英特爾已安裝全球最先進光刻機！

當地時間12月16日清晨，英特爾宣佈，其已同ASML 實現了全球首套、也是目前最先進的「二代」High NA EUV 光刻機TWINSCAN EXE:5200B 的「驗收測試」。這是業界首台採用0.55數值孔徑投影光學系統的商用晶片生產High-NA EUV微影機。該裝置已通過驗收測試，並將用於Intel 14A（1.4nm）製程的開發。

相較主要用於製程前期研發的「一代」機型EXE:5000，EXE:5200B 身上的「量產用裝置」味道更濃：其配備了更高功率/ 劑量的EUV 光源，晶圓吞吐量提升到每小時175 塊；套刻精度提升至0.7nm；此外通過新的晶圓儲存結構提升了整體精度的穩定性。

英特爾代工也在同一篇部落格中提到，在2025 IEEE IEDM 上，其與imec 合作展示了對2DFET 材料氧化物帽層的選擇性凹陷刻蝕以及在12 英吋試生產線中製造的具有大馬士革型頂接觸的電晶體。

英特爾強調，公司也在展望更遠的未來。現今最先進的電晶體採用環繞閘極架構（英特爾晶圓代工稱之為RibbonFET），將電晶體完全包裹在通道周圍。這些電晶體以單層形式整合在晶片上，我們也在努力實現電晶體的堆疊。英特爾和業界其他公司都認為，在未來的某個時刻，電晶體的尺寸將會縮小到矽原子性能開始下降的程度。

接下來看量產速度。英特爾官方給KPI：2025年Q2試產，Q4進HVM，目標把每小時175片提到200片，單片缺陷密度降到0.1/cm²。換算成月產能，一座廠每月可產6萬片14A晶圓，足夠做1200萬顆筆記本CPU，等同於全球一個季度的遊戲本需求。 ASML透露，2024年只能交付6台5200B，英特爾搶下首台，剩下5台台積電、三星各瞄3台，誰先調好工藝，誰就能把1.4nm的「時間閘門」握在自己手裡。 （半導體產業圈）