Liao表示：“我們對第三代半導體供應鏈的一致性充滿信心。”他補充說，許多中國大陸SiC公司已經在全球處於行業領先地位。Eason Liao表示，MassPhoton的目標是將其GaN晶圓應用於顯示技術、汽車和資料中心等領域。他還表示，該公司還計畫在今年底前再籌集1億港元資金。

香港立法會於今年5月批准為政府撥款28.4億港元，用於建立半導體研究中心。香港科技園表示，計畫在元朗創新園設立的微電子中心預計將於今年投入營運。

(芯榜)