SK海力士狂買EUV

增購20 台 EUV 裝置，強化下一代儲存製造

SK 海力士正大規模引進極紫外（EUV）光刻裝置，計畫 2027 年前增購約 20 台，將現有約 20 台（含研發用）的規模擴大一倍，總保有量有望躋身全球前三、與英特爾相當甚至超越。

EUV 光刻機是超微細半導體電路核心裝備，僅荷蘭 ASML 能生產，每台售價 3000 億 - 5000 億韓元，此次投資規模預計至少 6 兆韓元。

新增裝置將落地清州 M15X 工廠（今年底投產，率先配置）和利川 M16 工廠（按工藝轉換路線圖引入），公司還在與 ASML 協商加快交付，考慮提前啟動新 EUV 生產線。

此舉旨在強化下一代 DRAM 和 HBM 製造能力：EUV 可刻畫 10 奈米級電路，提升單位晶圓晶片產出及產品能效性能，將優先支撐年底量產的 HBM4 用 10 奈米級第 5 代 DRAM（1b）、待量產的第 6 代 DRAM（1c），未來第 7 代 DRAM（1d）及更先進 10 奈米級以下產品也將匯入該工藝，1d DRAM 最快明年啟動量產轉移。

同時，這一投資將帶動 EUV 專用光刻材料與部件需求增長，SK 海力士已與 JSR、杜邦（光刻膠）、默克、YCChem（清洗液）等供應商協商擴大供應。對於該計畫，SK 海力士表示 “具體細節暫不便確認”。

9 月 3 日，SK 海力士舉行了新一代半導體光刻裝置 “高數值孔徑極紫外光刻機（High NA EUV）” 的搬入紀念儀式。（從左數第五位起分別為：ASML 韓國代表理事社長金炳燦、SK 海力士採購擔當副社長金成漢、SK 海力士未來技術研究院院長副社長車善容（音譯）、SK 海力士製造技術擔當副社長李炳基） (芯榜+)