01 前沿導讀據美國半導體技術機構SemiAnalysis所發佈的專欄報告指出，日本佳能的奈米壓印（NIL）技術在國際晶片領域被冠以“匹敵甚至超過EUV的能力”，從理論上來說，奈米壓印可以達到甚至是超過EUV光刻機的曝光解析度，並且裝置的製造成本比EUV光刻機更低。但是奈米壓印技術存在多種問題，例如零件的損耗、多層圖案的對齊精度、製造邏輯晶片的良品率等問題。日本的奈米壓印裝置與ASML主導的傳統光刻裝置不同，儘管美國也對日本企業實施出口管制，但奈米壓印裝置還可以進行出口。如果中國企業在EUV領域的進展緩慢，那麼與日本佳能合作，嘗試使用奈米壓印技術製造晶片，也是一條可行的技術路線。02 奈米壓印奈米壓印與光學光刻的核心理念是一致的，都是將掩範本上面的圖案轉移到晶圓上面。先進行多層的圖案化疊加，然後進入到刻蝕、沉積等工藝步驟，最終完成整個晶片之後進入封裝環節。只不過光學光刻使用光源透過光縫快速掃描印刷，而奈米壓印則是使用一種特定的“印章”，將圖案進行機械化印刷，這兩種技術存在本質上的差別。奈米壓印技術，最早是由美國普林斯頓大學的華人科學家周郁在1995年提出的技術。2001年，奈米壓印從學術界逐步過渡到商業化的範疇，成立了分子壓模公司 (Molecular Imprints Inc.），開始將奈米壓印技術應用在製造半導體晶片上。2014年，在日本佳能公司收購了分子壓模公司之後，又聯合了日本印刷株式會社、鎧俠控股等多個企業共同開發奈米壓印的晶片製造技術。並且佳能將奈米壓印技術定義為ASML EUV的替代方案，企圖用這種方法來縮短與ASML的技術差距。目前為止，全球的晶片製造格局變成了ASML、尼康、佳能三家比拚，中國企業緊隨其後。ASML持有浸潤式DUV光刻機和EUV光刻機這兩大王牌裝置，尼康走的是傳統光刻，旗下有乾式DUV和浸潤式DUV裝置，但裝置的技術水平落後於ASML。佳能擁有乾式DUV光刻機，並且還持有已經商用的奈米壓印裝置。2023年10月13日，佳能宣佈推出型號為“FPA-1200NZ2C”奈米壓印光刻機裝置。據佳能表示，該裝置的硬體能力支援最小線寬14nm的晶片製造，相當於是邏輯晶片的5nm節點。隨著掩模技術的提升，該裝置可以實現2nm節點的邏輯晶片製造，並且其技術成本要比ASML的EUV裝置低很多。03 現存問題佳能的奈米壓印裝置已經交付給了鎧俠集團和鎂光科技，用於製造快閃記憶體晶片。儲存晶片與邏輯晶片存在本質上差別，儲存晶片的結構簡單，重複度高，對於掩模的要求較低，甚至幾百層的圖案結構都是一致的。而邏輯晶片涉及到CPU、GPU、NPU等多種電晶體的圖案設計，其每層的電路圖案都不一樣，這對於掩模和裝置精度要求很高。奈米壓抑的機械印章非常細小，其尺寸相當於人類頭髮的橫截面。現在使用這個裝置每秒壓印一次晶片，只要是機械印章出現一丁點的缺陷或者是損耗，這都會直接影響晶片的良品率。傳統光學光刻所使用的掩範本，其使用壽命支援光刻100000個晶圓，而奈米壓印所使用的掩範本壽命遠低於光學掩範本。想要解決這個問題，就必須投入資源去開發適配的材料，不但成本高，而且耗時長，這也是奈米壓印遲遲沒有製造邏輯晶片的原因之一。我們將目光投向中國大陸市場，杭州璞璘是中國唯一一家深耕奈米壓印技術的企業，由該公司製造的PL-SR系列奈米壓印裝置已經在2025年8月份正式交付給客戶使用。並且該公司的創始人葛海雄先生，師從奈米壓印技術發明人周郁博士，具備20年以上的技術開發經驗。根據璞璘公司的資料顯示，該裝置是迄今為止唯一在國內初步實現20nm以下高端晶片所需的奈米壓印裝置。並且公司還向市場供應了包括範本複製膠、耐刻蝕型奈米壓印膠、刻蝕傳遞膠、光學奈米壓印膠、耐腐蝕奈米壓印膠、增粘膠、防粘試劑在內的40余種製造材料，建立起一條全新的晶片產業鏈。佳能在硬體裝置上，對比中國現存的產品具備明顯優勢。但中國企業的路線是押注傳統光學光刻和奈米壓印光刻兩種技術路線，並且這兩種技術路線平行研發。在無法獲取EUV裝置的前提下，奈米壓印技術是一個可以嘗試的技術方案，但奈米壓印現存的問題就是製造先進邏輯晶片的損耗大、良品率低，可以當做備選方案，光學光刻技術依然是主流的選擇。 (逍遙漠)

全球半導體製造技術迎來能效突破。台積電近日宣佈，通過技術創新已成功將其極紫外（EUV）光刻裝置的峰值功耗降低了44%，這一成果標誌著晶片製造業在綠色可持續發展方面取得重要進展。EUV光刻作為當前最先進的晶片製造工藝，其能耗問題一直是行業關注的焦點。台積電通過最佳化裝置運行模式、改進光源系統和提升製造流程效率等多重技術手段，實現了顯著的節能效果。據估算，這一技術突破預計到2030年將為公司節省約1.9億千瓦時的電力消耗，相當於減少約10萬噸碳排放。技術細節顯示，台積電主要從三個維度推進EUV裝置能效提升：首先是通過智能調度演算法最佳化裝置運行狀態，避免不必要的能源浪費；其次是改進光刻機內部的熱管理系統，降低冷卻系統能耗；最後是提升製造工藝的穩定性和良率，減少裝置重複作業的需要。這一能效突破對半導體產業的可持續發展具有重要意義。隨著晶片製程不斷微縮，製造工藝的能耗成本持續攀升，EUV作為關鍵工藝環節的節能改進，將有效降低先進製程的營運成本，同時減輕對環境的影響。業內專家指出，台積電的EUV節能技術不僅體現了企業在技術創新方面的領先實力，更展現了半導體行業對綠色製造的堅定承諾。在全球積極推進碳中和的背景下，半導體製造業的能效提升將成為行業可持續發展的重要保障。隨著人工智慧、5G等新技術對晶片需求持續增長，半導體製造業的能耗問題日益凸顯。台積電此次技術突破為行業提供了可借鑑的能效提升方案，預計將推動整個產業鏈加快綠色轉型步伐。未來，半導體製造技術的競爭將不僅侷限於性能和精度，能效表現也將成為衡量技術先進性的重要指標。 (晶片行業)

全球高端晶片製造裝備領域出現新的競爭者。俄羅斯近日發佈了極紫外（EUV）光刻機研發路線圖，計畫在未來十餘年內逐步實現從深紫外（DUV）到極紫外光刻技術的跨越，最終在2037年前完成國產EUV光刻系統的開發。根據披露的技術規劃，俄羅斯科研機構將採取分階段實施策略：首先致力於提升現有DUV光刻裝置的性能，隨後開展EUV光源、光學系統和精密控制等核心模組的攻關，最後進行整機整合與工藝驗證。該路線圖顯示，俄羅斯計畫在2030年前完成關鍵技術儲備，2037年前實現工程化應用。行業分析指出，EUV光刻作為7奈米及以下製程晶片製造的關鍵裝置，目前全球僅有少數企業掌握其核心技術。俄羅斯此舉意在建構自主可控的半導體製造能力，但面臨人才、技術和供應鏈等多重挑戰。特別是在精密光學、真空系統和控制軟體等關鍵領域，需要突破諸多技術瓶頸。光刻機研發具有技術密集、資金密集的特點。一台先進的EUV光刻機包含超過10萬個零部件，涉及物理、化學、機械、電子等多個學科的最高水平技術整合。業內人士表示，即使具備明確的研發路線圖，實際推進過程中仍將面臨諸多不確定性。當前全球半導體裝置市場格局正在發生深刻變化。在主要經濟體紛紛加大晶片製造本土化投入的背景下，光刻技術成為戰略競爭的焦點。俄羅斯加入EUV研發行列，反映出各國對晶片產業鏈自主可控的重視程度不斷提升。專家認為，光刻技術的多元化發展有利於全球半導體產業生態建設，但新興參與者需要克服顯著的技術壁壘。未來十年，隨著新材料、新工藝的不斷突破，光刻技術路線可能出現更多創新方向，為後發者提供新的機遇。 (晶片行業)

增購20 台 EUV 裝置，強化下一代儲存製造SK 海力士正大規模引進極紫外（EUV）光刻裝置，計畫 2027 年前增購約 20 台，將現有約 20 台（含研發用）的規模擴大一倍，總保有量有望躋身全球前三、與英特爾相當甚至超越。EUV 光刻機是超微細半導體電路核心裝備，僅荷蘭 ASML 能生產，每台售價 3000 億 - 5000 億韓元，此次投資規模預計至少 6 兆韓元。新增裝置將落地清州 M15X 工廠（今年底投產，率先配置）和利川 M16 工廠（按工藝轉換路線圖引入），公司還在與 ASML 協商加快交付，考慮提前啟動新 EUV 生產線。此舉旨在強化下一代 DRAM 和 HBM 製造能力：EUV 可刻畫 10 奈米級電路，提升單位晶圓晶片產出及產品能效性能，將優先支撐年底量產的 HBM4 用 10 奈米級第 5 代 DRAM（1b）、待量產的第 6 代 DRAM（1c），未來第 7 代 DRAM（1d）及更先進 10 奈米級以下產品也將匯入該工藝，1d DRAM 最快明年啟動量產轉移。同時，這一投資將帶動 EUV 專用光刻材料與部件需求增長，SK 海力士已與 JSR、杜邦（光刻膠）、默克、YCChem（清洗液）等供應商協商擴大供應。對於該計畫，SK 海力士表示 “具體細節暫不便確認”。SK 海力士舉行新一代半導體光刻裝置 “高數值孔徑極紫外光刻機（High NA EUV）” 搬入紀念儀式9 月 3 日，SK 海力士舉行了新一代半導體光刻裝置 “高數值孔徑極紫外光刻機（High NA EUV）” 的搬入紀念儀式。（從左數第五位起分別為：ASML 韓國代表理事社長金炳燦、SK 海力士採購擔當副社長金成漢、SK 海力士未來技術研究院院長副社長車善容（音譯）、SK 海力士製造技術擔當副社長李炳基） (芯榜+)

光刻機，雖然國產EUV光刻機依然撲朔迷離，但國產奈米壓印光刻機率先破土而出，取得重大突破。根據璞璘科技（PRINANO）8月5日官宣：其自主設計研發的首台PL-SR系列噴墨步進式奈米壓印裝置順利通過驗收並交付至國內特色工藝客戶。據瞭解，璞璘科技PL-SR系列噴墨步進式奈米壓印裝置攻克了步進硬板的非真空完全貼合、噴膠與薄膠壓印、壓印膠殘餘層控制等關鍵技術難題，可對應線寬＜10nm 的奈米壓印光刻工藝。相比去年佳能推出的FPA-1200NZ2C奈米壓印光刻機，可以通過奈米壓印技術實現14nm線寬，而PL-SR系列光刻機可以支援線寬＜10nm；根據佳能官方說法，其FPA-1200NZ2C奈米壓印光刻機可生產5nm製程晶片；那PL-SR是否可以製造5nm以下晶片呢？從PL-SR系列光刻機核心指標來看，實現平均殘餘層厚度＜10nm、殘餘層變化＜2nm、壓印結構深寬比＞7:1，確實是可以滿足高端晶片製造需求的；何況在獨特拼接技術的加持下，其最小支援20mm×20mm範本均勻拼接，可擴展至12英吋晶圓級壓印。但奈米壓印技術也有先天的缺陷，那就是其晶片製造速度相比ASML光刻機要慢，而且不適合用於複雜的邏輯製程晶片的製造。這主要是由於邏輯製程晶片內部的圖形結構複雜，擁有數十層不同的電路結構，這也就意味著每壓印一層圖形，就需要更換一個壓印頭，這就要求非常多的奈米壓印頭對應不同晶片內部層級的圖案化；如此不僅造成工序更加複雜，還將極大地降低製造效率，同時會帶來成本的大幅上升。相反，因為3D NAND快閃記憶體之類的儲存晶片圖形更為簡單，而且其多層同構特性（多層幾乎相同的層的堆疊），所以也就更適用奈米壓印的技術製程。何況奈米壓印比EUV光刻機更具成本和能效優勢，其耗電量可壓低至EUV技術的10%，並讓裝置投資降低至僅有EUV裝置的40%。因此，奈米壓印技術在NAND快閃記憶體類儲存晶片上的應用具有巨大的優勢，當前國產PL-SR已通過儲存晶片驗證，這意味著國產儲存晶片廠商有望通過國產奈米壓印裝置提升製程工藝，推動國產DRAM/NAND突破10nm製程瓶頸，同時打破西方對於中國高端儲存製造裝置的封鎖，與SK海力士、三星等儲存大廠更好地競爭。值得注意的是，隨著“摩爾定律”受到多重挑戰，奈米壓印憑藉物理壓印原理，理論上可突破3nm圖形尺寸限制，且不受光學衍射影響，為下一代晶片製造提供替代路徑。而國產奈米壓印產業，在璞璘科技的引領之下，已形成裝置、材料、工藝全閉環解決方案，從而推動了國產半導體裝置在奈米壓印裝置從"跟跑"轉向"領跑"。因此，中國首台奈米壓印光刻機的正式交付，標誌著中國在高端半導體裝備領域實現重大技術突破，不僅成功打破了日本佳能的長期壟斷；更是全球技術路線競爭的關鍵轉折，為國產儲存晶片開闢了“繞開EUV”的新製造路徑，未來能否通過產學研協同的不懈努力攻克奈米對準等難題，將決定其能否從“替代選項”升級為“主流方案”。 (飆叔科技洞察)

光刻機時刻牽動著中國國產半導體產業的神經，尤其是EUV光刻機的進展更是成為國人的“眼中釘”。近日根據外媒消息，國產EUV光刻機預計2025年三季度進入試生產階段，光源穩定性連續100小時波動僅0.8%，優於ASML最新機型，裝置體積縮小至三分之一，已獲專利並延長光刻鏡使用壽命至1000小時。於此同時國產半導體供應鏈也傳出國產晶片代工龍頭已經開始預留產能，等待國產EUV光刻機的正式投產。目前來說首先是搞定5nm製程，但由於前期良率和產能並不能完整保證，以及滿足市場需求；根據業內人士透露，如果國產5nm量產將不會大幅傾斜手機SOC，而會均衡考慮AI晶片和車機晶片的需求。從外媒以及業內消息綜合而言，對於此次國產EUV光刻機在今年三季度順利試產將是較為靠譜的。為此，簡單梳理一下近幾年國產EUV光刻機相關機構的官宣消息：2021年，EUV光源和雙工件台系統取得了顯著進展；2021年，成功研製了直線式勞埃透鏡鍍膜裝置和奈米聚焦鏡鍍膜裝置，滿足了EUV光刻鏡頭的高製程需求。2022年，國內首台高能同步輻射光源裝置的安裝和運行，為EUV光刻技術提供了重要的技術支撐。2022年，EUV光刻鏡頭的鏡面光潔度達到極高標準（不超過50皮米），完成中國在實現高端晶片製程中的最後一個關鍵挑戰。另外，根據2024年5月17某院士公開做報告時透露：國產DUV光刻機已經獲得突破，已完成整機組裝，正在測試之中。巧合的是，當時作報告的時候也透露了：國產EUV光刻機也正在研發過程中。也就是說，國產DUV光刻機還需要進一步的產線驗證，套刻精度測試、工藝穩定性評估、量產工藝轉移以及技術支援與服務，才能進入正式量產。而且值得注意的是，5月22日荷蘭外交大臣訪華期間，中荷就半導體出口管制達成共識，強調互補合作維護全球供應鏈穩定。雙方反對濫用國家安全限制技術出口，願通過對話緩解供應鏈壓力，為不確定的全球經濟注入穩定性。因此，從ASML高層的消息、荷蘭政府高層的表態以及國內公開消息來看，國產EUV光刻機確實處於突破臨界點之中。其二，困擾國產光刻機已久的光源問題，近期也不斷爆出突破消息。中科院2025年3月24日宣佈成功研發全固態深紫外（DUV）雷射光源技術，其核心突破在於採用Yb:YAG晶體放大器生成1030奈米基頻光，通過兩條獨立光路分別實現波長壓縮與拉伸，最終在硼酸鋰（LBO）晶體中混合生成193奈米雷射。在這之前，國際DUV光刻機市場上，ASML、佳能、尼康的DUV光刻機都採用了氟化氙(ArF)准分子雷射技術，通過氬、氟氣體混合物在高壓電場下生成不穩定分子，釋放出193nm波長的光子，然後以高能量的短脈衝形式發射，輸出功率100-120W，頻率8k-9kHz，再通過光學系統調整，用於光刻裝置。而中科院此次的技術路徑完全繞開傳統氟化氬准分子雷射方案，系統體積縮小50%，能耗降低30%，並首次實現固態雷射器生成攜帶軌道角動量（OAM）的渦旋光束。更重要的是，這一波長與當前主流的DUV光刻技術完全一致，理論上可支援3nm製程晶片的製造。當然，雖然中科院的固態雷射器在實驗室裡表現不錯，但功率還比較小，離大規模量產的100瓦功率還有一定的差距。我們知道整個光刻系統核心部件主要有：光源產生器、光源穩定器、光學系統和控制系統。從當前技術進展來看，雖然不能直接判斷國產EUV光刻機已經上產線了，但技術上的“卡脖子”確實在一個一個攻破。因此，飆叔認為國產EUV光刻機先現處於偵錯階段，如果偵錯的順利，今年三季度確實將投入試產！至於正式量產時間，預計還需要一年左右時間，也就是說2026年或許我們可以看到結果！ (飆叔科技洞察)

01. 國產替代情緒集中釋放華為EUV光刻機傳聞疊加美方擬取消裝置豁免，先進製程再遭封鎖預期，市場情緒在產業變局與中國國產突圍交點處爆發。02. 光刻機不是單點突破，而是系統博弈從光源、物鏡到雙工件台，EUV光刻機是材料、光學、控制、演算法協同的極限挑戰，真正拼的是全端能力與全鏈閉環03. 鏈條協同初見成型，整機落地不再遙遠上下游從核心零部件到驗證工廠，已經逐步顯露出一條具備實操性的產業鏈輪廓。誰在其中、站在那一環，市場早已開始下注。6月23日，光刻機概念股集體大漲，類股整體漲幅超3%。波長光電、茂萊光學、炬光科技等多隻個股封上漲停。據爆料，華為聯合產業鏈自研的國產EUV光刻機已在東莞松山湖無塵車間完成偵錯並進入試產。其採用的極紫外光源源自哈工大的放電電漿體（DPP）技術，功耗低、且繞開ASML專利壁壘。儘管尚未官方披露，但市場對其訊號意義的解讀已遠超技術驗證本身。就在這一傳聞發酵前後，美國方面也傳出新動作——計畫撤銷三星、台積電、SK海力士等在華工廠此前獲得的晶片製造裝置豁免權。一旦落地，意味著全球幾大晶圓製造巨頭在中國的產能將面臨裝置升級、維護上的新一輪技術封鎖。這將直接影響28nm及以下產線的正常運轉，從而逼近中國晶片製造的“咽喉”。表面看，這是一則“國產EUV光刻機試產”的傳聞引發資金追捧；但背後，是一系列國內外變數交織下，對“自主可控”情緒的集中釋放。光刻機有多關鍵？ 決定晶片製程上限的“核心變數”在晶片製造工藝中，光刻環節承擔了最核心的一道工序：把晶圓上的圖形刻出來。它的精度與效率，直接決定了晶片的整合度、能耗與良率而先進製程（7nm及以下）之所以先進，根源就在於使用了極紫外（EUV）光刻。EUV光刻的核心在於兩個變數：光源波長極短，僅13.5nm，比傳統193nm深紫外（DUV）縮短一個數量級，能打出更細的線路；成像方式徹底變革：採用多組反射鏡成像，完全拋棄透鏡，對反射率、潔淨度和能量控制提出極致要求；所以EUV不是“DUV的升級”，而是從光源、成像、真空環境、掩膜材料到控制軟體的一次“系統性躍遷”。目前，全球僅ASML一家能量產EUV裝置，其上游核心部件涉及蔡司光學反射鏡、Cymer光源、PI精密工件台等，幾乎都是不可替代的歐美壟斷資源。也正因如此，自2019年起，中國即被禁止進口EUV機台，即使是部分DUV高端型號，也需多輪審批。換句話說，EUV不僅是先進製程的“開啟鑰匙”，也是中美科技博弈的“高壓閥門”。不光是一台機器 是一整條系統能力的總和過去幾年，中國在光刻機領域不斷攻堅，但公眾視野中的關注往往聚焦於“整機裝置”。而真正卡脖子的，其實是三個關鍵詞：光源、物鏡、雙工件台。1. 光源：從Cymer依賴到國產自研路線193nm准分子雷射是DUV的主流光源，過去主要依賴美國Cymer和日本Gigaphoton。近年來，科益虹源等國內企業陸續打通了193nm光源的全流程能力，部分已實現對下游晶圓廠供貨，標誌著DUV光源國產化初步完成。而EUV光源則是“煉丹級難度”：採用高頻CO₂雷射轟擊錫微滴產生電漿體；要在微米尺度精準擊中高速移動目標；收集並聚焦13.5nm波長的極紫外線，還不能被吸收；傳聞中的華為原型機選擇了放電電漿體（DPP）+固體雷射器路線，繞過了ASML專利。這種“換道超車”的思路，從原理上規避了技術封鎖，倘若工程化驗證成功會為國內EUV系統開闢了全新路線。2. 物鏡：反射鏡才是真正的“命門”在EUV系統中，傳統透鏡無法使用，全部依賴多組反射鏡來完成成像。這些反射鏡對表面平整度的要求接近“原子級”——誤差需控制在0.1奈米以內，併疊加40層以上的反射塗層。目前，蔡司是唯一可批次提供EUV反射鏡的企業。中國雖在超精密光學加工上已有積累（如國望光學、福晶科技等），但整體仍處於“驗證樣機→量產爬坡”階段。物鏡不是“誰能打磨”，而是“誰能量產並控制良率”，這是現階段最難踰越的環節之一。3. 雙工件台：從能刻到快刻的核心單塊晶圓的光刻需要多個圖形層疊加，曝光、對準、傳輸需無縫銜接。ASML的EUV採用雙工件台：一個曝光，另一個預對準，切換隻需數毫秒，確保了每小時200+片的產出效率。這一技術的本質是：精密控制系統：需即時檢測並修正位移誤差；超低震動平台：通過氣浮+磁懸浮系統減震；軟體演算法與硬體協同最佳化；目前，國內在這一塊已有“模組級突破”跡象，如華卓精科團隊聯合清華開發的雙台階平台初步完成樣機測試，但距離整機並聯、工業化運行，還有可見鴻溝。光刻機產業鏈，不止是誰做得多而是“誰能串得起來”國產化的關鍵不止於技術突破，而在於能否“從突破走向閉環”，串起光刻機的上下游全鏈條協作。我們可以將產業鏈劃分為四層結構：第一層：極小圈裝置整機（系統整合）主體是上海微電子（SMEE），當前已推出90nm浸沒式光刻機，目標28nm。張江高科、東方明珠、上海電氣通過持股參與其控制體系，是整機預期的重要放大器。此外，奧普光電作為長春光機所旗下公司，也被市場視為整機路徑的潛在延伸。第二層：三大核心子系統（核心裝置部件）光源：炬光科技（雷射器）、波長光電（光束控制）、科益虹源（准分子光源）。光學系統：茂萊光學、國望光學、福晶科技。精密運動/測控系統：華卓精科、北方華創旗下團隊。同時，蘇大維格、騰景科技、晶方科技等企業在定位光柵、合分束器、微結構光學件等模組環節提供配套，是國產光刻系統中的重要補足。第三層：配套材料與耗材光刻膠：北京科華、強力新材、南大光電，部分ArF膠已實現進口替代。掩膜版：清溢光電、亞翔整合。鍍膜/腔體材料：中芯國際、安集科技等存在交叉合作。溫控系統：海立股份、同飛股份。潔淨與清洗系統：藍英裝備、美埃科技、國林科技。配套化學品方面，揚帆新材提供高純清洗液與電子級酸類，是光刻工藝的基礎材料保障之一。第四層：下游晶圓廠驗證與匯入包括中芯國際、華虹半導體、粵芯、合肥晶合整合等，既是國產裝置驗證場，也是裝置訂單釋放的重要管道。要強調的是：這是一條需“鏈條協同”的產業邏輯，而非“拼圖式”成功。結語：這一次，市場的反應不只是對一個傳聞的情緒波動，而是對一個產業體系開始“轉正”的集體註腳。國產替代的處理程序，不是某一家企業的勝利，而是技術路徑選擇與生態能力培育共同作用的結果我們期待這一處理程序不斷提速，早日實現關鍵領域的全面自主可控。 (財經三句半)

東莞松山湖畔的華為工廠裡，一台刻著“中國製造”的龐然大物正在全速運轉。 它投射出的極紫外光束精準落在晶圓上，刻畫出僅有頭髮絲萬分之一細的電路。這不是ASML的機器，而是華為聯合國內產業鏈自主研發的EUV光刻機。 現場工程師透露，其核心光源效率已達3.42%，距離國際頂尖水平僅差“最後一公里”。在華為東莞基地的無塵車間內，首台國產極紫外（EUV）光刻機已完成裝機偵錯，進入晶片試生產流程。測試資料顯示，該裝置每小時可處理250片晶圓，超越ASML同等級裝置的195片產能。 其核心光源採用哈工大研發的雷射誘導放電電漿體（LDP）技術，能量轉換效率達到ASML方案的2.25倍，裝置體積卻縮小了30%。一位參與測試的工程師描述：“當13.5奈米波長的紫色光束首次穿透晶圓時，整個車間爆發出掌聲，這意味著我們真正握住了晶片製造的‘光劍’。 ”與ASML的二氧化碳雷射轟擊技術不同，中國團隊選擇了“換道超車”策略。 哈工大開發的放電電漿體極紫外光源（DPP）採用固體脈衝雷射器，直接將電能轉化為電漿體輻射，省去了複雜的雷射放大環節。這使得裝置功耗降低40%，成本僅為進口裝置的1/3。 更關鍵的是，該技術完全繞開ASML的LPP（雷射電漿體）專利壁壘。荷蘭ASML內部報告曾評估：“中國至少需要十年突破EUV”，但華為聯合實驗室僅用18個月就將光源技術從實驗室推進到產線。國家“十四五”專項規劃為光刻機研發注入超200億元資金，重點攻堅光學鏡頭、雷射光源等核心部件。上海臨港迅速建成光刻機產業園，聚集科益虹源、國望光學等30余家上下游企業。 其中，科益虹源的光源技術已實現穩定輸出，國望光學的物鏡系統精度達0.2奈米級，超越ASML採用的德國蔡司鏡頭。當全球聚焦7nm以下制程時，華為選擇了一條務實路徑：用多重曝光技術將成熟裝置性能壓榨到極致。通過與中芯國際合作開發的“自對準多重圖案化（SAQP）”技術，在現有DUV光刻機上實現等效3nm晶片製造。實測顯示，搭載該技術的Mate 70晶片採用14nm工藝疊加3D堆疊封裝，性能逼近5nm晶片水平，遊戲影格率穩定性反超驍龍8 Gen3晶片15%。 網友戲稱這波操作為“用樂高搭出殲-20”。2025年第一季度其訂單量暴跌50%，DUV光刻機庫存積壓嚴重。 荷蘭政府已悄然放寬對華光刻機零部件出口限制，ASML CEO罕見承認：“中國正在用我們從未想像過的方式追趕。 ”三星主動聯絡中科院尋求光源技術合作，日本東京電子則緊急下調探針台價格40%，此前中芯國際採用國產探針台後，晶片檢測良率突破92%，直接威脅日企壟斷地位。北京科華化工的國產光刻膠良率達85%，打破日本JSR壟斷；凱美特氣的光刻氣獲ASML認證；新萊新材真空管道技術打入國際供應鏈。但精密軸承、高透光鏡片等“卡脖子”環節仍需攻堅。上海微電子工程師坦言：“造出光刻機只是拿到入場券，讓中芯國際穩定量產7nm才是真正打破魔咒。 ”目前哈工大正在最佳化光源穩定性，清華團隊則全力攻關光刻膠純度，每一個0.1%的良率提升，都在改寫全球晶片版圖的分界。 (走向科學)