據西湖大學消息，由該校孵化的西湖儀器（杭州）技術有限公司成功開發出12英吋碳化矽襯底自動化雷射剝離技術，解決了12英吋及以上超大尺寸碳化矽襯底切片難題。與傳統的矽材料相比，碳化矽具有更寬的禁帶能隙以及更高的熔點、電子遷移率和熱導率，可在高溫、高電壓條件下穩定工作，已成為新能源和半導體產業迭代升級的關鍵材料。西湖大學工學院講席教授仇旻介紹，碳化矽行業降本增效的重要途徑之一，是製造更大尺寸的碳化矽襯底材料。與6英吋和8英吋襯底相比，12英吋碳化矽襯底材料擴大了單片晶圓上可用於晶片製造的面積，在同等生產條件下，可顯著提升晶片產量，同時降低單位晶片製造成本。“該技術實現了碳化矽晶錠減薄、雷射加工、襯底剝離等過程的自動化。”仇旻介紹，與傳統切割技術相比，雷射剝離過程無材料損耗，原料損耗大幅下降。新技術可大幅縮短襯底出片時間，適用於未來超大尺寸碳化矽襯底的規模化量產，進一步促進行業降本增效。 (中國經濟網)

對於國產半導體產業來說，由於受到歐、美、日的極限打壓正處於極度艱難的時期，但所謂危也是機；在半導體產業各環節都處於相對不確定的情況下，半導體裝置產業卻是最為確定的環節，也是最受關注的領域。 近日國產半導體材料廠商——晶盛機電，正式宣佈突破超薄晶圓加工技術，實現 12 英吋 30μm （30微米）穩定減薄加工。 對於普通人來說，對於實現晶圓30μm （30微米）減薄可能沒有什麼概念；我們可以對比一下普通晶圓厚度情況做個對比就知道，實現這個技術有多難了。 如下表，通常4英吋規格厚度是525μm（525微米），而12 英吋晶圓厚度通常約為 775 µm（775微米）。