看AI摘要 儘管記憶體相關股票近期經歷大幅波動，但記憶體市場仍然持續升溫，多家機構紛紛上調第三季度DRAM價格預期。 Counterpoint預計第三季度DRAM平均售價（ASP）將環比上漲約20%；TrendForce相對保守，預計傳統DRAM上漲13%至18%，NAND Flash上漲10%至15%；摩根士丹利則將PCDRAM第三季度漲幅預測由此前的3%至8%大幅上調至15%至20%。 雖然各機構統計口徑略有差異，但共同傳遞出的訊號十分一致——記憶體市場供給依然緊張，供需失衡尚未緩解。

伯恩斯坦把2030年AI資料中心的新增GW建設能力轉換為邏輯、DRAM/HBM和NAND月產能，再對應到晶圓製造裝置投入。其測算中，每新增1GW年建設能力約需 4.6萬片/月晶圓產能，其中DRAM佔比過半；基準的50GW增量情景要求2027—2029年累計WFE投入超過7000億美元。裝置需求由短期訂單景氣進一步延伸到電力規模、晶片容量與記憶體配置共同決定的長期資本強度。 ▪ 每新增1GW年建設能力約需 4.6萬片/月新增產能，結構為DRAM 53%、NAND 20%、HBM 16%、先進邏輯11%。單個輝達下一代機架約消耗65片晶圓，但機架外的CPU、DRAM與企業記憶體需求同樣重要，因此總晶圓需求不能只按GPU機架數量估算。 ▪ 先進邏輯、HBM/DRAM與NAND每1萬片月產能的裝置成本分別約 34億、14億和13億美元，折算後每新增1GW年建設能力對應約80億美元裝置投入。50GW情景下，AI相關WFE三年累計約3760億美元，加上非AI基線後總額超過7000億美元。 ▪50GW情景對應2027/2028/2029年WFE約 2000億/2450億/2910億美元；若年度增量提高到75GW或100GW，所需晶圓產能與裝置投入繼續線性上移。當前裝置股較52周高點平均回撤23.9%，但年內平均漲幅仍約84.1%，基本面容量與估值起點需要同時衡量。

下周一(7月27日)，記憶體晶片巨無霸長鑫科技(688825)科創板上市！ 歷史的陰霾：當年中芯國際A股上市(2020年7月16日)： - 上證指數：📉-4.50%，收報3210點； - 深證成指：📉-5.37%；

行業深度研究之記憶體基礎篇（1）：圖文詳解DRAM、NAND、HBM等記憶體技術的前世今生主要介紹了記憶體的一些基礎知識，以及記憶體中很重要的一類DRAM。 這篇會繼續講NAND、NOR和其他記憶體，以及從一個Cell（記憶體單元）到最終產品，記憶體產業鏈究竟是怎樣形成的？ 這些基礎知識可能不好理解，但對於我們後面關於記憶體周期性、產業進展和投資機會的研究都很重要~ NAND是什麼？

最近幾年，記憶體行業經歷了一輪幅度很大的景氣變化，AI又把HBM、伺服器記憶體和資料中心記憶體推到了更重要的位置。無論研究科技產業發展，還是尋找產業鏈投資機會，記憶體都已經成為一個越來越繞不開的方向。 接下來幾篇系列文章會全面深入的聊聊記憶體。我會先從最基礎的DRAM、NAND、HBM和SSD開始，之後幾篇會依次復盤過去幾輪記憶體周期，解釋記憶體行業為什麼長期具有很強的周期性，最近幾年發生了什麼、為什麼多個記憶體品類同時出現價格上漲，以及AI會怎樣改變記憶體行業原有的周期結構。最後會分別研究三星、SK海力士、美光等海外記憶體巨頭，中國記憶體產業的發展位置，兆易創新等中國公司的具體情況，以及原廠、裝置、材料、封裝和控制晶片分別對應怎樣的產業和投資機會。 第一篇先從整個記憶體行業的基礎地圖開始。 記憶體行業裡有很多非常容易混淆的概念。DRAM和DDR是什麼關係？HBM為什麼也屬於DRAM？NAND和SSD有什麼區別？3D NAND和HBM都涉及垂直堆疊，兩者的技術原理又有什麼不同？這些概念一旦混在一起，後面討論記憶體價格、行業周期、AI需求、公司競爭甚至產業鏈投資時，很容易錯把不同層級的問題放在一起分析。

或許我們對當前的內存危機過於擔憂。 據TrendForce預測，明年NAND閃存的供應增長將超過需求，供應限制將在2027年下半年緩解。又或許我們擔憂得還不夠：Adata董事長表示，DRAM短缺將持續十年，內存和電力將成為全球最稀缺的兩種資源。 TrendForce 最新發布的 NAND 閃存報告對於那些希望 SSD 價格最終回歸正常水平的用戶來說，無疑是個難得的好消息。這家分析公司表示，由於人工智慧需求的蓬勃發展與產能擴張的侷限性相沖突，市場在 2026 年仍將持續供不應求，供應缺口預計在 4% 到 5% 之間。 值得慶幸的是，這種情況有望在明年下半年開始好轉。供應商正在轉向更新的製造工藝，穩步提高位元產量，並有選擇地升級現有生產線。中國製造商也在安裝新設備，預計這將使其在全球NAND位元產量中的份額提升至近19%。

行業深度研究之記憶體基礎篇（1）：圖文詳解DRAM、NAND、HBM等記憶體技術的前世今生和半導體記憶體基礎篇（2）：圖文詳解從記憶體單元到最終產品，記憶體產業鏈是怎樣形成的？這兩篇，從最基礎的位元、記憶體單元開始，梳理了DRAM、NAND、DDR、HBM和SSD之間的關係，這是研究整個記憶體行業需要的基礎。這一篇要進入"記憶體的週期"這個更核心的問題。 全球產生的資料越來越多，手機、電腦和伺服器配置的記憶體容量長期都在增加，DRAM（動態隨機存取記憶體器）和NAND Flash（與非型快閃記憶體）的長期需求也一直向上。但過去二十年，記憶體行業依然反覆經歷短缺、漲價、擴產、過剩和暴跌。 2017年行業還在討論記憶體超級週期，2019年已經進入明顯的供應過剩和價格下跌。2021年市場還在擔心缺貨，到了2022—2023年，客戶庫存調整和價格下跌又把行業推入新一輪低谷。 而到了這一輪AI週期，市場又開始出現一種熟悉的聲音。HBM和高端DRAM需求持續增長，AI伺服器需要越來越多的高速記憶體，記憶體行業可能長期處於供應緊張狀態。美光在2026財年最新業績會上進一步預計，DRAM和NAND的供應與需求緊張狀態可能持續到2027年以後。