在原材料成本與晶片價格上行壓力持續影響之下，大陸汽車產業近期調價動作增多。 比亞迪近日宣佈上調部分車型選裝配置價格，由人民幣9,900元上調至12,000元，成為新一輪車企價格調整潮的一環。第一財經指出，比亞迪4月28日官宣旗下多款車型漲價。 官方說明中提到，受全球儲存硬體成本上漲影響，比亞迪（王朝網、海洋網、方程豹）部分車型選裝天神之眼B輔助駕駛雷射版價格，由人民幣9,900元上調至12,000元，該調整將於2026年5月1日生效，4月30日前下訂者不受影響。與前兩年價格戰不同，今年大陸車企競爭策略轉向價值競爭。 除比亞迪外，3月奇瑞旗下星途品牌上調人民幣5,000元，小米SU7全繫上調人民幣4,000元，鴻蒙智行部分車型因配置升級價格上調約1萬元。在成本端，今年以來，儲存晶片成為關鍵變數。 汽車業界目前最為緊缺的儲存晶片是DRAM，尤其是DDR4與DDR5。 TrendForce資料顯示，通用型DRAM價格預計上漲55%至60%，高端車規級DDR5漲幅甚至高達300%。北京君正積體電路相關人士表示，2026年汽車DRAM晶片供應緊缺且價格上行，「沒有商議降價的情況」，並預期短期內供需緊張仍將持續，2027年是否漲價再看市場需求。在產業層面，多名車企高層亦提及成本壓力。 嵐圖汽車董事長盧放曾指，石油及化工原材料價格上漲推動整體成本上行，並稱汽車漲價可能成為趨勢。 蔚來汽車執行長李斌則說，蔚來在記憶體漲價的競爭中感到壓力。 記憶體漲價給汽車行業帶來很大成本壓力，建議消費者儘早購車。隨著汽車售價上漲，大陸車企頻頻喊出「不打價格戰，要打價值戰」的口號，也符合近年相關部門的要求。 車圈苦無序價格戰久矣。 中國汽車工業協會去年6月發佈《關於維護公平競爭秩序，促進行業健康發展的倡議》，強調不得以低於成本價格傾銷或進行不當競爭。 大陸國家市場監督管理總局去年12月亦發佈價格行為合規指南徵求意見稿，要求企業出廠價格不得低於成本。據全國乘聯分會秘書長崔東樹資料，2026年第一季度，中國汽車行業收入2兆4128億元，同比下降0.2%; 利潤人民幣784億元，同比下降18%，銷售利潤率降至3.2%。 崔東樹表示，隨著車市規模擴大與PPI上行，上游資源品利潤走強，但鋰電池出口價格下滑、國內成本上升，使車企利潤持續承壓。 他指出，兩新政策有助釋放內需，但汽車行業改善仍落後其他消費品，在上游成本擠壓、油價上行及消費觀望情緒下，車企營運壓力仍較大。 (大話晶片)

SK海力士第一季度營收52.58兆韓元，首次突破50兆韓元大關。今日，SK海力士發佈 2026 財年第1財季（截至2026年3月31日）財報，營業收入為52.5763 兆韓元，同比增198%、環比增長60%；營業利潤為37.6103兆韓元，同比增長405%、環比增長96%。從季度業績來看，銷售額首次突破 50 兆韓元大關，營業利潤為 37.6 兆韓元，營業利潤率達到 72%，創下公司成立以來的最高紀錄，營業利潤環比激增約兩倍。值得注意的是，SK 海力士的營業利潤率不僅遠遠超過了輝達公司在去年第四季度的65%的營業利潤率——當時該公司營利率在全球半導體領域排名第一，也超過了台積電今年第一季度的營利率58.1%。SK海力士生產用於儲存資料的記憶體晶片，這些晶片廣泛應用於從伺服器到智慧型手機和筆記型電腦的各種裝置中。作為全球領先的高頻寬記憶體(HBM)供應商，SK海力士受益於人工智慧需求的激增，HBM廣泛應用於人工智慧資料中心。HBM屬於動態隨機存取儲存器(DRAM)的範疇——DRAM是一種用於儲存資料和程式碼的半導體儲存器，廣泛應用於個人電腦、工作站和伺服器。憑藉在HBM領域的早期領先地位以及作為全球領先的人工智慧處理器製造商輝達的關鍵供應商，SK海力士在DRAM市場中超越了美光和三星等競爭對手。SK海力士在其財報中表示：“儘管第一季度通常是季節性淡季，但由於對人工智慧基礎設施的投資增加，強勁的需求依然持續。隨著人工智慧從大型模型訓練發展到智能體人工智慧階段，智能體人工智慧能夠反覆在各種服務環境中執行即時推理，對DRAM和NAND快閃記憶體的記憶體需求基礎正在不斷擴大。”根據市場追蹤機構 TrendForce 的資料，第一季度某些 DRAM 晶片的合約價格比上一季度上漲了近 83%，而某些 NAND 產品的價格飆升了約 160%。然而，根據Counterpoint Research的資料，三星在上一季度重新奪回了DRAM晶片收入榜首的位置。與此同時，SK海力士繼續在HBM領域佔據主導地位，市場份額高達57%。Counterpoint補充道，由於記憶體價格上漲，DRAM市場已連續兩個季度環比增長30%。記憶體價格上漲源於對HBM需求的激增，這佔用了製造商的產能，導致近幾個季度記憶體供應普遍短缺。受此優異業績推動，截至第一季度末，SK海力士現金及現金等價物環比增加19.4兆韓元，達到54.3兆韓元。與此同時，借款額減少2.9兆韓元，降至19.3兆韓元，實現了35兆韓元的淨現金頭寸。財報寫道，隨著人工智慧從以“大型模型訓練”為中心，進化為在各種服務環境中反覆進行即時推理的“代理式人工智慧（Agentic AI）”階段，儲存器需求的基礎正擴展至DRAM和NAND快閃記憶體所有領域。SK海力士預測，儲存效率化技術的擴散將提高人工智慧服務的經濟性，進而推動整體服務規模的擴大，這將進一步拉動儲存器需求。基於此，公司預計DRAM和NAND快閃記憶體市場均將維持有利的價格環境。SK海力士明確了其將在DRAM和NAND快閃記憶體全領域持續推進新產品開發與供應的戰略方針，以靈活應對多樣化的儲存器需求。在HBM方面，其將進一步加強整合性能、良率、質量及供應穩定性的綜合執行能力。並且在DRAM方面，將全面啟動全球首款採用第六代10奈米級（1c）工藝的LPDDR6 DRAM，以及基於同一工藝並於本月開始量產的192GB SOCAMM2的供應。在NAND快閃記憶體方面，SK海力士開始供應基於CTF且採用321層QLC技術的客戶端固態硬碟（cSSD）“PQC21”的同時，將通過在eSSD的全領域建構涵蓋高性能TLC和大容量QLC的產品陣容，靈活應對人工智慧領域的整體需求。此外，公司將依託在大容量QLC eSSD領域擁有優勢的Solidigm產生的協同效應，進一步加強在AI資料中心和AI PC儲存器市場的競爭力。另一方面，SK海力士強調，在客戶需求持續超過供應能力的環境下，能夠應對AI時代需求結構性增長的供應能力已成為核心競爭優勢。對此，公司表示將以韓國清州M15X產能爬坡和龍仁叢集為核心，推進基礎設施建設及EUV等核心裝置引進，為此今年的投資規模將同比大幅增加。SK海力士表示：“公司將戰略性地擴充生產基礎，以先發應對中長期需求增長。也將通過基於需求可見性的投資，同時確保供應穩定性和財務穩健性。” (半導體產業縱橫)

AI基礎設施需求持續升溫，GPU租賃價格3月全線走高，其中B200單月大漲23.5%，與H100溢價比值修復至2.07倍，反映市場對最新一代算力的緊迫需求。儲存端，DRAM與NAND合約價格一季度分別環比上漲96%和88%，預計二季度增長環比放緩至61%與73%。AI基礎設施需求持續升溫，推動GPU租賃價格在2026年3月全線上漲，其中B200漲幅尤為突出；與此同時，儲存晶片合約價格雖延續漲勢，但二季度擴張節奏預計有所收斂。摩根大通4月19日發佈資料中心追蹤報告指出，三大GPU層級租賃價格3月均環比走高，B200單月漲幅高達23.5%，B200與H100的價格比值隨之回升。儲存方面，據TrendForce資料，DRAM合約價格一季度環比大漲96%，NAND合約價格環比上漲88%；預計二季度兩者漲勢延續，但環比增速將分別放緩至61%和73%。GPU租賃價格的全面上行，反映出市場對高性能算力的旺盛需求；儲存合約價格在同比層面仍維持數倍漲幅，顯示供需格局並未根本逆轉，只是擴張斜率趨於平緩。B200領漲，GPU租賃價格3月全線走高據彭博指數資料，截至2026年3月底，B200租賃價格升至每GPU小時5.47美元，環比大漲23.5%，大幅高於2月的-0.2%和1月的+0.7%。這一跳升逆轉了自2025年9月指數推出以來持續壓縮的B200對H100溢價趨勢。B200與H100的價格比值從2月的1.82倍回升至3月的2.07倍，儘管仍低於指數推出初期約2.63倍。H100租賃價格延續上行，3月報每GPU小時2.64美元，環比上漲8.6%，高於2月的5.2%和1月的4.5%，連續第四個月錄得環比正增長。A100租賃價格3月報每GPU小時1.48美元，環比上漲6.5%，較2月的3.7%和1月的1.5%明顯加速，連續第三個月錄得加速上漲。H100與A100的價格比值也從2月的1.75倍小幅擴大至1.78倍，延續拉開趨勢，反映市場需求持續向更高性能GPU層級遷移。DRAM與NAND合約價格二季度漲勢趨緩，同比仍達數倍據TrendForce資料，DRAM合約價格一季度環比擴張96%，較四季度的48%大幅提速；NAND合約價格一季度環比增長88%，同樣高於四季度的36%。進入二季度，兩者漲勢預計延續但節奏放緩：DRAM合約價格預計環比增長61%，NAND合約價格預計環比增長73%。從同比維度看，漲幅依然相當可觀。最新預測顯示，2026年二季度DRAM合約價格同比預計上漲421%，NAND合約價格同比預計上漲362%。現貨價格走勢有所分化。DDR5 16Gb現貨價格3月報31.18美元，環比下跌6.1%，連續第二個月走弱，但同比仍上漲573%，約為去年同期4.63美元的近7倍。NAND 1Tb現貨價格則延續升勢，3月報28.96美元，環比上漲16.0%，同比上漲475%，約為去年同期5.04美元的近6倍，但環比增速較此前有所回落。供需格局支撐價格中樞，增速放緩不改上行趨勢綜合來看，GPU租賃價格的全面走高與儲存合約價格的持續擴張，共同指向AI基礎設施投資熱潮下的強勁需求側驅動。B200租賃價格的異常跳升尤其值得關注，其對H100溢價比值的快速修復，或暗示市場對最新一代算力的緊迫需求正在重新定價。儲存方面，合約價格二季度增速的放緩並非需求轉弱的訊號，而更多是高基數效應下的自然回歸。DDR5現貨價格的連續兩月下滑與NAND現貨的持續上漲形成對比，或反映不同產品線在供需再平衡過程中的節奏差異。對裝置製造商而言，儲存成本壓力在二季度仍將居高不下，儘管邊際壓力較一季度有所緩和。 (invest wallstreet)

據Wccftech報導，全球動態隨機存取儲存器（DRAM）市場近期呈現供應緊張、價格持續上漲的運行態勢。受產能擴張受限、人工智慧產業帶動高頻寬記憶體（HBM）需求激增等多重因素影響，業內預計記憶體晶片短缺局面將持續至 2027 年前後，市場供需關係有望在 2028 年逐步恢復平衡。當前，全球 DRAM 市場高度集中，三星電子、SK 海力士、美光科技三大廠商佔據約 90% 的市場份額，同時也是全球具備 HBM 規模化生產能力的核心企業。受晶圓供應不足、建廠周期較長、先進產能良率提升緩慢等因素制約，三大廠商擴產步伐相對平緩，現有產能擴張計畫僅能覆蓋市場約六成需求。相關測算顯示，若要有效緩解市場短缺，行業需在 2027 年前實現年均 12% 的產能增長，而當前行業擴產增速僅為 7.5%，供需缺口持續存在。從頭部企業產能佈局來看，三星電子韓國平澤園區第四座晶圓廠計畫年內啟用，全面量產時間推遲至 2027 年及以後，且該廠兼顧邏輯晶片生產，一定程度壓縮記憶體產能擴張空間；規劃中的第五座工廠聚焦 HBM 生產，預計 2028 年及以後投產。SK 海力士清州 HBM 工廠已於今年 2 月投產，成為今年唯一能貢獻新增供應的項目，龍仁新廠建設提速，計畫 2027 年 2 月完工。美光計畫 2027 年在美國愛達荷州、新加坡啟動 HBM 生產，日本廣島新廠瞄準 2028 年量產，此前收購的工廠產品預計 2027 年下半年面市。業內人士指出，受短期擴產難度限制，AI 專用記憶體供應緊張狀況可能延續至 2030 年。市場需求與成本端同樣承壓。人工智慧產業快速發展推動 HBM 需求持續攀升，三大廠商紛紛將核心資源向 AI 記憶體傾斜，暫緩通用記憶體擴產處理程序，導致 2025 年秋季起通用記憶體供應趨緊加劇，今年第一季度記憶體價格環比漲幅預計約 90%。與此同時，中東局勢動盪推高電力、原材料成本，進一步加劇行業供給不確定性。供應緊張已逐步向下游終端產業傳導。目前，全球 80% 至 90% 的記憶體晶片應用於個人電腦、智慧型手機和伺服器領域，其餘用於汽車及工業裝置。記憶體價格大幅上漲，使得低端智慧型手機記憶體成本佔比從當前約 20%，預計今年年中升至近 40%，嚴重擠壓終端企業利潤空間，手機廠商或下調產量，汽車零部件企業也面臨記憶體供應不足的發展難題。 (環球Tech)

據報導，在當前AI推動的儲存晶片（尤其是記憶體）緊缺背景下，蘋果正"以極高價格囤積市場上所有可用的移動DRAM，即便以虧損營運利潤為代價"，以阻斷競爭對手的供應管道。蘋果公司正將這一供應鏈壓力視為戰略機會，甚至在一定程度上把它當作“武器”，以削弱新興競爭對手的競爭力。這一舉動在其他智慧型手機廠商中引發恐慌性連鎖反應，多家OEM開始不計成本地搶購記憶體，部分中國客戶在二季度接受了環比上漲90%-100%的報價。雖然價格飆升，但客戶並未出現牴觸情緒，部分手機廠商正在以二季度的高價簽訂年度合同，並尋求在下半年進一步增加採購量。報告認為，蘋果公司的這一策略同時伴隨著其提高iPhone出貨目標（上調至約2.4億部），但整體仍保持相對保守的預期。與此同時，有分析師認為，這一策略背後可能受到郭明錤等供應鏈分析人士此前觀點的影響，即建議蘋果在記憶體價格波動與緊缺周期中“吸收成本衝擊”，通過犧牲部分利潤空間來穩定產品定價體系。在市場影響方面，這種“囤積記憶體+穩定價格”的策略已經產生連鎖反應。報告稱，隨著微軟近期對Surface系列產品進行大幅漲價，蘋果在價格競爭中獲得了相對優勢。例如12英吋Surface Pro起售價升至1049美元，而13英吋M4版MacBook Air 13英吋 M4仍為999美元起。在高端產品線方面，配備64GB記憶體的Surface Laptop（約3649美元）已高於同等配置的MacBook Pro 16英吋 M5 Pro（約3299美元），使蘋果在性價比對比中佔據優勢。此外，報告還提到，蘋果計畫在即將推出的iPhone 18 Pro及iPhone 18 Pro Max上繼續延續這一策略：維持價格穩定，同時限制配色等供應配置，以在供需緊張環境中進一步強化產品定位與利潤結構。 (半導體技術天地)

AI算力驅動下，儲存行業正式進入“超級周期”。資料顯示，三星、SK海力士、美光三大廠商佔據全球超90%的DRAM市場份額。自2025年下半年起，行業巨頭將絕大部分先進製程產能轉向高利潤的AI伺服器用HBM產品，系統性壓縮消費級儲存產能。此前，“實體記憶體或被替代”的相關消息，曾對儲存晶片市場造成一定影響，但行業持續走高的景氣度，徹底打消了市場顧慮。有業內人士表示，疊加全球產能結構性緊張、訂單持續飽滿，儲存晶片產業正迎來由AI算力革命引領的新一輪超級周期，全年增長態勢較為明確。在這樣的行業背景下，侃見財經認為，年記憶體儲行業龍頭企業業績將持續兌現，部分龍頭企業業績甚至會實現跨越式增長。近期，儲存晶片龍頭企業兆易創新發佈2025年財報，財報資料顯示，報告期內公司實現營業收入92.03億元，同比增長25.12%；淨利潤16.48億元，同比增長49.47%；扣非淨利潤14.69億元，同比增長42.57%。具體到第四季度，兆易創新營收23.72億元，同比增長39%；淨利潤5.65億元，同比增長108.85%；扣非淨利潤4.27億元，同比增長68.79%。從單季度表現來看，兆易創新業績正加速兌現。這一業績表現也反映在資本市場，兆易創新股價迎來大幅上漲。統計顯示，自去年8月至今，公司股價最高漲幅超過200%，截至目前，漲幅仍超過120%，市值增長突破1000億元。股價大漲直接讓公司控股股東朱一明受益，根據股權穿透結果，朱一明合計持有兆易創新6.85%的股份，以最新收盤價格計算，該部分持股市值約127億元。胡潤研究院最新發佈的2026年全球富豪榜單顯示，朱一明以160億財富，位列全球第2044位，排名同比上升531位。此外，近期兆易創新實際控制人朱一明大手筆減持公司股份，也引發了市場廣泛關注。股價創下新高後，兆易創新實際控制人朱一明拋出減持計畫。4月7日，兆易創新發佈公告稱，公司控股股東、實控人朱一明因個人資金需求，計畫通過集中競價和大宗交易方式減持公司股份不超過1121萬股，約佔公司總股本的1.60%。其中，集中競價減持不超過700萬股，大宗交易減持不超過421萬股。按照公告當日收盤價格計算，朱一明此次套現金額約28億元。據悉，朱一明此次減持的股票來源，為IPO前取得的股份。值得注意的是，此次減持並非朱一明首次減持。根據同花順資料統計，2019年下半年，朱一明通過大宗交易及集中競價方式累計減持公司股份639.12萬股，約佔當時公司總股本的2%；2020年9月，朱一明再度減持公司471.53萬股，佔總股本的1%；2021年至2022年，朱一明的減持動作更為集中，期間累計減持1065.46萬股，佔總股本的比例為1.73%。面對控股股東的減持動作，市場整體態度相對樂觀。明星投資人葛衛東家族更是持續加倉。年報資料顯示，截至2025年末，葛衛東的關聯人王萍新進成為兆易創新前十大流通股東，合計持股755.67萬股，其在第四季度耗資約3億元，加倉超145萬股；而葛衛東持倉約1702.67萬股，與三季度持股資料持平，為公司第三大股東。葛衛東投資兆易創新，最早可追溯至2018年。資料顯示，2018年二季度，葛衛東就以252.4萬股的持倉，成為兆易創新第八大流通股東；到2019年三季度，葛衛東再度大舉加倉，持股1439.02萬股，成為公司第六大股東；2020年底，葛衛東持有兆易創新股份已上升至2110萬股，佔公司總股本的4.8%；經過公司高送轉後，2021年中旬葛衛東持股數量增至2951萬股。但需要說明的是，葛衛東自2021年三季度開始減持兆易創新，當時公司股價經歷一輪上漲，葛衛東減持時機把握十分精準，直至2022年底，葛衛東才結束減持。2024年9月，兆易創新股價開始擺脫下行周期，葛衛東持股數量始終未變，直至2025年三季度才小幅減持169.53萬股；而到第四季度，其關聯人王萍卻增持145萬股。那麼，為何葛衛東家族能夠無懼控股股東減持，堅定持有兆易創新？侃見財經認為，隨著儲存行業超級周期開啟，持續兌現的業績足以抵消控股股東減持帶來的壓力。此外，兆易創新在港股成功上市後，逐步具備國際化視野，這將助力公司在全球市場實現突圍。從收入結構來看，兆易創新在中國香港以及中國大陸的營收佔比合計為77.22%，從市場拓展角度來看，公司海外營收提升仍有較大空間。4月7日，三星電子披露2026年一季度業績，財報顯示，一季度公司營業利潤57.2兆韓元，同比增長755.01%；銷售額133兆韓元，同比增長68.1%。值得一提的是，三星電子在2026年一季度將DRAM合約價上調100%後，二季度DRAM合約價將再度環比上漲30%，兩季度合計漲價幅度高達130%。花旗最新研報指出，強勁的人工智慧推理記憶體需求，將在2026年全年支撐三星的記憶體定價，尤其是伺服器DRAM產品。資料顯示，2026年一季度儲存晶片價格持續飆升。群智諮詢最新資料顯示，一季度消費電子儲存價格較2025年第四季度漲幅超60%，其中NAND快閃記憶體環比漲幅突破70%，創下近年來單季最高漲幅紀錄。華福證券研報分析稱，2026年第一季度儲存晶片價格大幅上漲，伺服器用64GB DDR DIMM價格環比上漲150%，移動端12GB LPDDR5X上漲130%，前代產品8GB DDR SO-DIMM也暴漲180%。值得注意的是，AI伺服器對HBM、DDR5等高頻寬記憶體的需求持續旺盛，促使儲存原廠優先將產能向高利潤產品傾斜，消費電子用DRAM與NAND的供應規模被進一步壓縮。國盛證券認為，本輪儲存行情已經跳出此前的周期循環，進入人工智慧重塑行業底層邏輯的成長大時代。平安證券認為，當前海外雲服務提供商不斷加碼AI基礎設施建設，持續拉升企業級儲存需求，推動儲存行業景氣度持續上行，儲存主流產品迎來量價齊升態勢；考慮到AI領域持續高景氣，本輪儲存周期的強度和持續性有望超過上一輪，相關產業鏈企業有望迎來盈利水平明顯提升。中信證券認為，AI需求帶動下，儲存行業仍處於超級景氣周期前中段，供需緊張局面至少持續至2027年。有業內人士表示，2026年至2027年儲存晶片價格將保持堅挺，產能逐步釋放雖能避免行業出現嚴重短缺，但無法徹底解決供給不足的問題。在財報中，兆易創新表示，公司儲存晶片營收同比增長約26.41%，其中利基型DRAM及SLC NAND Flash受益於行業供給緊縮帶來的價格快速上行，營收增速表現亮眼；NOR Flash收入延續穩健增長，價格也於2025年下半年開啟溫和上漲。定製化儲存解決方案方面，公司控股子公司青耘科技在2025年下半年已陸續有部分項目進入客戶送樣、小批次試產階段，2026年有望實現量產並貢獻相應收入。侃見財經認為，在行業超高景氣的背景下，儲存行業龍頭企業業績將持續兌現，部分企業甚至實現跨越式增長，因此市場並未對兆易創新控股股東的減持行為過度反應。從業績層面來看，即便公司2025年業績已創歷史新高，但業績兌現節奏仍在加快。從市場格局來看，相較於海外市場，國內高端晶片擴產趨勢更為強勁，國記憶體儲晶片擴產節奏與邊際增速顯著優於海外，因此市場也更看好國記憶體儲晶片企業的業績放量。目前兆易創新動態市盈率依舊高達112倍，市場願意給出如此高的估值，核心是看好公司能夠通過持續高增長的業績，消化當前估值泡沫。 (侃見財經)

4月7日消息，據市場研究機構分析，消費型DRAM價格在今年一季度已大漲75-80%，預估第二季DRAM合約價格仍將再增45-50%！分析指出，2026年三月份消費型 DRAM的漲價動能主要集中在4Gb以下容量產品，其中DDR4 4Gb均價月增20%以上，漲幅明顯超出高容量產品。然而，目前DDR3與DDR2市場開始出現轉單需求。受限於產能嚴重不足，三月份DDR3、DDR2各容量產品均價出現20-40%不等的上調，漲幅較DDR4更加顯著。加上三星電子、SK海力士、美光等三大原廠正逐步關停DDR4產線，導致供小於求愈演愈烈。大廠將產能轉向DDR5與HBM等先進製程產品的趨勢，也在進一步加劇成熟市場供給緊張的局面。業內人士分析認為，大廠退出成熟製程的策略短期內難以逆轉，供給端收縮趨勢將持續主導市場走向。訂單轉移效應預計將在未來幾個季度內繼續擴大。部分下游廠商已開始提前備貨以應對後續可能出現的更大幅度漲價。另據報導，三星在今年一季度將 DRAM 合約價大幅上調 100% 後，二季度合約價將再度環比上漲 30%。目前三星已確認，於 3 月底與全球主要客戶完成新一輪價格談判並正式簽署供貨合同，漲價方案已全面落地。此次30%的漲幅並非侷限於單一品類，而是全面覆蓋 AI 伺服器所需的 HBM 高頻寬記憶體，以及 PC、智慧型手機等終端產品使用的通用 DRAM，屬於全產品線同步上調，體現出行業整體供需格局持續緊張。 (國芯網)

全球儲存格局生變。2026 年 3 月 26 日，美國 ITC 正式立案。針對NAND 快閃記憶體、DRAM 儲存晶片啟動 337 調查，案號 337-TA-1492。矛頭直指儲存巨頭。日本鎧俠全體系、韓國 SK 海力士及旗下美企，悉數列為被告。調查緣起專利圍剿。2 月 17 日，美國 MonolithIC 3D 發起投訴。指控涉案儲存晶片侵犯其 8 項美國專利，訴求發佈有限排除令與禁止令。調查節奏極快。ITC 將在 45 天內敲定結案期限。救濟令一經發佈，60 日即生終局效力，直指儲存晶片在美市場准入。337 調查涉案企業整理本次 337 調查主要針對日本鎧俠（Kioxia）及韓國 SK 海力士旗下多家關聯企業，具體涉案主體如下：鎧俠（Kioxia）系Kioxia Holdings Corporation（日本東京）Kioxia Corporation（日本東京）Kioxia America Inc.（美國加州聖何塞）Kioxia Engineering Corporation（日本名古屋）Kioxia Iwate Corporation（日本岩手）Kioxia Systems Co., Ltd.（日本神奈川）Kioxia Semiconductor Taiwan Corporation（台灣台北）SK 海力士系SK hynix Inc.（韓國京畿道）SK hynix America Inc.（美國加州聖何塞）SK hynix Memory Solutions America Inc.（美國加州聖何塞） (第一快閃記憶體)