據西湖大學消息，由該校孵化的西湖儀器（杭州）技術有限公司成功開發出12英吋碳化矽襯底自動化雷射剝離技術，解決了12英吋及以上超大尺寸碳化矽襯底切片難題。

與傳統的矽材料相比，碳化矽具有更寬的禁帶能隙以及更高的熔點、電子遷移率和熱導率，可在高溫、高電壓條件下穩定工作，已成為新能源和半導體產業迭代升級的關鍵材料。

西湖大學工學院講席教授仇旻介紹，碳化矽行業降本增效的重要途徑之一，是製造更大尺寸的碳化矽襯底材料。與6英吋和8英吋襯底相比，12英吋碳化矽襯底材料擴大了單片晶圓上可用於晶片製造的面積，在同等生產條件下，可顯著提升晶片產量，同時降低單位晶片製造成本。

“該技術實現了碳化矽晶錠減薄、雷射加工、襯底剝離等過程的自動化。”仇旻介紹，與傳統切割技術相比，雷射剝離過程無材料損耗，原料損耗大幅下降。新技術可大幅縮短襯底出片時間，適用於未來超大尺寸碳化矽襯底的規模化量產，進一步促進行業降本增效。 (中國經濟網)