核心突破！中國半導體裝置突破5nm，四大半導體裝置廠商實現40%超高速增長！

2025年上半年已經過去，全球半導體市場依然穩步增長；其中半導體裝置市場超出增長預期。根據國際半導體產業協會（SEMI）近日發佈的最新資料：2025年晶圓廠裝置（涵蓋了晶圓製程、晶圓廠設施及光罩裝置等多個方面）在晶圓代工和儲存應用銷售增長的有力帶動下銷售額有望實現6.2%的同比增長，達到1108億美元。這一資料高於2024年底預估的1076億美元水平，顯示出市場發展超出預期。

另外，SEMI預測半導體後端裝置需求將迎來爆發式增長。其中，測試裝置銷售額同比增長23.2%，達到93億美元；封裝裝置銷售額同比增長7.7%，至54億美元。

與此同時，中國國產半導體裝置產業也接踵傳來利多消息。為擺脫依賴外國裝置，長江儲存已著手建設一條僅完全依賴國產工具的的試驗線，預計於2025年下半年開始試產。據瞭解，長江儲存該產線覆蓋光刻、刻蝕、薄膜沉積等九大類裝置，首次實現全鏈路國產化協同。毫無疑問，這是中國半導體裝置從單點突破邁向系統整合的重要里程碑；也是中國半導體裝置自主化處理程序中的關鍵突破。

從NAND產能角度而言，長江儲存2024年底月產能已達13萬片晶圓，佔全球NAND產能8%；2025年目標提升至月產能15萬片；並期望在2026年佔據全球NAND15%的市場份額，中國內需市場超30%的份額。

當前，全球記憶體產能TOP3分別是三星、SK海力士、美光，三家2025年的產能預測分別是66萬片、50萬片和30萬片，若長江儲存能將月產量提升至20萬片將具備全球NAND定價話語權。

因而，若2026年目標達成，長江儲存將成為繼三星、SK海力士、美光後的全球第四大NAND廠商，打破海外壟斷。更關鍵的是，中國將突破美國的技術封鎖，使美企喪失全球40%的晶片市場，形成“反噬”。

在國產儲存晶片廠商以及其他晶片廠商強勁需求的推動下，國產半導體裝置頭部企業從成熟製程（28nm）向先進製程（5nm）突破。

在刻蝕、薄膜沉積領域，中微公司和拓荊科技均取得歷史性突破。其中，中微公司5nm   CCP刻蝕裝置成功通過國記憶體儲頭部廠商驗證，2025年上半年出貨量在國內邏輯產線新增裝置中佔比大幅提升。更值得關注的是，應用於HBM的高深寬比刻蝕裝置已交付SK海力士無錫封測廠，這是中微公司的首單海外訂單，標誌著其裝置獲得國際市場的認可，邁出了全球化佈局的重要一步。

另一家國產半導體獨角獸——拓荊科技在薄膜沉積裝置方面取得突破，14nm  SACVD（次常壓化學氣相沉積）裝置在中芯國際產線成功替代應用材料的同類產品，打破了國外企業在該領域的壟斷局面。

同時，在清洗、封裝裝置領域國產半導體廠商市場份額也在持續增長。盛美上海單片兆聲波清洗裝置獨供台積電CoWoS生產線，在先進封裝清洗份額中實現應用，充分體現了該裝置的技術優勢和市場認可度；另其自研的氣相干法刻蝕裝置通過長存200層3D  NAND驗證，為其在儲存晶片領域的進一步發展奠定了基礎；新益昌其高速倒裝晶片（Flip  Chip）貼片機獲得通富微電、長電科技的採購訂單，且在HBM封裝訂單中的佔比達到32%，顯示出公司在先進封裝裝置市場的強勁增長勢頭。

在市場需求和國產替代雙重作用之下，2025年上半年四大國產半導體裝置廠商（北方華創、中微公司、拓荊科技和盛美上海）均實現了高速增長，其中拓荊科技更是實現了超50%的營收增長。具體如下：

雖然長江儲存的全國產線即將試產，四大國產半導體裝置廠商的強勁增長，但不可否認的是，中國半導體裝置國產化率相對於中國市場的佔比而言依然顯著偏低，2024年，除去膠裝置、清洗裝置、刻蝕裝置和熱處理裝置國產化率超30%，PVD/CVD/ALD、CMP、塗膠顯影、離子注入、量檢測和光刻等環節的國產化率仍低於20%，分別為5~20%，30~40%，5~10%，10~20%，1~10%和0~1%。

因此，長江儲存全國產化產線試產標誌著中國半導體裝置鏈從“點狀突破”邁向“系統協同”，其技術繞道策略已初見成效。然而，光刻等核心裝置的短板仍是長期挑戰！ (飆叔科技洞察)