美國戰略研究中心：中國光刻機落後嚴重，遠差於ASML和日本尼康，中國被卡在2023年

2025/07/21

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據彭博社新聞報導指出，美國華盛頓智庫安全與技術中心發佈專欄報告表示，儘管中國企業在晶片製造領域取得了顯著的技術進步，但是在核心的光刻機產業上面，中國的國產裝置依然要遠差於荷蘭的ASML與日本的尼康，這凸顯出了光刻技術目前仍然是制約中國科技發展的第一技術難題。#晶片

在去年的9月份，中國工信部正式公開了中國最新研發的乾式光刻機裝置。該裝置採用了193nm的雷射波長、65nm解析度、套刻精度≤8nm，與ASML在2005年所發佈的1400i光刻機性能相近。#國產光刻機

並且ASML在2015年發佈了基於1400i最佳化過的1460k光刻機，這台裝置的解析度依然是65nm，但是其套刻精度來到了≤5nm，大幅度提升了良品率和產能。#ASML

套刻的精度數值相當於製程節點的1/3~1/4，如果要生產65nm的晶片，那麼套刻精度就需要維持在≤16~22nm。如果要生產28nm的晶片，那麼套刻精度需要維持在≤7~9nm。

顯然，中國目前已經公佈的光刻機裝置，在多重曝光的技術下可以製造28nm晶片，並不能製造具有FinFET結構的14nm及以下的晶片產品。

從中國的自主裝置技術上面來看，中國的光刻機產業與國外主流企業有著20多年的技術差距。但這是基於已經公佈出來的產品所得出來的結論，不包括還未正式公佈的相關裝置。

ASML總裁范霍特，與公司的CTO馬丁曾經在2018年和2019年來到中國進行技術訪問。

二人與上海微電子公司的技術人員進行了交流，發現中國的光刻機產業還是存在諸多的技術瓶頸。光刻機裝置是一個全球化分工的產品，需要集合國際範圍內的企業進行聯合攻關。但是中國企業現在無法與國際企業建立有效的合作管道，這是最大的問題。

儘管受到了多方限制，但是中國企業依然在開發更加先進的浸潤式系統。如果中國企業成功開發出擁有自主技術，並且可以投入生產線商用的浸潤式光刻機，那麼中國企業將會永久性解決在先進晶片上面受制於人的情況，甚至是替代現有的ASML進口裝置。

受美國多年出口管制的影響，中國晶片企業無法獲得來自於ASML的EUV裝置，這極大阻礙了中國先進晶片產業的技術發展。

2023年，搭載國產7nm晶片的智慧型手機在市場上面銷售。

根據Techinsights的技術報告指出，該國產晶片具有7nm的工藝特性，儘管這款晶片在性能、能效、產能上面均沒有明顯優勢，但是這款晶片是中國企業在受到美國製裁的前提下開發出來的產品。從技術角度來說，這刷新了自從Techinsights建立以來的一個技術新高峰。

美國華盛頓智庫安全與技術中心通過Techinsights提交的相關資料得出結論，雖然中國的晶片產業突破了美國的技術封鎖，實現了先進晶片的量產商用，但是在向下發展的過程中，受到了嚴重的阻礙。

截止到目前為止，中國大陸的晶片技術被卡死在了2023年發佈的7nm製程。由於缺乏核心的EUV光刻機裝置，中國的先進晶片發展陷入了死胡同。

想要脫離這個死胡同，要不就拿一個梯子（EUV光刻機）翻出去，要不就想辦法把牆砸爛。很明顯，梯子更方便，但是中國企業根本沒有這個東西，只能嘗試著砸牆。

觀察者網旗下的心智對話欄目，就中國晶片產業的現狀與荷蘭半導體觀察者馬克·海金克進行了獨家對話。

據海金克在節目中表示，中國晶片產業要想突破封鎖，光刻機是必須要面對的難題。

如果中國企業打算去效仿ASML的成功經驗，在中國大陸複製一條ASML的光刻機產業線出來，這基本不可能。ASML在美國的幫助下，獲得了全球範圍內頂級的供應鏈支援，中國企業顯然無法走這條路，只能是用國產供應鏈一步步去解決問題。

海金克曾經在個人作品當中明確表示：美國在全球範圍內的出口管制，迫使中國企業採用本土的供應鏈來解決晶片問題，這給了中國本土企業一個前所未有的發展時機。在中國企業抱團發展的情況下，中國晶片產業終有一天會變得羽翼豐滿，重塑一條中國晶片供應鏈。 (逍遙漠)