分享一份Gartner的2025 年第三季度半導體與電子行業預測報告，核心聚焦三大關鍵問題：半導體行業最新預測、AI 處理半導體的發展前景、維持 AI 技術進步的必要條件。重點內容包括全球半導體市場規模增長、AI 處理半導體的市場表現、細分領域（如專用半導體、通用半導體、記憶體市場等）的增長資料與趨勢、邊緣 AI 的應用場景與優勢，以及支撐 AI 持續發展的半導體製造技術革新等內容，同時對比了中美兩國在 AI 技術生態各環節的核心參與企業。報告主要內容邊緣 AI 與裝置端 AI 的市場規模半導體行業整體預測AI 半導體專項分析AI 持續發展的支撐條件關鍵資訊摘錄1. 中美 AI 技術生態體系對比報告從 AI 應用、裝置、半導體等八大核心環節，全面對比中美兩國的生態佈局。美國核心參與企業包括：AI 模型：OpenAI、Google、Grok、Meta、Anthropic 等主導全球前沿 AI 模型研發。半導體：Nvidia、AMD、Intel、等掌控高端 GPU、AI 加速器等核心硬體。全鏈條佈局：AWS、微軟（MSFT）、GCP（Google雲）等具有完整生態閉環。垂直領域應用：Palantir、BigBear.AI 等在各個領域提供 AI 解決方案。中國核心參與企業包括：AI 模型：Deepseek、智譜、GLM-4、Stepfun、Minimax等本土企業快速崛起，聚焦大語言模型研發。半導體：寒武紀、壁仞、摩爾線程、海光等企業突破 AI 晶片技術，填補本土市場空白。平台與基礎設施：華為、百度、騰訊、等在不同領域建構基礎設施。垂直領域應用：字節跳動、科大訊飛等企業在不同領域落地 AI 應用。2. DRAM 和 NAND全面增長，AI品類領跑2025 年 Q4,DRAM 平均價格預計上漲 5.2%，2026 年價格上漲勢頭加劇，預計全年漲幅達 9.3%，核心驅動力是 AI 需求的持續爆發與供給增長的滯後性。NAND方面，AI海量資料、HDD短缺，hyperscale廠商儲存擴容需求，加上NAND 行業主動收縮供給，導致價格反彈力度超 DRAM，2025 年 Q4平均價格預計上漲 9.6%，2026 年更是將擴大至 23.9%，利潤也會顯著回升。長期來看，NAND將持續替代 HDD，QLC、PLC技術迭代驅動成本下降。3. AI 處理半導體市場規模與增長預測AI 處理半導體市場規模將持續高速增長，到 2029 年接近 4400 億美元，成為半導體行業最核心的增長引擎。AI 加速器（非 GPU）增長勢頭最為迅猛，主要得益於超大規模企業對定製化晶片的投資以及推理場景的需求爆發；GPU作為 AI 訓練與推理的關鍵硬體，持續維持穩健增長；應用處理器、計算型 MPU 等其他品類也呈現穩步增長態勢。預計推理場景的收入將於 2026 年超過訓練場景，並持續擴大佔比。其他頁面展示(銳芯聞)

如果用一個詞概括HBM這幾年的進化，那就是：堆得越來越高。HBM本質上是一種“把 DRAM 垂直疊起來”的儲存技術。層數越高，單顆 HBM 的容量越大、頻寬越高，對 AI GPU 來說就越香——因為 AI 真正稀缺的從來不是算力，而是喂資料的速度。因此，HBM 的演進路線也非常清晰：從4層到8層、12層，再逼近16 層。8 層是 HBM 真正成熟、規模化出貨的主力，它是過去一段時間 AI GPU 的“最常見配置”，良率穩定、供應鏈也最成熟；12層則成為近兩年的主力量產方向，在容量、性能與成本之間取得了更理想的平衡，也最適合大規模出貨。而截至目前，HBM 已經正式邁入16層堆疊的量產前夜：在剛剛結束的 CES 2026 上，SK 海力士已經展出了全球首款16層 HBM4 樣品，單堆疊容量提升至 48GB。但層數的提升，並不只是“多堆幾層”這麼簡單。事實上，每增加 4 層，整個系統的製造難度都會顯著上一個台階：貼裝精度、焊點間距、Z 方向高度控制、翹曲、底填（MUF）可靠性……所有原本還能被工藝余量掩蓋的問題，都會被 16 層這種高度放大到“生死線”等級。面對困局，行業分化出了兩種聲音：一種是追求終極的革命，另一種是基於現實的改良。混合鍵合：被“標準”暫時擋住的革命晶片的堆疊主要是考驗封裝的能力。這兩年先進封裝圈子裡一個詞異常火熱：混合鍵合（Hybrid Bonding）。它是一種高級的互連技術，徹底拋棄了焊料與助焊劑，通過金屬層與介質層的同步鍵合，實現更接近“直接連接”的互連形態。它代表了更小互連間距、更高 I/O 密度、甚至接近“原子級連接”的終極方向。通用 HBM 結構。圖中顯示了微凸點。採用混合鍵合技術後，DRAM 晶片之間的間隙將消失。（圖源：semiengineering）原本，業界普遍預測 HBM4 將是混合鍵合的商業化首秀。但 JEDEC 組織的一項最新修訂——將 HBM 模組高度上限從 720µm 放寬至 775µm——為 16 層 HBM 繼續沿用傳統微凸點（Micro-bump）技術騰出了寶貴的 55µm 空間。這一標準紅利，讓原本緊繃的物理極限得到了喘息，也讓一項名為 Fluxless（無助焊劑） 的技術被緊急推向了台前。Fluxless：通往終局前的一項過渡技術然而，即便有了高度冗餘，即便暫時不用混合鍵合，問題依然沒有消失：傳統互連工藝的穩定性與成本結構，已很難從容支撐 16 層 HBM 的量產爬坡。為什麼？我們把鏡頭拉回到 HBM 堆疊裝配中的關鍵工藝——熱壓鍵合（TCB）。在各種先進封裝架構下，熱壓鍵合（TCB）被認為是最先進的互連方法之一。儘管這項技術已經開發並應用了十餘年，但由於其在引入時帶來的諸多收益，仍在不斷被新應用持續採用。需要說明的是，TCB 不僅僅是為了 HBM，它是為了將不同節點的 Chiplets 強行“縫合”在一起的關鍵手段。熱壓鍵合（TCB）作為針對細間距（Finer Pitch）應用的解決方案而興起。TCB 使用配備有銅柱（Cu Pillar）和焊料帽（Solder Cap）的晶圓，通過限制焊料量來縮減銅柱間距，從而實現更高的互連密度。TCB 有多種類型（如下圖所示），無論那種類型，其主要方法都是在固定晶片和基板的同時進行局部焊料回流，隨後冷卻使焊料固化，從而將晶片固定在基板上。通常只有在焊料部分或完全固化後，晶片才會被釋放。該方法實現了更高的精度，因為它不依賴於焊料的自對中效應，同時通過在鍵合過程中保持晶片和基板的平整，緩解了翹曲（Warpage）問題。此外，TCB 允許主動控制鍵合層厚度（BLT），確保互連焊料形狀均勻，並為後續的底部填充（Underfill）等工藝提供便利。TCB 的四種主要類型包括：毛細管底部填充 TCB (TC-CUF)、模塑底部填充 TCB (TC-MUF)、非導電膠 TCB (TC-NCP) 和 非導電膜 TCB (TC-NCF)（來源：BESI）傳統TCB依賴助焊劑（flux）與回流（reflow）來促進焊料潤濕和去除氧化層。但在細間距鍵合中，尤其是40μm以下pitch，這種方式往往導致：空洞（void）、殘留污染物、可靠性下降，難以滿足更高精度的要求。而 HBM4 16 層把互連間距壓縮到 10µm 級，這些問題會被進一步放大：助焊劑體系的殘留與清洗成本開始成為良率與可靠性的瓶頸，甚至會影響後續 MUF/底填材料的潤濕與粘附。於是，在真正邁向混合鍵合之前，產業迫切需要一種不推翻既有 TCB 體系，卻能向更細間距（通常在 10µm 至 25µm 範圍內）、更高堆疊過渡的現實路徑——Fluxless（無助焊劑）TCB，便是在這樣的背景下走上前台。顧名思義，這種方法完全不使用任何形式的助焊劑。在無助焊劑 TCB 中，帶有銅柱和焊料帽的晶片直接鍵合到基板上，無需任何中間介質。然而，氧化物去除成為了一個核心問題，因為氧化層會抑制焊料的潤濕性，阻礙其與基體材料形成冶金結合。該工藝必須確保在晶片與基板接觸之前清除所有現存氧化層，並防止在 TCB 升溫過程中生成新的氧化物。在氧化物去除方面，ASMPT 通過電漿體活化（AOR：主動氧化物去除）替代化學助焊劑。這種“干法”工藝能確保介面極度潔淨，顯著降低訊號損耗，並改善熱性能。Besi則傾向於甲酸和氫基還原。無論那種技術路徑，無助焊劑 TCB（Fluxles TCB）的發展代表了一項重大進步，解決了助焊劑和薄膜在實現穩固可靠鍵合工藝方面的侷限性。來源：ASMPTASMPT認為，在下一代 HBM 中（見下圖），Flux-TCB 已具備 HBM 量產資格，且已用於最高 12 層的 HVM（高產量製造）；而 AOR TCB 已在 12～16 層範圍內展示出成功實現的能力，從而進一步支撐 HBM 路線圖。這一經驗證的能力確保：可在覆蓋全部層數的前提下，嚴格控制堆疊晶片的間隙高度，從而賦能下一代HBM——這是滿足最新 HPC 與 AI 器件性能需求的關鍵。HBM路線圖規劃（來源：ASMPT）可以說，Fluxless 既是對傳統銲接工藝的最後一次極致壓榨，也是在混合鍵合全面統治戰場前，裝置商為 AI 晶片量產平衡性能與良率的最佳“最優解”。SK海力士：Fluxless技術為時尚早然而，即便作為過渡方案的Fluxless方案，在量產落地的過程中也並非一帆風順。作為HBM的領頭羊，SK 海力士在對 Fluxless 進行了長達數月的評估後，給出了一個略顯保守的結論：“現在還早”。 據悉，SK 海力士在 HBM4/4E 的 16 層產品上，將繼續沿用其引以為傲的 Advanced MR-MUF 工藝。SK海力士的MR-MUF工藝，是在晶片完成堆疊後，將液態封裝保護材料注入層間空隙並固化的一種方式。公司與日本 Namics 共同開發並完善了 MUF 關鍵材料，並將其應用於第三代 HBM2E。SK海力士認為，相比競爭對手在每堆疊一層晶片時都需要鋪設膜狀材料的 TC-NCF 工藝，MR-MUF 更高效。此後 SK海力士又通過引入新型保護材料、改善散熱特性，將“先進 MR-MUF”匯入 HBM3，並一直沿用至 HBM4 12層產品。來源：SK海力士但是SK海力士的現行 MR-MUF 工藝中，為去除 micro-bump 周圍的氧化膜仍需塗布助焊劑（Flux）；若清洗後殘留物存在，就可能影響良率——這也是 Fluxless 被研究的重要原因之一。據Dealsite的報導，半導體業內一位相關人士表示：“SK海力士為了在 HBM4 16層上匯入Flxless鍵合，從去年第四季度開始進行了正式評估。雖然此前曾向 ASMPT 下達過支援 Fluxless 的 TC Bonding 裝置訂單，但評估結果顯示，在當前的良率壓力與成本天平上，成熟工藝的慣性依然強大。這句“還早”，也意味著Fluxless 在量產這關，遇到了比想像更難的現實問題。從邏輯上看，如果連“過渡性質”的 Fluxless TCB 在 HBM4/16H 這一代都被謹慎對待乃至延期匯入，那麼更終極的互連技術——混合鍵合，在 HBM 體系內實現全面規模化的節奏，大機率也會更保守。混合鍵合不僅昂貴，還需要全新裝置、材料與測試流程重構；首批採用它的產品單封裝成本勢必抬升（儘管容量提升可能攤薄每位元成本）。因此，這一趨勢更像是對產業的提醒：混合鍵合方向不會變，但“從路線圖走向大規模量產”的時間表可能被拉長。這場互連路線的節奏變化，並不只發生在技術論文與路線圖裡，也正在傳導到裝置採購層面。裝置商的分野隨著HBM4 16層標準高度的放寬，鍵合裝置市場不再是一場簡單的“全速衝刺”，而演變成了一場關於技術節拍、量產良率與供應鏈博弈的深度對壘。1.BESI：混合鍵合的“終局信仰者”在全球裝置鏈中，BESI 往往被視為混合鍵合產業化的“風向標”。BESI 堅信：隨著 I/O 密度繼續上升、microbump 的物理極限逼近，真正的 3D 整合必須走向 Hybrid Bonding at scale。也正因此，BESI 的技術與市場策略更偏向“提前卡位終局”——儘可能把混合鍵合的節拍、精度、平台化能力提前打磨出來，等待 HBM5 或 20 層+時代的臨界點到來。這裡也需要強調一點：BESI 並非只押注混合鍵合。在 HBM4 仍以 microbump/TCB 為主的現實中，BESI 同樣擁有熱壓鍵合與高精度貼裝等關鍵產品線。然而，終局的正確無法抹平短期的震盪。JEDEC對HBM4模組高度的寬容，給了微凸點技術更長的生命周期，也讓BESI不得不面臨“領先半步是先驅，領先一步是先烈”的風險。其2025年前三季度訂單總額（4.346億歐元）同比下降6.5%，揭示了混合鍵合的匯入節奏慢於預期。儘管第四季度收到預期中的HB訂單，但BESI可能正在經歷一場艱難的“黎明前守望”。2.ASMPT：TCB的“現實主義進化派”與 BESI 相比，ASMPT 在 HBM 產業鏈裡更像“現實主義工程派”：它並不否認混合鍵合的重要性，但更強調在當下的量產窗口期，TCB 仍是 HBM 堆疊的核心工藝平台——尤其在 12層 到 16層的過渡階段。ASMPT 推動的 Fluxless 方向（例如 AOR：電漿體主動去氧化）本質上是回答一個量產問題：在不推翻 microbump/TCB 體系的前提下，如何把介面做得更乾淨、更穩定、更可複製？這條路線比混合鍵合更容易向下相容現有產線，並且更貼近客戶眼前的 KPI：良率、節拍、TCO、可靠性。在業績方面，ASMPT 的先進封裝業務在 2025 年上半年收入佔比提升至約 39%（約 3.26 億美元），明確受 AI 需求拉動。更值得注意的是其在 TCB 訂單上的連續加碼：2025年12月3日，ASMPT 宣佈從一家領先代工廠的主要 OSAT 合作夥伴處獲得 19 台晶片到基板（C2S）TCB 新訂單；2025年12月22日，ASMPT 又宣佈追加獲得 15 台用於尖端 AI 計算晶片的 C2S TCB 裝置訂單。同時，ASMPT 預計到 2027 年，TCB 總潛在市場規模（TAM）將超過 10 億美元，並稱已做好戰略佈局，目標佔據 35%~40% 的市場份額。3.兩家韓國公司：韓美半導體與韓華作為SK海力士最核心的裝置供應商，韓美半導體（Hanmi）是“改良路線”中最具實戰經驗的玩家。其核心王牌是Dual TC Bonder。不同於傳統的NCF（熱壓非導電膜）路線，韓美通過最佳化的TCB裝置，完美配合了SK海力士的MR-MUF（批次回流模塑底填）工藝。在16層HBM4時代，韓美正緊鑼密鼓地開發下一代TC鍵合裝置，試圖將生產效率和散熱穩定性推向極致。對於SK海力士而言，只要MR-MUF能走通，韓美的裝置就是其守住HBM王座的最強屏障。韓華精密機械（Hanwha）是韓系供應鏈中的最大變數，是志在攪局的“後起之秀”。由於不甘心韓美在海力士供應鏈中的壟斷地位，韓華在2025年加速了針對HBM4的TC鍵合裝置開發。韓華的策略是“多點佈局”：一方面利用其精密機械製造能力追趕TCB的高產出率；另一方面，它正秘密研發適用於16層以上的無助焊劑工藝。韓華的入局，本質上是SK海力士為了分散供應風險、壓低裝置成本的一種戰略扶持。不過近期，這兩家公司正在打專利戰。據朝鮮日報英文站報導：韓美在 2024 年 12 月提起訴訟，爭議聚焦 HBM TCB/TC bonder 關鍵技術。據TrendForce 和 DIGITIMES等的報導，部分觀點認為ASMPT拿到SK海力士的訂單與韓美韓華糾紛有關。但同時，DealSite提到另一種解釋：ASMPT在 fluxless bonding TCB 裝置方面有優勢，且這批裝置可能屬於既定供應計畫。4.Kulicke & Soffa (K&S)：工藝延續下的“基石守護者”當Fluxless成為中場休息的避風港，K&S這種擁有高穩定性、大規模製造經驗的老牌巨頭，便成了產線不可缺的“基礎設施”。2025財年第四季度，K&S以1.776億美元營收和45.7%的毛利證明了其經營韌性。據semiengineering的報導，Brewer Science 的 Hamed Gholami Derami 指出：“並不是 HBM 中所有互連都會變成混合鍵合。企業正在探索方案：DRAM die 之間採用面對面混合鍵合形成配對，再將這些配對結構用微凸點背靠背堆疊。”這是一種折中路線，意味著 TCB 與 MR 裝置在相當長一段時間裡仍將留在牌桌上。總的來看，在鍵合裝置領域，BESI握住了通往未來的鑰匙，ASMPT和韓美半導體掌控著當下的錢袋子，而韓華正在試圖定義新的平衡。在16層HBM4這一戰中，誰能把現有的Microbump工藝做到極致，誰才是真正的盈利之王。結語Fluxless 的延期，不是技術的失敗，而是工業的現實。它提醒我們：當互連間距進入 10µm 等級，封裝不再是“把晶片粘在一起”那麼簡單，它變成了一個集潔淨度、材料學、熱管理、計量檢測、工藝窗口於一體的系統工程。任何一條鏈路不夠成熟，都可能讓先進工藝從“看起來很美”變成“算不過帳”。SK 海力士選擇繼續 Advanced MR-MUF，不是因為 Fluxless 沒價值，而是因為在 HBM4 這一代，“更穩的方案”比“更先進的方案”更重要——它必須先確保 16 層能穩定出貨，讓 GPU 有足夠的 HBM 能喂飽算力。但這並不意味著終局遠去。混合鍵合依然是那座繞不開的高山，只是它不會以革命的方式突然降臨，而更可能以漸進、混合、折中的方式悄然滲透：先在局部關鍵互連上落地，再逐步擴展到更大範圍。先進封裝這場戰爭，最殘酷的一點就在於：技術進化永遠不會停，但每一步進化，都必須通過量產的審判。 (半導體行業觀察)

1月14日消息，據韓國媒體《朝鮮日報》報導，市場調查機構Omdia 最新公佈調查資料顯示，今年三大DRAM原廠的晶圓總產出將達1800萬片，同比增長約5%，但是仍難以滿足的市場的需求。其中，韓國三星電子計畫在2026年將DRAM 的晶圓（Wafer）產量提升至793萬片，較2025年的759萬片增長約5%。這一增長主要依賴於平澤工廠（Pyeongtaek Campus）的產能釋放，預計三星電子的單季平均DRAM晶圓產量將首次達到200萬片大關。SK 海力士2026年的DRAM 產量將從2025年的597萬片提升至648萬片，增幅約為8%。這一增長主要來自於其清州M15X 工廠的擴產投資，相關產能預計從2026年下半年開始正式計入產量資料。相比之下，美光的DRAM產能規劃則顯得較為保守，預計其2026年全年產量將維持在與2025年相近的360萬片水平，不過其更多的新增產能將會在2027至2028年產出。也就是說，即便是三星和SK海力士的在積極的擴大產能，他們在2026年DRAM產量相比去年總共僅能夠增長85萬片。雖然目前全球三大DRAM原廠已紛紛啟動產能擴張計畫，但仍難以緩解目前市場上嚴重的DRAM供應短缺問題。而這主要是由於雲端AI晶片及AI資料中心對高性能DRAM的需求呈現爆炸式成長，導致傳統PC、智慧型手機等終端應用市場面臨嚴重的供貨短缺，預計這波DRAM漲價潮將貫穿2026年全年。《朝鮮日報》也指出，儘管2026年DRAM晶圓投入量有所增加，但實際的晶片產出卻面臨技術瓶頸。業界分析指出，三星電子在推動10nm第6代DRAM（1c）製程轉換的過程中，會面臨暫時性的生產能力損失。這種因技術升級導致的有效產能下降，使得即便晶圓投入增加，最終的市場供應量增幅仍可能低於預期。而這種現像在全球記憶體短缺背景下顯得尤為嚴峻。由於目前市場需求遠超供給，業界普遍認為，這種暫時性的產能縮減將進一步支撐高頻寬記憶體（HBM）及傳統DRAM價格的持續上揚。另外，目前的市場供需失衡程度已達到令人憂慮的水平。根據市場分析師的說法，目前DRAM 供應商對客戶的需求滿足率僅約為60%，而伺服器專用DRAM 的滿足率更是低於50%。這意味著市場上有一半的伺服器內存需求無法得到及時供應。而造成這一局面的核心原因在於供應商的戰略調整，也就是三星電子、SK 海力士與美光等DRAM原廠優先將先進製程節點與新建生產設施產能分配給HBM和伺服器DRAM。這種資源傾斜直接導致了PC 和智慧型手機製造商的困境，這類終端裝置商目前甚至只能取得所需DRAM的一半左右。在目前供應極度受限的情況下，DRAM合約價格正經歷劇烈震盪。市場研究機構TrendForce 預測，2026年第一季通用DRAM 的合約價格將較上一季度上漲55%至60%。此外，受益於伺服器需求的大幅激增，NAND Flash 的合約價格在同期也預計將上漲33%至38%。特別是在伺服器市場，預計2026年第一季伺服器專用DRAM 的價格漲幅將突破60%。這種劇烈的價格波動，反映出供應商在產能受限的情況下擁有極高的議價權。值得注意的是，儘管PC 市場的終端需求因筆記型電腦出貨量減少及規格下修而顯得相對疲軟，但這並未能阻止價格上漲。由於DRAM廠商大幅削減了對PC 製造商和模組廠商的供應配額，PC 用DRAM 價格預計在2026年上半年仍將保持陡峭的上升趨勢。而在移動裝置市場方面，供應短缺的陰影同樣揮之不去。未來幾個季度內，移動端的DRAM合約價格將持續呈現急劇上漲的態勢。這對於手機品牌商而言，無疑將增加其生產成本壓力。面對當前的DRAM供應危機，業界專家認為，短期內難以見到根本性的緩解。全球DRAM 市場的供應短缺問題，恐需等到三星電子平澤園區P4 新工廠正式投產後才具備緩解契機。根據目前的工程進度與內部預測，P4 工廠最快也要到2027年以後才可能投入營運。同樣地，SK 海力士也需要等到龍仁半導體叢集正式啟動運作，才能顯著提升其整體的DRAM生產能力。在這些大型基礎設施完工之前，全球DRAM市場將長期處於緊平衡甚至是供應不足的狀態。因此，總體來說2026年的DRAM市場正處於一個由AI 需求主導的強勢周期。雖然三星與SK 海力士試圖通過增加DRAM晶圓產能來緩解壓力，但受限於新製程轉換的產能損耗、對HBM 的資源優先配置，以及新工廠建設的長期周期，市場供給缺口在短期內依然巨大。對於下游的PC、智慧型手機及伺服器廠商來說，如何在這波價格飈升與供貨不穩的浪潮中確保供應鏈安全，將成為2026年最重要的經營課題。 (芯智訊)

The Chinese Company Taking On the World’s Memory-Chip Giants隨著人工智慧需求推高價格，CXMT克服了華盛頓的限制，與美光和韓國領先企業展開競爭。長鑫儲存的首款 12 英吋 DRAM 記憶體晶圓在中國合肥舉行的 2024 年世界製造業大會上展出。在中國合肥舉辦的一場展會上，DRAM記憶體晶圓正在展出。 圖片來源：Cfoto/DDP/Zuma Press中國儲存晶片製造領域的全國領軍企業在取得重大技術進步後，正準備進行 40 億美元的股票發行，這顛覆了由韓國和美國公司主導的行業格局。長鑫儲存科技（CXMT）此次推出的晶片供應是本世紀晶片製造商規模最大的供應之一，對於在人工智慧熱潮期間記憶體晶片短缺的科技公司來說，這無疑是個好消息。人工智慧資料中心一直在佔用原本用於電腦、遊戲機和智慧型手機製造商的晶片產能，從而推高了美國消費者的晶片價格。儘管CXMT計畫提高產量並表示希望拓展國際業務，但地緣壁壘依然很高。歷屆美國政府都收緊了對中國晶片製造商的限制。記憶體晶片就像為電腦引擎供油的燃油管路。隨著美國輝達等公司生產的人工智慧引擎性能越來越強，它們需要更多的記憶體，包括傳統的記憶體和一種叫做高頻寬記憶體的先進記憶體。據市場研究公司 TrendForce 預測，一台 AI 伺服器現在使用的動態隨機存取儲存器比整個筆記型電腦群使用的還要多，而且本季度傳統 DRAM 的價格預計將比上一季度上漲 50% 以上。直到最近，全球DRAM市場一直由三家公司主導——三星、SK海力士和總部位於美國的Micron Technology。這些製造商已將重心轉向利潤更高的AI記憶體晶片，而Micron正在退出部分消費市場。這為CXMT打開了機會之門。該公司成立於十年前，當時一家中國國有企業收購美光科技的嘗試失敗。合肥市政府決定建立自己的DRAM製造商。該公司目前由在美國接受過晶片工程師培訓的朱一明領導，獲得了國家科技基金和包括阿里巴巴和小米在內的一眾中國科技巨頭的支援。CXMT在12月底表示，已提交在上海證券交易所（類似於納斯達克）上市的計畫，目標是籌集相當於40億美元的資金。分析師表示，近期的融資已使該公司的估值超過200億美元。CXMT是中國半導體行業眾多明星企業之一，政府希望這些企業能在與美國的貿易戰中提升中國的自給自足能力。從製造專家中芯國際到裝置製造商AMEC，北京正在推動該行業開發美國及其盟友生產的各種產品的本土替代品。CXMT的招股說明書顯示，該公司在短短幾年內就從原型階段迅速發展到量產階段。其營收在兩年內增長近三倍，預計到2024年將超過30億美元。分析師表示，其工藝技術已與行業領先者相差一到兩代，並且該公司在全球DRAM市場的份額（按營收計）已上升至約5%。儘管美國限制中國獲取先進晶片製造裝置，但中國仍然取得了進展。“面對美國對記憶體的最終用途管制，CXMT 所取得的進展令業界感到驚訝，”諮詢公司 DGA-Albright Stonebridge Group 的技術政策負責人Paul Triolo表示。Triolo表示，如果CXMT能夠向華為供應高頻寬記憶體晶片，美國的擔憂將會加劇，因為華為的AI處理器是中國最接近輝達AI加速器的國產替代品。美國現行法規並未禁止美國公司與 CXMT 進行業務往來，但美國立法者已經表達了他們的不安。華盛頓戰略與國際研究中心高級顧問格雷戈裡·艾倫表示，CXMT對用於人工智慧計算的高頻寬記憶體的追求尤其令人擔憂。他指出，近年來，美國的出口管制措施阻礙了華為獲取HBM晶片，而像CXMT這樣的公司填補這一空白對北京來說將極其重要。“CXMT的崛起意味著中國國內人工智慧晶片製造業的崛起，”艾倫說。公司首席執行長朱先生畢業於清華，後赴紐約就讀於紐約州立大學石溪分校。他曾在矽谷工作，此前還創辦了一家中國專用儲存晶片製造商。十多年前，朱在接受清華大學雜誌採訪時表示：“誰在儲存器技術領域領先，誰就能主宰整個積體電路產業。” (invest wallstreet)

自去年四季度以來，全球DRAM供應持續緊缺、價格也是一路飆升，即便是蘋果、Google、微軟、Meta等頭部科技大廠都受到了很大的影響。此前韓國媒體的報導顯示，為了保障DRAM供應，蘋果、微軟、Google、Meta等在內科技大廠近期都紛紛派遣高管飛到韓國，向三星電子、SK海力士要產能。微軟採購主管在與SK海力士的供應談判中，由於未能獲得“在其想要的條件下（包括價格和供應量）供應”，直接憤怒離開了會談。Google採購主管甚至因缺乏遠見、未能與儲存廠商簽署長期協議（LTA）而被解僱。根據摩根士丹利的報告，蘋果得益於與鎧俠的長期供應協議，可以以相對優惠的價格確保了直至2026年第一季度的NAND Flash供應，但是隨著合約的到期，鎧俠極有可能在新合約談判中大幅漲價。與此同時，蘋果為獲得足夠的DRAM供應的談判仍在進行，預計將帶來顯著的連續價格上漲，導致蘋果下一代iPhone的大幅上漲。由於這些大廠此前未能與三星電子、SK海力士等儲存晶片大廠簽訂長期的足量的供應協議，因此他們都將不得不接受三星電子、SK海力士今年一季度對伺服器DRAM及手機和PC所需的DRAM的合約價的大幅上漲，並且可能還難以獲得所需要的供應量。那麼為何輝達這家對於高端DRAM晶片需求巨大的AI晶片廠商反而沒有受到多少負面影響呢？在近日的CES 2026展會期間，輝達CEO黃仁勳針對該問題回應稱，“我們之所以有優勢，是因為我們已經在很大規模需求的基礎上發展，並且從那個龐大的基礎上迅速增長，所以我們提前很早就與（儲存晶片）合作夥伴為這種大規模的擴張做好了準備。我們在（儲存晶片）合作夥伴身上投入大量資金，其中大部分以預付款形式，幫助他們擴大產能。憑藉長期的合作關係，我們相信自己處於有利的位置。”顯然，黃仁勳很早就預判了市場對於其AI晶片的旺盛需求所帶來了DRAM需求的暴漲，因此輝達也很早就鎖定了三星和SK海力士的DRAM產能供應，並且為滿足自身持續增長的需求，還推動了他們對於HBM產能的擴張，其中就包括提供足夠的預付款進行支援。由於輝達是全球AI晶片市場的霸主，也是SK海力士和三星電子的最大HBM客戶，為了鞏固自身在AI晶片市場的霸主地位，輝達自然是需要鎖定更多的HBM供應資源，那麼競爭對手所能夠獲得的HBM供應資源就會減少，這對於競爭對手來說也是另外一個維度的壓制。黃仁勳強調，“我們基本上是全球唯一一家直接在全球範圍內購買DRAM的半導體公司。為什麼要直接買DRAM？原因很簡單：將DRAM與GPU通過CoWoS封裝，形成超級電腦極其困難。像‘管道’一樣妥善連接這條供應鏈，對我們來說是一個重大優勢。在像現在這樣緊張的形勢下，擁有這種能力也是一件幸事。”值得注意的是，2025年10月底，黃仁勳在韓國參加亞太經合組織（APEC） 峰會後，就與三星電子執行董事長李在鎔及現代汽車執行董事長鄭義宣共進晚餐，洽談了合作。隨後在次日，三星電子就宣佈將將採購5萬個輝達GPU建設晶片製造自動化工廠；現代汽車集團也宣佈將採購5萬個英偉Blackwell GPU建設一座AI工廠。而三星電子作為全球主要的DRAM供應商，黃仁勳與李在鎔會面時想必也針對其所需的DRAM供應進行了洽談。雖然輝達的AI業務沒有受到DRAM供應短缺的影響，但是輝達的消費類顯示卡似乎受到了一些影響。有報導稱，RTX 50 SUPER的發佈因DRAM短缺而推遲了數月，作為應對短缺的措施，輝達可能會在本季度重啟RTX 3060顯示卡，而這款顯示卡於2021年發佈。不過，也有消息稱這是由於沒有足夠的競爭。 (芯智訊)

核心結論（1）iPhone 強勢表現將延續至 2026 自然年；（2）硬碟驅動器（HDD）供應短缺問題愈發嚴峻；（3）裝置漲價或推動 2026 年一季度呈現更強季節性（需求前置），但 2026 全年出貨量將下滑；（4）原始裝置製造商（OEM）裁員大機率即將落地；（5）人工智慧伺服器需求全面保持強勁。首先，自 2025 年四季度起儲存成本大幅上漲，除蘋果外，多數硬體 OEM 已實施或預計將在 2026 年上半年大幅上調產品價格，以抵消成本壓力。這可能因潛在需求前置支撐 2025 年四季度 / 2026 年一季度營收季節性走強，但預計將導致 2026 全年Android智慧型手機和 Windows 個人電腦出貨量下滑。儘管如此，AI 伺服器需求強勁仍推動雲服務提供商的通用伺服器增長勢頭 —— 調研顯示，2026 年 CSP 通用伺服器出貨量同比增速將超 30%；而企業級 OEM 的通用伺服器受儲存成本上漲帶動的漲價壓力影響，2026 年出貨量預計同比持平或下滑。其次，iPhone 需求強勢將延續至 2026 年初。儘管儲存成本上漲也可能衝擊蘋果產品利潤率，但蘋果決定維持產品價格穩定的策略，將助力 iPhone 和 Mac 在 2026 年搶佔市場份額。供應鏈早期資料顯示，2026 年 iPhone/Mac 出貨量同比有望持平或上漲。第三，HDD 供應短缺持續加劇。調研顯示，未來 12 個月 HDD 供應將較需求缺口達 200EB（三個月前預估缺口為 100-150EB）。第四，輸入成本壓力攀升或將迫使戴爾、惠普、慧與（HPE）等 OEM 大幅裁員以保障營運利潤率；而二線 OEM 因資產負債表薄弱、供應鏈議價能力有限，面臨的挑戰更為嚴峻。第五，儘管新興雲廠商和主權項目需求強勁，但 AI 伺服器定價競爭異常激烈，利潤率僅為中個位數水平。這導致 HPE 優先順序下調 AI 伺服器業務，同時給戴爾帶來維護營運利潤率的壓力 —— 尤其是企業解決方案集團毛利率受儲存成本上漲影響面臨下行風險。儲存價格對 OEM 的影響得益於與鎧俠（KIOXIA）簽訂的優惠價格協議，蘋果已備貨足夠 2026 年一季度使用的 NAND 快閃記憶體。但隨著現有合同到期，鎧俠可能在 2026 年初重新協商合同價格。儘管鎧俠歷史上定價策略相對溫和，但此次為貼合市場價格，預計將向蘋果提出更大幅度漲價。蘋果仍在與儲存廠商協商 2026 年一季度 DRAM 價格，不過由於蘋果早期鎖定了更優惠的儲存價格，儲存廠商可能在 2026 年一季度大幅上調 DRAM 價格以追平市場水平，預計蘋果的 DRAM 採購價將環比上漲 50% 以上。受 2025 年需求低於預期（通用伺服器出貨量同比下滑 10-15%）影響，HPE 仍持有部分低成本儲存庫存。儲存成本壓力日益增大，通用伺服器價格或將顯著上漲。漲價預期已引發 OEM 客戶提前下單，預計 2026 年一季度表現相對強勁，而 2026 年下半年將弱於季節性水平。例如，某伺服器 OEM 透露，2026 年一季度通用伺服器出貨量預計環比增長 5%，遠好於通常 10-15% 的環比下滑季節性表現。2026 年 PC 市場大機率也將呈現類似的上半年強、下半年弱的季節性特徵。OEM 大規模預購儲存以避險成本上漲的難度日益加大 —— 因市場參與者均採取這一策略，且 CSP 儲存需求持續強勁，導致非雲客戶的儲存短缺問題進一步惡化。與 2017-2018 年上一輪儲存超級周期類似，受產品結構向低毛利率 / 低營運利潤率的 AI 伺服器傾斜、以及儲存成本大幅上漲導致毛利率承壓影響，戴爾計畫最早於 2026 年 1 月裁員以保障營運利潤率。此次人員最佳化將主要集中在非 AI 團隊，同時 OEM 正開始利用 AI 提升精簡後內部團隊的生產效率。圖表 1：根據集邦諮詢（TrendForce）最新預估2026 年一季度 DRAM 合約價預計環比上漲 40-70%，高於此前預估的 15-23%；NAND 合約價預計環比上漲 30-35%，同樣高於此前 15-25% 的預估漲幅。蘋果相關核心要點12 月中國市場 iPhone 銷量同比增長 20-40%，部分原因是華為智慧型手機表現疲軟。背景資訊顯示，IDC 資料顯示 2025 年 10-11 月華為智慧型手機出貨量同比下滑 10%。受 iPhone 17 強勁需求推動，蘋果於 10 月末至 11 月向台積電（TSMC）追加晶圓訂單，這也與 3 奈米晶圓供應緊張有關。蘋果的追加晶圓訂單將分多個季度交付，大機率集中在 3 月和 6 月季度。我們已將這些追加訂單納入最新的 2026 財年 iPhone 出貨量預測（2.58 億部）。儘管 2026 全年供應鏈預測尚未最終確定，但目前供應鏈資料顯示，2026 年 iPhone 出貨量同比有望持平，與台積電對蘋果先進製程晶圓（含漲價因素）的中個位數同比增長預測一致，也基本符合我們對 2026 年 iPhone 出貨量 2.42 億部（同比 - 1%）的預測。延續過去數年慣例，台積電將對蘋果的先進製程晶圓價格上調低個位數百分比，漲幅低於其他先進製程客戶的中個位數百分比，彰顯兩家公司在先進晶圓製造工藝領域持續合作的緊密夥伴關係。量產階段，蘋果 2 奈米晶圓價格將比 3 奈米高出約 30%，低於多家媒體報導的 50% 漲幅。鑑於台積電 N2 製程較 N3E 邏輯密度提升 15% 以上，預計 A19/A19 Pro 處理器的晶片尺寸將小於 A18/A18 Pro，這意味著 iPhone 18 處理器成本同比漲幅將低於 30%。與此前報告一致，蘋果將調整 iPhone 發佈節奏：iPhone 18 Pro、iPhone 18 Pro Max 及折疊屏 iPhone 將於 2026 年秋季發佈，而基礎版 iPhone 18、iPhone 18e 及 iPhone Air 2 將於 2027 年春季發佈。我們認為這將降低蘋果供應商的峰值產能壓力（即所需合同製造商數量減少），同時緩解產品開發團隊壓力（因蘋果產品陣容日益豐富）。我們已將這一發佈時間調整納入季度 iPhone 出貨量 / 平均售價（ASP）預測。首款折疊屏 iPhone 仍按計畫於 2026 年秋季發佈，供應鏈預測首個完整年度出貨量目標為 1500-2000 萬部，其中 2026 年下半年產量預計為 700-800 萬部，具體可能根據後續情況調整。蘋果計畫於 2026 年上半年推出搭載 A19 處理器的低成本 MacBook，售價 599 美元。在其他廠商大幅漲價的背景下，這一舉措將助力蘋果搶佔 2026 年 PC 市場份額。iPhone 最早將於 2028 年採用 2 億像素攝影機感測器。隨著蘋果為 iPhone 攝影機感測器採用更小像素，三星（除當前獨家供應商索尼外）將成為第二供應商 —— 這不僅因為蘋果希望實現供應商多元化、增加美國本土產能（如三星奧斯汀工廠），還因為三星目前在小像素攝影機感測器領域擁有具競爭力的技術路線圖。索尼目前是 iPhone 雷射雷達（LiDAR）感測器的獨家供應商，但蘋果正與意法半導體（STMicro）洽談成為潛在第二供應商。儘管尚未最終確定，但我們認為供應商多元化將進一步增強蘋果的供應鏈議價能力。與近期新聞報導一致，iPhone 18 系列攝影機感測器無升級，但 iPhone 18 主後置攝影機將配備可變光圈，以更好地控製圖像曝光。LITE 仍是 iPhone 面容 ID（Face ID）感測器的獨家供應商。屏下面容 ID 最早可能於 2027 年（iPhone 發佈 20 周年）應用於 iPhone。儘管台積電仍擁有最先進的晶圓製造工藝，但蘋果正評估將英特爾晶圓代工服務（IFS）用於 M 系列處理器的可能性。這可能與蘋果計畫加大對美國半導體供應鏈投資的戰略一致，但出於技術和成本考量，我們預計蘋果不會大規模採用 IFS 的製程工藝。硬碟驅動器（HDD）/ 儲存相關核心要點未來 12 個月 HDD 供應缺口擴大至 200EB（三個月前為 100-150EB）。儘管企業級固態硬碟（eSSD）的總擁有成本（TCO）遠低於 HDD，但超大規模資料中心仍在使用 / 認證 eSSD 以滿足 / 支撐儲存需求。調研顯示，這仍是臨時措施，而非向 eSSD 架構轉型。儲存廠商正積極尋求降低 eSSD 每 GB 價格的機會，試圖最早於 2028 年實現對 HDD 的替代。但截至 2025 年四季度末，NAND 每 GB 價格遠高於 0.10 美元，而 HDD 平均僅為 0.013 美元，意味著採購成本差距高達 10 倍，因此儲存廠商已不再將推出高層數（400 層以上）NAND eSSD 以替代 HDD 作為核心重點。目前 CSP 的 SSD 需求滿足率僅為 40%，這可能源於客戶需求增長以及 SSD 和 HDD 供應增長有限背景下的前瞻性預測上調。需要明確的是，目前尚未出現超發情況，因 SSD/HDD 行業供應無法滿足全部需求。HDD 廠商仍不願擴大產能，但正調整產能分配，從客戶端 / 消費級應用轉向支撐不斷增長的雲 / 近線儲存需求。希捷科技（STX）每季度將消費級 / 客戶端 HDD 價格上調 10%，以使其利潤率與近線硬碟保持一致。希捷在 2026 年一季度財報電話會議中提到，“我們正從邊緣物聯網（Edge IoT）產品中抽調部分供應，轉向雲領域，因為我們能夠靈活調整需求方向”。網存（NTAP）於 2025 年 6 月進行戰略性預購，以保障截至 2026 年 4 月的 NAND 供應，但受儲存價格上漲影響，儲存廠商正試圖與網存重新協商合同。因此，網存能否在 2026 年 4 月季度及以後維持同等優惠價格仍有待觀察。人工智慧伺服器相關核心要點11 月末，xAI 向戴爾下達 3000 機櫃的 GB300 訂單，戴爾計畫於 3-4 月交付，相關訂單有望體現在 2026 年一季度（4 月季度）業績指引中。加上 CRWV 下達的 1000 機櫃 GB300 訂單，預計戴爾 2026 年一季度可交付多達 4000 機櫃 GB300（我們目前模型預測 2026 年一季度 GB300 出貨量為 3000 機櫃）。對 AI 伺服器 OEM 而言，輝達 GPU 已不再是短缺最嚴重的元件；輝達 Bluefield-3 DPU（BF3）、CX8 網路介面卡（NIC）、DRAM 及 SSD 成為制約 AI 伺服器生產的主要瓶頸因素。更多新興雲廠商向 OEM 下達 AI 伺服器訂單 —— 例如，Nscale 和 Iris Energy（IREN）已向戴爾下達 GB300 訂單。儘管無法量化具體訂單規模，但調研顯示主權 AI 需求持續增長。令人意外的是，金融機構也從戴爾採購了多達 1000 機櫃的 GB300。受主要 OEM（戴爾、HPE、SMCI）之間持續的定價競爭影響，AI 伺服器毛利率仍維持在中個位數水平。HPE 因該產品利潤率較低，已降低在 AI 伺服器業務的激處理程序度；而 SMCI 仍維持價格競爭力，短期內給戴爾帶來壓力。戴爾計畫從中長期角度創造價值，強調其服務解決方案，以最大化長期市場份額而非追求短期收益。通用伺服器相關核心要點受 CSP 需求推動，2026 年通用伺服器整體出貨量有望同比增長 10%——AI 伺服器需求強勁同時帶動通用伺服器需求，美國頭部 CSP 要求 ODM 2026 年通用伺服器出貨量同比增長超 30%。但受戴爾、HPE、SMCI 等 OEM 為抵消儲存成本上漲而計畫漲價的影響，2026 年企業級通用伺服器需求預計同比持平或下滑。受 AI 伺服器需求強勁帶動，部分模擬積體電路（IC）供應商（如德州儀器 TXN、ADI）以晶圓製造成本上漲為由，開始與伺服器 OEM 協商漲價。儘管此事仍在推進中，尚未最終確定，但我們認為這將給伺服器 OEM 帶來額外成本壓力。英特爾（INTC）伺服器 CPU 同樣供應短缺，具體原因尚不明確，但 OEM 只要支付更高價格就能獲得供應。鑑於 CSP 需求預測強勁，我們認為可能是 CSP 獲得了更多伺服器 CPU 配額，從而擠佔了 OEM 的需求。個人電腦相關核心要點受儲存成本上漲引發的漲價預期推動，訂單勢頭向好 / 需求前置，2026 年一季度 PC 需求 “表現良好”。2025 年四季度 PC 價格已確定，但受儲存成本大幅上漲影響，PC 廠商正與管道合作夥伴重新協商 2026 年一季度定價。當前 PC OEM 的策略是維持入門級機型價格不變，通過與元件供應商協商成本分攤或降低配置（即使用更廉價元件以控制物料清單成本 BoM），保障入門級市場盈利。儲存採購方面，憑藉 AI / 通用伺服器的儲存需求規模，戴爾的處境似乎優於惠普。調研顯示，戴爾和聯想願意與儲存廠商簽訂長期協議（LTA），而惠普仍持猶豫態度，導致其在保障儲存供應方面處於劣勢。儲存廠商優先向大型 PC OEM（戴爾、惠普、聯想、華碩）供應儲存，小型 OEM 獲取儲存供應的難度更大，且更易受現貨價格波動影響。受儲存價格大幅上漲影響，PC OEM 正通過降低機型配置以削減物料清單成本（BoM），例如，許多 512GB 儲存選項正被 256GB 替代。Windows 10 系統終止支援（EOL）並未觸發大規模換機周期，原因包括：（1）微軟（MSFT）進一步延長了安全支援；（2）部分應用（如 X 光機相關軟體）不願重新設計。儘管出貨量佔比仍相對較小，但高通基於 Arm 架構的 Windows PC 機型銷量較去年大幅增長 —— 以惠普為例，目前月出貨量約 15 萬台（去年同期為 1-2 萬台）。 (大行投研)

昨天剛發佈了儲存的專業分析，今天SNDK晟碟就24%上漲，希捷超10%，美光也大漲。背後原因就是不論伺服器還是PC還是移動Dram都存在大幅的漲價。今天CES上，輝達老黃的演講中對於Rubin的架構詳細說明，“Rubin的⽬標是實現具有RAS（可靠性、可⽤性和可維護性）和NVLink熱插拔等特性的“零停機AI⼯⼚”。Rubin的挑戰在於，它作為⼀台電腦在歷史上是獨⼀⽆⼆的，“內部的每⼀個芯⽚都是全新的”——甚⾄連⾼溫電容器都是新開發的。HBM4以前不存在，LPDDR5 SOCAMM也不存在。共封裝光學器件（CPO）被整合到了交換機中。之所以能實現這⼀點，是因為我們在過去約5年的時間⾥，逐⼀化解了技術、元件和供應鏈的⻛險，現在⼀切都已通過驗證並具備量產條件。今天有提高ASML的評級文章中，主要強調ASML的上調評級的主要原因是儲存上漲。需求上漲非常明顯，導致ASML的機器需求大量上升。可以看到2026年前三大DRAM製造商將新增總計250千瓦/月的產能。並且將工藝提升至1奈米。所以，ASML的目標價上調至1300歐元，存在32%空間。為什麼會出現這個DRAM的周期現象呢，儲存一直認為是周期股，也就是隨著一波周期進行上漲，等周期結束就回退，因為半導體一直是產能滯後。需求上漲是產能不足，需求下來了，產能又因為之前擴大，導致瘋狂降價。所以，儲存一直被認為是周期股。然而，現在由於DRAM和HBM由於AI的影響，伺服器對DRAM需求增長迅速，還有快閃記憶體也增長迅速，使得現在儲存從周期股變成了成長股。所以從晟碟，美光去年的漲幅就能看到這種定價邏輯已經發生了根本變化。如果是周期股，10倍的EV/Ebita就不錯了，現在作為成長股，那就可以給予更高的倍數。因為DRAM向著更大的需求，更高的技術，也就是1NM等級的演進，RUBIn中HBM4等的重新設計，使得整體儲存需求更上一層。從DRAM的發展可以看到DRAM未來的發展一直到2030，會從N3工藝節點一直發展。台積電要從13萬提升到20萬片。三星2N米由於獲得特斯拉訂單，27年才會有產能增加。再說一下Rubin，非常的驚豔。與NVIDIA Blackwell平台相⽐，Rubin平台通過硬體和軟體的深度協同設計，可將推理Token成本降低⾼達10倍，並將訓練MoE（混合專家）模型所需的GPU數量減少4倍。全新的NVIDIA推理上下⽂記憶體儲存平台搭載NVIDIABlueField-4儲存處理器，旨在加速代理式AI（Agentic AI）推理。Rubin平台通過對六款芯⽚——NVIDIA Vera CPU、NVIDIA Rubin GPU、NVIDIA NVLink™ 6交換機、NVIDIA ConnectX®-9 SuperNIC、NVIDIA BlueField®-4DPU以及NVIDIA Spectrum™-6以太⽹交換機——進⾏極致的協同設計，從⽽⼤幅縮短訓練時間並降低推理Token成本。Rubin平台引⼊了五項創新技術，包括最新⼀代的NVIDIANVLink互連技術、Transformer引擎、機密計算和RAS引擎，以及NVIDIA Vera CPU。這些突破將加速代理型⼈⼯智能（agentic AI）、⾼級推理以及⼤規模混合專家（MoE）模型推理，其每Token成本⽐NVIDIA Blackwell平台降低了多達10倍。與前代產品相⽐，NVIDIA Rubin平台訓練MoE模型所需的GPU數量減少了4倍，從⽽加速了⼈⼯智能的普及應⽤。來幫Rubin站台的在全球領先的AI實驗室、雲服務提供商、電腦製造商和初創公司中，預計采⽤Rubin的包括：亞⻢遜雲科技(AWS)、Anthropic、Black Forest Labs、思科(Cisco)、Cohere、CoreWeave、Cursor、戴爾科技(DellTechnologies)、⾕歌(Google)、Harvey、HPE、Lambda、聯想(Lenovo)、Meta、微軟(Microsoft)、Mistral AI、Nebius、Nscale、OpenAI、OpenEvidence、甲⻣⽂雲基礎設施(OCI)、Perplexity、Runway、美超微(Supermicro)、Thinking MachinesLab以及xAI。第六代NVIDIA NVLink：提供當今海量混合專家（MoE）模型所需的快速、⽆縫的GPU間通訊。每顆GPU提供3.6TB/s的頻寬，⽽Vera Rubin NVL72機架可提供260TB/s的頻寬——這超過了整個互聯⽹的頻寬。憑藉⽤於加速集合通訊的內建⽹絡計算功能，以及增強可維護性和韌性的新特性，NVIDIA NVLink 6交換機能夠實現更快、更⾼效的⼤規模AI訓練與推理。NVIDIA Vera CPU：專為代理式推理設計，NVIDIAVera是適⽤於⼤規模AI⼯⼚的能效最⾼的CPU。該NVIDIA CPU采⽤88個NVIDIA定製Olympus核⼼建構，完全相容Armv9.2，並具備極速的NVLink-C2C連接。Vera提供卓越的性能、頻寬和⾏業領先的效率，以⽀持全⽅位的現代資料中⼼⼯作負載。 (老王說事)