#DRAM
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到2030年，機器人DRAM需求將增長約20倍

10月8日三星電子發佈第三季度初步業績：營業利潤107.4兆韓元，同比增長782.5%；營收195兆韓元，營業利益率55.1%。 三星由此成為全球首家單季營業利潤突破100兆韓元的科技公司，據韓國券商估算，其中記憶體業務貢獻約110兆韓元。 三星電子2026年第三季度合併初步業績公告。當季營收195兆韓元，同比增長126.59%；營業利潤107.4兆韓元，同比增長782.5%，營業利益率約55%。前三季度累計營業利潤254.13兆韓元，約為去年同期的10.8倍。每100韓元營收中約有55韓元轉化為營業利潤，一年前這一數字約為14韓元。以上為初步統計，最終以正式財報為準。資料來源：三星電子公告 三天後市場研究機構Counterpoint發佈人形機器人供應鏈報告，給出了記憶體行業下一階段的一組數字：全球人形機器人產業的DRAM需求，將從2026年的約8300Tbit增至2030年的約17.2萬Tbit，增幅超過20倍。
到2030年，機器人DRAM需求將增長約20倍
科技#三星電子#財報#人形機器人
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長鑫科技，最新突破

第一財經記者瞭解到，長鑫科技（688825.SH）的核心子公司長鑫記憶體總裁曹堪宇在10月10日的第四屆整合晶片和芯粒大會上透露了一項新的DRAM（動態隨機存取記憶體器）技術進展。曹堪宇介紹了名為4F²的DRAM架構，並表示長鑫記憶體預計年底將推出採用這項技術的新一代DDR5 RDIMM產品。 曹堪宇表示，該架構在DRAM記憶體陣列電晶體上進行了創新，VSG（Vertical Surrounded Gate）電晶體採用垂直包圍溝道結構，以實現更強柵控，解決漏電與短溝道效應痛點，豎立的電晶體有助於面積微縮，提升記憶體密度。 DRAM行業正朝著記憶體密度更大的方向發展。DRAM晶片設計中，一個記憶體單元通常由一個電晶體（1T）和一個電容器（1C）組成。F（最小特徵尺寸）代表晶圓製造工藝中光刻技術能實現的最小線寬或間距。4F²代表每個單元佔4倍最小特徵尺寸的平方。而目前DRAM行業內主流的架構是6F²。從6F²走向4F²，單位面積內電晶體數量增多，記憶體密度有所提升。 此外，4F²還針對傳統一體化製造中的工藝瓶頸給出瞭解決辦法。
長鑫科技，最新突破
A股#長鑫科技#DRAM#半導體技術
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記憶體荒的真兇不是GPU：2027到2028，HBM正在吃掉整個DRAM的產能帳本

2026 年 10 月，記憶體供給偏緊的判斷已經從分析師的 PPT 走進了原廠高管的嘴裡。SK hynix CEO 郭魯正（Kwak Noh-jung）警告，2027 年可能出現前所未有的記憶體供應短缺。路透社援引 UBS 的判斷，全球 DRAM 供不應求至少持續到 2028 年第二季度。下一個 AI 瓶頸很可能不是 GPU，而是你以為"已經不缺了"的記憶體。 聚焦 🔍 這輪緊張和 2017 年那種"某家工廠停電、某個品類缺貨"不一樣。它是結構性的：需求在按季度變，產能在按年交付，中間夾著一個把晶圓吃走的 HBM。 先說一個深夜的 debug
記憶體荒的真兇不是GPU：2027到2028，HBM正在吃掉整個DRAM的產能帳本
科技#記憶體#供應鏈短缺#HBM
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AI生態如何應對「天價記憶體」？降規、分離負載和CXL內存池化

內存短缺正成為AI擴張的最大"卡脖子"難題，但產業界並未坐等晶圓廠救場。降規、推理負載分離、CXL內存池化——三條繞道策略正在重塑AI算力格局，並催生新投資機會。摩根士丹利點名$Astera Labs (ALAB.US)$、 $邁威爾科技 (MRVL.US)$ 、 $Cerebras Systems (CBRS.US)$ 為核心受益標的，同時維持 $美光科技 (MU.US)$ 與$閃迪 (SNDK.US)$增持，判斷本輪內存短缺周期遠未終結。 內存短缺已成為本輪AI建設周期中最持久的結構性制約，而AI算力擴張的腳步不會等待新晶圓廠落地。面對這一矛盾，整個產業鏈正在探索三條繞道而行的路徑——降低內存規格、拆解推理負載，以及通過CXL技術實現內存池化共享——並在此過程中催生出新的投資機會。 摩根士丹利在最新研究報告中指出，$輝達 (NVDA.US)$CEO黃仁勳近期已明確表態，行業需要以全新思維應對內存瓶頸。這並非悲觀信號，而是產業界對未來數年持續短缺的主動預判。內存緊缺的烈度或有起伏，但AI將在可預見的未來基本吸收全部可用供應。 在投資層面，摩根士丹利將Astera Labs（ALAB）和Marvell（MRVL）列為CXL及規模擴展方向的潛在受益者，將Cerebras（CBRS）列為推理負載分離架構的核心受益標的，同時維持對Micron（MU）和SanDisk（SNDK）的增持評級，邏輯在於內存短缺周期遠未終結。
AI生態如何應對「天價記憶體」？降規、分離負載和CXL內存池化
科技#AI算力#CXL#算力格局
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記憶體增速放緩？別天真了。DRAM漲16%，NAND漲30%，誰在吃掉手機廠的利潤

記憶體漲價不是缺貨，是帳期遊戲。2026年10月的深圳，華強北的檔口老闆和科技園的手機PM都在算同一筆帳：美光（Micron）最新財報出爐，DRAM位元價格季度漲了16-19%，NAND均價漲了30%。好消息是增速放緩了，壞消息是價格還在漲，且2027年前沒糧吃。 科技分析師Runar Bjorhovde在領英撕開了這層窗戶紙：美光已鎖定16份戰略客戶協議（SCA），產能被提前幾年預訂。原話很直白——“2027年日曆過後供應依然緊張”。對手機和PC廠商（MBU/PC單元）來說，這不僅是成本問題，是生存結構被重構。 資料不講情面，只講定價權 看兩組硬資料：
記憶體增速放緩？別天真了。DRAM漲16%，NAND漲30%，誰在吃掉手機廠的利潤
手機#記憶體漲價#DRAM#NAND
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晶片，直奔2.3兆

人工智慧正在推動半導體行業實現前所未有的增長，同時顛覆長期以來的行業發展態勢，並重塑價值來源。 儘管半導體行業歷來屢屢超出市場預期，但2026年年初的行業表現依舊令人震驚。7月，半導體銷售額同比增幅創下40年新高，此後不久，市場營收首次突破1兆美元。無論以那種標準衡量，這種增長規模都可以說是非同尋常的。 與其他多個行業一樣，人工智慧的興起是半導體行業實現爆發式增長的根源。五大超大規模雲服務商公佈，計畫在2026年投入約8000億美元資本支出，2027年投入1兆美元，其中絕大部分資金將投向人工智慧基礎設施。這一趨勢推動前沿晶片與記憶體器的平均銷售價格大幅超出預期水平，行業增長因此遠高於市場此前預判。 受上述發展態勢影響，分析師紛紛上調半導體行業未來增長預期。在基準情景下，我們目前預測，到2030年半導體市場規模將達到2.3兆美元，較我們2025年秋季預估的1.6兆美元高出約44%。增長的速度與規模表明，如果人工智慧持續發展，或將永久重塑半導體行業延續已久的增長模式。雖然半導體市場向來具有強周期性，但人工智慧或將開啟一段持續增長時期，同時維持前沿晶片與記憶體器的高平均銷售價格。
晶片，直奔2.3兆
科技#人工智慧#AI晶片#DRAM
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美光財報炸裂！

美光預計2027財年和2028財年的記憶體及記憶體供需狀況將比2026年緊張得多。 美光科技2026財年第四財季營收和利潤雙雙大幅飆升，該公司表示，過去一年推動其爆發式增長的記憶體晶片短缺狀況毫無緩解跡象。 “自我們上次財報電話會議以來，行業需求有所增強，我們預計2027財年和2028財年的記憶體及記憶體供需狀況將比2026年緊張得多，”美光首席執行長Sanjay Mehrotra周三在與分析師的電話會議上表示。 Mehrotra表示，結構性的供需增長率差距導致了持續的供應緊張，即使考慮到行業新增的DRAM潔淨室空間計畫，在強勁的需求趨勢（包括客戶不斷提出的增量要求）下，我們看不到供需何時能恢復平衡的拐點。
美股#財報#美光科技#AI驅動
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三星、美光同時預警：DRAM不夠用了

HBM的繁榮，正在製造另一場DRAM短缺。 三星預警：明年DRAM供應進一步吃緊 明年高頻寬儲存器（HBM）佔全球DRAM晶圓產能的比重將逼近30%，較目前約20%大幅提升。在產能擠壓效應下，傳統DRAM（記憶體）供應恐將進一步吃緊。 機構分析預計，國際大廠持續擴大HBM產能佔比，資源全力向AI傾斜，進而擠壓DDR4、DDR3及利基型儲存器等傳統DRAM產能，導致市場供應更加緊張。這對南亞科技、華邦電子等主攻傳統DRAM的台系儲存器廠商構成利好，不僅接單量能大增，產品報價也獲得有力支撐。
三星、美光同時預警：DRAM不夠用了
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