以挑剔著稱的蘋果公司，業界傳認可了三星的一款DRAM產品，將佔三星出貨量的60-70%。 三星半導體的旗艦產品通常被稱為LPDDR（雙倍資料速率），這是一種通用DRAM。 韓國經濟日報報導，三星以一款「『無名英雄』產品，橫掃蘋果供應鏈」，已獲得LPDDR5X的最大量訂單，該晶片用於最新的iPhone 17，三星也因此成為「領先供應商」。業內人士估計，三星將大幅提升其市場佔額，預計將佔iPhone 17出貨量的60%至70%。 先前，三星電子和SK海力士在iPhone機型上的供應量一直被認為相近。 iPhone採用三家記憶體公司、SK海力士和美光LPDDR記憶體。據信，蘋果決定增加從三星的採購量，是因為它認為三星對於確保其每年生產的2.3億部iPhone所需的LPDDR記憶體供應至關重要。尤其是在SK海力士和美光近期將產能集中於高頻寬記憶體（HBM）的情況下，蘋果現在能夠儘可能地從三星獲得供應，而三星在通用DRAM市場佔據了相當大的佔額。 蘋果也向三星訂購了大量用於明年9月發佈的iPhone 18的記憶體。美媒wccftech則報導指出，蘋果雖然是市值上兆美元的巨頭，但也無法倖免於DRAM短缺的影響。 由於其與三星和SK海力士的長期合作協議預計將於明年初到期，該公司必須迅速採取行動以避免價格上漲。最新報導指出，蘋果已與三星達成合作，並在此過程中使三星成為其最大的DRAM供應商，三星提供的DRAM將佔其總出貨量的60%至70%，這些DRAM不僅用於現有的iPhone 17系列，還將用於明年的iPhone 18系列。iPhone 18系列將於明年第3季發佈，據傳將配備六通道LPDDR5X儲存器 以提升頻寬和AI效能。 在這種情況下，三星似乎是唯一能夠同時滿足其最重要客戶需求，並保證供貨量和質量的廠商。 該報告還指出，蘋果對DRAM的「規格」極為嚴格。此外，A19、A19 Pro以及明年的A20和A20 Pro等晶片組都無法承受瞬時電壓尖峰。 三星的12GB LPDDR5X 晶片厚度僅0.65毫米，是移動裝置中最薄的元件之一。 憑藉上述優勢，其熱阻提升了21.2%，功耗降低25%，蘋果毫不猶豫地選擇了三星作為替代供應商。 (大話晶片)

據報導，韓國兩大儲存晶片巨頭三星與SK海力士正加快記憶體生產，以應對來自AI的需求。報導稱，三星電子近期不僅提升了韓國國內DRAM和NAND快閃記憶體的產線利用率，更重點擴大了高頻寬記憶體（HBM）等高端產品的產出。另外三星在11月決定平澤五廠恢復施工，預定2028年開始量產，以強化該公司的滿足先進儲存晶片需求的能力。至於SK海力士，其位於清州的M15X新廠正緊鑼密鼓準備投產，該廠將聚焦於DRAM和其他AI導向的儲存產品。業界高層表示，SK海力士正試圖趕在原定的2027年前，完成位於龍仁半導體園區內的首座晶圓廠，該設施規模相當於六座M15X晶圓廠。由於AI相關需求預期在未來幾年持續激增，產能被視為競爭力的關鍵決定因素，根據Omdia的資料，全球DRAM市場規模預計在2026年前達到1700億美元，高於2024年的1000億美元。但是，遠水解不了近渴啊。權威市調機構IDC在最新的一份報告中，預測了2026年度的PC市場，強調受記憶體供應短缺、價格飆升的影響，存在極大不確定性，但整體不容樂觀。因此，IDC給出了三種不同的預測，最好的情況下PC市場將在2026年萎縮2.4％，中性情境下倒退4.9％，最悲觀的可能會銳減8.9％。同時出現的則是採購成本和銷售價格的上漲：中性情況平均價格漲4-6％，最差甚至要漲8％。事實上，從目前的情況看，IDC的這個預測，還是太保守了。聯想和戴爾兩大PC巨頭，都已經調高了產品價格，最高幅度達15％。定製廠商Framework已經停止了記憶體的單獨銷售，部分整機廠商甚至提供了不包含記憶體的配置選項。除了記憶體，硬碟的價格也將在2026年持續上漲，無論機械盤還是固態盤。簡而言之，如果你是絕對剛需，不管是需要記憶體、硬碟還是整機，趕緊下手。如果你的電腦還能跑兩三年，就忘了這一切吧，一個字：等！ (硬體世界)

國際半導體產業協會（SEMI）與TechInsights聯合發佈的最新《全球晶圓廠裝置支出報告》顯示，受3D NAND層數競賽、DRAM製程升級及先進邏輯產能本土化驅動，2027年全球晶片製造裝置銷售額將首次突破1560億美元，較2024年大增42%；其中中國大陸、台灣和韓國合計拿下72%的市場份額，成為拉動裝置需求的三駕馬車。報告指出，2025—2027年間，全球將新增300mm晶圓產線合計超過110條，年復合投片增速達9.8%。先進邏輯方面，台積電、三星、英特爾三家將相繼匯入High-NA EUV光刻機，單台售價約3.8億美元，預計貢獻220億美元增量；3D NAND陣營為突破400層堆疊，長江儲存、三星西安、SK海力士大連將大量採購高深寬比蝕刻與原子層沉積裝置，相關細分市場年復合增速高達18%。中國大陸繼續扮演“最豪買家”。SEMI資料顯示，2027年中國大陸裝置支出將達490億美元，佔全球31%，連續五年蟬聯第一大市場。增量主要來自中芯國際、長鑫儲存、長江儲存的產能爬坡，以及粵芯、芯粵、上海臨港等新主體擴產。值得注意的是，在美國出口管制持續收緊背景下，中國廠商加快對成熟製程與特色工藝的“補缺口”式投資——45nm至28nm節點的DUV浸沒式光刻機2026年交付量將同比提升60%，ASML、尼康、佳能三家合計向中國客戶交付180台。台灣方面，台積電2nm及A16（1.6nm）新竹寶山、高雄、台中三大基地同步建設，2027年裝置支出預計430億美元，佔全球28%，其中EUV相關投資就達140億美元。供應鏈透露，台積電已鎖定ASML 2026全年120台0.33 NA EUV與首批6台0.55 NA High-NA產能，用於2027年試產1.4nm原型。韓國則憑藉三星、SK海力士的DRAM與3D NAND擴產，2027年裝置支出將達310億美元。三星平澤P4、P5兩期工廠將匯入新一代GAA電晶體與400層V-NAND工藝，單廠年裝置預算超80億美元；SK海力士則在龍仁未來產業叢集新建M15X DRAM產線，全面採用EUV光刻+High-k金屬柵，目標2027年實現1cnm（約10nm級）DRAM量產。分裝置類型看，2027年蝕刻、薄膜、光刻三大核心裝置銷售額將分別達280億、260億、250億美元，合計佔市場半壁江山。其中，原子層蝕刻（ALE）與電漿體增強ALD年復合增速超20%，成為3D NAND與GAA電晶體的關鍵瓶頸。國內裝置廠商亦加速“補位”：北方華創、中微公司、盛美半導體2026年本土市佔率有望由2024年的15%提升至25%，但EUV、High-NA光刻機與超高深寬比蝕刻仍依賴進口。SEMI全球總裁Ajit Manocha指出，1560億美元只是“保守數字”，若美國、歐洲、日本進一步加碼本土化激勵，裝置支出峰值可能提前至2026年出現。對於高度分工的全球半導體供應鏈而言，裝置需求爆發意味著“製造再全球化”正式開局，誰能在EUV、High-NA、3D整合與先進封裝四大戰場搶到產能，誰就將在下一個十年掌握晶片話語權。 (晶片行業)

據全球最大的儲存器製造商之一稱，DRAM 供應緊張的局面預計將持續到 2028 年。主流PC市場正面臨記憶體供需長期失衡的局面，據報導這種情況將持續到2028年。SK海力士的內部分析顯示，“商品級”DRAM的增長將十分有限，無法滿足市場需求。我們已經知道DRAM價格高得離譜，但這種情況似乎已經失控，使得大眾難以買到價格合理的PC。使用者@BullsLab分享了據稱是SK海力士內部分析的截圖。該分析預測，除高頻寬記憶體（HBM）和SOCAMM模組外，普通DRAM的增長至少在2028年之前仍將受到限制。這是因為主要的記憶體製造商已經將重心轉移到滿足AI伺服器的需求上，而面向消費市場的產能出現顯著增長的可能性仍然很低。據報導，現有供應商的庫存已降至歷史低位，這進一步加劇了分配壓力。報告顯示，SK海力士等記憶體製造商採取了保守的產能擴張策略，更注重維持盈利能力，而非向市場大量投放新的DRAM產品。伺服器DRAM的需求幾乎呈指數級增長，預計明年增長速度將更快。據估計，伺服器份額將從2025年的38%飆升至2030年的53%。由於人工智慧的蓬勃發展，雲服務提供商正大力建設人工智慧訓練資料中心，預計這將引發DRAM的超級周期。一些報告還指出，製造商2026年的關鍵DRAM生產配額已經售罄，而傳統PC DRAM的產量預計在未來幾年內將無法滿足需求。我們已經看到人工智慧PC市場份額的激增，預計到2026年，人工智慧PC系統將佔整個PC市場的55%左右。儘管預計2025年PC整體出貨量將與此持平。關於NAND快閃記憶體，SK海力士的分析也表明，由於伺服器端需求更高（利潤也更高），NAND快閃記憶體的供應增長可能會滯後於消費市場的需求增長。總而言之，這項分析揭示了消費市場一個令人擔憂的趨勢。我們此前預計這種情況會持續到2027年，但現在看來，它似乎在2028年底之前不會停止。蘋果DRAM長約到期，漲價在即一家公司兆美元的市值並不足以使其免受全球零部件短缺的影響，這幾乎意味著蘋果也將不得不支付巨額資金，從三星和SK海力士等公司購買DRAM晶片，用於其眾多產品。最新傳聞稱，蘋果公司與韓國廠商簽訂的長期協議（LTA）即將到期，而上述韓國廠商可能正摩拳擦掌，準備從2026年1月起向其利潤豐厚的客戶收取高額的DRAM晶片溢價。真正的問題是，蘋果是否會將這些成本上漲轉嫁給其忠實的粉絲群體。這次的情況極其嚴峻，據報導，三星不僅 為了最大化利潤而拒絕了旗下移動體驗部門的DRAM供應請求，而且還將重心從HBM轉向DDR5生產，因為這種策略能帶來更高的利潤。@jukan05 懇請他在X論壇上的讀者儘可能多地購買電子產品，否則將不得不付出慘痛的代價。據稱，蘋果公司將向三星和SK海力士支付更高的DRAM溢價，這將導致其眾多產品價格大幅上漲，例如即將推出的低價版MacBook、M5 MacBook Air、iPhone 18 系列、iPhone Fold、重新設計的OLED M6 MacBook Pro等等。幸運的是，這家總部位於加利福尼亞的科技巨頭擁有兩項優勢，這兩項優勢將在DRAM短缺期間發揮至關重要的作用。首先，蘋果公司坐擁數十億美元的現金儲備；其次，其專注於自主研發晶片的策略使其能夠消化這些成本上漲。例如，iPhone 16e中使用的 C1 5G 數據機 預計可為蘋果節省每台裝置 10 美元的成本。雖然這聽起來不多，但考慮到每年數百萬台的出貨量，最終節省的金額將相當可觀。據稱，蘋果將於今年晚些時候推出其研發數月的C2晶片，該晶片將應用於明年的旗艦機型。此外，與其他競爭品牌不同，蘋果堅持使用其定製的A系列SoC晶片，並將其獨家應用於自家產品。由於成本上漲，據傳高通和聯發科等其他晶片組製造商明年將把LPPDR6晶片獨家用於驍龍8 Elite Gen 6和天璣9600  ，因此蘋果的處境略好一些。然而，計畫明年升級到iPhone的使用者可能會感到意外，因為@jukan05提到，蘋果很可能會在2026年上半年提高包括iPhone在內的產品價格。戴爾大幅度漲價戴爾是最大的個人電腦製造商之一，該公司已內部通知員工，由於DRAM記憶體短缺，公司準備大幅提高多種產品的價格。記憶體短缺似乎已經蔓延到PC供應鏈中的“主流”製造商。據Business Insider報導，戴爾公司披露的內部郵件顯示，該公司預計將在其“商用產品線”（包括筆記型電腦和預裝PC）上調價格。此次漲價幅度預計將是該公司有史以來最大的漲幅之一，據稱筆記型電腦和PC的價格未來都可能上漲“數百美元”。而且，價格上漲不僅限於記憶體短缺，更大容量的儲存裝置也將大幅增加成本告稱，戴爾最新款Pro和Pro Max系列筆記型電腦和桌上型電腦，下周起價格將上漲，最高漲幅達230美元，具體漲幅取決於記憶體配置。此外，如果選擇128GB記憶體的機型，每台裝置的價格可能上漲高達765美元，如此大幅度的漲幅令消費者感到意外。不僅如此，如果遊戲玩家想要額外購買儲存空間，價格也將大幅上漲。一位戴爾員工預計，最終漲幅可能高達30%，具體取決於戴爾的合同條款，而戴爾的合同金額並不小。預計多款產品將受到記憶體短缺的影響，據 Business Insider 報導，戴爾的新定價表顯示價格上漲情況如下：戴爾Pro和Pro Max筆記型電腦及桌上型電腦（配備32GB記憶體）價格上漲130至230美元配置128GB記憶體的系統價格將上漲520至765美元。配備1TB 固態硬碟的配置價格將上漲 55 至 135 美元。戴爾 Pro 55 Plus 4K 顯示器價格上漲 150 美元配備NVIDIA RTX PRO 500 Blackwell GPU（6 GB）的 AI 筆記型電腦價格上漲 66 美元配備NVIDIA RTX PRO 500 Blackwell GPU（24 GB）的 AI 筆記型電腦價格上漲 530 美元值得注意的是，戴爾是全球最大的PC製造商之一，這意味著如果該公司實施大範圍提價，聯想、宏碁、華碩等其他競爭對手很可能也會效仿，這將導致消費者在未來一年面臨艱難的局面。更重要的是，記憶體短缺問題短期內不太可能結束，一些預測甚至認為這種情況可能會持續到2027年，這意味著未來幾個季度記憶體供應仍將受到限制。人工智慧雖然承諾讓人類的遊戲體驗更輕鬆，但卻給遊戲玩家帶來了挑戰，而且未來購買一台計算裝置似乎會變得更加困難。半導體進入超級周期KB證券15日預測，從明年開始，儲存器半導體周期將擴展到伺服器和高頻寬儲存器（HBM），導致前所未有的供應短缺。KB證券研究部主管金東元表示：“受人工智慧和儲存器業務的推動，今年第三季度全球半導體銷售額環比增長15%，達到318兆韓元，創歷史新高。預計今年全球半導體銷售額將比上年增長24%，達到1180兆韓元，首次突破1000兆韓元大關。”金補充道，從明年開始，半導體周期將從專注於HBM擴展到包括伺服器記憶體和HBM，這將導致前所未有的供應短缺。這一預測源於對HBM、伺服器DRAM和企業級固態硬碟（eSSD）的需求不斷增長，因為隨著人工智慧推理工作負載的擴展以及雲服務提供商增加對人工智慧應用的資料處理，這些需求都在不斷增長。雖然HBM在人工智慧訓練階段至關重要，但人工智慧服務的商業化將推動伺服器DRAM需求的快速增長，以處理推理階段的大規模資料。Kim指出：“根據產品速度和規格的不同，HBM4的價格預計將比HBM3E溢價28%至58%。半導體市場預計將進入一個超級周期，甚至超越以往的超級周期。”他繼續說道：“三星電子擁有多元化的專用積體電路（ASIC）客戶群，主要面向大型科技公司。預計其明年的HBM出貨量將比上年增長兩倍。這將使其HBM市場份額從今年的16%擴大到明年的35%以上，增長超過一倍。儘管三星電子擁有全球最大的DRAM產能，但其目前的估值水平卻是最低的，這表明其被嚴重低估的局面即將得到解決。” (半導體行業觀察)

11月23日，長鑫存儲在IC China 2025上發佈最新DDR5系列產品，最高速率達8000Mbps、單顆容量最高24Gb，躋身國際頂級性能梯隊。同步亮相的LPDDR5X產品與之形成“雙芯共振”佈局，最高速率突破10667Mbps，16Gb容量節點實現關鍵技術跨越。這標誌著中國儲存晶片技術以“領先者”姿態站上全球舞台。這一里程碑背後，長鑫存儲用不到十年的時間從零起步，突破專利封鎖、補齊技術體系，並實現對國際巨頭的正面追擊，其背後的發展路徑與成功要素值得深入剖析。以下為正文：在全球半導體產業鏈中，DRAM被視為最難突破的領域之一。該賽道被韓國三星、SK海力士和美光三大巨頭壟斷，專利、工藝和資本壁壘層層疊加，中國企業始終難以進入核心區。長鑫存儲卻在不到十年的時間裡，從一紙立項走到量產、再到衝刺IPO，成為國產儲存突圍的代表。它的崛起，是國家戰略需求、地方產業政策和企業技術攻堅共同托舉的結果。01. 量產破局：打響國產DRAM第一槍長鑫存儲的起點或源於一次收購失敗。2015年，兆易創新收購爾必達計畫失敗。這次折戟，讓國內產業界真正意識到DRAM行業的牢固壁壘。全球市場長期由三星、SK 海力士和美光“三巨頭”壟斷，核心專利高度集中，國內企業仍處於技術受限的被動局面。此時，合肥市政府拋出橄欖枝，提出“政府出資、企業出人出力”的合作模式。雙方很快達成一致：共同投資建設DRAM項目。2016年，長鑫存儲正式成立，承擔起國產DRAM攻關的重任。2018年，一期廠房建設完成，裝置搬入並開始驗證投片。2019年9月，與國際主流DRAM產品同步的10奈米級第一代8Gb DDR4首度亮相，一期設計產能每月12萬片晶圓。同年12月，長鑫成功實現規模化量產，並於次年（2020年）正式推向市場。這是中國大陸首次擁有自主可控的DRAM量產能力，國產技術攻堅戰正式打響。但當時的工藝仍落後國際兩代，追趕只是剛剛開始。02. 地方托舉：資本、生態與人才DRAM是半導體產業中最典型的“百億起步”賽道。投入大、周期長，沒有強大的資本托底，很難熬到見效的那一天。長鑫的快速起勢，離不開合肥在資本層面的鼎力支援。2016年，合肥市政府瞄準國家積體電路產業發展戰略，聯合兆易創新共同啟動總投資1500億元的DRAM項目。其中，合肥市政府牽頭投入130億元，帶動安徽國資體系及社會資本共同形成360億元的首期資金池，為項目夯實了關鍵一步。至2020年A輪融資，“以投帶引”的國資模式效果凸顯。合肥產投等核心平台持續持股，向市場釋放出堅定的長期支援訊號，大基金二期、小米集團等知名機構隨即積極入局。2024年，合肥產投通過合肥產投壹號股權投資合夥企業參與108億融資，加上關聯主體長鑫整合的出資，形成國資對本輪融資的直接托底。產業生態上，合肥以長鑫為核心，打造本地化半導體叢集。上游引入廣鋼氣體、上海新陽、至純科技等企業，推動國產裝置和材料的驗證與替代；下游聯合兆易創新、聯寶科技等企業，拉動終端需求。人才層面，安徽省教育廳鼓勵中科大、合工大等高校與長鑫存儲等積體電路頭部企業深度融合。據悉，合肥工業大學與長鑫共建的“研究生聯合培養基地”入選首批省級基地，合作方向涵蓋積體電路設計、工藝等關鍵領域，提供持續的人才供給。“強資本、強生態、強人才”多維共振，讓長鑫存儲在合肥順利紮根，並加速駛入高品質發展的快車道。03. 全線提速：技術追趕、產能狂飆自此，長鑫存儲進入高速爬坡階段，在技術、產能與市場三條主線上全面提速。技術方面，專利+人才雙突破。早在發展初期，長鑫就與歐洲DRAM技術先驅奇夢達合作，拿下1000多萬份技術檔案及2.8TB核心資料，搭建起研發基礎框架。後續又收購英飛凌、美國藍鉑世部分DRAM專利和實施許可，持續築牢專利護城河。此外，長鑫請來奇夢達兩位“老兵”：任職24年的前技術副總裁庫斯特（Karl Heinz Kuester），以及曾主導奇夢達西安研發中心的濮必得（Peter Poechmueller），組成顧問團為技術迭代保駕護航。在此基礎上，長鑫深挖DUV裝置潛力，通過製程最佳化、材料迭代不斷縮小差距：從19nm到17nm，再到2024年量產16nm DDR5；2025年更在IC China發佈新一代產品，DDR5最高速率達8000Mbps，LPDDR5X達10667Mbps，正式躋身全球 DRAM一線陣營。產能方面，自2016年合肥DRAM基地一期項目啟動後，2020-2021年，北京DRAM一期、二期項目先後啟動，逐步擴大廠房建設。2022年1月，北京一期試產線通線；同年6月，合肥二期廠房封頂。2024年底，長鑫存儲月產能23萬片晶圓，2025年底升至28萬片，2026年劍指30萬片，逐步縮小與三星、SK海力士的差距。依託國內土地、能源、人力成本優勢，長鑫擴產成本比韓國廠商低約40%，產品價格也低10%-15%，在消費電子、物聯網等價格敏感領域站穩腳跟，抵禦外商產能壟斷的衝擊。市場端，技術與產能的突破，疊加今年儲存行情回暖，讓長鑫存儲快速打開局面。當前，北美AI伺服器需求暴增，儲存晶片供需缺口拉大，DRAM市場進入上行周期。集邦諮詢資料顯示，2025年三季度傳統 DRAM 價格環比漲10%-15%，含 HBM 則漲15%-20%，四季度預計再漲8%-13%（含 HBM 13%-18%）。摩根士丹利指出，DDR5 現貨價格在過去兩個月內飆升超 260%，熱度可見一斑。這波行情為長鑫帶來雙重機遇：一方面，其16nm DDR5、高速率 DDR5/LPDDR5X 產品，契合伺服器、高端手機的性能需求，具有廣闊市場需求；另一方面，價格上漲周期中，長鑫的技術優勢能進一步放大盈利空間。目前，長鑫存儲的產品已通過多家主流儲存模組商和方案設計公司，間接匯入至小米、OPPO、vivo、傳音等主流手機品牌的供應鏈中，物聯網領域合作落地，伺服器領域也即將突破。Counterpoint預測，2025年底長鑫DDR5市佔率或升至7%，LPDDR5X 接近 10%，全球話語權持續提升。但是，DRAM的周期性風險仍需警惕。儲存產品像大宗商品一樣，對供需敏感、價格波動大；且擴產周期長達 2-3 年，產能與需求易錯配。一旦未來 AI 伺服器需求放緩、行業產能過剩，長鑫可能面臨庫存積壓、價格下跌、現金流承壓的多重壓力。如何在周期波動中平衡擴張與風控，仍是其長期發展的核心課題。04. 尾聲2025年7月，長鑫啟動A股IPO輔導，僅用三個月完成驗收，上市處理程序明顯加速。市場普遍預期其估值約1400億元，募資規模接近300億元，主要用於推進15nm工藝與3D DRAM研發。上市對長鑫而言，是從“追趕”邁向“加速”的關鍵跳板。它將帶來更充裕的資本、更完善的治理機制，也將推動公司在HBM、先進封裝、國產裝置適配等領域展開新一輪投入。總體來看，長鑫存儲已經走在國產DRAM突圍的最前線。從破局起步到產業生態托舉，再到技術與產能的加速成長，它已經證明國產DRAM“能做、能量產、能追近”。下一步，則是向‘並跑’乃至‘領跑’的目標發起衝擊。而隨著上市臨近，一個更市場化、規模化、體系化的長鑫，也正在路上。 (芯師爺)

“一天一個價，甚至一天幾個價”，深圳華強北的儲存商戶們這樣描述近期的市場行情。這是儲存行業進入超級周期的鮮明寫照。眾所周知，隨著AI需求的爆發，儲存行業正經歷一場前所未有的結構性變革。2025年下半年，尤其是近幾個月以來，儲存行業全面進入加速上行周期，儲存原廠盈利能力持續提升，HBM供應緊張，SK海力士2026年底前的產能已基本被AI大客戶鎖定，三星留給中小廠商的份額不足10%。HBM之外，在這一浪潮中，DRAM作為儲存賽道的另一關鍵領域，重新回到了各大廠商的戰略核心位置，備受追捧。面對當前儲存市場供不應求、價格持續上漲的局面，三星電子、SK海力士、美光三大儲存晶片巨頭採取了不同的應對策略，以適應市場的變化，搶佔未來發展的制高點。AI熱潮下，儲存巨頭轉向與產能豪賭三星：縮減HBM產能，擴建DRAM產線近期，三星電子計畫將用於HBM3E生產的第四代1a奈米製程產能下調30%-40%，轉而投入第五代1b奈米製程的通用DRAM生產，每月可新增約8萬片晶圓產能。據悉，目前三星的HBM3和HBM3E記憶體均基於1a奈米製程的DRAM，而HBM4則基於1c奈米製程，以形成對SK海力士的競爭優勢，1b奈米製程工藝產能主要由通用DRAM佔據，包括DDR5、LPDDR5X等，也有部分會用於生產GDDR7。因此，對於三星電子而言其1b製程DRAM產能的盈利能力反而超過了受益於HBM高價格的1a製程，進而推動其產能從HBM熱潮到DRAM轉向。據瞭解，三星這次調整的背後是明確的利潤考量。三星內部評估顯示，儘管HBM產品單位售價高，但其議價能力弱。雖然三星HBM3E良率已有顯著提升，今年下半年也加入了輝達的HBM3E供應鏈，但其供應量仍然有限，且供給輝達這些大客戶的HBM3E價格也要比競爭對手低，這也導致了三星當前的HBM3E產品的利潤率只有約30%左右。此外，輝達、AMD等頭部廠商都計畫從明年開始將其主要產品的需求過渡到HBM4，這也將導致HBM3E市場需求減少。據預計，明年12層HBM3E產品的售價可能將再下降30%以上，這也意味著三星HBM3E的利潤率可能會進一步降低。而相比之下，在AI熱潮下，HBM搶佔標準DRAM產能，短期內DRAM擴產幅度有限等原因，導致基於1b奈米製程DRAM產能的通用DRAM產品供不應求、價格持續上漲。三星基於1b DRAM產能的DDR5等通用DRAM的利潤率將超過60%，遠高於HBM3E產品。因此，對於三星來說，降低HBM3E產能，擴大標準DRAM產出將更有利可圖。不僅如此，三星還將平澤和華城園區的部分NAND快閃記憶體產線改造為DRAM產線，聚焦資料中心所需的大容量DDR5及LPDDR5X產品，以快速響應AI伺服器的旺盛需求。另一方面，三星為搶佔HBM4先機，也正在加緊提升1cnm DRAM的生產能力，計畫到2026年第二季度將產能提升至每月14萬片晶圓，到第四季度進一步提高到每月20萬片晶圓。據TrendForce報導，為實現這一目標，三星一方面通過現有的DRAM生產線過渡，另一方面通過平澤P4工廠的新投資來實現。不過最近也有傳聞表示，三星對於HBM4的投資偏於謹慎，可能也在考慮進一步削減投資。從整體而言，在這場產能佈局的調整中，三星展現出了果斷的決策力。通過這一系列舉措，旨在最佳化產能配置，提高生產效率，從而在激烈的市場競爭中佔據更有利的地位。正如業內知情人士透露：“三星致力於在明年取得優異的市場業績，其核心目標是實現比SK海力士更高的利潤，並在盈利能力方面實現趕超。因此，這也是三星計畫保持DRAM產量的高速增長，並計畫將大部分產能分配給利潤率較高的通用DRAM的原因所在。”SK海力士：通用DRAM需求激增，產能暴漲8倍與三星的戰略調整相呼應，SK海力士也在調整自己的產能佈局。據報導，為應對旺盛的DRAM需求，SK海力士計畫將DRAM產能投資目標翻了一番。不過不同的是，SK海力士的大部分DRAM產能的擴張仍是投資於HBM等資料中心產品的應用。SK海力士在其第三季度財報會上進一步強化了這一預期：“儘管通用DRAM的利潤率可能與HBM相近，但我們不會僅僅因為盈利能力的暫時性變化就立即調整產能結構。”可見，SK海力士擴產規劃與旨在通過擴大通用DRAM供給來提升獲利的三星電子存在差異，其更傾向於提高面向資料中心的DRAM產品需求來提升獲利，畢竟SK海力士在HBM領域的市場份額遙遙領先，並且2026年的HBM產能已銷售一空。對此，SK海力士M15X晶圓廠預計2025年底量產1b DRAM，初期月產能3.5萬片，主要用於HBM3E核心晶片生產，以鞏固其在HBM市場50%以上的份額優勢，未來預計可擴大至5.5萬-6萬片。業界估算SK海力士的HBM4利潤率約為60%。，其明年HBM銷售額約為40兆至42兆韓元。若維持與今年相同的利潤率，SK海力士僅HBM業務就將產生約25兆韓元營業利潤，較今年的17兆韓元增長近50%。不過值得注意的是，在加碼HBM產能的同時，SK海力士並未放緩通用DRAM的佈局。SK海力士的產能提升計畫重心主要集中在最先進的1c DRAM技術節點。據韓國媒體報導，SK海力士計畫明年將第六代10奈米DRAM（1c DRAM）月產能從目前約2萬片300mm晶圓提升至16萬至19萬片，增幅達8至9倍，佔其DRAM總產能的三分之一以上。據業內人士透露，SK海力士已將1c DRAM的良率提升至80%以上，該製程主要用於製造DDR5、LPDDR和GDDR7等最新通用DRAM產品。而此次擴產後的1c DRAM將主要聚焦於生產GDDR7和SOCAMM2等產品，以滿足輝達等大型科技公司的訂單需求。此前，SK海力士將產能重點放在HBM上，判斷HBM需求增長將超過通用DRAM。但隨著AI模型從學習擴展到推理領域，通用DRAM的需求增速預計將與HBM相當。在AI推理應用中，比HBM更節能、更經濟的先進通用DRAM成為主流選擇。輝達近期發佈的AI加速器Rubin CPX採用的是GDDR視訊記憶體而非HBM視訊記憶體，直接部署在處理器旁邊。輝達使用的面向AI伺服器和PC的記憶體模組標準的SOCAMM2記憶體模組同樣採用1c DRAM，與HBM相比頻寬較低但能效更高。Google、OpenAI和亞馬遜網路服務等大型科技公司也在開發整合大量通用DRAM的定製AI加速器。在此行業趨勢下，業內人士預測SK海力士將獲得一定數量的供應訂單。這一戰略調整反映出AI推理應用對成本效益更高的通用DRAM需求激增，SK海力士正將戰略重心從HBM擴展至更廣泛的AI記憶體市場。相比需要複雜堆疊工藝的HBM，1c DRAM的生產效率更高，能夠更快速響應市場需求的爆發式增長。綜合來看，在HBM和通用DRAM雙輪驅動下，業內人士預計，SK海力士明年設施投資額將輕鬆突破30兆韓元，較今年預計的25兆韓元大幅增長。市場預測該公司明年營業利潤有望超過70兆韓元，創下歷史新高。美光：多業務終止，聚焦高價值DRAM相較於韓國儲存雙雄，美光的戰略轉向顯得更加決絕。美光不僅選擇終止移動NAND產品開發、甚至不惜砍掉消費類業務品牌Crucial，計畫將這部分產能重新分配到毛利潤率更高的HBM/企業級DRAM和SSD產品上來，將未來所有產能和研發資源全力投向資料中心市場，以滿足AI領域日益增長的需求。這個看似簡單的品牌“停擺”決策，背後藏著一張利潤表的激烈博弈。據美光內部一份未公開的財務資料顯示，2025年上半年，資料中心儲存晶片的毛利率高達42%，而消費級儲存產品的毛利率僅為14%，前者的利潤是後者的3倍。對此，Crucial品牌營運負責人在內部會議上無奈表示：“我們不是放棄消費者，而是在資本的選擇裡，沒有太多餘地。”TrendForce集邦諮詢報告指出，美光目前正在新建多個工廠的產能。比如，在台灣的A5工廠，主要是擴大HBM堆疊能力，目前正計畫破土動工；美光在美國的ID1晶圓廠位於愛達荷州博伊西市美光研發中心附近，奠基儀式於2024年舉行，預計新晶圓廠將於2027年上半年開始生產晶圓；在美國的ID2晶圓廠的第二階段將在第一階段晶圓廠完工後開始建設，並比N.Y.Fab更早進入大規模生產；位於美國的N.Y.Fab目前仍處於準備階段，計畫於 2025 年底開始破土動工，預計將於2030年前進入量產階段；位於日本廣島工廠預計將於 2026 年開始建設，主要將用於HBM相關生產。值得注意的是，在愛達荷州的博伊西晶圓廠，美光把原本生產消費級儲存晶片的3條生產線，全部改成了生產HBM和資料中心用DRAM晶片的生產線。“我們跟輝達簽了一份為期3年的供貨協議，每年要給他們供應至少120萬顆HBM晶片，為了完成這個訂單，我們不得不調整產能。”美光首席執行長Sanjay Mehrotra在財報電話會議上表示。據路透社消息，在經過大規模的市場調查之後發現，今年10月，Google、亞馬遜、微軟和Meta也紛紛向美光提出了“無限期訂單”，他們告訴美光，無論價格如何，只要能交付多少，他們就會接收多少。這或許也能解釋，美光為何不惜砍掉自家的消費類品牌來增加資料中心/企業級的供給。美光科技首席商務官Sumit Sadana在接受採訪時表示，2026年DRAM記憶體供應形勢將比當前更為嚴峻。他指出，HBM產品對晶圓的消耗約為傳統DRAM的三倍，而主要廠商正將大量產能轉向HBM，疊加新建DRAM晶圓廠成本上升與周期延長，短期內難以實現大規模擴產。美光計畫於2026年小批次交付HBM4，有望提升其在該領域的市場份額，逐步接近整體DRAM市場的佔有率水平。今年6月，美光宣佈開始逐步停產DDR4，預計在未來6到9個月內出貨量將逐步下滑，直至最終徹底停產。這一動作清晰地展現出其對高端產品的傾斜與對未來趨勢的前瞻判斷。美光通過聚焦高價值儲存戰略，強化了其在高端儲存市場的優勢，也為未來發展積蓄了新的動能。不過，隨著智慧型手機、汽車等領域DRAM搭載量持續提升，美光正與客戶協商調整車用記憶體定價策略，並將適當延長DDR4記憶體生產以滿足市場需求。產能轉向背後，深層邏輯與三重驅動分析來看，儲存巨頭的產能轉向並非偶然，而是由利潤、需求和技術三重因素共同驅動的戰略調整，但其路徑選擇卻因各自市場地位與技術儲備的不同而呈現出顯著差異。利潤是最直接的驅動力： 三星的HBM3E因定價較競爭對手低約三成，且市場份額有限，營業利潤率僅為30%左右。相比之下，AI熱潮導致的供應緊張，使得基於1b奈米製程的通用DRAM（如DDR5）的預期利潤率超過60%。這一巨大的利潤差，直接驅動三星計畫將30%-40%的1a奈米HBM3E產能轉向通用DRAM；而SK海力士因其在HBM市場佔據絕對主導地位，其HBM業務利潤率高達約70%，因此其重心仍優先保障HBM，但也同時加速擴產1c DRAM，應對通用DRAM利潤率即將追平HBM的市場變化；美光則最為決絕，通過砍掉消費級品牌Crucial，將全部產能和資源重新分配給利潤率數倍於消費級產品的資料中心/HBM市場，規避低利潤陷阱。市場需求的變化同樣關鍵：在需求層面，AI應用從訓練向推理及邊緣側延伸，引發了對大容量、高性價比儲存的結構性變化。這不僅持續推高HBM需求，更催生了對GDDR7、大容量DDR5/LPDDR5X等通用DRAM的爆發性需求。例如，輝達新發佈的AI加速器也採用了基於通用DRAM的解決方案。面對Google、微軟等雲巨頭“無限期訂單”的強勁需求，巨頭們不得不重新評估產能分配。面對AI浪潮下的市場結構變革，三星聚焦AI伺服器亟需的大容量DDR5/LPDDR5X，搶抓通用DRAM短缺紅利；SK海力士兼顧AI訓練對HBM的剛需與AI推理對GDDR7等高效通用DRAM的新增需求，平衡短期訂單與長期趨勢；美光則響應輝達、Google等巨頭的“無限期訂單”，加碼資料中心儲存供給。技術與產能的適配性是戰略落地的基礎：HBM生產複雜、良率爬升慢，擠壓了通用DRAM的晶圓產能。因此，三巨頭的製程策略出現分化：三星以1b製程提升通用DRAM產能效率，同步押注更先進的1c奈米製程用於未來HBM4，以尋求技術超車；SK海力士則基於其領先優勢，選擇將更成熟、可快速擴產的1b奈米製程作為HBM3E/HBM4的產能基石，實現通用產品快速擴產，規避HBM複雜工藝的產能限制；美光通過產線改造與DDR4停產，集中資源攻克HBM4技術與高端DRAM領域，適配高端市場需求，三者均以製程升級實現產能最佳化與利潤最大化的雙重目標。同時，為快速響應市場，三星和SK海力士都在大幅擴建1c奈米通用DRAM產能，而新建工廠周期較長，普遍到2027年及以後才能達產，也迫使它們必須最佳化現有產能。儲存三巨頭，博弈與分野在這場儲存盛宴中，三星、SK海力士、美光三巨頭憑藉技術優勢、市場份額與產能規模，成為最大受益者，各自謀劃未來藍圖。三星電子、SK海力士和美光科技在DRAM領域的競爭呈現差異化特徵。三星正以規模優勢重塑其市場地位，計畫將每月1b奈米製程產能增加約8萬片晶圓。該公司計畫通過平澤Fab 4工廠的1c製程專用產線，在2026年將DRAM產能提升至每月15萬片。從市場份額來看，2025年Q1三星在全球DRAM市場的份額為34%，落後於SK海力士的36%。但三星憑藉其強大的技術實力和產能優勢，採用“通用DRAM保量、HBM4搶高端”的雙線策略，目標是在2026年實現DRAM營業利潤超越SK海力士，重新奪回全球DRAM市場份額第一的寶座。SK海力士則採取了不同策略，作為HBM市場的絕對龍頭，選擇聚焦高壁壘的HBM3E/HBM4產能擴張，短期以HBM3E保障輝達、Google等核心客戶的確定性需求，規避HBM4量產過早帶來的技術驗證風險；長期通過HBM4、HBM4E的技術迭代與產能擴張，維持市場龍頭地位並鎖定高端溢價。同時增加資料中心級DRAM供應，以1c製程擴產為核心抓手，既通過資料中心專用產品承接AI算力爆發需求，又靈活調整通用DRAM產出，把握價格上漲周期的盈利機遇，同時保障客戶供應鏈穩定。SK海力士在DRAM與HBM兩大賽道的佈局始終緊跟市場需求變化，形成核心業務穩固擴張、高端產品精準卡位的雙軌戰略。據報導，SK海力士2026年全系列儲存訂單基本已經售罄。在面對市場變化和競爭壓力時，美光的策略更加聚焦。在退出中國資料中心市場後，美光將資源集中於HBM4技術研發與DDR5產能建設，計畫在2026年將HBM產能增加四倍，並加速 1α 奈米製程的量產。同時主動縮減消費級DRAM品牌業務，將產能優先分配給蘋果、Google等高價客戶，這一舉措雖然在短期內可能會影響美光在消費市場的份額，但從長期來看，有助於美光提升整體利潤率。在技術研發上美光也不遺餘力，不斷提升HBM和DDR5的性能指標，以滿足高端市場對儲存性能的嚴格要求。儲存漲價潮持續，重塑產業鏈儲存巨頭的產能轉向正在對整個行業產生深遠影響。對消費電子市場的影響首當其衝。有業內人士表示，記憶體價格已經飆升到“幾乎負擔不起”的程度。這種局面大機率會貫穿整個2026年，可能要到2027年下半年才有所緩解。在供應鏈層面，儲存模組廠成為受影響最直接的一環，產品隨行就市，上游漲價，下游傳導。許多頭部模組廠已經決定暫停出貨並重新評估報價。能夠感受到，產業鏈重塑正在悄然發生。尤其是在AI浪潮帶來的超級周期下，儲存市場正從消費驅動向技術驅動轉型。隨著大模型訓練和推理對記憶體容量需求的激增，HBM和DDR5記憶體的緊缺可能進一步傳導至整個儲存產業鏈。市場預計這一供需失衡局面將持續到2027年，當新的產線陸續投入營運，儲存行業的格局也將隨之改變。不過，隨著輝達將AI晶片更新周期縮短至一年，儲存行業的這場技術軍備競賽，遠未到停歇之時。(半導體行業觀察)

“明年的成本預估看得人有點‘驚悚’。”近期，小米通訊技術有限公司產品行銷總監馬志宇的一句感嘆，道出了電子消費產業的被迫漲價，在深圳華強北，儲存現貨“一天一價”已成常態，焦慮情緒正沿著產業鏈迅速傳導。這不是一次簡單的年底旺季波動，而是一場由AI熱潮引發的“儲存超級周期”。當上游產能被AI算力虹吸，下游PC與手機廠商正面臨一場嚴峻的成本大考。漲價已成定局，但如何漲，則成了各家廠商博弈的藝術。終端漲價的“明線”與“暗線”對於消費者而言，電子產品價格的變化往往不會直白地反映在標籤上，而是更微妙地體現在優惠力度、規格組合乃至發佈節奏的調整中。作為對儲存成本最敏感的品類，PC行業最先感受到寒意。多家海外管道商透露，受記憶體（DRAM）和固態硬碟（SSD）成本飆升影響，部分筆記本和商用PC在今年底至明年初將進入新一輪價格調整周期。市場機構預估漲幅大致在10%—20%區間，其中受衝擊最明顯的是標配16GB及以上大記憶體的主流輕薄本與高配辦公本。而在競爭更為慘烈的智慧型手機市場，漲價則呈現出更隱性的姿態。“直接抬高發售價會挑戰消費者的心理底線，廠商更多會採取‘暗漲’策略。”一位資深手機管道商透露。近期，多款熱銷機型在保持官方售價不變的情況下，悄然收縮了上市初期的優惠折扣，或通過減少贈品等方式來避險BOM（物料清單）成本的上漲。這種“體感漲價”的背後，是儲存現貨價格的暴力跳升。行業監測資料顯示，自2024年下半年以來，DDR4、DDR5等主流儲存晶片的現貨價格普遍錄得50%甚至翻倍的漲幅；高端NAND Flash的漲勢同樣凌厲。華強北一位晶片分銷商直言：“現在是幾天一個價，不敢壓庫存，也不敢輕易接長單。”而這一輪價格暴漲的核心原因，在於AI資料中心、伺服器需求的擠佔，導致全球DRAM價格明顯上漲，供應量也出現大幅度短缺。AI算力引發的產能“排擠效應”與以往由手機、PC銷量驅動的傳統周期不同，這一輪漲價完全是由AI驅動的結構性緊缺引發。隨著大模型訓練、推理和雲算力業務的持續擴容，資料中心對高性能儲存（如HBM高頻寬記憶體、企業級DDR5）的需求呈現指數級攀升。這類產品不僅技術門檻高，對晶圓產能和封裝資源的消耗也顯著高於傳統DRAM。這帶來了殘酷的“產能排擠效應”。原廠將有限的先進製程優先“喂”給高利潤的AI相關產品；HBM與高端DDR5的產出佔比快速提升；消費電子常用的DDR4、LPDDR4/5等“普貨”產能被擠壓，供應被人為收緊。業內普遍認為，在高端儲存利潤遠超消費級產品的背景下，三星、SK海力士、美光等巨頭的產能傾斜將是長期戰略。儲存行業的價格話語權，已正式從過去的手機周期讓位給AI周期。庫存深度成為廠商抗壓分水嶺面對上游的驚濤駭浪，下游終端廠商的應對策略走到了分岔口。預警派以小米為代表。小米高管近期在公開場合坦言，新一輪BOM成本“漲得驚人”，並多次預警行業價格壓力。此舉既是為新品定價做預期管理，也折射出智慧型手機BOM結構中儲存佔比過高，廠商難以長期自我消化這部分激增的成本。囤糧派則以聯想為代表。聯想管理層在近期採訪中底氣較足，明確表示“庫存相對充足，短期內不會將壓力轉嫁給消費者”。聯想此前已經採取了積極的備貨策略，為應對記憶體短缺和漲價問題，聯想已將關鍵元器件庫存水平提升至比平常高出50%。同時，聯想還採用了包括合約、期貨、長期供應合同在內的多種方式，確保記憶體整體供應充足。分析人士指出，聯想的底氣源於其龐大的長期供應協議（LTA）與規模採購優勢，這使其在原材料上行周期中築起了一道價格護城河。對於聯想這樣的大廠而言，庫存能夠起到 “蓄水池” 的作用，平滑價格波動。“在記憶體降價的時候，聯想的價格不會降得那麼狠，相應的漲價時候也不會漲得那麼快”，一位大廠產品經理表示。相比之下，庫存深度有限、議價能力偏弱的二三線品牌則面臨生死考驗。隨著舊庫存逐步耗盡，它們將被迫跟進調價，甚至不得不推遲新品發佈或砍掉低端型號。供應鏈能力是新周期的生死線這輪漲價潮何時見頂？業內暫未看到明確拐點。多家權威機構預測，這種因AI需求導致的結構性失衡，在未來6—12個月內難以緩解，儲存價格的高位運行或將持續至2026年。值得注意的是，雖然上游原廠正在增加投入，但在“AI優先”的策略下，新增產能大多流向了昂貴的HBM產線，消費級儲存的供應瓶頸短期內難以打破。這也給市場帶來了新的變數。隨著國際巨頭逐步退出DDR4等成熟製程，國產儲存廠商正在加速填補這一真空。業內人士分析認為，未來能否靈活引入多元化供應鏈，將成為終端品牌控製成本的關鍵變數。在應對儲存供應與技術瓶頸的佈局中，聯想還邁出了戰略收購的關鍵一步。2025年12月，聯想集團將完成對高端儲存公司Infinidat的收購交割。此次收購意味著聯想補足了高端資料底座的自主掌控權，擺脫了在儲存業務上對外部技術合作的長期依賴。據悉，Infinidat成立於2011年，擁有超過170項專利，核心產品InfiniBox以獨特的軟體定義架構，在不完全依賴全快閃記憶體昂貴硬體的情況下，實現了高性能和99.99999%的可靠性。對Infinidat的收購，將讓聯想補齊ISG業務的最後一塊短板，建構起完整的儲存業務版圖。如深圳時創意電子董事長倪黃忠所言，本輪漲價本質上是儲存從AI的成本配件向“戰略物資”的角色轉型。他表示，當以存代算成為降本增效的核心路徑，整個儲存市場的邏輯已被徹底重構。這意味著，行業回歸正常供需尚需時日。對於終端廠商而言，過去比拚的是價格壓縮能力，而在新的周期下，將儲存當作戰略物資做好長期規劃，才是企業生存的根本。 (21世紀經濟報導)