#EUV
•

中芯國際突破關鍵技術！

隨著製程節點不斷微縮，繼續依靠傳統的尺寸縮減來維持性能提升變得越來越困難。因此，晶圓代工廠開始轉向結構創新，以緩解製程微縮帶來的瓶頸。 對於那些無法獲得 EUV（極紫外光刻）裝置的中國晶片製造商而言，在進一步實現製程微縮、提升電晶體密度和性能方面面臨更多限制，因此，像背面供電（BSPD）這樣的技術路線正變得越來越重要。 在這一背景下，業內消息人士稱，中國領先的半導體裝置廠商正在加大對中芯國際（SMIC）BSPDN技術研發的支援，目標是將其應用於N7和N5製程。 背面供電是將傳統位於電晶體層上方的供電網路轉移至晶圓背面，通過垂直通孔（如奈米矽通孔）直接為電晶體供電，此舉可顯著提升晶片性能、降低功耗並增加電晶體密度，但也面臨晶圓減薄、散熱管理、工藝複雜性與成本升高等挑戰。
中芯國際突破關鍵技術！
科技#半導體#中芯國際#EUV
•

韓媒：此前中國記憶體晶片落後韓國5年，如今快閃記憶體技術差距縮短至1年，記憶體技術差距縮短至2年，HBM縮短至3年

01 前沿導讀 據快科技指出，韓國半導體產業協會首次量化了中國記憶體晶片與韓國的技術差距：NAND快閃記憶體僅落後1年，DRAM落後2年，HBM落後3年，此前這一差距長期維持在5年左右。 快閃記憶體和記憶體的技術差距已經被縮短至1到2年左右，但是在ai產業的HBM技術上，韓國企業已經實現量產，而長鑫記憶體剛啟動HBM3E試產，技術差距在3年左右。 02 技術追趕
韓媒：此前中國記憶體晶片落後韓國5年，如今快閃記憶體技術差距縮短至1年，記憶體技術差距縮短至2年，HBM縮短至3年
科技#半導體#三星#ASML
•

阿斯麥瞄準110台以上EUV設備產量，因JPM強調AI需求「強勁」

ASML Holding N.V. (NASDAQ:ASML) is exploring ways to produce more than 110 extreme-ultraviolet (EUV) chip-printing machines in 2028 as artificial-intelligence demand remains "very very strong," JPMorgan says. 艾斯摩爾公司（納斯達克股票代碼：ASML）正在探索在2028年生產超過110台極紫外（EUV）晶片光刻機的途徑，因為摩根大通表示，人工智慧需求依然「非常非常強勁」。 ASML's Amsterdam-listed shares fell 5.2% Monday as chip stocks sold off after Anthropic CEO Dario Amodei urged the industry to slow frontier AI capability gains. Sam Altman and Elon Musk also backed the proposal. ASML在阿姆斯特丹上市的股票周一下跌5.2%，此前晶片股普遍下挫，原因是Anthropic首席執行長達裡奧·阿莫代伊呼籲業界放慢前沿人工智慧能力的提升步伐。薩姆·阿爾特曼和埃隆·馬斯克也支援這一提議。
美股#ASML#阿斯麥#EUV設備
•

馬斯克的手術刀、光刻機與晶片工廠

馬斯克打算對EUV光刻機“動刀”了。 馬斯克的晶片工廠Terafab藍圖。圖片經由AI處理 為了打破傳統極紫外光刻對單機獨立光源的物理依賴，馬斯克直接將目光投向了工業級自由電子雷射器（FEL）。 美國當地時間8月6日，SpaceX官方帳號發佈了Terafab巨型晶片廠的夜間渲染視訊，畫面中央一個巨大的圓形同步加速器環形結構迅速引發熱議。
馬斯克的手術刀、光刻機與晶片工廠
美股#馬斯克#ASML#EUV光刻機
•

Applied Materials揭秘先進eBeam：GAA、3D器件、High-NA EUV良率控制全面升級！

🔷從See-Through Imaging到Contour-Based EPE，突破先進3D器件深層量測瓶頸 🔷融合SEM Simulation與AI演算法，加速先進製程Time to Yield 隨著GAA、3D DRAM、3D NAND以及High-NA EUV不斷向前推進，先進製程正在進入一個前所未有的複雜時代。 小編在看完Applied Materials這份最新報告後發現，真正決定先進晶片能否快速量產的，已經不只是工藝能不能做出來，而是能否更快發現缺陷、定位良率根因，並完成工藝閉環。
Applied Materials揭秘先進eBeam：GAA、3D器件、High-NA EUV良率控制全面升級！
科技#eBeam#良率控制#GAA
•

美國最深的恐懼

當地時間7月27日，美國科技媒體《The Information》援引知情人士消息稱，中國已啟動國產浸沒式深紫外光刻機（DUV）的量產工作。報導引發西方輿論嘩然，艾斯摩爾（ASML）的末路，美國科技打壓的全面破產，都在討論範圍之內。 有一個流行的典故說，荷蘭人曾宣稱，就算把圖紙交給中國人，他們也造不出光刻機。其中既包含對中國精密製造能力的蔑視，也顯示著對艾斯摩爾公司數十年建構起來的由全球5000多家頂尖的零件和材料供應商組成的體系性壁壘的高度自信。 這個連梳理清楚都會讓人發瘋的複雜體系，要在一國範圍內實現完全自主，聽上去的確就像天方夜譚。 艾斯摩爾有理由憂心如焚，過去有太多“巨頭壟斷—中國突破—價格雪崩”的歷史經驗了，喪鐘隨時都可能敲響。
美國最深的恐懼
科技#中國#DUV#ASML
•

三星High-NA EUV延後匯入

三星電子（Samsung Electronics）在今年 NGL（Next-Generation Lithography + Patterning）會議上表示，將把高數值孔徑極紫外微影（High-NA EUV）匯入 1 奈米（A10）製程量產，預計最早於 2030 年開始。公司原先曾考慮將這項技術用於 2 奈米與 1.4 奈米節點，但目前規劃已延後至更先進的 A10 世代。 三星技術副總裁Park Chang-min 指出，High-NA EUV 將成為 A10 及後續節點的重要裝置。相較於現行 0.33 NA EUV，High-NA EUV 具備更高數值孔徑，可縮小電路圖形，並以單次圖案化完成製作，降低多重曝光帶來的成本、複雜度與缺陷風險。 根據會議內容，三星目前已完成2 奈米製程商用化，並規劃在 2029 年量產 1.4 奈米 SF1.4 製程，接著於 2030 年推進 SF1.4+ 與 1 奈米製程。這意味著 High-NA EUV 的匯入時程，將與三星邁向 1 奈米世代的路線圖同步展開。(大話晶片)
三星High-NA EUV延後匯入
科技#三星電子#EUV
•

ASML：高 NA / 超高 NA 極紫外光刻 3D 掩模效應研究

分享ASML與其他團隊在 2026 年 SPIE 先進光刻會議發表的 EUV 光刻模擬研究報告，聚焦高 NA、超高 NA EUV 場景下3D 掩模（M3D） 相對傳統基爾霍夫（KH）理想掩模的成像增益。 報告主要內容 一、研究基礎：兩種掩模建模體系 基爾霍夫（KH）理想掩模模型：
ASML：高 NA / 超高 NA 極紫外光刻 3D 掩模效應研究
科技#ASML#EUV#光刻模擬演算法