大摩將ASML本次業績的核心增量放在毛利率改善提前、Low-NA EUV產能確認和浸沒式裝置同步擴張。先進邏輯/晶圓代工與DRAM訂單佔比約 51%/49%，需求結構較均衡。公司預計2027年底Low-NA EUV產能約90台，2028年約110台，且這一數字尚未計入新園區的潛在增量；新一代裝置的單台生產率提升還會放大有效產能。 一、核心綜述 1. 報告背景 7 月 15 日 ASML 披露 Q2 財報，營收、毛利率、全年指引全面大幅超預期；摩根士丹利 7 月 16 日緊急發佈深度跟蹤報告，核心結論：ASML 高毛利率中樞（55% 區間）落地時間較此前模型預判提前整整 1 年，景氣周期盈利彈性被市場嚴重低估。

2026年7月14日，印度國際新聞頻道WION一則報導，把深圳保密設施裡的進展推到聚光燈下：中國已成功搭建完全中國國產化的極紫外（EUV）光刻機原型。報導援引項目內部消息稱，這是艾斯摩爾自1990年代投入EUV研發以來，第一次有外部力量獨立實現EUV光源產生與整機系統整合。 艾斯摩爾一直獨家把持著全球EUV光刻機市場，整體光刻機市佔率約83%。WION的評論直截了當：如果中國把這一突破推進到EUV光刻機的商業量產，全球半導體產業格局將永久改寫。 LDP技術線 據報導，這台原型機由華為統籌，整合了中國研究機構、供應鏈和數千名研究人員。深圳設施採取嚴格的物理隔離與分組保密機制。

01 前沿導讀 據《聯合早報》新聞指出，荷蘭外貿大臣斯約茲馬（舍爾茨瑪）在半導體技術的出口管制上面與美國存在分歧。 此前雙方就EUV技術的出口管制達成共識，但美國推出的match法案則有意主導部分涉及到荷蘭企業經營的決策，這讓荷蘭一方對該法案提出了擔憂和反對。

原型機出光 2026年7月，深圳一處由中央科技委員會管理的保密設施內，一台全國產化EUV光刻原型機被啟動，首次穩定產生13.5奈米波長的極紫外光。 路透社調查確認了這一進展。《印度時報》隨後以“北京的‘曼哈頓計畫’”為題做了報導。這台裝置目前還遠達不到量產機所需的生產節拍和穩定性，但它證明，從光源、光學系統到真空腔體，中國已經貫通了EUV的基本技術鏈路。 自2019年起，美國聯手荷蘭、日本築起出口管制牆。EUV整機被禁售，連DUV浸沒式裝置也要許可證。這個防火牆，現在被敲出了一道肉眼可見的縫。

近期，曾被中方制裁的荷蘭外貿大臣舍爾茨瑪帶領代表團訪華，處於風口浪尖的ASML高管也在隨行名單之中。這次訪問釋放的訊號非常明確：在EUV光刻機上，荷蘭可以配合美國對華禁售；但在DUV光刻機領域，荷蘭政府與ASML的態度十分堅決——必須繼續賣，並且要履行售後義務。 利益捆綁：DUV是ASML的命脈 荷蘭首相迪克·斯霍夫此前曾公開表態，是否收緊對華出口限制是荷蘭自己的決定，並且必須考慮ASML的經濟利益。這背後的邏輯很現實：中國大陸是ASML的全球第三大市場，在某些季度甚至是第一大單一客戶市場。 據《電子工程專輯》分析，如果荷蘭全面切斷DUV裝置的對華出口，並同步叫停售後服務，ASML在中國區的業務將趨近於清零。這不僅是營收斷崖式下跌的問題，更會動搖其後續的研發投入能力以及在全球的龍頭地位。因此，面對美國旨在全面限制對華半導體裝置出口的MATCH法案，荷蘭政府與ASML表現出了明顯的分歧與軟抵抗。

據官方最新發佈的公告，我國已經正式宣佈將對面向全球市場的氦氣供應實施出口限制措施。 業內多方評估認為，由於中國在全球氦氣市場中所佔的份額相對有限，這一限制措施預計不會給全球半導體晶圓代工產業帶來顛覆性的災難性衝擊。不過在當下全球人工智慧熱潮帶動晶片需求持續激增的特殊節點，此舉無疑會讓本就十分脆弱的全球半導體供應鏈局勢進一步收緊。 氦氣是半導體製造過程中不可或缺的關鍵工業原料，在氣相沉積、晶圓冷卻以及刻蝕等多個核心工藝階段都有廣泛應用，很難找到其他屬性完全匹配的材料實現替代。 除此之外，在晶片製造的最前端生產環節，氦氣還承擔著為先進極紫外（EUV）光刻機持續降溫的重要任務。

EUV光刻機被認為是5nm以下工藝不可或缺的關鍵裝置，然而EUV成本高，再加上受限的情況下，半導體工藝只靠當前的DUV光刻能做到什麼地步？ 這個問題是Intel、台積電、三星等公司不會面對的，因為他們已經切換到EUV路線了，但一家名為SMIC的公司還在不斷最佳化DUV光刻極限，業內的光刻技術大佬Frederick Chen日前又注意到了SMIC申請的2個專利，展示了該公司在這方面的探索。 SMIC公司在中美兩地都申請了這個專利，最早在2024年10月份就率先在中國境內申請了，目標是提高電晶體密度的同時也提高設計的靈活性。 文章的技術內容太過高深，感興趣的可以看原文，簡單來說就是SMIC公司在SAQP自對準四重圖案與傳統的LELE（光刻+蝕刻）兩個技術中如何尋求平衡的技術。

中國國產晶片突破現狀：架構替代實現突圍，EUV光刻機仍是終極卡點 長期以來，海外技術壁壘與供應鏈限制，持續制約著中國半導體產業的進階之路。在行業封鎖的大背景下，中國晶片企業主動破局，在核心的晶片設計架構領域摸索出多條可行的替代路徑，逐步擺脫國外技術桎梏。但業內專家明確指出，相較於可突破的晶片設計壁壘，EUV極紫外光刻機依舊是中國國產先進製程晶片製造無法繞開的核心短板，目前暫無成熟替代方案，只能依靠自主攻堅研發。 荷蘭知名半導體行業分析師、資深產業觀察者馬克·海金克，在荷蘭主串流媒體《新鹿特丹商報》刊發的行業分析文章中，深度剖析了當前中國晶片產業的突破進展與現存瓶頸。他表示，以華為為代表的中國科技企業，正持續推動晶片設計技術迭代升級，跳出傳統技術框架，依託開源RISC-V指令集架構開展晶片研發，以此規避美國X86、英國ARM兩大主流商用指令集的技術封鎖與政策限制，為中國國產晶片設計開闢全新賽道。 結合環球網梳理的中國國產晶片產業發展脈絡來看，中國晶片行業已形成兩套成熟且互補的自主發展模式，分別適配不同企業的技術積澱與發展路徑，成為中國國產晶片突圍的核心支撐，兩種模式無優劣之分，協同助力產業自主化發展。