#HBM
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你對新型記憶體瞭解多少？

2026年，全球記憶體行業正處在十五年一遇的超級景氣周期，AI算力爆發帶動全賽道供需緊缺，但市場熱度集中於HBM、高端DDR5、企業級SSD等迭代產品，依靠工藝微縮、三維堆疊、頻寬擴容實現性能升級，但這類最佳化均屬於傳統記憶體體系內的存量改良，只是對現有架構的修修補補，無法突破材料物理極限。 隨著AI推理、高頻快取、海量即時資料處理場景落地，傳統記憶體架構的底層缺陷持續放大，行業增長瓶頸肉眼可見。行業轉型關鍵期，以MRAM、PCRAM、ReRAM、FRAM為代表的新型非易失記憶體，依託磁矩、相變、阻變、鐵電極化的全新物理機理重構資料記憶體邏輯，從根源破解算力損耗與延遲難題，成為適配下一代AI算力、重構新型算力架構的核心底層支撐，也推動記憶體產業正式從“架構內卷迭代”邁入“底層介質革命”的全新周期。 傳統記憶體漸漸“不夠用”，新型記憶體破局而出 這場產業層面的介質革命，核心動因源於當下高端算力場景對傳統記憶體體系的徹底倒逼。
你對新型記憶體瞭解多少？
科技#AI算力#HBM#DDR5
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從HBM到CPO再到存算一體：3D整合的下一張拼圖

從HBM到CPO再到存算一體：3D整合的下一張拼圖 如果只盯著HBM，你會以為先進封裝的終局就是"把記憶體堆得更高"。但真正的前沿，已經在拼一張更大的圖——"芯光存"三維空間整合：HBM解決"記憶體頻寬"、CPO解決"互連頻寬"、存算一體解決"算力效率"，三者拼在一起，才是後摩爾時代"3D整合"的完整圖景。台積電的COUPE光互連平台已經幫博通的102.4Tbps交換機、輝達的光子交換機送樣；三星的PIM存算一體，頻寬做到LPDDR5X的2-3倍。先進封裝5年後的終局，不是"更高的HBM"，而是"記憶體、光、算"在三維空間裡的重新組合。 一、趨勢演進：從HBM堆疊，到"芯光存"三維空間整合 先看清封裝這條演進的主線。
從HBM到CPO再到存算一體：3D整合的下一張拼圖
科技#HBM#CPO#三星
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野村：科技“避風港”是記憶體？估值只有2-3倍！

科技巨頭AI軍備競賽持續升溫，自由現金流加速惡化，而記憶體晶片製造商卻在悄然積累現金。野村認為，當前市場對記憶體類股的定價存在根本性誤判。記憶體短缺將延續至2028年，股東回報進入增長周期；但市場僅給予三星、SK海力士2027年2-3倍預期市盈率，隱含盈利見頂預期，估值錯位或帶來配置機會。 野村認為：市場正在用“周期頂部”的估值框架，為一個“結構性短缺尚未見頂”的資產定價。2—3倍的2027年預期市盈率，隱含的是記憶體盈利即將見頂並快速回落的假設；但野村認為，供給端的物理約束、需求端的結構性擴張以及合約形態的變化，共同指向一個至少延續至2028年的緊缺窗口，而記憶體廠商的股東回報周期恰恰才剛剛開始。 一、供給端：短缺不是“意願問題”，而是“物理問題” 理解野村判斷的關鍵，在於本輪供給約束的性質與此前周期有本質區別。
野村：科技“避風港”是記憶體？估值只有2-3倍！
科技#記憶體晶片#HBM#供應短缺
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AI算力股集體腰斬：兆美元基礎設施投資，終於有人開始追問回報率了

AI算力股集體腰斬：兆美元基礎設施投資，終於有人開始追問回報率了 從CoreWeave、Arm到SK海力士，AI產業鏈多隻股票較52周高點回撤超過50%。市場並不是突然不相信AI了，而是開始追問一個更現實的問題：砸進去的每一美元，究竟什麼時候能夠賺回來？ 2026年11月1日，再看過去幾個月的AI資本市場，有一個變化越來越明顯。 AI產業還在增長，但投資者已經沒有過去那麼興奮了。
AI算力股集體腰斬：兆美元基礎設施投資，終於有人開始追問回報率了
科技#CoreWeave#HBM#AI算力股回撤
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三星電話會：記憶體短缺或至2028年，AI需求從HBM擴展至SSD，內存商業模式正徹底重塑

三星電子預警，HBM供給緊張將延伸至2028年，疊加建設周期拉長、HBM die尺寸擴大等結構性約束，新增資本開支難以快速轉化為產能。與此同時，Agentic AI浪潮正將記憶體需求從HBM全面蔓延至服務器SSD，公司2027年HBM供貨已按目標價售罄，卻仍持續收到大客戶額外請求——供不應求的時代遠未結束。 AI基礎設施投資浪潮持續深化，三星電子在最新業績電話會上發出迄今最強硬的供給短缺預警——記憶體市場緊張局面不僅將貫穿2027年，更可能延伸至2028年。與此同時，AI需求的邊界正在從高帶寬內存向服務器SSD全面擴張，推動三星重構其內存業務的底層商業邏輯。 在10月29日的三季度業績電話會上，三星內存全球銷售與營銷執行副總裁Jaejune Kim明確表示，儘管行業資本開支將在2027年大幅增加，但受制於建設周期、設備交期拉長、HBM die尺寸擴大及製程層數增加等多重因素，新增產能難以在短期內有效轉化為bit產量，"供給緊張將延續至2028年"。三星2027年HBM供貨量已按目標價格售罄，但仍持續收到大客戶的額外需求請求。 此前業績數據顯示，三星在三季度首次實現單季營業利潤突破100兆韓元，營收195.3兆韓元、營業利潤107.44兆韓元均創歷史新高，連續第四個季度刷新紀錄。公司預計2026年全年資本開支將達84.4兆韓元，較2025年增加約60%，其中晶片資本開支佔比超過九成，押注AI記憶體與先進製程的長期增長。
美股#三星電子#業績電話會#股東回報
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記憶體晶片下跌只是剛剛開始

今年我們經歷了記憶體晶片大規模的上漲，這給半導體產業帶來了虛假的繁榮，也嚴重打擊了全球資訊產業的發展。 今年以來，我已經發佈過數篇文章，分析這件事情，對於說記憶體晶片短缺要延續到 2028 年，會一直出現短缺的情況，我是非常不同意的，這是一種無知的炒作，是資本為了掙錢搞的把戲。我相信每一輪記憶體晶片的炒作，一般都在 1 年左右，不可能長期持續，今年年底、明年年初，記憶體晶片大規模的短缺一定不是必然。 現在的市場情況基本證實了我的判斷，記憶體晶片的大跌只是開始。 1.根本不存在一個人工智慧高速度發展，帶來大量記憶體晶片需求的市場格局。人工智慧的發展確實帶來了HBM的需求增長，但是這種主要用於資料中心的晶片，需求量增長是有限的，不可能長期持續的增長，資料中心建設基本完成之後，這種增長就會放緩。
記憶體晶片下跌只是剛剛開始
科技#記憶體#晶片#半導體
講到內地可以製造HBM一樣，你了解清楚先吹啦
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SK海力士交出亮眼業績，摩根大通、花旗與Wedbush齊聲唱好

SK海力士三季度營業利潤83.3兆韓元創紀錄：100兆股東回報落地，Wedbush、摩根大通與花旗齊維持買入。 $SK海力士 (SKHY.US)$交出一份創紀錄的三季報，並同時拋出一份遠超市場預期的股東回報方案。摩根大通與花旗在10月28日的報告中雙雙維持看多評級——摩根大通維持增持、目標價275萬韓元，花旗重申買入、目標價300萬韓元，Wedbush將目標價從256萬韓元上調至300萬韓元、維持「跑贏大盤」評級。 周三，SK海力士在韓國上市的股票上漲超10%，至每股148.7萬韓元，而其在美國上市的美國存託憑證盤初漲近11%。 量與價雙擊，營業利潤超預期
SK海力士交出亮眼業績，摩根大通、花旗與Wedbush齊聲唱好
國際#SK海力士#季度財報#HBM記憶體
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SK 海力士2026年第三季度財報電話會，DRAM和HBM到2029年產能已經全部售罄

一、會議開場與高管介紹 主持人：SK海力士2026財年第三季度業績電話會即將開始，請稍候。各位早上好，感謝大家參加SK海力士財報發佈電話會。今天我們將首先由SK海力士進行業績陳述，隨後進入問答環節。如果您有任何問題，請按“* 1”，即星號鍵和數字1。請注意，本次陳述將提供同聲傳譯，問答環節將採用交替傳譯。現在，會議正式開始。 投資者關係：各位早上好、下午好、晚上好。我是SK海力士投資者關係負責人朴星煥（Park Seong-hwan）。歡迎參加SK海力士2026年第三季度財報發佈電話會。請允許我介紹今天出席會議的高管團隊：出席本次會議的有社長兼首席執行長郭魯正（Kwak Noh-Jung）、首席財務官金宇賢（Kim Woo-hyun）、DRAM行銷負責人朴俊德（Park Joon-deok）、NAND行銷負責人宋昌錫（Song Chang-seok），以及HBM銷售與行銷負責人金基台（Ki-tae Kim）。 在此作一項免責聲明：由於外部審計機構的審閱工作尚未完成，本次電話會中涉及的第三季度業績均為合併口徑的初步資料，因此仍可能發生變動。此外，包括市場展望和公司規劃在內的前瞻性陳述，可能會隨著宏觀經濟和市場環境的變化而產生差異。
科技#SK海力士#HBM#DRAM