新年伊始，全球科技產業正被一場悄然而猛烈的「內存風暴」席捲。 2026年第一周，DRAM價格已開啟新一輪暴漲模式－大廠伺服器用DRAM報價較2025年第四季飆升60%至70%，而智慧型手機與PC所依賴的標準型DRAM也緊追在後，漲幅逼近50%。這場漲價潮的背後，是一場圍繞產能、AI算力與供應鏈話語權的激烈博弈。韓國三星電子半導體工廠內部在韓國京畿道板橋科技谷，往日安靜的商務旅館如今人滿為患。亞馬遜、Google、Meta、微軟、戴爾等全球科技巨頭的採購高層紛紛「駐紮」於此，租住時間動輒數月。他們的行程表高度一致：每日清晨出發，開車前往30公里外的三星電子半導體總部或SK海力士園區，試圖以高價換取一份寶貴的長期供貨協議。然而，手握全球近七成DRAM產能的兩大韓廠態度堅決——拒絕長約，只簽季度合同，並趁勢提價。“這不是談判，是競價。”一位不願具名的北美雲端服務商採購負責人坦言，“我們願意付溢價，但前提是能拿到貨。”市場研究機構TrendForce旗下DRAMeXchange指出，目前伺服器DRAM的供需缺口已達歷史高點。一方面，三星與SK海力士將超過60%的1α奈米及1β奈米先進製程產能轉向HBM3E（高頻寬記憶體）生產，以滿足輝達、博通、AMD等AI晶片廠商的爆發性需求；另一方面，谷歌、微軟、Meta等公司正大規模部署基於推理（inference）的AI服務集群，這類伺服器通用數據中心比傳統上4RAM7%以上的需求。“HBM吃掉的是最先進、最高效的DRAM產線，而通用DRAM卻還在用相對老舊的工藝生產，擴產周期長、良率爬坡慢。”一位韓國晶圓廠內部人士透露，“現在連手機客戶都開始搶服務器級顆粒了。”成本壓力正迅速傳導至終端。 IDC最新數據顯示，記憶體模組在高階智慧型手機BOM（物料清單）中的佔比已從2024年的15%躍升至2026年初的22%，部分旗艦機型甚至逼近25%。 PC廠商同樣承壓，一台主流遊戲本的記憶體成本較去年同期上漲近80美元。面對這場“內存通膨”，資本市場卻一片歡騰。花旗銀行調高三星電子2026年營業利潤預期至155兆韓元（約1,160億美元），較去年同期成長253%；摩根士丹利則預測SK海力士全年營業利潤將達148兆韓元，增幅高達224%。兩家公司股價年初至今累計漲幅均超40%。更令人擔憂的是，這波漲價恐非短期現象。多家投入警告，若HBM需求持續吞噬通用DRAM產能，且新建1β/1γ奈米產線未能如期在2026年下半年釋放，那麼全年伺服器DRAM平均售價（ASP）年比漲幅可能突破140%，創下自2017年以來的最大年度漲幅。人工智慧資料中心伺服器機房內部“AI不是未來，是現在。”一位華爾街半導體分析師總結道，“而現在的AI，每一瓦算力背後，都燒著昂貴的DRAM。”在這場由AI驅動的儲存爭奪戰中，誰掌握內存，誰就掌握算力命脈——而代價，正由整個科技生態共同承擔。(晶片研究室)

邊緣和雲端不斷增長的儲存需求，推動了多種應用對更高容量快閃記憶體的需求不斷增長。3D NAND快閃記憶體每12到18個月推出一次，其更新換代速度和性能提升幅度遠超大多數其他半導體器件。每一代新產品都能帶來50%更快的讀寫速度、40%更高的位密度、更低的延遲和更高的能效。3D快閃記憶體製造商通過堆疊和連接儲存單元，利用微小而深的通道，維持著如此驚人的生產速度。這些通道隨著每一代產品的推出而變得更小更深。一項突破性的低溫蝕刻技術，能夠在僅100奈米的開口下，鑽出數十億個深度達10微米的通道孔，且孔徑近乎垂直。在這樣一個重視能源效率和可持續性的行業中，這些創新的蝕刻工具旨在將能耗降低至以往低溫解決方案的一半，同時減少80%以上的碳排放。對於NAND快閃記憶體的蝕刻工藝而言，關鍵挑戰在於如何在保持合理蝕刻速率的同時，確保通道從上到下的垂直輪廓。建模在最佳化工藝配方方面發揮著越來越重要的作用，以確保垂直輪廓的一致性，避免關鍵尺寸偏差、彎曲以及儲存器孔內部的形狀畸變。即使只有少量資料，人工智慧也能幫助最佳化這些特徵的輪廓。這些儲存器輪廓之所以如此關鍵，是因為它們的均勻性直接關係到NAND快閃記憶體的性能，而性能的衡量指標是讀寫速度和程式設計/擦除效率。3D NAND晶片的主要生產商包括三星電子、西部資料、東芝旗下的鎧俠（Kioxa）、SK海力士等。通過堆疊更多更薄的二氧化矽和氮化矽交替層（ON），他們能夠在每一代器件中增加30%的字線數量。然後，利用深反應離子刻蝕（DRIE）技術在晶片上刻蝕出數十億個高縱橫比的圓柱體（深度與寬度之比超過50:1）。DRIE反應器優先將離子垂直導向，從而實現用於深溝槽隔離、矽通孔、MEMS腔體和其他垂直結構的平行結構。在NAND快閃記憶體中，即使這些特徵的原子級偏差極其微小，也會降低器件的電性能，導致良率和性能下降，並可能影響其可靠性。在深度為 10 微米、直徑為 100 奈米的孔中，允許的輪廓偏差僅為 10 奈米。“因此，如果您將 10 奈米的輪廓偏差視為深度的函數，那麼這小於 0.1% 的輪廓偏差，這確實令人印象深刻，” Lam Research全球蝕刻產品公司副總裁 Tae Won Kim 表示。3D NAND 如何擴展？3D NAND 晶片製造商利用三種關鍵方法擴展其器件（見圖 1）。快閃記憶體單元可以更緊密地排列（x 和 y 方向擴展），或者使用垂直連接進行堆疊。自 2014 年左右業界從 2D NAND 過渡到 3D NAND 以來，快閃記憶體製造商主要採用垂直方向的建構方式，同時將邏輯電路放置在儲存陣列下方，以進一步縮小尺寸（稱為晶片陣列下，或 CUA）。晶片製造商還在不增加面積的情況下增加每個單元的位數，從單位元擴展到每個單元 4 位元（四層單元）及更高，這增加了電壓狀態的數量。圖 1：NAND 快閃記憶體通過減小單元間距和尺寸、堆疊字線以及增加每個單元的位數來實現規模化我們是如何走到這一步的？NAND晶片製造商之間的競爭異常激烈，他們都力求在每個製造步驟中實現卓越的均勻性和重複性。這裡展示的是儲存器空穴通道蝕刻。其他重要的NAND高深寬比蝕刻工藝包括：狹縫：蝕刻區域，用於隔離字線，確保正常的電氣功能；多層觸點：連接不同金屬布線層的孔，以及樓梯：用於訪問每一層中的文字行的連接（見圖 2）。垂直通道蝕刻工藝完成後，氧化層、陷阱層和多晶矽通道會沿著孔的側壁沉積。這種結構通常被稱為“通心粉狀通道”。圖 2：三維 NAND 門環繞式架構示意圖，圖中顯示了一串垂直排列的電荷陷阱單元，採用氧化物-氮化物-氧化物 (ONO) 柵極介質，以及數量有限的字線在大多數NAND產品中，垂直排列的電荷陷阱單元取代了位於源極/漏極上方的浮柵(FG)電晶體。雖然兩種器件的工作原理類似，但電荷陷阱單元位於沉積在柵極氧化層（源極和漏極之間）的氮化物層中，本質上是一個內部帶有氮化矽陷阱層的垂直MOSFET器件。單元陣列完成後，晶片製造商通常會製造第二層或堆疊層，然後再將其連接成串。“但是，要確保這層厚度約為 30µm 的堆疊層之間直徑一致，會增加工藝的複雜性和成本，對高堆疊沉積和高縱橫比蝕刻工藝提出了挑戰，”imec 儲存器工藝整合團隊的高級整合研究員 Sana Rachidi 指出。雖然多層短層結構可以減輕高深寬比蝕刻裝置的負擔，但也增加了成本和複雜性，尤其是在第一層中的多個儲存器孔需要與第二層中的孔對齊，以便後續連接的情況下。這需要在需要對齊的短層結構和提高蝕刻性能以在ON堆疊中刻蝕更深區域之間進行權衡。目前，NAND 快閃記憶體供應商正儘可能地將多個儲存單元封裝在單層結構中，然後再建構第二層。“另一個趨勢是將外圍 CMOS 電路最佳化在不同的晶圓上，然後使用混合鍵合技術將其連接到儲存陣列堆疊層，”Rachidi 表示。“為了控制不斷增長的加工成本，他們還在垂直方向上進行進一步的縮放，即所謂的 Z 軸間距縮放。”為什麼需要低溫工藝？在傳統的反應離子刻蝕（RIE）工藝中，隨著微孔內材料的不斷去除，刻蝕速率會逐漸下降。2010年代，刻蝕裝置製造商開始探索低溫工藝（0°C至-30°C），以期通過結合低溫工藝和新型化學方法，提高RIE系統的生產效率並改善垂直刻蝕效果。通過保持晶圓低溫，高能氟離子和氧離子能夠有效地去除氧化氮化物層及其相關雜質。“較低的溫度可以抑制不必要的側壁刻蝕，同時增強離子遷移率和轟擊效果，” Lam Research公司的Kim表示。這種超低溫是通過在刻蝕平台上使用冷卻器以及對晶圓進行氦氣冷卻來實現的。從化學角度來看，更高的刻蝕速率源於中性物質表面擴散和物理吸附的增強。重要的是，工藝工程師需要控制孔頂部聚合物的形成，因為聚合物會阻礙離子流到達特徵底部。“孔輪廓是通過精確控制晶圓溫度和氣體化學性質來控制的，這利用了刻蝕側壁上中性物質吸附方式隨溫度變化而發生的從化學吸附到物理吸附的轉變，”Kim解釋道。所需的蝕刻深度不斷增加。東京電子的 Yoshihide Kihara 及其同事估計：“對於未來超過 400 層的晶片，為了維持當前的 2 層堆疊結構，每層儲存器通道孔的蝕刻深度至少需要 8µm。”這種新型化學方法既能提高刻蝕速率和孔深，又能減少碳排放。東京電子補充道：“通過使用HF氣體進行刻蝕，可以大幅降低傳統CF氣體的分壓，從而與第一代低溫工藝相比，溫室氣體的碳排放量可減少84%。”該公司還發現，少量含磷氣體（PF₃ ）可作為催化劑，促進HF與SiO₂之間的反應，從而在較低溫度下提高刻蝕速率。低溫蝕刻技術的需求已經非常明確。Kim指出，Lam Research已經在用於3D NAND應用的生產晶圓廠中安裝了1000個低溫蝕刻腔。反應離子刻蝕（RIE）可採用兩種類型的反應器——電容耦合電漿體（CCP）和電感耦合電漿體（ICP）。通常，ICP更為常用，因為它的兩個電極可以獨立控制離子能量和離子密度，而射頻偏置功率則可將活性離子加速注入刻蝕孔中。RIE（反應離子刻蝕）裝置供應商眾多，包括應用材料公司（Applied Materials）、Plasma-Therm公司、牛津儀器公司（Oxford Instruments）和Sentech Instruments公司，但Lam Research和東京電子（TEL）是低溫刻蝕領域大批次生產的主導企業。東京電子於2023年推出了首款低溫刻蝕機，而Lam Research則於2024年7月推出了第三代低溫刻蝕機。Lam Research的Kim指出，這三代反應釜採用了三種不同的化學體系。（Lam Research並未透露目前使用的具體氣體種類。）成功蝕刻的另一個關鍵要素是用於形成孔和縫隙的光刻和蝕刻掩模。晶片製造商使用厚厚的非晶碳硬掩模（通過化學氣相沉積法沉積），並在其上旋涂玻璃和光刻膠，首先對硬掩模進行圖案化。這層厚掩模保護了蝕刻過程中需要保留的ON/ON/ON區域。Lam Research 還利用電漿體脈衝在刻蝕模式和鈍化模式之間切換。刻蝕過程的副產物非常重要，因為它們可以鈍化側壁，防止結構彎曲。垂直通道刻蝕的縱橫比已經接近 70:1，要過渡到 100:1 的縱橫比，控制起來將更具挑戰性。輪廓控制、人工智慧和蝕刻工藝建模在提升製造工藝成果方面發揮著越來越重要的作用。在開發用於最佳化NAND垂直通道蝕刻的蝕刻工藝時，值得注意的是，有超過30個可調的蝕刻參數，包括溫度、氣體流速、功率、工藝時間等等。由蔡成恩領導的宏碁公司工程師團隊，提出了一種基於人工智慧的方法，用於最佳化垂直通道（VC）結構中的蝕刻輪廓，從而最大限度地減少VC輪廓的形狀變形。與許多使用大型、多樣化資料集建構的人工智慧輔助建模計算不同，宏碁團隊利用來自25片已加工晶圓（包括晶圓中心、中間和邊緣）的資料，最佳化了蝕刻工藝，從而降低了關鍵尺寸（CD）的變化。這種方法降低了工藝開發的成本和時間。蔡及其同事報告稱：“半導體行業面臨的關鍵挑戰之一是在工藝開發初期就儘可能減少晶圓消耗，因為這對於降低成本和加快產品開發進度至關重要。” 該人工智慧程序能夠最佳化33個刻蝕參數，從而降低頂部CD、弓形CD（最寬點）、CD畸變和CD條紋程度的變化。宏碁人工智慧輔助調優方法的核心策略是基於全面的資料集對預訓練的Transformer模型進行微調。該微調過程將機器學習演算法應用於來自實際晶圓和DOE分割的小資料集。“通過將預測的刻蝕參數輸入模型，即可獲得最終的VC輪廓，從而使系統能夠高精度地模擬和預測VC結構，”宏碁團隊強調了領域知識的作用。“為了提高模型預測的精準性，我們基於該領域的專家知識，設定了一些具有特定約束條件的預設參數。這一步驟對於最佳化模型輸出並確保預測結果與實際可行的刻蝕條件相符至關重要。”利用透射電鏡（TEM）在垂直通道（VC）中10多個深度處的斜面切割測量資料，記錄了關鍵尺寸（CD）的變化，並通過機器學習（ML）確定了33個刻蝕參數的最佳化值。“通過建立高精度的刻蝕輪廓，該方法不僅提高了刻蝕結構的質量，還有助於半導體行業顯著降低成本。借助先進的最佳化技術，人工智慧輔助的調諧方法確保最終的垂直通道結構在最大限度減少形狀變形和保持對關鍵尺寸的嚴格控制方面表現出卓越的性能。”最重要的是，新的工藝配方降低了特徵畸變，這與NAND的性能和可靠性直接相關。“在初始工藝中，當VC形狀畸變嚴重時，閾值電壓會突然升高，表明在3D NAND程式設計過程中性能不穩定。”人工智慧輔助蝕刻工藝徹底消除了這種閾值電壓異常，從而實現了可預測且最佳化的器件性能。未來微縮面臨風險？為了在每一代產品中持續增加ON層數，縮小字線之間的z軸間距（現有器件的z軸間距約為40nm）似乎是合理的。然而，imec的研究人員警告說，隨著NAND快閃記憶體製造商在繼續使用現有材料的情況下縮小尺寸，會出現兩個物理問題——橫向電荷遷移和單元間干擾。電荷遷移和訊號干擾會降低閾值電壓、增大亞閾值擺幅、降低資料保持時間並提高程式設計/擦除電壓。imec 的研究人員表示：“當進一步減小字線層厚度時，電荷陷阱電晶體的柵極長度也會相應縮短。因此，柵極對溝道的控制力逐漸減弱，相鄰單元之間的靜電耦合也隨之增強。除了單元間的干擾外，儲存單元在垂直方向上的縮小還會導致橫向電荷遷移（或垂直電荷損失）。被困在 SiN 層內的電荷往往會穿過垂直方向的 SiN 層遷移，從而影響資料保持時間。”一種可以抑制單元間干擾的工藝改進方法是用低介電常數材料（低k值）的空氣間隙代替字線之間的氧化物介質。事實上，空氣間隙此前已在二維NAND器件中用於此目的。然而，在垂直結構中引入空氣間隙比在平面結構中要困難得多。Imec 最近設計了一種可重複的氣隙方案，該方案在沉積 ONO 堆疊層之前，先對柵極間氧化層進行凹陷處理。“氣隙的引入使其與字線自對準，從而可以精確控制其位置，並提供可擴展的解決方案。”研究人員和製造商將繼續探索這種及其他方案，以繼續縮小 3D NAND 的尺寸。結論低溫蝕刻是反應離子刻蝕工藝的一項關鍵發展，它能夠在3D NAND器件中形成極深極薄的腔體，用於垂直接觸、狹縫、階梯接觸和周邊接觸。晶片製造商正在最佳化30多個蝕刻參數，以確保從頂部到底部關鍵尺寸(CD)的垂直輪廓保持最小變化。隨著這項極具挑戰性的技術的推廣應用，工藝模擬和人工智慧輔助可以在配方最佳化方面發揮重要作用，而無需運行數百片開發晶圓。這可以節省成本並縮短產品上市時間。因此，業界可能會更加依賴虛擬製造來完成這些以及其他關鍵的製造步驟。 (半導體行業觀察)

當資料儲存速度突破“億級”大關，一顆晶片可瞬間完成10億次資料讀寫，中國自主研發的全新架構快閃記憶體晶片不僅填補全球技術空白，更以顛覆性創新打破歐美日韓長期壟斷的儲存晶片市場格局。這一里程碑式突破，標誌著中國在核心儲存領域實現從跟跑到領跑的跨越，為全球半導體產業注入全新發展動能。中國快閃記憶體晶片研發之路是自主創新的堅韌探索。2016年長江儲存成立之初，全球快閃記憶體市場被三星、SK海力士、美光等巨頭瓜分，國內自主生產能力幾乎為零。面對技術鴻溝，中國企業選擇難度更高的3D NAND賽道，從32層到64層再到128層，僅用兩年實現關鍵技術跨越。2022年底，長江儲存推出全球首款232層3D NAND晶片，儲存密度超越國際同行；2025年，全新架構快閃記憶體晶片橫空出世，憑藉獨創技術實現10億次/秒的儲存速度，完成從“追趕到引領”的蛻變，累計申請專利超1.2萬件，95%為發明專利。這項突破背後是多重世界級難題的攻克。核心挑戰在於全新架構的設計與實現，研發團隊摒棄傳統整合模式，採用儲存陣列與外圍電路分離製造再鍵合的創新方案，破解了性能與密度的矛盾。高深寬比刻蝕、高精度鍵合等關鍵工藝曾依賴進口裝置，在美國製裁導致裝置斷供的困境下，中國企業與北方華創、中微公司等組成“攻堅聯盟”，實現45%的裝置國產化率，攻克了壞塊管理、ECC平行計算等行業痛點 。同時，需在奈米級空間內平衡速度、功耗與穩定性，最終通過工藝最佳化將良率提升至國際先進水平。該晶片的技術參數達到全球領先水準。儲存速度突破10億次/秒，較國際主流產品提升3-5倍；採用自主創新架構，儲存密度達15.03 Gb/mm²，在同等尺寸下儲存容量實現翻倍；支援3V和1.8V雙工作電壓，連續讀取速率最高可達83MB/s，功耗較傳統產品降低40% ；內建先進壞塊管理功能和8bit ECC平行計算技術，資料可靠性達到99.999%，滿足高端場景嚴苛需求。在應用層面，該晶片將賦能多領域數位化升級。在AI與資料中心領域，10億次儲存速度可支撐海量資料即時處理，助力人工智慧模型訓練效率提升；在消費電子領域，適配智慧型手機、SSD等終端，實現秒級開機與大型檔案瞬時傳輸；在工業控制與IoT領域，低功耗、高可靠性特性可滿足極端環境下的長期穩定運行，推動智能製造與物聯網發展 。華為、浪潮等企業已簽署長期採購協議，加速技術落地應用。這一突破徹底打破了歐美日韓的壟斷格局。此前全球儲存晶片市場CR5超90%，國外企業長期掌控定價權 。如今中國快閃記憶體晶片全球市佔率已提升至12.8%，國內市場覆蓋率超30%，迫使國際巨頭調整定價策略。更具里程碑意義的是，三星等國際巨頭已向中國企業支付專利授權費，標誌著中國在儲存領域從技術追隨者轉變為規則制定參與者。同時，帶動上游裝置、材料國產化協同發展，形成完整產業生態，為全球半導體產業提供多元技術路徑。從無到有、從追趕到引領，中國全新架構快閃記憶體晶片的突破，印證了自主創新的核心價值。隨著產能逐步擴張至月產30萬片的目標，中國將進一步提升全球市場話語權，推動儲存晶片行業進入“中國智造”引領的新時代。這不僅是中國半導體產業的重大跨越，更為全球科技產業格局重塑注入了中國力量。 (我是科技達人)

在AI需求激增、行業產能調整等多重因素的影響下，過去幾個月，全球“儲存荒”愈演愈烈。瑞銀在最新報告指出，儲存行業正面臨前所未有的供需緊張局面。瑞銀預計，DRAM（動態隨機存取儲存器）供應短缺預計將持續至2027年第一季度，其中DDR記憶體的需求料增長20.7%，遠超供應增速。NAND快閃記憶體的短缺態勢則預計將持續至2026年第三季度。這一短缺局面引發了近30年來最猛烈的一輪價格上漲周期。瑞銀預計，今年第四季度，DDR 合約定價環比上漲35%，NAND快閃記憶體價格上漲 20%，漲幅均超出此前預期。2026年第一季度，DDR合約定價將進一步上漲30%，NAND價格上漲20%。客戶紛紛簽訂長期供貨合同，頭部雲服務提供商已將預購訂單延伸至2028年。儘管採購力度空前，但儲存器庫存水平仍處於低位：伺服器用DDR記憶體的庫存僅夠維持11周，個人電腦及移動裝置用DRAM庫存僅夠維持9周，SSD固態硬碟庫存僅夠維持8周。瑞銀指出，這表明，當前市場實際需求強勁，而非投機性囤貨。AI伺服器需求激增成為推動因素之一。來自智慧型手機和個人電腦兩大傳統領域的儲存需求也持續增長。瑞銀預計，SK海力士將在HBM4市場上保持主導地位，有望繼續佔據約70%的市場份額。該行還上調了SK海力士、三星電子等頭部儲存廠商的目標股價。具體來看，將SK海力士目標價從71萬韓元上調至85.3萬韓元，維持關鍵買入評級；將三星電子目標價從12.8萬韓元上調至15.4萬韓元。 (財聯社)

據報導，戴爾、惠普等科技公司警告稱，由於人工智慧基礎設施建設帶來的記憶體晶片需求激增，明年記憶體晶片供應可能出現短缺。小米等消費電子產品製造商已就價格可能上漲發出警告，而聯想等公司則已開始囤積記憶體晶片，以應對成本上漲。Counterpoint Research本月預測，到明年第二季度，記憶體模組的價格將上漲 50%。記憶體短缺將威脅到從手機到醫療裝置和汽車等各種產品的製造成本，幾乎所有用於儲存資料的現代電子裝置都使用此類晶片。人工智慧的蓬勃發展間接導致了這一問題。記憶體晶片分為兩種類型：一種用於輔助處理，另一種用於儲存資訊。製造商正在增加產能，以滿足人工智慧系統中使用的新型、更複雜、利潤更高的產品的需求，從而導致更常見的記憶體類型出現短缺。戴爾首席營運官Jeff Clarke 11月25日在與分析師的電話會議上表示，戴爾從未見過“成本上漲如此之快”。他指出，動態隨機存取儲存器（簡稱DRAM，包括用於人工智慧和個人電腦晶片的高頻寬記憶體）、硬碟以及NAND快閃記憶體的供應都趨於緊張，所有產品的成本都在上漲。戴爾將調整產品配置和組合，但Clarke 表示，他認為這種影響最終會波及消費者。這家總部位於美國德克薩斯州的電腦製造商將考慮所有方案，包括重新定價部分產品。美國製裁也加劇了供應短缺，限制了中國新進入者的技術能力。總部位於美國加州帕洛阿爾托的惠普首席執行官Enrique Lores在接受採訪時表示，惠普預計2026年下半年將面臨嚴峻挑戰，並將在必要時提高價格。他表示：“對於下半年，我們將採取謹慎的業績指引，同時採取積極的措施”，例如引入更多記憶體供應商，並減少產品中的記憶體使用量。該公司估計，記憶體成本佔普通PC成本的15%至18%。 (半導體技術天地)

11月14日消息，據外媒報導，應用材料CEO狄克森表示，由於美國更嚴格管控，他們無法再向中國記憶體晶片和成熟製程市場供應裝置！應用材料指出，由於美國出口管制趨嚴，讓應用材料對中國的市場准入受限，預計2026年在中國晶片製造裝置支出將下滑。CEO狄克森表示，其他競爭對手仍持續向應用材料無法服務的中國企業銷售裝置。應用材料在中國大陸市場收入佔比已從過去的近40%下滑至約20%多的水平。11月13日，應用材料夜盤跌超4.3%，報213.59美元。消息顯示，應用材料公佈2025財年第四財季業績，營收年減3%至68億美元。其中，半導體系統業務收入較去年同期下降8%至47.6億美元；調整後淨利潤年減10%至17.32億美元。今年10月25日，應用材料表示，將裁減約4%的員工，約1,400個職位，以精簡營運。由於美國對半導體出口的管制趨嚴，影響應用材料的業務。據悉，應用材料是美國最大的半導體製造裝置供貨商之一，其監管申報檔案顯示，此次裁員將產生1.6億至1.8億美元的費用，主要將在2025會計年度第4季認列。應用材料執行長狄克森表示："我們的目標是持續轉型工作模式、加快速度、簡化決策流程，專注於最重要的事項，為公司未來幾年的顯著成長做好準備。" （半導體產業圈）

「這兩個月記憶體晶片價格累計上漲超過70%，漲勢比黃金還快。」位於東莞的誠邦股份記憶體晶片子公司芯存誠邦負責人對介面新聞記者說，」年初我們做規劃的時候，全年利潤可能在1600萬到1800萬之間，但因為漲價相當於來了，將達到300萬一倍能達成3000萬一倍。全球記憶體晶片市場價格的異動，正廣東掀起產業鏈連鎖反應。自2025年9月以來，記憶體晶片產品的核心元件，DRAM和NAND顆粒持續上行。 TrendForce集邦諮詢資料顯示，2025年第三季度，DRAM價格較去年同期大幅上漲171.8%。10月，三星電子率先暫停DDR5 DRAM合約報價，SK海力士、美光等原廠隨即跟進，恢復報價時間預計將延後至11月中旬。廣東的記憶體晶片產業鏈主要集中在中下游環節。依託珠三角密集的電子製造體系，形成了以深圳、東莞為核心的模組封測與應用群集。江波龍、佰維、德明利、晶存等企業分佈其中，業務涵蓋記憶體晶片設計、封裝測試與模組生產，產品廣泛應用於消費性電子與AI終端儲存等領域。記憶體晶片在過去三年經歷了需求不足、產能過剩的低迷周期煎熬，但眼下，產業鏈在漲價潮下，終於迎來了「牛奶和面包」。圖片來源：視覺中國模組廠的生意誠邦股份、晶存科技、江波龍、佰維儲存等廣東模組廠商，同時也感受到了這一輪行情的升溫。模組廠位於漲價鏈條的第一層，既是上游採購方，也是下游整機廠的直接供貨商，對價格波動特別敏感。深圳晶存科技負責人對介面新聞表示，「這波漲價潮讓像我們這樣的模組廠今年業績明顯回升，利潤將比去年增長大幅度增長，明年還能超過翻倍的增長」。記者在位於東莞的誠邦股份記憶體晶片工廠觀察到，目前產線上的機器都在開足馬力工作，工人們正在緊鑼密鼓生產。財報顯示，誠邦股份第三季單季淨利年增127.95%；佰維儲存，第三季開始轉虧為盈，獲利季增大幅回升；江波龍第三季淨利為6.98億元，年減1994.42%。模組廠的核心業務，是採購儲存晶圓或顆粒，將其與主控晶片等進行封裝、測試後形成儲存模組，再銷售給下游品牌廠商或通路經銷商。像目前熱門的消費電子需要極薄、微型封裝，三星、SK海力士等原廠尚未涉足這一細分領域，而佰維、晶存、誠邦等模組廠承擔了這類特殊封裝任務。根據功能差異，儲存模組主要分為使用DRAM顆粒的記憶體模組，以及使用NAND Flash顆粒的快閃記憶體模組。「這一輪漲價的起點在晶圓，主要是晶圓先漲價，這個最核心的成本就在晶圓上。」上述人士說。他解釋，隨著AI基礎設施投資爆發，全球算力中心對記憶體晶片的需求陡增，原廠產能被OpenAI、亞馬遜、Google等頭部客戶提前鎖定，留給消費端的出貨量明顯減少。 “這些網際網路公司投幾百億美金進算力建設，這就需要大量儲存晶片。要是沒有儲存晶片，就沒辦法存放資料。”但一位模組廠負責人對介面新聞表示：模組廠並非真正的“漲價受益者”，利潤波動更多取決於庫存策略。 “如果前期原料囤貨多，單價不一定能上去。”對於未來走勢，他判斷短期內（未來三到六個月）不會再出現像這次「兩個月漲70%」的極端行情，但中期仍具漲勢。 “我們和業內一些比較資深的人交流，認為未來一年內整體漲幅在50%到80%之間是有可能的。”他同時指出，晶圓製造與原廠投產周期普遍較長，通常需要三到四年。而本輪供需緊張並非短期現象，而是前幾年投產節奏與當下AI需求爆發之間的結構性錯位所致。「現在的缺口，其實是前年就埋下的。像國內的長儲（長江儲存），早在前兩年就已投產，今年才逐步釋放產能。再加上像華為這樣的終端廠商用量劇增，整個驅動效應就非常明顯。”代理商的賭局模組廠們在重新計算利潤空間，代理商也忙著「搏價格」。近日坊間傳聞，深圳有幾個人湊資約5億元，在市場上囤了大量8至22TB的機械硬碟（HDD），已持貨兩個月未出手，賭的是年底前行情還會繼續上漲。「5億不一定，但上億級的盤子肯定有。」一位從業10多年的儲存代理商向介面新聞分析。同時，據他透露，不僅是深圳，其實保守估算目前約八成儲存代理商都在滿倉囤貨，“包括我自己，這個行業不囤貨是沒辦法做，但囤多少主要看自己的實力，身邊囤上千萬貨的同行很多。”深圳之所以成為儲存現貨市場的風向標，主要有三點原因：貿易商集中、地理位置靠近香港、以及國際原廠辦事處多設在此地，包括三星、SK海力士、美光等。根據介面新聞瞭解，像重慶、四川這些地區的儲存代理商都會在深圳拿貨。 「春江水暖鴨先知，在深圳能最先感受到儲存價格的變化。」一位代理商說。介面新聞也瞭解到，在近段時間儲存代理商群聊中，報價單幾乎每天都在刷新。 「最近稍微緩和了一點，前段時間漲得最猛時，一天能改好幾次報價。」上述代理商對介面新聞表示， 「我們在國慶之後就接到了消息，說DDR5記憶體的供應要到2025年底才可能恢復正常。這兩個月基本上沒有貨進來，國內一級代理商都收到了類似通知。」他進一步表示，通路的實際需求並沒有明顯增長，“和往年差不多，頂多持平。真正的原因不是需求變好，而是上游沒貨，供給被大幅壓縮，大部分產能都轉向了HBM，也就是算力中心用的高頻寬儲存。”目前市場囤積的主要集中在兩類產品，一類是記憶體條（以DDR4、DDR5為主），另一類是NAND Flash及SSD整機產品；部分投資者甚至囤積大容量機械硬碟（HDD）。除了囤貨坐等漲價，也有不少人選擇在價格波動中頻繁倒手。“最近的行情確實有這種現象。”有代理商告訴介面新聞，“比如我400元進的貨，總代現在已經漲到450元了，我可能會以440元賣給同行。大家之間相互倒手的情況很多。”他解釋，這是業界常見的資金周轉方式。 「我400進的貨，賣440也能賺一點。很多時候是因為帳期快到了，需要回籠資金，就先出一部分貨，把資金補上，再去進新的貨。”終端市場的傳導漲價正從模組環節向下游傳導。深圳聚集大量消費電子製造企業，從平板電腦到智慧家庭產品，幾乎所有終端都依賴DRAM或NAND。上游的價格波動，也正在改變這些廠商的成本結構與生產節奏。一位深圳模組廠負責人對介面新聞表示，其客戶多為消費性電子企業。過去兩年，消費性電子市場整體疲軟，產業競爭激烈，從手機到各類智慧硬體都在內卷，終端需求不足，使得這些顧客對上游價格波動反應較慢。不過，從10月開始情況明顯變化。隨著記憶體晶片供應趨緊，越來越多客戶意識到問題的嚴重性，開始主動尋找供貨管道。若不提前備貨，可能面臨無料可用的風險，目前已有不少客戶主動上門要貨。“最近老有公司找我要貨，我都不敢回公司，怕得罪客戶”，上述人士說。他進一步表示，近期終端廠商普遍面臨較大成本壓力。以手機為例，若儲存成本上漲數十美元，原本僅約5%利潤率的廠商幾乎難以承受。而在部分低價產品中，影響更為明顯。 「例如電視盒子，一套產品可能只賣二三十美元，卻要用到兩個記憶體晶片，一個DRAM，一個NAND Flash，這兩項成本加起來就漲了十幾美元，幾乎比盒子本身還貴。估計這一波下來的話，加速洗牌，有很多客戶做不下去了。」他說不下去了。」他說不下去了。該負責人透露，目前公司的訂單主要集中在資金實力雄厚、對價格不敏感的客戶，貨源多優先供應給資本開支較大的網際網路企業，這類客戶更能接受漲價。而手機廠商的議價空間已經明顯下降，因為模組廠在客戶選擇上也擁有了更大空間。小米產品行銷總監馬志宇11月3日發文稱，看到明年最新的成本預估，有點驚悚。他也提醒消費者，這次雙十一，如果還能疊加國補，就且買且珍惜。其實實用記憶體的都涉及，只是PC的記憶體相對最大，所以影響更加明顯。廣州一家服務創業家和小品牌的代工廠也感受到漲價壓力。該工廠負責人向介面新聞提到，“我們主要做批次生產，晶片一般通過代理商採購。那款並不熱門的儲存晶片，從上個月到現在已經漲了50%。以前3美元一顆，現在接近5美元。要是走正常管道，市價幾乎翻倍。”同時，該工廠負責人認為，作為OEM，成本上漲的影響相對有限，“但對於小的品牌方來說壓力會更大，他們也不敢囤貨，因為沒法預估產品的預售量。”「儲存漲價，對誰都繞不開。現在幾乎所有智慧裝置，都離不開儲存。」一位深圳硬體創業家說。對一般消費者而言，儲存價格上漲體現在可見的終端產品上。一位消費者告訴介面新聞，他9月初在京東買了一塊1TB固態硬碟，到手價398元。兩個月後再看，同款產品在同一店舖的售價已升至549元，漲幅超過三成。從PC、手機到硬碟，所有依賴儲存的產業，都需要在這場周期浪潮中重新審視供應策略。多位業界人士對介面新聞表示，這一輪記憶體晶片的行情可能會持續五到六年。 「接下來五年，我們做存放這一塊，肯定會感覺越來越好做。」一位儲存代理商說。摩根士丹利的最新研發也給出相似判斷，AI驅動下儲存產業供需失衡加劇，預計將開啟持續數年的“超級周期”，到2027年全球儲存市場規模有望向3000億美元邁進，儲存晶片產業或正迎來新一輪產業周期的起點。對整個產業來說，這不僅是一場周期回暖，更像是一場重啟。 （介面新聞）

記憶體晶片競賽，再度升溫。日前，摩根士丹利研報指出，AI驅動下儲存產業供需失衡加劇，預計將開啟持續數年的「超級周期」，到2027年全球儲存市場規模可望向3000億美元邁進，儲存晶片產業或正迎來新一輪產業周期的起點。01. 記憶體晶片，開啟超級周期記憶體晶片周期性顯著強於其他半導體細分領域，近 13 年呈現 3-4 年一輪的周期規律，目前正處於第四輪周期。回顧前三輪：2012-2015 年由智慧型機換機潮驅動，後因擴產供過於求下行；2016-2019 年受益 3D NAND 產能轉移、DDR4 迭代及手機遊戲需求，DRAM 等產品價格漲幅超 100%，後續受 PC/ 伺服器需求疲軟；2020-2023 年疫情催生遠距辦公與資料中心需求，儲存先漲後因需求疲軟、產能過剩下跌超 50%。2024 年至今，AI 算力基建與 HBM 技術革命成為新引擎，改寫傳統周期邏輯。第四輪周期中，儲存需求不再依賴個人消費端，企業級 AI 資本開支成為重要支撐，驅動 HBM、DDR4/DDR5 及企業級 SSD 等市場大規模成長。在此趨勢下，三星、SK海力士等產業龍頭開啟新一輪爭奪戰，業績迎來空前高增。10月14日，三星公佈的初步財報顯示，Q3營業利潤為12.1兆韓元，年增31.81%，季增158.55%，大超預期。三星單季營業利潤歷經5個季度，再次回升至10兆韓元以上，也創下自2022年第二季（14.1兆韓元）以來的最高紀錄。第三季銷售額為86兆韓元，年成長8.72%，季增15.33%，創下歷史新高。三星將於本月稍後公佈包含淨利潤和部門明細項目的完整財報。SK海力士Q3營運利潤首度突破10兆韓元大關，達11.38兆韓元，較去年同期激增62%；營收24.45兆韓元，年增39%；淨利12.598兆韓元，三個核心指標皆刷新歷史紀錄。HBM業務成為驅動業績成長的核心引擎。財報揭露，12層堆疊的HBM3E及伺服器DDR5等高階產品貢獻了主要收入增量，推動公司毛利率攀升至57%。據悉，三星與SK海力士近日已通知客戶：2025 年第四季合約或現貨價格將調高至約 30% 的幅度，涉及DRAM 與 NAND Flash 產品。隨著雲端伺服器、AI 模型訓練及推理需求的疊加，DRAM 與 NAND 的供需格局正在改變。多家國際電子與伺服器廠商據稱在近日積極與三星、SK 海力士磋商「2-3 年期」中長期供貨協議，以鎖定未來資源、避免價格波動風險。DRAM價格攀升的部分原因在於產能受到HBM的擠壓。根據通報引述美光首席商務官Sumit Sadhana的言論，HBM消耗的晶圓產能是標準DRAM的三倍以上。由於利潤豐厚，記憶體製造商有充分的動力優先生產HBM。02. SK海力士，連續三季蟬聯DRAM市場榜首在過去兩季中：2025年Q1，SK 海力士首次打破三星電子自1992年以來的長期壟斷，以36.9%的市佔率登頂 DRAM 全球榜首，終結了三星長達 33 年的霸主地位。這項里程碑式的突破，標誌著 DRAM 市場格局正式進入雙雄爭霸的全新階段。Q1三星市佔率降至 34.4%，SK 海力士憑藉 2.5 個百分點的優勢實現首次超越。Q2 競爭差距進一步拉大，SK 海力士市佔率飆升至 39.5%，而三星市佔率續跌至 33.3%，兩者差距擴大至 6.2 個百分點。隨著SK海力士Q3財報的公佈，新一季DRAM王座競賽也已經有了答案。根據Counterpoint Research 的《儲存市場追蹤報告》，2025年Q3，SK 海力士的 DRAM 營收季增11%，年增54%，以35%的營收份額連續第三個季度穩居全球 DRAM 市場第一。在HBM和通用 DRAM強勁表現的推動下，該公司本季的 DRAM 營收也創下了歷史新高。三星電子以34%的市佔率位居第二，營收季增29%、年增24%，與 SK 海力士之間的差距較去年縮小了5個百分點。雖然本季 SK 海力士在整體儲存市場上被三星電子反超，但在 HBM 和通用 DRAM 強勁需求的支援下，該公司繼續領先 DRAM 市場。在 HBM 市場，SK 海力士以58%的市場份額繼續佔據主導地位。HBM 在其第三季 DRAM 總銷售額中佔比高達40%。此外，公司也預計將順利依照客戶需求推動 HBM4 產品的交付。在通用 DRAM 領域，需求回升與價格上漲也為公司業績提供了強力支撐。Counterpoint Research 分析師 Jeongku Choi表示：“隨著 AI 存儲需求保持高位，SK 海力士有望在Q4延續之前的強勁表現。公司在 HBM4 研發中積極響應客戶需求，並在良率表現方面依舊處於行業領先水平。”SK海力士已與核心客戶完成HBM4的供應談判，並計劃於第四季啟動量產出貨。三星計劃在10月27日至31日的「Samsung Tech Fair 2025」技術展上亮相其第六代12層HBM4產品，並計劃今年稍後進入量產階段。分析師分析預計12層HBM4產品的售價為每片500美元，較目前約300美元的12層HBM3e價格高出60%以上。SK海力士的財報也指出，已完成與主要客戶關於2026年HBM供應的全部談判，併計劃在2025年四季度開始出貨次世代HBM4產品，2026年進行全面銷售。更關鍵的是，SK海力士已鎖定2026年所有DRAM和NAND產能的客戶需求，預計2026年DRAM出貨量將同比增長超20%，並預測HBM供應緊張將持續至2027年。但競爭態勢正在發生微妙變化。美光已向輝達供應部分HBM產品，而三星電子上月通過了輝達針對先進HBM產品的資格測試。Counterpoint Research研究總監MS Hwang警告：“SK海力士要持續盈利，保持和增強競爭優勢將至關重要。”在後續 DRAM 市場的技術競賽中，這些儲存巨頭均鉚足了力道。03. 存放龍頭，上High NA EUV了HighNA EUV 是一項關鍵技術，它開啟了半導體產業的下一章。這並非對HighNA EUV 光刻機的吹捧，是目前晶片製造的現狀。對於儲存行業來說亦是如此。High NA EUV微影機是下一代晶片製造的關鍵技術，與傳統EUV相比，它能提供1.7倍更精細的電路圖案和2.9倍更高的電晶體密度，光學精度提升了40%。這對於生產密度更高、更節能、性能更強大的2nm代工晶片以及先進儲存產品（如垂直通道電晶體DRAM和第六代HBM4）至關重要。本月，市場消息指出三星電子正加速押注DRAM 領域，從 ASML購入 5 台全新 High-NA EUV 光刻機，其中2 台將部署在三星半導體代工事業部，其餘設備則專供儲存事業部。此前，三星曾在京畿道園區引進過一台用於研發的High-NA EUV 設備，此次引進的機器將用於“產品量產”，對於三星來說尚屬首次。上個月，SK海力士也剛宣佈，已將業界首款量產型High NA EUV引進韓國利川M16廠。不過目前引進的High NA EUV多用於研發、試生產，並非當前一代產品就會使用High NA EUV生產。在探究這兩大儲存龍頭何時用上High NA EUV，要從目前市場的競逐熱點1c DRAM說起。2024年8月，SK海力士就曾宣佈成功開發全球首款第六代10nm等級1c製程DDR5 DRAM，是1b平台的延伸，生產效率更高，運轉速度、效能方面顯著改善。除DDR5外，SK海力士旗下LPDDR6、GDDR7等也將採用此製程。10nm級的DRAM已經開始引進了EUV光刻技術，但通常只有很少的關鍵層數應用，絕大部分依然是DUV光刻。今年8月，SK海力士又將其1c製程DRAM製造，首次升級到了6層EUV光刻，這將有助於提升產品的性能和良率，使得SK海力士能夠推出存儲位元更密集、讀寫速度更快、功耗更低的DDR5內存堆以及更高容量的HBM棧。市場消息稱，SK海力士的 1c DRAM 已經實現了 80%-90% 的良率，預計將在1d 和 0a DRAM 等下一代產品上更多的使用EUV光刻，最終將為使用更先進的High NA EUV奠定基礎。三星電子在第六代10nm 1c DRAM製程的開發上遭遇了挑戰，導致預計完成時間持續延後。據悉，三星下一代 1c DRAM 在 HBM4 上的良率僅有約 50%，不過三星將會在那一代產品中使用EUV光刻機尚不清楚。另一間儲存龍頭美光方面，尚未使用 High NA EUV。美光在 2025 年推出了採用全新 1γ（1-gamma）製造製程的 16Gb DDR5 設備，該製程是美光首次採用 EUV 光刻技術的製程。但美光採用的是將 EUV 與多重圖案化 DUV 技術結合的方式，僅對關鍵金屬層使用 EUV 光刻，其餘層仍採用深紫外光（DUV）多重曝光技術。不過對於 DRAM 的後續演進，美光似乎有自己的想法。美光，另闢蹊徑？隨著與三星電子和SK海力士的競爭日益激烈，美光科技正加速其10奈米以下DRAM製程路線圖的推進。據悉，美光正在評估兩條潛在的路線圖。一條路線遵循常規順序，從目前的第七代 (1d) 10nm 製程發展到大約 10.1nm 的第八代 (1e)。另一條路線則更具雄心，它完全跳過 1e 步驟，直接過渡到真正的 9nm DRAM 製程。在 DRAM 製造中，更窄的線寬可帶來更高的密度和性能。10nm 級製程已歷經數代演進——1x、1y、1z、1a、1b 和 1c——每一代都實現了更精細的微縮。最新的商業化節點 1c 尺寸約為 11.2nm。一位業內人士指出，關鍵變數在於美光公司能將其1d節點縮小多少。如果1d線寬保持在10.9奈米左右，那麼它可能需要先引入10.1奈米的1e工藝，然後再進一步降低。但如果1d達到約10.2奈米，美光公司就有可能跳過1e工藝，直接進入9奈米級別，這將是一次意義重大的技術飛躍。據報導，三星計劃直接從其1d節點轉向9nm（0a）DRAM工藝，而SK海力士預計將採取類似的快速發展戰略。隨著這兩家韓國競爭對手加快9nm製程的開發，美光公司正在調整其路線圖以保持競爭力。04. 收納兩龍頭，還搭上了OpenAI日前，三星電子和SK海力士分別與OpenAI簽署協議，宣佈作為核心合作夥伴，參與全球人工智慧基礎設施計畫Stargate。Stargate是OpenAI價值5000億美元的資料中心基礎設施項目，計畫為OpenAI的ChatGPT建造20個專注於AI的資料中心。目標是在2029年前投入營運。OpenAI正與軟銀和甲骨文在該專案上合作。此外，OpenAI也正與三星和SK海力士合作在韓國建造兩個資料中心，初始容量為20兆瓦。未來一段時間，三星和SK海力士將擴大記憶體晶片產量，目標是每月90萬片DRAM晶圓。OpenAI沒有說明這是標準DRAM還是專用HBM。不過，KED Global媒體稱這是HBM的。因為OpenAI 的「Stargate」 計劃要承載下一代千億參數大模型，每秒需處理數千萬次數據互動，傳統 DDR5 內存數百 GB/s 的頻寬早已捉襟見肘，而三星與 SK 海 力士主打的 HBM（ 高頻寬內存）恰好補上短板——HBM3E 的頻寬 3.35TB /PUs延遲據瞭解，Stargate訂單可能還包括伺服器DRAM、圖形DRAM，甚至SSD。KED Global表示，每月90萬片晶圓是目前全球產能的兩倍。據瞭解，SK海力士目前每月營運16萬片D​​RAM和HBM晶圓。這意味著三星和SK海力士都必須建造新的HBM工廠。連鎖反應可能是它們會減少DRAM生產，因為DRAM不如HBM獲利。 （半導體產業縱橫）