01. 前沿導讀美國國際關係與安全政策專家Paul J. Saunders、美國資訊技術創新基金會創始人Robert D. Atkinson、美國喬治梅森大學國家安全研究所創始人Jamil Jaffer在聯合座談會中表示，我們不可能阻擋中國晶片產業的發展，高端晶片是給手機、ai產業用的東西，大量的軍用或者民用產品並不需要3nm晶片，並且中國完全有能力製造出這些普通晶片。美國在短期內可以拖住中國的發展腳步，畢竟中國需要拿出時間來解決EUV光刻機的問題。這可能會花費中國企業十年八年的時間，那怕是只能拖慢中國5年的發展時間也挺好。但是從長遠來看，中國企業終將會摸索出解決先進晶片發展的辦法。02. 侷限性據湖北日報新聞報導指出，2025年中國成熟晶片的市場份額達到28%，並且其產業影響力還在持續上升，中國晶片已經在質量、數量、價格等多個方面對全球產業造成影響。美國的制裁已經讓中國產業的重心轉向本土技術，在近幾年以及未來的規劃中，中國企業的傳統晶片擴張速度將要超過全球同業。美國商務部曾針對中國成熟晶片啟動了301調查，經審查發現大約有四分之一的美國產品中至少含有一個來自於中國製造的晶片，並且中國晶片的成本只有整體成本的6%，價格上面的優勢也讓許多美國企業愈發對中國成熟晶片產生依賴。從《晶片法案》到現在的關稅政策，美國所推動的大方向是先進製造業回流。在製造業回流的基礎上，通過對光刻機的出口管制，壓制中國在先進晶片領域的發展，將中美之間的技術差距進一步拉大。據中國日報發佈的新聞報導指出，但就生產製造來說，美國本土製造業存在空心化情況，缺少擴大晶片生產所必須的資源以及經濟條件。福耀玻璃、富士康等中國企業曾經與美國企業合資建廠，拓寬海外管道，但是在營運的過程中都遇到了不同程度的困難。川普總統以關稅豁免為由，敦促蘋果公司將供應鏈遷回美國本土。但是美國本土缺乏製造產品所需的供應鏈體系與人力資源成本，一直在這個問題上面得不到有效的解決，只能先將供應鏈轉向越南、印度等地。美國對中國進行出口管制的影響，也同步擴大到了其他企業身上。三星、SK海力士、台積電均在中國大陸地區建設有合資工廠，美國法案要求這些受美國資助的企業不允許在中國大陸地區擴大生產，導致這些合資工廠無法獲得先進的製造裝置，進而對其整體的經濟發展造成了衝擊。2026年1月1日，台積電發佈聲明稱已獲得美國政府發放的年度許可證，可以繼續向中國南京分工廠輸送製造裝置。三星以及SK海力士也均獲得了許可，可以向中國大陸地區的合資工廠輸送裝置。美國政策的反覆變動，充分證實了其存在的侷限性與錯誤性，本打算壓制中國成熟晶片的發展，實際上只對相關的海外企業造成了影響。03. 產業韌性據七一網轉載重慶日報新聞指出，2017年美國挑起對華貿易戰，中國半導體產業成為了美國圍追堵截最慘了的行業之一。然而福禍相依，美國打壓的同時激發起了中國企業的突圍決心。美國對中國科技的封鎖雖然短期內給中國科技企業造成了一定的困擾，卻加速了中國核心技術發展的處理程序。中國的市場廣闊，晶片產業的銷售規模約為全球的33%。美國從產品到技術，再到人才，全面限制美國企業與中國企業建立合作關係，禁止中國企業用美國的技術裝置發展晶片產業。不過從長遠來看，這是一把雙刃劍。美國正在將全球最大的消費市場拱手讓給歐洲、日韓以及中國本土企業。據央廣網轉載每日經濟新聞指出，2025年10月份的灣芯展是中國晶片產業的一次成果展示，一款裝置的打磨通常需要5至6年的時間，而展會當中所展示出來的產品均為現有裝置或者是針對現有裝置的升級款，並不代表參展企業的真實技術水平。甚至部分關注度較高的敏感技術企業，在核心進度上是對外是保密的。國產製造裝置已具備一定體量的規模，部分環節具備國產替代的能力，但是在先進裝置上還有較大的突破空間。有半導體分析師對記者表示，提到中國的半導體產業，大家第一反應就是卡脖子，光刻機進不來、EDA用不了、高端晶片買不到，這是曾經中國半導體產業的真實寫照。如今這個風氣正在發生變化，從發展趨勢來看，製造裝置肯定是以國產替代為核心，逐步建構一條自主可控的晶片產業鏈。 (逍遙漠)

近日，荷蘭媒體《電訊報》對ASML總裁克里斯托夫·富凱（Christophe Fouquet）及首席財務官羅傑·達森（Roger Dassen）進行了深度專訪，聚焦全球半導體格局與中國晶片產業的發展前景。在談及中國能否突破高端光刻技術封鎖時，富凱態度明確：“目前沒有任何確鑿證據表明中國已站在EUV光刻機技術突破的臨界點。這是一項耗時十年以上的系統工程，絕非短期衝刺所能達成。”他進一步指出，自2018年起，中國便未能獲得任何一台ASML的極紫外（EUV）光刻裝置。“從技術演進角度看，這意味著中國在EUV相關製程能力上，整體落後全球先進水平大約8年。”儘管如此，富凱也承認，中國在持續高強度投入下，已在部分中低端光刻領域取得實質性進展，例如乾式ArF光刻機的研發與應用。合作曾深入，出口管製成轉折回顧歷史，ASML與中國半導體產業的合作由來已久。早在2002年，中芯國際便開始採購ASML的i線和DUV（深紫外）光刻機，雙方建立起長期穩定的技術與商業紐帶。為保障服務響應，ASML還在上海周邊設立辦事處與備件中心，形成完整的本地化支援體系。2018年，合作迎來關鍵節點——中芯國際以1.2億美元簽約採購中國大陸首台EUV光刻機，標誌著其向7奈米及以下先進製程邁出重要一步。然而，這一交易很快成為中美科技博弈的犧牲品。在美國政府持續施壓下，荷蘭當局於2019年撤銷了該裝置的出口許可證，導致這台本應交付中國的EUV光刻機至今滯留海外。據知情人士透露，時任ASML CEO彼得·溫寧克（Peter Wennink）曾多次向美方表達異議，強調ASML作為荷蘭企業秉持中立原則，不應被捲入地緣政治爭端。他還警告稱，過度封鎖將迫使中國加速建構自主產業鏈，“把原本流向我們的訂單，變成扶持本土裝置商的資本”。出口管制的“雙刃劍”效應對此，CFO羅傑·達森分析指出，美國主導的出口管制本質上是一場“技術代差管理”策略。“部分政客希望維持一個‘可控的落後’——既不讓中國追上，又不至於逼其徹底脫鉤。”但他坦言，這種平衡極其脆弱。一旦差距拉得過大，反而會激發中國在核心技術上的全面自主化決心。事實上，近年來中國在光刻領域的投入已呈指數級增長。國家大基金、地方產業基金以及頭部晶圓廠紛紛加碼半導體裝置研發。儘管路透社等外媒曾援引“匿名消息源”稱中國已研製出EUV光刻原型機，但截至目前，尚無權威機構或企業公開驗證其性能參數或量產可行性。富凱對此回應稱：“我們注意到相關報導，也理解中國在無法獲取先進裝置的情況下選擇自主研發是合乎邏輯的。但必須清醒認識到，從原型機到可穩定量產、具備高良率的商用裝置，中間隔著巨大的工程鴻溝。”他以ASML自身發展歷程為例：公司於2006年推出首台EUV原型機，歷經12年技術迭代、數千名工程師協作、數百億美元投入，才在2018年實現真正意義上的量產應用。未來格局：競爭與共存並存儘管短期內中國難以撼動ASML在高端光刻市場的壟斷地位，但ASML高管層並不否認中國崛起帶來的長期影響。“中國擁有全球最大的晶片消費市場，也有強大的製造基礎和政策執行力，”達森表示，“即便在受限條件下，其在成熟製程（如28奈米及以上）的產能擴張和技術最佳化，仍將深刻重塑全球供應鏈。”富凱最後總結道：“我們尊重每一個國家發展科技的權利。但技術進步沒有捷徑。EUV不是買來的，也不是喊口號就能造出來的——它需要時間、生態、人才和無數次失敗後的堅持。中國正在走這條路，而這條路，我們走了三十年。”在全球半導體產業進入“新冷戰”時代的背景下，ASML的態度既顯謹慎，亦帶一絲無奈。而中國，則在封鎖與自主創新的夾縫中，堅定地邁向下一代光刻技術的無人區。 (晶片研究室)

“中國已秘密獲得EUV光刻機”這一在網路上流傳近十年的傳言，昨日被科技媒體TechSpot的系統性調查正式證偽。報導通過比對荷蘭海關、ASML年報、全球半導體裝置追蹤庫SEMI TRAC以及中國生態環境部輻射安全許可證資料，得出一致結論：截至目前，中國大陸境內沒有任何一台可量產的極紫外（EUV）光刻機，所有18台ASML登記在冊的“中國交付”裝置均為深紫外（DUV）型號，最高支援7nm工藝節點。謠言源頭可追溯至2014年一張模糊社交平台照片——據稱拍攝於上海臨港某倉庫，外界猜測箱內為NXE:3300B EUV。TechSpot記者調取當年荷蘭鹿特丹港出口編碼，發現該批次海關單號對應的是“198-0.33 NA DUV Scanner”，即浸沒式DUV，並非EUV；同時，照片EXIF資訊顯示拍攝地點實為ASML新加坡維修中心，與“上海倉庫”說法不符。ASML 2023年財報顯示，公司累計出貨218台EUV，分佈為台積電156台、三星34台、英特爾28台，剩餘“0”台流向中國大陸。荷蘭經濟部出口管制清單也披露，2019—2024年間針對中國的57份光刻機出口許可中，沒有一份涉及13.5 nm波長系統；所有獲批型號最高為Twinscan NXT:2050i，套刻精度<2 nm，但光學解析度止步於7nm。TechSpot進一步獲得中國生態環境部輻射安全許可證資料庫記錄，顯示全國現持“Ⅰ類射線裝置”許可證的晶片製造企業共持有ASML裝置64台，其中18台標註為“極紫外”字樣的申請最終被退回或改為DUV，原因皆為“缺少荷蘭政府EUV出口批文”。這意味著，即便企業想進口，也無法跨越歐盟與美國的雙重管制。對於網路流傳的“二手EUV借道第三國”說法，報導亦予以駁斥。全球海關資料平台Panjiva顯示，2018—2023年所有標註“EUV”字樣的貨物轉運記錄最終收貨地均為美國、韓國或台灣，沒有中轉港發往中國大陸；且EUV整機需專用低振動恆溫運輸船，船期、港口及保險資訊均可在海事局公開查詢，目前未發現異常航線。國內晶圓廠內部人士對記者表示，公司確實曾在2018年評估過“黑市EUV”可行性，但備件、軟體更新及現場服務無法繞過ASML遠端鎖機，“花數億美元買一台不能開機的大鐵櫃毫無意義”。目前，國產7nm產線仍依賴DUV多重曝光，5nm及以下節點尚未進入量產。TechSpot指出，謠言持續發酵的背後，是外界對中國半導體技術跳躍式發展的擔憂，以及“技術神秘主義”情緒。事實上，中國尚未攻克EUV光源、真空腔、超精密反射鏡等核心子系統，短期內無法自造同類裝置。報導最後強調，EUV仍是全球管制最嚴的單一裝置，任何一台出貨、運輸、安裝都有跡可循，“只要數字對不上，神話就永遠只是神話”。隨著美國2024年10月新增“Foreign Direct Product”規則，未來即便非荷蘭企業試圖轉讓EUV相關技術，也需美國許可。對中國大陸而言，7nm節點天花板在短期內難以突破，國產替代與DUV工藝最佳化仍是最現實的路徑。 (晶片行業)

12月23日消息，隨著美國大力發展本土晶片製造業，英特爾、台積電、三星都在積極擴大在美國的產能。其中，作為“主場作戰”的英特爾，其目前在美國本土所擁有的產能無疑是最多的。特別是英特爾位於亞利桑那州錢德勒的Fab 52 晶圓廠，無論是在製程節點的先處理程序度、技術複雜度，還是規劃產能上，都已顯著超越台積電目前在亞利桑那州的佈局。據Tom′s Hardware 援引CNBC報導，英特爾Fab 52 是一座專為未來而生的頂級晶圓廠，其核心使命是生產Intel 18A及更先進製程。為了達成這一目標，英特爾匯入兩大革命性技術：RibbonFET 全環繞閘極（GAA）電晶體：這是英特爾在電晶體架構上的重大升級，目的在提升性能並降低功耗。PowerVia 背面供電網路：通過將供電線路移至晶圓背面，解決了傳統正面供電導致的布線擁擠與壓降問題。Intel 18A 的複雜度與精細度，遠遠超過台積電亞利桑那州Fab 21 第一期N4 或 N5 製程。即使與台積電 N4P 或 第二期工程的 N3 製程相比，Intel 18A 規格依然更具領先性。已安裝4台ASML EUV光刻機，未來整個園區將擴增至15台以上對於一座先進製程晶圓廠的實力來說，往往取決於極紫外光（EUV）光刻裝置。 英特爾Fab 52 安裝了四台ASML Twinscan NXE 標準數值孔徑EUV 系統。其中至少包括一台NXE:3800E，這是ASML 目前最先進標準數值孔徑的EUV 系統。△英特爾 Fab 52 晶圓廠內的ASML EUV光刻機據瞭解，NXE:3800E 包括更快的晶圓傳輸系統、更高效的晶圓台以及更強大的光源。在30mJ/cm² 的曝光劑量下，NXE:3800E 每小時可處理高達220 片晶圓。相較之下，廠內另外三台NXE:3600D 系統在同樣曝光劑量下的產能僅為每小時160 片。英特爾計畫在亞利桑那州的Silicon Desert 園區總共部署至少15 台EUV 光刻裝置。雖然目前尚不清楚其中有多少比例會是新一代的High-NA EUV裝置，也不清楚會有多少會被分配到即將建設的Fab 62。但至少15 台EUV光刻裝置這個數字，表示英特爾擁有極大的空間來進一步擴充其產能上限。月產能4萬片生產規模方面，英特爾Fab 52 擁有強大的產能。滿負載運轉時，產能可達每周10,000 片晶圓的，換算後約為每月40,000 片晶圓。以當今產業標準來看，這是一座規模極其龐大的超大型晶圓廠。相比之下，台積電亞利桑那州Fab 21晶圓廠已經量產的一期工程只有每月20,000片晶圓的產能，因為台積電通常以約每月20,000 片為一個生產產線。這代表著，英特爾Fab 52 的單廠產能，相當於台積電Fab 21 第一期與第二期兩個產線的產能總和。產能利用率及良率挑戰儘管技術與裝置處於領先地位，但英特爾與台積電在美國的佈局策略存在顯著差異，這也帶來了不同的營運挑戰。對於英特爾來說，其高風險高回報的模式正利用Fab 52 生產Panther Lake和Clearwater Forest處理器。目前的Intel 18A 技術仍處於良率曲線的早期階段。英特爾預計要到2027 年初，Intel 18A 的良率才能達到最高水準。在此之前，英特爾可能會刻意控制CPU 的產量，這代表著Fab 52 的產能利用率在短期內將維持在較低水平，部分時間可能會處於閒置狀態。△由英特爾Fab 52製造的基於Intel 18A製程的Clearwater Forest至於台積電，通過穩紮穩打模式在美國採用的是已經過驗證的較成熟製程（如N5/N4）。這種策略使其能夠快速提升產量，並讓工廠的產能利用率迅速接近100%。因此，兩這兩種不同的佈局，顯示出英特爾在亞利桑那州扮演的是技術開拓者的角色，試圖在美國本土直接建立最尖端的技術標竿。而台積電則傾向於將已經成熟的產線轉移至美國，以確保商業運行的穩定與效率。總結來說，英特爾在亞利桑那州的Fab 52 代表了美國本土製造的最先進佈局。它擁有更先進的Intel 18A 製程、更強大的EUV 裝置群，以及兩倍於台積電一期項目的產能潛力。雖然在2027 年良率成熟之前，英特爾在產能利用率上可能無法與台積電匹敵，但Fab 52 的存在確實鞏固了英特爾做為美國晶片之王的地位。這場對決最終的勝負，將取決於英特爾能否在2027 年如期達成Intel 14A 製程獲得頭部的外部客戶的訂單。 (芯智訊)

01. 前沿導讀據美國科技媒體Tom‘s HardWare報導稱，中國正在建設EUV光刻系統的原型機，預計2030左右製造原型晶片。該裝置有前ASML員工的參與，不過目前尚不清楚中國裝置的進展細節。ASML曾經在一份聲明中寫道，有企業想要複製我們的技術是合情合理的，但想要做到這一點絕非易事。中國的產業技術正在加速發展，但目前只是進入到了原型機的環節，距離中國企業採用國產EUV裝置量產晶片仍需要至少10年時間。參考資料：China may have reverse engineered EUV lithography tool in covert lab, report claimshttps://www.tomshardware.com/tech-industry/semiconductors/china-may-have-reverse-engineered-euv-lithography-tool-in-covert-lab-report-claims-employees-given-fake-ids-to-avoid-secret-project-being-detected-prototypes-expected-in-2028#xenforo-comments-389061402. 國產EUV據技術報告指出，中國的原型機採用了與ASML NXT裝置相同的雷射誘導電漿體技術（LPP），具備產生極紫外雷射的能力，但並未實現通過該技術製造晶片的目標。雷射發射器需要與反射鏡組、工作台、真空室相結合，涉及到大量的精密光學系統，這都是中國企業需要解決的問題。德國蔡司為ASML的EUV光刻機提供了整套光學成像裝置，其中包括了塗覆多層鉬矽堆疊的超精密集光鏡系統、用於均勻化光束的多鏡片照明光學元件、用於實現4倍至8倍縮小成像且波前誤差低於奈米級的投影光學元件。ASML聯合美國西盟公司，解決了光源以及雷射發射器的問題。發射器將極紫外光發射出去，然後極紫外光經過蔡司的一整套成像裝置之後，便可以將掩範本上的圖案印刷到晶圓上面。從裝置技術上來說，光源發射器是EUV光刻的第一步，只是解決了光源的問題，想要將光源應用到晶片製造，必須要有類似於蔡司的這一套光學成像裝置。如果沒有成像裝置，那麼只是掌握了最基礎的光源，無法正常驅動光刻機。EUV裝置包含了超10萬個零部件，覆蓋了全球超5000家供應商，並且還需要成百上千的專業工程師對其進行偵錯維護。光刻機產業代表了整個生態系統，需要進行全產業鏈的協同發展。前ASML研究部研究員林楠，曾經在2021年回國加入了上海光機所，僅用了18個月的時間，便申請了8項與EUV相關的技術專利。2025年10月，林楠離開上海光機所，來到北京航空航天大學擔任積體電路科學與工程學院教授。國際媒體對此分析稱，林楠更多的是運用自己的經驗和知識，幫助中國團隊在光刻機領域提升基礎技術。他並沒有複製自己在ASML的技術方法，而是通過經驗幫助中國團隊重新開發技術並申請專利，在自主智慧財產權上面提前進行佈局。03. 技術追趕根據ASML官方資料顯示，ASML第一台可以製造晶片的EUV光刻機發佈於2006年，支援28nm線寬和間距的晶片製造，交付給了美國奧爾巴尼的奈米科學與工程學院和比利時魯汶的微電子中心。該裝置屬於演示裝置，可以製造晶片，但無法大規模量產。2010年，ASML新一代的NXE：3100光刻系統進行交付。2013年，可量產的EUV光刻機NXE：3300開始交付。2017年，可以大規模製造7nm、5nm晶片的NXE：3400B開始量產交付。從可驗證的原型裝置到完全大規模商用的EUV光刻機，ASML經過了11年的時間。這11年裡面主要就是解決兩個問題，列印電晶體線寬的精度、規模化量產的能力，這兩點同時也是中國自主裝置需要解決的問題。成像系統、儲存系統、晶圓台、光罩載台等裝置對於光刻機的運行和良品率的高低有直接關係，這些技術裝置均需要特定企業單獨進行研發，從而在最後階段拼裝成一個完全的裝置投入使用。並且光刻機的製造對於環境條件要求也很高，根據ASML的官方資料顯示，ASML的光刻機潔淨室遵循ISO 1標準，每立方米空氣中僅允許10個直徑僅為十分之一微米的顆粒，且不允許任何大於該尺寸的顆粒存在。在晶片製造中，一粒微小的灰塵都可以造成災難性的經濟損失。如果有灰塵落在晶片的圖案上，那麼光線穿過之後會反射到矽片上面，從而出現斑點。一旦有灰塵斑點，那麼整塊晶圓將會直接廢棄。先進的EUV光刻機屬於工業裝置，工業裝置需要運行起來製造產品，從而創造商業化的經濟價值。如果裝置無法進入到商業化領域，那麼其只能留存在實驗室裡面當做驗證技術的原型裝置，這完全有悖於裝置的實用價值。目前來看，進展順利的情況下2030年實現的願景將會是原型機的初步產品製造，距離大規模的商業化進展還需要多年的裝置最佳化。 (逍遙漠)

01 前沿導讀據美國半導體技術機構SemiAnalysis所發佈的專欄報告指出，日本佳能的奈米壓印（NIL）技術在國際晶片領域被冠以“匹敵甚至超過EUV的能力”，從理論上來說，奈米壓印可以達到甚至是超過EUV光刻機的曝光解析度，並且裝置的製造成本比EUV光刻機更低。但是奈米壓印技術存在多種問題，例如零件的損耗、多層圖案的對齊精度、製造邏輯晶片的良品率等問題。日本的奈米壓印裝置與ASML主導的傳統光刻裝置不同，儘管美國也對日本企業實施出口管制，但奈米壓印裝置還可以進行出口。如果中國企業在EUV領域的進展緩慢，那麼與日本佳能合作，嘗試使用奈米壓印技術製造晶片，也是一條可行的技術路線。02 奈米壓印奈米壓印與光學光刻的核心理念是一致的，都是將掩範本上面的圖案轉移到晶圓上面。先進行多層的圖案化疊加，然後進入到刻蝕、沉積等工藝步驟，最終完成整個晶片之後進入封裝環節。只不過光學光刻使用光源透過光縫快速掃描印刷，而奈米壓印則是使用一種特定的“印章”，將圖案進行機械化印刷，這兩種技術存在本質上的差別。奈米壓印技術，最早是由美國普林斯頓大學的華人科學家周郁在1995年提出的技術。2001年，奈米壓印從學術界逐步過渡到商業化的範疇，成立了分子壓模公司 (Molecular Imprints Inc.），開始將奈米壓印技術應用在製造半導體晶片上。2014年，在日本佳能公司收購了分子壓模公司之後，又聯合了日本印刷株式會社、鎧俠控股等多個企業共同開發奈米壓印的晶片製造技術。並且佳能將奈米壓印技術定義為ASML EUV的替代方案，企圖用這種方法來縮短與ASML的技術差距。目前為止，全球的晶片製造格局變成了ASML、尼康、佳能三家比拚，中國企業緊隨其後。ASML持有浸潤式DUV光刻機和EUV光刻機這兩大王牌裝置，尼康走的是傳統光刻，旗下有乾式DUV和浸潤式DUV裝置，但裝置的技術水平落後於ASML。佳能擁有乾式DUV光刻機，並且還持有已經商用的奈米壓印裝置。2023年10月13日，佳能宣佈推出型號為“FPA-1200NZ2C”奈米壓印光刻機裝置。據佳能表示，該裝置的硬體能力支援最小線寬14nm的晶片製造，相當於是邏輯晶片的5nm節點。隨著掩模技術的提升，該裝置可以實現2nm節點的邏輯晶片製造，並且其技術成本要比ASML的EUV裝置低很多。03 現存問題佳能的奈米壓印裝置已經交付給了鎧俠集團和鎂光科技，用於製造快閃記憶體晶片。儲存晶片與邏輯晶片存在本質上差別，儲存晶片的結構簡單，重複度高，對於掩模的要求較低，甚至幾百層的圖案結構都是一致的。而邏輯晶片涉及到CPU、GPU、NPU等多種電晶體的圖案設計，其每層的電路圖案都不一樣，這對於掩模和裝置精度要求很高。奈米壓抑的機械印章非常細小，其尺寸相當於人類頭髮的橫截面。現在使用這個裝置每秒壓印一次晶片，只要是機械印章出現一丁點的缺陷或者是損耗，這都會直接影響晶片的良品率。傳統光學光刻所使用的掩範本，其使用壽命支援光刻100000個晶圓，而奈米壓印所使用的掩範本壽命遠低於光學掩範本。想要解決這個問題，就必須投入資源去開發適配的材料，不但成本高，而且耗時長，這也是奈米壓印遲遲沒有製造邏輯晶片的原因之一。我們將目光投向中國大陸市場，杭州璞璘是中國唯一一家深耕奈米壓印技術的企業，由該公司製造的PL-SR系列奈米壓印裝置已經在2025年8月份正式交付給客戶使用。並且該公司的創始人葛海雄先生，師從奈米壓印技術發明人周郁博士，具備20年以上的技術開發經驗。根據璞璘公司的資料顯示，該裝置是迄今為止唯一在國內初步實現20nm以下高端晶片所需的奈米壓印裝置。並且公司還向市場供應了包括範本複製膠、耐刻蝕型奈米壓印膠、刻蝕傳遞膠、光學奈米壓印膠、耐腐蝕奈米壓印膠、增粘膠、防粘試劑在內的40余種製造材料，建立起一條全新的晶片產業鏈。佳能在硬體裝置上，對比中國現存的產品具備明顯優勢。但中國企業的路線是押注傳統光學光刻和奈米壓印光刻兩種技術路線，並且這兩種技術路線平行研發。在無法獲取EUV裝置的前提下，奈米壓印技術是一個可以嘗試的技術方案，但奈米壓印現存的問題就是製造先進邏輯晶片的損耗大、良品率低，可以當做備選方案，光學光刻技術依然是主流的選擇。 (逍遙漠)

全球半導體製造技術迎來能效突破。台積電近日宣佈，通過技術創新已成功將其極紫外（EUV）光刻裝置的峰值功耗降低了44%，這一成果標誌著晶片製造業在綠色可持續發展方面取得重要進展。EUV光刻作為當前最先進的晶片製造工藝，其能耗問題一直是行業關注的焦點。台積電通過最佳化裝置運行模式、改進光源系統和提升製造流程效率等多重技術手段，實現了顯著的節能效果。據估算，這一技術突破預計到2030年將為公司節省約1.9億千瓦時的電力消耗，相當於減少約10萬噸碳排放。技術細節顯示，台積電主要從三個維度推進EUV裝置能效提升：首先是通過智能調度演算法最佳化裝置運行狀態，避免不必要的能源浪費；其次是改進光刻機內部的熱管理系統，降低冷卻系統能耗；最後是提升製造工藝的穩定性和良率，減少裝置重複作業的需要。這一能效突破對半導體產業的可持續發展具有重要意義。隨著晶片製程不斷微縮，製造工藝的能耗成本持續攀升，EUV作為關鍵工藝環節的節能改進，將有效降低先進製程的營運成本，同時減輕對環境的影響。業內專家指出，台積電的EUV節能技術不僅體現了企業在技術創新方面的領先實力，更展現了半導體行業對綠色製造的堅定承諾。在全球積極推進碳中和的背景下，半導體製造業的能效提升將成為行業可持續發展的重要保障。隨著人工智慧、5G等新技術對晶片需求持續增長，半導體製造業的能耗問題日益凸顯。台積電此次技術突破為行業提供了可借鑑的能效提升方案，預計將推動整個產業鏈加快綠色轉型步伐。未來，半導體製造技術的競爭將不僅侷限於性能和精度，能效表現也將成為衡量技術先進性的重要指標。 (晶片行業)

全球高端晶片製造裝備領域出現新的競爭者。俄羅斯近日發佈了極紫外（EUV）光刻機研發路線圖，計畫在未來十餘年內逐步實現從深紫外（DUV）到極紫外光刻技術的跨越，最終在2037年前完成國產EUV光刻系統的開發。根據披露的技術規劃，俄羅斯科研機構將採取分階段實施策略：首先致力於提升現有DUV光刻裝置的性能，隨後開展EUV光源、光學系統和精密控制等核心模組的攻關，最後進行整機整合與工藝驗證。該路線圖顯示，俄羅斯計畫在2030年前完成關鍵技術儲備，2037年前實現工程化應用。行業分析指出，EUV光刻作為7奈米及以下製程晶片製造的關鍵裝置，目前全球僅有少數企業掌握其核心技術。俄羅斯此舉意在建構自主可控的半導體製造能力，但面臨人才、技術和供應鏈等多重挑戰。特別是在精密光學、真空系統和控制軟體等關鍵領域，需要突破諸多技術瓶頸。光刻機研發具有技術密集、資金密集的特點。一台先進的EUV光刻機包含超過10萬個零部件，涉及物理、化學、機械、電子等多個學科的最高水平技術整合。業內人士表示，即使具備明確的研發路線圖，實際推進過程中仍將面臨諸多不確定性。當前全球半導體裝置市場格局正在發生深刻變化。在主要經濟體紛紛加大晶片製造本土化投入的背景下，光刻技術成為戰略競爭的焦點。俄羅斯加入EUV研發行列，反映出各國對晶片產業鏈自主可控的重視程度不斷提升。專家認為，光刻技術的多元化發展有利於全球半導體產業生態建設，但新興參與者需要克服顯著的技術壁壘。未來十年，隨著新材料、新工藝的不斷突破，光刻技術路線可能出現更多創新方向，為後發者提供新的機遇。 (晶片行業)