過去三十年，全球儲存產業版圖完成了一次殘酷而徹底的權力更替。20世紀80–90年代，日本企業幾乎壟斷DRAM市場；進入21世紀後，這一王座被韓國廠商奪走，並由此建立起橫跨技術、規模與資本的長期統治。今天，HBM 成為 AI 算力體系中最稀缺、最賺錢的核心器件之一，韓國廠商坐享紅利，而日本卻基本缺席。然而，就在大家以為日本儲存已經“躺平”時，一家極具野心的本土企業正浮出水面。被韓國改寫的儲存史日本曾是DRAM的代名詞。上世紀 80 年代，日本的幾家儲存企業合計佔據全球 DRAM 市場過半份額。DRAM幾乎等同於日本半導體工業的名片。當時的日本，正處在製造業全球擴張的巔峰期。汽車、家電、精密儀器、機床、消費電子幾乎在所有工業品門類中都具備國際競爭力，而半導體則是這套工業體系中技術密度最高、附加值最高的一環。在此我們再來老生常談下，日本是如何成為DRAM霸主的。1970–80 年代，日本政府通過 MITI（通產省）主導了一系列國家級半導體聯合研發計畫：包括超大規模積體電路（VLSI）國家項目、企業之間共享基礎工藝成果、大企業聯合高校與研究機構協同推進。這套體系催生出一批在工藝、材料、裝置、製造管理上極為成熟的公司：如NEC、東芝、日立、富士通等企業。在1980年代中後期，日本廠商一度佔據全球DRAM市場50%以上份額。日本模式的核心特徵可以概括為三點：第一，工藝導向。日本廠商非常強調製程細節、器件可靠性與長期良率穩定，而不是單純追求“最小節點”。第二，製造紀律。極端重視良率曲線爬坡速度、裝置穩定性、產線一致性。第三，產業協同。材料、裝置、晶圓製造、封測之間形成高度黏合的國內產業鏈。在那個階段，DRAM的競爭本質上是：誰能更快、更穩定地把工藝做到量產良率。日本對此具有天然優勢。日本為何會失去 DRAM 王座？轉折點出現在1990年代。這一時期，日本經濟泡沫破裂，企業進入長期資產負債表修復期，資本開支趨於保守。與此同時，DRAM行業發生了結構性變化：市場開始走向周期性強波動，產品逐漸標準化、同質化，而且價格競爭愈發激烈。DRAM 從技術溢價型產品，逐步變成高資本開支+高周期波動+低毛利容忍度的重資產行業。這對日本企業極為不利，因為日本企業普遍追求穩健回報，難以接受長期虧損換規模，更偏向“盈利性製造”，而非“戰略性虧損擴張”。再加上美國對日本半導體實施貿易限制，日本廠商在對美出口上承受額外壓力，進一步削弱了擴張能力。結果是，日本廠商在1990年代逐步退出DRAM主戰場，將資源轉向邏輯晶片、MCU、功率器件、感測器等領域。而韓國後來居上，靠的是另一套邏輯：以三星為代表，韓國政府與財閥集團形成了高度繫結的產業推進機制。首先在國家層面，長期將半導體視為戰略產業，提供低息貸款、稅收優惠、土地支援；企業層面，也能夠接受長期虧損周期，用激進資本投入換規模，以市佔率優先替代利潤優先。1997年亞洲金融危機後，這一策略被進一步強化。三星逆周期擴產 DRAM，通過價格戰淘汰對手。最終，日系廠商幾乎全部退出 DRAM 主流市場。隨後，SK hynix（前現代半導體）在2010 年代中期崛起，全球DRAM市場已經成為三星和SK海力士的天下，其餘廠商僅存邊緣份額。進入 AI 時代後，這一優勢被進一步放大。高性能計算對記憶體提出極高頻寬、極低延遲、極高容量三項核心需求。HBM（High Bandwidth Memory）正是在這種需求下成為關鍵器件。HBM的特點是：多層 DRAM Die 堆疊，與GPU / AI 加速器進行近封裝，單顆價值顯著高於普通 DRAM。對於早已在 DRAM 堆疊、封裝、良率控制方面積累深厚經驗的韓國廠商而言，這是天然優勢延伸。因此，韓國廠商迅速佔據HBM主導地位，高端GPU幾乎離不開其供貨，自然吃到AI紅利，產業話語權進一步集中。而日本的問題在於，既沒有DRAM主流產能，也沒有HBM技術積累，更沒有大規模資本投放能力。在當前 HBM 產業鏈中，日本的存在感幾乎只體現在材料、裝置零部件、部分封裝工藝，但在“產品層面”，幾乎缺席。對於日本而言，真正擔憂的可能並不是韓國賺了多少錢，而是在新一輪計算範式變革中，日本是否將徹底失去對“核心器件形態”的定義權。日本儲存的反擊在這樣的大背景下，一家名為SAIMEMORY的記憶體公司於2026年2月初浮出水面。SAIMEMORY成立於2024年12 月，2025 年6月開始營運，是軟銀旗下子公司，但此前一直保持低調。直到 2026年2月，在英特爾舉辦的Intel Connection Japan 2026 活動上首次公開亮相。2026年2月3日，軟銀公司宣佈，其全資子公司SAIMEMORY公司於 2026 年 2 月 2 日與英特爾簽署合作協議，以推進Z-Angle Memory (ZAM) 的商業化。ZAM的命名來自Z軸，意味著晶片沿垂直方向進行軸向堆疊，而非僅僅在平面層疊。其理論優勢包括：更短的資料通路、更均勻的熱擴散路徑、更高的可擴展層數、更低單位頻寬功耗，本質上，這是一次從2.5D 堆疊向真正3D結構記憶體演進的嘗試。當前主流高頻寬記憶體的結構，本質仍是Die在平面方向堆疊，通過TSV等方式互連，但由於功率和散熱的限制，目前這種結構的16層已經接近其極限，預計最大層數將在20層左右。英特爾在該項目中，並非單純“戰略投資人”。其關鍵貢獻來自：下一代 DRAM 鍵合（NGDB, Next-Gen DRAM Bonding），美國能源部支援的先進儲存技術（AMT）項目基礎，英特爾院士、政府技術 CTO Joshua Freeman 表示：傳統記憶體架構無法滿足 AI 需求，NGDB 定義了一種全新的方法。該公司將利用由美國能源部和國家核安全管理局管理、並通過桑迪亞國家實驗室、勞倫斯利弗莫爾國家實驗室及洛斯阿拉莫斯國家實驗室實施的“先進儲存技術（AMT）計畫”中，英特爾已完成的“下一代 DRAM 鍵合（NGDB）倡議”所驗證的底層技術及專業知識。SAIMEMORY計畫在2027財年（截至2028年3月31日）開發出原型產品，並爭取在 2029 財年實現商業化，為此將持續推進創新儲存架構和製造技術的研究。再來說說軟銀的算盤，軟銀正在押注一條可能跳過HBM世代的新型記憶體路線，軟銀是在為AI基礎設施準備“自有記憶體”。軟銀正在變成一家AI基礎設施資本營運商。軟銀已表態在 2027財年原型機完成前投入約30億日元，這是一筆期權型投資：成功，則掌握下一代記憶體入口；失敗，損失可控。在儲存領域，日本採取了“曲線救國”的策略，通過結構性創新，尋找架構級躍遷，來避開正面規模戰爭。從市場環境來看，記憶體的稀缺也給了日本窗口期。目前，AI資料中心消耗了大多數的記憶體，據TrendForce資料，2026年全球生產的記憶體中，約70%將被資料中心消耗。三星與SK hynix 均警告短缺可能持續到2027年。而且行業的共識是，AI資料中心消耗的記憶體佔比快速上升，未來幾年記憶體供需還將處於緊張。只要ZAM能在功耗/頻寬/成本某一維度顯著優於 HBM，那怕只佔據小眾市場，也有商業生存空間。日本不止押注記憶體經歷過 DRAM 被韓國全面超越、先進邏輯製程被台積電和三星壟斷之後，日本產業界其實已經形成了高度一致的共識：日本不可能再複製 80–90 年代那種橫掃式的半導體霸權。無論是資本體量、產業規模，還是風險承受能力，日本都很難與中美正面避險。於是，日本近幾年的半導體戰略出現了一個明顯轉向：從追求“做大做全”，轉向確保在若干決定未來走向的關鍵技術節點上擁有席位。第一，最具象徵意義的，是 Rapidus 的出現。Rapidus 並不是一家按照傳統商業邏輯成立的代工廠，而更像是一家“國家能力型公司”，股東陣容橫跨汽車、電子、通訊、網際網路與半導體。專攻2nm先進製程，日本不是幻想在先進製程上打敗台積電，而是要避免出現一種局面：日本在最先進邏輯晶片製造領域，完全沒有自己的“技術落腳點”。因此，Rapidus 與 IBM 的合作，以及與 ASML 的裝置繫結，本質上就是在用國家力量換一張“先進製程入場券”。第二，在代工領域，日本通過巨額補貼成功引入台積電 (TSMC) 在熊本建設 JASM 一廠及二廠，與 Sony、Denso 合作。一廠（成熟/中階製程）已開業，二廠將引入 6/7nm 先進製程。儘量實現本土化製造，保障供應鏈安全，這樣也能更好的讓日本的裝置和材料廠商能夠與最頂尖的代工流程現場貼合。第三，在先進封裝方面，日本正在籌劃Chiplet（芯粒）時代的入場券。Intel與日本 14 家主要供應商（如 Ibiden、Resonon 等）組建了名為 "SATAS" 的研究小組，共同開發後端封裝技術。日本在光刻膠（JSR、東京應化）、封裝基板（Ibiden）和切片裝置（DISCO）等細分領域擁有壟斷性優勢，這是日本在先進封裝領域的籌碼。第四，在 AI 加速器方向，日本企業的態度同樣非常克制。幾乎沒有日本公司公開宣稱要打造通用 GPU 來挑戰 NVIDIA。日本目前已經形成了一個由老牌巨頭轉型、頂尖實驗室孵化、以及垂直領域初創公司構成的 AI 晶片矩陣。PFN是日本目前估值最高的 AI 初創公司，也是日本 AI 晶片自主化的核心力量。於2016年啟動了第一代MN-Core處理器的研發，目前已經研發了兩代。2026 年，PFN 已開始部署其最新一代 MN-Core L1000，並正與世嘉（SEGA）等公司合作，將 AI 晶片的能力從高性能計算（HPC）擴展到更廣泛的工業和遊戲渲染領域。來源：PFN官網MN-Core 是為深度學習裡的矩陣計算量身定做的晶片架構，在設計時，它刻意去掉了通用 CPU/GPU 中大量複雜的控制邏輯。MN-Core 的硬體架構中大量整合了專門用於矩陣運算的單元（MAU），用於高效執行乘加等核心操作。整個架構採用的是 SIMD（單指令、多資料）思路：即同一條指令，同時驅動大量資料平行計算，而且不支援複雜的條件分支。在更高一級結構上，MN-Core 把計算資源組織成“矩陣運算塊（MAB）”，每個MAB由：4 個處理器單元（PE）和1 個矩陣運算單元（MAU）組成，並採用分層結構進行組合。從效果上看，這種架構既保持了硬體的高度專用性，又通過層級化和多模式支援，保留了一定的程式設計靈活性，非常適合神經網路中大規模、規則化的矩陣計算任務。MN-core與傳統傳統通用處理器架構的對比（來源：PFN官網）EdgeCortix是一家邊緣 AI 領域的黑馬，總部位於東京，成立於 2019 年 7 月，其理念是採用軟體優先的方法，從零開始設計 AI 專用處理器架構。專注於“邊緣端”AI 推理晶片，其核心產品是SAKURA-II 系列 AI 協處理器，採用名為 DNA（Dynamic Neural Accelerator，動態神經加速器）的架構。2026 年 1 月，其 SAKURA-II 晶片通過了 NASA 的抗輻射測試，被驗證可用於月球任務和軌道衛星。SAKURA-II 支援 Llama 2、Stable Diffusion、DETR 和 ViT 等數十億參數模型，典型功耗僅為 8W，滿足視覺、語言、音訊等眾多應用領域中各種邊緣生成式人工智慧應用的需求。SAKURA-II 晶片（圖源：EdgeCortix）日本 AI 泰斗松尾豐教授的實驗室孵化了一批初創公司，雖然它們大多做軟體，但正在通過 AI-SoC (系統級晶片) 的形式向底層滲透。如 EQUES 等公司，正在與半導體設計廠合作，將特定的視覺識別演算法直接固化在晶片中。日本老牌晶片巨頭正緊跟 AI 浪潮，通過“精準卡位”實現戰略轉型。索尼（Sony）憑藉感測器優勢深耕視覺AI晶片；瑞薩通過車載 AI MPU，穩固汽車半導體版圖；富士通（Fujitsu）則依託超級電腦基因，持續拓展高性能 AI 計算晶片。它們正試圖在 AI 的細分垂直領域構築新的壁壘。結語回過頭看，日本正在做的，與其說是對韓國的“復仇”，不如說是對自身產業命運的一次再下注。日本已經不再試圖在 DRAM 產能規模上複製三星與 SK hynix 的成功，也不再幻想在通用 GPU 賽道正面挑戰 NVIDIA。取而代之的，是一套更冷靜、也更現實的路線：在先進邏輯製程上，保住起點；在先進封裝上，掌握形態；在 AI 晶片上，進入系統；在儲存領域，押注架構躍遷。這場賭局的結局，或許還要很多年才能見分曉。但至少，日本已經重新坐回了牌桌。 (半導體行業觀察)

惠普戴爾急瘋了，竟要首次入手中國DRAM救急🔥儲存晶片最近瘋漲，惠普、戴爾、宏碁、華碩這幾家PC大廠，被逼得要首次考慮買中國的DRAM晶片了🤯先劃重點：自去年下半年起，AI搶瘋了儲存晶片，而晶片原廠的新產能要到2027年才釋放，直接導致全球缺貨、價格飛上天。有多瘋？Q1 DRAM價格環比漲80%-95%（兩家機構資料略有差異），NAND也漲55%以上，伺服器級的64GB RDIMM，從450美元飆到900多，二季度還可能破1000美元！更坑的是，全球90%以上的DRAM產能，都被三星、SK海力士、美光三家壟斷。這三巨頭為了賺更多錢，優先把晶片賣給輝達、Google這些AI大佬，壓根不管PC廠商的死活。要知道PC行業本就成本敏感、利潤薄，晶片一漲，廠商直接陷入兩難——成本漲了，消費者又不想多花錢，終端需求要涼。於是轉機來了：中國DRAM廠商成了潛在“救星”！據爆料，惠普、戴爾已經開始給中國DRAM廠商做產品認證，要是年中晶片還缺貨漲價，就首次採購，先用在非美國市場的產品上。宏碁也放話，只要合作代工廠選中國國產DRAM，它沒意見；華碩更直接，已經讓中國生產夥伴，給部分筆記本項目買中國國產DRAM了。只能說，風水輪流轉，以前被壟斷卡脖子，現在缺貨潮反而給了中國DRAM出頭的機會，就看這瓜後續怎麼發展啦～ (深科技)

一場儲存熱潮，不僅讓三星與SK海力士賺得盆滿缽滿，也讓資本市場的天平發生了一次微妙的傾斜。2月3日，三星電子與SK海力士合計市值達到1.14兆美元，略微超過阿里巴巴和騰訊在港股合計1.07兆美元的市值。三星與SK海力士是目前韓國市值最高的兩家公司，前者今日大漲11%，後者漲幅超過9%；今年以來，它們的累計漲幅均接近40%。另一邊，在總市值上暫時落後的阿里與騰訊，市場普遍認為，今日下跌主要與一則網際網路增值服務將被“加稅”傳言有關。不過追根溯源，這或許是外界對相關稅收調整政策的誤讀。阿里與騰訊同日收盤跌幅均分別收斂至1.41%與2.92%；今年以來，阿里累計漲幅12.75%，騰訊微跌3%。在這背後，更重要的推動力自然還是席捲全球的儲存缺貨潮。如今，以HBM為首的儲存晶片已成為AI基建中不可或缺的部分，同時，願意支付溢價的大型雲廠商帶來的需求，進一步推高了儲存巨頭們的業績。在DRAM和NAND雙雙出現創紀錄短缺的背景下，三星和SK海力士獲得了前所未有的定價權。高盛集團亞太區首席股票策略師Timothy Moe則預計，今年韓國股市約60%的盈利增長將來自半導體行業。在暫時不同的股價走勢背後，也是在AI領域選擇的不同發展路徑。富時羅素全球投資研究主管Indrani De指出，中國的優勢在於龐大的製造生態體系，這意味著可以非常迅速地實現規模化；韓國則專注於硬體領域，建構結構性優勢。富蘭克林鄧普頓全球投資的投資組合經理Yiping Liao也給出了類似觀點：“韓國高度聚焦於科技供應鏈中的某一個特定環節，而中國則更像是在試圖建構一個端到端、完整覆蓋的AI技術體系。”換言之，兩種路線中，一條專注於關鍵環節的技術深度與掌控力，另一條則偏向於系統整合與市場應用的廣度。更值得注意的是，在事關AI熱潮的全球討論中，阿里、騰訊這些網際網路大廠更頻繁的比較對象，是微軟、Google、Meta等矽谷巨頭們，對比維度也更聚焦於資本開支、AI變現等。在過去幾天，國內幾家網際網路巨頭都已陸續部署2026年發展規劃，AI均是核心發力點。例如騰訊創始人馬化騰表示，未來將大模型和AI 產品以一體化的方式來考慮，持續提升產品長期競爭力與使用者體驗；阿里提出“通雲哥”新概念，即“雲+AI+晶片”三位一體發展，充分發揮全端優勢；字節CEO梁汝波明確，2026年公司在AI上要“勇攀高峰”，短期核心目標聚焦豆包/Dola助手的應用落地。與此同時，隨著春節臨近，AI流量戰也已升溫：此前字節跳動旗下火山引擎已官宣成為央視春晚獨家AI雲合作夥伴，豆包將同步上線多元AI互動玩法；元寶、文心、千問也宣佈將於春節期間派送現金紅包，全力搶佔節日流量入口。長期而言，相較於將自己暴露於儲存晶片供需周期之中的韓國晶片廠商，中國網際網路巨頭在應用層面的優勢，或許能為自身提供更長期、更穩定的增長支撐。 (財聯社AI daily)

外媒在近一段時間的報導中已多次提到，去年下半年持續上漲的儲存晶片價格，在今年仍將持續，已有多家市場研究機構給出了持續上漲的預期，終端裝置製造商也將因此面臨更大的成本壓力。而從外媒最新的報導來看，儲存晶片的價格，如市場研究機構此前預計的那樣仍在上漲，1月份的價格較去年12月份就有明顯上漲，DRAM和NAND快閃記憶體均是如此。外媒的報導顯示，在DRAM方面，DDR4這一主要產品的單價，在1月份超過了11美元，自去年4月份以來連續10個月上漲，是有資料記錄以來最高的；PC方面主要的DDR4 8Gb的平均固定合約價格，在1月份是11.5美元，較此前一個月上漲了23.66%。與DRAM相比，NAND快閃記憶體在1月份的漲幅更大，外媒稱1個月飆升超過60%。而外媒在報導中還提到，有市場研究機構預計PC DRAM的合約價格在今年一季度將上漲105%到110%，這大機率也就意味著在他們看來，2月份和3月份的漲幅也不會低。 (TechWeb)

國外主流海外券商機構均推出了各自的儲存行業分析模型，對儲存產品價格、銷售額、出貨量、廠商市場份額、產能及資本開支等核心指標進行定期更新與跟蹤。這篇文章來看看美銀於 1 月 31 日發佈的模型更新內容。美銀將全球 DRAM/NAND 銷售額預測上調 25%美銀對 2026 年的預測較此前版本的核心調整包括：動態隨機存取記憶體（DRAM）與快閃記憶體（NAND）平均銷售價格（ASP）上調 20% 以上；儲存位出貨量增速小幅提升；3）資本開支（capex）增加，主要由 HBM 擴產及基礎設施投資（晶圓廠土建、電力配套等）驅動；HBM 市場規模進一步擴大，一方面源於美國大型科技企業需求走強，另一方面得益於三星 HBM4 產品量產爬坡進展順利；受 DRAM 供應短缺及儲存成本高企影響，原始裝置製造商（OEM）下調產量，但得益於 AI 伺服器需求持續穩健增長，該因素對整體儲存需求的影響仍較為有限；儲存行業的多年增長周期（超級周期）具備可持續性，但美銀預計 2026 年第二季度至下半年 ASP 將維持穩定，2027 年則會出現低於 10% 的價格回呼。整體來看，在 ASP 上漲 50%-60% 的支撐下，美銀預計全球 DRAM、NAND 銷售額將從 2025 年的 1340 億美元、810 億美元，分別增至 2026 年的 2620 億美元、1470 億美元，同比增幅分別達 95%、82%。DRAM 現貨價格自 2025 年 9 月以來首次走弱本周，DRAM 現貨價格在過去 4-5 個月的持續上漲行情後終於出現走弱。目前將此視為行業硬著陸的早期訊號仍為時尚早，但多家 OEM 已表示，按當前現貨價格計算的 DRAM 成本，已超過其低端個人電腦、智慧型手機、平板電腦的產品售價。通常情況下，DRAM 成本佔產品售價的比例應低於 10%。儘管如此，部分記憶體模組廠商表示，若 DDR4 或 DDR5 價格回落至 20-30 美元區間，無論容量（8Gb 或 16Gb）或規格（DDR4 或 DDR5），均有較強的追加採購意願。目前，兩類 DRAM 產品單價已突破 30 美元：16Gb DDR5 與 8Gb DDR4，而 16Gb DDR4 單價則處於 70 美元以上區間。美銀認為，當前頭部一級 OEM 獲取的合約價格仍維持在每 GB 10-20 美元水平，現貨價格與合約價格仍存在較大價差，因此現貨價格料將向合約價格水平回歸。值得關注的是，受 2025 年上半年減產的滯後效應影響，NAND 現貨供應持續緊張，本周 NAND 現貨價格進一步上漲（1Tb、512Gb 規格漲幅達 5%-6%）。我們節選部分重要圖表呈現如下：美銀預計，即便 2024 年、2025 年全球 DRAM 銷售額已分別實現 86%、52% 的同比增長，2026 年預期仍將大幅增長 95%；核心驅動因素為 SK 海力士的 HBM 業務及平均銷售價格（ASP）強勢反彈（同比 + 65%）。2025 年 NAND 銷售額僅實現低個位數增長，而在平均銷售價格（ASP）同比上漲 53% 的驅動下，預計 2026 年 NAND 銷售額將同比增長 82%美銀將 DRAM 及 NAND 銷售額預期上調 20%-25%，主要因近期價格上漲後，美銀上調了平均銷售價格（ASP）預期（2026-2027 年 DRAM ASP 為 6 美元；NAND ASP 為 3.5-4.0 美元）美銀採用自下而上的分析方法，該方法基於儲存行業三大廠商的過往業績表現與長期發展規劃；預計 2026-2027 年，SK 海力士在 HBM 領域的主導地位將持續保持；假設三星（按 HBM 銷售額口徑計算）市場份額為 20% 左右，而 SK 海力士則佔據 50% 以上的 HBM 市場份額。報告還統計了中國公司CXMT和YMTC的Capex情況... (傅里葉的貓)

半導體儲存器DRAM指標產品2025年11～12月的大宗交易價格與9月相比上漲了4成，與2024年12月相比漲幅超過3倍。由於AI投資競爭持續升溫，大型企業優先向AI用途供貨，而PC等民生領域的產品供應不足，部分終端產品面臨漲價……DRAM的大型企業優先向AI用途供貨（reuters）半導體儲存器DRAM的價格進一步上漲。指標產品2025年11～12月的大宗交易價格與在9月的上一輪談判達成的價格相比上漲了4成。全球大型企業優先向資料中心的人工智慧（AI）伺服器供貨，用於個人電腦（PC）等民生領域的指標產品供應不足。需求方難以確保所需數量。DRAM被安裝於PC、智慧型手機和資料中心的伺服器裝置等，用於資料的臨時儲存。大宗交易價格由作為賣方的儲存器廠商、與作為買方的裝置廠商和模組製造商按月或按季度協商確定。由於供不應求，2025年10月出現了無法形成大宗交易價格的罕見事態。雖然11～12月確定了價格，但“未能採購到希望的數量”（電子商社的高管）。也有人指出，DDR5及上代產品DDR3在2025年10～12月分別比前一季度上漲了4成～2倍，以及2～4倍。另一家商社的負責人表示：“波及指標品以外的空前的半導體儲存器泡沫已經到來”。從2025年11～12月的大宗交易價格來看，作為指標的DDR4 8GB以6.36美元左右達成協議。容量較小的4GB也定在4.84美元左右。均比9月高出4成，與2024年12月相比漲幅超過3倍。以超大規模雲服務商(Hyperscaler)為中心，AI的投資競爭持續升溫。韓國的三星電子、SK海力士、美國的美光科技等3大DRAM廠商將生產轉向面向AI的產品。這些廠商在停止和縮減DDR4生產的同時，正在加強下一代產品DDR5和用於AI伺服器的“高頻寬儲存器（HBM）” 的生產。從DDR4來看，在3大廠商停產後，主要由台灣的南亞科技等公司供應，但尚未完全滿足需求。由於DRAM價格上漲，部分終端產品不得不漲價。DRAM根據品種不同，用途也不同，DDR4和DDR5用於PC等。除了Mouse Computer（東京千代田區）從1月開始陸續提高產品價格之外，日本惠普的社長岡戶伸樹也表示：“本公司產品受到DRAM價格上漲的影響”，對於今後發售的新產品稱：“存在價格上漲的可能性”。美國調查公司IDC預測稱，在悲觀的情景下，2026年PC的供貨量將比上年減少8.9%。也有市場相關人士指出，使用低功耗產品LPDDR的智慧型手機“在低價機型上明顯受到DRAM價格上漲的影響”（美國調查公司Omdia的高級諮詢總監南川明）。AI市場的擴大也正在對身邊產品的供給和價格產生影響。 (日經中文網)

三星電子和SK海力士近期成功將供應給蘋果的低功耗DRAM價格較上季度提高近一倍，標誌著全球最大智慧型手機製造商之一在記憶體供應緊張局面下也不得不接受大幅漲價。AI圖片分析認為，這一價格調整打破了蘋果長期以來憑藉市場地位獲取低價記憶體的慣例，凸顯當前記憶體市場供需失衡的嚴峻程度。1月27日，據韓國媒體zdnet報導，三星電子在與蘋果的談判中提出一季度LPDDR晶片價格上漲超過80%，而SK海力士的漲幅約為100%。蘋果去年iPhone出貨量約為2.5億部，是LPDDR的關鍵客戶。報告稱，記憶體價格飆升源於全球科技巨頭對AI基礎設施的激進投資推動DRAM需求激增，而供應商將產能重點轉向HBM（高頻寬記憶體），加劇了供應短缺。市場研究機構TrendForce預測，一季度通用型DRAM價格將環比上漲55-60%。據報導，業內人士透露，蘋果通常每年簽訂記憶體長期協議，但考慮到當前記憶體危機，今年僅完成了上半年的單價談判。隨著下半年iPhone 18等新品發佈，價格可能進一步上漲。消息出爐之後，SK海力士、三星電子午後漲幅進一步擴大，其中SK海力士漲超8%，三星電子漲近4%。01 供應緊張迫使蘋果接受大幅漲價三星電子和SK海力士在今年一季度與蘋果的談判中取得顯著成果。報導指出，據韓國業內消息人士透露，三星電子提出的LPDDR價格漲幅超過80%，SK海力士的漲幅則達到約100%。這是蘋果作為主要客戶首次在短期內接受如此大幅度的價格調整。據悉，LPDDR是一種相比標準DRAM更注重能效的記憶體類型，對包括智慧型手機在內的IT裝置至關重要。目前第七代LPDDR5X應用最為廣泛。蘋果憑藉每年約2.5億部的iPhone出貨量，一直是LPDDR市場的關鍵買家。報導指出，儘管價格大幅上漲，但蘋果支付的LPDDR價格並非市場最高水平。作為記憶體市場的主要參與者，蘋果長期利用其主導地位以低於其他公司的價格採購LPDDR。業內人士認為，此次談判顯著縮小了蘋果與記憶體供應商之間的價格差距。02 AI需求擠壓傳統記憶體供應記憶體價格急劇上漲的根本原因在於供需結構失衡。報導稱，全球大型科技公司對AI基礎設施的大規模投資推動DRAM需求激增，而三星電子和SK海力士等供應商將產能重點轉向利潤更高的HBM產品，導致傳統DRAM和LPDDR供應緊張。市場資料顯示，LPDDR5價格已在去年四季度上漲約40%。TrendForce預測，一季度通用型DRAM價格將環比上漲55-60%。一位業內人士表示："一季度的漲幅更大，整體漲幅至少達到60%。"如果蘋果的記憶體價格上漲得到全面反映，記憶體供應商一季度的整體盈利能力預計將進一步改善。這對於在去年經歷行業周期低谷的三星電子和SK海力士而言，意味著DRAM業務盈利能力在一季度實現最大化。03 下半年價格或繼續攀升與以往做法不同，蘋果今年僅完成了上半年的記憶體單價談判，而非簽訂全年長期協議。一位半導體業內人士解釋："蘋果通常每年都會簽訂記憶體長期協議，但考慮到最近的記憶體危機，據我瞭解，他們只完成了今年上半年的單價談判。"這一變化為下半年價格進一步上漲留下空間。該人士補充說："隨著下半年新產品的推出，價格可能會進一步上漲。"蘋果預計將在下半年發佈最新旗艦智慧型手機iPhone 18，屆時對LPDDR的需求將顯著增加。分析指出，短期合約的簽訂反映出當前記憶體市場的不確定性，也顯示蘋果在供應緊張環境下議價能力的減弱。對於三星電子和SK海力士而言，這意味著在下半年新一輪談判中可能獲得更大的定價主動權。 (華爾街見聞)