美國BIS已更改政策，取消韓國半導體公司中國工廠的VEU資格，允許其每年出口裝置。美國政府決定部分放寬對包括三星電子和SK海力士在內的韓國半導體公司向其中國工廠出口裝置的限制。此舉將避免每次裝置出貨都需要單獨審批的最壞情況。據業內人士12月30日透露，美國商務部工業與安全域（BIS）已更改政策，取消韓國半導體公司中國工廠的“終端使用者認證（VEU）”資格，允許其每年出口裝置。回溯其歷史，美國商務部自2022年起對美製半導體裝置出口中國實施嚴格管制，但當時給予三星、SK海力士及英特爾豁免，允許它們維持在華現有工廠的運作。根據最新規定，這些公司今後如要在中國採購相關裝置，必須逐案申請出口許可證。隨後在今年8月，美國商務部發佈通知，宣佈將撤銷韓國晶片製造商三星和SK海力士在其中國工廠使用美國裝置的豁免，這將使兩家公司更難在中國生產晶片。限制措施將在120天后生效。美國商務部在一份聲明中稱，美國計畫向相關企業發放許可證，允許其繼續在華營運現有的設施，但不打算發放擴大產能或升級技術的許可，從而取消“只對外國生產商有利、卻沒有給美國製造商帶來類似好處的寬鬆做法”。三星和SK海力士很大一部分的儲存晶片產能依賴於中國。三星西安廠佔三星NAND Flash四成產能，兩座廠月產能25萬片，佔全球NAND Flash產能1/10，也是三星在海外唯一的儲存晶片工廠。三星蘇州廠主營儲存器、儲存器模組及積體電路的組裝和測試。三星天津廠則主營LED產品，天津三星LED公司成立於2009年，經營範圍包括電子元器件製造、電子元器件批發、電子元器件零售、半導體照明器件製造等。SK海力士則在中國有兩個生產基地，分別位於重慶與無錫。其中無錫廠是SK海力士的儲存晶片生產主力之一。有分析師之前指出，SK海力士無錫廠的產量約佔該公司DRAM晶片的大約一半、全球產量的15%。重慶廠主要側重於晶片封裝。值得一提的是，SK海力士已於2021年收購英特爾NAND快閃記憶體及儲存業務，其中包括英特爾大連工廠。根據市場追蹤機構Gartner的資料，全球前五大半導體裝置公司佔整個市場的70%以上的裝置，大多為美國製造。此舉將使韓國兩大儲存晶片製造商在中國的營運難度大增，限制措施也衝擊到美國半導體裝置供應商，包括科磊（KLA Corp）、泛林集團（Lam Research）和應用材料（Applied Materials）。韓國《中央日報》報導稱，根據三星發佈的公司治理報告，該公司去年向中國半導體工廠加入了總價值3400 萬美元的裝置。其中包括2100萬美元用於其位於蘇州的封裝工廠和1300萬美元用於其位於西安的 NAND 快閃記憶體生產設施。同樣在中國生產 DRAM 晶片的SK 海力士的投資甚至更大。該公司去年將價值8300 萬美元的裝置轉移到其位於無錫的 DRAM 工廠、位於重慶的封裝工廠以及從英特爾手中收購的位於大連的 NAND 快閃記憶體工廠。僅在3月份，就有價值3200萬美元的裝置從韓國運往無錫晶圓廠。兩家公司都以“生產效率”為轉移裝置的原因。SK海力士在一份聲明中表示，“將與韓國和美國政府保持密切溝通，並採取必要措施，儘量減少對我們業務的影響”。2025年全球儲存晶片市場的持續升溫，成為此次美國政策放寬的關鍵產業背景。隨著儲存晶片供需缺口短期難以填補，漲價趨勢持續延續。這一輪儲存熱潮的核心驅動力來自AI伺服器部署加速、智能駕駛與端側AI應用拓展等新興場景的需求爆發，帶動儲存晶片用量激增。在此背景下，三星、SK海力士在華工廠的產能穩定性直接關係到全球儲存晶片的供給平衡——若因裝置審批受阻導致產能下滑，將進一步加劇全球儲存晶片供應緊張格局，推高終端產品成本，最終反噬全球電子產業生態。此舉顯著降低了三星電子和SK海力士中國工廠營運期間因裝置進口延遲而導致生產中斷的可能性。每次裝置出貨都需要審批的最壞情況也得以避免。這為中國NAND快閃記憶體和DRAM生產線的穩定運行提供了保障。然而，用於工廠擴建或工藝改進的裝置進口仍然受到限制，這限制了中長期投資策略的實施。 (半導體產業縱橫)

SK海力士的先進封裝廠，目標是在2028年下半年正式投入營運。隨著人工智慧（AI）浪潮席捲全球，半導體產業的競爭核心正從單純的晶片製造，轉向更為複雜的先進封裝技術。根據媒體報導，韓國儲存器大廠SK海力士（SK hynix）正在採取一項具備戰略意義的重大投資，計畫在美國建立其首條2.5D 封裝量產線。此動作不僅象徵著SK 海力士要超越HBM（高頻寬儲存器）供應商的角色，更展現其欲掌握最先進封裝技術主導權、強化AI 半導體供應鏈地位的雄心。根據ZDNet Korea的報導，SK海力士目前正深入討論在其位於美國印第安納州西拉法葉（West Lafayette）的新建封裝工廠中，匯入2.5D 製造產線的方案。這座工廠是SK海力士在美國境內的首座生產基地，定位為AI 儲存器專用的最先進封裝生產基地。而且，該投資案規模龐大，SK海力士先前已宣佈將投入38.7 億美元進行建設，目標是在2028 年下半年正式投入營運。目前，2.5D 封裝技術被視為整合HBM 與高性能系統半導體（如GPU 或CPU）的核心製程之一。其技術原理是在半導體晶片與電路板（Substrate）之間插入一層被稱為“矽中介層”（Silicon Interposer） 的薄膜。而這項技術具備透過矽中介層縮短晶片間的傳輸距離，大幅最佳化電力消耗與資料處理速度，以提升效能與電力效率的優勢。尤其，目前全球AI 晶片大廠輝達（Nvidia）的高性能AI 加速器，便是透過2.5D 封裝技術將HBM 與高性能GPU/CPU 緊密整合而成，更顯示出相關市場潛力。SK海力士認為，若能掌握2.5D 封裝的量產能力，將能全面強化其在AI 半導體封裝領域的競爭力，而不僅僅侷限於HBM 的生產。現階段，SK海力士雖然在韓國國內具備2.5D 封裝的基本技術力與研發裝置，但仍不足以支撐能對應大型系統級封裝（SiP）的量產需求，因此，報導引用消息人士的說法指出，由於現有設施難以負荷整合了HBM 的大規模AI 加速器生產，因此SK海力士正積極與封裝合作夥伴商討，在美國西拉法葉工廠建立正式的量產線。報導強調，SK海力士預計投資能帶來以下好處：確保供應穩定性：HBM 在交付最終客戶（如輝達）前，必須通過2.5D 封裝的品質測試（Qual Test）。在現有架構下，即使HBM 本身沒有問題，若在封裝過程中發生不良，將導致整個交貨過程延誤。釐清責任歸屬：2.5D 封裝構造複雜，一旦出現不良品，往往難以精確判定責任歸屬於儲存器廠商或封裝廠。挑戰台積電的壟斷地位：目前AI 加速器所需的2.5D 封裝市場事實上由台積電（TSMC）獨佔。 SK海力士若能成功建立量產線，將能向客戶提供HBM 與封裝一站式的統包（Turn-Key）服務，提升議價能力與市場佔比。半導體業界分析人士指出，SK海力士已將“具備自有的2.5D 封裝裝置”視為極其重要的戰略課題。一旦技術趨於穩定且高度化，SK海力士將不滿足於單純的內部研發，而是會正式以此作為一項獨立業務進軍市場。另外，這項在美國的投資計畫，不僅是為了應對輝達等大客戶的需求，更是為了在未來次世代HBM 競爭中搶佔先機。隨著2028 年工廠完工，全球AI 半導體供應鏈預計將迎來一場劇烈的權力重組，而SK海力士正試圖從一名強力的元件供應商，進化為掌握核心整合技術的產業關鍵節點。什麼是2.5D封裝？2.5D/3D 是將多個積體電路整合到同一封裝內的封裝技術。在 2.5D 結構中，兩個或多個有源半導體晶片並排放置在矽中介層上，以實現極高的晶片間互連密度。在 3D 結構中，有源晶片通過晶片堆疊的方式整合，以實現最短的互連線和最小的封裝尺寸。近年來，2.5D 和 3D因其在實現極高的封裝密度和高能效方面的優勢，已成為理想的晶片整合平台。2.5D/3D IC封裝主要用於整合以下應用中的HBM：高端GPU；高端FPGA；用於資料中心和 5G 基礎設施的網路交換機/路由器；用於人工智慧訓練的人工智慧加速器。在晶片時代，2.5D 和 3D IC 封裝將在 CPU、移動 AP、矽光子學、顯示驅動 IC 等眾多應用中發揮越來越重要的作用。 (半導體產業縱橫)

輕裝上陣，正在成為半導體巨頭們的集體選擇。最近，世界半導體貿易統計組織（WSTS）上調了對全球半導體市場的增長預期。2025年市場規模預計同比增長22.5%，遠高於此前11.2%的預測；2026年有望再增長26.3%，達到9750億美元，距離兆美元大關僅一步之遙。這一輪增長的含金量，明顯高於前一年。2024年的繁榮很大程度上由輝達引領的AI晶片爆發和儲存行業的周期性反彈所驅動，呈現出“頭部集中、結構單一”的特點。而進入2025年，復甦正變得更為均衡。雖然AI和儲存仍是主要增長引擎，但市場其他類股目前也在強勁增長。2025年的半導體巨頭卻展現出一種出人意料的克制。台積電退出氮化鎵代工，恩智浦關閉曾被寄予厚望的GaN晶圓廠，美光徹底告別消費級儲存市場……半導體巨頭們不再追求“無所不包”的帝國版圖，而是開始系統性地卸下包袱，聚焦真正能穿越周期的核心賽道。輕裝上陣，正在成為半導體巨頭們的集體選擇。01. 退出清單，誰在離場？恩智浦：關停ECHO Fab，告別GaN 5G PA12月，恩智浦宣佈關閉亞利桑那州錢德勒的ECHO晶圓廠。恩智浦在發給Light Reading的電子郵件中表示：“近年來，由於移動營運商投資回報率低，5G部署速度放緩，全球5G基站部署量遠低於最初預期。鑑於市場現狀且復甦前景黯淡，射頻業務已不再符合公司的長期戰略方向。因此，恩智浦決定逐步縮減其射頻功率產品線。”ECHO晶圓廠於2020年9月正式啟動，當時5G技術正處於蓬勃發展的時候。於是，恩智浦砸了超過1億美元進行改造升級，採用了先進的6英吋碳化矽襯底工藝生產氮化鎵射頻器件。恩智浦將其定位為“當時最先進的同類工廠”，專為生產高效率、高功率密度的GaN PA晶片而建，旨在取代傳統LDMOS（橫向擴散金屬氧化物半導體）技術，成為5G基站的新“黃金標準”Omdia資料顯示，5G裝置收入從2022年的450億美元連續兩年下滑，2023年和2024年各減少50億美元。4G時代，恩智浦憑藉LDMOS PA幾乎成為行業標配，廣泛供應諾基亞Flexi系列乃至華為等主流廠商。到了5G時代，其技術響應速度明顯落後。ECHO晶圓廠的關閉，意味著恩智浦徹底放棄射頻功率這一曾是其核心優勢的業務線。現在，這座曾承載雄心的6英吋晶圓廠將於2027年第一季度完成最後一片晶圓的生產。台積電：退出GaN代工關於GaN，今年台積電也做了調整。今年7月，氮化鎵廠商納微半導體宣佈，旗下650V元件產品在未來1到2年內將從現有供應商台積電逐步轉由力積電代工。對此，台積電表示，經過完整評估後，考量市場與長期業務策略，決定在未來2年內逐步退出氮化鎵業務。此前，台積電曾經高調宣稱非常看好氮化鎵的發展前景，關注程度甚至高於碳化矽。台積電研發資深處長段孝勤曾表示，台積電在化合物半導體領域專注氮化鎵相關開發，歷經長期的發展氮化鎵已逐漸開始被市場接受，預計未來十年將有更多應用場景。2023年台積電已佔據全球GaN晶圓代工40%的市場份額，與德國X-Fab、台灣漢磊形成“一超兩強”的格局，成為矽基GaN技術路線產業化的關鍵推動者。台積電的退出，主要還是因為利潤原因。台積電向來以追求高利潤著稱，長期毛利率53%的目標不變。從業務優先順序和利潤角度來看，台積電的氮化鎵代工業務投片量相對較小，其當前6英吋晶圓月產能僅3000~4000片，且頭部客戶如納微半導體佔據了大部分產能，對整體營收的貢獻有限，難以達到台積電的利潤預期，因此被逐漸邊緣化並最終退出。羅姆總裁表示，台積電退出氮化鎵（GaN）代工業務的決定“對我們造成了巨大打擊”。不過，台積電的退出也為二線代工廠留下了窗口。就在台積電淡出之際，納微半導體迅速與力積電達成合作，共同推進8英吋矽基氮化鎵（GaN-on-Si）技術的量產。美光：結束Crucial品牌，專注企業級儲存12月，美光宣佈，決定退出Crucial（英睿達）消費級業務，包括在全球主要零售商、電商平台和分銷商處銷售英睿達消費品牌產品。美光方面表示，將通過消費管道繼續供應英睿達消費級產品，直至明年2月。美光的消費級“Crucial”品牌過去主要通過儲存模組和固態硬碟（SSD）的形式，銷售給DIY玩家或升級筆記型電腦的硬體發燒友使用。對於退出Crucial業務，美光執行副總裁兼首席商務官Sumit Sadana表示：“由AI驅動的資料中心增長，帶來了對記憶體和儲存的強勁需求。美光已經做出了一個艱難的決定，即退出Crucial消費級業務，以便在增長更快的類股，更好地為我們規模更大的戰略性客戶提供供應和支援。”美光公司做出這一決定背後有兩個原因。第一，消費級儲存市場利潤微薄、競爭激烈，長期拖累整體產品組合的盈利能力。Crucial品牌雖在硬體愛好者中有一定口碑，但定位尷尬，夾在高端發燒友品牌和低端消費品牌之間。相比之下，資料中心和企業級產品則擁有長期合同、更高的平均售價以及更可預測的需求。第二，AI爆發催生HBM等高價值產品需求，美光把有限產能向高回報領域傾斜。根據美光測算，全球HBM市場規模將從2023年的40億美元增長至2025年的250億美元，年復合增速高達150%以上。每台AI伺服器配套的HBM容量已從傳統伺服器的128GB提升至1TB以上，成為AI基礎設施的關鍵成本項。在2024年9月的財報電話會上，美光CEO Sanjay Mehrotra透露，公司HBM產品單季收入已接近20億美元，相當於年化80億美元規模。SK海力士官宣關閉CIS部門今年剝離業務的儲存大廠不只有美光，還有SK 海力士。SK海力士今年3月宣佈，結束圖像感測器（CIS）事業部門，並將數百名相關人員統一轉換為人工智慧（AI）儲存器領域。於是，SK海力士長達17年的CIS業務征程隨之結束，也標誌著韓國半導體產業在中低端晶片領域的又一次收縮。SK海力士的CIS業務始於2008年對韓國設計公司Siliconfile的收購，曾推出對標索尼的“黑珍珠”系列感測器，並一度打入三星Galaxy折疊屏手機供應鏈。在2021年時，SK海力士的手機CIS業務收入達到頂峰，並且佔據了當時超過7%的市場份額。但受限於索尼、三星的專利壁壘，SK海力士始終未能突破高端CIS市場。從2022年開始，SK 海力士的收入開始下滑，並在2024年降至最低點。由於利潤空間的壓力，SK海力士未能擴大出貨量。在如今AI對儲存需求旺盛之際，SK海力士選擇退出該業務，也在情理之中。同樣的，SK 海力士的退出也為豪威、格科等國內CIS企業留下了新的增長機會。聞泰科技：全面剝離ODM業務今年，聞泰科技發佈重大資產出售預案，以現金方式向立訊精密及立訊通訊（上海）轉讓昆明聞訊、黃石智通、昆明智通、深圳聞泰、香港聞泰（含印尼聞泰）100%股權，以及無錫聞泰、無錫聞訊、印度聞泰的業務資產包。本次交易完成後，聞泰將徹底告別支撐其成長十餘年的ODM業務。此前，ODM業務是聞泰科技的核心業務，是營收的絕對主力。2023年和2024年，聞泰科技產品整合業務收入分別為443.15億元、584.31億元，佔公司營業收入的72.39%、79.39%。但自2022年起，這一業務進入了虧損狀態。2022年至2023年，產品整合業務淨虧損分別為4.47億元和15.69億元。2024年上半年，儘管這一業務收入同比增長26.68%達到261.2億元，但淨利潤卻大幅虧損8.5億元。聞泰科技解釋稱，虧損的原因主要是由於公司被列入實體清單，導致公司產品整合業務（ODM業務）未來新項目的獲取存在較大不確定性，進而對相關資產計提了減值。剝離ODM業務後，聞泰科技半導體業務的核心價值徹底釋放。從第三季度業績來看，聞泰科技半導體業務實現收入43.00億元，同比增長12.20%，業務毛利率為34.56%，淨利潤7.24億元。聞泰科技半導體業務收入在中國市場創下新高，同比增長約14%。其中，汽車業務收入同比增長超過26%，AI 伺服器、AI PC 等計算裝置及工業相關業務收入增長顯著。中國市場收入佔全球總收入的49.29%。02. 退出，是另一種進攻回看2025年的半導體行業，與其說是“退潮”，不如說是“校準”。巨頭們的退出主要是由四大結構性因素共同驅動：一、市場需求結構性萎縮。5G基站建設放緩、智慧型手機攝影機數量見頂，部分賽道從高速增長進入調整期。二、競爭格局惡化，盈利無望。在消費級儲存、ODM、CIS等領域，頭部廠商憑藉成本、供應鏈和本地化優勢快速擠壓對手。後進者若無技術或生態壁壘，只能接受微利甚至虧損。與其長期“陪跑”，不如主動退出。三、技術路線分化，必須聚焦。寬禁帶半導體中，GaN適合高頻快充，SiC更適合高壓電驅；儲存領域，HBM、CXL記憶體成為AI剛需。技術路徑日益清晰，企業必須“押注”而非“撒網”。四、資本開支壓力倒逼戰略收縮。2nm製程、HBM4等，隨著半導體技術的不斷進步，每一項前沿佈局都需要巨額的投入。在資本效率至上的當下，剝離低回報業務成為釋放現金流、支撐核心研發的必要手段。退出，是另一種進攻。2025年，邏輯晶片營收有望同比增長37.1%；其次是儲存晶片，營收同比增長27.8%，成為增長最強勁的兩大品類。感測器營收將同比增長10.4%；微處理器營收同比增長7.9%；模擬晶片營收同比增長7.5%；光電子元件營收同比增長3.7%；受汽車領域需求疲軟影響，分立元件營收同比下滑0.4%。展望2026年，邏輯與儲存仍將以超30%的增速領跑全域。WSTS的預測清晰揭示了行業的重心：AI伺服器、資料中心、高性能計算正在驅動新一輪結構性增長。在逼近兆美元的半導體新周期裡，真正的進攻，始於敢於退出。 (半導體產業縱橫)

在HBM3E價格依舊節節攀升之際，儲存龍頭們已圍繞HBM4展開了新一輪的市場份額之爭。據TheElec報導，SK海力士將其位於清州的M15X工廠的量產計畫提前了四個月，將於明年2月開始量產用於HBM4的1b DRAM晶圓。產能方面，該工廠初期規劃約為1萬片，預計到明年底將提升至數萬片。相關人士透露：“裝置投入和安裝工作正在進行，計畫已進行調整，以實現更快、更大規模的量產。”值得一提的是，M15X又被稱作“HBM4專用工廠”，業內人士認為，此次加速生產表明了SK海力士對HBM4供應的信心。截至目前，SK海力士已完成M15X早期投產的技術準備工作，其中就包括完成1b HBM4工藝的認證，其採用改進型電路的HBM4晶圓將於本月底完成晶圓製造，並於明年1月初向輝達交付其下一代12層HBM4記憶體的最終樣品。與此同時，輝達搭載HBM4的Vera Rubin 200平台出貨預期愈發明確。市場預測顯示，偉達GB300 AI伺服器機櫃明年出貨量有望達到5.5萬台，同比增長129%。Vera Rubin 200平台預計將於明年第四季度開始出貨，部分廠商訂單能見度已遠至2027年。▌三巨頭競逐HBM4份額時至今日，SK海力士在全球HBM市場仍佔據龍頭地位。市場調研機構Counterpoint Research資料顯示，今年第三季度，SK海力士全球HBM營收市佔率達57%，雖有下滑但仍好於去年同期。與之相比，三星與美光的市佔率則分別為22%和21%。然而，未來上述格局或將被撼動。據韓國《每日經濟新聞》日前消息，輝達相關團隊訪問了三星，通報了 HBM4 系統級封裝（SiP）的測試進展。會議透露，在運行速度與功耗效率兩項核心指標上，三星的產品在所有記憶體廠商中取得了最佳表現。基於其優異表現，輝達也為三星HBM4的供應亮起了綠燈。據悉，輝達要求的明年三星HBM4供應量大大超過了其內部預測值。 預計這將對三星業績的改善起到顯著作用。三星內部人士表示：“與上次的HBM3E不同,我們在HBM4開發上處於領先地位。”據報導，三星考慮到其平澤P4生產線的增設速度和生產能力等,將於明年第一季度正式簽訂供應合同。 預計將從第二季度開始正式供應。除此之外，美光也參與到HBM4的競爭之中。最新財報顯示，其HBM4將在2026年第二財季按計畫量產並實現高良率產能爬坡。HBM4在基礎邏輯晶片和DRAM核心晶片上採用先進的CMOS和先進金屬化工藝技術，這些晶片均由美光自主設計與製造。華泰證券指出，2026年全球三大儲存企業的資本開支或將集中在HBM/DRAM上。根據TrendForce預測，2026年DRAM位增長率或將達到26%。儲存超級周期有望成為2026年半導體行業重要主線，但呈現結構性分化特徵，Batch ALD裝置、測試裝置及封裝加工裝置的市場需求有望明顯增長。 (科創板日報)

據報導，韓國兩大儲存晶片巨頭三星與SK海力士正加快記憶體生產，以應對來自AI的需求。報導稱，三星電子近期不僅提升了韓國國內DRAM和NAND快閃記憶體的產線利用率，更重點擴大了高頻寬記憶體（HBM）等高端產品的產出。另外三星在11月決定平澤五廠恢復施工，預定2028年開始量產，以強化該公司的滿足先進儲存晶片需求的能力。至於SK海力士，其位於清州的M15X新廠正緊鑼密鼓準備投產，該廠將聚焦於DRAM和其他AI導向的儲存產品。業界高層表示，SK海力士正試圖趕在原定的2027年前，完成位於龍仁半導體園區內的首座晶圓廠，該設施規模相當於六座M15X晶圓廠。由於AI相關需求預期在未來幾年持續激增，產能被視為競爭力的關鍵決定因素，根據Omdia的資料，全球DRAM市場規模預計在2026年前達到1700億美元，高於2024年的1000億美元。但是，遠水解不了近渴啊。權威市調機構IDC在最新的一份報告中，預測了2026年度的PC市場，強調受記憶體供應短缺、價格飆升的影響，存在極大不確定性，但整體不容樂觀。因此，IDC給出了三種不同的預測，最好的情況下PC市場將在2026年萎縮2.4％，中性情境下倒退4.9％，最悲觀的可能會銳減8.9％。同時出現的則是採購成本和銷售價格的上漲：中性情況平均價格漲4-6％，最差甚至要漲8％。事實上，從目前的情況看，IDC的這個預測，還是太保守了。聯想和戴爾兩大PC巨頭，都已經調高了產品價格，最高幅度達15％。定製廠商Framework已經停止了記憶體的單獨銷售，部分整機廠商甚至提供了不包含記憶體的配置選項。除了記憶體，硬碟的價格也將在2026年持續上漲，無論機械盤還是固態盤。簡而言之，如果你是絕對剛需，不管是需要記憶體、硬碟還是整機，趕緊下手。如果你的電腦還能跑兩三年，就忘了這一切吧，一個字：等！ (硬體世界)

根據券商Kiwoon Securities的高級研究員預計，三星明年的營業利潤將達到90兆至100兆韓元（約台幣2.14兆元）。這呼應了先前報告指出，三星計畫在2027年實現晶圓代工業務獲利，意味著提高2nm GAA製程的良率是其首要任務，還有高頻寬記憶體HBM4和DRAM價格56%上漲的加持。wccftech報導，三星面臨的第一個真正考驗是，其首款採用上述曝光技術製造的晶片組Exynos 2600在應用於Galaxy S26系列後的性能表現。資深研究員朴有岳（Park Yoo-ak，音譯）對三星在2026年登頂業界霸主地位做出了最為樂觀的預測，他表示該公司明年的營業利潤將達到100兆韓元。根據《韓國經濟日報》報導，他的預測基於高頻寬記憶體HBM4市場佔額的顯著增長，以及通用DRAM價格56%的上漲。朴有岳也提到，由於NAND快閃記憶體價格上漲，三星的營收可望大幅提升。此外，該公司2nm GAA製程的良率有望提高，目前已獲得兩家中國加密貨幣挖礦裝置製造商的訂單，並與特斯拉簽署了價值165億美元的巨額交易，這將有助於三星建立穩固的客戶基礎。三星還向高通提供驍龍8 Elite Gen 5的樣品，用於評估其2nm GAA製程，但隨著驍龍8 Elite Gen 6 明年的發佈，三星的作用可能會更加突出。另一位來自KB證券的研究員金東元（Kim Dong-won，音譯）指出，三星的成功部分源自於GoogleTPU訂單的成長。根據Newspim報導，金東元還表示，由於Google Gemini的整合，記憶體供應增加，Galaxy智慧型手機銷量上升，這將有利於三星的營業利潤，預計營業利潤將達到100兆韓元，年增129%。HBM4的押注推動三星進入新一輪牛市三星電子股價目前已突破 10 萬韓元（68 美元），投資者開始質疑這家科技巨頭能否保持上漲勢頭，達到幾家券商預測的 15 萬韓元目標價位。這些券商指出，市場對人工智慧至關重要的高頻寬記憶體晶片的需求正在加速增長。10 月 30 日，三星公佈了強於預期的第三季度財報；第二天，人工智慧巨頭輝達宣佈計畫向三星和其他韓國科技公司提供 GPU。受此消息影響，當地券商紛紛上調三星目標股價。韓國投資證券、KB證券和Eugene投資證券均將目標價上調至15萬韓元，NH投資的目標價為14.5萬韓元，未來資產的目標價為14.2萬韓元。SK證券的目標價更高，達到17萬韓元。即使是去年警告儲存晶片行業“寒冬將至”的摩根士丹利，也將其對三星的目標股價上調至 144,000 韓元，並表示在牛市情況下，假設對儲存器和有機發光二極體的強勁需求持續，宏觀經濟狀況趨於穩定，而中國努力進入儲存晶片行業，其股價甚至可能達到 175,000 韓元。樂觀的前景主要基於這樣的預期：三星能夠向輝達供應其下一代 HBM4 晶片，並在 HBM3E 延遲發佈後重新奪回市場份額，此前 HBM3E 的延遲發佈導致該公司落後於競爭對手，並拖累了其盈利。KB證券高級分析師金東元周四表示，他預計三星明年將佔據輝達HBM4供應鏈的40%，並預測三星2026年的HBM出貨量將比今年增長2.5倍。金表示：“三星預計將成為最大的受益者，因為過去三年HBM的折扣價將轉為溢價，而傳統DRAM的價格則持續上漲。”他指出，這一組合可能推動三星市值達到1000兆韓元。截至周四發稿時，三星的市值為675兆韓元。韓國投資證券分析師蔡敏淑也表達了樂觀的看法，她說：“人工智慧驅動的記憶體上行周期才剛剛開始。”“由於供應短缺，平均售價將持續上漲至 2026 年，而 HBM 銷售的擴大將顯著提高（三星的）盈利能力。”三星、SK海力士股價進入第二波上漲行情“從輝達的GPU（圖形處理器）到Google的TPU（張量處理器），人工智慧記憶體半導體的需求比供應量高出50%以上。三星電子和SK海力士即將進入第二波增長階段。”KB證券研究部主管、汝矣島半導體行業長期“最佳分析師”金東元（人稱“半導體先生”）預測，半導體股票將進入第二輪上漲行情。金在1日的一份報告中指出：“三星電子和SK海力士的股價在過去一個月裡從高點下跌了15%，進入了暫時的回呼階段。這主要是由於短期美元流動性收緊、聯準會降息以及對人工智慧泡沫的擔憂引發的外資拋售，但預計這些不確定因素將從12月開始緩解。”他分析道：“人工智慧生態系統的多元化，包括Google的TPU和輝達的GPU，將直接推動HBM（高頻寬記憶體）和伺服器DRAM的普及，從而加劇未來記憶體價格上漲和出貨量增長。截至第四季度，人工智慧記憶體需求已超過供應50%以上，由於供應短缺加劇，預計第四季度的價格漲幅將遠超市場預期。”KB證券預測，三星電子明年的營業利潤將同比增長129%至97兆韓元，而SK海力士的營業利潤將增長89%至81兆韓元。三星預計將受益於北美“七大巨頭”（M7）公司HBM供應量的增加以及晶圓代工廠產能利用率的提高，而SK海力士則將受益於強勁的HBM出貨量。兩家公司明年的合併營業利潤預計為178兆韓元，佔韓國綜合股價指數（KOSPI）預計總營業利潤的40%。金特別指出：“從明年開始，Google的下一代TPU預計將採用HBM4，這將加劇供應短缺。三星電子在HBM4速度方面具有競爭優勢，極有可能在今年年初通過質量認證，從而為擴大對北美大型科技公司的供應鋪平道路。” (EDA365電子論壇)

據全球最大的儲存器製造商之一稱，DRAM 供應緊張的局面預計將持續到 2028 年。主流PC市場正面臨記憶體供需長期失衡的局面，據報導這種情況將持續到2028年。SK海力士的內部分析顯示，“商品級”DRAM的增長將十分有限，無法滿足市場需求。我們已經知道DRAM價格高得離譜，但這種情況似乎已經失控，使得大眾難以買到價格合理的PC。使用者@BullsLab分享了據稱是SK海力士內部分析的截圖。該分析預測，除高頻寬記憶體（HBM）和SOCAMM模組外，普通DRAM的增長至少在2028年之前仍將受到限制。這是因為主要的記憶體製造商已經將重心轉移到滿足AI伺服器的需求上，而面向消費市場的產能出現顯著增長的可能性仍然很低。據報導，現有供應商的庫存已降至歷史低位，這進一步加劇了分配壓力。報告顯示，SK海力士等記憶體製造商採取了保守的產能擴張策略，更注重維持盈利能力，而非向市場大量投放新的DRAM產品。伺服器DRAM的需求幾乎呈指數級增長，預計明年增長速度將更快。據估計，伺服器份額將從2025年的38%飆升至2030年的53%。由於人工智慧的蓬勃發展，雲服務提供商正大力建設人工智慧訓練資料中心，預計這將引發DRAM的超級周期。一些報告還指出，製造商2026年的關鍵DRAM生產配額已經售罄，而傳統PC DRAM的產量預計在未來幾年內將無法滿足需求。我們已經看到人工智慧PC市場份額的激增，預計到2026年，人工智慧PC系統將佔整個PC市場的55%左右。儘管預計2025年PC整體出貨量將與此持平。關於NAND快閃記憶體，SK海力士的分析也表明，由於伺服器端需求更高（利潤也更高），NAND快閃記憶體的供應增長可能會滯後於消費市場的需求增長。總而言之，這項分析揭示了消費市場一個令人擔憂的趨勢。我們此前預計這種情況會持續到2027年，但現在看來，它似乎在2028年底之前不會停止。蘋果DRAM長約到期，漲價在即一家公司兆美元的市值並不足以使其免受全球零部件短缺的影響，這幾乎意味著蘋果也將不得不支付巨額資金，從三星和SK海力士等公司購買DRAM晶片，用於其眾多產品。最新傳聞稱，蘋果公司與韓國廠商簽訂的長期協議（LTA）即將到期，而上述韓國廠商可能正摩拳擦掌，準備從2026年1月起向其利潤豐厚的客戶收取高額的DRAM晶片溢價。真正的問題是，蘋果是否會將這些成本上漲轉嫁給其忠實的粉絲群體。這次的情況極其嚴峻，據報導，三星不僅 為了最大化利潤而拒絕了旗下移動體驗部門的DRAM供應請求，而且還將重心從HBM轉向DDR5生產，因為這種策略能帶來更高的利潤。@jukan05 懇請他在X論壇上的讀者儘可能多地購買電子產品，否則將不得不付出慘痛的代價。據稱，蘋果公司將向三星和SK海力士支付更高的DRAM溢價，這將導致其眾多產品價格大幅上漲，例如即將推出的低價版MacBook、M5 MacBook Air、iPhone 18 系列、iPhone Fold、重新設計的OLED M6 MacBook Pro等等。幸運的是，這家總部位於加利福尼亞的科技巨頭擁有兩項優勢，這兩項優勢將在DRAM短缺期間發揮至關重要的作用。首先，蘋果公司坐擁數十億美元的現金儲備；其次，其專注於自主研發晶片的策略使其能夠消化這些成本上漲。例如，iPhone 16e中使用的 C1 5G 數據機 預計可為蘋果節省每台裝置 10 美元的成本。雖然這聽起來不多，但考慮到每年數百萬台的出貨量，最終節省的金額將相當可觀。據稱，蘋果將於今年晚些時候推出其研發數月的C2晶片，該晶片將應用於明年的旗艦機型。此外，與其他競爭品牌不同，蘋果堅持使用其定製的A系列SoC晶片，並將其獨家應用於自家產品。由於成本上漲，據傳高通和聯發科等其他晶片組製造商明年將把LPPDR6晶片獨家用於驍龍8 Elite Gen 6和天璣9600  ，因此蘋果的處境略好一些。然而，計畫明年升級到iPhone的使用者可能會感到意外，因為@jukan05提到，蘋果很可能會在2026年上半年提高包括iPhone在內的產品價格。戴爾大幅度漲價戴爾是最大的個人電腦製造商之一，該公司已內部通知員工，由於DRAM記憶體短缺，公司準備大幅提高多種產品的價格。記憶體短缺似乎已經蔓延到PC供應鏈中的“主流”製造商。據Business Insider報導，戴爾公司披露的內部郵件顯示，該公司預計將在其“商用產品線”（包括筆記型電腦和預裝PC）上調價格。此次漲價幅度預計將是該公司有史以來最大的漲幅之一，據稱筆記型電腦和PC的價格未來都可能上漲“數百美元”。而且，價格上漲不僅限於記憶體短缺，更大容量的儲存裝置也將大幅增加成本告稱，戴爾最新款Pro和Pro Max系列筆記型電腦和桌上型電腦，下周起價格將上漲，最高漲幅達230美元，具體漲幅取決於記憶體配置。此外，如果選擇128GB記憶體的機型，每台裝置的價格可能上漲高達765美元，如此大幅度的漲幅令消費者感到意外。不僅如此，如果遊戲玩家想要額外購買儲存空間，價格也將大幅上漲。一位戴爾員工預計，最終漲幅可能高達30%，具體取決於戴爾的合同條款，而戴爾的合同金額並不小。預計多款產品將受到記憶體短缺的影響，據 Business Insider 報導，戴爾的新定價表顯示價格上漲情況如下：戴爾Pro和Pro Max筆記型電腦及桌上型電腦（配備32GB記憶體）價格上漲130至230美元配置128GB記憶體的系統價格將上漲520至765美元。配備1TB 固態硬碟的配置價格將上漲 55 至 135 美元。戴爾 Pro 55 Plus 4K 顯示器價格上漲 150 美元配備NVIDIA RTX PRO 500 Blackwell GPU（6 GB）的 AI 筆記型電腦價格上漲 66 美元配備NVIDIA RTX PRO 500 Blackwell GPU（24 GB）的 AI 筆記型電腦價格上漲 530 美元值得注意的是，戴爾是全球最大的PC製造商之一，這意味著如果該公司實施大範圍提價，聯想、宏碁、華碩等其他競爭對手很可能也會效仿，這將導致消費者在未來一年面臨艱難的局面。更重要的是，記憶體短缺問題短期內不太可能結束，一些預測甚至認為這種情況可能會持續到2027年，這意味著未來幾個季度記憶體供應仍將受到限制。人工智慧雖然承諾讓人類的遊戲體驗更輕鬆，但卻給遊戲玩家帶來了挑戰，而且未來購買一台計算裝置似乎會變得更加困難。半導體進入超級周期KB證券15日預測，從明年開始，儲存器半導體周期將擴展到伺服器和高頻寬儲存器（HBM），導致前所未有的供應短缺。KB證券研究部主管金東元表示：“受人工智慧和儲存器業務的推動，今年第三季度全球半導體銷售額環比增長15%，達到318兆韓元，創歷史新高。預計今年全球半導體銷售額將比上年增長24%，達到1180兆韓元，首次突破1000兆韓元大關。”金補充道，從明年開始，半導體周期將從專注於HBM擴展到包括伺服器記憶體和HBM，這將導致前所未有的供應短缺。這一預測源於對HBM、伺服器DRAM和企業級固態硬碟（eSSD）的需求不斷增長，因為隨著人工智慧推理工作負載的擴展以及雲服務提供商增加對人工智慧應用的資料處理，這些需求都在不斷增長。雖然HBM在人工智慧訓練階段至關重要，但人工智慧服務的商業化將推動伺服器DRAM需求的快速增長，以處理推理階段的大規模資料。Kim指出：“根據產品速度和規格的不同，HBM4的價格預計將比HBM3E溢價28%至58%。半導體市場預計將進入一個超級周期，甚至超越以往的超級周期。”他繼續說道：“三星電子擁有多元化的專用積體電路（ASIC）客戶群，主要面向大型科技公司。預計其明年的HBM出貨量將比上年增長兩倍。這將使其HBM市場份額從今年的16%擴大到明年的35%以上，增長超過一倍。儘管三星電子擁有全球最大的DRAM產能，但其目前的估值水平卻是最低的，這表明其被嚴重低估的局面即將得到解決。” (半導體行業觀察)

“我不知道”如果你身邊有朋友問你，“記憶體什麼時候能降價”，那麼你可以把這個文章甩給他，直接告訴ta，你不知道。全球主要 DRAM 供應商之一 SK 海力士近日就當前記憶體市場供應短缺及擴產計畫發表了看法。由於 AI 產業需求的爆炸性增長，記憶體供應持續緊張，製造商們面臨著激進的價格上漲壓力。有行業預測顯示，記憶體短缺的局面可能將持續到 2027 年甚至更久。WCCFTech向海力士談論了如今的“記憶體超級周期”以及公司的對策，海力士表示目前下結論還為時尚早。海力士表示，公司已提前完成 M15X 晶圓廠兩年的建設工作並已啟用。該工廠將專注於HBM的生產，計畫在明年啟動全面量產。M15X是SK海力士投入約36億美元的重大項目，預計將為公司整體晶圓產能貢獻重要份額。公司還提及正在建設中的龍仁（Yongin）晶圓廠，該廠預計在 2027 年上半年投產。公司表示，鑑於記憶體需求增長速度超過預期，公司正通過建設 M15X 和龍仁工廠等先進生產基礎設施，主動確保“晶圓廠空間”和“生產能力”，以高效響應不斷增長的 AI 記憶體需求和客戶的演變要求。而問及記憶體短缺何時結束時，海力士認為，由於 AI 領域潛在需求的不確定性，供應鏈仍在適應新的市場格局，無法精準預測短缺的持續時間。目前，公司計畫在HBM 市場保持高份額，不僅繼續供應主要的 GPU 客戶，還將覆蓋包括 ASIC 領域在內的多元化客戶群體。有意思的是，海力士明確知道，當下的消費級通用記憶體市場（用於PC、手機的普通記憶體）供應處於緊迫局勢，其表示這是由於大型雲服務提供商（CSP）和科技巨頭傾向於鎖定長期 DRAM 採購合同，而供給側產量不足導致。公司估計，2027年上半年將大幅增加DRAM生產能力，以滿足市場需求，但考慮到從工廠擴建到生產線重新分配需要數月時間，消費級產品，包括 DDR5 記憶體等，價格短期內恐將持續承壓。顯然，儲存巨頭正在將產能重心從傳統的通用記憶體轉向高利潤、高技術壁壘的 AI 記憶體。而對於普通消費者和終端銷售商，可能不得不繼續承受這一輪 AI 軍備競賽帶來的成本外溢效應。 (AMP實驗室)