電腦手機都買好了嗎？韓國媒體《先驅報》報導，根據市場調研機構 Counterpoint Research 在11日舉行的線上研討會上的最新報告，全球記憶體（DRAM）與快閃記憶體（NAND）價格正迎來史詩級暴漲，部分通用產品的價格甚至在短短一個季度內翻了三倍。Counterpoint 的資料顯示，受 AI 基礎設施建設對算力的極度飢渴影響，儲存市場的供需天平已徹底失衡。以春節為節點，伺服器常用的 64GB DDR5 模組價格較前一季度飆升了 150%，手機端的 12GB LPDDR5X 漲幅達 130%。更令人錯愕的是，即便是不再是主流的筆記本用 8GB DDR4 記憶體，其價格也由於產能向高端轉移而暴漲了 180%。不僅是 DRAM，NAND 快閃記憶體系列產品的漲幅也維持在 130% 至 150% 之間，這種全線飄紅的態勢在行業史上極其罕見。針對這一困局，Counterpoint 認為即便三星電子和 SK 海力士今年砸下近 90 兆韓元（約合 4900 億人民幣）進行產能擴張，依然無法在短期內填平缺口。分析師黃敏成指出，雖然各大巨頭今年的生產規模將增長約 25%，但真正的有效供應量釋放要等到 2027 年下半年。這意味著，這場“晶片荒”可能還要持續兩年之久，價格在今年下半年幾乎沒有回呼的可能。在備受關注的 HBM 領域，競爭格局也在發生微妙變化。SK 海力士在 HBM3e 時代曾佔據約 60% 的市場份額，但在下一代 HBM4 的爭奪中，三星電子似乎正憑藉更早的量產進度和認證優勢實現反超。海力士由於在部分高性能產品的適配上遭遇技術調整，目前正處於追趕狀態。此外，報告還特別警告了我們國記憶體儲勢力的崛起，CXMT 長鑫的市佔率有望在 2028 年突破 10%，而NAND製造商 YMTC 長江儲存已經佔據了全球13% 的市場份額，成為老牌巨頭們不可忽視的競爭對手。《先驅報》還指出，由於雲服務商（Hyperscalers）的採購需求依然維持在高位，儲存廠商已開始將主要精力轉向高利潤的 AI 定製化產品，甚至不惜壓縮部分通用記憶體的生產計畫。對於普通消費者而言，在“晶片漲價潮”與“電費普漲”的雙重壓力下，未來一兩年的電子產品購買成本恐怕將持續維持在高位。 (AMP實驗室)

在全球人工智慧基建投資熱潮的推動下，儲存晶片正成為半導體賽道中最炙手可熱的類股。近期，韓國和中國大陸相繼發佈的產業資料，均印證了這一趨勢的強勁勢頭。從韓國出口創下歷史新高，到國內相關企業營收迅猛增長，AI驅動的算力需求正深刻重塑全球儲存產業格局，也讓作為“算力基石”的DRAM晶片廠商站上風口。中韓儲存同步高增，全球算力周期共振韓國產業通商資源部最新資料顯示，今年2月韓國出口總額同比增長29%，達到674.5億美元，刷新單月曆史紀錄。其中，半導體出口表現尤為搶眼，同比暴漲160.8%，達251.6億美元。這不僅是單月新高，也是連續第三個月突破200億美元大關。市場分析認為，這一驚人增速的核心驅動力，正是全球AI基礎設施建設激發的儲存晶片需求激增，以及由此引發的儲存器價格回升。儲存巨頭的業績為此提供了有力註腳。僅2025年第四季度，三星電子和SK海力士的營業利潤合計便高達約40兆韓元（約合270億美元），凸顯出AI紅利正加速向半導體上游傳導。類似的產業景氣周期也在國內上演。寒武紀、佰維儲存、拓荊科技等半導體公司營收同比迅猛增長；摩爾線程、沐曦股份等初創企業在IPO後市值雙雙殺入科創板前六。這一系列亮眼表現，折射出國內算力與儲存需求的旺盛景氣度，也印證了市場對AI產業鏈的強勁預期。在AI算力時代，儲存晶片已成為不可或缺的核心基礎設施。全球儲存產能向美巨頭傾斜，長鑫科技凸顯本土DRAM戰略稀缺性在這波AI基建投資熱潮中，全球儲存晶片供給格局卻出現結構性失衡。SK海力士、三星、美光三大巨頭將絕大部分先進產能優先分配給輝達、微軟、Meta等美國科技巨頭，長期合約鎖定了產能流向。這一格局，進一步凸顯了長鑫科技作為本土唯一DRAM供應商的戰略稀缺性。一名行業資深人士指出：“三星、SK海力士在韓國半導體產業中發揮了AI基建基石的功能，國內能與之類比的企業是長鑫科技。作為國內唯一實現DRAM記憶體技術突破並規模化量產的企業，長鑫已成長為全球第四大DRAM供應商。國內要建構完整自主的AI產業鏈，長鑫是不可或缺的一環。”即將登陸科創板的處理程序，使長鑫成為資本市場與產業界共同關注的焦點。其2025年底公開的招股書資料，已為上述判斷提供了有力支撐。2022年至2024年，長鑫科技年度營業收入分別為82.87億元、90.87億元、241.78億元，年複合增長率高達72.04%。2025年1-9月，公司營收同比增長97.79%；其中第三季度表現尤為亮眼，營收同比增幅達148.80%。目前，長鑫科技的產品已深度滲透進國產科技生態，客戶覆蓋阿里巴巴、字節跳動、騰訊、聯想、小米、榮耀等行業頭部企業。行業資深人士強調：“在AI算力時代，掌握核心儲存晶片的自主產能，不僅是保障國內產業鏈安全的關鍵防線，更是參與全球科技競賽的入場券。隨著國內AI基建與應用需求快速釋放，國內半導體‘內生循環’也在加速成型。”總結對於即將登陸資本市場的長鑫而言，招股書中超過140%的季度營收增長，已經向市場釋放出明確訊號：在這場AI基建浪潮中，作為“算力基石”的儲存晶片廠商，正迎來屬於自己的黃金發展周期。在全球供給失衡與國內需求爆發的雙重背景下，長鑫的戰略價值與發展潛力，值得市場持續關注。 (芯榜)

炸鍋，韓國三星又要準備罷工了。三星電子工會將於3月9日啟動罷工授權投票，若投票通過，三星或將迎來2024年後的第二次全面罷工，其半導體核心生產計畫受衝擊，也引發行業對全球高頻寬記憶體（HBM）供應及儲存晶片市場的廣泛擔憂。據行業消息，三星電子工會聯合鬥爭總部3月8日宣佈，將於3月9日至18日組織全體約8.9萬名會員開展罷工授權投票。該聯合總部由三星電子分會、全國三星電子工會及三星電子工會同行組織組成。工會此前線上上直播中表示，若投票以多數票通過並取得罷工權，計畫於4月23日舉行會員集會，並在5月21日至6月7日發起為期18天的全面罷工。工會關於罷工參與的相關言論還引發爭議。跨企業工會主席崔勝浩在油管平台稱，罷工期間工會領導層將全員佔領平澤辦公區集會，還將招募人員監督平澤廠區所有辦公點；若發現仍為公司工作的員工，工會會進行登記，後續將對其作出強制調崗處理，或在與工會協商後予以解僱。此外，工會還計畫開設管道，接受針對配合公司工作員工的舉報，觀察人士認為此舉是向未參與罷工的員工施壓。此次勞資衝突的升級，源於2026年薪資談判的徹底破裂。工會方面要求實現超額利潤激勵金（OPI）核算透明化、取消獎金上限限制，同時調整併提出基本工資上調方案；而三星電子雖提出最佳化OPI核算方式，還給出加薪、發放庫藏股及特殊獎勵等方案，但雙方在核心問題上的分歧始終無法彌合。值得注意的是，如今三星工會會員數量較2024年大幅增加，且大部分成員來自負責半導體業務的DS部門，這也讓此次罷工的潛在影響遠大於上一次。行業對此次罷工的擔憂，主要集中在HBM高頻寬記憶體生產線。三星近期已啟動HBM4量產供貨，作為輝達下一代AI加速器“Vera Rubin”的核心供應商，其佔據該平台30%的HBM4供貨份額，而核心生產基地正是罷工目標——平澤廠區。由於HBM從晶圓投片到成品出貨周期長達數月，一旦5月罷工實施，將直接打亂HBM4量產節奏，導致對輝達的供貨延遲，衝擊三星在高端儲存市場的合作口碑與行業競爭力。輝達Vera Rubin是全球高端AI算力建設的核心硬體，其產能高度依賴HBM4的穩定供應。三星供貨受阻不僅會拖慢這款AI加速器的量產與出貨，還會進一步加劇當前本就緊張且已售罄的HBM4市場缺口，進而影響全球AI企業的算力佈局。同時，此次罷工涉及大量三星半導體DS部門員工，該部門統籌DRAM、NAND、HBM等核心儲存業務。即便三星產線自動化程度較高，但裝置監控、高精度操作等關鍵環節仍需人力，罷工將直接導致半導體產線整體生產效率下降、訂單交付延遲，而三星當前手握大量半導體訂單，產能問題或將直接造成訂單積壓。作為全球儲存晶片市場的龍頭企業，三星佔據全球DRAM市場45.5%、NAND快閃記憶體市場36.6%的份額，其產能波動將進一步加劇全球儲存晶片供應緊張。疊加AI熱潮下DRAM、HBM等儲存產品的需求持續激增，全球儲存晶片價格或迎來新一輪上漲，同時還會影響消費電子、雲端運算、資料中心等下遊行業的生產成本與產能規劃。拋開複雜的商業局勢，單從以人為本的角度來看，一個敢於為成員爭取權益、能真正改善福利的工會，確實是職場環境中的一股積極力量。 (科技思考)

據Gartner發佈的最新報告，受DRAM供應嚴重短缺影響，500美元以下入門級PC市場將在2028年前徹底消失，2026年PC出貨量預計暴跌10.4%，跌幅超過智慧型手機市場。Gartner高級分析師Ranjit Atwal指出，記憶體成本在PCBOM物料成本中的佔比急劇攀升，製造商已無法像過去那樣自行消化成本上漲。對於傳統入門級產品，廠商通常選擇內部吸收BOM增長以維持價格競爭力，但當前記憶體價格漲幅已超出承受極限，"廠商別無選擇，只能將成本壓力轉嫁給消費者"。Ranjit Atwal明確表示：“低於500美元的入門級PC市場將於2028年消失”。這一轉變對500-1000美元主流價位段衝擊最為嚴重，Gartner預計，消費者將大幅延長換機周期，PC使用壽命在今年底前將增長20%。為了確保盈利，廠商寧願接受銷量下滑，也會優先保證高端高利潤機型的供應，這意味著低價位段的現貨將越來越少。隨著現有DRAM庫存快速耗盡，記憶體價格通膨將在二季度進一步加劇，對於預算有限的玩家而言，唯一可行的應對策略是推遲購買計畫，但這一過程可能耗時一年以上。DDR5記憶體價格居高不下，儲存也同樣的趨勢，迫使很多玩家回到了更老的DDR4平台，帶動它們的價格也漲了。DIY和整機市場的另一個趨勢，就是可能會走向中低端為主，很多低端主機板近日的銷量就相當看好，比如H510。H510主機板已經發佈5年多了，規格非常普通，僅支援雙通道DDR4記憶體、六條PCIe 3.0擴展通道、四個USB 3.0 5Gbps介面等。H510晶片組已經停產了，在售主機板價格一般在二三百元，原本很快就要退市了。不過，近日受到元器件材料供貨缺貨的影響，未來1-2個月可能會陸續漲價，對低端主機板的成本影響壓力會相當大。H510停產之後，雖然還能採購到一些，但數量無法太多，加上元件成本上漲、貨源緊缺、需求增長等一系列影響，H510主機板的採購成本和銷售價格會越拉越高。預計3月開始，H510主機板的價格會明顯上漲，大機率會直接崩向400元以上。(硬體世界)

2月28日消息，據韓國媒體sedaily報導，全球前兩大DRAM晶片大廠三星電子和SK海力士已向客戶發出通知，今年第二季度將繼續大幅提高DRAM價格。報導稱，三星電子和SK海力士正在與客戶談判價格漲幅。而具體的漲價幅度則因客戶而異，但中小型客戶可能將不得不接受大幅漲價以確保DRAM供應。一位業內人士表示：“三星電子目前的產能水平僅能滿足60%的需求，原因是DRAM需求持續激增。”有業內人士觀察到，有些客戶必須接受價格上漲超過之前合同價格的兩倍以上，才能獲得DRAM的批次供應。另據台媒《PCDIY！》資深記者Rose Lee於2月27日透露，儲存模組廠商透露，SK海力士在農曆新年後向客戶發出漲價通知，DDR5顆粒二季度將漲價40%。2月26日，部分儲存模組廠商已開始暫停對外報價。近期的消息還顯示，三星電子在與蘋果就LPDDR5X供應價格進行談判時，三星最初的目標是提價60%，但最終在其正式報價中要求漲價100%（之前的合約價相對較低）。令人驚訝的是，蘋果幾乎沒有進行任何談判就立即接受了這一提議。《PCDIY!》資深記者Rose Lee表示：“新一波儲存器漲價，會跟前一回一樣，價格將會一浪接一浪，且來得很快；目前售價在 1 萬新台幣左右的主流 32GB DDR5 記憶體，價格很快也將飆升至 2 萬新台幣。”這一波DRAM價格的持續上漲，是因為自去年下半年起因AI基礎設施建設熱潮刺激。這也徹底改變了交易慣例，大客戶與中小企業之間的購買力差距也在擴大。通常，輝達和蘋果等全球大型科技公司在DRAM採購價格談判當中具有優勢。但隨著當前DRAM市場供不應求的緊缺狀態的持續，已經徹底變成了賣方市場。不過，三星和SK海力士與這些頭部科技巨頭的合約，可能還是會按季度或半年制定交易量和價格區間並簽訂合同，以確保對他們的供應，但是最終供應價格則將根據交割時的市場價格進行調整。對於這些科技巨頭，三星電子和SK海力士也在定價上採取比其他中小型客戶更優惠政策，以維持與這些科技巨頭的供應鏈（價值鏈），因為這些科技巨頭無論市場周期如何都會大量採購。然而，對於中小企業客戶來說，現在是每月簽訂的合同，以及時反映市場價格，特別是自去年第四季度DRAM價格飆升以來。據瞭解三星和SK海力士與客戶簽訂了大量的“預售”合同，以確定季度銷售需求。由於需求缺口很大，因此，三星電子和SK海力士決定向即將在第二季度續約的客戶提議大幅漲價。另一位行業高管解釋道：“現在無論大客戶還是小客戶，合同量都反映了市場價格，產品價格都會上漲。”他補充道，“然而，如果合同結束後，簽訂新合同，就需要反應新的市場價格漲幅，因此價格上漲必然很大。”根據全球市場調研公司Gartner預測，到今年年底，DRAM和固態硬碟（SSD）等儲存器價格將比去年年底上漲130%。根據市場調研公司DRAM Exchange的資料，去年3月DDR4 8Gb產品價格為1.3美元，到去年年底上漲至9.3美元，到今年2月又上漲了約40%，至13美元，累計漲幅已經接近10倍。業界認為DRAM晶片價格飆升並非暫時的供需失衡，而是一個結構性問題，供應長期無法跟上需求。當前正值人工智慧行業從簡單的搜尋表單轉向取代人類專業知識的“代理人工智慧”之際。隨著代理人工智慧被企業、政府以及個人使用的智慧型手機採用，DRAM用於推理和計算的需求正在爆炸式增長。TrendForce最新的統計資料顯示，2025年度第四季DRAM市場，三星、SK海力士和美光這三大廠商佔據了全球90%的DRAM市場。另一方面，分析顯示全球前三大DRAM司今年的DRAM產能將與去年持平，或僅增長約7%。一位行業高管表示：“隨著公司不僅僅將人工智慧用於一件事，而是根據目的將人工智慧用於兩到三個目的，DRAM的需求正在迅速增長。” (芯智訊)

半導體行業中，記憶體（儲存器）與計算單元的配合可以說是最為重要的架構之一。下面介紹六種主流的整合/互連架構，從傳統到先進，這些架構的演進核心是解決 “儲存牆” 問題—— 即通過縮短記憶體與處理器之間的物理距離，提升資料頻寬、降低延遲，以適配不同應用場景（從通用計算到移動終端，再到高性能計算）的需求。傳統分離式架構1. DIMM Based（DIMM 直插式）這是通用電腦（桌上型電腦、筆記本和伺服器）中使用的標準模組化方法。結構：記憶體晶片安裝在一塊稱為雙直列記憶體模組（DIMM）的小型電路板上，插入主機板插槽。例如：DDR3、DDR4和DDR5。2. Device Based（器件整合式）在這種架構中，記憶體直接整合在系統主機板上，而不是放在可拆卸模組中。應用：常見於嵌入式系統、平板電腦和顯示卡，空間有限。示例：LPDDR3/4/5（低功耗）和GDDR5/6/7（圖形）。3. Package on Package (PoP)（疊層封裝）這種技術是記憶體晶片垂直銲接在主晶片（MPSoC/AP）上方，形成 “晶片疊晶片” 的封裝形式。結構：DRAM封裝直接銲接在處理器頂部（MPSoC）。應用：廣泛應用於智慧型手機，以減少佔地面積和縮短電路，提高電力效率。示例：LPDDR3/4/5先進高密度整合架構4. Buffer on Board（板載緩衝器式）該架構為高端伺服器系統設計，在CPU和記憶體之間設定了中間邏輯。結構：緩衝晶片作為介面，通過高速序列連接管理記憶體控製器的訊號。優點：提升訊號完整性，允許連接更多記憶體模組而不增加CPU記憶體控製器負擔。示例：FBDIMM、IBM CDIMM、Intel SMI/SMB5. 3D/2.5D-Integrated（3D/2.5D 整合式）採用垂直堆疊以提升頻寬和密度的先進封裝。結構：記憶體通過邏輯或矽中介器通過矽孔（TSV）堆疊。優點：大規模平行互連（數千位）大幅降低延遲和功耗。示例：寬I/O、HBM（高頻寬記憶體）。6. 記憶魔方一種特定的3D堆疊架構，將多層DRAM整合在一個立方體狀結構中。結構：在堆疊底部設有邏輯層用於記憶體控制，通過序列互連（SerDes）連接。優點：極高頻寬和小體積，旨在實現高性能計算。示例：HMC（混合記憶體立方體）、SMC從記憶體架構的演進可以看出以下趨勢：形態上越來越小，連接上延遲越來越低，性能上指數級提升。 (銳芯聞)

分享一份TechInsights 2025 年 Q4 DRAM 市場報告，Q3 行業營收408億美元，出貨量、ASP所有增長，三星與海力士市場份額差距縮小至1%以內；受 AI 驅動的資料中心、汽車等領域需求激增，市場長期供不應求，預計未來 2 年價格持續攀升。技術層面，HBM 因高頻寬適配 AI 需求成為增長核心，與 DDR5、LPDDR6 等技術協同發展，SK 海力士憑藉高 HBM 佔比表現突出。而 2026 年供需分配受超大規模資本支出影響顯著，長期來看 2024-2030 年行業營收和出貨量將持續增長，資料中心將成最大需求來源。報告主要內容核心市場現狀市場趨勢預測細分市場需求技術迭代與創新生產與供應鏈情況供應商詳情和競爭報告部分頁面展示1 整體情況2 需求情況3 技術和產能情況(銳芯聞)