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三星下一代DRAM技術路線圖：從6F²到4F²，垂直溝道電晶體與3D堆疊全面解析！

🔷深度解析6F²向4F²演進、垂直溝道電晶體（VCT）與共享背柵技術 🔷聚焦VS-DRAM三維堆疊、晶圓混合鍵合及下一代記憶體單元架構 隨著傳統DRAM和NAND Flash的二維微縮逐漸接近物理與製造工藝極限，未來記憶體器技術的持續發展，將越來越依賴垂直電晶體、三維堆疊、晶圓鍵合及新型記憶體材料，而不再僅僅依靠縮小電晶體尺寸。 三星認為，AI應用對記憶體容量、頻寬、速度和能效提出了更高要求，但傳統記憶體器的性能提升正面臨結構性瓶頸。
三星下一代DRAM技術路線圖：從6F²到4F²，垂直溝道電晶體與3D堆疊全面解析！
科技#DRAM#三星#NAND Flash
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DRAM換道，長鑫先手落子

10月30日長鑫三季報業績交流會上，公司第一次把第六代工藝平台和4F²架構綁在一起說：G6已完成工程樣片驗證，年底計畫推出融合4F²的新一代DDR5 RDIMM，直接瞄準伺服器市場。工程樣片驗證不是量產，核心性能指標在真實晶圓上達到設計預期，這一步跨過去，才有客戶端驗證和規模量產的資格。 4F²值得單獨拆。DRAM單元面積從6F²壓到2F×2F，面積縮到主流方案的三分之二，同樣一片晶圓能切出更多裸片，單位位元成本往下走。10nm級之後6F²逼近物理極限，IEEE的IRDS路線圖寫得很直白：半間距微縮越來越難，從6F²向4F²轉型是維持成本趨勢最有前景的路徑。三星、SK海力士都把4F²列進10nm級以下的關鍵方向，業內也把它當成通往3D DRAM的必經階段。 長鑫這次搶到的位置是工程樣片驗證先完成。三星在ISSCC 2026發了10nm級4F²論文，CTO今年10月公開確認在研發；SK海力士把4F²垂直柵平台和3D DRAM並列為兩大技術支柱。兩家的進度都停在研發和論文階段，長鑫把工程樣片跑完了。如果後續客戶端驗證順利，全球首個落地4F²的企業可能就是長鑫。 架構層面的核心是自研VSG垂直包圍柵電晶體。溝道被柵極四面圍住，柵控能力比平面結構強，短溝道效應和漏電壓得住。DRAM和CMOS的製造工藝被解耦，兩邊各走各的最佳化路線，再通過晶圓級混合鍵合把邏輯和記憶體高速連起來。長鑫2019年就開始自研混合鍵合，專利數量排到全球前十，4F²相關公開專利族超過300件。這些數字不是裝飾，是工程驗證能跑在前面的地基。
DRAM換道，長鑫先手落子
科技#DRAM#長鑫科技#季報業績
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OpenAI奧特曼：你電腦裡的記憶體條，95%的時間都被浪費了，還不如用於發展AI

近日，OpenAI首席執行長薩姆·奧特曼在播客節目《Cheeky Pint》中談及全球DRAM（動態隨機存取記憶體器）供應緊張問題時表示，從全球資源配置的角度來看，大量DRAM被配置在個人電腦（PC）中並未得到充分利用，是一種低效的資源分配方式。 奧特曼（資料圖） 圖片來源：視覺中國 奧特曼表示，全球有限的DRAM資源被分散在個人電腦中，而這些記憶體可能只有約5%的時間處於使用狀態。他認為，在全球記憶體供應高度受限的情況下，與其讓大量DRAM閒置在個人電腦中，不如將其集中部署在雲端資料中心，以實現更高的資源利用率。 奧特曼還提到，許多人希望直接在自己的電腦上運行開源AI模型，並認為隨著本地AI能力提升，資料中心對計算資源的需求可能隨之下降。但他對此持不同看法，認為在當前供應緊張的環境下，最大限度地提高雲端資源利用率更為重要。
OpenAI奧特曼：你電腦裡的記憶體條，95%的時間都被浪費了，還不如用於發展AI
科技#OpenAI#奧特曼#DRAM記憶體
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長鑫首次確認第六代平台基於4F² 架構，核心指標已在真實晶圓上達預期

10 月 30 日，長鑫科技在第三季度業績交流會中表示，在4F²垂直溝道DRAM架構取得關鍵突破的基礎之上，第六代工藝技術平台已完成工程樣片的驗證。此前長鑫曾在學術論壇上介紹4F²架構進展，此次是長鑫首次宣佈第六代工藝技術平台是基於4F²架構。 按照產業實踐，工程樣片驗證完成意味著該平台核心性能指標已在真實晶圓上達到設計預期，在客戶端完成驗證後可進入規模量產階段。此前長鑫在公開演講中表示，預計年底將面嚮應用難度最高的領域之一—伺服器領域，推出融合4F²先進技術的新一代DDR5 RDIMM產品。 就公開披露的進度而言，長鑫在4F²工程化推進上處於全球前列：三星、SK 海力士均已將 4F² 列為10nm級以下的關鍵方向，長鑫率先完成了工程樣片驗證；如後續進展順利，長鑫有望成為全球首個落地4F²的企業。 4F² 被視為破解DRAM單元微縮瓶頸、邁向 3D DRAM的關鍵路徑。DRAM技術演進始終圍繞密度提升——在同樣大小的晶圓上整合更多單元，攤薄單位位元成本。但進入10nm 級後，原有6F²已難以為繼，逼近物理極限。
長鑫首次確認第六代平台基於4F² 架構，核心指標已在真實晶圓上達預期
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記憶體晶片下跌只是剛剛開始

今年我們經歷了記憶體晶片大規模的上漲，這給半導體產業帶來了虛假的繁榮，也嚴重打擊了全球資訊產業的發展。 今年以來，我已經發佈過數篇文章，分析這件事情，對於說記憶體晶片短缺要延續到 2028 年，會一直出現短缺的情況，我是非常不同意的，這是一種無知的炒作，是資本為了掙錢搞的把戲。我相信每一輪記憶體晶片的炒作，一般都在 1 年左右，不可能長期持續，今年年底、明年年初，記憶體晶片大規模的短缺一定不是必然。 現在的市場情況基本證實了我的判斷，記憶體晶片的大跌只是開始。 1.根本不存在一個人工智慧高速度發展，帶來大量記憶體晶片需求的市場格局。人工智慧的發展確實帶來了HBM的需求增長，但是這種主要用於資料中心的晶片，需求量增長是有限的，不可能長期持續的增長，資料中心建設基本完成之後，這種增長就會放緩。
記憶體晶片下跌只是剛剛開始
科技#記憶體#晶片#半導體
講到內地可以製造HBM一樣，你了解清楚先吹啦
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SK 海力士2026年第三季度財報電話會，DRAM和HBM到2029年產能已經全部售罄

一、會議開場與高管介紹 主持人：SK海力士2026財年第三季度業績電話會即將開始，請稍候。各位早上好，感謝大家參加SK海力士財報發佈電話會。今天我們將首先由SK海力士進行業績陳述，隨後進入問答環節。如果您有任何問題，請按“* 1”，即星號鍵和數字1。請注意，本次陳述將提供同聲傳譯，問答環節將採用交替傳譯。現在，會議正式開始。 投資者關係：各位早上好、下午好、晚上好。我是SK海力士投資者關係負責人朴星煥（Park Seong-hwan）。歡迎參加SK海力士2026年第三季度財報發佈電話會。請允許我介紹今天出席會議的高管團隊：出席本次會議的有社長兼首席執行長郭魯正（Kwak Noh-Jung）、首席財務官金宇賢（Kim Woo-hyun）、DRAM行銷負責人朴俊德（Park Joon-deok）、NAND行銷負責人宋昌錫（Song Chang-seok），以及HBM銷售與行銷負責人金基台（Ki-tae Kim）。 在此作一項免責聲明：由於外部審計機構的審閱工作尚未完成，本次電話會中涉及的第三季度業績均為合併口徑的初步資料，因此仍可能發生變動。此外，包括市場展望和公司規劃在內的前瞻性陳述，可能會隨著宏觀經濟和市場環境的變化而產生差異。
科技#SK海力士#HBM#DRAM
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長鑫記憶體拒給蘋果報價，不是擺架子，是產能真的不夠用

非記憶體行業的供應商為了拿蘋果的訂單，普遍願意主動打折，換一份長期合同外加品牌背書。但到了 DRAM 這一檔，長鑫記憶體一步不讓。 據產業鏈消息，蘋果今年 8 月前後曾就 LPDDR5X 等移動 DRAM 與長鑫談判，希望拿到低於三大原廠的採購價，被拒。長鑫堅持的報價與三星、SK 海力士持平，部分規格甚至更高。蘋果與長鑫均未公開確認談判細節。 一份新的報告顯示，這家中國記憶體廠商的目標不只是跟美光、三星、SK 海力士競爭，它還在主動放棄海外大客戶的訂單，去完成一件更重的事：實現中國記憶體的自給自足。 台灣伺服器廠商也沒拿到貨
長鑫記憶體拒給蘋果報價，不是擺架子，是產能真的不夠用
A股#長鑫記憶體#DRAM#半導體產能
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記憶體ETF漲了70%，投資者整體卻虧了約37億美元：$DRAM的兩個真相

記憶體ETF漲了70%，投資者整體卻虧了約37億美元：$DRAM的兩個真相 記憶體ETF $DRAM 正走向連續第三個月資金淨流出，而DRAM合約價預計四季度仍環比上漲10%到15%。股價和價格走了兩條路，這件事在現在值得拆開看。 聚焦 🔍 同一隻基金有兩個回報。時間加權回報是價格自4月上市以來的 +70%，資金加權回報是投資者整體浮虧約37億美元。兩個數字都是真的，回答的是不同的問題。
科技#ETF#DRAM#合約價