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全球半導體製造技術迎來能效突破。台積電近日宣佈,通過技術創新已成功將其極紫外(EUV)光刻裝置的峰值功耗降低了44%,這一成果標誌著晶片製造業在綠色可持續發展方面取得重要進展。
EUV光刻作為當前最先進的晶片製造工藝,其能耗問題一直是行業關注的焦點。台積電通過最佳化裝置運行模式、改進光源系統和提升製造流程效率等多重技術手段,實現了顯著的節能效果。據估算,這一技術突破預計到2030年將為公司節省約1.9億千瓦時的電力消耗,相當於減少約10萬噸碳排放。
技術細節顯示,台積電主要從三個維度推進EUV裝置能效提升:首先是通過智能調度演算法最佳化裝置運行狀態,避免不必要的能源浪費;其次是改進光刻機內部的熱管理系統,降低冷卻系統能耗;最後是提升製造工藝的穩定性和良率,減少裝置重複作業的需要。
這一能效突破對半導體產業的可持續發展具有重要意義。隨著晶片製程不斷微縮,製造工藝的能耗成本持續攀升,EUV作為關鍵工藝環節的節能改進,將有效降低先進製程的營運成本,同時減輕對環境的影響。
業內專家指出,台積電的EUV節能技術不僅體現了企業在技術創新方面的領先實力,更展現了半導體行業對綠色製造的堅定承諾。在全球積極推進碳中和的背景下,半導體製造業的能效提升將成為行業可持續發展的重要保障。
隨著人工智慧、5G等新技術對晶片需求持續增長,半導體製造業的能耗問題日益凸顯。台積電此次技術突破為行業提供了可借鑑的能效提升方案,預計將推動整個產業鏈加快綠色轉型步伐。未來,半導體製造技術的競爭將不僅侷限於性能和精度,能效表現也將成為衡量技術先進性的重要指標。 (晶片行業)