#HBM
博通、聯發科與HBM重估:GoogleTPU出貨上修至3500萬顆
內容概括 瑞穗管道調研把 2028 年 TPU 出貨推到 3500 萬顆以上,較 2026 年約 430 萬顆、2025 年約 240 萬顆繼續放大,並提出 2026-2028 年 TPU 累計出貨可能接近 5000 萬顆。這個數字最重要的地方,不是單純給博通再加一個看多理由,而是把市場的審題從“博通本季 AI 半導體收入夠不夠驚豔”改成“雲廠自研 ASIC 的出貨斜率是不是被系統性低估”。一旦這個斜率成立,Broadcom、MediaTek、HBM、台積電、伺服器 ODM、先進封裝、PCB/ABF、液冷和電源都會被重新納入同一條需求鏈。 本文的核心判斷是:ASIC 不是 GPU 的反面,而是推理經濟學進入規模化階段後,超大雲廠降低單位 token 成本、爭取供應鏈選擇權和鎖定專屬工作負載的工具。訓練仍然偏向輝達平台,長尾開發者仍然依賴 CUDA/PyTorch 生態;但在 Google TPU、OpenAI/OAI Nexus、Meta MTIA、AWS Trainium、Microsoft Maia 和 ARM AI ASIC 等大客戶場景裡,只要工作負載足夠穩定、軟體團隊足夠強、規模足夠大,定製矽就會不斷吃掉增量推理利潤池。 投資上,博通仍是最清晰的主錨,因為它同時拿到 custom silicon、Ethernet networking、SerDes、交換和機櫃級網路價值;但結論不能停留在“博通又強了”。更有價值的判斷,是把博通放在一條擴散鏈裡看:第一層是 ASIC 設計和網路,第二層是 HBM/HBM4e 和先進封裝,第三層是伺服器整機櫃、液冷、電源與 PCB,第四層是軟體效率和模型壓縮對硬體強度的反向校驗。若 2028 年 TPU/ASIC 曲線兌現,最強彈性不一定只在博通,也可能在美光、台積電、聯發科、緯穎以及一批被 ASIC 伺服器放量帶動的亞洲供應鏈環節。
韓國科技深度:AI算力與儲存超級周期下,HBM、MLCC、FC-BGA、TCB與企業AI如何重估
韓國科技的核心變化不是“儲存漲價”這一條線,而是 AI 伺服器把儲存、被動元件、基板、鍵合裝置、測試、散熱和企業雲服務同時推向供給約束。定價分歧在於:這輪盈利能否從傳統周期峰值,轉化為 2027-2028 年可資本化的結構性現金流。 全文內容概括 韓國科技正在經歷一次從周期股到瓶頸資產的重新定價。儲存仍是主軸,SK 海力士、三星電子、美光、南亞科技、閃迪、鎧俠等公司共同驗證了 DRAM、HBM、NAND、eSSD 的供需緊張;但美銀這篇報告真正有價值的地方,不在於再次證明儲存漲價,而在於它把三星電機、LG Innotek、韓美半導體、ASMPT、三星 SDS、LG CNS、LG Electronics 這些“非儲存科技股”納入同一個 AI 供給約束框架。也就是說,韓國科技的交易對象正在從 HBM 龍頭擴散到 MLCC、FC-BGA、TCB 裝置、先進封裝測試、資料中心散熱、企業 AI 服務和控股公司折價修復。 本文的核心判斷是:韓國科技鏈條裡最值得重估的,不是所有 AI 概念公司,而是能夠把 2027-2030 年訂單時鐘、資本開支門票、客戶准入和毛利率台階同時講清楚的環節。第一層是記憶體,HBM 把先進 DRAM 產能吸走,傳統 DRAM 和 NAND 的價格彈性被放大;第二層是高端被動元件和基板,三星電機與 LG Innotek 的 MLCC/FC-BGA 產能更像“准記憶體資產”,缺口不是簡單擴產能填平;第三層是 TCB 和先進封裝測試,HBM4、ASIC 與 2.5D/3D 封裝提高了後道裝置和測試介面的價值;第四層是企業 AI 服務和散熱,韓國本土資料中心升級剛開始,三星 SDS、LG CNS 與 LG Electronics 代表的是 AI 基建從晶片採購走向持續營運。
【COMPUTEX 2026】三星HBM 5首次展示
三星電子在Computex 2026展會上首次公開第八代高頻寬儲存器HBM5原型,展現出搶佔下一代HBM技術制高點的意志,標誌著這家韓國晶片巨頭在AI儲存市場的產品佈局持續提速。在儲存價格全面走高的背景下,市場對韓國儲存廠商今年盈利的預期已大幅上調。 三星電子首席技術官(CTO)Song Jaehyuk於2日在台灣台北舉行的“Computex 2026”三星顯示展台接受採訪時表示,“人工智慧(AI)技術並非單一技術,涵蓋儲存、封裝以及熱管理在內的整個系統最佳化至關重要。”他稱,“三星作為同時擁有儲存和晶圓代工(半導體委託生產)的綜合半導體企業(Integrated Device Manufacturer),具備最佳化整體系統的優勢。”並表示,“將通過這一優勢滿足包括輝達在內的最終客戶需求。” 三星電子此次展會首次正式公開HBM5模型,並介紹了將首次應用於HBM5的核心熱管理技術“HPB(Heat Path Block)”結構,三星電子計畫在HBM5中率先採用由自家晶圓代工2奈米(1奈米=十億分之一米)工藝製造的基礎裸片。 Song Jaehyuk表示:“在HBM5中,為最佳化基礎裸片,將引入2奈米尖端工藝。”他稱,“公司正準備滿足市場所要求的頻寬和電力效率。”他還表示:“自引入環繞柵極(GAA)技術以來,過去3至4年積累的研發成果正得到良好體現,將借此實現差異化競爭力。”