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11月23日，長鑫存儲在IC China 2025上發佈最新DDR5系列產品，最高速率達8000Mbps、單顆容量最高24Gb，躋身國際頂級性能梯隊。
同步亮相的LPDDR5X產品與之形成“雙芯共振”佈局，最高速率突破10667Mbps，16Gb容量節點實現關鍵技術跨越。
這標誌著中國儲存晶片技術以“領先者”姿態站上全球舞台。
這一里程碑背後，長鑫存儲用不到十年的時間從零起步，突破專利封鎖、補齊技術體系，並實現對國際巨頭的正面追擊，其背後的發展路徑與成功要素值得深入剖析。
以下為正文：
在全球半導體產業鏈中，DRAM被視為最難突破的領域之一。
該賽道被韓國三星、SK海力士和美光三大巨頭壟斷，專利、工藝和資本壁壘層層疊加，中國企業始終難以進入核心區。
長鑫存儲卻在不到十年的時間裡，從一紙立項走到量產、再到衝刺IPO，成為國產儲存突圍的代表。
它的崛起，是國家戰略需求、地方產業政策和企業技術攻堅共同托舉的結果。
長鑫存儲的起點或源於一次收購失敗。
2015年，兆易創新收購爾必達計畫失敗。這次折戟，讓國內產業界真正意識到DRAM行業的牢固壁壘。全球市場長期由三星、SK 海力士和美光“三巨頭”壟斷，核心專利高度集中，國內企業仍處於技術受限的被動局面。
此時，合肥市政府拋出橄欖枝，提出“政府出資、企業出人出力”的合作模式。雙方很快達成一致：共同投資建設DRAM項目。
2016年，長鑫存儲正式成立，承擔起國產DRAM攻關的重任。
2018年，一期廠房建設完成，裝置搬入並開始驗證投片。
2019年9月，與國際主流DRAM產品同步的10奈米級第一代8Gb DDR4首度亮相，一期設計產能每月12萬片晶圓。
同年12月，長鑫成功實現規模化量產，並於次年（2020年）正式推向市場。這是中國大陸首次擁有自主可控的DRAM量產能力，國產技術攻堅戰正式打響。但當時的工藝仍落後國際兩代，追趕只是剛剛開始。
DRAM是半導體產業中最典型的“百億起步”賽道。投入大、周期長，沒有強大的資本托底，很難熬到見效的那一天。
長鑫的快速起勢，離不開合肥在資本層面的鼎力支援。
2016年，合肥市政府瞄準國家積體電路產業發展戰略，聯合兆易創新共同啟動總投資1500億元的DRAM項目。其中，合肥市政府牽頭投入130億元，帶動安徽國資體系及社會資本共同形成360億元的首期資金池，為項目夯實了關鍵一步。
至2020年A輪融資，“以投帶引”的國資模式效果凸顯。合肥產投等核心平台持續持股，向市場釋放出堅定的長期支援訊號，大基金二期、小米集團等知名機構隨即積極入局。
2024年，合肥產投通過合肥產投壹號股權投資合夥企業參與108億融資，加上關聯主體長鑫整合的出資，形成國資對本輪融資的直接托底。
產業生態上，合肥以長鑫為核心，打造本地化半導體叢集。上游引入廣鋼氣體、上海新陽、至純科技等企業，推動國產裝置和材料的驗證與替代；下游聯合兆易創新、聯寶科技等企業，拉動終端需求。
人才層面，安徽省教育廳鼓勵中科大、合工大等高校與長鑫存儲等積體電路頭部企業深度融合。據悉，合肥工業大學與長鑫共建的“研究生聯合培養基地”入選首批省級基地，合作方向涵蓋積體電路設計、工藝等關鍵領域，提供持續的人才供給。
“強資本、強生態、強人才”多維共振，讓長鑫存儲在合肥順利紮根，並加速駛入高品質發展的快車道。
自此，長鑫存儲進入高速爬坡階段，在技術、產能與市場三條主線上全面提速。
技術方面，專利+人才雙突破。
早在發展初期，長鑫就與歐洲DRAM技術先驅奇夢達合作，拿下1000多萬份技術檔案及2.8TB核心資料，搭建起研發基礎框架。
後續又收購英飛凌、美國藍鉑世部分DRAM專利和實施許可，持續築牢專利護城河。
此外，長鑫請來奇夢達兩位“老兵”：任職24年的前技術副總裁庫斯特（Karl Heinz Kuester），以及曾主導奇夢達西安研發中心的濮必得（Peter Poechmueller），組成顧問團為技術迭代保駕護航。
在此基礎上，長鑫深挖DUV裝置潛力，通過製程最佳化、材料迭代不斷縮小差距：從19nm到17nm，再到2024年量產16nm DDR5；2025年更在IC China發佈新一代產品，DDR5最高速率達8000Mbps，LPDDR5X達10667Mbps，正式躋身全球 DRAM一線陣營。
產能方面，自2016年合肥DRAM基地一期項目啟動後，2020-2021年，北京DRAM一期、二期項目先後啟動，逐步擴大廠房建設。
2022年1月，北京一期試產線通線；同年6月，合肥二期廠房封頂。
2024年底，長鑫存儲月產能23萬片晶圓，2025年底升至28萬片，2026年劍指30萬片，逐步縮小與三星、SK海力士的差距。
依託國內土地、能源、人力成本優勢，長鑫擴產成本比韓國廠商低約40%，產品價格也低10%-15%，在消費電子、物聯網等價格敏感領域站穩腳跟，抵禦外商產能壟斷的衝擊。
市場端，技術與產能的突破，疊加今年儲存行情回暖，讓長鑫存儲快速打開局面。
當前，北美AI伺服器需求暴增，儲存晶片供需缺口拉大，DRAM市場進入上行周期。集邦諮詢資料顯示，2025年三季度傳統 DRAM 價格環比漲10%-15%，含 HBM 則漲15%-20%，四季度預計再漲8%-13%（含 HBM 13%-18%）。
摩根士丹利指出，DDR5 現貨價格在過去兩個月內飆升超 260%，熱度可見一斑。
這波行情為長鑫帶來雙重機遇：一方面，其16nm DDR5、高速率 DDR5/LPDDR5X 產品，契合伺服器、高端手機的性能需求，具有廣闊市場需求；另一方面，價格上漲周期中，長鑫的技術優勢能進一步放大盈利空間。
目前，長鑫存儲的產品已通過多家主流儲存模組商和方案設計公司，間接匯入至小米、OPPO、vivo、傳音等主流手機品牌的供應鏈中，物聯網領域合作落地，伺服器領域也即將突破。Counterpoint預測，2025年底長鑫DDR5市佔率或升至7%，LPDDR5X 接近 10%，全球話語權持續提升。
但是，DRAM的周期性風險仍需警惕。儲存產品像大宗商品一樣，對供需敏感、價格波動大；且擴產周期長達 2-3 年，產能與需求易錯配。
一旦未來 AI 伺服器需求放緩、行業產能過剩，長鑫可能面臨庫存積壓、價格下跌、現金流承壓的多重壓力。
如何在周期波動中平衡擴張與風控，仍是其長期發展的核心課題。
2025年7月，長鑫啟動A股IPO輔導，僅用三個月完成驗收，上市處理程序明顯加速。市場普遍預期其估值約1400億元，募資規模接近300億元，主要用於推進15nm工藝與3D DRAM研發。
上市對長鑫而言，是從“追趕”邁向“加速”的關鍵跳板。它將帶來更充裕的資本、更完善的治理機制，也將推動公司在HBM、先進封裝、國產裝置適配等領域展開新一輪投入。
總體來看，長鑫存儲已經走在國產DRAM突圍的最前線。從破局起步到產業生態托舉，再到技術與產能的加速成長，它已經證明國產DRAM“能做、能量產、能追近”。下一步，則是向‘並跑’乃至‘領跑’的目標發起衝擊。
而隨著上市臨近，一個更市場化、規模化、體系化的長鑫，也正在路上。 (芯師爺)