12月23日消息，隨著美國大力發展本土晶片製造業，英特爾、台積電、三星都在積極擴大在美國的產能。其中，作為“主場作戰”的英特爾，其目前在美國本土所擁有的產能無疑是最多的。特別是英特爾位於亞利桑那州錢德勒的Fab 52 晶圓廠，無論是在製程節點的先處理程序度、技術複雜度，還是規劃產能上，都已顯著超越台積電目前在亞利桑那州的佈局。據Tom′s Hardware 援引CNBC報導，英特爾Fab 52 是一座專為未來而生的頂級晶圓廠，其核心使命是生產Intel 18A及更先進製程。為了達成這一目標，英特爾匯入兩大革命性技術：RibbonFET 全環繞閘極（GAA）電晶體：這是英特爾在電晶體架構上的重大升級，目的在提升性能並降低功耗。PowerVia 背面供電網路：通過將供電線路移至晶圓背面，解決了傳統正面供電導致的布線擁擠與壓降問題。Intel 18A 的複雜度與精細度，遠遠超過台積電亞利桑那州Fab 21 第一期N4 或 N5 製程。即使與台積電 N4P 或 第二期工程的 N3 製程相比，Intel 18A 規格依然更具領先性。已安裝4台ASML EUV光刻機，未來整個園區將擴增至15台以上對於一座先進製程晶圓廠的實力來說，往往取決於極紫外光（EUV）光刻裝置。 英特爾Fab 52 安裝了四台ASML Twinscan NXE 標準數值孔徑EUV 系統。其中至少包括一台NXE:3800E，這是ASML 目前最先進標準數值孔徑的EUV 系統。△英特爾 Fab 52 晶圓廠內的ASML EUV光刻機據瞭解，NXE:3800E 包括更快的晶圓傳輸系統、更高效的晶圓台以及更強大的光源。在30mJ/cm² 的曝光劑量下，NXE:3800E 每小時可處理高達220 片晶圓。相較之下，廠內另外三台NXE:3600D 系統在同樣曝光劑量下的產能僅為每小時160 片。英特爾計畫在亞利桑那州的Silicon Desert 園區總共部署至少15 台EUV 光刻裝置。雖然目前尚不清楚其中有多少比例會是新一代的High-NA EUV裝置，也不清楚會有多少會被分配到即將建設的Fab 62。但至少15 台EUV光刻裝置這個數字，表示英特爾擁有極大的空間來進一步擴充其產能上限。月產能4萬片生產規模方面，英特爾Fab 52 擁有強大的產能。滿負載運轉時，產能可達每周10,000 片晶圓的，換算後約為每月40,000 片晶圓。以當今產業標準來看，這是一座規模極其龐大的超大型晶圓廠。相比之下，台積電亞利桑那州Fab 21晶圓廠已經量產的一期工程只有每月20,000片晶圓的產能，因為台積電通常以約每月20,000 片為一個生產產線。這代表著，英特爾Fab 52 的單廠產能，相當於台積電Fab 21 第一期與第二期兩個產線的產能總和。產能利用率及良率挑戰儘管技術與裝置處於領先地位，但英特爾與台積電在美國的佈局策略存在顯著差異，這也帶來了不同的營運挑戰。對於英特爾來說，其高風險高回報的模式正利用Fab 52 生產Panther Lake和Clearwater Forest處理器。目前的Intel 18A 技術仍處於良率曲線的早期階段。英特爾預計要到2027 年初，Intel 18A 的良率才能達到最高水準。在此之前，英特爾可能會刻意控制CPU 的產量，這代表著Fab 52 的產能利用率在短期內將維持在較低水平，部分時間可能會處於閒置狀態。△由英特爾Fab 52製造的基於Intel 18A製程的Clearwater Forest至於台積電，通過穩紮穩打模式在美國採用的是已經過驗證的較成熟製程（如N5/N4）。這種策略使其能夠快速提升產量，並讓工廠的產能利用率迅速接近100%。因此，兩這兩種不同的佈局，顯示出英特爾在亞利桑那州扮演的是技術開拓者的角色，試圖在美國本土直接建立最尖端的技術標竿。而台積電則傾向於將已經成熟的產線轉移至美國，以確保商業運行的穩定與效率。總結來說，英特爾在亞利桑那州的Fab 52 代表了美國本土製造的最先進佈局。它擁有更先進的Intel 18A 製程、更強大的EUV 裝置群，以及兩倍於台積電一期項目的產能潛力。雖然在2027 年良率成熟之前，英特爾在產能利用率上可能無法與台積電匹敵，但Fab 52 的存在確實鞏固了英特爾做為美國晶片之王的地位。這場對決最終的勝負，將取決於英特爾能否在2027 年如期達成Intel 14A 製程獲得頭部的外部客戶的訂單。 (芯智訊)

老牌晶片巨頭英特爾，傳出一則“利空”消息！周三美股盤前，英特爾股價直線跳水，盤中跌幅一度超過5%。當天，有報導稱，AI巨頭輝達已暫停對英特爾18A製程工藝的測試。幾天之前，美國聯邦貿易委員會（FTC）正式批准了輝達對英特爾50億美元的戰略投資計畫。不過，該消息並沒有給英特爾近期的股價帶來提振。直線大跳水12月24日，據路透社報導，儘管英特爾在交易合作方面勢頭正勁，但其製造部門在自主生產高品質晶片方面仍面臨挑戰。兩位知情人士透露，輝達最近測試了是否使用英特爾的18A製程工藝製造其晶片，但目前已停止推進。上述消息傳開後，英特爾的股價在美股盤前直線大跳水，盤中跌幅一度超過5%，最低觸及34.44美元/股。截至記者發稿時，英特爾的跌幅仍超過3%。英特爾的發言人表示，公司用於製造先進晶片的18A製造技術“進展順利”，並且其下一代名為14A的生產工藝“持續獲得高度關注”，該工藝預計將生產性能更強、能效更高的晶片。今年9月，輝達向英特爾投資50億美元時，並未承諾採用英特爾的製造服務。當時，在與輝達黃仁勳共同宣佈該投資事項合作時，英特爾首席執行長陳立武稱：“當前我們專注於協同合作。”作為擁有超50年歷史的晶片巨頭，英特爾近年來舉步維艱，正逐漸喪失市場份額和技術優勢。在AI賽道，英特爾被輝達遠遠甩在身後；在核心的CPU領域，也持續受到AMD的蠶食。在美股市場上，英特爾也一路下跌。轉機出現在今年8月份。當月，英特爾宣佈與美國政府達成協議，美國政府將向英特爾普通股投資89億美元，收購該公司9.9%的股份。交易成功後，美國政府將成為英特爾的大股東。根據英特爾發佈的聲明，美國政府的收購資金來源是此前根據《晶片與科學法案》授予英特爾但尚未支付的57億美元補貼，以及另一筆32億美元政府資助項目資金。有專家表示，陳立武此前在白宮與川普的會晤是英特爾的“救命稻草”。美國商務部一位官員曾表示，美國政府的持股給了英特爾一個成功的機會，但並未給予特殊優待，英特爾並非“戰略重要到不能倒”。而在與白宮達成協議的同一周，英特爾宣佈從孫正義的軟銀集團獲得20億美元投資。英特爾當時表示：“軟銀的投資是基於Intel的長期願景，即通過加速佈局支援數位化轉型、雲端運算及下一代基礎設施的先進技術，實現人工智慧變革。”50億美元的押注英特爾獲得的另外一筆重大投資，則來自AI晶片巨頭輝達。當地時間12月18日，美國聯邦貿易委員會（FTC）正式批准了輝達對英特爾的50億美元戰略投資。該交易最初由雙方於2025年9月18日宣佈。根據協議，輝達將以每股23.28美元的價格認購英特爾新發行的普通股，總投資約50億美元，獲得英特爾近4%的股權。這筆交易公佈的當天，英特爾股價暴漲23%。瑞士銀行高級分析師Ipek Ozkardeskaya當時評論稱，英特爾當前最需要的是一個可行的商業模式，並確保客戶對其產品感興趣。輝達投資50億美元共同開發PC和資料中心晶片的協議對英特爾來說是個新消息。英特爾需要合作夥伴，而輝達是最佳選擇，尤其是在投資者對英特爾未來及其在人工智慧領域失利後的復甦能力持懷疑態度的情況下。這項決定可能得到政治支援，因為美國政府希望這些公司在美國境內生產晶片，併入股英特爾以推動其在俄亥俄州建設全球最大的晶片製造廠之一。英特爾和輝達此次合作的核心內容遠超財務投資範疇。在資料中心領域，英特爾將為輝達定製x86 CPU，由輝達將其整合至人工智慧基礎設施平台並投放市場。在個人計算領域，英特爾將生產並向市場供應整合輝達RTX GPU晶片的x86系統級晶片（SOC）。此次合作被業界視為一場“標準之戰”，輝達與英特爾的聯盟將對全球半導體產業格局產生深遠影響。輝達已佔據資料中心GPU市場85%—95%的份額，與英特爾的深度結合可能進一步鞏固其市場地位。儘管FTC未披露任何附加限制條款即批准了交易，但分析人士認為，監管機構可能會要求介面標準保持開放。對英特爾而言，此項投資不僅是資金輸血，更是技術復興的機遇。與輝達共同開發的x86+RTX SoC，有望成為英特爾重返高性能計算市場的關鍵。而對於AMD和ARM生態而言，壓力顯著增大。儘管AMD在CPU性能上領先，但其與輝達生態的整合深度不足。ARM陣營則因缺乏統一的高速互連標準，在與“NVLink+x86”組合的競爭中處於劣勢。考慮到軟體遷移的高昂成本，一個開箱即用、經過AI最佳化的平台更具吸引力。輝達與英特爾的合作，不僅將加速雙方聯合開發的下一代AI晶片的推出，也將對全球半導體供應鏈產生深遠影響。然而，這一強強聯手也引發了反壟斷擔憂。輝達已控制大部分資料中心GPU市場，其與英特爾的深度繫結可能進一步築高其生態壁壘。 (券商中國)

12月24日消息，半導體大廠英特爾（Intel）近日展示了其在先進封裝領域的最新研發成果，推出一系列以Intel 18A 與Intel 14A 等先進節點製程的多芯粒（Multi-chiplet）產品概念。不僅展現了英特爾在Foveros 3D 與EMIB-T 先進封裝技術上的突破，更傳遞出其希望在高性能計算（HPC）、人工智慧（AI）及資料中心市場與台積電的CoWoS 封裝技術一決高下的信心。英特爾本次技術展示的核心在於其精密且具高度擴展性的先進封裝構架。根據資料顯示，英特爾將利用Intel 14A-E 節點製程提供突破性的邏輯性能，該製程同時採用了第二代RibbonFET電晶體與全新的PowerDirect 技術。而在基礎晶片部分，則採用Intel 18A-PT 製程，這是首款採用背面供電技術的基礎晶片，能顯著提升邏輯密度與電力供應的可靠性。此外，為了達到極致的垂直堆疊目標，英特爾還匯入了Foveros Direct 3D 技術，通過極細間距的混合鍵合（Hybrid Bonding）進行精密3D 堆疊。而在多芯粒互連方面，新一代的嵌入式多晶片互連橋接（EMIB-T）技術加入了矽穿孔（TSV）技術，可提供更高的頻寬，並整合更大規模的晶片組。另外，英特爾還在展示視訊中披露了兩款極具前瞻性的概念設計，展現了其超越傳統光罩限制（Reticle Limit）的技術實力。其中在中階解決方案方面，可配備4個計算晶片與12個HBM。至於在旗艦解決方案方面，則是將規模擴大到16個計算晶片與24個HBM ，並可配置多達48個LPDDR5X 控製器，極大化AI 與資料中心工作執行所需的記憶體密度。而且，這些設計採用了類似“Clearwater Forest”的構架，其基礎晶片負責搭載SRAM，並通過Foveros 3D 技術將頂層包含AI 引擎或CPU IP的計算晶片堆疊在上面。記憶體支援方面，英特爾強調其封裝方案能無縫相容目前的HBM3/HBM3E，以及未來的HBM4、HBM5 等新一代標準。根據市場的分析，英特爾這次一系列展示動作，無疑是向台積電發出挑戰。台積電目前已規劃9.5倍光罩尺寸的CoWoS 解決方案，並結合A16 製程，以及超過12個HBM4E （通過CoWoS-L）。然而，英特爾表示，其封裝構架具備超過12倍的光罩尺寸，顯示在規格上有意超越台積電。英特爾還特別強調，雖然Intel 18A 製程主要用於其內部產品，但Intel 14A 節點製程則是專為外部客戶設計的。因此，英特爾目前正積極與產業夥伴建立多元生態系，目的是提供更快的上市時間與更具韌性的供應鏈。儘管英特爾過去在先進封裝領域早有建樹，例如被視為工程奇蹟的Ponte Vecchio 晶片，但受限於良率問題與研發延遲，該產品並未取得商業化上的成功，隨後如Falcon Shores 等多項計畫也遭取消。因此，目前英特爾正試圖憑藉Jaguar Shores，以及備受期待的Crescent Island AI GPU 捲土重來。對英特爾而言，真正的考驗在於能否成功爭取到第三方客戶的訂單。尤其在Intel 14A 技術與先進封裝解決方案的加持下，英特爾似乎已準備好重新回歸晶圓代工市場的頂尖賽局。 (芯智訊)

如果說過去十年，半導體產業的主旋律是“誰先跨過5nm、3nm”，那麼從2025年起，真正的勝負手已經悄然轉移——不再是製程數字的微小變化，而是能否掌握下一代光刻技術的話語權。就在近日，一個足以震動整個行業的消息正式確認：全球首台商用High-NA EUV（高數值孔徑極紫外）光刻機——ASML Twinscan EXE:5200B，已在英特爾位於美國亞利桑那州的先進晶圓廠完成安裝並通過驗收。這台裝置的標價令人咋舌：單台售價超過3.8億美元，折合人民幣近28億元。它不僅刷新了半導體裝置的價格紀錄，更標誌著人類向1nm以下工藝邁出了決定性一步。光刻，才是未來十年的真正戰場過去幾年，業界普遍依賴的是Low-NA EUV光刻技術，其數值孔徑（NA）為0.33。在這一架構下，理論極限解析度約為13nm，若要繼續縮小電晶體尺寸，只能通過多重曝光（Multi-Patterning）等複雜工藝“曲線救國”。但代價巨大：掩模數量翻倍、良率波動加劇、製造周期拉長、成本指數級上升。而High-NA EUV的出現，本質上是一次“規則重寫”。EXE:5200B將NA值提升至0.55，直接將單次曝光的最小可分辨特徵縮小至8nm，更重要的是——套刻精度達到驚人的0.7nm。這裡必須強調：套刻精度，比解析度更難攻克。解析度決定“能不能畫出細線”，而套刻精度決定“幾十層電路能否精準對齊”。在1nm時代，原子間距不過0.2~0.3nm，0.7nm的對準誤差意味著僅容許兩三個原子的偏差。晶圓在加工過程中的微小熱脹冷縮、光刻膠的奈米級形變、甚至地基的微振動，都可能讓整片晶圓報廢。為什麼是英特爾？因為已無退路令人意外的是，率先部署這台“工業奇蹟”的，並非長期領跑先進製程的台積電，也不是激進押注GAA電晶體的三星，而是近年來屢遭質疑的英特爾。答案其實很現實：英特爾已經沒有選擇。其規劃中的Intel 14A節點（相當於1.4nm）被內部視為“背水一戰”的關鍵轉折點。該節點將首次全面採用High-NA EUV，用於關鍵金屬層和通孔層的單次曝光，徹底擺脫對多重圖案化的依賴。這意味著設計規則更簡潔、掩模數量減少30%以上、生產周期縮短、良率更可控。對英特爾而言，這不是一次技術嘗鮮，而是一場關乎未來十年生死存亡的豪賭。EXE:5200B的到位，等於正式亮出了底牌——要麼靠技術翻身，要麼在先進製程競賽中徹底掉隊。28億買的不是機器，是一整座“奈米級宇宙”別被“光刻機”三個字誤導。EXE:5200B早已超越傳統裝置的範疇。它整合了：新一代高功率EUV光源：輸出功率突破600W，確保足夠曝光通量；全新光學系統：採用多層反射鏡與主動校正機制，抑制像差；超穩晶圓平台：奈米級運動控制，配合即時雷射干涉儀反饋；全封閉溫控與隔振環境：溫度波動控制在±0.01°C以內，隔絕外部振動；AI驅動的感測器網路：每秒採集數萬資料點，動態補償漂移。可以說，這台裝置本身就是一個微型“精密物理實驗室”，每一秒都在與量子效應、熱力學噪聲和材料極限對抗。貴嗎？貴。但失敗更貴28億人民幣一台，聽起來荒謬。但在1nm以下時代，真正昂貴的不是裝置本身，而是試錯成本。一次流片失敗，損失動輒上億美元；一次良率爬坡延遲，可能讓整個產品線錯過市場窗口。英特爾的邏輯很清晰：短期看，High-NA EUV投入巨大；長期看，它能重建先進製程的經濟可行性。當別人還在用“拼圖式”多重曝光艱難前行時，英特爾希望用更少的步驟、更高的確定性，跑出一條新賽道。這不是終點，而是新戰爭的起點需要清醒認識到：EXE:5200B的成功部署，並不等於英特爾就此反超。台積電已預訂多台後續型號EXE:5400，計畫用於A14（1.4nm）及更先進節點；三星也在加速佈局High-NA生態。ASML預計到2027年，High-NA EUV產能仍將極度稀缺，每年僅能交付個位數裝置。這意味著，圍繞這台28億機器的爭奪，才剛剛開始。它不僅是技術里程碑，更是地緣科技博弈的新焦點——誰能優先獲得裝置、誰能在工藝整合上領先、誰就能定義下一個十年的晶片規則。先進製程的天花板，尚未封頂。但通往1nm以下的道路，註定只有極少數玩家能走完。而第一塊路標，就刻在這台價值28億的光刻機上。 (晶片研究室)

攸關英特爾（Intel ）生死關鍵的18A製程，不僅傳出客戶只有自己而已，市場最新調查指出，英特爾自家新產品用采18A製程生產，結果跑分還跑輸上一代用台積電3奈米生產的產品，被業界認為「英特爾麻煩大了」，也印證台積電總裁魏哲家去年就早預言，台積電3奈米效能比英特爾18A好。消費者新聞與商業頻道（CNBC）上周五 （19 日） 報導，英特爾在亞利桑那州的新晶圓廠Fab52 已開始量產18A製程晶片，希望藉此追上台積電，但目前唯一的客戶就是英特爾自家產品，能否說服其他大廠下單代工，將關鍵英特爾這家晶片龍頭能否翻身。英特爾18A製程相近於台積電的2奈米製程，不僅傳出客戶只有自己而已，市場調查Techbang指出，英特爾新一代Panther Lake處理器（酷睿Ultra 300系列）最近測試動作頻頻，但最新的跑分結果可能會讓不少粉絲大失所望。 根據Geekbench流出的資料，這款代號酷睿Ultra 7 365的新晶片，在單核與多核效能上，竟然都輸給現有的Ultra 7 268V。測試資料顯示，Ultra 7 365的單核得分為2451、多核9714，前一代的Ultra 7 268V，平均跑分有2639與10318，顯示新晶片效能不增反減，縮水約6%到7%。 兩者都是4個效能核心加4個低功耗節能核心的配置，但Ultra 7 365目前的時脈最高只到4.7GHz，比起前代的5.0GHz矮一截。 正式版上市的測試結果是否如工程樣品跑分，則還待觀察。半導體業界指出，英特爾核心處理器代號Panther Lake（包含 Ultra 7 365），被英特爾視為「重返榮耀」之作，運算晶片（Compute Tile）由英特爾采最先進的18A 製程生產。 相較目前Ultra 200 系列核心產品Lunar Lake / Arrow Lake，運算晶片由台積電採用3奈米製程生產，因當時英特爾自家的20A 製程良率不如預期，為了搶市佔率，決定將核心運算晶圓外包給台積電。魏哲家去年年初就曾對外資法人表示，台積電的3奈米製程優於英特爾的18A製程，他自信地說，台積電3奈米性能、能耗和可靠度都勝一籌，不只好看、好名聲，還很實用，技術持續領先。 他並強調台積電與客戶的緊密合作，專注製造不與客戶競爭，唯有讓客戶成功，台積電才能成功。英特爾的18A工藝採用High-NA EUV與背部供電新技術。 業界認為，英特爾現在最重要的是18A製程，已經在內部晶圓廠跑了兩年了，即使前陣子延攬從台積電前資深副總羅唯仁也無濟於事，因整個製程的架構已確定，18A若良率起不來，英特爾後面的技術也不可能再發展了。 (大話晶片)

從最新一份全球晶圓代工市場資料來看，台積電在產業中的位置已經不僅僅是“領先者”，而更像是整個代工體系的核心支點。市場研究機構的統計顯示，2025 年第三季度，全球前十大晶圓代工商合計營收達到 450.86 億美元，較上一季度環比增長 8.1%。在整體需求回暖、各家廠商營收普遍回升的背景下，台積電依舊拿走了其中最重要的一部分：當季營收 330.63 億美元，環比增長 9.3%，市場份額進一步提升至 71%。這一數字本身已經說明問題。超過 70% 的市場份額，意味著台積電一家所覆蓋的產能規模、客戶結構和技術層級，已經遠遠超過其他所有競爭對手的總和。無論從先進製程的推進速度、頭部客戶的集中度，還是資本開支的持續強度來看，台積電在當前代工市場中的優勢都呈現出明顯的“放大效應”。市場整體在增長，但增長最直接、最充分地體現在台積電身上。與之形成對比的是，其他晶圓代工廠商雖然同樣實現了營收增長，卻在份額上難以縮小差距。三星電子仍位居第二，但三季度營收僅為 31.84 億美元，市場份額下降至 6.8%；中芯國際、聯華電子、格羅方德等廠商分列其後，更多是在各自擅長的工藝節點和應用領域中穩步推進。整體來看，代工市場正在呈現出一種清晰的結構：台積電不斷向上擴張，而其他廠商則被迫在不同層級、不同賽道中尋找位置。也正是在這樣的背景下，一個值得關注的問題逐漸浮現——當台積電持續加快先進製程量產節奏，並通過美國、日本等地的佈局進一步鞏固其全球製造網路時，那些在正面競爭中逐漸拉開距離的“手下敗將”，正在如何調整各自的戰略？是繼續投入高風險、高資本消耗的先進製程競賽，還是選擇成熟工藝、特色製程、區域市場或特定客戶群體，建構差異化的生存邏輯？英特爾：押注先進技術與生態重構在這些追趕者中，英特爾的轉型動作最為激進，也最具系統性。作為曾經的半導體霸主，英特爾在製程技術上的落後一度讓外界質疑其代工業務的前景。但從2024年底到2025年，英特爾展現出的戰略調整清晰而堅決：不是放棄先進製程競爭，而是通過技術突破、客戶爭取和生態整合，試圖在特定領域重新建立競爭力。先進製程：14A與High-NA EUV的技術豪賭英特爾晶圓代工的核心籌碼是其14A製程節點。這一節點被定位為對外部客戶極具競爭力的選擇，預計在功耗效率和晶片密度方面實現顯著提升。更關鍵的是，14A將成為全球首個在關鍵層採用高數值孔徑（High-NA）EUV光刻技術的製造節點。英特爾已安裝ASML的Twinscan EXE:5200B，這是業界首款採用0.55數值孔徑投影光學系統的High-NA光刻裝置。該裝置能夠以8nm的解析度列印晶片，在50 mJ/cm²的劑量下每小時可處理175片晶圓，並實現0.7奈米的套刻精度。相比之下，台積電和三星雖然也在測試High-NA裝置的研發版本，但尚未將其用於商業規模生產。這意味著英特爾在這一代光刻技術的應用上，率先完成了從實驗室到生產線的跨越。英特爾表示，High-NA工具將帶來更靈活的設計規則，減少光刻步驟，降低掩模數量，縮短周期時間，並提高良率。隨著該公司不斷積累量產經驗，未來在1nm以下時代還能根據需要插入High-NA EUV多重曝光，而不會對良率產生顯著影響。這種技術路徑的前瞻性佈局，正是英特爾試圖在下一輪製程競爭中佔據主動的關鍵。先進封裝：EMIB技術的突圍機會在先進製程之外，英特爾找到了另一個突破口——先進封裝。隨著台積電CoWoS封裝產能長期緊張，英特爾的EMIB（嵌入式多晶片互連橋）技術正逐漸成為可行的替代方案。EMIB是業界首個採用嵌入式橋接技術的2.5D互連解決方案，自2017年起已實現量產。與使用矽中介層作為基板的CoWoS不同，EMIB採用局部嵌入式橋接，提供更高的成本效益和更大的設計靈活性，非常適合定製ASIC、晶片組和AI推理處理器。報導顯示，蘋果和博通正在招募具備EMIB技術專長的工程師，蘋果甚至在考慮採用英特爾的EMIB封裝技術來開發定製伺服器加速器Baltra，此前該項目原本與台積電的N3工藝相關，但由於CoWoS產能有限而轉向英特爾。英特爾還在不斷擴展EMIB產品線。新型EMIB-M將金屬-絕緣體-金屬（MIM）電容器直接整合到矽橋中，提升供電性能；EMIB-T解決方案引入矽通孔（TSV）技術，滿足HBM對低噪聲垂直供電的需求。此外，英特爾還將EMIB與Foveros 2.5D和Foveros Direct 3D結合，建立了EMIB 3.5D混合架構。英特爾晶圓代工封裝與測試副總裁表示，公司正在努力緩解先進封裝晶片短缺的局面，其優勢在於不受產能限制。據報導，AWS和聯發科等晶片設計公司正在選擇英特爾晶圓代工作為供應商。英特爾在美國本土擁有先進的封裝能力，從新墨西哥州的Fab 9和Fab 11x工廠到俄亥俄州未來可能投產的生產線，這種本土生產賦予英特爾的戰略影響力遠超成本優勢。客戶爭取：從蘋果到輝達的多線進攻英特爾晶圓代工最引人注目的進展，是其在爭取頭部客戶方面取得的實質性突破。知名分析師郭明錤的調查顯示，蘋果已與英特爾簽署保密協議，採購英特爾的18A-P PDK 0.9.1GA晶片。蘋果目前正在等待英特爾交付PDK 1.0/1.1套件，預計將於2026年第一季度到貨。如果一切順利，英特爾最早可能在2027年第二或第三季度開始交付基於18A-P先進工藝節點的蘋果入門級M系列處理器。18A-P工藝是英特爾首個支援Foveros Direct 3D混合鍵合技術的節點，針對各種功率/電壓範圍進行了精細調校，最佳化了閾值電壓以更好地平衡能效。據估計，到2027年，蘋果用於MacBook和iPad的入門級M系列晶片產量可能達到1500萬至2000萬顆。這不僅意味著巨大的產能貢獻，也像征著英特爾在高端移動晶片市場重新獲得認可。更廣泛的客戶拓展也在同步進行。據報導，輝達和AMD正在評估英特爾晶圓代工的14A製程節點。英特爾副總裁證實，一些先進封裝客戶取得了良好成果，客戶主動聯絡英特爾是溢出效應的結果，公司目前正在進行戰略對話。18A-P工藝在PDK方面已相當成熟，英特爾將重新與外部客戶接洽，以評估他們的興趣。ASIC業務：從IDM到系統代工的轉型英特爾的另一個重要戰略調整是設立專用ASIC部門。該部門由Srini Iyengar領導，隸屬於中央工程集團（CEG）。英特爾首席執行長陳立武（Lip-Bu Tan）在第三季度財報電話會議上表示：“CEG團隊將牽頭建構我們全新的ASIC和設計服務業務，為廣泛的外部客戶提供定製晶片。這不僅將擴展我們核心x86 IP的應用範圍，還將利用我們的設計優勢，提供從通用計算到固定功能計算的一系列解決方案。”這一戰略的邏輯在於，英特爾擁有晶片技術專長、x86 IP以及提供製造服務的內部代工廠，尋求定製AI晶片的客戶可以獲得滿足所有需求的“一站式”服務。這是市場上其他ASIC設計商都無法提供的優勢，即使是博通、Marvell或Alchip也不例外，因為英特爾的代工廠服務正是其區別於其他公司的關鍵所在。借助CEG集團，英特爾實現了橫向工程的集中化，這意味著將設計服務與製造和封裝相結合的成本已大幅降低。英特爾副總裁表示，公司在定製網路ASIC晶片領域擁有蓬勃發展的業務，已經獲得了眾多智能網路卡ASIC晶片的客戶。這些晶片專為網路密集型工作負載而設計，例如網路封包處理、遙測、流量管理等。值得一提的是，陳立武在推動定製晶片商業模式方面有著深厚的經驗，他在Cadence公司擔任要職期間，一直致力於智慧財產權業務、設計工具、設計生態系統合作以及定製晶片的垂直市場。他的經驗和市場人脈將助力英特爾更好地把握ASIC熱潮。併購整合：收購SambaNova補齊AI拼圖為了進一步強化AI領域的競爭力，英特爾正就收購人工智慧晶片初創企業SambaNova Systems進行深入談判，此次收購包含債務在內的總估值約為16億美元。SambaNova於2017年由史丹佛大學的教授團隊創立，專注於定製化人工智慧晶片的設計研發，目標是與輝達的同類產品展開競爭。值得注意的是，英特爾首席執行長陳立武同時擔任SambaNova的董事長，他旗下的風險投資公司華登國際是SambaNova的創始投資方之一，並曾在2018年牽頭完成了該公司規模達5600萬美元的A輪融資。以16億美元的價格收購SambaNova，將為英特爾帶來其長期尋求的技術平台，助力完善自身人工智慧產品佈局，且此次收購價格相比該公司2021年50億美元的估值存在明顯折價。三星：2nm製程的背水一戰如果說英特爾的策略是多點開花、尋求技術突破，那麼三星電子則是把所有籌碼壓在了2nm製程的大規模量產上。作為全球第二大晶圓代工廠，三星在3nm製程競賽中屢敗於台積電，連續數年每季度虧損數兆韓元。但從2024年底到2025年，三星的2nm業務開始顯現轉機，成為其晶圓代工部門扭虧為盈的關鍵變數。良率提升：從50%到70%的關鍵跨越三星2nm製程採用全環柵（GAA）電晶體架構，這是三星在3nm製程中率先引入的技術。與傳統的鰭式場效應電晶體（FinFET）設計相比，GAA技術最大限度地減少了電流洩漏，並顯著提高了性能和電源效率。關鍵的是，三星從3nm開始採用GAA，而台積電將從2nm才開始應用。這意味著三星在克服3nm工藝挑戰的同時，積累了多樣化的GAA經驗，與剛剛開始採用這項新技術的台積電處於不同的位置。根據韓國媒體報導，三星2nm製程的良率已經從9月份的50%提升到11月的50%至60%，目標是在年底或2026年初將生產良率提高到70%左右，以吸引大客戶。市場研究公司Counterpoint Research預測,三星的2nm產能將增加163%，從2024年的每月8000片晶圓增加到2026年底的21000片晶圓。三星DS部門首席技術官（CTO）兼總裁宋在赫在與總統政策秘書室長金容範的會談中強調，隨著人工智慧投資熱潮推動半導體需求進入景氣周期，2nm製程將成為一個關鍵的轉折點。熟悉三星的消息人士表示：“距離2nm全面量產已不遠，這番言論被解讀為三星計畫中的2nm工藝良率和晶片性能正在穩步達到目標。”客戶突破：從特斯拉到高通的訂單斬獲隨著良率的提升，三星已成功吸引到主要客戶採用其先進工藝。2024年7月，三星獲得了與特斯拉的合同，價值165億美元，用於生產下一代AI6晶片。AI6是一款採用2nm工藝量產的高性能晶片，將用於特斯拉的全自動駕駛（FSD）系統，預計將於2027年內上市。特斯拉首席執行長埃隆·馬斯克也確認，三星將代工部分AI5晶片系列，該系列晶片最初計畫由台積電代工。除了特斯拉，三星還接到了多個重要訂單：三星系統LSI內部的智慧型手機應用處理器Exynos 2600、蘋果的圖像感測器，以及MicroBT和Canaan的挖礦專用晶片（ASICs）。高通的應用處理器也有望跟進，傳聞高通的第六代驍龍8至尊版將會有基於三星2nm代工的版本。最近，據悉，由著名晶片架構師Jim Keller領導的AI半導體公司Tenstorrent也在考慮與三星和台積電合作生產下一代晶片。此外，三星還贏得了美國AI半導體初創公司Tsavorite Scalable Intelligence、Anaphae以及韓國初創公司DeepX的生產合同。據報導，Tsavorite已向三星預訂了價值約1500億韓元（約合1000億美元）的AI晶片，採用三星4nm工藝。汽車市場：從特斯拉到現代的全方位佈局三星晶圓代工的另一個重要突破口是汽車半導體市場。除了特斯拉的AI6晶片，三星正準備為現代汽車公司量產8nm MCU（微控製器單元），該公司計畫在2028年完成研發，並在2030年開始量產。三星晶圓代工極有可能贏得現代汽車高端車型5nm自動駕駛晶片的合同。更值得關注的是，三星晶圓代工將向現代汽車供應採用14nm FinFET工藝量產的eMRAM（嵌入式磁性隨機存取儲存器）。eMRAM是一種利用直接嵌入半導體內部的磁性來儲存資料的儲存半導體，速度大約是NAND的1000倍，但低功耗特性正在推動汽車行業對其需求的增長。三星計畫在2026年將其eMRAM產品組合擴展到8nm，並在2027年擴展到5nm。通過這種方式，三星代工廠獲得了大多數工藝的汽車晶片參考標準，包括超精細工藝（2nm）、精細工藝（5nm和8nm）以及成熟工藝（14nm）。這種全方位的佈局，使三星在汽車半導體代工領域建立了顯著的競爭優勢。矽光子技術：挑戰台積電的新戰場三星的戰略佈局不僅限於傳統晶圓代工，還包括對下一代技術的前瞻性投入。三星電子DS事業部已將矽光子學選為未來的核心技術，並開始為其位於新加坡的專屬研發中心招募經驗豐富的專家。該新加坡研發中心由副總裁兼前台積電員工崔景建領導，正與總部技術開發辦公室緊密合作，共同推進這項技術的發展。矽光子技術以光傳輸資料，成為資料中心、高效能運算及網路基礎設施在超高頻寬、低延遲及高能源效率的解決方案。與將資料資訊儲存在銅線上的傳統半導體不同，矽光子技術將資訊封裝在光中，然後通過光纖傳輸，幾乎沒有電阻，能夠實現更快的傳輸速度，還能顯著降低發熱量和功耗。三星正調動其遍佈韓國、新加坡、印度、美國和日本的全球研發網路，致力於矽光子技術的研發。三星近期將負責矽光子技術研發的高級主管李康浩晉陞為副總裁,並聘請了英特爾前首席產品官研究員朴賢大。三星還與人工智慧半導體設計公司博通合作，共同推進矽光子技術的商業化。三星宣佈CPO（共封裝光學器件）的商業化日期為2027年。業內人士預計，矽光子技術是贏得更多大型晶圓代工客戶的關鍵，這可能是一張反擊王牌，能夠扭轉三星目前在2.5D和3D等尖端封裝市場落後於台積電的局面。市場研究公司Modo Intelligence預測，到2030年，矽光子市場規模將增長至103億美元。High-NA EUV：追趕台積電的裝置競賽在先進光刻裝置方面，三星也在積極追趕。三星電子計畫在2026年上半年前投資約1.1兆韓元，引進兩台最新的極紫外（EUV）曝光裝置——荷蘭阿斯麥公司的“高數值孔徑（NA）EUV”。該裝置能夠繪製比現有產品精細1.7倍的電路，每套裝置成本約為5500億韓元。三星計畫在其2nm晶圓生產線上部署新機器，該生產線已在生產Exynos 2600應用處理器。三星還計畫使用最新的EUV裝置在2nm晶圓生產線上生產和供應特斯拉的下一代人工智慧晶片。該工具還將支援三星未來的垂直通道電晶體（VCT）DRAM的生產，這是一種高性能、低功耗的記憶體晶片，計畫於2027年左右量產。據悉，三星董事長李在鎔對High-NA EUV的興趣始於2023年12月，當時他訪問了位於荷蘭的ASML總部。李在鎔對EUV實現2nm以下晶片生產的潛力印象深刻，因此指示工程師加快開發相容的工藝技術。盈利預期：2027年的轉折點行業預計，多年來一直錄得季度數百億韓元虧損的三星代工業務將從2027年開始扭虧為盈。這得益於其奧斯汀工廠的開工率預期提高，以及泰勒工廠從2027年開始大規模量產特斯拉的AI6晶片。三星在其第三季度財報簡報中表示：“我們獲得了以尖端工藝為中心的創紀錄訂單，包括2nm的大規模客戶合同。隨著採用2nm工藝的新產品全面量產，我們預計通過持續提高開工率和實施成本效率措施，業績將進一步改善。”Counterpoint Research表示：“如果良率持續改善，並且泰勒工廠的量產順利進行，三星可能在數代以來首次在尖端工藝上有意義地縮小與台積電的競爭差距。”目前，台積電面臨著輝達和蘋果等主要客戶的訂單集中，據報導將其2nm晶圓價格比前幾代提高了50%。這為三星創造了一個可以搶佔的利基市場，後者正利用靈活的定價策略來吸引客戶。聯電：成熟製程的差異化突圍與英特爾和三星不同，聯華電子（聯電）很早就明確了自己的戰略定位：不參與高風險、高資本消耗的先進製程競賽，而是在成熟製程的基礎上，通過特殊工藝、先進封裝和矽光子等高附加價值應用，開闢新的增長空間。面對中國大陸晶圓廠在成熟製程市場的激烈競爭，聯電的策略是避開價格戰，轉向技術壁壘更高、毛利更豐厚的細分領域。先進封裝：高通訂單的戰略意義目前，聯電已經在先進封裝領域取得了實質性突破。聯電自行開發的高階中介層（Interposer）已獲得高通的電性驗證，並已進入試產流程，預估最快2026年第一季度量產。供應鏈透露，聯電首批中介層電容密度達1500nF/mm²，技術水準屬於高階封裝主流，高通更直接採購爐管機台放入聯電廠房，顯示雙方合作深度與信任度非比尋常。這一合作涵蓋AI PC、智能汽車與AI伺服器等三大市場，強化聯電在高速運算領域的地位。聯電同步擴大海外封裝佈局，新加坡廠已投入2.5D製程，並具備晶圓對晶圓（Wafer-to-Wafer）鍵合技術，這是3D IC製造的關鍵能力。聯電強調，未來將以完整方案為策略，不僅提供晶圓製程，也整合封裝平台，打造屬於聯電的先進封裝生態系，並結合智原、矽統、華邦等轉投資夥伴，提高系統性競爭力。業界人士指出，聯電佈局先進封裝，先前在製程端僅供應中介層，應用在RFSOI製程，對營收貢獻有限。隨著高通採用聯電先進封裝製程打造高速運算晶片，近期雙方合作又進一步發展，對聯電來說將能降低在成熟製程的低價競爭，闖出一條不同之路。矽光子：與IMEC合作搶佔新賽道聯電的另一個重要佈局是矽光子領域。聯電與比利時微電子研究中心（IMEC）簽署技術授權協議，取得IMEC iSiPP300矽光子製程，該製程具備共封裝光學（CPO）相容性。藉由此次授權合作，聯電將推出12英吋矽光子平台，瞄準下世代高速連接應用市場。隨著AI資料負載日益增加，傳統銅互連面臨瓶頸，矽光子技術以光傳輸資料，成為資料中心、高效能運算及網路基礎設施在超高頻寬、低延遲及高能源效率的解決方案。聯電將結合IMEC經驗證的12英吋矽光子製程技術、加上聯電絕緣層上覆矽（SOI）晶圓製程，為客戶提供高度可擴展的光子晶片（PIC）平台。聯電資深副總經理指出，取得IMEC最先進的矽光子製程技術授權，將加速聯電12英吋矽光子平台的發展處理程序。聯電正與多家新客戶合作，預計在2026及2027年展開風險試產。此外，聯電未來系統架構將朝CPO與光學I/O等更高整合度的方向邁進，提供資料中心內部及跨資料中心需要的高頻寬、低能耗且高度可擴展的光互連應用解決方案。業界分析，IMEC是全球微電子與奈米技術研究重鎮，長年與台積電、英特爾等科技巨頭合作，其矽光子研究位居世界第一梯隊。聯電此次攜手IMEC揮軍矽光子，有三大優勢：首先是聯電不用從零開始摸索矽光子元件設計規則，能直接取得IMEC的光子PDK、聯合開發驗證；其次是大幅縮短商業化量產時間；最後則是與國際大客戶的技術對接更順暢。據瞭解，輝達將在今年推出的新世代Rubin架構起，大量在AI伺服器匯入矽光子及CPO技術。法人認為，聯電揮軍矽光子，有助進一步打入AI伺服器、資料中心等核心供應鏈，若2027年如期放量，聯電將成為全球CPO供應鏈中不可或缺的晶圓製造要角。美國本土製造：與Polar的戰略合作聯電還在積極拓展美國本土製造能力。聯電宣佈，已與專攻高壓、功率及感測器的美國晶圓代工廠Polar Semiconductor簽署合作備忘錄（MOU），雙方將展開洽談，共同探索在美國本土8英吋晶圓製造的合作機會，以應對汽車、資料中心、消費電子，以及航空與國防等關鍵產業持續成長的需求。根據該諒解備忘錄，Polar與聯電將評估可在Polar近期擴建的明尼蘇達州8英吋晶圓廠所生產的產品，並選定具體的生產項目。結合Polar穩健的製造能力，與聯電完整的8英吋晶圓製造技術組合及全球客戶基礎，這項合作可望推動雙方業務成長，並協助客戶實現多元製造佈局。此外，此合作也將進一步強化美國本土的8英吋晶圓製造產能，確保汽車、電網、機器人製造、資料中心等產業所需的關鍵功率半導體能夠在美國穩定供應。聯電全球業務資深副總經理指出：“聯電致力通過多元的製程技術及全球佈局，為客戶提供彈性的供應鏈選擇，以協助客戶在現今的地緣政治環境中提升競爭力。這次合作不僅直接回應客戶對美國本土半導體製造方案的需求，也展現聯電以創新解決方案和雙贏的合作模式，延續我們為客戶創造價值的一貫承諾。”製程探索：與英特爾的潛在合作儘管聯電明確表示不會全面進軍先進製程，但市場傳出，聯電正考慮擴大與英特爾之間的合作夥伴關係，可能選擇在原有12nm製程合作基礎上，將製程提升至6nm製程。對此，聯電表示不評論市場消息，但強調雙方在12nm鰭式場效電晶體（FinFET）合作將按規劃，於2027年匯入量產，具備AI、物聯網與車用等高增長領域的應用優勢。聯電董事長指出，12nm FinFET製程技術平台（12FFC）相較於14nm技術（14FFC），晶片尺寸更小、功耗更低，性能大幅提升，充分發揮FinFET的優勢，可廣泛應用於各種半導體產品。與14FFC相比，12nm技術在最佳化的FinFET裝置下，可實現10%的性能提升，透過降低電壓減少20%功耗，採用六走線軌道設計，使面積減少超過10%，並節省三層光罩，進一步增強聯電成本競爭力。法人認為，即便聯電不跨進先進製程，該公司在矽光子與先進封裝等領域多元佈局，有助在成熟製程紅海中開創新藍海。格羅方德：區域化與特色工藝的守成者格羅方德（GlobalFoundries）作為全球第五大晶圓代工廠，很早就放棄了先進製程的競爭，轉而專注於成熟製程和特色工藝。但在2024年底到2025年，格羅方德的戰略重心更加清晰：通過區域化佈局、矽光子技術和IP整合，在特定市場和應用領域建立不可替代的地位。矽光子佈局：收購AMF擴大領先優勢2024年11月17日，格羅方德宣佈收購位於新加坡的矽光子晶圓代工廠Advanced Micro Foundry（AMF）。此舉標誌著格羅方德在推進創新和鞏固其矽光子領域領先地位的戰略中邁出了關鍵一步。此次收購將擴展格羅方德在新加坡的矽光子技術組合、產能和研發能力，與其在美國的現有技術形成互補。格羅方德收購AMF，將AMF的製造資產、豐富的智慧財產權和專業人才整合在一起，顯著擴展格羅方德的矽光子技術，並使格羅方德成為全球營收最高的純矽光子晶圓代工廠。憑藉AMF超過15年的製造經驗，格羅方德將利用AMF位於新加坡的200mm平台，滿足長距離光通訊、計算、雷射雷達和感測等領域的需求，並計畫隨著市場需求的增長擴展至300mm平台。格羅方德首席執行長表示：“矽光子技術對人工智慧基礎設施至關重要。隨著資料傳輸速度加快、工作負載日益複雜，以更高的速度、精度和能效傳輸資訊的能力如今已成為人工智慧資料中心和先進電信網路的基礎。收購AMF使格羅方德能夠提供更全面、更具差異化的十年可插拔收發器和共封裝光器件發展路線圖，同時加速光子技術向汽車和量子計算等相鄰市場的發展。”為配合此次收購，格羅方德計畫在新加坡建立一個矽光子學研發卓越中心（CoE）。該中心將與新加坡科技研究局合作，專注於研發用於400Gbps超高速資料傳輸的下一代材料，從而推進格羅方德的創新路線圖。IP整合：收購MIPS強化計算能力值得注意的是，格羅方德今年還正式宣佈計畫收購MIPS，這家公司提供基於開源RISC-V指令集架構的處理器IP。格羅方德重申其純代工廠的定位，強調此次收購並不意味著將轉向晶片設計或銷售，其真正目的是通過提供現成可用的IP模組，幫助客戶——尤其是初次涉足晶片開發或希望實現垂直整合的企業——簡化系統設計流程。格羅方德企業傳播總監表示：“收購MIPS將增強格羅方德為客戶提供更完整、更具差異化解決方案的能力。通過整合MIPS成熟的RISC-V處理器IP及軟體工具,格羅方德客戶將受益於更廣泛的計算IP訪問、更短的上市周期、更大的靈活性與開放性，以及面向高增長市場的更優技術。這一舉措將使格羅方德不僅是製造合作夥伴，更成為提供基礎計算技術的戰略夥伴。”公司計畫持續支援MIPS基於開源RISC-V架構的處理器核心產品組合，以滿足各類計算需求，從而拓展格羅方德在新市場和新應用領域的服務能力。這涵蓋了用於自動化平台、嵌入式系統和智能邊緣裝置的計算子系統。除了邊緣AI應用外，格羅方德與MIPS的協同能力也非常適合在車載、物聯網和資料中心基礎設施等高增長領域發揮作用。儘管MIPS將成為格羅方德的子公司並向其客戶提供IP產品，但MIPS將繼續獨立營運，維持現有客戶關係並繼續推進當前項目與合作協議。此外，MIPS也將繼續與其他晶圓廠合作。歐洲擴產：德累斯頓工廠的戰略升級今年11月，格羅方德宣佈，計畫投資11億歐元，擴大其位於德國德累斯頓工廠的產能。這項投資將使該工廠的產能到2028年底提升至每年超過100萬片晶圓，使其成為歐洲同類工廠中規模最大的工廠。這項名為"SPRINT"的擴建計畫預計將得到德國聯邦政府和薩克森州在《歐洲晶片法案》框架下的支援。作為項目的一部分，該設施將進行升級，以提供端到端的歐洲流程和資料流，滿足關鍵的半導體安全要求。新的產能將專注於格羅方德高度差異化的技術——其關鍵性能特性包括低功耗、嵌入式安全記憶體和無線連接——這些特性對於滿足歐洲在汽車、物聯網、國防和關鍵基礎設施應用領域的晶片需求至關重要。格羅方德首席執行長表示：“近期汽車行業的動盪凸顯了全球晶片供應鏈的脆弱性。我們計畫在德累斯頓進行擴張，這是格羅方德積極應對這些挑戰並履行承諾的又一舉措，旨在支援歐洲對安全供應鏈和差異化技術的需求。通過擴大我們在歐洲、美國和全球的製造業務，格羅方德正在鞏固其作為關鍵行業客戶韌性十足且值得信賴的合作夥伴的地位。”中國市場：技術授權的務實路線在先進製程受限的大背景下，特色工藝的技術轉移成為了格羅方德與中國廠商合作的新模式。2025年8月，格羅方德宣佈與一家中國本土代工廠達成最終協議，為中國客戶提供車規級工藝與製造專長，不過格羅方德並未公開合作方。這種合作模式的優勢在於：相比先進邏輯製程，特色工藝更注重應用導向和工藝最佳化，技術壁壘相對較低，但應用門檻較高。通過技術授權，國內廠商可直接獲得成熟的工藝平台，無需漫長的研發周期即可投入量產，從而縮短產品上市時間、降低開發成本，並增強本地供應鏈韌性。對於格羅方德而言，在先進製程競爭中處於劣勢的情況下，通過技術授權可以實現技術價值的最大化。對於中國廠商而言，這種合作模式能夠快速提升在射頻、功率、車規晶片等特色工藝領域的技術能力。結語：差異化生存的多重路徑從英特爾、三星、聯電到格羅方德的戰略調整來看，晶圓代工市場正在形成一種新的競爭格局：台積電繼續在先進製程和頭部客戶中佔據絕對優勢，而其他廠商則在各自選擇的細分賽道中尋找生存空間。英特爾押注先進製程與先進封裝的雙輪驅動，試圖通過技術突破和生態整合重新建立競爭力；三星將大部分籌碼壓在2nm製程的大規模量產上，期待在下一輪技術周期中實現反超；聯電專注於成熟製程的差異化升級，通過先進封裝和矽光子等高附加價值應用避開價格戰；格羅方德則堅守特色工藝和區域化佈局，在特定市場和應用領域建立不可替代的地位。這些戰略調整的共同特點是：不再試圖在所有維度上與台積電正面競爭，而是根據自身的技術積累、客戶基礎和資源稟賦，選擇最適合自己的發展路徑。在先進封裝、矽光子、ASIC設計服務、區域化製造等新興領域，這些“手下敗將”正在尋找新的增長機會。 (半導體行業觀察)

當地時間12月16日清晨，英特爾宣佈，其已同ASML 實現了全球首套、也是目前最先進的「二代」High NA EUV 光刻機TWINSCAN EXE:5200B 的「驗收測試」。這是業界首台採用0.55數值孔徑投影光學系統的商用晶片生產High-NA EUV微影機。該裝置已通過驗收測試，並將用於Intel 14A（1.4nm）製程的開發。相較主要用於製程前期研發的「一代」機型EXE:5000，EXE:5200B 身上的「量產用裝置」味道更濃：其配備了更高功率/ 劑量的EUV 光源，晶圓吞吐量提升到每小時175 塊；套刻精度提升至0.7nm；此外通過新的晶圓儲存結構提升了整體精度的穩定性。英特爾代工也在同一篇部落格中提到，在2025 IEEE IEDM 上，其與imec 合作展示了對2DFET 材料氧化物帽層的選擇性凹陷刻蝕以及在12 英吋試生產線中製造的具有大馬士革型頂接觸的電晶體。英特爾強調，公司也在展望更遠的未來。現今最先進的電晶體採用環繞閘極架構（英特爾晶圓代工稱之為RibbonFET），將電晶體完全包裹在通道周圍。這些電晶體以單層形式整合在晶片上，我們也在努力實現電晶體的堆疊。英特爾和業界其他公司都認為，在未來的某個時刻，電晶體的尺寸將會縮小到矽原子性能開始下降的程度。接下來看量產速度。英特爾官方給KPI：2025年Q2試產，Q4進HVM，目標把每小時175片提到200片，單片缺陷密度降到0.1/cm²。換算成月產能，一座廠每月可產6萬片14A晶圓，足夠做1200萬顆筆記本CPU，等同於全球一個季度的遊戲本需求。 ASML透露，2024年只能交付6台5200B，英特爾搶下首台，剩下5台台積電、三星各瞄3台，誰先調好工藝，誰就能把1.4nm的「時間閘門」握在自己手裡。 （半導體產業圈）

國際半導體產業協會（SEMI）與TechInsights聯合發佈的最新《全球晶圓廠裝置支出報告》顯示，受3D NAND層數競賽、DRAM製程升級及先進邏輯產能本土化驅動，2027年全球晶片製造裝置銷售額將首次突破1560億美元，較2024年大增42%；其中中國大陸、台灣和韓國合計拿下72%的市場份額，成為拉動裝置需求的三駕馬車。報告指出，2025—2027年間，全球將新增300mm晶圓產線合計超過110條，年復合投片增速達9.8%。先進邏輯方面，台積電、三星、英特爾三家將相繼匯入High-NA EUV光刻機，單台售價約3.8億美元，預計貢獻220億美元增量；3D NAND陣營為突破400層堆疊，長江儲存、三星西安、SK海力士大連將大量採購高深寬比蝕刻與原子層沉積裝置，相關細分市場年復合增速高達18%。中國大陸繼續扮演“最豪買家”。SEMI資料顯示，2027年中國大陸裝置支出將達490億美元，佔全球31%，連續五年蟬聯第一大市場。增量主要來自中芯國際、長鑫儲存、長江儲存的產能爬坡，以及粵芯、芯粵、上海臨港等新主體擴產。值得注意的是，在美國出口管制持續收緊背景下，中國廠商加快對成熟製程與特色工藝的“補缺口”式投資——45nm至28nm節點的DUV浸沒式光刻機2026年交付量將同比提升60%，ASML、尼康、佳能三家合計向中國客戶交付180台。台灣方面，台積電2nm及A16（1.6nm）新竹寶山、高雄、台中三大基地同步建設，2027年裝置支出預計430億美元，佔全球28%，其中EUV相關投資就達140億美元。供應鏈透露，台積電已鎖定ASML 2026全年120台0.33 NA EUV與首批6台0.55 NA High-NA產能，用於2027年試產1.4nm原型。韓國則憑藉三星、SK海力士的DRAM與3D NAND擴產，2027年裝置支出將達310億美元。三星平澤P4、P5兩期工廠將匯入新一代GAA電晶體與400層V-NAND工藝，單廠年裝置預算超80億美元；SK海力士則在龍仁未來產業叢集新建M15X DRAM產線，全面採用EUV光刻+High-k金屬柵，目標2027年實現1cnm（約10nm級）DRAM量產。分裝置類型看，2027年蝕刻、薄膜、光刻三大核心裝置銷售額將分別達280億、260億、250億美元，合計佔市場半壁江山。其中，原子層蝕刻（ALE）與電漿體增強ALD年復合增速超20%，成為3D NAND與GAA電晶體的關鍵瓶頸。國內裝置廠商亦加速“補位”：北方華創、中微公司、盛美半導體2026年本土市佔率有望由2024年的15%提升至25%，但EUV、High-NA光刻機與超高深寬比蝕刻仍依賴進口。SEMI全球總裁Ajit Manocha指出，1560億美元只是“保守數字”，若美國、歐洲、日本進一步加碼本土化激勵，裝置支出峰值可能提前至2026年出現。對於高度分工的全球半導體供應鏈而言，裝置需求爆發意味著“製造再全球化”正式開局，誰能在EUV、High-NA、3D整合與先進封裝四大戰場搶到產能，誰就將在下一個十年掌握晶片話語權。 (晶片行業)