#EUV
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《紐約客》長篇特稿丨晶片：人類有史以來最偉大的發明

Computer Chips Are the Most Magnificent Things Humanity Has Ever Made 它們為我們的手機、汽車、洗碗機以及支撐經濟發展的AI系統提供動力。它們也是激烈地緣政治競爭的核心所在。 本文即將刊登於2026 年 10 月 26 日的《紐約客》雜誌印刷版。作者：吉迪恩·劉易斯-克勞斯是《紐約客》的專職撰稿人，報導領域涵蓋科技、學術界和書籍等。他著有回憶錄《方向感》。 一位投資者表示：“我們沒有衡量複雜程度的評級標準，但火箭大概是五級。”他的合夥人補充道：“半導體是十一級。”（照片由阿列克謝·康德拉季耶夫為《紐約客》拍攝）
《紐約客》長篇特稿丨晶片：人類有史以來最偉大的發明
科技#台積電#ASML#半導體供應鏈
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外媒提問：中國晶片能否在5到10年內趕上美國？英特爾CEO表示：差距沒那麼大，主要看誰能把晶片賣出去賺錢

01 前沿導讀 英特爾CEO陳立武在接受《日經亞洲》採訪時表示，無論是來自美國還是中國的企業，它們都有各自的優勢和劣勢。 更重要的是，什麼對消費者最有利，什麼最適合企業使用。針對中國晶片技術能否在5到10年內趕上美國水平時，陳立武並沒有直接進行回覆，而是表示稱差距並沒有那麼大。 02 技術差距
外媒提問：中國晶片能否在5到10年內趕上美國？英特爾CEO表示：差距沒那麼大，主要看誰能把晶片賣出去賺錢
科技#英特爾#半導體技術#晶片
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突破！中國公司展示EUV光源！

據TrendForce援引多方消息報導，中國初創公司朗道賽萊克斯（Langdao Silex）在本周於上海舉行的第26屆中國國際工業博覽會上，展示了一款極紫外（EUV）光源原型，輸出功率超過15瓦，90% 的元件為國產，並具備較好的運行穩定性。然而，該公司還需三到五年才能將其技術商業化，且光源本身並不等同於完整的EUV光刻機。 朗道賽萊克斯成立於2024年，創始團隊來自清華大學氣體放電電漿體實驗室。其展示的FlintNano LPP-OXXO系統採用與ASML現代光源相同的雷射電漿體（LPP）技術，通過高能雷射脈衝轟擊微小的加熱金屬液滴產生極熱電漿體，從而輻射出EUV光。該系統配備1000瓦驅動雷射（推測為CO₂雷射），工作頻率為1kHz至20kHz，轉換效率超過2%。其EUV輸出超過15瓦（推測是在電漿體處測量，而非中間焦點，因為該公司尚未展示完整的EUV收集系統），亮度達到100 W/(mm²·sr)。 根據朗道公佈的規格，FlintNano LPP-OXXO可連續運行超過100小時，電漿體穩定性為3% RMS，EUV輸出功率穩定性為5%。這些特性使該系統適用於半導體曝光實驗，但其輸出仍不足以用於高產量晶片生產。對於一台預生產光源而言，“超過100小時”的可用性令人印象深刻，但這一說法目前無法核實。 朗道還在開發FlintMicro-LPP高功率EUV光源，據稱已完成原理驗證，但未披露其輸出功率、轉換效率或工作壽命。從紙面資料看，朗道的光源輸出與西方和日本裝置製造商最早開發的EUV光源相當，但存在一個重要區別：朗道似乎在電漿體處測量EUV功率，而非像ASML那樣在收集器之後或中間焦點處測量。
突破！中國公司展示EUV光源！
科技#EUV光刻#朗道賽萊克斯#半導體設備
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瑞銀：財報驗證EUV需求！上調未來兩年盈利預期！

全球光刻機龍頭艾斯摩爾第三季度業績整體符合買方預期，EBIT較市場共識高約5%，第四季度EBIT指引中值超出共識約7%。基於公司重申並更新的2026年指引，瑞銀預計2027-2028年EPS市場共識有望上調5%-10%。瑞銀維持對艾斯摩爾的“確信買入”評級，12個月目標價2350歐元，較10月13日收盤價有約56%的上行空間。 一、核心結論 全球光刻機龍頭艾斯摩爾2026年第三季度業績整體符合買方預期，EBIT較市場共識高約5%，第四季度EBIT指引中值超出共識約7%。基於公司重申並更新的2026年指引，瑞銀預計2027-2028年EPS市場共識有望上調5%-10%。瑞銀維持艾斯摩爾“確信買入”評級，12個月目標價2350歐元，較10月13日收盤價有約56%的上行空間。 二、Q3業績拆解：結構性亮點與預期差
瑞銀：財報驗證EUV需求！上調未來兩年盈利預期！
美股#財報分析#EUV光刻機#阿斯麥
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馬斯克：訂購EUV光刻機！

據Tim Culpan援引知情人士消息，埃隆·馬斯克的Terafab半導體項目將於2027年年中接收其首台ASML極紫外（EUV）光刻裝置。然而，SemiAnalysis指出，該公司的研發晶圓廠外殼要到2027年底才能完工，裝置搬遷更晚，這意味著這台昂貴的裝置將在相當長一段時間內處於閒置狀態。 特斯拉於今年4月在奧斯汀Giga Texas北校區動工建設其研究晶圓廠。SemiAnalysis預計該建築將在15個月內完工，之後特斯拉還需約6個月時間安裝裝置與生產工具，隨後才能開始處理晶圓——或者說，通過晶片生產實驗讓團隊為Terafab量產工廠一期完工做好準備。在當前ASML Twinscan NXE EUV光刻機一機難求的背景下，將裝置存放數月再投入使用，對傳統晶片製造商而言是沉重的財務負擔，但對Terafab來說並非重大財務問題。 首台傳統EUV光刻系統的交付也表明，儘管馬斯克曾公開稱讚用於光刻的自由電子雷射（FEL）光源，但其半導體生產公司的第一代努力仍將依賴更傳統的裝置。這並不特別令人意外，因為Terafab計畫使用英特爾的14A製造技術。14A不僅將使用現有的低數值孔徑（Low-NA）EUV，還將使用下一代高數值孔徑（High-NA）EUV機器。使用非常規且大多未經測試的光源，將需要對製造工藝進行大量修改、進行廣泛的裝置認證，並可能改變光掩模和光刻膠，這將使英特爾14A技術的轉移複雜化，並推遲Terafab的量產進度。 不過，使用標準光刻裝置並不意味著馬斯克的公司沒有計畫採用與英特爾不同的工具，只是目前猜測Terafab工程師可能對晶圓廠組態做出哪些改變還為時過早。SpaceX於2026年8月初宣佈選擇Grimes County作為Terafab所在地。目前已有證據表明，工作已推進到土地清理之後——9月中旬發佈的無人機畫面顯示，場址西北部正在進行地基挖掘和鋼筋籠安裝，表明承包商已在9月初開始結構施工，儘管該地基的確切用途尚不清楚。 (晶片行業)
馬斯克：訂購EUV光刻機！
美股#馬斯克#EUV光刻機#產能佈局
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美智庫統計：中國晶圓廠落地 343 台 ASML 浸潤光刻機，270 台高端機型可長期支撐 7nm 製程

半導體行業消息顯示，美國智庫發佈的一份統計報告勾勒出國內光刻機存量格局：從 2012 年至 2026 年一季度，國內晶片製造企業累計引進了 343 台 ASML 浸潤式 DUV 光刻機。在這批裝置當中，超過 270 台屬於 NXT:1980i 型號，這類裝置既能穩定量產成熟工藝晶片，借助多重曝光技術，也能夠實現 7nm 等級晶片的生產，足以支撐先進製程晶片製造多年。 一場針對浸潤式 DUV 光刻機的管制收緊，正在半導體行業持續發酵。今年 4 月西方國家推出 MATCH 法案，目標直指 ASML 浸潤式光刻機。法案條款要求，禁止 ASML 繼續向國內 5 家重點晶片企業出售浸潤式光刻機，同時切斷裝置零部件供應與現場售後維修服務。法案還設定時限，要求 ASML 等相關企業在 150 天內按照美方制裁標準落實管控，否則美方將直接對企業實施管控。 如今 150 天的時限已經臨近到期，但 MATCH 法案後續落地的動作卻遲遲沒有新進展。荷蘭政府與 ASML 公司都公開表達了反對立場。在他們看來，這項法案違背全球半導體產業分工邏輯，管制權限本應由荷蘭自主決定，美方強行推動域外管制並不合理。 在此之前，EUV 光刻機早已被禁止對華銷售。失去中國市場，對於 ASML 而言只是少了一小部分高端客戶。而一旦浸潤式 DUV 光刻機也被納入禁售清單，影響範圍會急劇擴大，幾乎覆蓋 ASML 在中國的絕大多數客戶。
美智庫統計：中國晶圓廠落地 343 台 ASML 浸潤光刻機，270 台高端機型可長期支撐 7nm 製程
科技#中國#EUV光刻機#ASML
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光刻機的“上帝之眼”：為什麼全世界只有蔡司能做？

在半導體行業，ASML的光刻機是公認的“工業皇冠上的明珠”。一台EUV光刻機由幾十萬個零件組成，重達12噸，售價超過26億人民幣。但很多人不知道的是，這台“印鈔機”最核心的部件——光學系統，全球只有一家公司能造。 它叫蔡司（Zeiss）。 有人說：“德國可以沒有西門子，也可以沒有奔馳，但唯獨離不開蔡司。”這話一點也不誇張。全球約80%到90%的晶片，在生產過程中都使用了蔡司的光學元件。越是先進的晶片，越離不開蔡司的鏡頭。業內因此稱蔡司的鏡頭為光刻機中的 “上帝之眼”。 原子等級的精度：把誤差控制在3個矽原子直徑內
光刻機的“上帝之眼”：為什麼全世界只有蔡司能做？
科技#蔡司#EUV光刻機#光學系統
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ASML：EUV光刻機十年計畫啟動！

據路透社報導，全球光刻機龍頭ASML正與其光學合作夥伴卡爾蔡司（Carl Zeiss）共同推進一項名為“Hyper NA”的十年期項目，旨在開發下一代晶片製造工具。該裝置預計可列印5奈米級的更小電路，同時將大量復用ASML與蔡司現有的技術系統。 Hyper NA的體積預計比ASML當前的高數值孔徑（High-NA）EUV光刻機小三分之一以上，這意味著在同等產能下，裝置佔地面積將顯著縮減，為晶圓廠節省寶貴的潔淨室空間。知情人士透露，ASML已啟動相關技術的研發工作，但尚未對量產做出正式承諾，具體推進節奏將取決於公司內部調整、合作夥伴進展以及市場競爭態勢。 在技術路徑上，蔡司已開始製造精度足以滿足Hyper NA要求的反射鏡。其他在研的晶片製造工具也計畫採用更短波長的光源。由於更換光源方案意味著整個照明系統需要重新設計，ASML可能會沿用現有EUV光源技術，以降低開發風險和成本。 當前，晶片製造商正持續在設計、性能和能效方面最佳化半導體，聚焦更小的特徵尺寸以提升速度並降低功耗。在這一處理程序中，光刻技術始終是核心瓶頸。ASML的Hyper NA項目若成功落地，將為未來十年先進製程的持續微縮提供關鍵支撐。不過，從研發到量產，光刻裝置的商業化之路通常漫長且充滿不確定性，Hyper NA能否如期在約十年內面世，仍有待觀察。 (晶片行業)
ASML：EUV光刻機十年計畫啟動！
科技#ASML#EUV光刻機#Carl Zeiss