日前，美國拉攏日本、韓國，加上歐洲幾個核心盟友，共8個國家，簽署了一份“對抗中國AI聯合聲明”。這事的性質極為惡劣。如果說以前是美國一家“單挑”，現在則是直接拉起了群架。然而，就在這道鐵幕落下的同時，美國卻反常地批准輝達向中國出售H200晶片。不少人的第一反應是：“美國是不是因為輝達業績壓力大，所以認慫了？”錯了。在“8國聯合圍堵”的大背景下，H200的放行絕非美國的仁慈，而是一套精心設計的“組合拳”：妄圖一邊用“八國聯盟”斬斷你的造血能力（生產），一邊用“H200”鎖死你的依賴習慣（生態）。01 從“技術封鎖”到“全產業鏈絞殺”這次8國《聯合聲明》最狠毒的地方，不在於美國，而在於日韓和澳大利亞、新加坡、荷蘭、英國、以色列和阿聯等八個國家的深度介入。這次不僅僅是稀土聯合抵抗中國，還是一個分工明確的AI科技“全產業鏈絞殺局”：日本（材料端）： 半導體材料之王。高端光刻膠、電子級清洗液，全球市場佔比極高。韓國（儲存端）： HBM（高頻寬記憶體）的霸主。現在的AI晶片，算力再強，沒有HBM配合就是廢鐵一塊。荷蘭及歐洲（裝置端）： 掌握著光刻機這一“工業皇冠上的明珠”。以前，我們還能利用這些國家與美國的利益分歧，搞搞平衡，買點裝置。現在8國抱團，意味著中國試圖從外部獲取先進製造能力的路徑，可能基本被堵死了。他們的目標很清晰：在物理層面，把中國本土的晶片製造能力，永久鎖定在落後兩代的水平。02 H200是一顆“劇毒糖果”既然要圍堵，為什麼還要賣H200？這半年的教訓讓美國人看懂了一件事：全面封鎖，只會倒逼中國成功。此前中國大廠買不到輝達，只能硬著頭皮買華為昇騰，買國產卡。結果呢？逼著中國廠商把那套原本很難用的國產軟體生態，硬生生地給磨合出來了。美國人一看，壞了！原本想餓死中國AI，結果反而逼出了一個能打的對手。所以，現在的策略變了，這是一招“抽梯子”的損招：斷你生產：我聯合8國，把造晶片的裝置和材料斷了，把中國自主製造的難度拉到滿級；毀你生態： 我把目前最好用的H200送還給你，雖然貴點，但比你自己造的好用。一旦你吃下了這顆毒糖果，中國本土晶片尚在襁褓中的生態，就可能會受到沉重打擊。03 爭奪科技發展的“定義權”現在的世界地緣格局，是從“全球化分工”變成了“陣營化切割”。美國拉著日韓搞8國聯盟，妄圖在AI算力、半導體裝置、高端材料這三個核心維度，對中國實施徹底的“物理隔絕”。其本質，是要把全球科技市場切割成兩半：“美國+盟友圈” 和 “中國圈”。在這個邏輯下，H200的出售，並不是美國想和你做生意，而是它試圖用技術優勢，繼續在這個分裂的世界裡，保留對中國科技發展的“定義權”。他們希望看到的局面是：中國負責： 出資料、出應用場景、出電費、做低端應用。西方負責： 掌握底層的硬科技、控制算力霸權、收取高額“技術租金”。這就像當年的殖民經濟：宗主國傾銷工業品，殖民地只負責提供原材料。如果你接受了H200，你就接受了成為“AI時代的殖民地”。更致命的是供應鏈安全。在8國對抗中國的背景下，把國家的AI基礎設施建立在輝達的晶片上，無異於沙灘築樓。川普或者下一任總統，心情不好隨時可以斷供，甚至利用晶片裡的後門遠端鎖死算力。到時候，咱們的資料中心就是一堆廢銅爛鐵。04 大廠的艱難選擇和考驗黃仁勳相信：只要美國稍微鬆開一點口子，大量中國的訂單就會瞬間流回輝達。因為作為商業公司，追求利潤最大化和效率極致化是其生存的本能，這無可厚非。但這也正是我們最擔憂的軟肋：特別是對於字節、阿里、騰訊這些商業大廠來說，這不僅是一道選擇題，更是一場“長考”：選國產卡：這意味著巨大的沉沒成本，算力暫時只有H200的60%。選H200：簡直太誘人了。插上就能用，CUDA生態無縫銜接，業務效率立馬起飛，競爭優勢瞬間拉滿。但這正是對手最陰險的“陽謀”。我們一旦動搖而拋棄國產，將面臨可怕的後果：國產晶片廠商剛拿到的訂單可能會枯竭，資金鏈斷裂；剛建立的使用者反饋機制可能會中斷，工程師不再為國產架構找Bug，晶片迭代失去方向；剛聚起來的開發者生態會可能後續無力，由於缺乏應用場景，人才將再次流失。結論很殘酷，但我們必須看清：晶片不僅是造出來的，更是“用”出來的，這是我們的優勢。所以，我們不能退步，不能拋棄國產，否則國產晶片好不容易燃起的星星之火，將被我們自己親手掐滅。寫在最後：面對H200技術性能的“誘惑”和所謂8國聯盟的“圍剿”，我們需要做的不是恐慌，當然也不能抱有任何僥倖的幻想。中方目前對解禁H200的“冷處理”，以及監管層對相關產業鏈的審慎佈局，恰恰是一種極度清醒的戰略定力。我們必須參透一個殘酷的底層邏輯：買來的現代化，是守不住的空中樓閣；跪著求來的繁榮，是必然帶毒的慢性藥。在8國“鐵幕”已然落下的今天，我們早已沒有退路。我們要珍惜每一塊艱難生產出來的國產晶片：那怕它現在算力還不夠強、發熱還比較大、適配還需改程式碼，但它不僅僅是工業品，更是屬於我們自己的“爭氣芯”。使用它、打磨它、迭代它，是我們這一代人的責任。我們早就看到了這一天，科技自立就是：一場不得不走的“新長征”，也是我們維護國家尊嚴與發展權利的護城河。唯有把關鍵技術掌握在自己手中，我們才能在談判桌上挺直腰桿，才能把“卡脖子”的清單，變成激勵我們前行的“軍令狀”。 (金百臨財富通)

11月16日消息，據路透社報導，荷蘭光刻機大廠ASML首席執行官Christophe Fouquet 近日在接受荷蘭電視台採訪時表示，荷蘭半導體裝置製造商尚未受到安世半導體控制權之爭導致的中荷之間關係緊張的影響。Christophe Fouquet 表示：“短期內不會對我們的業務造成影響”，他還補充說他認為危機最糟糕的時期已經過去。Christophe Fouquet認為，在這類問題上，最重要的是在事情升級之前，就先坐下來好好談，但這次的情況卻反了過來，即各方並沒有先溝通好，而是先發生了升級，導致現在的衝突與緊張。今年9月30日，荷蘭經濟事務部以“公司存在嚴重的治理缺陷”為由，強行接管聞泰科技旗下全資子公司安世半導體。此舉迅速引發了中國方面的反對，隨後雙方對抗持續升級，導致全球汽車晶片緊缺。直至近期中方才放鬆對安世半導體的出口管制，但是荷蘭方面卻一直未有解決問題的實際行動。針對荷蘭方面的強搶中國全資子公司控制權的行為，有一些中國的網友呼籲對等對待荷蘭在華大型企業，這也引發了荷蘭業界對於安世半導體爭端持續升級會導致影響自身在華業務的擔憂。從Christophe Fouquet的最新表態來看，目前安世半導體事件並未對ASML的業務造成影響，同時他對於該事件的解決保持樂觀。 (芯智訊)

近日中微公司的財報，反映出半導體裝置市場的焦點在光刻機之外，進一步向刻蝕、薄膜沉積等其他核心裝置領域拓展。2025 年前三季度，中微公司營收 80.63 億元，年增 46.40%。其中刻蝕裝置收入 61.01 億元，較去年成長 38.26%；LPCVD、ALD 等薄膜裝置收入 4.03 億元，較去年成長 1332.69%。伴隨半導體產業的發展，刻蝕、薄膜沉積正成為市場關注的核心領域。半導體裝置，最新焦點半導體製造核心器件涵蓋前道晶圓製造與後道封測兩大類，前道器件技術壁壘最高，主導市場份額。其中，光刻機、刻蝕機、薄膜沉積裝置是三大主要的裝置，根據SEMI測算資料，光刻機、刻蝕機、薄膜沉積裝置分別約佔半導體裝置市場的24%、20%和20%。具體到作用：光刻機如同「投影儀」，透過光源將電路圖形轉移到晶圓，決定晶片最小線寬。刻蝕機是「雕刻刀」，選擇性去除多餘材料，精確復刻圖形。薄膜沉積裝置負責沉積導體、絕緣體等膜層，建構晶片基礎結構，主要分為物理氣相沉積（PVD​​）、化學氣相沉積（CVD）和原子層沉積（ALD）三類。在這一系列裝置中，刻蝕與薄膜沉積之所以成為當前產業關注的新焦點，背後是半導體工藝演進至先進過程所帶來的必然邏輯變遷。第一點，目前EUV光刻機的波長限制在13.5nm，它做出來的線條只能做到14nm，10nm、7nm、5nm晶片要通過多重範本的方法，把20nm光刻機線條翻版成兩個10nm線條，再翻版成5nm的線條。SEMI資料顯示，在晶片製造流程裡，從65nm 製程演進至 7nm 流程，光刻步驟數量僅增加了約 30%，但刻蝕步驟數量卻激增了超過 300%。與此同時，薄膜沉積工序數量和複雜度也在大幅增加。當線寬向7nm及以下製程發展，需採用多重曝光工藝，薄膜沉積次數顯著增加，90nm CMOS工藝大約需要40道薄膜沉積工序，在3nm FinFET工藝產線則需要100道薄膜沉積工序。第二點，隨著3D 堆疊儲存的發展，3D NAND 為提升儲存密度，將儲存單元垂直堆疊，層數​​不斷增加，目前主流產品已超過 200 層，未來還將向 1000 層邁進。DRAM未來也有類似的3D堆疊層數的技術路線圖。這使得對刻蝕裝置的需求量和性能要求呈指數級增長，例如從 32 層提高到 128 層時，刻蝕裝置用量佔比從 35% 提升至 48%。此外，近存計算方案的發展增加了 TSV 刻蝕需求，TSV 工藝中刻蝕和填充裝置佔比接近 70%，進一步增加了刻蝕裝置的需求。同時，3D NAND 堆疊層數不斷增加，每層薄膜厚度要求嚴苛，ALD 與 CVD 協同工藝成為主流，這都對薄膜沉積裝置提出了更高要求。第三點，GAAFET 是接替 FinFET 的下一代電晶體技術。GAAFET 相比於 FinFET 的刻蝕工藝用量顯著增加，FinFET 有 5 道步驟涉及刻蝕工藝，而 GAAFET 晶體管有 9 道步驟涉及刻蝕工藝。根據IMM資訊的資料，刻蝕裝置在先進製程的用量佔比將從傳統FinFET時代的20%上升至GAA架構下的35%，單台裝置價值量年增12%。薄膜沉積裝置則需要在復雜三維結構上原子級均勻地沉積多層薄膜。例如：GAA奈米片電晶體需在原子尺度控制多層堆疊（如Si/SiGe超晶格），要求PECVD沉積的介電薄膜（如柵極側牆隔離層）厚度偏差控制在±0.5Å以內，且需實現高深寬比結構的保形覆蓋（覆蓋率>95%）因此，半導體製造未來的重點可能從單純依賴光刻機縮小特徵尺寸，轉向更複雜、更關鍵的刻蝕及薄膜沉積工藝。Q3裝置進口資料，透露那些資訊根據海關總署資料，2025年Q3前道裝置進口總額為101.87億美元，年增15.28%，環比增長33.15%，創歷史新高。核心器件進口資料的變化，既是國內半導體產能佈局的「晴雨表」，也折射出全球半導體裝置產業的競爭格局。其中CVD裝置、乾式蝕刻裝置等核心工藝裝置進口數量及單價均處於歷史高點。具體來看：光刻裝置方面，「其他光刻裝置」進口數量下降，但來自荷蘭的同類裝置單價卻飆升至歷史最高。這可能意味著中低階光刻裝置的進口已在縮減，聚焦引進相對高端光刻裝置，為先進工藝擴產突破技術瓶頸。薄膜沉積裝置方面，CVD裝置量價齊升且數量創歷史最高，反映國內在先進邏輯晶片、高端儲存領域的產能擴張需求強烈，對 CVD 這類核心沉積裝置依賴度仍較高。PVD 裝置已在中低階領域實現突破，同時國內對高階 PVD 裝置的採購標準提升。薄膜沉積裝置下一步的看點在於CVD、ALD等高階薄膜沉積裝置的國產化處理程序。刻蝕裝置方面，乾法刻蝕量價雙增且增速顯著，可能意味著國內產能擴張正在向先進製程傾斜，隨著晶片結構從2D向3D演進，對高性能乾法刻蝕裝置需求激增。其他刻蝕及剝離裝置進口量及進口單價均較去年同期下滑，這可能意味著國產裝置廠商在成熟製程刻蝕方面取得一定的成果。離子注入裝置方面，目前國內市場被美國，全球競爭正在加劇。氧化擴散裝置方面，自2024年下半年起氧化擴散等熱處理裝置進口數量整體呈下滑趨勢，但進口單價半導體裝置，多點開花根據國際半導體產業協會SEMI預測，2025年全球半導體晶圓廠前端裝置支出將達1,100億美元，較2024年年增約2%。在資料中心和邊緣兩端晶片需求走高背景下，預計2026年全球半導體晶圓廠前端裝置支出將達1,298億美元，年增速高達18%。刻蝕裝置從技術路徑來看，刻蝕工藝主要分為濕法刻蝕與乾法刻蝕兩大路線。隨著半導體製造向7nm及更先進節點發展，晶片整合度不斷提高，裝置結構日益複雜，對刻蝕工藝的精度、選擇性和一致性提出了前所未有的要求。在這一趨勢下，乾法刻蝕憑藉其卓越的技術適配性和工藝控制能力，已在邏輯晶片、存儲晶片等高端過程中佔據絕對主導地位，成為推動半導體技術迭代的關鍵工藝。在全球競爭格局方面，半導體刻蝕裝置主要被泛林、應用材料和東京電子三家廠商所壟斷，合計佔據近90%的市場份額。其中，應用材料在CCP與ICP兩大技術路線上均展現出強勁實力，產品線覆蓋全面，尤其在導體刻蝕與介質刻蝕領域保持領先；而泛林集團則在CCP技術領域，特別是高深寬比刻蝕方面具有絕對統治力，其裝置已成為3D NAND製造過程中不可或缺的核心環節。日本東京電子作為全球第三大刻蝕裝置供應商，在CCP和ICP領域都展現出強大的競爭力，特別是在介質刻蝕領域與美系企業並駕齊驅。相較之下，國內廠商起步較晚，如中微公司、北方華創、屹唐半導體等企業仍處於追趕階段，全球市場佔有率較低。國內積體電路製造廠商及國產蝕刻裝置仍有較大的發展空間。中微公司是刻蝕裝置的領導企業，其CCP裝置已實現對28奈米以上絕大部分應用的全面覆蓋，並在28奈米及以下節點取得重要進展。在3D NAND晶片的高深寬比刻蝕和邏輯晶片的前端刻蝕方面，中微的技術已達到部分先進節點，並被全球頂級晶片製造商改採用。不過，其平台化能力相對較弱，尚無法提供全流程解決方案。在ICP裝置方面，中微的產品已進入邏輯、DRAM、3D NAND等50條客戶生產線，在MEMS和先進封裝的深矽刻蝕領域表現優異，但要進入最複雜的關鍵工藝步驟，仍需經歷更嚴苛的驗證周期。北方華創作，其半導體裝置品類數量在國內同類廠商中位居前列，覆蓋光膠處理、刻蝕、清洗、熱處理、化學氣相沉積、物理氣相沉積等多個積體電路生產環節。在技​​術層面，北方華創的CCP裝置在8吋產線的矽刻蝕、介質刻蝕應用中已佔據主導地位，在12吋產線也成功應用於硬掩模刻蝕、鋁墊刻蝕等關鍵非核心步驟。值得注意的是，其ICP裝置的發展勢頭更為強勁，市場認可度持續提升。不過在最先進的邏輯晶片製造和128層以上3D NAND晶片的極高深寬比接觸孔刻蝕等尖端應用領域，北方華創裝置的技術成熟度、工藝均勻性和穩定性仍有提升空間，尚未進入全球頂級晶片製造商的最先進量產線。屹唐半導體前身為美國應用材料公司旗下的半導體濕法裝置業務部門，2015年透過國產化收購重組成立，目前已形成刻蝕、薄膜沉積、快速熱處理等三大類核心裝置產品線。根據Gartner 2023年的資料，在乾法去膠裝置領域，屹唐股份2023年憑藉34.6%的市場佔有率位居全球第二；在快速熱處理裝置領域，屹唐股份2023年憑藉13.05%的市場佔有率位居全球第二；同時，也是國內社會法位可大規模蝕量單晶圓法裝置的全球數位法位積壓板。薄膜沉積裝置半導體薄膜沉積裝置主要分為化學氣相沉積（CVD）、物理氣相沉積（PVD​​）和原子層沉積（ALD）三大類。目前，全球薄膜沉積裝置市場基本上由AMAT、LAM、TEL等美、日廠商壟斷：在PVD裝置領域，AMAT處於領先地位，份額佔比達85%左右；在CVD領域，AMAT、LAM、TELCR3佔比合計超80%；在ALD裝置領域，TEL和A60%合計。近年來，國內企業不斷加強技術研發，湧現了北方華創、拓荊科技、中微公司、微導奈米等一批薄膜沉積裝置製造商。但整體來看，薄膜沉積裝置國產化實力相對較弱，尤其是技術門檻較高的ALD裝置。拓荊科技深耕薄膜沉積裝置領域PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD及Flowable CVD等薄膜裝置系列產品，在積體電路邏輯晶片、儲存晶片製造等領域廣泛應用，客戶覆蓋中芯國際、華虹集團等廠商。PECVD裝置作為拓荊科技的核心產品，已實現全系列PECVD介質薄膜材料的覆蓋，通用介質薄膜材料（包括SiO2、SiN、TEOS、SiON、SiOC、FSG、BPSG、PSG等）和先進介質薄膜材料（包括ACHM、LoK-I、LoK-II、ADCI、Ha-Si等）皆已實現產業化應用，廣泛應用於國內積體電路製造產線。ALD裝置方面，拓荊科技為國產ALD裝置薄膜工藝覆蓋率頭部的裝置廠商，推出ALD SiCO、SiN、AlN等工藝裝置已實現大量出貨。SACVD系列產品持續維持產品競爭優勢，進一步擴大量產應用規模。其推出的等離子體增強SAF薄膜工藝裝置在客戶端驗證進展順利。截至2024年，SACVD系列產品反應腔累計出貨超100個。截至2024年，拓荊科技HDPCVDUSG、FSG、STI薄膜工藝裝置均已實現產業化，並持續擴大量產規模，HDPCVD系列產品反應腔累計出貨量達到100個。截至2024年，與FlowableCVD裝置相關的反應腔累計出貨超過15個。中微公司早在2023年就有薄膜裝置運抵客戶，主要為CVD/HAR/ALD W鎢裝置，TiN/TiAI/TaN ALD裝置。2025年Q3財報顯示，中微公司為先進儲存元件和邏輯元件開發的LPCVD、ALD等多款薄膜裝置已經順利進入市場， 並且裝置性能完全達到國際領先水平， 薄膜裝置的覆蓋率不斷增加。北方華創是國內PVD龍頭，稀缺性較強，且在LPCVD、APCVD、ALD領域也有所佈局，產品已批次應用到半導體產線。微導奈米依靠ALD裝置起家，在太陽能、半導體中均有應用，且公司是國內首家成功將量產型High-k ALD應用於28nm節點積體電路製造前道生產線的國產裝置公司，在ALD領域頗具競爭優勢。盛美上海以清洗裝置起家，正逐漸往平台型裝置公司拓展，目前在清洗、電鍍、Track、拋光、薄膜沉積等領域均有產品推出。在今年106屆中國電子展上，有業內人士向半導體產業縱橫表示，2010-2024 年國內半導體裝置銷售額復合年增長率達 30.2%，這一增速顯著高於全球市場同期水準。成長呈現明顯的階段性特徵：2017-2018 年因頭部晶圓廠集中啟動 12 吋產線建設，裝置採購需求集中釋放；2023-2024 年受惠於成熟過程（28nm 及以上）擴產及特色工藝（如 SiC、GaN勢 ）產能，預計 將 持續 約然而要注意的是，儘管刻蝕、薄膜沉積裝置本體國產化進展加速，但關鍵零件環節已成為自主可控的瓶頸之一。當前兩類裝置通用標準件的供應鏈高度依賴進口：日本企業（如 NSK、Fujikin）佔據大部分的市場份額，主要提供高精度傳動部件與特種氣體控制元件；歐洲供應商（如 Pfeiffer、Leybold）在真空系統領域佔比過半。美國零件公司仍掌握著部分核心訂製零件市場。不過，這項制約格局正迎來政策引導與市場驅動的雙重破局契機：總規模達 3,440 億元的國家積體電路產業投資基金三期（大基金三期）已明確將上游關鍵零組件列為核心投資方向之一。後續透過推動相關措施降低海外供應鏈依賴，將為刻蝕、薄膜沉積裝置的國產化築牢上游根基。 （環球老虎財經app)

分享一份SEMI（國際半導體產業協會）在「SEMICON Korea 2025 會員日」 發布的主題報告，針對短期經濟不確定性的背景，分析AI 對半導體裝置、材料市場的變革性影響，同時給出裝置與材料市場的區域動態、細分領域預測及增長驅動與風險。報告主要內容短期經濟不確定性AI 的變革性作用半導體器件市場展望材料市場展望關鍵資訊摘錄1. AI 的全鏈路變革報告指出，AI 是半導體行業成長的核心引擎。雲廠商對AI 基礎設施持續投入；2020-2030 年，AI 相關半導體收入佔比從不足10% 攀升至48%，非AI 半導體收入成長放緩；2023-2030 年，AI/HPC（高效能運算）相關裝置投資佔比從37% 上升至55%，其中7nm 晶程及先進核心裝置及先進裝置及相關開發廠相關設計現在，「雲- 邊緣- 終端」 三級AI 計算體系逐漸明晰，雲側負責大規模資料處理與存儲，邊緣側實現本地即時決策以降低延遲，終端側聚焦個性化應用與資料隱私保護，三者共同推動裝置與材料需求。2. 半導體器件市場預測2025 年全球半導體裝置市場預計成長7.4% 至1,250 億美元，2026 年再增加10% 達1,380 億美元，創歷史新高。台灣地區、韓國年增強勁（台灣達130%），驅動因素為AI 相關GPU、HBM（高帶寬記憶體）投資；中國大陸市場年減11%，歐洲因汽車/ 工業需求疲軟同樣下滑。在細分領域，晶圓製造裝置（WFE）2025 年成長6% 至1,110 億美元，2026 年成長10% 至1,220 億美元，先進製程與儲存裝置為核心驅動力；測試裝置2025 年激增23% 至93 億美元（AI、行動應用需求推動），2026 年機位增速85%（P5%）。億美元，2026 年成長15% 至63 億美元，先進封裝（3D-IC、Chiplet）是關鍵驅動。3. 材料市場核心資料半導體材料正在復蘇與成長，2025 年晶圓製造材料市場預計達454 億美元，2026 年增至489 億美元，核心驅動為先進製程與AI 需求。其中，矽片2024 年觸底（131 億美元），2025 年復甦至132 億美元，2026 年達143 億美元，300mm 矽片是增長主力（2025 年預計增長6.5%）；濕化學品2025 年增長16% 至37 億美元，2026 億美元，製程需求是核心；光刻材料持續成長，2026 年光掩膜市場達62 億美元，EUV 光刻推動負性光刻膠需求。其他主要頁面展示（銳芯聞）

中國半導體裝置領域傳來重要進展。被譽為“中國版ASML”的晶片裝置製造商新凱來(SiCarrier)的兩家子公司，於近日同步發佈了在電子設計自動化(EDA)工具和高端測試裝置領域的突破性產品。其中，子公司啟雲方(Qiyunfang)發佈了兩款擁有完全自主智慧財產權的EDA工具。在全球EDA市場長期由新思科技(Synopsys)、鏗騰電子(Cadence)和西門子(Siemens)主導的格局下，此次發佈意義重大。據稱，新產品在關鍵電子電路設計指標上比行業基準性能提升30%，並能將硬體開發周期縮短40%。公司披露，該EDA工具目前已進入市場，正被超過20,000名工程師使用。與此同時，另一家子公司龍瞰科技(Long Sight)推出了自研的下一代超高速即時示波器。這款裝置的頻寬突破90 GHz，這一關鍵指標使其能夠為3奈米和5奈米等先進製程晶片的研發提供支撐。有報導指出，該裝置將中國國產示波機的性能提升了500%，全球排名第二。在晶片開發中，示波器用於讓工程師“看見”電訊號，其技術精度必須比所測量的器件領先至少一代。新凱來本身在近期也動作頻頻。此前在SEMICON China 2025展會上，該公司一次性發佈了覆蓋外延沉積、原子層沉積、物理氣相沉積、刻蝕、薄膜沉積和量檢測等六大類的31款新品。其產品均以中國名山命名，形成了獨特的“山脈系列”。深圳市政府在近期的一場新聞發佈會上也特別提及，新凱來將在本月舉行的灣區半導體晶片展上帶來新的驚喜。值得注意的是，新凱來的快速發展是在複雜的國際環境下實現的。該公司成立於2021年，主要由深圳市政府所有，通常被視為華為的供應商。去年年底，因其與華為的密切關係，新凱來被美國列入出口管制實體清單。儘管如此，該公司仍在資本和技術上持續進取。據路透社此前報導，新凱來正尋求首輪融資28億美元，其部分子公司的估值已達到110億美元。行業分析認為，從晶片設計軟體（EDA）到製造過程中的量測裝置，新凱來通過其子公司的佈局，正試圖建構一個更為完整的中國國產晶片產業生態鏈。根據TrendForce的資料，截至2024年，中國EDA軟體的自給率已超過10%，較往年有明顯提升。新凱來及其子公司的系列突破，預示著中國在提升半導體產業鏈自主可控能力的道路上正在取得實質性進展。 (晶片行業)

這裡是2025灣區半導體產業生態博覽會（簡稱“灣芯展”）的現場，這場盛會已成為中國半導體裝置國產化處理程序的最新展示窗口。10月15日至17日，灣芯展將在深圳會展中心（福田）盛大舉行，展覽面積超過6萬平方米，吸引超過600家參展企業，預計專業觀眾達6萬人次。以“芯啟未來，智創生態”為主題，本屆展會聚焦半導體全產業鏈，從IC設計到晶圓製造，再到先進封測等領域，匯聚全球半導體頭部企業，展示大灣區乃至全國在半導體領域的最新突破與創新。深圳市發改委主任郭子平在10月10日的新聞發佈會上特別推介道：“我想大家都對3月28日新凱來在上海舉行的半導體裝置展上大放異彩記憶猶新。”他透露，新凱來及其子公司將在此次灣芯展上帶來“意想不到的驚喜”。這家成立僅四年的企業，已從初創階段躍升為國產半導體裝置的代表性力量，其快速發展不僅源於深厚的技術積累，更得益於國家戰略的支援和市場需求的強勁驅動。灣芯展的舉辦，正值全球半導體市場復甦的關鍵節點。根據德勤2025全球半導體行業展望報告，晶片銷售預計將強勁增長，主要受生成式AI和資料中心建設的推動。儘管PC和移動市場需求可能仍顯疲軟，但整體市場規模預計將達到約6970億美元，年增長率達11%。在中國，本土半導體裝置自給率預計在2025年達到50%，這為新凱來等本土企業提供了廣闊的舞台和機遇。灣芯展：大灣區半導體生態的年度盛會與全球視野作為大灣區半導體產業的標誌性事件，灣芯展自首屆以來便備受行業內外關注。2025年展會規模較上屆擴大50%，總展覽面積突破6萬平方米，設定了20余場尖端前沿會議，涵蓋半導體材料、裝置、設計、製造、封測等全鏈條環節。展會邀請來自灣區、全國及全球的半導體產業鏈上下游企業參展，突出“半導體重大項目叢集和最大增量市場”的基礎定位。根據深圳市發改委的介紹，本屆展會將聚焦先進製程、功率半導體、化合物半導體等領域，深度展示國產裝置的最新進展與應用案例。龍崗區副區長徐紅麗在發佈會上強調，大灣區作為中國半導體產業的核心集聚區，已形成從設計到製造的完整生態體系，2024年大灣區半導體產值佔全國比重超過30%，成為推動全國半導體產業高品質發展的引擎。展會亮點之一是“灣區芯力量”主題展區，這裡將集中展示本土企業的創新成果。新凱來作為深圳本土明星企業，將攜多款新品亮相，包括其子公司萬里眼發佈的ExWaveTS系列示波器等高端測試裝置。這不僅填補了國產高端測試儀器的市場空白，還標誌著新凱來向半導體全產業鏈佈局的進一步深化。其他參展企業包括中芯國際、華虹集團等晶圓代工廠，以及新萊應材、至純科技等供應鏈夥伴。展會期間，還將舉辦“半導體生態高峰論壇”，邀請行業專家圍繞國產化路徑、供應鏈安全、AI晶片應用等議題展開深入討論。深圳市半導體與積體電路產業聯盟理事長戴軍表示，灣芯展將成為推動灣區半導體產業叢集發展的關鍵平台，預計將促成數百億元的合作意向和項目落地。放眼全球，2025年半導體裝置市場呈現出強勁增長態勢。根據Coherent Market Insights的資料，全球半導體裝置市場規模預計達1053.2億美元，年複合增長率達9.5%。亞太地區尤其是中國，是增長最快的市場，這得益於本土晶圓廠的快速擴產和政策扶持。中國半導體裝置市場本土化趨勢日益明顯，TrendForce報告指出，到2025年，中國半導體裝置自給率將從2023年的14%提升至50%，這主要歸功於國家大基金的持續投入以及新凱來等企業的技術突破。全球半導體裝置巨頭如應用材料（AMAT）、ASML、東京電子（TEL）仍佔據市場主導，但中國企業的崛起正逐步改變這一格局。新凱來的出現，正是這一轉變的生動縮影。根據SEMI的最新報告，2025年第二季度全球半導體裝置出貨額同比增長24%，中國市場佔比高達39%，達380億美元，年增長66%。這反映了中國擴產需求的強勁，但也暴露了對外依賴的風險。新凱來等本土企業的技術突圍，不僅提升了產業鏈韌性，還為全球市場注入了新的競爭活力。新凱來的崛起之路：從實驗室孵化到國產裝置先鋒在新凱來的展台上，那些以“峨眉山”“阿里山”等名山命名的裝置，不僅是技術產品的展示，更是國產半導體裝置從“跟跑”到“並跑”的象徵。新凱來（SiCARRIER）成立於2021年，由深圳國資委全資控股，通過深圳市重大產業投資集團的全資子公司深芯恆科技投資有限公司營運。公司核心使命是突破光刻機等半導體裝置“卡脖子”技術，實現國產替代。短短四年時間，新凱來從一家初創企業成長為估值650億元的行業黑馬，2025年9月完成新一輪融資，投前估值約650億元，累計訂單超百億元。這背後，是技術、資本和政策的完美結合與協同。新凱來的技術根基可以追溯到華為2012實驗室的“星光工程部”。2018年前後，面對國際供應鏈風險的急劇上升，華為內部啟動“星光工程”，聚焦半導體製造裝置的自主研發，包括擴散爐、薄膜沉積裝置、光學檢測系統等核心工藝裝置。2021年，華為將該部門剝離，由深圳市國資委重組，成立新凱來，使核心技術團隊以獨立企業形式加速市場化落地。這一剝離不僅是企業戰略調整，更是國家層面對半導體自主化的重要佈局。新凱來的核心團隊多來自華為，繼承了高效的“狼性”文化和創新精神，這為其快速迭代提供了堅實基礎。在2025年SEMICON China展會上，新凱來首次高調亮相，便發佈了五款以中國名山命名的核心裝置：EPI“峨眉山”（外延沉積裝置）、ALD“阿里山”（原子層沉積裝置）、CVD“長白山”（化學氣相沉積）、PVD“普陀山”（物理氣相沉積）、ETCH“武夷山”（蝕刻裝置）。這些產品全面覆蓋半導體前道製造的核心環節，打破了應用材料、東京電子等國際巨頭的長期壟斷。此次灣芯展，新凱來將帶來更多驚喜，包括31款半導體裝置的升級版，以及新款量測和檢測裝置。根據Nomad Semi報導，新凱來在SEMICON China上的亮相，標誌著其從幕後走向台前，已開始挑戰全球裝置巨頭。新凱來的快速發展得益於多方支援。中國科學院長春光學精密機械與物理研究所（長春光機所）作為實際控制人之一，提供光刻技術權威支撐。公司控股股東董事長曾任中芯國際高管，確保研發與市場需求緊密對接。此外，新凱來通過持股50%的上海宇量昇，推進28nm DUV光刻機研發，佈局SAQP（四重成像）等先進工藝。這不是單點技術突破，而是全流程裝置矩陣的建構，從刻蝕、沉積到清洗、量測，一體化打包進入Fab驗證。新凱來不是簡單的“裝置拼裝”，而是系統工程的實踐者，從工藝敏感環節切入，先攻克清洗、刻蝕，再逐步向曝光系統逼近。在全球科技競爭加劇的背景下，新凱來的崛起速度令人矚目。2025年，公司已與中芯國際、華虹集團等頭部晶圓廠建立深度合作，訂單規模快速增長。LinkedIn報導顯示，新凱來估值達650億元，獲得億級訂單，這反映了市場對其技術的認可。與華為的專利協同，更是其技術壁壘的保障。國產替代的緊迫性：外部壓力與內部驅動的雙重合力半導體裝置國產化的推進，已成為中國半導體產業發展的必然選擇。目前，全球半導體裝置市場被應用材料、ASML、KLA、Lam Research、東京電子等巨頭牢牢壟斷，某些裝置品類市佔率超過90%。這一壟斷格局不僅抬高了採購成本，還帶來了供應鏈脆弱性。在外部環境日益複雜的當下，國產替代的緊迫性與必要性愈發凸顯。外部限制是推動國產替代的首要因素。美國頻頻宣佈涉華半導體出口管制，包括統一盟友的出口管制範圍、持續擴大限制。這些管制涵蓋所有有助於製造先進和基礎晶片的半導體製造裝置及零部件，目的明確：通過技術封鎖、產業補貼等手段，確保美國及其盟友在全球半導體產業鏈的主導地位，從而遏制中國半導體產業的崛起。2025年，荷蘭政府對聞泰科技旗下安世半導體的干預，進一步加劇了國際摩擦。供應鏈安全面臨嚴重威脅。美國對華限制的持續收緊，倒逼半導體裝置及零部件的國產化處理程序。同時，國內先進儲存和邏輯晶圓廠加速擴產，如SMIC、CXMT、YMTC等企業，正逐漸擺脫對海外裝置的依賴。TrendForce指出，2025年全球成熟節點產能增長6%，中國本土裝置公司將持續受益。 根據Mordor Intelligence的資料，中國半導體器件市場2025年規模達2175.5億美元，年增長7.39%。本土化不僅是技術問題，更是國家安全和經濟自主的戰略需要。在這一背景下，新凱來的SAQP技術備受關注。這種通過多次曝光和刻蝕實現更小線寬的技術，是攻克先進製程的關鍵路徑。儘管與ASML、Lam等國際巨頭存在代差，但新凱來的快速迭代（年推出3-5款新裝置）展現了強勁的追趕潛力。2025年，中國半導體行業深層分析顯示，結構轉變正在進行，從國家驅動加速向市場導向轉型。 內部驅動方面，國家大基金已投入超1730億美元，本土裝置市場份額從2020年的6%升至2023年的14%。KPMG全球半導體展望顯示，行業高管對2025年樂觀，營收增長預期中位數為20%。這些外部壓力與內部驅動的合力，推動了中國半導體裝置產業的加速轉型。新凱來等企業的突破，正逢其時，不僅提升了本土自給率，還為產業鏈注入新活力。產業鏈機遇：新凱來生態夥伴的受益與協同發展在新凱來技術突破與外部環境變化的雙重驅動下，其合作夥伴已成為市場關注的焦點。這些公司不僅是供應商，更是生態共建者，通過訂單互惠和協同創新，共同推動國產化處理程序。以下從幾家典型上市公司入手，分析其受益邏輯。首先，至純科技已公開表示與新凱來有深度業務合作。公司圍繞積體電路晶圓製造和先進封裝領域，提供製程裝置、高純工藝裝置和系統，以及相關的電子材料和服務。至純科技是新凱來濕法清洗裝置的主力供應商，訂單佔比超20%，還參與SAQP技術聯合申請。2025年9月，至純科技在互動平台確認合作，訂單增長潛力巨大，有報導稱與新凱來合作的廠商訂單暴增300%。 公司董秘強調，業務與新凱來不存在競爭，聚焦先進製程節點需求。2025年10月13日，至純科技股價異動，受益於灣芯展預期。其次，新萊應材作為新凱來的重要供應商，專注於高純及超高純潔淨材料，提供半導體裝置的關鍵零部件，如超高潔淨管路系統、真空閥門等。2024年三季度，新萊應材因新凱來訂單增加，相關業務規模達8000萬元。2025年上半年，新凱來訂單佔新萊應材半導體業務收入的40%以上（約2.7億元），預計全年採購額突破6億元。 作為RTP/DPN裝置零部件獨家供應商，新萊應材的技術覆蓋高潔淨真空/氣體管路系統，是國內半導體裝置零部件“卡脖子”環節的突破者。2025年，新萊應材股價活躍，受新凱來概念驅動。第三，利和興也在互動平台確認，為新凱來提供精密結構件和測試平台等產品。這些精密結構件和測試平台是半導體裝置製造中不可或缺的組成部分，隨著新凱來產品線的擴展，利和興有望獲得更多訂單。公司近年來從消費電子向半導體、AI算力、新能源轉型，與華為、新凱來深度合作。 2025年，利和興受益於晶片自主可控浪潮，股價強勢漲停。此外，其他合作夥伴包括奧普光電（曝光系統）、冠石科技（掩膜版）、精測電子（量測裝置）、北方華創（刻蝕與沉積）、中微公司（尖端刻蝕）、彤程新材（光刻膠）、茂萊光學與福晶科技（光學元件）、富創精密（零部件）、強瑞技術（結構件）、盛美上海（清洗裝置）、華特氣體&凱美特氣&雅克科技（特種氣體）、國林科技（臭氧技術）。這些公司形成了一個完整的國產裝置生態圈，通過技術共享和訂單聯動，實現了協同發展。在某順平台上，使用者熱議新凱來即將帶來的驚喜，有人猜測是5nm/3nm技術的突破，但更多焦點集中在產業鏈受益股如至純科技、凱美特氣、新萊應材。 整體而言，新凱來的合作夥伴正迎來黃金機遇期，預計2025年相關業務增長超50%，這不僅提升了單個企業的業績，還強化了整個產業鏈的韌性和競爭力。新凱來核心裝置詳解：用途分類與技術亮點新凱來產品線覆蓋半導體製造全流程的關鍵工藝與量檢測環節。以下從裝置用途分類入手，進行專業解析，幫助讀者理解其在產業鏈中的定位。工藝裝備（Semiconductor Manufacturing Equipment）這一類裝置聚焦半導體前道製造的核心步驟，確保晶片從晶圓到成品的精密加工。外延生長裝置（EPI）：峨眉山系列（1/2/3號）專注於12英吋邏輯/儲存晶片的鍺矽、磷矽等外延生長，支援減壓外延工藝，應用於先進節點的溝道層、超晶格結構等關鍵步驟。該裝置提升了晶片性能，適用於3D NAND和FinFET工藝，解決了傳統外延裝置的均勻性難題。退火裝置（RTP）：三清山系列（2/3號）提供超快尖峰退火和均溫退火，適用於邏輯/儲存晶片的源漏啟動、高K材料處理。技術亮點包括磁懸浮升降和背照式退火，提高了均勻性和效率，減少了熱應力對晶圓的損傷。刻蝕裝置（Etch）：武夷山系列（1/3/5號）覆蓋介質、矽/金屬刻蝕，採用CCP/ICP技術，支援原子層刻蝕（ALE）和高深寬比結構加工，滿足3D NAND和FinFET工藝需求。該系列是打破Lam Research壟斷的關鍵，通過精密控制實現了奈米級精度。薄膜沉積裝置：PVD（普陀山系列）：專注於金屬平面膜、中後道互連層沉積，強調填孔性能和低顆粒缺陷。靶材利用率>90%，達到國際一線水平，適用於高密度互連結構。ALD/CVD（阿里山/長白山系列）：實現高保形性介質/金屬薄膜沉積，適用於柵極、刻蝕阻擋層等奈米級工藝，支援高深寬比填充。膜厚均勻性±1%，對標應用材料的技術標準。這些工藝裝備從28nm至更先進節點均有適配方案，部分如高深寬比刻蝕已接近行業標竿水平。量檢測裝備（Metrology & Inspection Equipment）量檢測是確保良率的關鍵，新凱來在此領域的佈局填補了國產空白。• 缺陷檢測：BFI/DFI（岳麓山/丹霞山）：明/暗場有圖案晶圓檢測，靈敏度達奈米級，用於光刻工藝監控和良率管理，幫助Fab快速識別缺陷源頭。• PC（蓬萊山）：無圖案晶圓表面缺陷檢測，適配晶圓廠來料質檢，確保原材料質量。量測裝置：• 套刻量測（天門山DBO/IBO）：支援衍射和圖像模式，精度達亞奈米級，用於多層對準驗證。• 材料分析（赤壁山XPS/XRD/XRF）：薄膜厚度、晶體結構及元素成分分析，覆蓋從研發到量產的全階段。• 電性能測試：• RATE系列（CP/KGD/FT）專注功率半導體（如SiC）的動靜態參數測試，整合高電壓/大電流能力，適用於新能源汽車和5G基站等應用。這些裝置強調自主可控，核心部件如射頻系統、磁控濺射源等均為自研，減少了對海外供應鏈的依賴。國際競爭力評估：優勢、侷限與追趕潛力新凱來裝置的國際競爭力，可從技術先進性、性能對標、市場定位三個維度評估。技術先進性新凱來裝置採用創新架構，如阿里山ALD的Twin腔設計、天門山套刻量測的多模態光學系統，對標AMAT、ASML等國際大廠。工藝覆蓋廣度廣，從成熟製程（28nm及以上）到特色工藝（如功率器件）均有方案。在功率半導體檢測、特定刻蝕/沉積場景，新凱來已形成差異化競爭力。性能對標均勻性與產率：普陀山PVD靶材利用率>90%、長白山CVD膜厚均勻性±1%。靈敏度與精度：BFI缺陷檢測<10nm、XPS精度0.1at%，與KLA、日立相當。產線整合能力：智能調度演算法和多腔體配置（如武夷山支援6腔聯動）滿足量產需求。這些參數已達到國際先進水平。市場定位與侷限優勢領域：在成熟製程和功率器件領域，新凱來已達國際先進，部分參數甚至領先。成本優勢和本土適配，使其深受國內Fab青睞。2025年，公司訂單規模達億級，驗證加速中。 待突破點：EUV光刻配套裝置、5nm以下節點量檢測仍需積累，與ASML、Lam存在代差。但“端到端研發體系”和快速迭代能力，展現了較強的追趕潛力。根據Digitimes報導，新凱來在SEMICON China推出5款晶片工具，挑戰AMAT、TEL。總體而言，新凱來裝置在成熟製程和特色工藝領域已達到國際先進水平，但尖端節點（如3nm）和全產業鏈覆蓋度上，仍需持續投入研發以縮小差距。市場資訊與未來展望：機遇與挑戰並存全球半導體裝置市場2025年規模預計達1160億美元，Precedence Research預測到2032年達2105.8億美元，年增長8.1%。亞太地區主導，Market Data Forecast資料顯示，亞太半導體製造裝置市場2025年值775.3億美元。中國市場是增長引擎，MRFR報告指出，中國半導體生產裝置市場到2035年達827億美元。中國半導體產業正處於深層轉變中，國家大基金投入超1730億美元，本土裝置市場份額穩步提升。中國企業如新凱來、Naura（北方華創）排名上升，Naura 2025年營收增長51%。未來，隨著AI和5G需求的爆發，國產裝置將迎來更大機遇。但挑戰猶存，如技術代差和國際管制。新凱來們的自主化道路雖充滿荊棘，卻是中國半導體產業的必由之路。從灣芯展到全球舞台，中國“芯”力量正以前所未有的速度崛起。(Visionary Future Keys)

美國商務部近期正考慮撤銷多家晶片裝置製造商向中國出口的許可證，此舉可能進一步收緊對華半導體裝置供應。據知情人士透露，應用材料、泛林集團和科磊等半導體裝置巨頭髮往中國多家晶圓廠的裝置出口許可面臨被撤銷風險，涉及主要用於3D NAND快閃記憶體晶片製造的裝置。行業觀察家指出，此次管制升級主要針對先進快閃記憶體晶片製造能力。被波及的中國企業包括長江儲存等快閃記憶體製造商，這些企業在全球快閃記憶體市場已佔據重要地位。若出口限制最終落地，將直接影響其擴產計畫和工藝升級處理程序。值得注意的是，此次管制審議恰逢全球半導體產業格局深度調整之際。美國相關部門認為，限制先進半導體裝置出口將延緩中國在尖端晶片領域的發展步伐。然而，業內專家表示，這種做法也可能加速中國在成熟製程領域的自主創新和國產化替代處理程序。半導體行業分析師指出，當前中國在成熟製程晶片製造領域已具備相當實力，而在先進製程裝置方面仍存在技術差距。此次出口管制若實施，將促使中國晶片製造商加速國產裝置的驗證和匯入。事實上，近年來國內半導體裝置企業在刻蝕、沉積、清洗等環節已取得顯著突破，部分裝置性能達到國際主流水平。面對複雜多變的國際供應鏈環境，中國晶片產業正在建構更加自主可控的產業鏈體系。從裝置研發到材料創新，從設計工具到製造工藝，全產業鏈的協同發展正在為產業安全提供堅實保障。業內人士強調，半導體產業的發展需要遵循技術積累和產業升級的客觀規律，既要保持開放合作，也要堅持自主創新。在全球數位化轉型加速推進的背景下，晶片作為數字經濟的核心基石，其供應鏈安全已成為各國關注的焦點。中國擁有全球最大的電子製造市場和最完整的工業體系，這些優勢正在轉化為晶片產業發展的持久動力。儘管面臨短期挑戰，但中國半導體產業正通過務實發展路徑，在成熟製程最佳化和特色工藝突破上穩步推進，為全球半導體產業多元化發展注入新的活力。 (晶片行業)

在此前美國的一場討論會上，面對高盛分析師Jim Schneider關於2025年晶圓廠裝置市場前景的提問，Applied Materials CEO Gary Dickerson給出“低單位數成長”的保守預測，KLA Corporation CFO Bren Higgins卻預期“中單位數增長”，Lam Research CFO Doug Bettinger則完全迴避數字預測。這種分歧並非市場判斷能力的差異，而是三家巨頭對半導體技術發展方向有著根本性的不同看法。半導體裝置產業向來以技術門檻極高著稱，Applied Materials的材料工程、KLA的檢測系統、Lam Research的蝕刻工藝，每項技術都需要十年以上的深度積累。然而，AI製程需求的爆發與地緣政治限制正在壓縮產業的技術更新周期，迫使裝置商在不確定性中做出戰略押注。從2022年管制啟動到當前市場格局重塑，整個產業正在經歷從技術分歧到競爭邏輯重構的深層變革。三大裝置巨頭將透過技術路線差異、產業生態斷裂、製造方式革命，以及政治風險內化四個維度，展現這場產業轉折點的真實面貌。同一個問題，三種技術賭注Gary Dickerson的謹慎表態背後，隱藏著Applied Materials對未來技術路線的深度思考。這位執行長在會議上強調iCAPS市場的“消化期”，實際上反映了該公司對摩爾定律平面縮放到達極限的判斷。 Applied Materials正在押注先進封裝技術，認為AI晶片的複雜性將迫使產業從2D轉向3D整合。該公司位於奧巴尼的EPIC Center已投入15億美元，專門開發CoWoS（Chip-on-Wafer-on-Substrate）技術，這是一場對異質整合未來的豪賭。 Dickerson相信，當CPU、GPU、記憶體必須整合在同一封裝內時，傳統的晶圓製造將讓位給材料工程和封裝技術。Bren Higgins的樂觀預測則建立在製程複雜化不可逆轉的技術判斷上。 KLA Corporation這位財務長在會議中詳細描述了一個技術現實：台積電3奈米製程的檢測步驟比7奈米製程增加60%，每當製程節點向前推進，電晶體尺寸就更接近物理極限。 Higgins押注的是“製程越先進，檢測越重要”的技術邏輯，該公司的電子束檢測裝置能夠發現10奈米以下的缺陷，正好契合AI晶片的零容錯要求。 KLA相信，即使地緣政治風險持續，先進製程的檢測需求也不會減少，反而會因為良率壓力而持續增長。Doug Bettinger的策略迴避顯露出Lam Research對技術路線的複雜判斷。該公司財務長在會議中反覆提及“etch-and-deposition intensity”概念，暗示公司同時押注兩個技術方向：3D NAND的垂直擴展和先進邏輯的3D架構。 3D NAND從96層向200層演進需要深寬比超過100:1的垂直蝕刻技術，而AI晶片的3D電晶體結構同樣需要原子級精度的工藝控制。然而，這兩個技術方向都面臨物理極限的挑戰，Lam Research選擇保留戰略彈性，等待市場需求進一步明朗化。當營收數字掩蓋了生態鏈的崩塌Applied Materials中國營收從32%暴跌至18%，每季損失10億美元的數字震撼市場，但真正的危機遠超財務報表。這家裝置巨頭失去的不僅是收入來源，更是與全球最大半導體消費市場的技術共同發展機會。中國市場向來是新技術驗證和工藝最佳化的重要場域，當Applied Materials被迫退出時，該公司實際上失去了一個關鍵的技術改進回饋機制。更嚴峻的是，中國本土裝置商北方華創、中微公司正在成熟製程領域快速追趕，Applied Materials重返中國市場的技術門檻正在不斷提高。KLA Corporation面臨的5億美元損失看似溫和，但技術生態的影響更加深遠。該公司的檢測裝置不只是硬體產品，更是整個製程監控體系的技術核心。中國晶圓廠被迫尋找替代方案時，正在重新建構獨立的檢測標準和供應鏈體系。長期而言，這種技術標準的分化將導致全球半導體產業出現兩套平行的品質管控系統，所有參與者的研發成本和技術複雜度都將大幅增加。 KLA面臨的真正挑戰不是短期收入損失，而是全球技術標準統一性的瓦解。Lam Research中國營收佔比從32%縮減至24%的過程中，客戶支援業務群組（CSBG）受到最嚴重衝擊。半導體裝置的商業模式特性決定了裝置銷售只是開始，後續十年的技術支援、升級改造、備件供應才是真正的利潤來源。一台蝕刻裝置的使用周期通常超過十年，服務收入往往是裝置價值的兩倍以上。中國市場的服務中斷不僅是當期現金流損失，更意味著未來十年收益的永久消失。這種產業生態鏈的斷裂正在重塑全球半導體裝置產業的商業邏輯。AI革命重新定義半導體製造的遊戲規則AI晶片對半導體製造技術提出的挑戰遠超外界想像：NVIDIA H100晶片包含800億個電晶體，採用台積電4奈米製程製造，不是最先進製程，但技術難點仍然極高，原因在於異質整合的複雜性。 CPU、GPU、HBM記憶體必須透過先進封裝技術整合在同一模組內，對準精度要求達到1微米以下，散熱管理技術面臨前所未有的挑戰。 Applied Materials押注的CoWoS技術需要在矽基板上精確放置數十顆晶片，任何微小偏差都可能導致整個模組失效。KLA Corporation面對的技術現實更加嚴峻：AI晶片的良率要求遠高於傳統邏輯晶片。傳統CPU中少數電晶體失效不會影響整體功能，但AI晶片的矩陣運算特性決定了任何一個運算單元故障都可能導致整批資料錯誤。這種零容錯要求推動檢測裝置從統計抽樣轉向全面檢測，檢測密度呈指數級增長。 KLA的先進檢測技術能夠在製程中即時發現奈米級缺陷，正好契合AI晶片對製造精度的極致要求。該公司預期AI晶片檢測步驟將比傳統晶片增加40%以上。Lam Research的技術押注關聯到AI運算的功耗挑戰。 AI模型訓練的高能耗特性要求晶片設計從平面結構轉向3D架構，透過縮短電子傳輸路徑來降低功耗密度。 3D電晶體的製造需要更複雜的蝕刻和沉積工藝，每一層結構都必須達到原子級的對準精度。該公司開發的Halo工具專門針對高層數3D NAND設計，能夠實現深寬比超過100:1的垂直通道蝕刻。這種技術複雜度的大幅提升正在重新定義半導體製造的物理邊界。三種押注，一個未來Applied Materials賭的是封裝技術將取代傳統製程，KLA賭的是檢測需求將無限放大，Lam Research賭的是保持選擇權比下注更安全。三家公司看似預測市場，實際上是在選擇生存方式：是押注單一技術路線獲得先發優勢，還是分散風險等待局勢明朗？時間會證明誰的判斷更準確。 AI晶片的製造需求能否真正彌補中國市場的損失，先進封裝技術能否如Applied Materials所願成為新的增長引擎，檢測裝置的重要性是否如KLA預期般持續提升，市場終將給出答案。但無論結果如何，有一點已經確定：半導體裝置產業已經從純粹的技術競爭，轉變為技術與政治並重的復合競爭。在這個新的競爭環境中，技術領先不再是唯一的勝負標準，政治風險管控能力同樣決定企業的生死存亡。遊戲規則已經改變，回不去了。 (半導體行業觀察)