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曾經價格低廉的固態硬碟（SSD，Solid State Drive）、動態隨機存取記憶體（DRAM，Dynamic Random Access Memory）和機械式硬碟（HDD，Hard Disk Drive），如今價格正快速攀升。人工智慧（AI）需求激增與供應受限的雙重作用，正造就多年來最緊張的市場格局。
幾乎所有分析公司與記憶體製造商如今都在警告：NAND 快閃記憶體與DRAM 記憶體即將出現短缺，未來數月甚至數年，固態硬碟與記憶體價格將大幅飆升，部分機構甚至預測短缺可能持續十年。這項潛在短缺已癒發難以忽視，產業發出的警告也愈發嚴峻——人工智慧資料中心的龐大需求，已開始佔據全球記憶體產能的主導地位。
過去兩年多來，儲存升級一直是電腦攢機者難得的「好消息」。 2023 年，固態硬碟價格暴跌至歷史最低點，高效能NVMe 固態硬碟的售價甚至與一般機械硬碟相差無幾。 DRAM 記憶體也緊追在後，價格跌至近十年未見的低點。但到了2024 年，情勢徹底逆轉，NAND 快閃記憶體與DRAM 記憶體價格雙雙開啟上漲通道。
這項轉變根源在於記憶體製造的周期性特徵，但在本次周期中，人工智慧與超大規模資料中心營運商（hyperscalers）的極端需求進一步放大了這一趨勢。最終結果是全行業範圍的供應緊縮，幾乎涵蓋所有領域：從消費級固態硬碟、DDR4 記憶體套裝，到企業級儲存陣列、大容量機械硬碟出貨量，所有品類都呈現出一個共同趨勢——成本集體上漲，這種全面漲價的態勢是市場多年來未曾出現過的。
2022 年至2023 年初的產業低迷期，讓記憶體製造商陷入困境。當時NAND 快閃記憶體與DRAM 記憶體均低於成本價銷售，庫存大量積壓。為“止血”，製造商紛紛大幅減產。到2023 年下半年，減產效應逐漸傳導至銷售通路：曾跌至歷史低點的512Gb TLC（三級單元）NAND 快閃記憶體晶片現貨價格，在短短六個月內上漲超100%，合約價格也隨之攀升。
這種價格反彈很快就反映在零售市場：2024 年初，西部資料（Western Digital）2TB Black SN850X 固態硬碟售價突破150 美元；同期，三星（Samsung）990 Pro 2TB 固態硬碟價格從假日期間的約120 美元，飆升至175 美元以上。
DRAM 記憶體市場的趨勢比NAND 快閃記憶體晚一個季度，但走勢如出一轍。 2023 年也被當作「清倉品」 的DDR4 記憶體模組，因生產線開始減產而陷入供應緊張。據預測，2025 年第三季（Q3 2025）消費級DDR4 記憶體價格將季增38%-43%，伺服器級DDR4 記憶體價格也將緊追在後，季增28%-33%。就連視訊記憶體市場也開始承壓：下一代顯示卡轉向圖形雙倍資料速率7 代（GDDR7，Graphics Double Data Rate 7）記憶體，導致GDDR6 記憶體供應缺口擴大，價格上漲約30%；而當前主流的DDR5 記憶體，雖漲幅相對溫和，但上升趨勢已十分明確。
機械硬碟也面臨自身的供應限制。 2024 年4 月，西部資料通知合作夥伴，因供應有限，將把機械硬碟價格上調5%-10%。同時，市場研究機構集邦諮詢（TrendForce）近期指出，資料中心使用的大容量近線機械硬碟（nearline HDDs）出現短缺。這一短缺迫使部分工作負載轉向快閃記憶體，進一步加劇了NAND 快閃記憶體的供應緊張。
每一輪記憶體市場周期都有一個或多個觸發因素：過去是智慧型手機普及，隨後是固態硬碟筆記型電腦興起，再到雲端儲存爆發。而本輪需求激增的核心驅動力，是人工智慧。訓練與部署大型語言模型需要大量記憶體與儲存支援－一個訓練叢集中的單一GPU 節點，就可能消耗數百GB 的DRAM 記憶體和數TB 的快快閃記憶體儲；在超大規模資料中心中，這項需求規模更是驚人。
OpenAI 的Stargate專案近期已與三星、SK 海力士（SK hynix）簽署協議，每月採購多達90 萬片DRAM 晶圓。光是這一訂單規模，就佔全球DRAM 記憶體產量的近40%。無論最終是否能完全兌現採購量，這類協議的存在本身就顯示：人工智慧企業正以極大規模鎖定記憶體供應。
雲端服務提供者的行為也如出一轍。高密度NAND 快閃記憶體產品已提前數月售罄：三星下一代V9 NAND 快閃記憶體尚未發佈，訂單就已幾乎滿額；美光科技2026 年底前的高頻寬記憶體（HBM，High Bandwidth Memory）產量，也已幾乎全部預售完畢。曾經僅涵蓋一個季度的供應合約，如今期限已延長至數年，超大規模資料中心營運商更是直接向源頭廠商採購。
供應短缺的連鎖反應已傳導至消費者市場。樹莓派（Raspberry Pi）雖在行業低迷期囤積了記憶體，但受記憶體成本上漲影響，不得不在2025 年10 月上調產品價格：其計算模組4（Compute Module 4）與計算模組5（Compute Module 5）的4GB 版本漲價5 美元，8GB 版本漲價10 美元。樹莓派首席執行官埃本·厄普頓（Eben Upton）在官網聲明中指出：“當前記憶體成本較一年前上漲了約120%。”
短缺並非單純由需求成長過快導致，供應方向的調整也是重要原因。過去十年，NAND 快閃記憶體與DRAM 記憶體製造商已學到教訓：無節制的產能擴張往往導致產業崩盤——每一輪繁榮過後，隨之而來的供應過剩都會侵蝕利潤，因此本輪周期中，製造商的應對更為克制。
三星、SK 海力士、美光科技均已將資本支出轉向HBM 與先進製程節點。其中HBM 因利潤率極高，成為優先順序最高的領域：美光2026 年的全部HBM 產量已被預訂，而每一片用於生產HBM 的晶圓，都意味著少一片用於生產DRAM 的晶圓。 NAND 快閃記憶體領域的情況類似，製造商的研發精力與產能正集中於企業客戶的3D QLC（四級單元）NAND 快閃記憶體。
台灣最大的NAND快閃記憶體控製器企業群聯電子（Phison Electronics）的執行長表示，正是這種資本支出的轉向，將導致未來十年供應持續緊張。他在近期訪談中表示：「NAND 快閃記憶體明年將面臨嚴重短缺，我認為未來十年供應都會處於緊張狀態。」當被問及原因時，他解釋道：「兩點原因：首先，以往每次快閃記憶體製造商加大投資，都會導致價格崩盤，且從未收回投資成本；其次，2023 年快閃記憶體製造商加大投資，都會導致價格崩盤，且從未收回投資成本；其次，2023 年美光與SK 海力士因本
這種投資轉移進一步加劇了主流產品的供應緊張：DDR4 記憶體的減產速度超過了需求下降速度；曾經供應充足的TLC NAND 快閃記憶體，如今也因製造商將資源投向高利潤領域而面臨配額限制，導致那些雖較老舊但仍不可或缺的領域（如部分消費級產品）供應不足。
儲存領域也呈現類似態勢：NAND 快閃記憶體與機械硬碟首次同時面臨供應限制。從歷史法則來看，以往二者往往「此漲彼跌」──一方價格高企時，另一方可作為「緩衝選擇」。但訓練大型AI 模型需要處理PB 級資料，而這些資料必須有儲存載體：其中「溫資料」（warm data）通常儲存在資料中心的近線機械硬碟中，但當前需求已高到大容量機械硬碟的交貨周期延長至一年以上。
近線機械硬碟短缺迫使部分超大規模資料中心營運商加速部署QLC 快閃記憶體陣列－這雖解決了機械硬碟的瓶頸，卻又製造了新的問題：將需求壓力重新傳導至NAND 快閃記憶體供應鏈。固態硬碟首次在過去因「每GB 成本過高」 而無法涉足的領域（如部分溫資料儲存）實現規模化應用。最終結果是「雙向擠壓」：機械硬碟因供應限制漲價，固態硬碟則因雲端服務商介入填補空缺而價格堅挺。
晶圓廠確實在建設中，但這類專案成本高且投產周期長（在美國尤其明顯）。一座新建記憶體晶圓廠造價高達數百億美元，且需要數年時間才能實現量產；即便對現有產線進行擴建，也需要數月的裝置安裝與校準——而阿斯麥（ASML）、應用材料（Applied Materials）等裝置供應商本身就面臨嚴重的訂單積壓。
此外，製造商也警惕重蹈覆轍：若未來需求降溫或企業囤積後暫停採購，產能過剩的市場可能導致價格暴跌。 2019 年和2022 年的產業崩盤教訓仍歷歷在目，這使得企業即便面對當前看似「無盡」 的AI 需求，也不願輕易押注長期周期——畢竟不少人認為，當前可能正處於人工智慧泡沫之中。
地緣政治進一步加劇了這一困境。先進光刻裝置出口管制、稀土元素限制等政策，使得機械硬碟晶圓廠的擴建計畫更為複雜。機械硬碟依賴釹磁鐵（Neodymium magnets）－這是需求最旺盛的稀土材料之一，而機械硬碟也是全球最大的稀土磁鐵應用領域之一。目前中國主導全球稀土材料生產，且在中美持續貿易戰中，已將限制磁鐵供應作為對美反制措施之一。
即便有足夠資金興建新廠，所需裝置與材料的供應鏈本身也存在限制；加上半導體工程領域的人才短缺，進一步延緩了產能擴張處理程序。最終結果是製造商「刻意保持克制」——選擇以更高利潤出售現有供應，而非承擔再次崩盤的風險。
製造商的這種保守策略短期內恐難改變。對消費者而言，這意味著「超低價電腦升級」 時代的終結；對企業客戶而言，則需要更高的基礎設施預算——儲存陣列、伺服器、GPU 叢集都需要更多記憶體，且成本更高。許多超大規模資料中心業者會使用多家供應商的客制化控製器自行生產固態硬碟；Pure Storage（純儲存公司）等大型企業則會大規模採購NAND 快閃記憶體，為人工智慧資料中心打造全快閃陣列。部分超大規模資料中心營運商已透過「提前數年鎖定供應」 應對短缺，但缺乏議價能力的小型營運商則面臨更長的交貨周期與更高的成本。
無論是消費者還是企業，靈活性都在下降：消費者可選擇推遲升級或接受更小容量，但整體而言，這將減緩大容量硬碟與更大記憶體配置的普及速度；而對企業來說，鑑於記憶體在人工智慧與雲端工作負載中的關鍵作用，幾乎只能被動承擔成本上漲。
市場最終會再平衡，但何時實現尚無法預測。目前已有政府獎勵措施支援新建晶圓廠，若未來需求成長放緩或採購停滯，市場周期可能重新轉向供應過剩。
但在此之前，NAND 快閃記憶體、DRAM 記憶體、機械硬碟價格在2026 年之前可能仍將居高不下。企業級採購商將繼續享有優先供應權，消費者則需爭奪剩餘資源；而我們曾習以為常的“季節性降價”，短期內可能不會重現。 （半導體產業觀察）