#EUV
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EUV光刻機，太缺了，巨頭瘋搶

據報導，三星電子和SK海力士正在競相訂購極紫外（EUV）光刻裝置，雙方的投資額均在10兆至20兆韓元之間。由於ASML已正式宣佈2027-2028年EUV裝置供應將出現缺口，因此確保裝置交付已成為擴大先進DRAM規模的關鍵。 據業內人士8日透露，SK海力士和SK海力士計畫從明年開始分階段接收ASML的EUV光刻裝置。SK海力士在3月份宣佈將採購價值約11.95兆韓元的EUV裝置，交付期限為2027年12月31日。由於供應短缺，關鍵裝置的交付周期已延長至此前最長的兩倍，兩家公司正在考慮提前下單。根據實際情況，兩家公司還計畫追加訂單，這增加了資本支出進一步增加的可能性。 三星電子正隨著其在平澤的投資項目不斷增加訂單。去年11月，三星電子宣佈了一項為期五年、總額達450兆韓元的韓國國內投資計畫，其中包括平澤園區第五條生產線（P5），並設定了2028年投產的目標。據悉，P5每座晶圓廠的投資額超過60兆韓元。業內人士預計，P5一期潔淨室工程將於明年上半年完工，屆時將開始裝置搬遷。三星電子已為該生產線訂購了光刻裝置。 EUV光刻裝置使用波長為13.5奈米（nm）的光刻蝕電路，減少了以往需要多次曝光才能完成圖案的多重曝光步驟，從而提高了精度和良率。對於10奈米級的第六代（1c）DRAM等先進DRAM，隨著電路間距的縮小，採用EUV光刻技術的工藝層數也在增加。市場研究公司TrendForce表示，SK海力士計畫在1c DRAM中應用EUV光刻技術超過五層，比上一代產品多兩層。
科技#EUV光刻機#供應短缺#資本支出
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荷蘭砸下25億歐元，只為留住一家企業：ASML究竟有多重要？

2024年3月，荷蘭政府遇到了一件棘手的事。 一家本土企業的生意越做越大，訂單越來越多，卻開始擔心荷蘭已經容不下它未來的擴張計畫。 這家公司叫ASML，全球最先進EUV光刻機的唯一商業供應商。 ASML當時對荷蘭的人才短缺、基礎設施和政策環境頗有意見，海外擴張也被擺上了考慮範圍。
荷蘭砸下25億歐元，只為留住一家企業：ASML究竟有多重要？
科技#ASML#荷蘭政府#光刻機
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SK海力士、長鑫記憶體-記憶體專家：缺到2027年底，2028年上半年翻面

專家把這兩年的帳算成了一道減法：需求有多強已經不是變數，真正的變數是供給有多慢。DRAM的月投片從62萬片加到78萬片要走三年，而EUV光刻機的交期本身就要三年——兩件事疊在一起，2027年的嚴重供不應求已經寫死，風險窗口則被推到了2028年上半年。 圍繞這件事，專家拆了三條產線：SK海力士的龍仁基地、大連的NAND廠（原英特爾業務，現屬Solidigm），以及正在選址的日本、韓國光州、美國三處新廠。海外另外兩家是三星和另一家美國原廠；國內被點到的是長鑫記憶體——2027年預計量產HBM3E，同時公佈了4F²方案。三個問題：產能為什麼加不動、誰在為HBM讓路、拐點落在那一年。 一、產能不是不想加，是加不動 先分清兩種擴產方式，這是全篇的地基。DRAM靠增加投片量——製程從14奈米走向11奈米甚至10奈米，單片晶圓的容量增益只有個位數百分比，轉向DDR6時甚至可能負增長，所以只能靠蓋廠房、加投片來堆總量。NAND走的是另一條路——提升堆疊層數，從238層到321層，2026年底370至380層量產，一次能釋放出相當可觀的產能。同樣是要增產，一個靠鋼筋水泥，一個靠工藝層數。
SK海力士、長鑫記憶體-記憶體專家：缺到2027年底，2028年上半年翻面
科技#半導體#HBM#SK海力士
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催單也沒用！英特爾CTO坦言：前沿晶圓產量翻倍已是全球供應鏈極限

IT之家 10 月 23 日消息，在接受 Dwarkesh 播客時，英特爾首席技術官（CTO）普什卡 · 拉納德（Pushkar Ranade）表示：即便資金充足，全球尖端晶圓產量也難以擴大十倍，更現實的增長上限約為兩倍。 在播客節目中，拉納德被問及“世界上是否有足夠工具，把前沿晶圓產量提高 10 倍”。對此他回應稱“不是 10 倍，但可能達到 2 倍，是的。”他認為這一限制源於整個半導體供應鏈協同擴產的能力，而非某個單一環節。 IT之家援引博文介紹，拉納德指出，AI計算能力過去十年大約以每年三倍的速度增長，但製造先進晶片所需的關鍵裝置、潔淨室和晶圓廠規模，正在成為新的產能天花板。 其中，ASML每年生產的 EUV 光刻機不足 100 台，且到本十年末也難以大幅擴產，而英特爾、台積電以及SK 海力士等記憶體廠商共同爭奪這些裝置。
科技#英特爾#先進晶片#晶圓產能
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《紐約客》長篇特稿丨晶片：人類有史以來最偉大的發明

Computer Chips Are the Most Magnificent Things Humanity Has Ever Made 它們為我們的手機、汽車、洗碗機以及支撐經濟發展的AI系統提供動力。它們也是激烈地緣政治競爭的核心所在。 本文即將刊登於2026 年 10 月 26 日的《紐約客》雜誌印刷版。作者：吉迪恩·劉易斯-克勞斯是《紐約客》的專職撰稿人，報導領域涵蓋科技、學術界和書籍等。他著有回憶錄《方向感》。 一位投資者表示：“我們沒有衡量複雜程度的評級標準，但火箭大概是五級。”他的合夥人補充道：“半導體是十一級。”（照片由阿列克謝·康德拉季耶夫為《紐約客》拍攝）
《紐約客》長篇特稿丨晶片：人類有史以來最偉大的發明
科技#台積電#ASML#半導體供應鏈
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外媒提問：中國晶片能否在5到10年內趕上美國？英特爾CEO表示：差距沒那麼大，主要看誰能把晶片賣出去賺錢

01 前沿導讀 英特爾CEO陳立武在接受《日經亞洲》採訪時表示，無論是來自美國還是中國的企業，它們都有各自的優勢和劣勢。 更重要的是，什麼對消費者最有利，什麼最適合企業使用。針對中國晶片技術能否在5到10年內趕上美國水平時，陳立武並沒有直接進行回覆，而是表示稱差距並沒有那麼大。 02 技術差距
外媒提問：中國晶片能否在5到10年內趕上美國？英特爾CEO表示：差距沒那麼大，主要看誰能把晶片賣出去賺錢
科技#英特爾#半導體技術#晶片
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突破！中國公司展示EUV光源！

據TrendForce援引多方消息報導，中國初創公司朗道賽萊克斯（Langdao Silex）在本周於上海舉行的第26屆中國國際工業博覽會上，展示了一款極紫外（EUV）光源原型，輸出功率超過15瓦，90% 的元件為國產，並具備較好的運行穩定性。然而，該公司還需三到五年才能將其技術商業化，且光源本身並不等同於完整的EUV光刻機。 朗道賽萊克斯成立於2024年，創始團隊來自清華大學氣體放電電漿體實驗室。其展示的FlintNano LPP-OXXO系統採用與ASML現代光源相同的雷射電漿體（LPP）技術，通過高能雷射脈衝轟擊微小的加熱金屬液滴產生極熱電漿體，從而輻射出EUV光。該系統配備1000瓦驅動雷射（推測為CO₂雷射），工作頻率為1kHz至20kHz，轉換效率超過2%。其EUV輸出超過15瓦（推測是在電漿體處測量，而非中間焦點，因為該公司尚未展示完整的EUV收集系統），亮度達到100 W/(mm²·sr)。 根據朗道公佈的規格，FlintNano LPP-OXXO可連續運行超過100小時，電漿體穩定性為3% RMS，EUV輸出功率穩定性為5%。這些特性使該系統適用於半導體曝光實驗，但其輸出仍不足以用於高產量晶片生產。對於一台預生產光源而言，“超過100小時”的可用性令人印象深刻，但這一說法目前無法核實。 朗道還在開發FlintMicro-LPP高功率EUV光源，據稱已完成原理驗證，但未披露其輸出功率、轉換效率或工作壽命。從紙面資料看，朗道的光源輸出與西方和日本裝置製造商最早開發的EUV光源相當，但存在一個重要區別：朗道似乎在電漿體處測量EUV功率，而非像ASML那樣在收集器之後或中間焦點處測量。
突破！中國公司展示EUV光源！
科技#EUV光刻#朗道賽萊克斯#半導體設備
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瑞銀：財報驗證EUV需求！上調未來兩年盈利預期！

全球光刻機龍頭艾斯摩爾第三季度業績整體符合買方預期，EBIT較市場共識高約5%，第四季度EBIT指引中值超出共識約7%。基於公司重申並更新的2026年指引，瑞銀預計2027-2028年EPS市場共識有望上調5%-10%。瑞銀維持對艾斯摩爾的“確信買入”評級，12個月目標價2350歐元，較10月13日收盤價有約56%的上行空間。 一、核心結論 全球光刻機龍頭艾斯摩爾2026年第三季度業績整體符合買方預期，EBIT較市場共識高約5%，第四季度EBIT指引中值超出共識約7%。基於公司重申並更新的2026年指引，瑞銀預計2027-2028年EPS市場共識有望上調5%-10%。瑞銀維持艾斯摩爾“確信買入”評級，12個月目標價2350歐元，較10月13日收盤價有約56%的上行空間。 二、Q3業績拆解：結構性亮點與預期差
瑞銀：財報驗證EUV需求！上調未來兩年盈利預期！
美股#財報分析#EUV光刻機#阿斯麥