這個年末，儲存行業過得不是很太平：AI巨頭們不計成本地囤貨，讓儲存行業迎來了一輪史詩級漲價。作為漲價潮的起點，記憶體（DRAM）與固態硬碟（SSD，核心為NAND快閃記憶體）的價格漲幅堪稱驚人。相較於一年多前的市場低谷，如今大家要購買同款記憶體產品，價格已飆升至此前的三四倍。TrendForce的最新資料顯示，11月各類NAND快閃記憶體產品價格漲幅已達20%至60%，且覆蓋所有容量段，從入門級到高端產品無一倖免。在PCPartPicker上也能看出，今年四季度開始，DDR4和DDR5已經漲價了2-3倍。許多網友紛紛感嘆：“記憶體條漲得比黃金還快！”知名科技UP主Moore's Law Is Dead也在youtube上披露了自己的親身遭遇：11 月初，他買了一套32GB DDR5 的記憶體套裝。三周後，同樣的那套 DDR5 竟然標價 330 美元，比不到一個月前暴漲了 156%！他認為這與10月1日 OpenAI 與三星和SK宣佈的新合作有密切關係，並稱之為“山姆·奧特曼的骯髒 DRAM 交易”。RAM 市場崩掉的那一天11 月初，我買了一套給 Minisforum BD790i X3D 主機板用的 32GB DDR5 記憶體套裝。三周後，同樣的那套 DDR5 竟然標價 330 美元——比不到一個月前暴漲了 156%！照這個趨勢，到聖誕節的時候，這套 DDR5 的價值可能比我原本要搭配的整個 Zen 4 X3D 平台還貴！這怎麼可能發生？而且為什麼會發生得這麼快？準備好，你將聽到 “Sam Altman 的骯髒 DRAM 交易”，也可以叫：AI 泡沫、恐慌與毫無準備如何偷走了今年的聖誕節。不過在深入之前，我要先說清楚：我那套 RAM 漲價 156% 絕不是偶然，也不是某個極端個案。完全不是。我還想給你提供兩個來自業內人士的例子，展示現在拿到 RAM 有多困難：美國某零售商的員工告訴我們，一家記憶體製造商竟然打電話問他們是否願意把 RAM 賣給他們自己用。這就像 Corsair 問 Best Buy 有沒有記憶體可以賣給它。一家整機公司的員工告訴我們，他們最近下單詢問何時可以收到 RAM，對方的預計交付時間是：2026 年 12 月。所以到底發生了什麼？這一切全都源於三個完美疊加的事件：OpenAI 執行了兩筆史無前例的 RAM 交易，完全打了所有人一個措手不及。這些交易的保密與規模，引爆了整個行業的恐慌性搶購。由於關稅、夏季價格下跌、舊裝置轉移停滯，市場幾乎沒有任何安全庫存。接下來，我會逐條講解每一個因素，然後告訴你那些硬體會被最嚴重地影響、那些產品已經被取消、現在你到底該趕緊買什麼，以免重演 2021–2022 的斷貨噩夢。因為這場危機遠不只是“記憶體短缺”這麼簡單……OpenAI 一點都不“Open”10 月 1 日，OpenAI 同時與三星和 SK 海力士簽下了兩份合同，佔據了全球 40% 的 DRAM 供應量。據高盛分析師測算，OpenAI預計需要每月90萬片DRAM晶圓產能來運行其先進AI模型，約相當於三星電子、SK海力士和美光三大廠商目前合計產能的57%。OpenAI 的競爭對手確實猜到 2025 年底可能會出現一些大額 RAM 交易。但他們完全沒想到會這麼巨大、還同時與兩家龍頭簽。如果你回去看 10 月 1 日當天關於 Sam Altman 訪問韓國的新聞報導，你會看到記者幾乎都在說些模糊的詞：“探索合作”、“尋求協同”、“探討可能的夥伴關係”。但沒人敢想像，OpenAI 當天就要吞下全球近一半的 DRAM 產能。即使在簽約當天上午，也沒有任何一家媒體提過類似規模的動作！業內人士稱，這完全是突襲。最震驚的不是 OpenAI 做了大交易，而是他們同時對三星和海力士做了兩筆超大交易，還互相保密成功了。根據我們的消息來源：三星完全不知道海力士會給出這麼大的產能。海力士同樣不知道三星也準備同時放出類似規模。他們都以為自己是唯一的大客戶。而這種保密，非常關鍵。如果雙方知道對方也在談類似條件，那麼價格會不同、供貨比例會不同、更可能根本不會同時簽這麼大的量。但最後的結果就是：OpenAI 成功地讓兩個巨頭誤以為只有自己在做大讓步，藉著這份誤解，完成了一次幾乎外科手術般的精確打擊，鎖死了全球 RAM 供應鏈。市場上沒有任何安全庫存設想你是一家雲服務巨頭的採購經理、一家 OEM 的供應鏈主管，或 OpenAI 的直接競爭對手。10 月 1 日你起床，突然看到新聞：OpenAI 一夜之間比過去十年任何公司都更強勢地壟斷了全球記憶體市場。你事前沒有聽到任何風聲。你開始打電話問業內同行，卻發現：連三星和海力士彼此都不知道對方也簽了類似的大合約。你會說：“哦，這挺有趣的。”……？當然不會！你會立刻進入最高等級警報：是不是還有別的交易我們不知道？DRAM 廠商完全沒有提前預警，也不會在未來預警，難道全球記憶體可以在我們毫無察覺的情況下被買空？OpenAI 的對手肯定已經在搶購，如果我們不馬上行動，可能要等到 2028 年才能拿到貨！於是，OpenAI 的競爭者、OEM、雲服務商全部開始瘋狂搶購市場上剩餘的存貨。而這種恐慌碰上第三個致命因素：市場完全沒有安全庫存。正常情況，DRAM 市場會保留一些緩衝，比如倉庫裡的應急庫存、額外的晶圓啟動產能，或者大廠升級產線後，把舊裝置賣給二線品牌，讓產能持續擴張。但 2025 年，這些緩衝全都不見了。原因有三：1. 關稅混亂2025 年夏天，DRAM 關稅幾乎每周都在變。每一次大量採購都有可能踩在錯誤的時間點，因此廠商普遍減少安全庫存採購。2. RAM 價格整個夏天都在下跌當價格持續下降時，沒有人會急著買，大家都等下個月更便宜，結果就是市場庫存進一步減少。3. 二手 DRAM 製造裝置無法流入市場按往常，三星等巨頭升級產線後，會把舊裝置賣給二線廠，增加整體市場產能。但 2025 年韓國廠商非常擔心：把舊裝置賣給“與中國相關的製造商”，會引發美國政府的報復措施。因此這些裝置從春季開始就全部停放在倉庫裡，無法被使用。結論就是：在 OpenAI 出手的那一刻，DRAM 市場完全沒有緩衝空間。任何衝擊都會造成巨大震盪，而這次衝擊非常巨大。人為製造的稀缺現在我們來講最離譜的部分，而且是公開資訊：OpenAI 並不是在購買成品記憶體。沒錯，他們買的不是DDR5 記憶體條、HBM，或者伺服器記憶體。他們買的是：未切割、未封裝、未指定標準的原始 DRAM 晶圓。換句話說，這些晶圓目前不能用、沒加工，不知道會變成 DDR5、RDIMM、還是 HBM，更不知道 OpenAI 何時甚至是否打算把它們製成成品。這些晶圓很可能只是放在倉庫裡囤著。就像一個孩子害怕別人搶玩具，於是把整個玩具箱藏起來。而這背後原因，其實大家都懂：OpenAI 很擔心自己失去領先地位。過去 18 個月，各家競爭者進步極快，比如Anthropic、Meta、xAI、Google（尤其是近期被大量稱讚的 Gemini 3）。大家都需要訓練算力，而算力的瓶頸在於 DRAM 容量。訓練越大模型、推理越快、吞吐越高，這些都離不開記憶體。削弱對手的供應鏈，不是陰謀論，而是商業策略。這在資本史上重複過數百次。OpenAI 的行動越秘密、晶圓越不準備加工、數量越巨大，其目的就越明顯：主要目標不是自用，而是搶佔供應鏈、削弱對手。你現在應該買什麼？即便奇蹟般地明天情況突然好轉，比如AI 泡沫瞬間破裂，或者有十家公司馬上擴充 DRAM 產能。但最少最少，未來 6–9 個月已經註定崩壞。DRAM 廠商目前給出的 DDR5 交貨期是 13 個月。這不是暫時問題，而是可能一代人的供應衝擊。下面是從 S 到 E 的受災等級排名，告訴你那些產品“最慘”：S 級（已經完蛋，買不到了）RAM 本身（毫無疑問）現在的價格爆炸已經是“歷史事件”了。A級（快完蛋了，想買趕緊買！）1. SSD：通常會在 DRAM 漲價後滯後一段時間一起漲。2. 小型整機廠商：庫存少，沒有緩衝。3. AMD RADEON GPU：AMD 不像 NVIDIA 那樣給 AIB 提供記憶體繫結的 BOM 套件。（我們頻道幾個月前洩露的 RX 9070 GRE 16GB，據消息來源稱幾乎肯定被取消）4. XBOX：微軟沒提前佈局。2026 年可能價格漲、供應縮。B 級（遲早完蛋，不要等太久）NVIDIA GPU：NVIDIA 保留一定記憶體庫存給合作夥伴，緩衝比 AMD 好。但：高視訊記憶體型號（如可能出現的 24GB 5080 SUPER）基本暫停。SUPER 系列被內部模糊地標註為“可能”2026 Q3，但大多數 AIB 認為只是佔位，很可能不會發佈。C 級（可以考慮及早購買）筆記本與手機：長期合約通常較大，不會立刻受衝擊，但一旦庫存耗盡，影響會非常明顯。D 級（不急，但也要注意）PlayStation：索尼提前佈局，在夏季低價時大量採購。因此能在黑五降價，而別人都在漲價。E 級（反而可能降價）無記憶體的產品：例如不帶散熱器的 CPU。因為整體主機需求下降，可能導致 CPU 庫存堆積。？？？ 級 Steam Machine：Valve 一向低調。關鍵未知是：是否在宣佈前就囤好了 DDR5？如果囤過：能順利上市，但後續補貨可能會卡住。如果沒囤：首發價會很高、供應量極低，甚至可能需要推出 無記憶體版本（自備 RAM）。在最後，Moore's Law Is Dead表示：我寫這篇文章最重要的原因之一是，確保你在這場風暴中少踩坑。但還有另一個原因：我希望更多人開始追查 OpenAI 到底在做什麼。說實話我們有任何一個可靠的財務審計嗎？能證明他們真的有錢這樣瘋狂囤積晶圓？更別提有多個來源告訴我：OpenAI 甚至在收購 DRAM 製造裝置本身。網友熱議：完全是人為擾亂全球市場！在youtube和HN評論區，很多網友也紛紛大吐記憶體漲價的苦水。有人曬出了自己入手的記憶體套件漲幅：有網友戲稱各大廠商在OpenAI之後搶購DRAM的行為：類似哄搶衛生紙。有網友說自己買了32G的USB 隨身碟，底下也有人調侃：趕緊把它寄到OpenAI去。還有網友認為，OpenAI此舉完全是人為擾亂全球市場，這種吞下40% DRAM 產能進而引發全球危機的行為，是典型的AI泡沫。還有人提出了和作者類似的看法：這可能是OpenAI為了保持自身領先地位，應對Anthropi、Google等競爭對手的策略。 (51CTO技術堆疊)

全球記憶體產業呈現高度集中的寡頭壟斷格局，以DRAM和NAND Flash為主導的產品線佔據了95%以上的市場份額。產業地理分佈極度集中於亞太地區，特別是韓國和台灣，而美國、日本則在技術和裝置層面保持關鍵影響力。本報告基於2024-2025年最新市場資料，系統分析產業主導企業、產能分佈、技術演進路徑及地緣政治風險，揭示當前產業面臨的核心挑戰與未來發展趨勢。一、產業格局與主要廠商分佈——市場集中特徵全球記憶體晶片市場由少數幾家IDM（整合設計製造）企業絕對主導。截至2024年，DRAM市場呈現"三足鼎立"格局：三星（40.6%）、SK海力士（29.9%）和美光（24.8%）合計佔據超過95%份額。NAND Flash市場相對分散，但仍由五大廠商控制：三星（31.4-36.9%）SK海力士（含Solidigm，19.1-22.1%）鎧俠（13.8-17.0%）美光（11.8-12.4%）和西部資料（9.9-10.5%）。——地理分佈特徵韓國作為全球記憶體產業的心臟，集中了三星和SK海力士兩大巨頭的先進產能。三星的DRAM工廠主要位於韓國本土，擁有12英吋生產線；SK   Hynix的記憶體工廠主要位於韓國，部分產能分佈在美國俄勒岡州和中國無錫。韓國政府計畫到2030年投資340兆韓元（約2600億美元）用於晶片產業，並在首爾周邊建設世界級晶片產業叢集。台灣在記憶體產業鏈中扮演關鍵角色，雖然在DRAM設計領域份額較小，但在晶圓代工環節具有不可替代的地位。台積電等企業在先進製程技術上的優勢，使其成為全球記憶體控製器和介面晶片的重要生產基地。台灣當局通過《產業創新條例》提供研發投資25%的稅收減免，以及先進裝置採購5%的額外減免。美國作為美光科技的總部所在地，保留了部分關鍵DRAM產能。拜登政府的《晶片與科學法案》提供530億美元補貼並配套25%的投資稅收抵免，旨在吸引三星、台積電等海外巨頭赴美建廠，重塑本土半導體製造能力。中國大陸雖是全球最大記憶體消費市場，但在核心技術上仍受制於人。長江儲存（YMTC）和長鑫儲存（CXMT）在NAND和DRAM領域取得突破，但市場份額有限。2024年中國在半導體產能建設上的投資約430億美元，並出台系列稅收減免和研發支援政策，目標2025年實現晶片自給率70%。二、產業鏈結構分析——上游環節上游由晶圓原廠和核心IP供應商構成，技術壁壘極高。記憶體介面晶片領域，瀾起科技、IDT和Rambus三家企業形成絕對壟斷，認證難度大，准入門檻高。三星、SK海力士、美光等IDM企業掌控從設計、製造到封測的全流程，是記憶體顆粒的直接生產者。全球主要生產商還包括鎧俠電子、西部資料、華邦電子、南亞科技、旺宏電子、兆易創新等。——中游環節中游為儲存模組廠商，向上游採購顆粒後整合主控晶片與韌體演算法，設計出最終產品。主要參與者包括金士頓、世邁科技、記憶科技、威剛科技、江波龍、佰維、國科微等。這一環節競爭激烈，產品包括電子模組、快閃記憶體、工規記憶體和外接式硬碟等。——下游應用下游涵蓋PC、伺服器、智慧型手機、工業電腦、圖形卡、雲端運算、汽車電子等終端市場。網際網路巨頭如亞馬遜、微軟、阿里等雲服務廠商是DRAM和NAND的最大買家。隨著AI、5G、物聯網的快速發展，資料中心和邊緣計算成為驅動記憶體需求的核心動力，2024年該領域需求預計增長75-77%。三、技術演進與新興儲存——傳統技術路徑DRAM和NAND Flash仍在持續微縮和3D化。DRAM市場正從DDR4向DDR5過渡，2024年DDR5滲透率預計超過50%。3D NAND技術已演進至200層以上，通過垂直堆疊提升容量，但其讀寫延遲仍維持在10-20微秒等級，耐久性限制在10^3-10^5次擦寫。——新興儲存技術MRAM（磁性隨機存取儲存器）讀寫延遲接近DRAM（1-10ns），耐久性高達10^15次，功耗極低。台積電已將STT-MRAM整合至5nm晶片中主要應用於嵌入式系統替代NOR Flash。ReRAM（電阻式隨機存取儲存器）讀寫延遲小於10ns，耐久性達10^6-10^12次，寫入能耗僅為1E-13J/bit，顯著優於NAND。被視為NAND的潛在替代品，在醫療、工業和消費電子領域應用前景廣闊。PCM（相變儲存器）性能介於DRAM與NAND之間，讀寫延遲亞100ns，密度可達DRAM的10倍，成本低於RRAM和MRAM。但其寫入耐久性有限（約10^9次），限制了廣泛應用。——市場規模預測不同研究機構對2024年市場規模的預測存在顯著差異。DRAM方面，Yole  Intelligence預測為970億美元，而IC Insights預測為900億美元。NAND  Flash預測從680億美元到930億美元不等。新興記憶體技術（MRAM/ReRAM/PCM）2024年市場規模約70億美元，2025-2030年複合增長率預計達16%，但短期內難以撼動DRAM和NAND的主導地位。四、地緣政治風險與供應鏈挑戰——供應鏈脆弱性全球記憶體供應鏈高度集中，存在多重脆弱性。日本掌控全球矽片、光刻膠等關鍵材料的70%以上供應，其地震、颱風等自然災害可能引發價格飆升。韓國集中了全球近65%的DRAM產能，朝鮮的地緣政治威脅直接衝擊全球供應。此外，全球化分工導致智慧財產權盜用、硬體木馬植入、假冒偽劣晶片氾濫等安全風險。——政策干預與產業博弈各國政府正通過巨額補貼重塑產業格局。韓國《K-Chips   Act》將半導體設施投資稅收減免率從15%提高至20%，並計畫投資9500億韓元開發車用晶片。美國《晶片法案》配套25%投資稅收抵免，吸引台積電亞利桑那州5nm晶圓廠和三星德州泰勒市晶圓廠項目。中國則通過"大基金"累計投入超過3000億元人民幣，支援長江儲存等本土企業。——企業應對策略主要廠商採取多元化佈局應對風險。SK海力士在中國無錫和大連設有生產基地同時加大美國、韓國本土投資。三星在美國德克薩斯州泰勒市建設價值170億美元的晶圓廠，並計畫2024年將3D  NAND產能提升30%。美光則在台灣和日本佈局DRAM先進製程，分散地緣政治風險。五、未來趨勢與展望——市場增長預測儘管各機構預測存在分歧，但整體保持樂觀。記憶體市場預計2025年增長20.5%至1963億美元，2030年整體市場規模或達2887億美元，年複合增長率10.34%。AI伺服器、邊緣計算和汽車電子是核心驅動力，HBM（高頻寬記憶體）需求2024年預計激增300%。——技術路線圖DRAM：向10nm以下製程演進，通過EUV光刻提升密度，同時發展HBM3E和HBM4堆疊技術。NAND：3D堆疊層數將突破300層，QLC技術普及率提升，但需解決耐久性瓶頸。新興儲存：MRAM將在物聯網和汽車電子領域替代嵌入式Flash；ReRAM有望在儲存級記憶體（SCM）市場分一杯羹；PCM或將在特定大容量儲存場景實現突破。——產業格局演變地緣政治將繼續重塑產業地理分佈。美國、歐洲通過政策補貼吸引產能回遷，但短期內難以撼動亞洲主導地位。中國本土企業技術追趕加速，但受限於EUV光刻機禁運，先進製程突破仍具挑戰。未來3-5年，韓國和台灣仍將掌控全球70%以上記憶體產能，但美國和中國大陸的市場份額將逐步提升。 (網路的那些事兒)

近期供應鏈消息傳出，中國DRAM大廠長鑫儲存，將“加速縮減”DDR4產能，原本2026年底保留單月2萬片DDR4產能，但隨著DDR5及新製程推進順利，或再減至1萬片產能。今年記憶體晶片是暴漲的，其中以DDR4漲的最猛，16GB的DDR4今年漲了700%以上，8GB規格的也漲了500%以，而DDR5、DDR3漲的相對少一些。DDR4為何漲的這麼猛，一方面是因為市場還有需求，很多老款一點的CPU，還在支援DDR4記憶體，所以市場需求還是相當大的。但另外一方面，則是今年上半年的時候，三星、美光、SK海力士等，則宣佈要停產DDR4記憶體。所以一下子，引發了管道的恐慌，整個供需關係打破了，有些管道開始提前囤貨，再加疊加市場需求，導致市場需求大，而產能又跟不上，所以DDR4在今年暴漲。而就算DDR4暴漲，三星、美光、SK海力士等，也不可能再去擴產DDR4了，因為這是註定要被淘汰的產品了，現如今AMD\INTEL的新CPU，都不再支援DDR4，只支援DDR5了。所以DDR4就這樣漲了一年，大家預測到2026年DDR4的價格可能會得到抑制。另市場消息稱，長鑫儲存也無意“戀戰”DDR4，原內部規劃在2026年底保留單月2萬片產能，主要提供給兆易創新的代工需求，但產能規劃可能再調整，降低DDR4產能供應的腳步加快，預計將減少至1萬片規模，加速進攻DDR5/LPDDR5。由於伺服器需求推動記憶體產業加速升級，近來長鑫儲存發表新一代DDR5與LPDDR5X產品，性能表現對標三星電子（Samsung Electronics）、SK海力士（SK Hynix），並預計從2026年起全面量產。外界預期，長鑫儲存2026年超過90%的產能將轉向新製程，快速跟上“記憶體超級循環周期”的成長列車，而長鑫儲存的總投片量，預計2026年將達到30萬片，屬於既有產能規劃，短期內對於緩解DRAM供不應求的實質幫助非常有限。儘管DDR4價格居高不下，從9月初至今的現貨價已上漲2倍多，近半年來現貨市場價格也明顯高於DDR5，但受限於DDR5供貨也同樣吃緊，DDR5價格漲幅也呈現倍數調漲，業界認為，DDR4合約價可望延續高檔至2026年底，後續維持賣方市場。 (半導體行業圈)

順應時代潮流，美光科技周三宣佈計畫在2026年2月底前逐步關閉其在全球範圍內的Crucial消費級業務。該公司正將產能和投資重新分配到企業級DRAM和SSD產品上，以滿足人工智慧領域日益增長的需求。美光將繼續通過零售商、線上商店和分銷商銷售貼有 Crucial 標誌的消費級產品，直至其第二財季結束，即 2026 年 2 月底。此後，美光將不再向消費管道供應 Crucial 品牌的產品，但將繼續銷售其美光品牌的企業級產品組合，這些產品將繼續通過商業和伺服器合作夥伴銷售。即使美光停止出貨其Crucial系列產品，仍將繼續履行對現有Crucial產品的保修義務和技術支援。已擁有Crucial品牌記憶體條、固態硬碟及其他產品的客戶，即使在停止出貨後仍將繼續享受售後服務，因此，此次決定不會導致已安裝的硬體失去支援。正如預期的那樣，由於將 3D NAND 和 DRAM 的產量和產能重新分配給企業級 SSD、用於 AI 加速器的高頻寬記憶體 (HBM) 和伺服器級記憶體模組，美光正在放棄其消費業務。美光科技執行副總裁兼首席商務官蘇米特·薩達納表示：“人工智慧驅動的資料中心增長導致記憶體和儲存需求激增。為了更好地為我們在增長更快領域的大型戰略客戶提供供應和支援，美光做出了艱難的決定，退出Crucial的消費業務。”美光科技於29年前的1996年創立了Crucial品牌，當時發燒級硬體市場正處於快速增長期。隨著時間的推移，Crucial在零售領域取得了巨大的成功，正如美光科技所說，它的名字成為了“技術領先、品質卓越、值得信賴”的代名詞。然而，當前的市場形勢對這類產品極為不利，因此，美光科技並沒有縮減Crucial的產品線，而是決定徹底停止Crucial業務，但至少目前還沒有出售Crucial品牌。美光公司做出這一決定背後有幾個原因。首先，由於客戶端記憶體模組和固態硬碟所處的市場波動性大、價格競爭激烈且促銷活動頻繁，因此它們在美光的產品組合中利潤率最低。儘管 Crucial 和Ballistix 品牌仍然重要，但它們夾在高端發燒友品牌和低端消費品牌之間，發展空間有限。相比之下，資料中心和企業級產品則擁有長期合同、更高的平均售價以及更可預測的需求。其次，供應鏈環境已發生永久性變化。人工智慧基礎設施需要每一片晶圓來滿足其記憶體需求，這在以往任何行業大趨勢中都從未發生過。這意味著美光分配給消費級產品的每一片晶圓，就意味著分配給超大規模資料中心或企業級客戶的晶圓數量減少了。因此，保留消費級產品線將直接限制美光履行其最大客戶訂單的能力，這將對利潤和戰略關係構成風險。第三，即使是規模較小的消費品企業也需要最低限度的供應鏈，包括產品開發、韌體驗證、合規性測試、銷售團隊、零售關係和全球保修服務。這些固定成本幾乎不會隨著銷量下降而減少，因此，規模縮減後的消費品企業仍然會消耗資源，同時失去使該細分市場得以生存的規模經濟效益。因此，從戰略角度來看，完全停止面向消費者的業務，並將生產能力、研發和產品工程資源釋放出來，用於 HBM4/HBM4E/C-HBM4E、企業級硬碟和高密度伺服器記憶體模組等高端產品，顯然更有意義。美光表示，將通過內部調崗的方式，儘量減少該決定對員工的影響，將員工安排到公司其他部門的現有空缺崗位。美光宣佈退出關鍵的消費者業務創新記憶體和儲存解決方案的領導者美光科技公司今天宣佈，將退出 Crucial 消費業務，包括在全球主要零售商、電商和分銷商處銷售 Crucial 消費品牌產品。美光科技將繼續通過消費管道向消費者銷售 Crucial 品牌消費級產品，直至本財年第二季度末（2026 年 2 月）。在此過渡期間，公司將與合作夥伴和客戶緊密合作，並繼續為 Crucial 產品提供保修服務和支援。美光科技將繼續支援面向全球商業管道客戶的美光品牌企業級產品的銷售。“人工智慧驅動的資料中心增長帶動了記憶體和儲存需求的激增。為了更好地為我們在增長更快的細分市場中的大型戰略客戶提供供應和支援，美光做出了艱難的決定，退出Crucial消費業務。”美光科技執行副總裁兼首席商務官Sumit Sadana表示，“感謝廣大消費者的熱情支援，Crucial品牌已成為技術領先、品質卓越和可靠性領先的記憶體和儲存產品的代名詞。我們衷心感謝數百萬客戶、數百家合作夥伴以及所有在過去29年中支援Crucial發展的美光團隊成員。”這一決定體現了美光致力於持續進行產品組合轉型，並使其業務與記憶體和儲存領域長期盈利增長方向保持一致的決心。通過專注於核心企業和商業領域，美光旨在提升長期業務績效，並為戰略客戶和利益相關者創造價值。美光計畫通過為團隊成員提供重新部署到公司現有空缺職位的機會，來減少這項商業決策對團隊成員的影響。 (半導體行業觀察)

隨著記憶體技術的不斷進步，3D DRAM堆疊、高kDRAM電容和SRAM輔助技術等創新，不斷拓展這兩種記憶體類型的邊界，新興的替代方案如MRAM、ReRAM和eDRAM也取得了一些進展，但SRAM和DRAM依然是當今高性能計算系統的基石。SRAM（靜態隨機存取儲存器）依賴六電晶體（6T）雙穩態鎖存器，只要供電，資料即可不更新保存。其主要優勢包括極低的延遲、高讀寫穩定性和可預測的性能，但代價是密度。每個位單元有多個電晶體，SRAM佔用的面積顯著增加，因此適合更小、高性能的記憶體塊。DRAM（動態隨機存取儲存器）採用1電晶體+1電容（1T1C）結構，實現更高的位元密度和更低的位元成本。這使得DRAM成為大容量系統記憶體的首選技術。其侷限在於電容器本身的電荷洩漏，需要持續刷新。刷新周期會帶來延遲、增加功耗，並使系統級時序管理更加複雜。從上面的對比圖可以看出，SRAM位於金字塔上層（暫存器、L1-L3 快取），特點是延遲低、性能高，但容量小、單位成本高；DRAM位於金字塔中層（主存），容量更大、單位成本更低，但延遲高於 SRAM。 (銳芯聞)

今年下半年，由於來自人工智慧（AI）的需求大漲，導致全球DRAM市場供不應求，不僅DRAM合約價格持續大漲，現貨市場更是漲幅驚人。這也使得眾多的終端裝置廠商成本壓力倍增。那麼，2026年DRAM市場趨勢如何，是否仍將供不應求，價格將會繼續上漲多少？2025年11月27日，由研究機構TrendForce集邦諮詢主辦的“MTS 2026儲存產業趨勢研討會”在深圳舉辦。會上，TrendForce半導體研究處資深研究副總吳雅婷分享了2026年DRAM記憶體產業發展趨勢。2026年DRAM供應將增長20%，HBM在總供應當中佔比為9.1%根據TrendForce的預測，從供應端來看，2025年全球DRAM供應將同比增長24%，2026年將同比增長20%。從具體的記憶體類型來看，在2025年的DRAM供應當中，HBM同比大漲了88.1%，消費類記憶體同比下滑1.2%，用於圖形處理的視訊記憶體同比下滑0.3%，移動端記憶體同比增長了23.3%，伺服器記憶體同比增長了28.4%，PC端記憶體同比增長4.4%。但是，從2026年的DRAM供應來看，HBM的增長幅度降至38.2%，消費類將增長6.2%，視訊記憶體將增長23.6%，移動端將增長17.3%，伺服器將增長23.1%，PC端將增長5.1%。從各類型記憶體總體的供應量當中的佔比來看，2025年HBM供應雖然增長很快，但佔比只有7.9%，即便是到2026年佔比也只有9.1%。佔比最高的還是伺服器記憶體，2026年的佔比將達39.2%，相比2025年增長了1.2個百分點。移動端的記憶體佔比位居第二，2026年佔比將達35.3%，相比2025年降低了0.7個百分點。2026年佔比同樣出現下滑的還有消費類和PC記憶體，分別為5.4%（同比減少了0.7個百分點）和8.2%（同比減少1.1個百分點）。DRAM供應將持續轉向AI和伺服器吳雅婷指出，自 2024 年以來，AI 和伺服器對 DRAM位元的消耗急劇增加。預計這一趨勢將持續下去，到 2026 年將佔據總 DRAM 供應量的66%。這主要是由於Al和伺服器DRAM產品的利潤率遠高於其他消費類DRAM，促使上游的DRAM原廠將更多產能供應給這類客戶。此外，Al 和 伺服器DRAM消耗不再僅限於 HBM 和 DDR5，它還擴展到 LPDDR 和 視訊記憶體。而這無疑將會進一步擠壓消費類應用的產能。吳雅婷解釋稱，比如Nvidia RTX Pro 6000系列就配備了96GB 超高速 GDDR7 ，這類產品就佔據了非常多的消耗量。還有在一些AI應用中，主機板上會整合越來越多的LPDDR記憶體。這些會一直在排擠消費類產品所需的DRAM供應。“我們認為這個趨勢是不可逆的，2027年這一佔比可能會提升到70%以上。我們所預測的66%或者70%的數字，都是實際的消耗量。如果再加上一些客戶的額外購買的庫存，那麼能夠分配給到PC、智慧型手機或其他消費類終端的DRAM產能就更少。”吳雅婷強調道。DRAM原廠的資本支出將持續增長而為了增加Al和伺服器所需的DRAM（包括HBM）的供應，2025年三星、SK海力士、美光這三大DRAM原廠都在積極推動工藝的遷移，比如將DD4產線轉產DDR5，升級原有的DDR5產線轉向HBM，以及對於部分產能的擴展，這也導致DRAM原廠整體的資本支出同比增長超過80%。隨著AI和伺服器 DRAM 需求保持強勁的勢頭，2026年的需求前景仍然樂觀。因此，儘管2025年的基數較高，但DRAM原廠2026年的資本支出仍將達到同比23%的增長。但是，這個增長也同樣是來自於頭部的三大DRAM原廠。而中國大陸的DRAM廠商由於裝置採購的限制，資本支出增長將會畢竟有限。總體來看，雖然DRAM原廠的整體資本支出在增長，但是在2026年能增加產出的量依然還是非常少。DRAM原廠新建產能將優先滿足HBM供應DRAM原廠目前新建的產能相對比較有限，在AI旺盛的需求和高毛利率的驅動下，預計也將優先滿足HBM供應。具體來說，三星在韓國新的P4L廠的潔淨室是來自其NAND Flash產線，並計畫在2025年完成DRAM潔淨室的建造，並於2026年開始生產。SK海力士在韓國新建的M15X晶圓廠投入超過20兆韓元，該廠位於M15附近，並專注於生產1b DRAM，用作HBM3E的核心晶片。據悉，M15X計畫於2025年底實現量產，初期月產能為3.5萬片晶圓，未來預計可擴大至5.5萬至6萬片。SK海力士在韓國Yongin的新晶圓廠第一階段計畫於 2025 年開始建設，並於 2027 年第二季度竣工，預計到2027年底開始貢獻產出。相比之下，美光在目前正在新建的產能相對多一些。比如，在台灣的A5工廠，主要是擴大HBM堆疊能力，目前正計畫破土動工；美光在美國的ID1晶圓廠位於愛達荷州博伊西市美光研發中心附近，奠基儀式於 2024 年舉行，預計新晶圓廠將於2027年上半年開始生產晶圓；在美國的ID2晶圓廠的第二階段將在第一階段晶圓廠完工後開始建設，並比N.Y.Fab更早進入大規模生產；位於美國的N.Y.Fab目前仍處於準備階段，計畫於 2025 年底開始破土動工，預計將於2030年前進入量產階段；位於日本廣島工廠預計將於 2026 年開始建設，主要將用於HBM相關生產。南亞科技在台灣新建的5A晶圓廠於去年破土動工，新工廠的建設計畫於2026年完工，預計將於2027年量產。整個工廠的產能計畫為4.5萬片。所以，從目前已經公佈的新的產能建設計畫來看，2026年能夠供給市場的新增的產能比較有限，大多數都是要等到2027年底才能開出。2026年LPDDR5X需求將暴漲169%預計在2026年，隨著CSP擴大資本支出，並計畫採購更多的輝達 GB300和VR200機架解決方案，NVL機架的總出貨量可能達到約5.9萬個（高於之前估計的5.5萬個），這將使GB300/VR200 機架Al伺服器的份額達到伺服器總出貨量的7%左右，相比2025年增加了3個百分點。此外，Grace CPU和Vera CPU還可以獨立部署在其他通用伺服器應用程式中，預計到2026年，其份額預計將上升到3.5%左右。基於上述情況，輝達GB/VR機架需求的增長預計將進一步推動Grace和Vera CPU需求（搭配使用LPDDR5X）達到約280萬台（高於之前估計的230萬台），同比增長率約為71%。因此隨著這些輝達AI伺服器出貨量的增長，將使得其對於LPDDR5X的需求持續增長，預計將會佔據2026年系列總產能的4%。以上是對於實際需求的預測，但是輝達會傾向把庫存建得更高，所以保守的估計，輝達真正購買的LPDDR5X系列的量應該會是整個產業的5%到6%。根據TrendForce的預測資料顯示，2025年市場對於LPDDR5X的需求同比增長558%，2026年還將繼續增長169%。預計2025-2030年的年複合增長率將會高達51%。而對於LPDDR5X的整體需求當中，來自輝達AI/伺服器的需求佔據了極高的比重。智慧型手機加速轉向LPDDR5(X)，將面臨AI需求競爭目前智能智慧型手機記憶體解決方案基本都是LPDDR4、LPDDR5。但是由於上游原廠逐步停止LPDDR4的供應，產線轉產新製程，使得LPDDR4缺貨漲價，並且是不可逆的，所以手機廠商也需要加速轉向最先進的LPDDR5/LPDDR5X。從整個LPDDR的生產供應來看，2025年LPDDR4(X)在總的LPDDR供應當中的佔比為39%，隨著三大原廠的逐步停產，預計2026年佔比將會降低至26%。相比之下，LPDDR5(X)的供應佔比將從2025年的60%快速提升到2026年的73%。根據TrendForce的預計，從智慧型手機生產的角度來看，LPDDR5(X) Gb當量預計將在2025年佔比52%，在2026年將提升至66%。2025年配備LPDDR5(X)的智慧型手機將佔智慧型手機總產量的37%，到2026年將佔51%。正如前面所提到的，除了智慧型手機加速轉向LPDDR5(X)之外，很多AI應用也在擴大LPDDR5(X)的匯入。這也使得手機廠商所需的產能將會受到一定程度的排擠。因為對於DRAM原廠來說，將LPDDR5(X)做成面向的AI的產品供給AI客戶，相比供給手機廠商，會有高達50%到60%的溢價。吳雅婷指出：“我們預估明年LPDDR的產出中超過70%是LPDDR5。但這不代表LPDDR5不會缺貨，主要原因是手機的需求會跟AI的需求互相競爭。所以讓LPDDR5的供給緊張，再加上LPDDR4的供給減少，所以在2026年智慧型手機的成本壓力就會上升很多。”由於DRAM及NAND Flash採購成本的持續上升，智慧型手機廠商本身毛利就不高，因此必然需要通過對手機進行漲價來抵消成本增長壓力。資料顯示，LPDRAM價格在2025年下半年整體上漲了50%以上，一些智慧型手機品牌已經調漲零售價格作為回應。但是這也將導致客戶的購買需求被抑制。另一方面，手機廠商對於產品的規格的升級將會進一步放緩，甚至可能為了抵消成本上漲壓力和避免價格上漲，進而削減產品的記憶體和儲存配置。伺服器市場對於儲存需求將保持快速增長從需求端的各個市場的發展來看，2025年筆記型電腦市場和智慧型手機市場的增長率分別為5%和2%，但是由於儲存晶片（包括DRAM和NAND Flash）價格持續上漲，迫使PC廠商和智慧型手機提升產品售價，這將會抑制客戶的購買需求，預計將導致2026年出貨將分別同比下滑3%和2%。相比之下，通用伺服器和AI伺服器市場仍將會繼續增長，2025年增長幅度分別為8%、25%，2026年將分別繼續增長9%、24%。從這些市場對於DRAM和NAND Flash的需求來看，2025年來自筆記型電腦的需求分別增長了14%和3%，預計2026年將繼續分別增長10%和6%；2025年來自智慧型手機的需求分別增長了9%和11%，預計2026年將繼續增長8%和8%。相比之下，通用伺服器和AI伺服器對於DRAM和NAND Flash需求將保持高速增長。其中，通用伺服器對於DRAM需求，預計2025年同比增長19%，2026年將繼續同比增長20%；通用伺服器對於NAND Flash的需求，預計2025年同比增長30%，2026年同比增長19%。AI伺服器對於DRAM需求方面，預計2025年LPDDR需求同比大漲67%，RDIMM同比增長31%；2026年LPDDR需求同比增長15%，RDIMM同比增長21%。AI伺服器對於NAND Flash需求方面，2025年同比增長50%，2026年將繼續大漲70%。通用伺服器和AI伺服器對於DRAM需求的增長，主要來自於微軟、亞馬遜、Google、Meta、甲骨文、字節跳動、阿里巴巴、騰訊雲、百度讀等頭部的雲服務（CSP）廠商需求的增長。今年9月份的時候，儲存出現供應緊張的跡象，隨後美系五大雲端業者已經看到2026年的DRAM缺貨是不可能改變。客戶搶不到貨，就會傾向把第二年想要的需求量放得更大，所以就造成缺口越來越大。吳雅婷表示：“我們觀察到，CSP廠商與DRAM供應商關於需求的討論已經不是針對2026年，因為2026年的缺貨已經無解，所以現在更多的討論是在鎖定2027年甚至2028年的供應。不排除價格一直上漲的情況下，他們有更大的誠意，比如先付款，支援DRAM原廠的資本支出，以鎖定未來的產能。這就是我們現在看到的情況，這種情況在之前從來沒有發生過。”2026年DRAM供應缺口將持續增在總結來說，儲存市場的需求增長主要是由伺服器市場驅動，尤其是北美CSP訂單的穩定增長。疊加Al伺服器部署的快速推進，2026年的對於DRAM的需求將同比增長26%，比2025年的22%增長率進一步上升。雖然PC和智慧型手機的對於NAND Flash需求增長有限，但AI應用將推動企業級SSD的強勁需求增長，推動2026年整個市場對於NAND Flash同比增長21%。需要指出的是，前面的預測資料就有提到，2026年全球DRAM供應同比增長幅度只有20%，現在預測的2026年DRAM需求增長是26%，這也意味著整個2026年將至少存在6個百分點的供應缺口。而這當中還沒有考慮到庫存狀況，以及客戶在搶不到足夠DRAM供應的情況，會增加下單超過實際需求的量。所以，實際的缺口會更大。2026年DRAM價格將上漲58%根據TrendForce的預計，2026年DRAM市場的供應量將為1740億個單位（2Gb）容量，同比增長20%；營收規模將會達到3010億美元，同比大漲85%；平均單價約為1.63美元，同比上漲58%。2026年NAND Flash市場的供應量將為11220億個單位（8Gb）容量，同比增長21%；營收規模將會達到1110億美元，同比大漲59%；平均單價約為0.1美元，同比上漲32%。談到DRAM缺貨問題，不可迴避的最為關鍵的一個原因在於輝達等AI晶片廠商對於HBM的龐大需求。而HBM的生產就需要大量的DDR5顆粒。根據此前美光公佈的資料，要產出一份HBM產能，就需要消耗三份的DDR5產能。這也造成了巨大的DDR5的產能消耗，而DRAM原廠都在積極地擴大利潤率更高的HBM產能供應給AI晶片客戶，這也成為了DRAM產能緊缺的關鍵原因。吳雅婷表示，今年第四季度DRAM合約價格變化很快，從最初的每個季度報價，到後面每個星期要改一次。現在多家原廠都停止了報價，他們都不希望自己的漲價幅度低於別人，所以他們輪流暫停報價，每一次報價出來的金額都比上一次高。如果排除HBM的部分，今年第四季度消費類DRAM的漲價幅度接近50%，不排除還有上修的空間。但是上修的空間並不會太大。基本上可以反映明年第一季度的漲幅。從2026年的每個季度的不同類型的DRAM價格漲幅來看，明年上半年消費類DRAM的漲幅會比較明顯。各個類型的DRAM都會持續缺貨，原廠輪流停止報價、漲價、競價的行為模式短期可能不會改變。到明年第四季度，各類型DRAM的漲幅預計將會縮小。小結：以上一個DRAM上升超級周期為例來看，當時是在2016年-2018年間，主要是由通用伺服器需求驅動的，DRAM價格持續上漲了約9個季度。但是，當前這一輪DRAM價格上漲則是由AI伺服器和通用伺服器高通驅動的，並且還存在著結構性的產能轉換和多個維度的需求競爭，情況更為複雜，短缺和漲價可能將會持續更長時間，預計2026年一整年都會面臨供應緊缺和漲價的問題。因此，當前的儲存市場已經成為了買方市場，儲存晶片原廠將會持續提高合約價，並且有意地控制擴產，以期儘量將儲存的供應持續維持在供不應求的狀態，同時推動儲存價格持續上漲並維持高位。儲存晶片原廠當前擴大資本支出新建的產能，等產能開出也要2027年底了，對於2026年和2027年影響有限。或許2028年之後會不會有更多的新的儲存晶片產能供應出來，但是屆時需求可能也會跟上來。所以，對於買方來說，接下來將會面臨殘酷的DRAM供應爭奪戰。由於雲端CSP廠商對於DRAM需求量大且財大氣粗，更容易鎖定原廠的DRAM產能供應，並且會排擠原廠對於消費類DRAM的產能供應。相比之下，手機、PC等終端裝置廠商將會面臨較大的挑戰（畢竟惠普這樣的PC大廠的營業利潤率也就5.8%），特別是對於中小型電子產品廠商來說關乎生死存亡。 (芯智訊)

當長鑫儲存在 IC China 2025 展會上亮出 8000Mbps 速率、24Gb 容量的 DDR5 新品，不僅以 “速率提升 25%、容量突破常規” 的性能指標躋身國際第一梯隊，更在全球儲存晶片漲價潮與技術壟斷的雙重背景下，撕開了一條中國國產替代的關鍵缺口。這款覆蓋伺服器、PC 全場景的產品，與其說是一次技術發佈，不如說是中國半導體產業在核心賽道對全球巨頭的正式宣戰，標誌著 DRAM 領域 “韓美主導” 的格局開始出現鬆動。新品的核心突破，在於精準擊中了當前市場的供需痛點與技術瓶頸。從性能維度看，8000Mbps 速率已遠超 6400Mbps 的行業主流基準，直接滿足 AI 訓練、雲端運算等高算力場景對低延遲、高頻寬的剛需 —— 在 AI 推理任務中，這種性能躍升可使並行請求處理效率提升 30% 以上。而 24Gb 大容量顆粒的推出更具戰略價值，能讓資料中心在不增加物理插槽的前提下實現記憶體擴容，完美匹配 Open AI、阿里雲等巨頭對大模型載入能力的迫切需求。更關鍵的是，這款產品同步覆蓋伺服器與 PC 終端，形成全場景佈局，這與三星、美光當前側重高端伺服器市場的策略形成差異化競爭。在全球儲存市場 “量價齊升” 的特殊周期下，長鑫的突破更顯及時。當前三大巨頭壟斷全球 90% 以上的 DRAM 產能，為應對此前行業下行周期，三星、美光等自 2024 年起持續減產，SK 海力士甚至將 30% 晶圓產能轉向高利潤的 HBM 產品。供給收縮疊加 AI 驅動的需求爆發，直接引發價格失控：DDR4 價格年內飆升 300%，DDR5 現貨一周暴漲 25%，SK 海力士 HBM4 報價較前代上漲超 50%。長鑫此時放量高端 DDR5，不僅能緩解中國 “卡脖子” 困境，更能通過產能補充打破巨頭的價格操控 ——Counterpoint 預測其 DDR5 市場份額將從年初不足 1% 躍升至年底 7%，成為制衡市場的關鍵力量。更深層的意義在於，這款產品推動中國國產儲存生態從 “單點突破” 走向 “系統協同”。此前 DDR5 在中國普及受阻，核心癥結在於 CPU、主機板等配套生態滯後於國際 —— 英特爾 2022 年就要求至強處理器必須搭配 DDR5，而中國資料中心仍大量沿用 DDR4 平台。長鑫新品的發佈將形成 “技術牽引效應”：其與中國國產 CPU 廠商的適配測試已進入收尾階段，配合華為鯤鵬、海光資訊等平台的推廣，有望加速中國算力基礎設施的 DDR5 升級處理程序。這種生態協同至關重要，在金融高頻交易、5G 基站等場景中，全端中國國產化的 DDR5 方案可將資料傳輸延遲降低 40%，顯著提升核心系統競爭力。但在樂觀預期背後，長鑫仍需突破三重挑戰。首先是產能爬坡壓力，當前其 DRAM 產能雖較 2024 年翻倍，但相較於三星單廠百萬片的月產能仍有差距，短期內難以完全滿足中國需求。其次是生態壁壘突破，輝達 GPU 與三星 DDR5 的深度最佳化已形成使用者習慣，長鑫需通過相容性測試與性能認證建立信任。最後是專利風險，全球儲存巨頭手握數萬項核心專利，如何在自主研發與專利規避間找到平衡，將決定其全球化處理程序的順暢度。從全球產業格局看，長鑫的突破恰逢 “百年未有之變局”。日本市場正陷入 “股債匯三殺” 的流動性危機，而韓國半導體則面臨外資撤離壓力，全球科技產業鏈正經歷深刻重構。長鑫此時的技術躍升，不僅為中國在儲存領域爭取到話語權，更能吸引全球資本向中國國產供應鏈傾斜 —— 中信證券指出，長鑫上市後有望拉動裝置、封測等產業鏈環節中國國產化率提升，形成千億級市場機遇。長鑫儲存的 DDR5 新品，是中國國產晶片產業的里程碑式突破。它不僅用 8000Mbps 的速率證明了中國企業的技術實力，更在全球儲存市場的亂局中注入了穩定性力量。對於中國而言，這是擺脫外資依賴、建構自主算力底座的關鍵一步；對於全球市場而言，這是打破壟斷、重構產業生態的重要變數。在 AI 算力競爭白熱化的今天，儲存作為 “算力糧倉” 的戰略價值日益凸顯，長鑫的突圍，正是中國科技產業從 “跟跑” 向 “並跑” 跨越的生動註腳。 (A股資訊圈)

這是很不好的消息好了，在接連很長一段時間預告顯示卡即將漲價的消息後，現在真的有官方確認了漲價消息。回顧一下， 由於AI熱潮使DRAM價格持續上漲，而同樣需求DRAM的顯示卡也預計將提高價格。輝達和AMD不僅僅向合作夥伴出售GPU，實際上還搭配成套視訊記憶體供應給合作廠商。這一模式雖然使得視訊記憶體的供應被把握在了GPU商手裡，但是也保證了穩定的供應。而現在視訊記憶體的價格漲幅已經高達30%，緊隨著DDR5記憶體報價，後者模組價格已經暴增300%，視訊記憶體自然也準備雞犬升天。在Reddit論壇上，PowerColor撼訊官方人員評論了相關帖子，隨後發佈了自己的帖子，向目前有意願購入新顯示卡的買家發出了提示，看起來像是撼訊（或者是AMD）將在下周推出某個折扣活動，其表示這將是玩家以優惠合理的價格購買顯示卡的最後機會。或許這只是撼訊個體公司的價格規劃，但作為AMD的重要合作夥伴廠商，所以這些策略和發言評論都不是輕易發表的。一般來說，價格波動在10%以內，顯示卡廠商基本不會因此發表公告表示價格變化，這些價格來取在短時間就會波動回正。而現在情況是官方下場說明“警告”，那麼這種消息就要值得重視了。最近輝達公佈了第三季度財報，其業績再度刷新歷史紀錄，環比增長超20%。AI泡沫我是沒看著在那，但是這領頭企業可是真的竄火箭一樣上天。加上米國這邊幾個龍頭企業都在猛造AI晶片，對於HBM的需求前所未有，那些機架方案也要海量的DDR記憶體，真不知道這個AI狂熱要持續到什麼時候。 (AMP實驗室)