據韓國權威財經媒體《韓國商業郵報》最新報導，儘管美國持續加碼對華半導體出口管制，中國在半導體製造裝置領域的國產化率已突破50%大關——這一數字不僅遠超官方原定2025年實現30%的目標，更比2020年不足7%的起點飆升逾七倍。文章直言：“美國的技術封鎖非但未能遏制中國，反而意外點燃了其自主創新的燎原之火。”這一資料背後，是一場靜默卻迅猛的產業革命。從刻蝕機、薄膜沉積裝置到清洗機、量測系統，中國本土企業正以驚人速度填補關鍵環節空白。北方華創、中微公司、拓荊科技、盛美上海等龍頭企業接連發佈技術突破：5奈米級刻蝕裝置量產交付、原子層沉積（ALD）裝置通過中芯國際驗證、國產塗膠顯影機成功匯入28奈米產線……曾經被美日荷壟斷的高端裝置清單，正在一頁頁被“中國造”覆蓋。更令外界震動的是時間線的大幅提前。按照中國“十四五”規劃初期設定，半導體裝置自給率目標為2025年達30%。然而現實進展遠超預期——2023年突破25%，2024年躍升至35%，而據多家產業鏈調研機構披露，截至2025年底，該比例已站上50%門檻。這意味著，在晶圓廠新建或擴產過程中，超過一半的核心裝置可由本土供應鏈保障，極大削弱了外部“斷供”的殺傷力。韓國媒體將此現象稱為“制裁悖論”：美國越是收緊管制，中國越加速技術突圍。2022年《晶片與科學法案》出台後，美荷日聯手限制光刻機、離子注入機等關鍵裝置對華出口，一度引發行業恐慌。但短短三年間，中國不僅穩住了成熟製程產能，還在裝置國產化上實現“彎道超車”。國家大基金三期3440億元注資、地方專項扶持政策密集落地、高校-企業聯合攻關機制高效運轉，共同構築起一條韌性十足的本土產業鏈。“過去我們不敢想，一台價值上億美元的薄膜裝置也能國產。”一位長三角晶圓廠工程師坦言，“現在連28奈米產線都能用70%以上國產裝置跑通，良率不輸進口線。”這種信心正迅速轉化為市場行動：2025年，中國大陸新增半導體裝置採購中，國產佔比首次超過海外品牌，成為全球最大單一裝置市場中的“自主主力”。當然，挑戰依然存在——極紫外（EUV）光刻機仍是最大“堡壘”。但業內普遍認為，即便在最嚴苛的封鎖下，中國在DUV（深紫外）光刻及配套工藝上的全面自主也已進入倒計時。上海微電子28奈米光刻機預計2026年完成客戶驗證，而圍繞光刻的光源、鏡頭、雙工件台等子系統，長春光機所、科益虹源、華卓精科等科研單位已取得階段性成果。多位分析師預測：若2027年前後實現DUV光刻機全鏈條國產化，中國半導體裝置整體自給率有望衝刺90%。屆時，除少數尖端邏輯晶片外，從儲存到功率器件、從汽車電子到物聯網晶片，整個成熟製程生態將徹底擺脫“卡脖子”風險。更深遠的影響在於全球格局重塑。過去十年，全球半導體裝置市場由美日荷三足鼎立，應用材料、泛林、ASML、東京電子等巨頭佔據八成份額。如今，中國市場的快速“去美化”正迫使這些企業重新評估戰略——一邊是政治壓力下的出口限制，一邊是每年超300億美元的裝置需求流失。有日媒哀嘆：“我們正在親手培養一個無法忽視的競爭對手。”對中國而言，這場突圍不僅是技術勝利，更是戰略覺醒。它證明了一個樸素真理：核心技術靠化緣要不來，市場換技術也走不通，唯有把創新主動權牢牢握在自己手中，才能在百年變局中立於不敗之地。當50%的國產化率成為新起點，當“中國裝備”開始定義晶圓廠的標準配置，世界應當看清：封鎖圍堵的時代正在落幕，而一個以自主創新為底色的半導體新秩序，正從東方冉冉升起。卡脖子？或許很快將成為歷史課本裡的一個舊詞。 (晶片研究室)

華爾街頂級投資機構KeyBanc Capital Markets近日發佈研報稱，全球半導體行業有望迎來需求更加強勁的一年，並且特別指出在全球範圍AI算力基礎設施建設浪潮如火如荼以及“儲存晶片超級周期”宏觀背景之下，半導體裝置廠商們也將迎來超級周期，它們將是AI晶片(涵蓋AI GPU/AI ASIC)與DRAM/NAND儲存晶片產能急劇擴張趨勢的最大規模受益者。另一華爾街巨頭花旗集團近期發佈的一份研報同樣顯示，半導體裝置類股乃AI算力與儲存需求爆表之下的最大贏家之一，花旗在這份研報中預測，全球半導體裝置類股將迎來“Phase 2 牛市上行周期”，也就是說繼2024-25年的超級牛市之後有望迎來新一輪牛市軌跡。花旗發佈的這份研報顯示，2026年的晶片股主線投資策略絕對不是“泛泛看多半導體”，而是明確落在股票市場半導體裝置龍頭領域(即WFE相關)——即阿斯麥(ASML.US)、泛林集團(LRCX.US)以及應用材料(AMAT.US)。花旗分析師團隊表示，“Phase 2 上行周期”意味著估值錨從“估值觸底修復”轉向“盈利持續上修”：當WFE總盤子從基準情景往牛市情景偏移時，半導體裝置領域龍頭公司盈利彈性甚至有可能大於營收彈性(規模效應+產能利用率提升+高端晶片製造工藝佔比大幅提高)，因此花旗選擇用 阿斯麥、泛林集團以及應用材料的半導體裝置組合來表達“上行斜率”前景。隨著微軟、Google以及Meta等科技巨頭們主導的全球超大規模AI資料中心建設處理程序愈發火熱，全方位驅動晶片製造巨頭們3nm及以下先進製程AI晶片擴產與CoWoS/3D先進封裝產能、DRAM/NAND儲存晶片產能擴張大舉加速，半導體裝置類股的長期牛市邏輯可謂越來越堅挺。Google在11月下旬重磅推出Gemini3 AI應用生態之後，這一最前沿AI應用軟體隨即風靡全球，推動GoogleAI算力需求瞬間激增。Gemini3 系列產品一經發佈即帶來無比龐大的AI token處理量，迫使Google大幅調低Gemini 3 Pro與Nano Banana Pro的免費訪問量，對Pro訂閱使用者也實施暫時限制，疊加韓國近期貿易出口資料顯示SK海力士與三星電子HBM儲存系統以及企業級SSD需求持續強勁，進一步驗證了華爾街所高呼的“AI熱潮仍然處於算力基礎設施供不應求的早期建設階段”。在華爾街巨頭摩根士丹利、花旗、Loop Capital以及Wedbush看來，以AI算力硬體為核心的全球人工智慧基礎設施投資浪潮遠遠未完結，現在僅僅處於開端，在前所未有的“AI推理端算力需求風暴”推動之下，持續至2030年的這一輪全球整體AI基礎設施投資浪潮規模有望高達3兆至4兆美元。美國銀行近日發佈的研報顯示，全球AI軍備競賽仍處於“早期到中期階段”;全球最大規模資產管理巨頭之一的先鋒領航公司近日在一份研究報告中指出，人工智慧投資周期可能僅完成了最終峰值的30%-40%，然而，該資管巨頭表示，大型科技股回呼的風險確實正在增加。股價走勢方面，美股半導體裝置類股自開年以來無比強勁。光刻機巨頭阿斯麥美股ADR價格在2026年開年已經創下歷史新高，1月2日單日漲幅超過8%，2026年開年以來漲幅高達27%，市值高達5200億美元;聚焦於刻蝕/沉積與相關工藝能力的泛林集團美股市場股價則自2025年下半年以來可謂屢創歷史新高，2026年開年以來漲幅高達30%;覆蓋幾乎全套高端半導體裝置的應用材料股價在2026年開年同樣屢創新高，開年以來漲幅高達28%，這三大半導體裝置巨頭股價均大幅跑贏標普500指數與有著“科技股風向標”稱號的納斯達克100指數。世界半導體貿易統計組織(WSTS)近日公佈的最新半導體行業展望資料顯示，全球晶片需求擴張態勢有望在2026年繼續強勢上演，並且自2022年末期以來需求持續疲軟的MCU晶片以及模擬晶片也有望踏入強勁復甦曲線。WSTS預計繼2024年強勁反彈之後，2025年全球半導體市場將增長22.5%，總價值將達到7722億美元，高於WSTS春季給出的展望;2026年半導體市場總價值則有望在2025年的強勁增長基礎之上大舉擴張至9755億美元，接近SEMI預測的2030年1兆美金的市場規模目標，意味著有望同比大增26%。WSTS表示，這種連續兩年的強勁增長趨勢將主要得益於AI GPU/TPU主導的邏輯晶片領域以及HBM儲存系統、DDR5 RDIMM與企業級資料中心SSD所主導的儲存領域持續強勁的勢頭，預計這兩個領域都將實現無比強勁的兩位數增長，這得益於人工智慧推理系統與雲端運算基礎設施等領域持續強勁擴張需求。晶片產能擴張浪潮啟幕，半導體裝置廠商們贏麻DRAM/NAND儲存晶片需求持續強勁且這些儲存產品系列(比如DDR4/DDR5/企業級SSD系列)價格呈現野蠻擴張之勢，主要因AI算力洪流將儲存晶片需求以及儲存晶片對於AI訓練/推理系統的重要性推向前所未有的高度。當前全球AI算力需求可謂持續呈現出指數級增長趨勢，算力供給遠遠跟不上需求強度，這一點從“全球晶片之王”台積電(TSM.US)周四公佈的無比強勁業績資料中就能明顯看出。台積電第四季度毛利率首破60%，淨利潤大超預期，預計2026年全年營收增速接近30%，並將2026年資本開支指引大幅上調至520-560億美元，兩項核心指引可謂遠超市場預期，此外，台積電管理層還將與AI密切相關聯的晶片代工業務的營收復合年增長率預期從原先的“40%中段”大幅提升至“50%中高段”。這家全球最大規模晶片製造巨頭無比強勁的業績與未來指引帶動周四美股晶片股集體大漲，尤其是儲存晶片與半導體裝置漲勢最為強勁，畢竟台積電資本開支擴張基本用於購置覆蓋光刻、刻蝕、薄膜沉積與先進封裝、測試等晶片製造環節的各種高端半導體裝置。值得注意的是，市場對於台積電的晶片產能擴張強勁預期不僅聚焦於輝達、AMD以及博通這三大AI晶片領軍者們帶來的堪稱天量級資料中心AI晶片訂單，以及蘋果公司每年都能夠帶來的龐大消費電子晶片訂單，在資料中心企業級高性能SSD(隸屬於NAND終端應用)領域，面向高性能NVMe(尤其 PCIe Gen5/Gen6)的SSD主控晶片可謂極度依賴台積電高端製程產能——這意味者台積電當前產能必然遠遠無法滿足AI算力與儲存帶來的“永無止境訂單”，大舉擴張產能可謂迫在眉睫。當前AI基建狂潮所拉動的“算力—儲存—先進晶片製造”半導體投資鏈條決定了半導體裝置capex粘性比以往任何周期都強勁：基於AI訓練/推理的海量算力需求不僅推高先進製程邏輯晶片需求，也顯著抬升高端儲存晶片(尤其HBM/企業級SSD相關)的需求強度;在晶片製造工藝複雜度上升背景下，單位晶圓的裝置“前沿先進工序數/步驟數”增加，裝置端更容易體現為需求的持續性與訂單能見度提升。除了已經公佈產能大舉擴張計畫的台積電與美光，花旗分析師團隊預測，隨著AI晶片與儲存晶片需求持續激增，SK海力士、三星電子以及英特爾這三家全球最大規模的晶片製造巨頭，在即將到來的財報披露中將對2026年以及之後半導體資本開支(capex) 指引顯著上調，進而預判2026年全球晶圓廠半導體裝置(WFE)支出更加可能向其“最樂觀預測前景”靠攏。花旗分析師團隊重點指出，SK海力士與三星電子的最大儲存晶片競爭對手美光科技已經在2025年12月的業績電話會議上將2026財年(截至2026年8月)資本開支從此前的180億美元上調至200億美元，意味著同比大幅增長45%，其中晶片製造工廠建設資本開支幾乎翻倍。美光還表示2027財年資本開支也將繼續增長。作為三星電子與SK海力士在儲存晶片市場最直接競爭的對手，美光的大幅擴產舉措可能促使這兩家位於韓國的儲存晶片製造巨頭採取相應資本開支擴張行動以維持市場地位。花旗的半導體投資策略鎖定“晶片製造大廠們capex激增到WFE總市場規模擴大，再到半導體裝置領軍者們訂單/營收/利潤擴張”的這一價值傳遞鏈條，押注2026年半導體裝置景氣度繼續上行。“我們最近參加了在舊金山舉行的SEMI行業戰略研討會，”KeyBanc的分析師們在給客戶的報告中寫道。“我們的第一個收穫是，目前的市場一致共識認為，半導體市場銷售額將在今年或最遲明年達到1兆美元。回顧去年同期會議，最樂觀的預期是2028年，而共識預期則是基於2029-2030年的預期。這個轉變是可以理解的——由星際之門等超大規模AI資料中心預算幾乎沒有上限所推動的AI GPU/AI ASIC需求、2nm及以下先進製程工藝節點的滲透率擴張以及儲存產品價格的翻倍式增長。這些動態似乎已經在股價中得到了充分反映，但當敘事轉向半導體裝置的超級周期時，你必須參與其中。可以確定的是，我們聽到了一些必要的謹慎聲音，但本質上沒有人認為這股熱潮會很快結束。”不同於花旗看好三大巨頭， KeyBanc聚焦這三家半導體裝置廠商在周五美股半導體裝置類股，應用材料(AMAT.US)、AEI Industries(AEIS.US)以及MKS(MKSI.US)成為市場焦點，主要因KeyBanc Capital Markets在最新研報中大幅上調了對這三家公司的12個月內目標股票價格。對於AEI Industries，KeyBanc重申了“超配”這一樂觀看漲評級，並將目標價從240美元上調至280美元，該機構預計過去9個月的股價激增似乎將持續下去。“雖然股價自4月以來有顯著上漲，但我們認為大部分表現是由AEI Industries在資料中心領域的曝光推動的，我們繼續看到AEI Industries在未來幾年獲勝的多種方式，”KeyBanc的分析師們寫道。“在半導體領域，我們還沒有看到新產品引入產生實質性影響，這應能鞏固其在導體刻蝕中的獨家RF定位，並可能導致在介電材料領域的市場份額增長。因此，我們將2027年和2028年各細分市場的營收預期分別大幅上調至11%和10%。工業和醫療終端市場在過去幾年一直承壓，若出現復甦，不僅會增加營收，還會改善產品組合。”“此外，我們提醒投資者，AEI Industries仍在積極尋求I&M(工業和醫療)收購，我們認為其高端目標加起來可能為其帶來5億美元的銷售額和1.25美元的每股收益，合併協同效應將進一步提升。此外，我們認為AEI Industries的營運戰略將在未來幾年逐漸提升其利潤率，並預計其長期毛利率目標將從目前的30%上行至超過43%。”AEI主要聚焦於為晶圓與封裝廠提供 RF/介質加工類半導體製造裝置，資料中心擴產可謂大幅推高RF和導電/介電材料加工裝置的需求。資料中心規模的大幅擴張不只帶來AI算力叢集與儲存裝置需求激增，還涉及高頻率網路與RF元件。KeyBanc的分析師們還保持了對有著“半導體裝置超級工廠”稱號的應用材料“超配”評級，並將目標價從285美元大幅上調至380美元。該公司股價與估值相比於同行，比如相比於科磊(KLAC.US)和泛林集團(LRCX.US)面前則表現落後。“我們認為，相對溫和的擴張是應用材料公司在中國和其他地區客戶面臨的先進工藝節點的較高曝光所致，”分析師們寫道。“我們理解這種表現不佳，但注意到應用材料是最具業務多樣化的半導體裝置供應商，隨著晶片架構在領先節點(最終包括DRAM)走向垂直化，它應從日益增強的先進封裝、沉積和刻蝕強度中受益。它也是最暴露於傳統DRAM領域的半導體裝置公司，DRAM無疑是與AI相關的儲存晶片裝置中最為稀缺的儲存產品，這一點我們認為最終應轉化為產能大幅擴張。我們還預計應用材料的‘應用全球服務部門’將在2027-2028財年實現雙位數的營收增長，主要因為客戶們將在高產能利用率背景下運行應用材料裝置。我們認為應用材料應該因其相對估值和在半導體製造中的核心地位而受到新資金們青睞。”在晶片廠，應用材料(AMAT.US)的身影可謂無處不在。不同於阿斯麥始終專注於光刻領域，總部位於美國的應用材料提供的高端裝置在製造晶片的幾乎每一個步驟中發揮重要作用，其產品涵蓋原子層沉積(ALD)、化學氣相沉積(CVD)、物理氣相沉積(PVD)、快速熱處理(RTP)、化學機械拋光(CMP)、晶圓刻蝕、離子注入等重要造芯環節。應用材料在晶圓Hybrid Bonding、矽通孔(Through Silicon Via)這兩大chiplet先進封裝環節擁有高精度製造裝置和定製化解決方案，對於台積電2.5D/3D 等級先進封裝步驟至關重要。應用材料在其最新的技術解讀中指出HBM製造流程相對傳統DRAM額外增加約19個材料工程步驟，並聲稱其最先進的半導體裝置覆蓋其中約75%的步驟，同時也重磅發佈面向先進封裝/儲存晶片堆疊的鍵合系統，因此HBM與先進封裝製造裝置可謂是該公司中長期的強勁增長向量，GAA(環繞柵極)/背面供電(BPD)等新晶片製造節點裝置則將是驅動該公司下一輪強勁增長的核心驅動力。相比於應用材料，泛林集團(Lam Research)的優勢則全面集中在先進HBM儲存所需的高深寬比(HAR)刻蝕/沉積與相關工藝能力，並且3D NAND/先進DRAM結構與互連也都高度依賴泛林獨家的HAR工藝。KeyBanc的分析師們還將該機構對於MKS的目標價大幅上調至250美元，從此前予以的180美元大幅上調，並保持“超配”評級。“鑑於其強勁的自由現金流狀況，我們對MKS的槓桿率並不特別擔憂，我們看好MKS廣泛的子系統曝光度，並認為其應從接下來的幾年內領先製造技術的建設中受益，”KeyBanc的分析師們表示。“此外，MKS的電源產品在大多數NAND刻蝕工具中佔有主導地位，這意味著即使在短期內不新增綠地產能，它也應從NAND產品工藝推動的裝置升級支出中持續受益。在先進封裝方面，我們看好MKS在PCB和封裝基板領域的‘鑽孔填充’產品組合，該公司技術進步正在為先進晶片的功率和性能帶來一些最具影響力的益處，而且該細分市場幾乎沒有現有額外產能來滿足需求。我們認為這些因素將共同推動營收和每股收益的加速增長，這些增長將受到半導體銷售周期性復甦和先進封裝產能擴張帶來的長期增長的推動。由於這些因素，再加上其相對於同行較低的估值溢價，MKSI仍然是我們看好半導體裝置周期上行的首選方式之一。”MKS的半導體製造裝置廣泛用於刻蝕、薄膜沉積和先進封裝工藝，尤其是該公司領先全球的子系統和電源工具在NAND高性能企業級儲存和先進封裝市場中長期佔據穩固份額以及長期斬獲穩健訂單增長趨勢，在儲存新產線擴產之外，其技術也長期支援邏輯和封裝裝置市場的產能增長。 (invest wallstreet)

阿斯麥(ASML)股價創新高、泛林(Lam)強勢領漲！市場押注2026半導體裝置支出再擴張，AI晶圓廠軍備競賽升檔。華爾街金融巨頭花旗集團近日發佈研報稱，在全球範圍AI算力基礎設施建設浪潮如火如荼以及“儲存晶片超級周期”宏觀背景之下，半導體裝置廠商們——尤其是阿斯麥(ASML.US)、泛林集團(LRCX.US)以及應用材料(AMAT.US)這三大半導體裝置巨頭們，將是AI晶片(AI GPU/AI ASIC)與DRAM/NAND儲存晶片產能急劇擴張之勢的最大規模受益者。花旗在這份研報中預測，全球半導體裝置類股將迎來“Phase 2 牛市上行周期”，也就是說繼2024-25年的超級牛市之後有望迎來新一輪牛市軌跡。華爾街知名半導體行業分析師Atif Malik領導的花旗分析師團隊預測，隨著AI晶片與儲存晶片需求持續激增，台積電、三星電子以及英特爾這三家全球最大規模的晶片製造巨頭，以及儲存晶片製造商SK海力士在即將到來的財報披露中將對2026年以及之後半導體資本開支(capex) 指引顯著上調，進而預判2026年全球晶圓廠半導體裝置(WFE)支出更加可能向其“最樂觀預測前景”靠攏。股價走勢方面，美股半導體裝置類股自開年以來無比強勁。阿斯麥美股ADR價格在2026年開年已經創下歷史新高，1月2日單日漲幅超過8%，2026年開年以來漲幅高達16%，市值接近5000億美元;泛林集團美股市場股價則自2025年下半年以來可謂屢創歷史新高，2026年開年以來漲幅高達20%;應用材料股價在2026年開年同樣屢創新高，開年以來漲幅高達15%。花旗分析師團隊重點指出，SK海力士與三星電子的最大儲存晶片競爭對手美光科技已經在2025年12月的業績電話會議上將2026財年(截至2026年8月)資本開支從此前的180億美元上調至200億美元，意味著同比大幅增長45%，其中晶片製造工廠建設資本開支幾乎翻倍。美光還表示2027財年資本開支也將繼續增長。作為三星電子與SK海力士在儲存晶片市場最直接競爭的對手，美光的大幅擴產舉措可能促使這兩家位於韓國的儲存晶片製造巨頭採取相應資本開支擴張行動以維持市場地位。值得注意的是，市場對於台積電的晶片產能擴張強勁預期不僅聚焦於輝達、AMD以及博通這三大AI晶片領軍者們帶來的堪稱天量級資料中心AI晶片訂單，以及蘋果公司每年都能夠帶來的龐大消費電子晶片訂單，在資料中心企業級高性能SSD(隸屬於NAND終端應用)領域，面向高性能NVMe(尤其 PCIe Gen5/Gen6)的SSD主控晶片可謂極度依賴台積電高端製程產能——這意味者台積電當前產能必然遠遠無法滿足AI算力與儲存帶來的“永無止境訂單”，大舉擴張產能可謂迫在眉睫。Google在11月下旬重磅推出Gemini3 AI應用生態之後，這一最前沿AI應用軟體隨即風靡全球，推動GoogleAI算力需求瞬間激增。Gemini3 系列產品一經發佈即帶來無比龐大的AI token處理量，迫使Google大幅調低Gemini 3 Pro與Nano Banana Pro的免費訪問量，對Pro訂閱使用者也實施暫時限制，疊加韓國近期貿易出口資料顯示SK海力士與三星電子HBM儲存系統以及企業級SSD需求持續強勁，進一步驗證了華爾街所高呼的“AI熱潮仍然處於算力基礎設施供不應求的早期建設階段”。隨著微軟、Google以及Meta等科技巨頭們主導的全球超大規模AI資料中心建設處理程序愈發火熱，全方位驅動晶片製造巨頭們3nm及以下先進製程AI晶片擴產與CoWoS/3D先進封裝產能、DRAM/NAND儲存晶片產能擴張大舉加速，半導體裝置類股的長期牛市邏輯可謂越來越堅挺。在華爾街巨頭摩根士丹利、花旗、Loop Capital以及Wedbush看來，以AI算力硬體為核心的全球人工智慧基礎設施投資浪潮遠遠未完結，現在僅僅處於開端，在前所未有的“AI推理端算力需求風暴”推動之下，持續至2030年的這一輪整體AI基礎設施投資浪潮規模有望高達3兆至4兆美元。2026年，晶片製造巨頭們產能擴張大浪潮來襲花旗發佈的這份研報顯示，2026年的晶片股主線投資策略絕對不是“泛泛看多半導體”，而是明確落在股票市場半導體裝置龍頭領域(即WFE相關)。花旗的半導體投資策略鎖定“晶片製造大廠們capex激增到WFE總市場規模擴大，再到半導體裝置領軍者們訂單/營收/利潤擴張”的這一價值傳遞鏈條，押注2026年半導體裝置景氣度繼續上行。花旗最新測算顯示的2026年全球WFE市場規模模型約為1150億美元(意味著將同比+10%，遠遠高於過去十年平均增長水平)，並指出三晶片製造大廠(台積電、三星與英特爾)合計約佔其中的59%;同時強調其觀察到的增長趨勢顯示2026年整體WFE將“更加接近”其1260億美元的牛市預測情景。尤其是對於全球晶片代工之王台積電，花旗預計台積電2026年capex指引區間約為460–480億美元，並判斷全年可能大幅上修(花旗與機構投資者們的交流口徑“可到500億美元”)。台積電在去年10月的業績電話會議上已將2025年資本開支區間從此前的380億至420億美元區間下限上調至400億至420億美元。在花旗看來，AI基建狂潮所拉動的“算力—儲存—先進晶片製造”鏈條決定了半導體裝置capex粘性比以往任何周期都強勁：基於AI訓練/推理的海量算力需求不僅推高先進製程邏輯晶片需求，也顯著抬升高端儲存晶片(尤其HBM/企業級SSD相關)的需求強度;在晶片製造工藝複雜度上升背景下，單位晶圓的裝置“前沿先進工序數/步驟數”增加，裝置端更容易體現為需求的持續性與訂單能見度提升。花旗的WFE模型拆分假設裡明確給出NAND +30%、DRAM +12%、Foundry/Logic +10%(其模型口徑)，說明該機構認為2026年不是單一的AI算力類股托舉，而是更均衡的先進晶片製程擴張，這往往更利多覆蓋面廣、產品組合完整的半導體裝置龍頭(比如聚焦沉積/刻蝕/清洗/量測/先進封裝等多環節)。世界半導體貿易統計組織(WSTS)近日公佈的最新半導體行業展望資料顯示，全球晶片需求擴張態勢有望在2026年繼續強勢上演，並且自2022年末期以來需求持續疲軟的MCU晶片以及模擬晶片也有望踏入強勁復甦曲線。WSTS預計繼2024年強勁反彈之後，2025年全球半導體市場將增長22.5%，總價值將達到7722億美元，高於WSTS春季給出的展望;2026年半導體市場總價值則有望在2025年的強勁增長基礎之上大舉擴張至9755億美元，接近SEMI預測的2030年1兆美金的市場規模目標，意味著有望同比大增26%。WSTS表示，這種連續兩年的強勁增長趨勢將主要得益於AI GPU主導的邏輯晶片領域以及HBM儲存系統、DDR5 RDIMM與企業級資料中心SSD所主導的儲存領域持續強勁的勢頭，預計這兩個領域都將實現無比強勁的兩位數增長，這得益於人工智慧推理系統與雲端運算基礎設施等領域持續強勁擴張需求。光刻、刻蝕、薄膜沉積與先進封裝裝置邁向需求激增周期花旗分析師團隊表示，“Phase 2 上行周期”意味著估值錨從“估值觸底修復”轉向“盈利持續上修”：當WFE總盤子從基準情景往牛市情景偏移時，半導體裝置領域龍頭公司盈利彈性甚至有可能大於營收彈性(規模效應+產能利用率提升+高端工藝佔比提高)，因此花旗選擇用 阿斯麥、泛林集團以及應用材料的半導體裝置組合來表達“上行斜率”前景。阿斯麥、泛林集團以及應用材料，這三大半導體裝置巨頭，可謂覆蓋了光刻、刻蝕、薄膜沉積與先進封裝裝置，而這些半導體裝置細分領域正是受益於AI基建狂潮與儲存超級周期的最佳半導體裝置領域。總部位於荷蘭的光刻機巨頭阿斯麥(ASML Holding NV)所推出的EUV光刻機器，可以說是自2023年以來的史無前例全球AI熱潮之下，台積電、三星電子等最大規模晶片製造商們打造出為ChatGPT、Claude等全球最前沿AI應用提供最核心驅動力的AI晶片的必備半導體裝置，同時也是在當前這輪可能持續到2027年“儲存超級周期”宏觀背景之下，SK海力士與美光科技等儲存巨頭們打造HBM儲存系統、資料中心企業級SSD/DDR等核心儲存裝置所必需具備的機器系統。AI GPU/AI ASIC加速器的性能躍遷高度依賴先進邏輯節點(3nm到2nm，或者更先進的1.8nm、1.6nm)，而這些節點的關鍵層必須使用EUV甚至High-NA EUV來實現更小線寬與更高良率;阿斯麥的EUV/High-NA EUV裝置明確面向3nm以及sub-2nm 邏輯與全球性能領先的DRAM的量產需求，是先進製程擴產的“瓶頸型資本品”。與此同時，AI訓練/推理還把“儲存側”同步點燃：與AI GPU/AI ASIC搭配的HBM儲存系統既要求DRAM製造節點繼續微縮，又要求刻蝕、薄膜沉積、CMP工藝，以及最為關鍵的堆疊封裝與互連環節(TSV/混合鍵合先進封裝等)顯著增加製造步驟與裝置密度。應用材料在其最新的技術解讀中指出HBM製造流程相對傳統DRAM額外增加約19個材料工程步驟，並聲稱其最先進的半導體裝置覆蓋其中約75%的步驟，同時也重磅發佈面向先進封裝/儲存晶片堆疊的鍵合系統，因此HBM與先進封裝製造裝置可謂是該公司中長期的強勁增長向量，GAA(環繞柵極)/背面供電(BPD)等新晶片製造節點裝置則將是驅動該公司下一輪強勁增長的核心驅動力。相比於應用材料，泛林集團(Lam Research)的優勢則全面集中在先進HBM儲存所需的高深寬比(HAR)刻蝕/沉積與相關工藝能力，並且3D NAND/先進DRAM結構與互連也都高度依賴泛林獨家的HAR工藝。 (invest wallstreet)

記憶體條漲瘋了！32G規格的記憶體條，從年初的不足800元，漲至現在2200多元。難怪有網友戲稱，記憶體條已經變成了“金條”。什麼導致儲存晶片價格“坐上了火箭”？對中國供應鏈有何影響？“早買早享受，晚買有折扣。”這是電子產品市場的普遍規律。最近的儲存晶片價格，卻讓消費者大跌眼鏡。2025年三季度以來，全球儲存晶片市場出現一輪“史詩級”漲價潮。32GB記憶體條價格上漲走勢據TrendForce集邦諮詢資料，2025年第三季度DRAM（記憶體）價格較2024年同期大幅上漲171.8%，而同期國際現貨黃金漲幅不足110%。漲幅遠超黃金，記憶體條因此被網友戲稱為“金條”。還需要注意的是，儲存產能擴建需2-3年周期，各大廠商此前因風險顧慮未按預期擴產，短期內供需缺口難以填補。分析機構Counterpoint據此預測，明年年初，儲存還將再漲20%。華爾街投資機構伯恩斯坦在最新研報中預判，漲勢或持續至2026年上半年。儲存漲價，幾家歡喜幾家愁。直接受益者，當然是儲存廠家。三星電子，2025年第三季度財報實現營業利潤12.16兆韓元（約合85.6億美元），同比增長32.2%。其中，儲存業務銷售額26.7兆韓元，創歷史新高。美光，2026財年第一財季（截至2025年11月27日）業績表現非常強勁，‌調整後營收達136.4億美元，同比增長57%，遠超分析師預期的129.5億美元；經調整淨利潤為54.82億美元，同比增長58%‌，推動股價盤後大漲超7%。同時，美光公佈的第二財季營收展望為187億美元（上下浮動4億美元），同樣大幅高於市場預期的143億美元。‌‌SK海力士，2025年第三季度財報顯示，銷售額24.45兆韓元，環比增長10%，同比增長39%；營業利潤11.38兆韓元，環比增長24%，同比增長62%。三大國際儲存巨頭賺得盆滿缽滿，下游的手機、電腦廠商暗暗叫苦。12月25日，小米正式推出了其年度影像旗艦——小米17 Ultra。小米17 Ultra起售價定位為6999元，相比前代小米15 Ultra漲價500元，整體各版本機型平均漲價7%-9%。早在發佈之前，小米集團合夥人、總裁盧偉冰就在微博上吹風，稱小米17 Ultra的漲價是確定的。核心原因之一，便是記憶體的成本上漲。盧偉冰微博要知道，儲存佔電腦、手機BOM（物料清單）成本的10%—20%。儲存漲價，將直接抬高手機、電腦的整體成本。此時，手機、電腦廠商面臨三種選擇：一是配置不變，維持原價，利潤必將大幅縮減；二是縮減配置，維持原價，產品的吸引力降低；三是漲價，可能嚇退部分消費者，影響銷量。每一種選擇，都很艱難。經濟學原理告訴我們，供需決定價格。儲存漲價的背後，亦是供給與需求的動態博弈。從供給端來看，要麼是自然災害（地震、火災）、事故等不可抗力導致的被動中斷，要麼是廠商減產有意為之的主動收縮。例如，2022-2023年，正值儲存行業低谷期，三星、SK海力士、美光、鎧俠等原廠因嚴重虧損，採取了前所未有的大幅減產策略。又如，2013年9月，SK海力士在無錫的工廠發生火災。SK海力士發生火災SK海力士是全球第二大DRAM晶片製造商，無錫工廠產量佔到了SK海力士總產量的一半。火災主要燒燬晶圓製造裝置，廠房，以及位於5層露天區的環保系統，導致DRAM生產線全面停產。全球DRAM供應瞬間緊張，價格大幅上漲42%。從需求端看，包括電腦、手機等在內的下游應用需求增長。2010年之前，需求驅動主要來自電腦。特別是Windows作業系統升級換代，對記憶體容量的要求更高，激發了巨大的換機和新購記憶體需求。2010年之後，智慧型手機崛起，對儲存的需求呈指數級增長。值得注意的是，儲存行業的周期性波動，凸顯了漲價的特殊性。一方面，儲存晶片的生產具有高門檻、長周期、重資產的特點。建設一條12英吋儲存晶圓產線需200-300億美元，且需2-3年建設周期，導致供給無法快速響應需求變化另一方面，儲存需求具有波動性、爆發性和場景依賴性。技術創新驅動，會在短時間內爆發性地增加對儲存容量和速度的需求，買家的“恐慌性採購”，會進一步加劇短期需求的爆發。三星儲存晶片工廠這種“供給慢”與“需求快”之間的矛盾，是儲存價格大起大落的根本原因。本次儲存漲價，依然延續此前的基本邏輯。只是需求的驅動者，變成了人工智慧。人工智慧的興起，正引發多領域的“資源爭奪戰”。正解局先後在《投資1.2兆，全球最大水電站開工！AI的盡頭，在中國》《Google、亞馬遜掀起“海底暗戰”，中國企業不應缺席》兩篇文章中，介紹人工智慧對電力和網路的需求正在迅猛增長。此外，GPU、高端PCB材料、特種氣體、液冷裝置、高速光模組等也出現嚴重短缺，且缺口持續擴大。隨著人工智慧的發展開始轉向應用，也讓儲存從幕後走向了台前。進入應用階段後，為了更好地降本增效，人工智慧企業普遍採用“以存代算”的方式。簡單來說，就是將原本需重複計算的中間資料或預計算結果儲存起來直接復用，大幅減少資料搬運與算力消耗，顯著提升推理效率與降低成本。在傳統架構中，儲存是成本項，廠商拚命壓價。在“以存代算”架構中，儲存成為了核心性能的決定項，價值飆升。一台典型的AI伺服器對DRAM需求量約為普通伺服器的8倍、NAND Flash需求量約為普通伺服器的3倍。人工智慧企業不惜重金搶購頂級儲存晶片來建構自己的優勢，推高了儲存需求和價格。儲存晶片漲價，整個市場的主導權就由買方轉向了賣方。當前，全球儲存市場被美、日、韓廠商主導。儲存晶片，按“斷電後資料是否保留”分為兩大類。斷電後資料丟失的，稱之為易失性儲存器，例如電腦和手機中的運行記憶體DRAM。DRAM主要廠商的市場份額其中，韓國三星、SK海力士和美國美光合計市場份額超93%。斷電後資料保留，稱之為非易失性儲存器，例如電腦、伺服器的固態硬碟NAND。NAND主要廠商的市場份額其中，韓國三星、SK海力士和美國美光、西部資料以及日本的鎧俠合計市場份額超92%。由此可見，韓美日廠商佔據壟斷地位，掌控了行業命脈。中國長鑫儲存與長江儲存雖然成為新興力量，但與頭部企業之間的差距依然很大。特別是被譽為AI時代“算力血液”的HBM（高頻寬記憶體），99%的市場份額被SK海力士、三星、美光三家壟斷。為了爭取貨源，國際大廠紛紛與儲存晶片廠商達成協議。輝達與SK海力士簽訂2025-2027年超過100億美元的HBM3E/HBM4包銷協議，鎖定其60%以上HBM3E產能，成為全球最大HBM買家。微軟、Google、Meta等企業財大氣粗，也已通過長期協議提前鎖定了產能。中國企業的議價能力較弱，即使願意支付高溢價，受“出口管制+產能壟斷+技術壁壘”三重制約，也難以獲得穩定的供應。也就是說，中國儲存晶片，有被“卡脖子”的風險。這也在倒逼中中國國產業鏈實現加快中國國產替代處理程序。需要清醒認識到的是，儲存晶片的中國國產化是一項極其複雜的系統工程，其挑戰是系統性、多層次的。上游在裝置與材料環節嚴重受制於人，存在明顯的“卡脖子”環節；同時，還面臨由國際巨頭構築的嚴密技術專利壁壘。行業具有典型的資本密集型特徵，中國企業面臨著投資回報周期長、資本成本高於國際同行的壓力；在人才方面，則存在從頂尖研發到高端工藝的全面生態短板。地緣政治擾動頻發，帶來了高度的不確定性。一個典型案例是，2022年，長江儲存被美國列入實體清單，無法購買用於生產128層以上3D NAND快閃記憶體的先進製造裝置。長江儲存受此影響，長江儲存二期工廠原定10萬片/月的產能被迫腰斬至4萬-5萬片。這一事件深刻揭示了中國儲存晶片產業在邁向高端化過程中所面臨的現實困境。面對封鎖，加速裝置中國國產化成為突破困局的必然選擇。長江儲存迅速與中國半導體裝置廠商組成協同攻關體系，從光刻、刻蝕到薄膜沉積、清洗，針對各個關鍵工藝環節展開裝置替代研發。至2024年，長江儲存生產線的裝置中國國產化率已顯著提升至45%，成為中國大陸裝置中國國產化程度最高的晶圓製造廠，展現了在外部高壓下加速自主替代的決心與能力。本輪儲存漲價潮，是挑戰，亦是機遇。它迫使中國企業正視自身短板，加速技術迭代與效率提升；同時，全球儲存產業的格局調整為中國國產替代提供了歷史機遇。突圍之路沒有捷徑！唯有依靠持之以恆的戰略投入、全產業鏈的協同創新，中國儲存產業鏈才能突圍。 (正解局)

日前，美國拉攏日本、韓國，加上歐洲幾個核心盟友，共8個國家，簽署了一份“對抗中國AI聯合聲明”。這事的性質極為惡劣。如果說以前是美國一家“單挑”，現在則是直接拉起了群架。然而，就在這道鐵幕落下的同時，美國卻反常地批准輝達向中國出售H200晶片。不少人的第一反應是：“美國是不是因為輝達業績壓力大，所以認慫了？”錯了。在“8國聯合圍堵”的大背景下，H200的放行絕非美國的仁慈，而是一套精心設計的“組合拳”：妄圖一邊用“八國聯盟”斬斷你的造血能力（生產），一邊用“H200”鎖死你的依賴習慣（生態）。01 從“技術封鎖”到“全產業鏈絞殺”這次8國《聯合聲明》最狠毒的地方，不在於美國，而在於日韓和澳大利亞、新加坡、荷蘭、英國、以色列和阿聯等八個國家的深度介入。這次不僅僅是稀土聯合抵抗中國，還是一個分工明確的AI科技“全產業鏈絞殺局”：日本（材料端）： 半導體材料之王。高端光刻膠、電子級清洗液，全球市場佔比極高。韓國（儲存端）： HBM（高頻寬記憶體）的霸主。現在的AI晶片，算力再強，沒有HBM配合就是廢鐵一塊。荷蘭及歐洲（裝置端）： 掌握著光刻機這一“工業皇冠上的明珠”。以前，我們還能利用這些國家與美國的利益分歧，搞搞平衡，買點裝置。現在8國抱團，意味著中國試圖從外部獲取先進製造能力的路徑，可能基本被堵死了。他們的目標很清晰：在物理層面，把中國本土的晶片製造能力，永久鎖定在落後兩代的水平。02 H200是一顆“劇毒糖果”既然要圍堵，為什麼還要賣H200？這半年的教訓讓美國人看懂了一件事：全面封鎖，只會倒逼中國成功。此前中國大廠買不到輝達，只能硬著頭皮買華為昇騰，買國產卡。結果呢？逼著中國廠商把那套原本很難用的國產軟體生態，硬生生地給磨合出來了。美國人一看，壞了！原本想餓死中國AI，結果反而逼出了一個能打的對手。所以，現在的策略變了，這是一招“抽梯子”的損招：斷你生產：我聯合8國，把造晶片的裝置和材料斷了，把中國自主製造的難度拉到滿級；毀你生態： 我把目前最好用的H200送還給你，雖然貴點，但比你自己造的好用。一旦你吃下了這顆毒糖果，中國本土晶片尚在襁褓中的生態，就可能會受到沉重打擊。03 爭奪科技發展的“定義權”現在的世界地緣格局，是從“全球化分工”變成了“陣營化切割”。美國拉著日韓搞8國聯盟，妄圖在AI算力、半導體裝置、高端材料這三個核心維度，對中國實施徹底的“物理隔絕”。其本質，是要把全球科技市場切割成兩半：“美國+盟友圈” 和 “中國圈”。在這個邏輯下，H200的出售，並不是美國想和你做生意，而是它試圖用技術優勢，繼續在這個分裂的世界裡，保留對中國科技發展的“定義權”。他們希望看到的局面是：中國負責： 出資料、出應用場景、出電費、做低端應用。西方負責： 掌握底層的硬科技、控制算力霸權、收取高額“技術租金”。這就像當年的殖民經濟：宗主國傾銷工業品，殖民地只負責提供原材料。如果你接受了H200，你就接受了成為“AI時代的殖民地”。更致命的是供應鏈安全。在8國對抗中國的背景下，把國家的AI基礎設施建立在輝達的晶片上，無異於沙灘築樓。川普或者下一任總統，心情不好隨時可以斷供，甚至利用晶片裡的後門遠端鎖死算力。到時候，咱們的資料中心就是一堆廢銅爛鐵。04 大廠的艱難選擇和考驗黃仁勳相信：只要美國稍微鬆開一點口子，大量中國的訂單就會瞬間流回輝達。因為作為商業公司，追求利潤最大化和效率極致化是其生存的本能，這無可厚非。但這也正是我們最擔憂的軟肋：特別是對於字節、阿里、騰訊這些商業大廠來說，這不僅是一道選擇題，更是一場“長考”：選國產卡：這意味著巨大的沉沒成本，算力暫時只有H200的60%。選H200：簡直太誘人了。插上就能用，CUDA生態無縫銜接，業務效率立馬起飛，競爭優勢瞬間拉滿。但這正是對手最陰險的“陽謀”。我們一旦動搖而拋棄國產，將面臨可怕的後果：國產晶片廠商剛拿到的訂單可能會枯竭，資金鏈斷裂；剛建立的使用者反饋機制可能會中斷，工程師不再為國產架構找Bug，晶片迭代失去方向；剛聚起來的開發者生態會可能後續無力，由於缺乏應用場景，人才將再次流失。結論很殘酷，但我們必須看清：晶片不僅是造出來的，更是“用”出來的，這是我們的優勢。所以，我們不能退步，不能拋棄國產，否則國產晶片好不容易燃起的星星之火，將被我們自己親手掐滅。寫在最後：面對H200技術性能的“誘惑”和所謂8國聯盟的“圍剿”，我們需要做的不是恐慌，當然也不能抱有任何僥倖的幻想。中方目前對解禁H200的“冷處理”，以及監管層對相關產業鏈的審慎佈局，恰恰是一種極度清醒的戰略定力。我們必須參透一個殘酷的底層邏輯：買來的現代化，是守不住的空中樓閣；跪著求來的繁榮，是必然帶毒的慢性藥。在8國“鐵幕”已然落下的今天，我們早已沒有退路。我們要珍惜每一塊艱難生產出來的國產晶片：那怕它現在算力還不夠強、發熱還比較大、適配還需改程式碼，但它不僅僅是工業品，更是屬於我們自己的“爭氣芯”。使用它、打磨它、迭代它，是我們這一代人的責任。我們早就看到了這一天，科技自立就是：一場不得不走的“新長征”，也是我們維護國家尊嚴與發展權利的護城河。唯有把關鍵技術掌握在自己手中，我們才能在談判桌上挺直腰桿，才能把“卡脖子”的清單，變成激勵我們前行的“軍令狀”。 (金百臨財富通)

11月16日消息，據路透社報導，荷蘭光刻機大廠ASML首席執行官Christophe Fouquet 近日在接受荷蘭電視台採訪時表示，荷蘭半導體裝置製造商尚未受到安世半導體控制權之爭導致的中荷之間關係緊張的影響。Christophe Fouquet 表示：“短期內不會對我們的業務造成影響”，他還補充說他認為危機最糟糕的時期已經過去。Christophe Fouquet認為，在這類問題上，最重要的是在事情升級之前，就先坐下來好好談，但這次的情況卻反了過來，即各方並沒有先溝通好，而是先發生了升級，導致現在的衝突與緊張。今年9月30日，荷蘭經濟事務部以“公司存在嚴重的治理缺陷”為由，強行接管聞泰科技旗下全資子公司安世半導體。此舉迅速引發了中國方面的反對，隨後雙方對抗持續升級，導致全球汽車晶片緊缺。直至近期中方才放鬆對安世半導體的出口管制，但是荷蘭方面卻一直未有解決問題的實際行動。針對荷蘭方面的強搶中國全資子公司控制權的行為，有一些中國的網友呼籲對等對待荷蘭在華大型企業，這也引發了荷蘭業界對於安世半導體爭端持續升級會導致影響自身在華業務的擔憂。從Christophe Fouquet的最新表態來看，目前安世半導體事件並未對ASML的業務造成影響，同時他對於該事件的解決保持樂觀。 (芯智訊)

近日中微公司的財報，反映出半導體裝置市場的焦點在光刻機之外，進一步向刻蝕、薄膜沉積等其他核心裝置領域拓展。2025 年前三季度，中微公司營收 80.63 億元，年增 46.40%。其中刻蝕裝置收入 61.01 億元，較去年成長 38.26%；LPCVD、ALD 等薄膜裝置收入 4.03 億元，較去年成長 1332.69%。伴隨半導體產業的發展，刻蝕、薄膜沉積正成為市場關注的核心領域。半導體裝置，最新焦點半導體製造核心器件涵蓋前道晶圓製造與後道封測兩大類，前道器件技術壁壘最高，主導市場份額。其中，光刻機、刻蝕機、薄膜沉積裝置是三大主要的裝置，根據SEMI測算資料，光刻機、刻蝕機、薄膜沉積裝置分別約佔半導體裝置市場的24%、20%和20%。具體到作用：光刻機如同「投影儀」，透過光源將電路圖形轉移到晶圓，決定晶片最小線寬。刻蝕機是「雕刻刀」，選擇性去除多餘材料，精確復刻圖形。薄膜沉積裝置負責沉積導體、絕緣體等膜層，建構晶片基礎結構，主要分為物理氣相沉積（PVD​​）、化學氣相沉積（CVD）和原子層沉積（ALD）三類。在這一系列裝置中，刻蝕與薄膜沉積之所以成為當前產業關注的新焦點，背後是半導體工藝演進至先進過程所帶來的必然邏輯變遷。第一點，目前EUV光刻機的波長限制在13.5nm，它做出來的線條只能做到14nm，10nm、7nm、5nm晶片要通過多重範本的方法，把20nm光刻機線條翻版成兩個10nm線條，再翻版成5nm的線條。SEMI資料顯示，在晶片製造流程裡，從65nm 製程演進至 7nm 流程，光刻步驟數量僅增加了約 30%，但刻蝕步驟數量卻激增了超過 300%。與此同時，薄膜沉積工序數量和複雜度也在大幅增加。當線寬向7nm及以下製程發展，需採用多重曝光工藝，薄膜沉積次數顯著增加，90nm CMOS工藝大約需要40道薄膜沉積工序，在3nm FinFET工藝產線則需要100道薄膜沉積工序。第二點，隨著3D 堆疊儲存的發展，3D NAND 為提升儲存密度，將儲存單元垂直堆疊，層數​​不斷增加，目前主流產品已超過 200 層，未來還將向 1000 層邁進。DRAM未來也有類似的3D堆疊層數的技術路線圖。這使得對刻蝕裝置的需求量和性能要求呈指數級增長，例如從 32 層提高到 128 層時，刻蝕裝置用量佔比從 35% 提升至 48%。此外，近存計算方案的發展增加了 TSV 刻蝕需求，TSV 工藝中刻蝕和填充裝置佔比接近 70%，進一步增加了刻蝕裝置的需求。同時，3D NAND 堆疊層數不斷增加，每層薄膜厚度要求嚴苛，ALD 與 CVD 協同工藝成為主流，這都對薄膜沉積裝置提出了更高要求。第三點，GAAFET 是接替 FinFET 的下一代電晶體技術。GAAFET 相比於 FinFET 的刻蝕工藝用量顯著增加，FinFET 有 5 道步驟涉及刻蝕工藝，而 GAAFET 晶體管有 9 道步驟涉及刻蝕工藝。根據IMM資訊的資料，刻蝕裝置在先進製程的用量佔比將從傳統FinFET時代的20%上升至GAA架構下的35%，單台裝置價值量年增12%。薄膜沉積裝置則需要在復雜三維結構上原子級均勻地沉積多層薄膜。例如：GAA奈米片電晶體需在原子尺度控制多層堆疊（如Si/SiGe超晶格），要求PECVD沉積的介電薄膜（如柵極側牆隔離層）厚度偏差控制在±0.5Å以內，且需實現高深寬比結構的保形覆蓋（覆蓋率>95%）因此，半導體製造未來的重點可能從單純依賴光刻機縮小特徵尺寸，轉向更複雜、更關鍵的刻蝕及薄膜沉積工藝。Q3裝置進口資料，透露那些資訊根據海關總署資料，2025年Q3前道裝置進口總額為101.87億美元，年增15.28%，環比增長33.15%，創歷史新高。核心器件進口資料的變化，既是國內半導體產能佈局的「晴雨表」，也折射出全球半導體裝置產業的競爭格局。其中CVD裝置、乾式蝕刻裝置等核心工藝裝置進口數量及單價均處於歷史高點。具體來看：光刻裝置方面，「其他光刻裝置」進口數量下降，但來自荷蘭的同類裝置單價卻飆升至歷史最高。這可能意味著中低階光刻裝置的進口已在縮減，聚焦引進相對高端光刻裝置，為先進工藝擴產突破技術瓶頸。薄膜沉積裝置方面，CVD裝置量價齊升且數量創歷史最高，反映國內在先進邏輯晶片、高端儲存領域的產能擴張需求強烈，對 CVD 這類核心沉積裝置依賴度仍較高。PVD 裝置已在中低階領域實現突破，同時國內對高階 PVD 裝置的採購標準提升。薄膜沉積裝置下一步的看點在於CVD、ALD等高階薄膜沉積裝置的國產化處理程序。刻蝕裝置方面，乾法刻蝕量價雙增且增速顯著，可能意味著國內產能擴張正在向先進製程傾斜，隨著晶片結構從2D向3D演進，對高性能乾法刻蝕裝置需求激增。其他刻蝕及剝離裝置進口量及進口單價均較去年同期下滑，這可能意味著國產裝置廠商在成熟製程刻蝕方面取得一定的成果。離子注入裝置方面，目前國內市場被美國，全球競爭正在加劇。氧化擴散裝置方面，自2024年下半年起氧化擴散等熱處理裝置進口數量整體呈下滑趨勢，但進口單價半導體裝置，多點開花根據國際半導體產業協會SEMI預測，2025年全球半導體晶圓廠前端裝置支出將達1,100億美元，較2024年年增約2%。在資料中心和邊緣兩端晶片需求走高背景下，預計2026年全球半導體晶圓廠前端裝置支出將達1,298億美元，年增速高達18%。刻蝕裝置從技術路徑來看，刻蝕工藝主要分為濕法刻蝕與乾法刻蝕兩大路線。隨著半導體製造向7nm及更先進節點發展，晶片整合度不斷提高，裝置結構日益複雜，對刻蝕工藝的精度、選擇性和一致性提出了前所未有的要求。在這一趨勢下，乾法刻蝕憑藉其卓越的技術適配性和工藝控制能力，已在邏輯晶片、存儲晶片等高端過程中佔據絕對主導地位，成為推動半導體技術迭代的關鍵工藝。在全球競爭格局方面，半導體刻蝕裝置主要被泛林、應用材料和東京電子三家廠商所壟斷，合計佔據近90%的市場份額。其中，應用材料在CCP與ICP兩大技術路線上均展現出強勁實力，產品線覆蓋全面，尤其在導體刻蝕與介質刻蝕領域保持領先；而泛林集團則在CCP技術領域，特別是高深寬比刻蝕方面具有絕對統治力，其裝置已成為3D NAND製造過程中不可或缺的核心環節。日本東京電子作為全球第三大刻蝕裝置供應商，在CCP和ICP領域都展現出強大的競爭力，特別是在介質刻蝕領域與美系企業並駕齊驅。相較之下，國內廠商起步較晚，如中微公司、北方華創、屹唐半導體等企業仍處於追趕階段，全球市場佔有率較低。國內積體電路製造廠商及國產蝕刻裝置仍有較大的發展空間。中微公司是刻蝕裝置的領導企業，其CCP裝置已實現對28奈米以上絕大部分應用的全面覆蓋，並在28奈米及以下節點取得重要進展。在3D NAND晶片的高深寬比刻蝕和邏輯晶片的前端刻蝕方面，中微的技術已達到部分先進節點，並被全球頂級晶片製造商改採用。不過，其平台化能力相對較弱，尚無法提供全流程解決方案。在ICP裝置方面，中微的產品已進入邏輯、DRAM、3D NAND等50條客戶生產線，在MEMS和先進封裝的深矽刻蝕領域表現優異，但要進入最複雜的關鍵工藝步驟，仍需經歷更嚴苛的驗證周期。北方華創作，其半導體裝置品類數量在國內同類廠商中位居前列，覆蓋光膠處理、刻蝕、清洗、熱處理、化學氣相沉積、物理氣相沉積等多個積體電路生產環節。在技​​術層面，北方華創的CCP裝置在8吋產線的矽刻蝕、介質刻蝕應用中已佔據主導地位，在12吋產線也成功應用於硬掩模刻蝕、鋁墊刻蝕等關鍵非核心步驟。值得注意的是，其ICP裝置的發展勢頭更為強勁，市場認可度持續提升。不過在最先進的邏輯晶片製造和128層以上3D NAND晶片的極高深寬比接觸孔刻蝕等尖端應用領域，北方華創裝置的技術成熟度、工藝均勻性和穩定性仍有提升空間，尚未進入全球頂級晶片製造商的最先進量產線。屹唐半導體前身為美國應用材料公司旗下的半導體濕法裝置業務部門，2015年透過國產化收購重組成立，目前已形成刻蝕、薄膜沉積、快速熱處理等三大類核心裝置產品線。根據Gartner 2023年的資料，在乾法去膠裝置領域，屹唐股份2023年憑藉34.6%的市場佔有率位居全球第二；在快速熱處理裝置領域，屹唐股份2023年憑藉13.05%的市場佔有率位居全球第二；同時，也是國內社會法位可大規模蝕量單晶圓法裝置的全球數位法位積壓板。薄膜沉積裝置半導體薄膜沉積裝置主要分為化學氣相沉積（CVD）、物理氣相沉積（PVD​​）和原子層沉積（ALD）三大類。目前，全球薄膜沉積裝置市場基本上由AMAT、LAM、TEL等美、日廠商壟斷：在PVD裝置領域，AMAT處於領先地位，份額佔比達85%左右；在CVD領域，AMAT、LAM、TELCR3佔比合計超80%；在ALD裝置領域，TEL和A60%合計。近年來，國內企業不斷加強技術研發，湧現了北方華創、拓荊科技、中微公司、微導奈米等一批薄膜沉積裝置製造商。但整體來看，薄膜沉積裝置國產化實力相對較弱，尤其是技術門檻較高的ALD裝置。拓荊科技深耕薄膜沉積裝置領域PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD及Flowable CVD等薄膜裝置系列產品，在積體電路邏輯晶片、儲存晶片製造等領域廣泛應用，客戶覆蓋中芯國際、華虹集團等廠商。PECVD裝置作為拓荊科技的核心產品，已實現全系列PECVD介質薄膜材料的覆蓋，通用介質薄膜材料（包括SiO2、SiN、TEOS、SiON、SiOC、FSG、BPSG、PSG等）和先進介質薄膜材料（包括ACHM、LoK-I、LoK-II、ADCI、Ha-Si等）皆已實現產業化應用，廣泛應用於國內積體電路製造產線。ALD裝置方面，拓荊科技為國產ALD裝置薄膜工藝覆蓋率頭部的裝置廠商，推出ALD SiCO、SiN、AlN等工藝裝置已實現大量出貨。SACVD系列產品持續維持產品競爭優勢，進一步擴大量產應用規模。其推出的等離子體增強SAF薄膜工藝裝置在客戶端驗證進展順利。截至2024年，SACVD系列產品反應腔累計出貨超100個。截至2024年，拓荊科技HDPCVDUSG、FSG、STI薄膜工藝裝置均已實現產業化，並持續擴大量產規模，HDPCVD系列產品反應腔累計出貨量達到100個。截至2024年，與FlowableCVD裝置相關的反應腔累計出貨超過15個。中微公司早在2023年就有薄膜裝置運抵客戶，主要為CVD/HAR/ALD W鎢裝置，TiN/TiAI/TaN ALD裝置。2025年Q3財報顯示，中微公司為先進儲存元件和邏輯元件開發的LPCVD、ALD等多款薄膜裝置已經順利進入市場， 並且裝置性能完全達到國際領先水平， 薄膜裝置的覆蓋率不斷增加。北方華創是國內PVD龍頭，稀缺性較強，且在LPCVD、APCVD、ALD領域也有所佈局，產品已批次應用到半導體產線。微導奈米依靠ALD裝置起家，在太陽能、半導體中均有應用，且公司是國內首家成功將量產型High-k ALD應用於28nm節點積體電路製造前道生產線的國產裝置公司，在ALD領域頗具競爭優勢。盛美上海以清洗裝置起家，正逐漸往平台型裝置公司拓展，目前在清洗、電鍍、Track、拋光、薄膜沉積等領域均有產品推出。在今年106屆中國電子展上，有業內人士向半導體產業縱橫表示，2010-2024 年國內半導體裝置銷售額復合年增長率達 30.2%，這一增速顯著高於全球市場同期水準。成長呈現明顯的階段性特徵：2017-2018 年因頭部晶圓廠集中啟動 12 吋產線建設，裝置採購需求集中釋放；2023-2024 年受惠於成熟過程（28nm 及以上）擴產及特色工藝（如 SiC、GaN勢 ）產能，預計 將 持續 約然而要注意的是，儘管刻蝕、薄膜沉積裝置本體國產化進展加速，但關鍵零件環節已成為自主可控的瓶頸之一。當前兩類裝置通用標準件的供應鏈高度依賴進口：日本企業（如 NSK、Fujikin）佔據大部分的市場份額，主要提供高精度傳動部件與特種氣體控制元件；歐洲供應商（如 Pfeiffer、Leybold）在真空系統領域佔比過半。美國零件公司仍掌握著部分核心訂製零件市場。不過，這項制約格局正迎來政策引導與市場驅動的雙重破局契機：總規模達 3,440 億元的國家積體電路產業投資基金三期（大基金三期）已明確將上游關鍵零組件列為核心投資方向之一。後續透過推動相關措施降低海外供應鏈依賴，將為刻蝕、薄膜沉積裝置的國產化築牢上游根基。 （環球老虎財經app)

分享一份SEMI（國際半導體產業協會）在「SEMICON Korea 2025 會員日」 發布的主題報告，針對短期經濟不確定性的背景，分析AI 對半導體裝置、材料市場的變革性影響，同時給出裝置與材料市場的區域動態、細分領域預測及增長驅動與風險。報告主要內容短期經濟不確定性AI 的變革性作用半導體器件市場展望材料市場展望關鍵資訊摘錄1. AI 的全鏈路變革報告指出，AI 是半導體行業成長的核心引擎。雲廠商對AI 基礎設施持續投入；2020-2030 年，AI 相關半導體收入佔比從不足10% 攀升至48%，非AI 半導體收入成長放緩；2023-2030 年，AI/HPC（高效能運算）相關裝置投資佔比從37% 上升至55%，其中7nm 晶程及先進核心裝置及先進裝置及相關開發廠相關設計現在，「雲- 邊緣- 終端」 三級AI 計算體系逐漸明晰，雲側負責大規模資料處理與存儲，邊緣側實現本地即時決策以降低延遲，終端側聚焦個性化應用與資料隱私保護，三者共同推動裝置與材料需求。2. 半導體器件市場預測2025 年全球半導體裝置市場預計成長7.4% 至1,250 億美元，2026 年再增加10% 達1,380 億美元，創歷史新高。台灣地區、韓國年增強勁（台灣達130%），驅動因素為AI 相關GPU、HBM（高帶寬記憶體）投資；中國大陸市場年減11%，歐洲因汽車/ 工業需求疲軟同樣下滑。在細分領域，晶圓製造裝置（WFE）2025 年成長6% 至1,110 億美元，2026 年成長10% 至1,220 億美元，先進製程與儲存裝置為核心驅動力；測試裝置2025 年激增23% 至93 億美元（AI、行動應用需求推動），2026 年機位增速85%（P5%）。億美元，2026 年成長15% 至63 億美元，先進封裝（3D-IC、Chiplet）是關鍵驅動。3. 材料市場核心資料半導體材料正在復蘇與成長，2025 年晶圓製造材料市場預計達454 億美元，2026 年增至489 億美元，核心驅動為先進製程與AI 需求。其中，矽片2024 年觸底（131 億美元），2025 年復甦至132 億美元，2026 年達143 億美元，300mm 矽片是增長主力（2025 年預計增長6.5%）；濕化學品2025 年增長16% 至37 億美元，2026 億美元，製程需求是核心；光刻材料持續成長，2026 年光掩膜市場達62 億美元，EUV 光刻推動負性光刻膠需求。其他主要頁面展示（銳芯聞）