HBM大逆轉！三星趕超SK海力士、美光

三星電子將其下一代HBM （高頻寬儲存器）4E的目標頻寬提高了25% 。其策略是透過展示比 SK Hynix和美光高出一個等級的速度來扭轉 HBM 市場的局面。三星電子也宣佈成功開發出全球最快移動DRAM ，展現了透過「速度競賽」鞏固記憶體市場第一地位的決心。

三星電子2月20日(當地時間)在美國舊金山舉辦的2025年國際半導體會議(ISSCC)上展示了頻寬達每秒2.5TB(兆兆字節)的HBM4E 。到目前為止，三星電子、SK 海力士和美光已將 HBM4E 頻寬目標定為每秒 2TB 。三星電子已設定目標，透過將每個引腳的資料傳輸速度從現有的 8 Gbps （千兆位元每秒）提升到 10 Gbps ，在 HBM4E 中實現2.5TB每秒。

HBM4E是繼HBM4之後的下一代標準，計畫於年內實現量產。  HBM4 預計比現一代 HBM3E 頻寬提高一倍，達到每秒 2TB 。業界曾計畫在保持頻寬的同時，透過將 HBM4E 的記憶體密度提高 50% 來增加總容量。三星電子已透露其確保HBM4E容量和速度的雄心。

自去年下半年以來，三星電子一直試圖透過披露其 HBM4E 計畫來扭轉局面。去年 9 月，在 2024 年 JEDEC 汽車電子論壇上，國際半導體標準組織 (JEDEC) 宣佈了 2027 年為汽車引入HBM4E的計畫。

在發佈會上，三星電子也發表了全球最快的每秒12.7Gb （千兆位元）LPDDR5X移動DRAM 。這比去年 4 月宣佈的每秒 10.7Gb 有了進步。其中也介紹了有關下一代移動DRAM標準LPDDR6的線索。  LPDDR6計畫透過將資料輸入輸出數量由現有的8個增加至12個，將速度提升約50% ，同時以極低功耗應對移動AI時代。

三星電子DRAM設計團隊大師孫教民解釋說：“LPDDR6目前已經有了原型標準，目前正在討論細節。” （大話晶片）