半導體行業中，記憶體（儲存器）與計算單元的配合可以說是最為重要的架構之一。下面介紹六種主流的整合/互連架構，從傳統到先進，這些架構的演進核心是解決 “儲存牆” 問題—— 即通過縮短記憶體與處理器之間的物理距離，提升資料頻寬、降低延遲，以適配不同應用場景（從通用計算到移動終端，再到高性能計算）的需求。傳統分離式架構1. DIMM Based（DIMM 直插式）這是通用電腦（桌上型電腦、筆記本和伺服器）中使用的標準模組化方法。結構：記憶體晶片安裝在一塊稱為雙直列記憶體模組（DIMM）的小型電路板上，插入主機板插槽。例如：DDR3、DDR4和DDR5。2. Device Based（器件整合式）在這種架構中，記憶體直接整合在系統主機板上，而不是放在可拆卸模組中。應用：常見於嵌入式系統、平板電腦和顯示卡，空間有限。示例：LPDDR3/4/5（低功耗）和GDDR5/6/7（圖形）。3. Package on Package (PoP)（疊層封裝）這種技術是記憶體晶片垂直銲接在主晶片（MPSoC/AP）上方，形成 “晶片疊晶片” 的封裝形式。結構：DRAM封裝直接銲接在處理器頂部（MPSoC）。應用：廣泛應用於智慧型手機，以減少佔地面積和縮短電路，提高電力效率。示例：LPDDR3/4/5先進高密度整合架構4. Buffer on Board（板載緩衝器式）該架構為高端伺服器系統設計，在CPU和記憶體之間設定了中間邏輯。結構：緩衝晶片作為介面，通過高速序列連接管理記憶體控製器的訊號。優點：提升訊號完整性，允許連接更多記憶體模組而不增加CPU記憶體控製器負擔。示例：FBDIMM、IBM CDIMM、Intel SMI/SMB5. 3D/2.5D-Integrated（3D/2.5D 整合式）採用垂直堆疊以提升頻寬和密度的先進封裝。結構：記憶體通過邏輯或矽中介器通過矽孔（TSV）堆疊。優點：大規模平行互連（數千位）大幅降低延遲和功耗。示例：寬I/O、HBM（高頻寬記憶體）。6. 記憶魔方一種特定的3D堆疊架構，將多層DRAM整合在一個立方體狀結構中。結構：在堆疊底部設有邏輯層用於記憶體控制，通過序列互連（SerDes）連接。優點：極高頻寬和小體積，旨在實現高性能計算。示例：HMC（混合記憶體立方體）、SMC從記憶體架構的演進可以看出以下趨勢：形態上越來越小，連接上延遲越來越低，性能上指數級提升。 (銳芯聞)

分享一份TechInsights 2025 年 Q4 DRAM 市場報告，Q3 行業營收408億美元，出貨量、ASP所有增長，三星與海力士市場份額差距縮小至1%以內；受 AI 驅動的資料中心、汽車等領域需求激增，市場長期供不應求，預計未來 2 年價格持續攀升。技術層面，HBM 因高頻寬適配 AI 需求成為增長核心，與 DDR5、LPDDR6 等技術協同發展，SK 海力士憑藉高 HBM 佔比表現突出。而 2026 年供需分配受超大規模資本支出影響顯著，長期來看 2024-2030 年行業營收和出貨量將持續增長，資料中心將成最大需求來源。報告主要內容核心市場現狀市場趨勢預測細分市場需求技術迭代與創新生產與供應鏈情況供應商詳情和競爭報告部分頁面展示1 整體情況2 需求情況3 技術和產能情況(銳芯聞)

在2月20日舉行的虛擬投資者會議上，SK海力士向高盛透露了儲存市場的最新動態。SK海力士在高盛電話會上釋放強烈訊號：儲存行業已全面進入賣方市場。受AI真實需求驅動及潔淨室空間受限影響，今年儲存價格將持續上漲。公司透露目前DRAM及NAND庫存僅剩約4周，且沒有任何客戶能完全滿足需求。隨著2026年HBM產能售罄，標準型DRAM的極度短缺正顯著提升供應商議價權，產業鏈已開啟長期合約談判以鎖定未來供應。在AI需求爆發與供應瓶頸的共振下，儲存晶片正全面進入“賣方市場”，海力士明確表示今年所有客戶的需求都無法得到完全滿足，價格上漲已成定局。 (芯榜)

高盛日前發佈的報告指出，2026-2027年全球儲存器市場將經歷史上最嚴重的供應短缺之一，DRAM、NAND和HBM三大品類供需缺口均大幅擴大。其中2026年DRAM缺口將創15年之最，NAND短缺規模亦達歷史高位，即便消費電子需求大幅下滑，伺服器市場的瘋狂吞噬能力仍將維持緊張格局。在DRAM方面，高盛預測2026年和2027年DRAM供不應求幅度將達到4.9%和2.5%，遠超此前預期的3.3%和1.1%，其中2026年的供應短缺將是過去15年以來最嚴重的一次。主要原因在於伺服器需求的爆發式增長，高盛將2026/2027年伺服器DRAM（不含HBM）需求預期上調6%/10%，預計將分別達到39%和22%。如果將HBM計算在內，伺服器相關DRAM需求將佔全球總需求的53%和57%。NAND市場同樣不容樂觀，預計2026年/2027年NAND供不應求幅度為4.2%/2.1%，這將是NAND行業歷史上最大規模的短缺之一。企業級SSD的需求是主因，高盛將2026年/2027年企業級SSD需求預期上調14%/14%，預計增長率將達到58%/23%，在全球NAND需求中的佔比將升至36%/39%。至於移動和PC端，預計2026年移動NAND需求將首次出現零增長，PC端2026年同樣預計零增長，均為歷史最低水平。而在AI領域不可或缺的HBM方面，高盛將其2027年市場規模上調至750億美元，儘管三星和SK海力士已在全速擴產，但仍趕不上GPU和ASIC晶片需求的增長速度，預計這兩年的供需缺口將保持在5.1%和4.0%的高位。對於PC玩家而言，最近一段時間可謂是最艱難的時期，聯想北美總裁Ryan McCurdy近期公開預警，敦促管道夥伴與消費者立即出手鎖定硬體，否則將面臨更嚴峻的市場局面。McCurdy在接受採訪時表示，若未來3至12個月內有剛性升級需求且對價格敏感，當下正是行動窗口。他透露，目前聯想分銷商與合作夥伴手中的庫存擁有“未來6至12個月內最具吸引力的產品定價”，暗示漲價潮遠未結束。還有一家美國整機商聲稱，硬體正以前所未見的速度從市場消失，長期來看供應短缺將比價格問題更令人頭疼。事實上，DRAM供應緊張預計至少持續到2027年，NAND快閃記憶體同樣不容樂觀，聯想作為全球前三的PC巨頭親自下場喊話，意味著行業下行周期將橫跨多個季度。對於普通玩家而言，2026年並非理想的裝機年份，但對於剛需使用者而言，在價格進一步失控和庫存徹底告罄之前，權衡手中的預算並果斷出手，或許才是最佳選擇。除了PC產品，對於記憶體價格持續走高的情況，有手機供應鏈人士表示，價格一時半會根本不會下來，並且現在記憶體廠商根本不會接受長約，這都給手機廠商的利潤帶來了不小的衝擊。甚至，有國內手機廠商內部人士表示，“現在記憶體價格漲的，我們都不知道怎麼更新產品了，如果儲存不變價格也不變，那必然是利潤受損甚至虧錢，如果一味的讓使用者買單也不太現實，我們甚至都考慮找回曾經的拓展儲存卡方案了。”畢竟2020年之前的手機，儲存都是靠拓展卡來升級的，大家更換起來也沒有什麼壓力，不過由於種種因素限制，這種設計也就慢慢消失了。(深科技)

過去三十年，全球儲存產業版圖完成了一次殘酷而徹底的權力更替。20世紀80–90年代，日本企業幾乎壟斷DRAM市場；進入21世紀後，這一王座被韓國廠商奪走，並由此建立起橫跨技術、規模與資本的長期統治。今天，HBM 成為 AI 算力體系中最稀缺、最賺錢的核心器件之一，韓國廠商坐享紅利，而日本卻基本缺席。然而，就在大家以為日本儲存已經“躺平”時，一家極具野心的本土企業正浮出水面。被韓國改寫的儲存史日本曾是DRAM的代名詞。上世紀 80 年代，日本的幾家儲存企業合計佔據全球 DRAM 市場過半份額。DRAM幾乎等同於日本半導體工業的名片。當時的日本，正處在製造業全球擴張的巔峰期。汽車、家電、精密儀器、機床、消費電子幾乎在所有工業品門類中都具備國際競爭力，而半導體則是這套工業體系中技術密度最高、附加值最高的一環。在此我們再來老生常談下，日本是如何成為DRAM霸主的。1970–80 年代，日本政府通過 MITI（通產省）主導了一系列國家級半導體聯合研發計畫：包括超大規模積體電路（VLSI）國家項目、企業之間共享基礎工藝成果、大企業聯合高校與研究機構協同推進。這套體系催生出一批在工藝、材料、裝置、製造管理上極為成熟的公司：如NEC、東芝、日立、富士通等企業。在1980年代中後期，日本廠商一度佔據全球DRAM市場50%以上份額。日本模式的核心特徵可以概括為三點：第一，工藝導向。日本廠商非常強調製程細節、器件可靠性與長期良率穩定，而不是單純追求“最小節點”。第二，製造紀律。極端重視良率曲線爬坡速度、裝置穩定性、產線一致性。第三，產業協同。材料、裝置、晶圓製造、封測之間形成高度黏合的國內產業鏈。在那個階段，DRAM的競爭本質上是：誰能更快、更穩定地把工藝做到量產良率。日本對此具有天然優勢。日本為何會失去 DRAM 王座？轉折點出現在1990年代。這一時期，日本經濟泡沫破裂，企業進入長期資產負債表修復期，資本開支趨於保守。與此同時，DRAM行業發生了結構性變化：市場開始走向周期性強波動，產品逐漸標準化、同質化，而且價格競爭愈發激烈。DRAM 從技術溢價型產品，逐步變成高資本開支+高周期波動+低毛利容忍度的重資產行業。這對日本企業極為不利，因為日本企業普遍追求穩健回報，難以接受長期虧損換規模，更偏向“盈利性製造”，而非“戰略性虧損擴張”。再加上美國對日本半導體實施貿易限制，日本廠商在對美出口上承受額外壓力，進一步削弱了擴張能力。結果是，日本廠商在1990年代逐步退出DRAM主戰場，將資源轉向邏輯晶片、MCU、功率器件、感測器等領域。而韓國後來居上，靠的是另一套邏輯：以三星為代表，韓國政府與財閥集團形成了高度繫結的產業推進機制。首先在國家層面，長期將半導體視為戰略產業，提供低息貸款、稅收優惠、土地支援；企業層面，也能夠接受長期虧損周期，用激進資本投入換規模，以市佔率優先替代利潤優先。1997年亞洲金融危機後，這一策略被進一步強化。三星逆周期擴產 DRAM，通過價格戰淘汰對手。最終，日系廠商幾乎全部退出 DRAM 主流市場。隨後，SK hynix（前現代半導體）在2010 年代中期崛起，全球DRAM市場已經成為三星和SK海力士的天下，其餘廠商僅存邊緣份額。進入 AI 時代後，這一優勢被進一步放大。高性能計算對記憶體提出極高頻寬、極低延遲、極高容量三項核心需求。HBM（High Bandwidth Memory）正是在這種需求下成為關鍵器件。HBM的特點是：多層 DRAM Die 堆疊，與GPU / AI 加速器進行近封裝，單顆價值顯著高於普通 DRAM。對於早已在 DRAM 堆疊、封裝、良率控制方面積累深厚經驗的韓國廠商而言，這是天然優勢延伸。因此，韓國廠商迅速佔據HBM主導地位，高端GPU幾乎離不開其供貨，自然吃到AI紅利，產業話語權進一步集中。而日本的問題在於，既沒有DRAM主流產能，也沒有HBM技術積累，更沒有大規模資本投放能力。在當前 HBM 產業鏈中，日本的存在感幾乎只體現在材料、裝置零部件、部分封裝工藝，但在“產品層面”，幾乎缺席。對於日本而言，真正擔憂的可能並不是韓國賺了多少錢，而是在新一輪計算範式變革中，日本是否將徹底失去對“核心器件形態”的定義權。日本儲存的反擊在這樣的大背景下，一家名為SAIMEMORY的記憶體公司於2026年2月初浮出水面。SAIMEMORY成立於2024年12 月，2025 年6月開始營運，是軟銀旗下子公司，但此前一直保持低調。直到 2026年2月，在英特爾舉辦的Intel Connection Japan 2026 活動上首次公開亮相。2026年2月3日，軟銀公司宣佈，其全資子公司SAIMEMORY公司於 2026 年 2 月 2 日與英特爾簽署合作協議，以推進Z-Angle Memory (ZAM) 的商業化。ZAM的命名來自Z軸，意味著晶片沿垂直方向進行軸向堆疊，而非僅僅在平面層疊。其理論優勢包括：更短的資料通路、更均勻的熱擴散路徑、更高的可擴展層數、更低單位頻寬功耗，本質上，這是一次從2.5D 堆疊向真正3D結構記憶體演進的嘗試。當前主流高頻寬記憶體的結構，本質仍是Die在平面方向堆疊，通過TSV等方式互連，但由於功率和散熱的限制，目前這種結構的16層已經接近其極限，預計最大層數將在20層左右。英特爾在該項目中，並非單純“戰略投資人”。其關鍵貢獻來自：下一代 DRAM 鍵合（NGDB, Next-Gen DRAM Bonding），美國能源部支援的先進儲存技術（AMT）項目基礎，英特爾院士、政府技術 CTO Joshua Freeman 表示：傳統記憶體架構無法滿足 AI 需求，NGDB 定義了一種全新的方法。該公司將利用由美國能源部和國家核安全管理局管理、並通過桑迪亞國家實驗室、勞倫斯利弗莫爾國家實驗室及洛斯阿拉莫斯國家實驗室實施的“先進儲存技術（AMT）計畫”中，英特爾已完成的“下一代 DRAM 鍵合（NGDB）倡議”所驗證的底層技術及專業知識。SAIMEMORY計畫在2027財年（截至2028年3月31日）開發出原型產品，並爭取在 2029 財年實現商業化，為此將持續推進創新儲存架構和製造技術的研究。再來說說軟銀的算盤，軟銀正在押注一條可能跳過HBM世代的新型記憶體路線，軟銀是在為AI基礎設施準備“自有記憶體”。軟銀正在變成一家AI基礎設施資本營運商。軟銀已表態在 2027財年原型機完成前投入約30億日元，這是一筆期權型投資：成功，則掌握下一代記憶體入口；失敗，損失可控。在儲存領域，日本採取了“曲線救國”的策略，通過結構性創新，尋找架構級躍遷，來避開正面規模戰爭。從市場環境來看，記憶體的稀缺也給了日本窗口期。目前，AI資料中心消耗了大多數的記憶體，據TrendForce資料，2026年全球生產的記憶體中，約70%將被資料中心消耗。三星與SK hynix 均警告短缺可能持續到2027年。而且行業的共識是，AI資料中心消耗的記憶體佔比快速上升，未來幾年記憶體供需還將處於緊張。只要ZAM能在功耗/頻寬/成本某一維度顯著優於 HBM，那怕只佔據小眾市場，也有商業生存空間。日本不止押注記憶體經歷過 DRAM 被韓國全面超越、先進邏輯製程被台積電和三星壟斷之後，日本產業界其實已經形成了高度一致的共識：日本不可能再複製 80–90 年代那種橫掃式的半導體霸權。無論是資本體量、產業規模，還是風險承受能力，日本都很難與中美正面避險。於是，日本近幾年的半導體戰略出現了一個明顯轉向：從追求“做大做全”，轉向確保在若干決定未來走向的關鍵技術節點上擁有席位。第一，最具象徵意義的，是 Rapidus 的出現。Rapidus 並不是一家按照傳統商業邏輯成立的代工廠，而更像是一家“國家能力型公司”，股東陣容橫跨汽車、電子、通訊、網際網路與半導體。專攻2nm先進製程，日本不是幻想在先進製程上打敗台積電，而是要避免出現一種局面：日本在最先進邏輯晶片製造領域，完全沒有自己的“技術落腳點”。因此，Rapidus 與 IBM 的合作，以及與 ASML 的裝置繫結，本質上就是在用國家力量換一張“先進製程入場券”。第二，在代工領域，日本通過巨額補貼成功引入台積電 (TSMC) 在熊本建設 JASM 一廠及二廠，與 Sony、Denso 合作。一廠（成熟/中階製程）已開業，二廠將引入 6/7nm 先進製程。儘量實現本土化製造，保障供應鏈安全，這樣也能更好的讓日本的裝置和材料廠商能夠與最頂尖的代工流程現場貼合。第三，在先進封裝方面，日本正在籌劃Chiplet（芯粒）時代的入場券。Intel與日本 14 家主要供應商（如 Ibiden、Resonon 等）組建了名為 "SATAS" 的研究小組，共同開發後端封裝技術。日本在光刻膠（JSR、東京應化）、封裝基板（Ibiden）和切片裝置（DISCO）等細分領域擁有壟斷性優勢，這是日本在先進封裝領域的籌碼。第四，在 AI 加速器方向，日本企業的態度同樣非常克制。幾乎沒有日本公司公開宣稱要打造通用 GPU 來挑戰 NVIDIA。日本目前已經形成了一個由老牌巨頭轉型、頂尖實驗室孵化、以及垂直領域初創公司構成的 AI 晶片矩陣。PFN是日本目前估值最高的 AI 初創公司，也是日本 AI 晶片自主化的核心力量。於2016年啟動了第一代MN-Core處理器的研發，目前已經研發了兩代。2026 年，PFN 已開始部署其最新一代 MN-Core L1000，並正與世嘉（SEGA）等公司合作，將 AI 晶片的能力從高性能計算（HPC）擴展到更廣泛的工業和遊戲渲染領域。來源：PFN官網MN-Core 是為深度學習裡的矩陣計算量身定做的晶片架構，在設計時，它刻意去掉了通用 CPU/GPU 中大量複雜的控制邏輯。MN-Core 的硬體架構中大量整合了專門用於矩陣運算的單元（MAU），用於高效執行乘加等核心操作。整個架構採用的是 SIMD（單指令、多資料）思路：即同一條指令，同時驅動大量資料平行計算，而且不支援複雜的條件分支。在更高一級結構上，MN-Core 把計算資源組織成“矩陣運算塊（MAB）”，每個MAB由：4 個處理器單元（PE）和1 個矩陣運算單元（MAU）組成，並採用分層結構進行組合。從效果上看，這種架構既保持了硬體的高度專用性，又通過層級化和多模式支援，保留了一定的程式設計靈活性，非常適合神經網路中大規模、規則化的矩陣計算任務。MN-core與傳統傳統通用處理器架構的對比（來源：PFN官網）EdgeCortix是一家邊緣 AI 領域的黑馬，總部位於東京，成立於 2019 年 7 月，其理念是採用軟體優先的方法，從零開始設計 AI 專用處理器架構。專注於“邊緣端”AI 推理晶片，其核心產品是SAKURA-II 系列 AI 協處理器，採用名為 DNA（Dynamic Neural Accelerator，動態神經加速器）的架構。2026 年 1 月，其 SAKURA-II 晶片通過了 NASA 的抗輻射測試，被驗證可用於月球任務和軌道衛星。SAKURA-II 支援 Llama 2、Stable Diffusion、DETR 和 ViT 等數十億參數模型，典型功耗僅為 8W，滿足視覺、語言、音訊等眾多應用領域中各種邊緣生成式人工智慧應用的需求。SAKURA-II 晶片（圖源：EdgeCortix）日本 AI 泰斗松尾豐教授的實驗室孵化了一批初創公司，雖然它們大多做軟體，但正在通過 AI-SoC (系統級晶片) 的形式向底層滲透。如 EQUES 等公司，正在與半導體設計廠合作，將特定的視覺識別演算法直接固化在晶片中。日本老牌晶片巨頭正緊跟 AI 浪潮，通過“精準卡位”實現戰略轉型。索尼（Sony）憑藉感測器優勢深耕視覺AI晶片；瑞薩通過車載 AI MPU，穩固汽車半導體版圖；富士通（Fujitsu）則依託超級電腦基因，持續拓展高性能 AI 計算晶片。它們正試圖在 AI 的細分垂直領域構築新的壁壘。結語回過頭看，日本正在做的，與其說是對韓國的“復仇”，不如說是對自身產業命運的一次再下注。日本已經不再試圖在 DRAM 產能規模上複製三星與 SK hynix 的成功，也不再幻想在通用 GPU 賽道正面挑戰 NVIDIA。取而代之的，是一套更冷靜、也更現實的路線：在先進邏輯製程上，保住起點；在先進封裝上，掌握形態；在 AI 晶片上，進入系統；在儲存領域，押注架構躍遷。這場賭局的結局，或許還要很多年才能見分曉。但至少，日本已經重新坐回了牌桌。 (半導體行業觀察)

惠普戴爾急瘋了，竟要首次入手中國DRAM救急🔥儲存晶片最近瘋漲，惠普、戴爾、宏碁、華碩這幾家PC大廠，被逼得要首次考慮買中國的DRAM晶片了🤯先劃重點：自去年下半年起，AI搶瘋了儲存晶片，而晶片原廠的新產能要到2027年才釋放，直接導致全球缺貨、價格飛上天。有多瘋？Q1 DRAM價格環比漲80%-95%（兩家機構資料略有差異），NAND也漲55%以上，伺服器級的64GB RDIMM，從450美元飆到900多，二季度還可能破1000美元！更坑的是，全球90%以上的DRAM產能，都被三星、SK海力士、美光三家壟斷。這三巨頭為了賺更多錢，優先把晶片賣給輝達、Google這些AI大佬，壓根不管PC廠商的死活。要知道PC行業本就成本敏感、利潤薄，晶片一漲，廠商直接陷入兩難——成本漲了，消費者又不想多花錢，終端需求要涼。於是轉機來了：中國DRAM廠商成了潛在“救星”！據爆料，惠普、戴爾已經開始給中國DRAM廠商做產品認證，要是年中晶片還缺貨漲價，就首次採購，先用在非美國市場的產品上。宏碁也放話，只要合作代工廠選中國國產DRAM，它沒意見；華碩更直接，已經讓中國生產夥伴，給部分筆記本項目買中國國產DRAM了。只能說，風水輪流轉，以前被壟斷卡脖子，現在缺貨潮反而給了中國DRAM出頭的機會，就看這瓜後續怎麼發展啦～ (深科技)

一場儲存熱潮，不僅讓三星與SK海力士賺得盆滿缽滿，也讓資本市場的天平發生了一次微妙的傾斜。2月3日，三星電子與SK海力士合計市值達到1.14兆美元，略微超過阿里巴巴和騰訊在港股合計1.07兆美元的市值。三星與SK海力士是目前韓國市值最高的兩家公司，前者今日大漲11%，後者漲幅超過9%；今年以來，它們的累計漲幅均接近40%。另一邊，在總市值上暫時落後的阿里與騰訊，市場普遍認為，今日下跌主要與一則網際網路增值服務將被“加稅”傳言有關。不過追根溯源，這或許是外界對相關稅收調整政策的誤讀。阿里與騰訊同日收盤跌幅均分別收斂至1.41%與2.92%；今年以來，阿里累計漲幅12.75%，騰訊微跌3%。在這背後，更重要的推動力自然還是席捲全球的儲存缺貨潮。如今，以HBM為首的儲存晶片已成為AI基建中不可或缺的部分，同時，願意支付溢價的大型雲廠商帶來的需求，進一步推高了儲存巨頭們的業績。在DRAM和NAND雙雙出現創紀錄短缺的背景下，三星和SK海力士獲得了前所未有的定價權。高盛集團亞太區首席股票策略師Timothy Moe則預計，今年韓國股市約60%的盈利增長將來自半導體行業。在暫時不同的股價走勢背後，也是在AI領域選擇的不同發展路徑。富時羅素全球投資研究主管Indrani De指出，中國的優勢在於龐大的製造生態體系，這意味著可以非常迅速地實現規模化；韓國則專注於硬體領域，建構結構性優勢。富蘭克林鄧普頓全球投資的投資組合經理Yiping Liao也給出了類似觀點：“韓國高度聚焦於科技供應鏈中的某一個特定環節，而中國則更像是在試圖建構一個端到端、完整覆蓋的AI技術體系。”換言之，兩種路線中，一條專注於關鍵環節的技術深度與掌控力，另一條則偏向於系統整合與市場應用的廣度。更值得注意的是，在事關AI熱潮的全球討論中，阿里、騰訊這些網際網路大廠更頻繁的比較對象，是微軟、Google、Meta等矽谷巨頭們，對比維度也更聚焦於資本開支、AI變現等。在過去幾天，國內幾家網際網路巨頭都已陸續部署2026年發展規劃，AI均是核心發力點。例如騰訊創始人馬化騰表示，未來將大模型和AI 產品以一體化的方式來考慮，持續提升產品長期競爭力與使用者體驗；阿里提出“通雲哥”新概念，即“雲+AI+晶片”三位一體發展，充分發揮全端優勢；字節CEO梁汝波明確，2026年公司在AI上要“勇攀高峰”，短期核心目標聚焦豆包/Dola助手的應用落地。與此同時，隨著春節臨近，AI流量戰也已升溫：此前字節跳動旗下火山引擎已官宣成為央視春晚獨家AI雲合作夥伴，豆包將同步上線多元AI互動玩法；元寶、文心、千問也宣佈將於春節期間派送現金紅包，全力搶佔節日流量入口。長期而言，相較於將自己暴露於儲存晶片供需周期之中的韓國晶片廠商，中國網際網路巨頭在應用層面的優勢，或許能為自身提供更長期、更穩定的增長支撐。 (財聯社AI daily)