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據Tom's Hardware報導,英特爾近日公佈了一項新專利,描述了將MicroLED直接整合到CPU封裝中的技術方案。該專利於2022年提交,但直到本月早些時候才正式公開。專利檔案顯示,MicroLED可通過玻璃基板和玻璃通孔(TGV)嵌入封裝內部,直接與晶片連接,用於供電和訊號傳輸。 英特爾在專利中列出了MicroLED的多種潛在用途,包括“作為電子裝置的美學元件,或用於指示電子裝置正在執行的某些操作”。具體而言,處理器可以控制MicroLED,使其“視覺上指示處理器正在執行的特定功能,或者僅用於美學效果”。在專利的一個部分中,英特爾甚至描述了利用LED“點亮中央處理器上的文字”,暗示某種可直接在CPU上讀取的顯示功能。 該專利的核心結構如下:中間是一層玻璃基板,夾在兩層封裝基板之間。半導體裸片部分嵌入玻璃基板中,僅背面暴露,但專利指出在其他實現方式中裸片可完全嵌入。LED直接連接至半導體裸片,或通過奈米線連接,而TGV則通過玻璃基板為裸片輸送電力和訊號。英特爾表示,該封裝採用兩層氮化矽建構,先在封裝基板表面形成,再與玻璃基板結合。 值得注意的是,英特爾在玻璃基板領域已投入超過三年。公司此前曾表示,玻璃基板的互連密度可達有機基板的10倍。此次專利將玻璃基板技術與MicroLED整合相結合,展示了英特爾在先進封裝領域的持續探索。
英特爾:MicroLED嵌入CPU封裝!
英特爾代工業務負責人納加·錢德拉塞卡蘭近日向投資銀行KeyBanc透露,英特爾下一代14A(1.4納米級)製程技術的性能預計將在台積電A14(1.4納米級)節點的“5%以內”。這一表述引發了業界對英特爾未來製程競爭力的廣泛討論,因為“5%以內”既可以理解為14A領先A14不超過5%,也可以理解為落後不超過5%,其具體含義尚不明確。 從兩家公司已公佈的資料來看,這一保守預期與現有資訊存在一定出入。英特爾官方表示,相較於其已量產的18A製程,14A將在同等功耗下提供15%至20% 的性能提升,或在同等頻率和電晶體數量下降低25%至35% 的功耗。台積電則預計其A14在同等功耗下比N2快10%至15%,或在同等頻率和電晶體數量下降低25%至30% 的功耗。 實際產品資料進一步提供了參考。目前,英特爾Core Ultra X9 388H“Panther Lake”處理器的最高頻率可達5.10 GHz,而台積電N2製程的AMD EPYC 9586F單核最高頻率為5.00 GHz,蘋果M6則為4.78 GHz。儘管不同處理器的架構、電壓和散熱設計各異,不能直接換算為製程性能差距,但這些資料表明,現有N2產品並未在頻率上對18A形成顯著優勢。 若以這些實際頻率為起點,結合兩家公司公佈的iso-power性能提升資料,可以推算出14A相對A14的潛在優勢區間。以Core Ultra X9 388H和EPYC 9586F為基準,在最保守情景下(英特爾14A僅提升15%,台積電A14提升15%),14A仍領先約2%;而在最樂觀情景下(14A提升20%,A14提升10%),領先幅度可達11.3%。若以蘋果M6作為N2的參照,14A的隱含優勢區間則為6.5%至16.2%。
英特爾最新工藝對標台積電!