IT之家 7 月 23 日消息，據SK 海力士當地時間昨日提交的披露檔案，該公司董事會同日批准了對位於韓國忠清北道清州市的 HBM 先進封裝後端晶圓廠 P&T7 的新一期 7 兆韓元投資（IT之家註：詳細資料為 70931 億韓元，匯率約合 324.72 億元人民幣）。 參考韓媒 THE ELEC 報導，SK 海力士表示 P&T7 項目總投資 19 兆韓元的計畫並沒有改變，新批准的 7 兆韓元旨在縮短潔淨室啟用時間，加速產能落地。 清州 P&T7 佔地面積 23 萬平方米，總潔淨室面積約 15 萬平方米，其中三層共 6 萬平方米為 WLP（晶圓級封裝）生產線，七層共 9 萬平方米為WT（晶圓測試）生產線。 (IT之家)

聊海力士，得從一場“瀕死體驗”開始。 這家公司最早叫現代電子，1983年由現代集團成立。當時韓國政府把半導體當戰略產業猛推，現代電子衝進去就是干，沒多久就成了DRAM大廠。但步子邁太大容易扯著蛋，1997年亞洲金融危機一來，現代電子直接跪了——債務高築，DRAM價格雪崩。 更慘的是，1999年它被政府強行要求吞併LG半導體，接下了一大筆債務。2000年網際網路泡沫又碎了，全球半導體銷售額直接砍掉三分之一。2001年，公司灰頭土臉改名海力士半導體，徹底脫離現代集團。但那會兒它基本等於破產，靠韓國銀行團救助續命，2002年差點被美光30億美元撿漏買走。最慘的時候股票跌成“銅錢股”，賤到沒人要。 為了活下來，海力士把手機、顯示器、總部大樓全賣了，最後只剩下記憶體晶片這一條褲衩。這種“斷臂求生”的慘烈，把這家公司徹底逼成了純粹的記憶體晶片玩家。

最近幾年，記憶體行業經歷了一輪幅度很大的景氣變化，AI又把HBM、伺服器記憶體和資料中心記憶體推到了更重要的位置。無論研究科技產業發展，還是尋找產業鏈投資機會，記憶體都已經成為一個越來越繞不開的方向。 接下來幾篇系列文章會全面深入的聊聊記憶體。我會先從最基礎的DRAM、NAND、HBM和SSD開始，之後幾篇會依次復盤過去幾輪記憶體周期，解釋記憶體行業為什麼長期具有很強的周期性，最近幾年發生了什麼、為什麼多個記憶體品類同時出現價格上漲，以及AI會怎樣改變記憶體行業原有的周期結構。最後會分別研究三星、SK海力士、美光等海外記憶體巨頭，中國記憶體產業的發展位置，兆易創新等中國公司的具體情況，以及原廠、裝置、材料、封裝和控制晶片分別對應怎樣的產業和投資機會。 第一篇先從整個記憶體行業的基礎地圖開始。 記憶體行業裡有很多非常容易混淆的概念。DRAM和DDR是什麼關係？HBM為什麼也屬於DRAM？NAND和SSD有什麼區別？3D NAND和HBM都涉及垂直堆疊，兩者的技術原理又有什麼不同？這些概念一旦混在一起，後面討論記憶體價格、行業周期、AI需求、公司競爭甚至產業鏈投資時，很容易錯把不同層級的問題放在一起分析。

或許我們對當前的內存危機過於擔憂。 據TrendForce預測，明年NAND閃存的供應增長將超過需求，供應限制將在2027年下半年緩解。又或許我們擔憂得還不夠：Adata董事長表示，DRAM短缺將持續十年，內存和電力將成為全球最稀缺的兩種資源。 TrendForce 最新發布的 NAND 閃存報告對於那些希望 SSD 價格最終回歸正常水平的用戶來說，無疑是個難得的好消息。這家分析公司表示，由於人工智慧需求的蓬勃發展與產能擴張的侷限性相沖突，市場在 2026 年仍將持續供不應求，供應缺口預計在 4% 到 5% 之間。 值得慶幸的是，這種情況有望在明年下半年開始好轉。供應商正在轉向更新的製造工藝，穩步提高位元產量，並有選擇地升級現有生產線。中國製造商也在安裝新設備，預計這將使其在全球NAND位元產量中的份額提升至近19%。

行業深度研究之記憶體基礎篇（1）：圖文詳解DRAM、NAND、HBM等記憶體技術的前世今生和半導體記憶體基礎篇（2）：圖文詳解從記憶體單元到最終產品，記憶體產業鏈是怎樣形成的？這兩篇，從最基礎的位元、記憶體單元開始，梳理了DRAM、NAND、DDR、HBM和SSD之間的關係，這是研究整個記憶體行業需要的基礎。這一篇要進入"記憶體的週期"這個更核心的問題。 全球產生的資料越來越多，手機、電腦和伺服器配置的記憶體容量長期都在增加，DRAM（動態隨機存取記憶體器）和NAND Flash（與非型快閃記憶體）的長期需求也一直向上。但過去二十年，記憶體行業依然反覆經歷短缺、漲價、擴產、過剩和暴跌。 2017年行業還在討論記憶體超級週期，2019年已經進入明顯的供應過剩和價格下跌。2021年市場還在擔心缺貨，到了2022—2023年，客戶庫存調整和價格下跌又把行業推入新一輪低谷。 而到了這一輪AI週期，市場又開始出現一種熟悉的聲音。HBM和高端DRAM需求持續增長，AI伺服器需要越來越多的高速記憶體，記憶體行業可能長期處於供應緊張狀態。美光在2026財年最新業績會上進一步預計，DRAM和NAND的供應與需求緊張狀態可能持續到2027年以後。

據英國《金融時報》7月20日報導，半導體類股此前持續暴漲的行情已然止步，投資者開始警惕一個老生常談的風險：周期屬性極強的記憶體晶片行業或將再度陷入產能過剩。 儘管三星電子最新季度業績指引好於市場預期，但該股股價較6月高點已下跌1/3；SK海力士美股上市表現亮眼，但其韓國本土股價暴跌近40%；美光股價跌幅也超30%。 股價的劇烈波動，折射出當下一場高風險博弈：一邊是人工智慧（AI）數據中心催生海量記憶體晶片需求，另一邊是各大廠商斥巨資大舉擴產、供給持續放量。如今半導體企業市值躋身全球前列，這場供需博弈的最終走向，將影響數百萬投資者的收益。 首爾成均館大學教授權錫俊警告，若AI需求不及預期，幾大記憶體巨頭的擴產規劃或將在2028年推高行業庫存，引發供給過剩。

Kimi K3的線性注意力雖引發對硬體需求的短期擔憂，但SemiAnalysis指出，其超2.8兆參數與大規模推理架構，反將加劇對高端GPU、HBM及高速互聯的需求。專家並行設計推高晶片間通訊壓力，而線性注意力帶來的成本下降，或借傑文斯悖論（效率提升刺激應用擴張）推動AI規模化落地，長期支撐基礎設施持續增長。 月之暗面旗下大模型Kimi K3採用線性注意力機制，引發市場對$輝達 (NVDA.US)$、HBM以及網絡設備需求可能受到削弱的擔憂。 不過，半導體研究機構SemiAnalysis近日給出了截然不同的判斷：K3龐大的參數規模和推理架構需求，不僅不會削弱高端AI硬體需求，反而可能進一步強化對輝達高端GPU、HBM以及高速互聯設備的需求。 SemiAnalysis指出，K3參數規模超過2.8兆，模型權重容量超過1.5TB HBM。即便在相對有限的用戶併發場景下，KV緩存仍需要大量卸載至CPU DDR5內存及NVMe記憶體，HBM空間並不會出現明顯富餘。

Morgan Stanley HBM & NAND 供需報告拆解。當 AI 把記憶體從通用商品變成戰略物資，缺貨是數字算出來的。 Morgan Stanley 最新一份記憶體供需模型，把 AI 對 HBM 和 NAND 的吞噬用數字攤開了。基本結論可以用兩句話說完：HBM 市場從 2023 年的 30 億美元漲到 2027 年的 940 億美元；整個 DRAM 市場充足率 2026 年跌到 -17%，NAND 2026 年跌到 -15%。這不是某個產品線的局部緊張，而是 AI 把記憶體算成了瓶頸。 圖 1｜DRAM/NAND 倉庫門口：NVIDIA、Google、Amazon、Microsoft 排隊等庫存 一、　先算總帳：HBM 四年從 30 億走到 940 億