有預測稱，計畫於明年實現商業化的下一代 NAND 快閃記憶體產品——高頻寬快閃記憶體 (HBF)，將在大約 10 年內超越高頻寬儲存器 (HBM) 市場，而 HBM 是人工智慧半導體的核心元件。2月3日，韓國科學技術院（KAIST）電氣電子工程系金正浩教授在首爾中區新聞中心舉行了“HBF研究內容和技術開發戰略簡報會”，並強調“隨著人工智慧的思考和推理能力變得重要，以及從文字介面向語音介面的過渡，所需的資料量必將呈爆炸式增長”。他解釋說：“如果說中央處理器（CPU）是個人電腦時代的核心，低功耗是智慧型手機時代的關鍵，那麼記憶體就是人工智慧時代的核心。”他還補充道：“HBM決定速度，HBF決定容量。”HBF是一種通過垂直堆疊NAND快閃記憶體來顯著提升容量的記憶體，主要用於長期儲存，與HBM類似。因此，近年來NAND快閃記憶體在半導體行業的重要性日益凸顯。隨著人工智慧代理服務的擴展，作為長期記憶的“鍵值”（KV）快取的作用也日益增強。過去，HBM承擔著這一角色，但越來越多的觀點認為，NAND快閃記憶體更適合承擔這一角色。在本次簡報會上，由被譽為“HBM之父”的金教授領導的KAIST TeraLab介紹了當前人工智慧技術的發展趨勢和記憶體路線圖。金教授是HBM基本概念和結構的構思者和設計者，HBM是韓國率先在全球範圍內成功實現商業化的核心人工智慧半導體技術。當天，金教授公佈了採用HBF的下一代記憶體架構。他展示了多種架構，其中包括一種在GPU兩側分別安裝4個HBM和4個HBF，總容量為96GB HBM和2TB HBF的架構；以及另一種架構，其中兩排分別安裝8個HBM和8個HBF，以處理更大的容量。金教授強調說：“HBM 將作為書架，HBF 將作為圖書館。”他補充道：“在書架上，您可以立即取出並查看您需要的書籍；而在圖書館裡，即使速度慢一些，您也可以一次查看更多的書籍。”金教授預測，由於HBM單靠自身無法滿足爆炸式增長的需求，業界勢必會採用HBF。目前的架構是將最多兩個圖形處理器（GPU）垂直連接，並在GPU旁邊安裝HBM來處理運算；而未來，通過將HBM和HBF結合使用，可以消除容量限制。金教授預測，“當CPU、GPU和記憶體有機地結合在單個基本晶片上的MCC（記憶體中心計算）架構完成時，所需的HBF容量將進一步增加”，並且從2038年起，HBF的需求將超過HBM。金教授表示：“我們正在與三星電子、SK海力士、閃迪等公司就HBF進行技術交流，並與AMD、Google、輝達等潛在客戶公司保持聯絡。”目前，三星電子、SK海力士和閃迪等全球企業正在加速HBM的研發。金教授認為，韓國國內企業佔據了更有利的地位。閃迪目前只專注於NAND快閃記憶體，而三星電子和SK海力士則同時具備HBM和封裝能力。他表示：“未來10到20年，隨著結構性變革的推進，韓國有望在人工智慧電腦領域佔據領先地位。”他補充道：“而HBM正是實現這一目標的基石。”具體來說，SK 海力士正在開發 HBF，目標是明年實現量產；而 SanDisk 於去年 7 月成立了 HBF 技術諮詢委員會。在今年的CES 2025上，NVIDIA也提出了一種解決NAND快閃記憶體瓶頸的方案，即直接連線據處理單元（DPU）和固態硬碟（SSD），將KV快取（即推理過程中積累的先前對話上下文）儲存在大容量SSD中，而不是HBM中。金教授強調，需要通過與NVIDIA、Google和AMD等大型科技公司合作來搶佔市場。金教授表示：“由於HBF工藝與現有的HBM工藝幾乎相同，最終將演變成一場技術速度的競賽。”他補充道：“對於全面商業化而言，那些服務會採用這項技術至關重要。”金教授認為，“繼 HBM 之後，韓國記憶體製造商也必須在 HBF 領域主動出擊，以免在人工智慧市場失去影響力”，並補充道，“以記憶體為中心的人工智慧時代即將到來”。兩大巨頭，挺進HBF隨著人工智慧市場轉向推理，三星電子和SK海力士正在開發高頻寬快閃記憶體（即所謂的高頻寬記憶體的擴展），儘管它們在人工智慧記憶體競賽的下一階段的策略有所不同。由於 HBM 現在是 AI 晶片的關鍵元件，這兩家韓國儲存器製造商正尋求在下一代儲存器周期中搶佔先機。一位要求匿名的業內人士表示：“由於需求疲軟和價格下跌，NAND 市場一直處於低迷狀態，但 HBF 一旦實現商業化，可能會在人工智慧資料中心開闢新的需求基礎。”據業內人士周三透露，三星電子和SK海力士在HBF（高頻寬快閃記憶體）領域採取了不同的策略。SK海力士堅持以HBM為核心的戰略，同時將基於NAND的HBF定位為一種補充解決方案。相比之下，三星則被視為正在重新定義這項技術在更廣泛的AI記憶體和儲存架構重組中的角色。HBM專為超高速計算而設計。而HBF則作為大規模資料儲存和高效傳輸的支撐層。它的速度約為HBM的80%到90%，容量卻是HBM的8到16倍，功耗卻降低了約40%。對於大型AI訓練和推理伺服器而言，HBF被廣泛認為是能夠緩解HBM瓶頸的“中層記憶體”。其主要優勢在於處理能力。HBM優先考慮處理速度，而HBF可以在更低的成本下實現高達10倍的處理量擴展，使其成為解決HBM價格和處理能力雙重限制的理想選擇。從結構上看，HBF 是通過堆疊多層 NAND 快閃記憶體製成的，類似於 HBM 由堆疊式 DRAM 構成。第一代產品預計將堆疊 16 層 32GB 的 NAND 快閃記憶體，總容量約為 512GB。SK海力士在上周的財報電話會議上表示，正在開發HBF作為HBM的延伸技術。這家晶片製造商計畫明年開始量產HBF，並正與SanDisk合作開發下一代基於NAND快閃記憶體的儲存器以及相關的國際標準化工作。SK海力士的核心研發方向是AIN B，這是一種採用堆疊式NAND快閃記憶體的頻寬增強型設計。該公司正在探索將HBF與HBM結合使用的方案，以幫助彌補人工智慧推理系統中的容量限制。此外，SK海力士還通過與全球科技公司合作以及參與開放計算項目（OCP）的活動來拓展其生態系統。與此同時，三星電子正著力推進人工智慧記憶體和儲存架構的全面革新。在近期舉辦的全球儲存盛會上，該公司概述了人工智慧基礎設施的需求——包括性能、容量、散熱和安全性——並推出了一種整合記憶體和儲存的統一架構。三星正利用其晶圓代工部門的邏輯設計和工藝專業知識，研究如何提高下一代基於 NAND 的解決方案的控制性能和電源效率。業內觀察人士認為，三星此舉旨在圍繞人工智慧推理環境重塑下一代記憶體和儲存格局（包括 HBF）。另一位要求匿名的業內人士表示：“隨著人工智慧需求的持續增長，記憶體市場的重心正迅速從傳統的DRAM和NAND轉向高頻寬產品。”“未來兩到三年內，領導地位的競爭可能會加劇，尤其是在 HBF 和第六代 HBM4 等技術方面，這些技術將成為未來資料中心基礎設施的關鍵組成部分。”據證券公司預測，HBF市場規模將從2027年的10億美元增長到2030年的120億美元。HBF能夠在提升頻寬的同時擴展容量，因此被視為滿足人工智慧資料中心日益增長的需求的關鍵技術。不過，考慮到HBM（於2015年開發）用了七到八年時間才獲得市場認可，HBF也可能面臨漫長的發展階段。即便如此，分析師指出，NAND快閃記憶體行業似乎正處於更廣泛變革的早期階段。韓國科學技術院電氣工程學院教授金鐘浩（Kim Joung-ho）是 HBM 基本結構和概念的先驅，他周三在首爾舉行的新聞發佈會上表示，從 2038 年開始，對 HBF 的需求將超過對 HBM 的需求。“當以記憶體為中心的計算架構（其中 CPU、GPU 和記憶體有機地整合在單個基本晶片上）完全實現時，對 HBF 的需求量將顯著增加，”Kim 說。業內人士預計，輝達的新平台將採用HBF技術。這位教授強調，繼HBM之後，三星和SK海力士等韓國記憶體製造商也必須在HBF領域佔據領先地位，才能保持在全球人工智慧市場的影響力。 (半導體芯聞)

一場儲存熱潮，不僅讓三星與SK海力士賺得盆滿缽滿，也讓資本市場的天平發生了一次微妙的傾斜。2月3日，三星電子與SK海力士合計市值達到1.14兆美元，略微超過阿里巴巴和騰訊在港股合計1.07兆美元的市值。三星與SK海力士是目前韓國市值最高的兩家公司，前者今日大漲11%，後者漲幅超過9%；今年以來，它們的累計漲幅均接近40%。另一邊，在總市值上暫時落後的阿里與騰訊，市場普遍認為，今日下跌主要與一則網際網路增值服務將被“加稅”傳言有關。不過追根溯源，這或許是外界對相關稅收調整政策的誤讀。阿里與騰訊同日收盤跌幅均分別收斂至1.41%與2.92%；今年以來，阿里累計漲幅12.75%，騰訊微跌3%。在這背後，更重要的推動力自然還是席捲全球的儲存缺貨潮。如今，以HBM為首的儲存晶片已成為AI基建中不可或缺的部分，同時，願意支付溢價的大型雲廠商帶來的需求，進一步推高了儲存巨頭們的業績。在DRAM和NAND雙雙出現創紀錄短缺的背景下，三星和SK海力士獲得了前所未有的定價權。高盛集團亞太區首席股票策略師Timothy Moe則預計，今年韓國股市約60%的盈利增長將來自半導體行業。在暫時不同的股價走勢背後，也是在AI領域選擇的不同發展路徑。富時羅素全球投資研究主管Indrani De指出，中國的優勢在於龐大的製造生態體系，這意味著可以非常迅速地實現規模化；韓國則專注於硬體領域，建構結構性優勢。富蘭克林鄧普頓全球投資的投資組合經理Yiping Liao也給出了類似觀點：“韓國高度聚焦於科技供應鏈中的某一個特定環節，而中國則更像是在試圖建構一個端到端、完整覆蓋的AI技術體系。”換言之，兩種路線中，一條專注於關鍵環節的技術深度與掌控力，另一條則偏向於系統整合與市場應用的廣度。更值得注意的是，在事關AI熱潮的全球討論中，阿里、騰訊這些網際網路大廠更頻繁的比較對象，是微軟、Google、Meta等矽谷巨頭們，對比維度也更聚焦於資本開支、AI變現等。在過去幾天，國內幾家網際網路巨頭都已陸續部署2026年發展規劃，AI均是核心發力點。例如騰訊創始人馬化騰表示，未來將大模型和AI 產品以一體化的方式來考慮，持續提升產品長期競爭力與使用者體驗；阿里提出“通雲哥”新概念，即“雲+AI+晶片”三位一體發展，充分發揮全端優勢；字節CEO梁汝波明確，2026年公司在AI上要“勇攀高峰”，短期核心目標聚焦豆包/Dola助手的應用落地。與此同時，隨著春節臨近，AI流量戰也已升溫：此前字節跳動旗下火山引擎已官宣成為央視春晚獨家AI雲合作夥伴，豆包將同步上線多元AI互動玩法；元寶、文心、千問也宣佈將於春節期間派送現金紅包，全力搶佔節日流量入口。長期而言，相較於將自己暴露於儲存晶片供需周期之中的韓國晶片廠商，中國網際網路巨頭在應用層面的優勢，或許能為自身提供更長期、更穩定的增長支撐。 (財聯社AI daily)

在全球資本市場緊盯 GPU 和高頻寬儲存器（HBM）的同時，NAND 快快閃記憶體儲器正悄然崛起，成為 AI 時代不可或缺的基礎設施資產。摩根大通（JPM-US，簡稱小摩）亞太區科技團隊在近期發佈的研究報告《半導體：NAND——更長、更強的上升周期》中指出，NAND 已進入由 AI 推理全面驅動的全新超級周期，其影響力可能超過以往任何一輪由消費電子推動的周期。過去 20多年，NAND 市場一直受供需波動影響。技術進步降低了成本，但廠商擴產又容易導致價格崩盤。小摩分析顯示，NAND 市場年均潛在成長率過去多在 7%～12% 之間，但預計 2025～2027年，這一數字將躍升至 34%，呈現前所未有的“斷層式”增長。更重要的是，這次增長不是單純靠出貨量堆積，而是“量價齊升”。小摩預計，今年 NAND 混合均價將上漲 40%，到2027 年價格仍能維持高位，僅小幅回落 2%。為什麼AI 推理能成為 NAND 的轉折點？關鍵在於推理階段的特殊需求：訓練階段強調算力和頻寬，HBM 無可替代；推理階段需要即時處理使用者指令，高速調取模型參數，延遲和上下文處理能力至關重要。隨著模型上下文擴展，GPU 內建 HBM 容量已捉襟見肘，行業開始引入 KV Cache Offloading 技術，把部分中間資料解除安裝到外部儲存。這讓企業級SSD（eSSD）從傳統“資料倉儲”升級為 AI 架構中的“二級儲存”，需求迅速增長。2024 年 eSSD 出貨量同比下降86%，刷新自 2012 年以來的紀錄。未來，AI伺服器單機儲存容量預計將超過 70TB，是普通伺服器的兩倍以上。到明年，eSSD 有望佔全球 NAND 需求總量的 48%，超過智慧型手機的 30% 和PC 的 22%，成為第一大應用場景。同時，HDD供應緊張也助推 NAND 上位。Seagate 和 Western Digital 因前幾年市場低迷大幅削減資本支出，導致大容量 HDD 交貨周期延長至兩年以上。面對“有貨優先於低價”的 AI 資料中心規則，客戶紛紛轉向 NAND，尤其青睞性價比提升的 QLC（四層單元 NAND）。雖然SSD 單位成本仍是 HDD 的 6～8 倍，但在能效和空間利用上優勢明顯，適合高密度 AI 資料中心。目前，SSD在“業務關鍵型”儲存領域滲透率僅 19%，還有很大提升空間。小摩估算，SSD 滲透率每提升 1%，即可為NAND 市場帶來約 20 億美元新增收入。值得注意的是，面對強勁需求和價格上漲，NAND 廠商並未盲目擴產。未來三年，產業資本支出佔銷售額比例將降至 15%～16%，遠低於過去十年的30%～50%，2018 年甚至高達 68%。原因在於技術瓶頸：NAND 堆疊層數已突破 300～400 層，刻蝕製程和晶圓應力控制難度極大，混合鍵合技術雖能緩解，但裝置昂貴且良率受限。市場預計，今年全球 NAND 晶圓產量僅增長 3%，而位元需求增速高達 21%，供需缺口將貫穿全年，支撐價格持續上行。原廠動作方面：鎧俠（Kioxia）：CBA 架構優勢明顯，BiCS 8 技術量產推動伺服器業務營收從 2023 年的 20% 提升至2027 年的 61%。SK 海力士（SK Hynix）：憑藉 Solidigm 在 QLC 和 eSSD 超大容量市場的統治力，以及 HBM 與 QLC 雙線優勢，長期看穩健。三星電子：雖然 QLC 佈局稍慢，但大產能和 V9 QLC 加速量產，有望收復失地，股價短期具備補漲潛力。美光（Micron）：推出 232 層 TLC 的 6500 ION 系列，以“性能接近 TLC、價格接近 QLC”的策略受益美國本土資料中心建設。雖然NAND 價格上漲過快，可能推高筆記本等終端 BOM 成本，壓縮品牌商利潤，消費者換機節奏或延緩。但小摩認為，這次由 AI 推理驅動的需求革命與供給剛性深度交織，構成真正的“超級周期”。NAND 已不再是 DRAM 的陪襯，而是 AI 體系中高速“熱資料”管理的基石。 (半導體脈)

一、“‘快通過了’這句話，真正含金量有多少”外界很容易把“接近認證”聽成一句定論。可對輝達這種客戶來說，認證更像一條長跑：到了最後階段，反而最怕“看似都對，偶發翻車”。這也是為什麼消息裡常出現“最後資格測試”“最終階段”這類字眼——它們表達的不是勝利，而是還在經受最嚴格、最挑剔的那部分驗證。HBM 的難處往往不在紙面指標，而在穩定性與一致性。樣品能跑，只能說明產品“可用”；客戶真正關心的是“可用能不能變成可供”。尤其是當它被裝進 AI 加速器體系里長時間高負載執行階段，溫度、功耗、良率波動、封裝堆疊後的穩定性，都會被放到顯微鏡下反覆看。到了這個階段，供應商拼的不是“亮眼參數”，而是把不確定性一點點擠出去。Reuters 的說法更具體：三星據稱計畫下個月開始生產 HBM4，目標是供給輝達；同時韓國媒體也傳出三星已通過輝達與 AMD 的資格測試、準備對輝達出貨。這些表述放在一起看，最穩妥的解讀是：三星已經進入“可被選用”的區間，但訂單規模、供貨節奏、以及能否長期穩定供貨，還要看後續爬坡的結果。二、九月送樣，拖到現在：這條時間線裡藏著什麼如果只看“9 月送樣—1 月接近認證”，有人會覺得進展很快；也有人會反過來覺得“怎麼還沒落槌”。其實兩種感受都正常，因為樣品交付並不是認證的終點，甚至連中點都未必算得上。送樣之後，真正耗時的是磨合：工藝要穩定、封裝堆疊要更穩、良率要往上爬；更關鍵的是，要跟客戶平台聯調，把“實驗室可行”變成“系統裡可用”。HBM 不是單獨賣出去的一顆晶片，它在整機裡承擔的是頻寬、功耗和可靠性的綜合職責，只要其中一個環節在邊緣條件下出現抖動，客戶就會要求再改一輪、再測一輪。所以，“進入最後資格測試階段”這句話的份量在於：產品大機率已經越過了“做不出來”的門檻，正在回答更難的那道題——能不能穩定地做成量產節拍。HBM 的勝負，往往就寫在這句樸素的話裡：能不能按時、按量、按質交付。三、輝達要的不是“更便宜的記憶體”，而是“供得上”的記憶體對輝達而言，HBM 是 AI 加速器的關鍵物料，不是“可替可不替”的選件。Reuters 提到，輝達計畫在其下一代 Vera Rubin 平台上使用 HBM4。這類平台級產品最怕的不是某一代晶片“貴一點”，而是供應鏈不確定：產能供不上、交付不穩定、或某個關鍵節點被單點風險卡住，都會直接影響產品節奏。這也是為什麼“多一個可靠來源”本身就能改變格局。過去一段時間裡，SK 海力士在先進 HBM 的供貨上更佔優勢，甚至出現過“接近獨家供貨”的市場印象；而三星在前一代 HBM 的供貨節奏上承受過壓力，這些都被 Reuters 點到過。當客戶被迫把希望壓在單一供應商身上，議價並不是最核心的矛盾，真正的矛盾是風險無法分散：產線波動、良率起伏、交付延遲，都會立刻變成系統性風險。從這個角度看，三星逼近認證線的意義，首先不是“誰取代誰”，而是客戶有機會把訂單分散開，供應結構更有彈性——這往往比價格更讓客戶安心。四、三星想翻身，SK 海力士想守擂：HBM4把牌桌又洗了一次三星在追趕，SK 海力士當然也在加速。Reuters 在 2025 年 9 月的報導裡提到，SK 海力士表示已完成 HBM4 的內部認證流程，並在為客戶建立生產體系；報導還提到 HBM4 引入更“客戶定製化”的 base die，使得跨供應商相容更難。這句話很關鍵：HBM 越往後走，越不像標準化大宗品，更像“半定製工程”。先行者越早把方案跟客戶一起跑通，後來的競爭者越難靠“同規格替換”輕易切走份額。另一邊，SK 海力士也在用擴產和節奏表態。Reuters 今年 1 月提到，SK 海力士為了應對需求，加快了新廠推進，並且客戶越來越傾向簽長期供貨協議，而不是一年一簽。長期協議的出現，意味著客戶的焦慮已經從“今年夠不夠”變成“未來幾年都不能斷”。這也解釋了為什麼三星追上來的消息會被放大：當需求變得更像“長期台階”，客戶自然更渴望多一個穩的供貨口子。而從市場份額的視角看，競爭強度也在上升。Reuters 在 2026 年 1 月初援引 Counterpoint Research 的資料稱，2025 年第三季度 HBM 市場份額中，SK 海力士約 53%，三星約 35%，美光約 11%。格局並非一邊倒，但“領先者的先發優勢”與“追趕者的窗口期”同時存在——HBM4 的認證節點，正好是兩股力量交匯的位置。五、財報電話會那一刻，提問的人只想聽一句“有沒有實錘”半導體行業裡，最有資訊量的往往不是“傳聞”，而是財報電話會上的措辭。因為管理層在那個場合很難隨意許諾：說多了容易被追責，說少了又會被市場按住追問。對於這次 HBM4 的進展，外界真正想確認的其實就幾件事，但問法會很直接：資格測試到底走到那一步了？“下月開始生產”意味著試產、爬坡還是接近穩定量產？如果進入供貨節奏，能不能持續交付、有沒有產能鎖定、有沒有長期協議？這些問題背後指向同一件事——HBM 不是一次性戰役，而是持續交付能力的比賽。而三星自己也在不斷釋放“要把 HBM4 做回來”的訊號。Reuters 1 月初報導提到，三星高層在新年講話中稱客戶稱讚其 HBM4，並提到“Samsung is back”等表述，同時也承認仍需繼續提升性能。這種話放在電話會語境裡，外界往往會盯住兩個點：一是客戶反饋到底對應那一階段（樣品、測試還是量產），二是“進展順利”背後有沒有更具體的時間表。 (視界的剖析)

AI帶動了2.5D封裝的CoWoS以及HBM的多層堆疊封裝，台積電CoWoS以及海力士HBM嚴重供不應求。台積電先進封裝業務的增長甚至比3nm/2nm等前段製程的增長來得高，這一切代表先進封裝在未來半導體產業鏈的重要度一直在提高。但以封裝為主業務的各大OSAT廠似乎在這波AI浪潮中漲幅嚴重滯後，未來先進封裝越來越重要，這對於OSAT到底意味著什麼？一切讓我們從整個產業的宏觀邏輯至上而下說一遍，大家就能明白了。封裝測試是製造晶片最後的一環，技術門檻較低，產值也較低。全球封裝大廠有日月光，安靠，矽品，長電，通富微，華天等。在測試環節，日月光，安靠同樣是測試大廠，國內最大的測試廠是長電。不涉及封裝只做純測試的有台灣京元電是全球最大純測試廠。以上這些被稱為傳統OSAT廠。接下來我們來聊聊這幾年大火的先進封裝AP，他與傳統封裝有啥區別？  在2010年前，行業開始匯入Wafer Level Packaging晶圓級封裝WLP，2010年後開始廣泛使用，這時期以fan in，fan out，fc-bga技術為主。所謂晶圓級封裝就是利用光刻、蝕刻等前端晶圓的半導體製程，對晶片裸片及互聯結構做精細化處理的封裝技術，因為牽扯到了前端的工藝，所以被稱為WLP晶圓級封裝。這也就是先進封裝的由來。晶圓級封裝雖然利用了前道工藝但都屬於好幾百nm到幾千nm的工藝，所以精度與前端相比低很多。OSAT廠做到大幾個um也就是大幾千nm的精度基本也沒太大問題，但是到了幾百nm的um以下就很困難了，但這卻是前段製程最拿手的。2012年左右，台積電的蔣尚義開始推廣chiplet概念，這是面對摩爾定律在7nm以下微縮越來越困難的一個重要分支技術。利用先進封裝，晶片間的整合效率反而成為效能提升關鍵，而不再是單純的電氣連接。晶片製造到了7nm以上，製程的線寬微縮有點力不從心，疊加先進封裝來增加電晶體數量自然是一個正確的技術方向。chiplet技術最簡單且形象的例子就是蘋果M系列晶片，兩顆die拼一起封裝的例子。到了2015年，CoWoS 異構整合技術開始成熟，但太貴了使用者非常少。最初只有打敗柯潔跟李世石的Alpha GO，採用了GoogleTPU2晶片正式CoWoS的早期產品，但出貨量不多，主要用來Google內部研發以及少量雲平台應用。Alpha GO是第一次讓人類能直觀看見AI能力的驚世傑作，以完全碾壓的姿態打敗全世界所有圍棋高手，2017在烏鎮以3:0打哭了世界第一的柯潔之後正式退役，停止與人類的對弈。在此之前的兩年，Alpha GO對戰全世界幾十名頂尖旗手共下了數百盤，只有在Alpha GO第一代產品被李世石的神之一手拿下對戰人類的唯一敗盤，當然李世石還是以4:1敗北，此後的二代Alpha GO又完全碾壓Alpha GO一代，人類至此在圍棋領域無法再看見AI的車尾燈。CoWoS正是AI催生的先進封裝技術，利用介質層把邏輯晶片與儲存晶片一起封裝的技術實現了晶片的近存算以外，且突破光罩尺寸的限制能把晶片不斷做大，這兩點正是CoWoS的精髓，妥妥為AI而生的技術。Deepmind的Alpha GO在2016年讓人類見識什麼是AI，AI能做什麼，一直又經過了7年，2023年ChatGPT才真正帶動了AI熱潮，CoWoS在台積電做了7年的冷板凳開始大火。AI帶動的還有儲存的HBM，同樣是用先進封裝技術發展而來，採用Dram die並大量做TSV孔然後多層堆疊，目前主流為8層與12層，未來會有16層。上述的先進封裝發展過程，我們可以發現一件事，跟傳統的OSAT廠幾乎沒有太大關聯。這裡的底層邏輯是先進封裝是採用前段製程的封裝技術，隨著先進封裝的前段製程要求越來越高，前段大廠的主導力自然越強，因為OSAT沒有前段的能力，就這麼簡單。傳統OSAT的先進封裝可以做到WLP的fan in，fan out，往後的chiplet涉獵就越來越少，到了CoWoS的2.5D階段業務量就更少了。上述先進封裝，尤其是涉及AI的，目前絕大部分都是台積電在做，同時英特爾的2.5D的EMIB，3D的Foveros，以及三星的i-cube與x-cube技術也發展多年，只是客戶都被台積電包圓。這一現象說明了先進封裝技術幾乎掌握在foundry前段晶圓廠手中，而不是傳統封裝廠。從實際業務來看，也幾乎是如此，傳統OSAT在這裡分不到多少殘羹剩飯。當然AI伺服器內部有許多晶片增量，有晶片就必須封裝，OSAT在AI時代的業績是穩物增長的狀態。直到2025年底，台積電對CoWoS擴產不積極，CoWoS訂單將外溢給安靠，日月光，矽品等OSAT廠，OSAT在此才有一段明顯的漲幅。也就是說如果沒有台積電不願擴產的外溢訂單，OSAT確實喝不到多少湯，這裡的主導核心在foundry，OSAT只是被動接收外溢訂單。AI的先進封裝領域，唯一例外是測試廠，因為台積電不做測試，所有AI晶片測試都給了京元電，這幾年京元電也大漲了好幾倍。海外主流OSAT這幾年也強力發展CoWoS技術，比如日月光、矽品跟安靠，但他們實際能做的只有CoWoS的oS段，因為他們沒有interposer的TSV技術，只能做bumping，未來台積電外溢的正是oS段的訂單。所以傳統OSAT在AI先進封裝的角色就是承接foundry不願意做的bumping，僅此。這點業務量跟他們傳統封裝的巨大業務量相比對業績的幫助不是很大。 所以我們看到不論日月光還是安靠都沒有因為AI大爆發而業績大爆發，股價表現相對其他AI題材的標的差了很多，正是這個原因。第二個因為AI大火的HBM，海外主流是Dram儲存大廠自己做，目前因為堆疊的先進封裝技術領先，所以海力士在HBM力壓三星，成了儲存新王。在國際主流市場，至今並沒有出現單獨封裝HBM的企業。HBM這一塊傳統OSAT連湯也喝不到。先進封裝利用了前段工藝，而且與前端的晶片製造關聯性越來越高，難度越來越大，所以先進封裝問世這十多年來，主導廠家變成了foundry，未來也一直會是foundry主導。傳統OSAT在先進封裝領域當然是想發展，但由於技術侷限，先進封裝更適合foundry向下相容，而非OSAT向上突破，OSAT在先進封裝話語權越來越小。這是一個行業明確的趨勢，連討論都沒有必要的趨勢，請大家謹記。不是先進封裝未來越來會越重要，就代表封裝廠未來在半導體產業鏈的重要度會越來越高，這完全不是一回事，很多人在此被誤導了。先進封裝與傳統封裝在商業格局，市場邏輯上截然不同，很多同學以為先進封裝也是封裝，代表半導體未來，所以紛紛去投資封裝廠，這是錯誤的觀點。國內市場的畸形加重了這一誤解。比如大家耳熟能詳的CoWoS以及HBM，這兩年因為AI大火被炒翻天，國內當然也一樣，但大A因為缺乏類似台積電或海力士的主標的，所以大A炒作的邏輯與國際主流完全不同。海外都是前段大廠一起把先進封裝做了，不論台積電還是海力士的HBM。  國內則不太一樣，CoWoS確實不是前段廠來做，這讓國內有炒作空間，再加上點訊息差。國內前段儲存大廠CXMT在HBM封裝上一開始有跟OSAT合作，但也僅是發展前期。CXMT在上海的HBM廠今年中就能投產了，未來國內HBM的封裝自然是前段廠自己做，跟海力士美光的的邏輯一樣。國內OSAT沒有太多機會。CoWoS跟HBM的封裝有8成是相似的，所以這兩個熱點在國內是可以相通，國內大型OSAT都有CoWoS以及HBM產能。  也因為國內這類傳統OSAT有產能，所以借AI大肆炒作先進封裝，尤其是CoWoS或者HBM封裝這兩個大熱點。但試問，全世界炒AI好幾年了，全世界沒有人會去炒OSAT廠？（除了去年底CoWoS的外溢訂單）怎到了大A，炒AI的先進封裝炒到了OSAT？啥邏輯呢？大A的OSAT針對AI先進封裝有幾個問題，情況比海外更為嚴峻。首先AI量級並不算高，全球AI晶片一年出貨1-2千萬顆，同樣屬於高性能的手機SoC有十多億顆，CPU有4-5億顆，AI的量極差太多了，但AI數量在急遽增長，且面積不斷快速放大，再過兩年AI的量級就能成為最大。但這是全球市場，對國內來說，AI明確是高增長，但量級沒辦法成為貢獻營收的主力。台積電AI的火熱，是他在AI上賺了兩筆錢，一個是前段的die以及後段的cowos兩筆費用，而且台積電集中了全世界所有的量，全在他一家手上，無一遺漏。如果把台積電的前段跟後段分別拆開，2026年AI晶片前段營收在135億美元左右，後段62億美元左右，大致是2:1，未來前段會從4nm跳到3nm，ASP大幅提高，所以2026年會變成270億跟110億，也就是2.5:1。今天我們主要聊先進封裝，所以只看CoWoS ，2023年台積電cowos營收不足10億美元，2024年25億，2025年62億，即便營收多年不斷翻倍，在台積電營收佔比都是低個位數。2026年CoWoS會破百億，單單CoWoS營收佔比也只是7％左右。所以台積電即便擁有全世界所有AI先進封裝的量，多年來不斷翻倍又翻倍，又加上面積不斷放大的超級加成，CoWoS在台積電也還是低個位數佔比的一項業務。如果不去計算，大家還以為每年翻倍又翻倍的CoWoS將有多不得了的佔比，即便從2023到今年2026，不斷翻倍了4年，佔比還是個位數。而國內的AI又是什麼情況？首先國產AI晶片數量上，只有佔全球GPU+ASIC的5%左右，數量上更少，而且國內是前段晶片跟後段封裝分開的情況，無法向台積電一家獨拿全球AI的大部分額度。更重要的是國產封裝技術面積一直處於初期階段，die 面積無法做大，interposer無法做大，所以不會出現像台積電那樣，數量上一直翻倍，面積上又一直翻倍的超級加成效果。國產AI晶片，未來的趨勢反而是降低面積去換良率，這對不論前段還是後段封裝來說都不是有利的，但沒辦法，做大了良率不行，只能慢慢來。以2025年國產AI晶片出貨量在125萬顆的水平來算，大約需要3.5萬片CoWoS，每片CoWoS大約7500美元，其中interposer佔2500-3000刀。  所以國內cowos封裝總產值，扣除interposer之後是3.5萬*5000刀=1.75億美元，這才是整個中國針對AI CoWoS封裝廠的產值。事實上，國產AI晶片也不完全是在國內做CoWoS，我們測算就全部都用樂觀數字，100%在國內做來算。2026年國產AI晶片出貨翻倍的話，CoWoS封裝產值也只是3.5億美元的水平，2027年5-6億美元左右。整個中國的CoWoS的產值就是如此，我這個數字只會多不會少。 這數字大家可以根據盛合招股說明書中的業績來應對，幾乎是吻合的。因為筆者每個環節都用樂觀的較多的資料去計算，注意是每一個環節，所以最終加成出來的只會多不會少。  當然這數字是不包含interposer。國內CoWoS跟台積電能一直漲價的邏輯也不同，國內是前段跟後段分開沒錯，但目前好幾家建設CoWoS產能，產值極限我們剛才已經算過了，所以未來產能建設會比實際需求多不少，如此一來，國內CoWoS向台積電一直漲價就很難了，未來更大機率是低價搶單的可能。再來算下HBM的封裝產值，首先國產HBM的進度自然是比國產AI晶片落後，因為初期國產AI晶片還是會以三星海力士的HBM為主，國產HBM無法跟國產AI晶片出貨量同步。預計2025年有少量HBM2出貨，2026年推進到以HBM2e為主，但出貨量也不會太大，因為HBM2跟2e技術差太多，國產AI晶片不會大量採用。筆者預計2027年國產HBM進入HBM3時代才會開始放量，2025以及2026技術攻關以及拉良率，累積經驗練手為主。根據筆者之前公佈的出貨模型（知識星球有詳細模型），2027年國產AI用降低晶片面積的方法，提高良率，出貨200萬顆左右（single die 400萬），每顆配8個國產HBM3，等於需要1600萬顆HBM3。事實上，國產AI晶片不可能全部採用國產HBM，只有低端國產AI晶片才會用，畢竟代差擺在那，Ascend，MLU還是得想辦法買到先進的HBM3e以上的貨。2027年HBM3屬於落後2-3代產品，單價我們樂觀計算跟現在的1500-2000人民幣相同，其中大部分都是前段Dram die跟TSV的費用，後段堆疊封裝預計在每顆200人民幣左右。所以2027年，國產AI晶片出貨200萬顆（single die 400萬），總共需要1600萬顆HBM，如果這些國產AI晶片全部採用國產HBM，那HBM的封裝產值就是1600萬顆*200=32億人民幣。但實質上不可能全部國產AI晶片都採用國產HBM，如一半使用國產HBM，那封裝產值則在16億人民幣左右。之前我們推算，2027年CoWoS為6億美元約42億人民幣，再加上HBM封裝的16億產值，2027年樂觀計算，中國市場AI帶來的所有先進封裝產值在58億人民幣左右。我們從需求端，算出了全國總產值後，再來看看各家如何分配。CoWoS預計還是盛合佔大頭，我們算7-8成，也就是30-35億，其他OSAT分剩下的不到10億。HBM的話，2027年CXMT上海唐鎮的芯浦天英也早量產了，估計大部分都是自己做了，剛才算了2027年一半用國產的話，全國HBM封裝大約16億的封裝產值。這16億的總產值，CXMT自己必然會遠超一半，剩下的OSAT在去分。所以OSAT能分多少？2027年武漢XMC的TSV產能也早會開出來，他們可能自己也做堆疊封裝，作為國內非CXMT系統的另一個Dram供應來源，最終也是自己做HBM。所以HBM這個炒翻天的題材，OSAT要跟上游乞討剩下的飯吃，未來已經很明確HBM封裝這一塊真沒有OSAT的空間。國產HBM的封裝產能，近期建設的不少，但並非OSAT建了多少產能，未來就會有多少業績，壓根不是如此。這一點是國內賣方最離譜的部分，總是誤導建了多少AI封裝產能將來就會有多少營收，妥妥的騙傻子，需求是一回事，產能是一回事。賣方的邏輯是，大家看這兩年海外台積電CoWoS與海力士HBM產能一直緊缺，一直以來就是有多少產能就能做多少業績，嚴重供不應求。但是國內的情況壓根不是如此，邏輯更不是如此，國內是妥妥的供大於求，而且業績也是高度集中，可不是所有有產能的OSAT都能雨露均霑。一切的核心在國產AI晶片的出貨量。有多少國產AI晶片出貨才有多少國產CoWoS以及HBM，但大家都清楚，國產AI晶片與輝達差較大，國內CSP主力還是以輝達為主，搭配部分國產AI晶片，這幾年國內AI晶片增幅很高，是因為基數低，這個量級對製造端的助益不是太大。要知道封裝行業的訂單都是幾億顆談的，AI這種幾萬，幾十萬顆單價再高也沒有太大作用。國產AI晶片的出貨量，筆者之前文章都有詳細的測算，2025年125萬顆，2026年200萬顆，2027年400多萬顆，2028年增加到600萬左右，筆者模型的國產AI晶片增幅已經足夠恐怖。我們剛才的業績測算，2027年整個中國AI先進封裝的產值只有58億，是基於如此高增長的AI出貨背景，但每年不斷翻倍的增長，在2027年國內針對AI的先進封裝也才不到60億這一點產值。與之想比的是賣國產AI晶片的，一顆ASP10萬人民幣，400萬顆是4000億人民幣的產值，所以AI絕大部分產值在寒武紀這類fabless，少部分在前段的foundry，到先進封裝那就更少了。我們再以輝達的blackwell來比喻，輝達一顆賣3.5萬，成本大約是，台積電的前段die是每顆的成本大約是1000，cowos大約450一顆，HBM每顆420刀*12顆＝5000美元，再加上PCB以及各種模組算500。一顆blackwell（不含伺服器元件）輝達售價3.5萬，台積電海力士等佔7000美元，其中先進封裝只有cowos的450+HBM單封裝的500=950美元。也就是說先進封裝佔AI晶片售價的0.95k/35k=2.7%，佔整個晶片製造成本0.95k/7k=13.5%。 這個比例是海外AI晶片的比例。國內AI晶片，die不一定都是國產，HBM更是大比例採購進口的，所以國內先進封裝在每一個國產AI晶片的產值會比上述blackwell的比例低不少。重點是才這點產值，海外是單一家巨頭壟斷一項，而國內是大部分還要被前段廠家佔據，剩下的是好幾家OSAT去分。國內的CoWoS會好點，因為很多是在海外流片做die，送回國內做cowos ，基本國產AI晶片出貨可以百分百對應。國產HBM因為可以買到三星的HBM，且國產有代差，所以國產HBM出貨與國產AI晶片的出貨並非100%對應關係，可能是是50%也可能是60%。不會像國產cowos對應度接近100%。國產HBM的利多只有CXMT這樣從上到下一條龍的廠家能獲利，所以筆者很看好CXMT未來的IPO，HBM的封裝還是會跟海外一樣，由海力士或者鎂光這類大廠來做，對外釋放的HBM封裝外包產值低得可憐。其實這幾年全球炒作AI，大家都清楚CoWoS或者HBM是最大熱點，所以國內有相關的題材都往死裡炒。但從業績上看，AI帶來的封裝產值遞延到OSAT廠真的不多，就拿2027年整個中國所有AI的封裝產值才58億人民幣來說，這數字我剛才計算全部都是給了高的測算標準，也才這麼多。2027年全中國封裝產值必然是超千億水平，AI也就5-60億。這點產值，別說好幾家分了，就算全部歸一家也不多，國內最大OSAT營收都快接近400億了。國內前兩大OSAT，目前營收接近400億以及300億的營收，去瓜分總金額60億，大頭還要被上游後分完後，剩下的那點殘羹剩菜，對他們的業績能有多大幫助？對國內OSAT來說AI只有題材炒作，不會有太大業績作用。事實上，從2024年第二季度開始，國產晶片出貨開始大增，越來越多國產品牌願意使用國產晶片，但大部分都集中在成熟製程晶片，而成熟製程才是真正有量的業務。所以國內的成熟製程以及封裝廠的產能利用率從2024年至今節節攀升。這帶動了國內成熟製程整個產業鏈，前段晶圓廠的稼動率維持在高檔，後段的傳統oast廠稼動率也同樣在高檔。大家的業績因為晶片的國產替代一直在提升。所以說從2024年到至今，傳統OSAT的業績增長是來自於明明確確的國產晶片替代，但這個晶片替代以成熟製程為主力，跟AI那一點點封裝產值沒有太大關係。國內賣方推票把這兩年OSAT不錯的業績增長跟AI熱點掛鉤，這是妥妥的斷章取義。千萬別把這段時間以來，國內OSAT的業績增長以為是AI帶來的，AI封裝的量，對OSAT來說基本上是忽略不計的量。海外OSAT這幾年也沒有因為AI大漲，都是漲在前段台積電跟海力士，唯一大廠沒染指的測試廠京元電因為AI大漲，海外OSAT只能等待台積電外溢的CoWoS才出現不錯的漲幅。國內的OSAT這兩年業績增幅挺不錯，是因為國產成熟製程晶片被大量使用帶來的業績增長。這一點大家得搞清楚，我知道有太多人在這方面搞混了，所以我今天這篇文章會從上到下向大家解釋這樣才能搞明白，確實有太多點會被曲解跟誤讀。OSAT的業績絕對大頭是傳統封裝，WLP封裝能做但也只是初期的那些fan out，未來AI給他們帶來的業績增量也不會太多，因為傳統業務才是他們的重中之重，AI量級太小。不過盛合這類只做先進封裝以及cowos的封裝廠，很大一部分業務在AI，雖然營收比傳統OSAT小很多，但AI佔比較高，IPO之後的估值肯定會非常不錯，必須像盛合這種沒有傳統封裝業務，都是先進封裝以及CoWoS佔比高的才有高估值的機會。盛合本來就是中芯國際跟長電合作的先進封裝廠，以前叫中芯長電，2014年成立，AI還沒火之前也有一些chiplet業務，2021年更名，中芯與長電基本賣出股份退出股東序列。傳統OSAT本來就不是先進封裝的主導者，不論海外還是國內市場都一樣，現在大A給國產OSAT的估值已經足夠高也足夠離譜了。大家不妨去看看日月光跟安靠的PE。但好在國內OSAT廠業績這幾年還是能隨著國產化不斷提升而獲利，業績是實打實往上走的。大A的估值倒不需要去掛靠海外同行，大A自有國情在這一點沒問題。只能怪國內的賣方，整天瞎吹，硬把CoWoS跟HBM題材瞎掛靠，但也沒辦法，國內確實沒有台積電海力士這樣的標的，賣方也只能瞎吹。正是這種情況，誤導了太多人因為AI的先進封裝去買OSAT這是錯誤的。同時市場也認為國內OSAT大廠漲的不離譜，PE比其他炒翻天的合理很多，很多投資者把OSAT視為比較安全的投資標的。再加上這幾年國內封裝大廠的業績也一直在增長，產能利用率維持高檔，所以炒OSAT順理成章，但效果就是股價一直漲不上去，炒不動，因為他的業績是因為國產化逐漸提升，而不是因為AI大幅度提升，沒有基本面的強力支撐，股價當然炒不上去。而且對比國際OSAT龍頭大廠20多倍的PE，咱們60倍以上的PE，基本也符合大A的國情了，要再上去也難。總而言之，大A的OSAT業績未來還會往上走，股價我說不明白，但不要因為AI，CoWoS，HBM這些火熱的題材去買OSAT ，因為真心關係不大，這跟在海外也不會有人因為AI去買日月光跟安靠是一樣的道理。 (梓豪談芯)

瑞銀警告，生成式AI擠佔晶圓產能，DRAM供應正向HBM傾斜，汽車級記憶體面臨漲價與短缺雙壓，衝擊或自2026年二季度顯現。基準情景下零部件商EBIT下滑5%-6%，極端情景或驟降24%。集中式計算架構車企與電子、ADAS佔比高的供應商風險最大，2026-27年或出現“技術斷層”。瑞銀最新發佈的全球汽車行業研究報告顯示，一場由DRAM（動態隨機存取儲存器）晶片引發的供應鏈震盪正逼近汽車產業。受生成式AI爆發導致全球晶圓產能向高性能晶片傾斜的影響，汽車級記憶體晶片正面臨價格暴漲與供應短缺的雙重擠壓，其負面衝擊預計將從2026年第二季度開始顯現。瑞銀指出，全球三大DRAM供應商三星、SK 海力士和美光為追求更高利潤，正將產能重心轉向AI伺服器所需的高頻寬記憶體（HBM）。這一戰略調整直接擠壓了汽車級DDR記憶體的供給空間。截至報告發佈時，DRAM晶片價格已上漲超100%，且漲勢預計將持續傳導至汽車級產品，導致汽車業在技術過渡期內面臨嚴峻的供應真空。瑞銀模型顯示，在DRAM價格大幅上漲且成本無法完全轉嫁的壓力下，零部件供應商的盈利能力將遭受顯著打擊。基準情景下（DRAM晶片漲價120%、OEM成本回收比例80%），瑞銀測算得出汽車零部件供應商2026年EBIT將下滑5%-6%。若進入更悲觀的極端情景——DRAM漲價幅度擴大至200%，且OEM成本回收比例降至50%，EBIT下滑幅度將飆升至24%，盈利縮水規模可達4.8億歐元，接近其原本EBIT規模的一半。對於整車廠而言，衝擊呈現出滯後性與結構性特徵。雖然目前暫無供應中斷跡象，但未來12-24個月內供應鏈穩定性堪憂。特別是採用集中式計算架構的高端品牌及新勢力車企，因單車DRAM含量較高，將面臨更大的成本波動風險。產能擠壓與技術斷層造成此次危機的核心原因在於全球半導體資源的重新分配與技術迭代周期的錯配。自2025年起，AI伺服器對HBM的需求激增，促使佔據全球超90%市場份額的三大供應商調整晶圓分配。由於汽車級DRAM與AI晶片共享全球矽晶圓產能，每一塊分配給HBM的晶圓，都意味著汽車DDR記憶體產能的縮減。與此同時，汽車行業正處於從DDR4、LPDDR4等舊技術向DDR5新技術切換的過渡期。供應商正逐步淘汰舊技術產能，但汽車業完成新晶片的測試、驗證及採購流程通常需要2年以上。這意味著在2026年至2027年間，汽車業將面臨舊晶片供給收縮、新晶片尚未普及的“技術斷層”。EBIT或面臨雙位數下滑對零部件供應商的盈利衝擊，是瑞銀測算的核心重點。以歐洲為例，瑞銀通過建構財務模型，量化了DRAM漲價對零部件供應商的具體衝擊。測算選取了一家年銷售額200億歐元、EBIT利潤率為5%的通用零部件供應商作為基準樣本。在基準情景下，假設DRAM晶片價格上漲120%，且供應商能夠從整車廠（OEM）回收80%的上漲成本，該企業的2026年EBIT預計將下滑約5%-6%，盈利規模直接縮水約1-1.2億歐元。然而，在更為悲觀的情景下，若DRAM漲價幅度擴大至200%，且成本回收比例降至50%，EBIT下滑幅度將飆升至24%，盈利縮水規模可達4.8億歐元，接近其原本EBIT規模的一半。這一測算結果表明，零部件供應商的盈利安全墊正在變薄。瑞銀強調，電子及ADAS（高級駕駛輔助系統）業務佔比越高的企業，風險暴露度越大。在歐美市場中，Visteon和Aumovio（原大陸集團汽車業務）的相關業務佔比超過50%，成為受DRAM風暴影響最為直接的企業。整車廠的結構性風險對於整車廠（OEM）而言，DRAM成本佔整車售價的比例雖然不高，但隨著智能化水平提升，單車DRAM含量已達到25-150美元，高端車型甚至更高。瑞銀指出，特斯拉、RIVN等採用集中式計算架構的企業，因其高階智駕與智能座艙系統對記憶體容量需求巨大，受影響更為突出。儘管目前尚未出現大規模的供應不穩定或價格重談，但瑞銀警告，汽車業在與財力雄厚的科技巨頭爭奪DRAM產能時缺乏優勢。長期來看，漲價帶來的成本壓力可能引發冗長的追溯性補償談判，從而加劇整車廠的財務波動。在應對策略上，瑞銀認為現有庫存和長期採購合同僅能提供短期緩衝，長期解決方案需依賴2028年後的產品重新設計。從市場資料看，2026年全球DRAM行業收入預計將同比增長148.4%至366億美元，供需缺口將持續存在，DDR記憶體每Gb均價預計將達0.92美元。 (invest wallstreet)