①AI加速器所用的HBM等DRAM產品價格飆升，三星電子與SK海力士已難以跟上市場需求；②HBM4向輝達等大客戶放量，其良率低於HBM3E，生產中消耗更多DRAM，加重整體短缺；③現貨價大幅脫離長協：36GB的HBM3E現貨售價2100美元，為長協價的四到五倍。 近期，用於AI加速器的高帶寬內存（HBM）等DRAM產品價格持續飆升。業內近日指出，作為合計佔據全球記憶體晶片市場約70%份額的兩大廠商，三星電子與SK海力士已難以跟上激增的DRAM需求。 據韓國國際貿易協會（KITA）當地時間周一公佈的數據，韓國AI晶片用DRAM出口量由5月的約6.817億個降至7月的5.9174億個，減少13.2%；同期出口總額卻從114.3億美元增至135.5億美元，增長18.5%。 平均單價由16.76美元漲至22.90美元，漲幅達36.6%。

①韓媒爆料，韓國SK海力士正評估將HBM4E基底晶片交由英特爾代工，僅處於評估階段，尚未簽署最終協議；②該合作短期不會對台積電營收造成實質影響，但可能引發記憶體行業連鎖備選效應、流失先進封裝業務、削弱台積電議價權。 據韓媒爆料，韓國記憶體晶片巨頭SK海力士正在考慮將HBM4E的基底晶片（Base Die）交由英特爾代工廠代工——但該合作僅處於評估階段，尚未敲定最終協議。 此事對於台積電來說意義重大。 當前，SK海力士的HBM4基底晶片全部由台積電以12nm級工藝生產。如果SK海力士真的敲定這一協議，儘管對台積電造成的短期營收衝擊甚微，但卻具備極強的戰略信號意義：這標誌著記憶體巨頭正在主動打破單一先進邏輯代工廠依賴，尋找備選供應鏈方案。

集邦諮詢（TrendForce）最新記憶體產業研究顯示，全球頭部雲服務提供商（CSP）正加速推進AI基礎設施投資，其資本支出（CapEx）總額預計2026年同比大漲98%，2027年將在此基礎上再增長50%。集邦諮詢測算，2026年DRAM與NAND快閃記憶體合計將佔雲服務商總資本支出的47%，2027年這一佔比將進一步升至68%。 2025年下半年以來記憶體合約價格大幅上漲，顯著推高了記憶體品類在雲服務商支出中的佔比。作為雲服務商核心採購品類，伺服器DRAM合約價格在2025年下半年累計上漲64%，預計2026年將進一步大漲約270%。與此同時，NAND快閃記憶體市場呈現相同走勢：企業級固態硬碟（SSD）價格2025年下半年漲幅約35%，預計2026年累計漲幅將達235%。 2026年第二季度起簽署的部分長期協議（LTA）已設定價格上限，或對後續漲價空間形成約束。但即便如此，2027年高頻寬記憶體（HBM）合約價格仍將上漲70%~140%。集邦諮詢預計，2027年記憶體合約價格整體仍將維持高位，持續成為推高記憶體佔雲服務商資本支出比重的核心因素。 除價格上漲外，雲服務商對記憶體位元的需求快速增長，也促使廠商將有限產能優先向伺服器應用傾斜。集邦諮詢測算，2026年HBM與暫存器雙列直插記憶體模組（RDIMM）合計將佔DRAM位元供應量的51%。2027年下半年，隨著製程迭代與新建晶圓廠產能爬坡，伺服器DRAM與HBM的位元總供應量預計將增長27%。

一顆24GB的DDR5記憶體顆粒，2025年年中還賣8美元，2026年8月已經逼近47美元，同比暴漲483%。你裝機時隨手買的那根記憶體條，正在以肉眼可見的速度，被一個看不見的東西"吃"掉——它不是通膨，不是炒作，是AI資料中心裡密密麻麻的HBM晶片，正在物理層面上"吞掉"本屬於你手機和電腦的晶圓產能。 一、開篇：你裝機帳單翻倍的真實原因 先看一組真實的帳。2026年夏天，一個想裝機的人走進華強北，會被告知：主流1TB固態硬碟，終端零售價從去年的約410元，飆到了950到1000元；32GB DDR5記憶體套裝，突破3800元；16GB單條DDR5，從450元漲到了1800元，漲幅300%。 有數位博主算了筆帳：今天花1萬塊錢裝的電腦，性能大概只相當於兩年前的5000元配置。錢沒少花，東西卻在"倒退"。再往上看，手機也逃不掉。同等配置的手機，比一年前普遍貴了20%以上，去年賣3000元的機器，今年要3600+；三星Galaxy S26國行標準版直接漲1000元，小米一年之內三次調價，OPPO首席產品官劉作虎甚至放話——Find X9s Pro是"今年行業裡最後一款不漲價的旗艦"。

在 AI 算力高速擴張之下，高頻寬記憶體 HBM 持續迭代，頻寬與堆疊層數不斷沖高，但同時也遭遇功耗暴漲、介面面積擠佔計算晶片資源、資料傳輸路徑損耗等現實瓶頸。三星完整披露一套分三步走的 HBM 演進藍圖：從cHBM 定製基底裸片改造現有 HBM 底座，逐步疊加記憶體擴展、RAS 可靠性、計算解除安裝能力，終極目標是zHBM 真正三維整合，把 DRAM 直接垂直堆疊到 xPU 計算晶片上方，拋棄傳統 2.5D 矽中介層，以此破解 AI 系統記憶體與計算之間資料搬運帶來的功耗與性能枷鎖。 HBM 迭代的現實矛盾：頻寬提升，整機功耗持續走高 自 2016 年 HBM2 到規劃中 HBM4E 的工藝演進時間表可以看出，C-die 為記憶體堆疊裸片；B-die 是 HBM 堆疊最下方的基底裸片；xPU（AI 計算 SoC）邏輯工藝從 16nm 一路演進到 2027 年小於 3nm 節點。 行業一個關鍵矛盾浮出水面：雖然每位元傳輸能效 pJ/b 持續改善，但 MPGA 封裝整體功耗卻持續走高。HBM 頻寬規格每一代翻倍，整機功耗水漲船高；到 HBM4 時代，必須在 B-die 基底裸片引入先進邏輯工藝，才能夠遏制功耗的快速增長，同時 B-die 基底裸片與 xPU 計算晶片之間工藝節點差距正在不斷縮小。

①SK海力士CEO郭魯正稱，其美國印第安納州新工廠建成後到2030年將使該州成美國關鍵HBM生產基地，當前HBM供應短缺將持續至2030年底；②郭魯正透露SK海力士在美封裝廠首座潔淨室2028年10月啓用，到2030年其在美投資及資產總額預計超450億美元。 財聯社8月28日訊（編輯 牛佔林）SK海力士CEO郭魯正周四表示，公司位於美國印第安納州的新工廠建成後，到2030年將使該州成為「美國關鍵的HBM生產基地」，預計當前的記憶體晶片供應短缺將持續至2030年底。 郭魯當天在印第安納州西拉斐特市出席了SK海力士首座美國工廠的奠基儀式。他強調，隨著AI需求持續激增，高帶寬內存(HBM)正面臨全球範圍內的嚴重供應短缺。 郭魯正表示：「我們將為客戶提供新的美國本土HBM供應來源，同時強化美國半導體供應鏈，為美國的國家安全和經濟安全作出貢獻。」

美光科技重磅調整領導層：兩位核心高管升任總裁，加速AI時代業務增長 2026年8月26日，美光科技宣佈一項重要領導層調整：馬尼什・巴蒂亞（Manish Bhatia）出任總裁兼首席營運官，斯科特・德波爾博士（Scott DeBoer）出任總裁兼首席技術與產品官，兩項任命即日起生效。 此次調整的核心背景，是AI產業持續爆發後，全球市場對高容量、高性能、高頻寬記憶體的需求快速增長。尤其是在AI伺服器、資料中心等場景中，DRAM、HBM等高性能記憶體的重要性不斷提升，美光也正在通過組織架構升級，進一步強化營運、技術和產品之間的協同。 一、兩位核心高管升任總裁，美光重構領導架構

【CNMO科技消息】三星電子正加速推進面向AI資料中心市場的大面積半導體先進封裝技術——面板級封裝（PLP）的商用化處理程序。據三星電子半導體封裝業務高級工程師Lee Hee-seok在“ASPS 2026半導體封裝趨勢論壇”上透露，公司將依託在移動裝置領域積累的大尺寸面板量產經驗，將PLP技術從智慧型手機、智能手錶等移動裝置擴展至AI用超大型封裝領域。 三星面板級封裝（PLP）結構 PLP技術：方形面板替代圓形晶圓，生產效率提升5倍以上 FO-PLP（扇出型面板級封裝）是在方形面板上進行晶片封裝的技術。與傳統圓形晶圓上的FO-WLP（扇出型晶圓級封裝）相比，PLP的最大優勢在於生產效率的顯著提升——圓形晶圓在切割晶片時邊緣部分會被浪費，而方形面板在結構上幾乎不存在邊緣浪費。據業界統計，以12英吋（300mm）晶圓為基準，PLP方式通常可產出5倍以上的晶片。