#HBM
•

HBM：AI 晶片的高速彈藥庫

——AI算力系列03：一顆記憶體賣上萬還產能告急，為什麼高端AI晶片的瓶頸早已不是GPU本身？ 上一篇我們聊了AI算力的核心發動機——GPU。很多人不知道，GPU再強，旁邊沒配上它，性能直接砍半。它就是高端AI晶片的標配、如今比GPU還緊俏的—— HBM。 很多人不解：不就是記憶體嗎？普通記憶體不行嗎？為什麼一顆小小的記憶體晶片能賣到幾千甚至上萬元，還產能告急？
科技#HBM#AI 晶片#AI算力
•

AI熱潮開始搶CPU了，長協訂單也有了，部分處理器漲價超40%！

過去兩年，AI基礎設施最緊缺的硬體往往是GPU和HBM，但現在，伺服器CPU也開始成為供應鏈的緊俏資源。 據 Tom’s Hardware 援引路透社報導，由於伺服器CPU供應持續緊張，英特爾和AMD正在與中國伺服器客戶簽訂更長期的採購協議。 部分產品今年以來價格已經上漲超過40%，個別型號價格仍以每月超過10%的速度上漲。 值得注意的是，這些協議與傳統的長期採購合同有所不同。
科技#GPU#HBM#英特爾
•

瑞銀：上調AI資本支出預測2026年逼近兆美元！九成增量來自記憶體漲價！

UBS最新報告預測：2026年全球AI資本支出總額將達9980億美元，較2025年的5060億美元幾乎翻倍。2027年這一數字將進一步升至1.447兆美元。大幅上調的主要源於記憶體價格的快速攀升。 一、核心發現：AI資本支出的“質變”而非“量增” 瑞銀（UBS）2026年9月18日發佈的最新報告，將2026年全球AI資本支出預測大幅上修至9980億美元，較2025年的5060億美元幾乎翻倍；2027年將進一步升至1.447兆美元。但這一上修的核心驅動力並非市場通常理解的“AI基礎設施大規模擴張”，而是一個被嚴重低估的結構性變數： 記憶體價格上漲貢獻了2025-2027年間AI資本支出增量的約90%。
瑞銀：上調AI資本支出預測2026年逼近兆美元！九成增量來自記憶體漲價！
科技#瑞銀#AI資本支出#記憶體漲價
•

HBM之後，HBF來了：3D NAND+TSV+UCIe，512GiB與3.072TB/s重構AI記憶體架構！

🔷不取代HBM，而是擴展HBM：高頻寬Flash將TB級容量進一步推向xPU身邊 🔷模型權重、KV Cache與MoE成為關鍵場景，AI記憶體層級迎來重新劃分 隨著大模型參數規模持續膨脹、Context Length不斷拉長，AI晶片面臨的挑戰已經不只是“算力夠不夠”，Memory Wall正在成為制約GPU/TPU/xPU繼續擴展的重要瓶頸。HBM雖然擁有極高頻寬，但容量擴展壓力越來越突出；傳統NAND容量足夠大，卻又很難滿足AI計算對近端高頻寬資料訪問的需求。正是在這樣的背景下，High Bandwidth Flash（HBF）開始走向台前——它試圖把Flash從傳統記憶體層直接搬到xPU身邊，在HBM與SSD之間建立一個全新的高頻寬、大容量Memory Tier。 這次，小編就帶大家詳細看看這份HBF High-Level Base Die Specification。從3D NAND Stack、Base Die、TSV，到16通道Wide-I/O、UCIe/AXI互連，再到512GiB+容量與最高3.072TB/s目標有效頻寬，HBF正在嘗試用“高平行NAND+先進封裝+Chiplet互連”重新定義Flash的性能邊界。
HBM之後，HBF來了：3D NAND+TSV+UCIe，512GiB與3.072TB/s重構AI記憶體架構！
科技#HBM#HBF#3D NAND
•

韓媒：此前中國記憶體晶片落後韓國5年，如今快閃記憶體技術差距縮短至1年，記憶體技術差距縮短至2年，HBM縮短至3年

01 前沿導讀 據快科技指出，韓國半導體產業協會首次量化了中國記憶體晶片與韓國的技術差距：NAND快閃記憶體僅落後1年，DRAM落後2年，HBM落後3年，此前這一差距長期維持在5年左右。 快閃記憶體和記憶體的技術差距已經被縮短至1到2年左右，但是在ai產業的HBM技術上，韓國企業已經實現量產，而長鑫記憶體剛啟動HBM3E試產，技術差距在3年左右。 02 技術追趕
韓媒：此前中國記憶體晶片落後韓國5年，如今快閃記憶體技術差距縮短至1年，記憶體技術差距縮短至2年，HBM縮短至3年
科技#半導體#三星#ASML
•

三星將DDR 5外包了？

三星電子計畫將所有額外的傳統記憶體模組生產外包，同時將內部產能集中於高價值記憶體產品，例如高頻寬記憶體（HBM）。 據業內人士9月15日透露，三星電子正強烈敦促其外包半導體組裝和測試（OSAT）合作夥伴擴大生產線，以滿足對傳統記憶體模組日益增長的需求。該公司並沒有擴大自身用於PC、伺服器和筆記型電腦的DDR5記憶體模組和固態硬碟（SSD）的產能，而是增加了分配給外包合作夥伴的產能。 一位知情人士透露：“三星電子缺乏足夠的空間來擴建現有的後端生產線，以滿足人工智慧（AI）半導體製造的需求，因此該公司正在重新分配位於天安和溫陽的封裝工廠的空間和裝置，用於包括HBM在內的先進封裝生產線。該公司已決定通過外包的方式來應對傳統記憶體模組產能的大部分增長，而不是擴大自身的產能。” 另一位知情人士表示：“三星電子自去年6月起就要求合作夥伴加大對傳統DDR5記憶體模組和固態硬碟生產線的投資。今年，該公司甚至提議合作夥伴提前實施現有產能擴張計畫。”
科技#三星電子#DDR5#HBM
•

“HBM之父”371頁預言對答案：速度猜慢了，電費沒算平

15,360瓦。 這差不多是十幾台家用空調同時開的功率。 在一份韓國大學實驗室畫出的路線圖裡，它是2035年一顆AI晶片模組要吃掉的電。其中超過三分之一，沒有給GPU，而是給了它身邊一種你很可能從沒見過真面目的晶片—— HBM，高頻寬記憶體。
“HBM之父”371頁預言對答案：速度猜慢了，電費沒算平
科技#HBM#功率#記憶體
•

512GB DDR5 RDIMM來了：伺服器記憶體開始進入“單條半TB”時代，SSD的位置可能要重新算

512GB DDR5 RDIMM來了：伺服器記憶體開始進入“單條半TB”時代，SSD的位置可能要重新算 AI伺服器正在發生一個容易被低估的變化。 2026年9月15日，Micron公佈了512GB DDR5 RDIMM的伺服器平台演示，最高速率達到9200 MT/s。AMD和Intel正在參與下一代伺服器平台驗證，Micron預計在2027年下半年進入量產。 (Micron Investor Relations) 這不是簡單的“記憶體條容量翻倍”。
科技#美光#AMD#Intel