當業界目光聚焦於輝達H200命運之際，伺服器CPU市場突傳警報。Techi.com今日援引多名管道商與OEM廠商稱，英特爾Xeon Scalable與AMD EPYC系列處理器對華供應"顯著收緊"，部分型號交貨周期從4周延長至16周，價格漲幅達20%-35%。這是繼GPU之後，美國對華半導體封鎖向資料中心核心算力蔓延的最新訊號。管道證實，英特爾自2025年12月起對中國區伺服器CPU實行"配額制"，季度出貨量較2024年同期下降約30%；AMD雖未明文限制，但米蘭、熱那亞等高端EPYC型號優先供應北美雲廠商，中國區實際可分配量縮減25%。某頭部伺服器ODM採購總監告訴記者："原來季度能拿5萬顆Xeon，現在只給3萬顆，剩下2萬顆要麼等下個季度，要麼加錢去現貨市場搶。"漲價與缺貨雙重壓力下，中國網際網路大廠與營運商被迫調整採購策略。阿里雲已把2026年Q1伺服器招標中x86架構佔比從70%下調至45%，空出份額轉向華為鯤鵬920與飛騰S5000C；中國移動則要求集采伺服器"國產CPU佔比不低於50%"，海光資訊C86-3G與兆芯KH-40000系列中標份額同比提升三倍。中國國產CPU廠商迎來訂單井噴。華為鯤鵬產品線內部人士透露，2026年1月伺服器CPU出貨量突破8萬顆，為2024年同期四倍，深圳、東莞封裝基地已實行"三班倒"擴產；海光資訊則宣佈DCU與CPU產線滿產，2026年資本開支上調40%用於7nm以下先進封裝。管道反饋，鯤鵬920現貨價從年初1800元漲至2400元，仍供不應求。美國商務部尚未就伺服器CPU供應收緊發表官方評論，但業內普遍認為這與2025年10月更新的"先進計算與半導體製造裝置"規則有關——雖未直接點名CPU，但BIS已將"高性能資料中心處理器"納入出口審查範圍，Intel、AMD為規避合規風險主動縮減對華出貨。對於中國國產CPU生態而言，窗口期與挑戰並存。華為鯤鵬、飛騰基於ARM架構，軟體適配仍需時間；海光、兆芯雖相容x86，但7nm以下先進製程仍依賴境外代工。某雲廠商技術總監表示："現在不是選不選國產，而是沒得選。ARM生態遷移成本比x86高30%，但總比斷供強。"分析人士指出，若Intel、AMD供應持續收緊，2026年中國伺服器CPU市場國產佔比有望從2024年的18%躍升至35%，ARM與x86雙路線平行格局正式確立。對於仍在攻堅7nm以下的國產晶圓廠而言，伺服器CPU的"被動替代"意味著每年新增約50萬片12英吋晶圓需求，國產裝置與材料產業鏈將同步受益。從GPU到CPU，美國對華資料中心算力的封鎖正在層層加碼。當"洋芯"供應不再確定，國產替代從"可選項"變成"必選項"，中國半導體產業的自主化處理程序，正被外部壓力倒逼進入加速期。 (晶片行業)

英特爾表示，英特爾正進軍圖形處理器（GPU）英特爾首席執行長陳立武於周二宣佈，公司已任命新任首席架構師，專門主導圖形處理器（GPU）的研發工作。目前，輝達、超威半導體（AMD）等企業生產的GPU是大型語言模型的算力核心，市場需求旺盛。隨著全球各大企業爭相佈局人工智慧基礎設施與資料中心，GPU的市場需求更是一路飆升。陳立武在思科人工智慧峰會上透露，公司費了一番遊說才說服這位新任高管加盟，但未公佈其具體姓名。為進軍GPU領域，陳立武上任後推出“三步棋”策略，首先是自身臨危受命出任CEO，推進大刀闊斧的改革。第二步是招兵買馬，先後引入Kevork Kechichian和Eric Demers兩位技術大牛，助力GPU項目落地。其中，Kevork Kechichian全權負責GPU項目，Eric Demers則熟悉GPU架構設計，二人加盟標誌著GPU項目進入實戰階段。（註：Kevork Kechichian：歷任 ARM、高通、恩智浦，現任英特爾，全權負責 GPU 項目，統籌資料中心與 AI 業務，深耕 Chiplets 技術。Eric Demers：歷任 ATI/AMD、高通、任天堂，20 餘年 GPU 架構設計經驗，主導多款經典 GPU 架構研發，具備頂尖研發與團隊搭建能力。）第三步便是此次思科峰會上官宣任命新任首席架構師，正式亮劍進軍GPU領域，陳立武表示將圍繞客戶需求制定相關戰略。當前英特爾雖獲得多方大額投資、股價有所回升，但仍面臨產能集中自用、生產故障等問題，亟待突破。陳立武同時提及，AI驅動下儲存晶片短缺將持續至2028年，這也為英特爾GPU研發及市場佈局帶來新的挑戰與考量。 (芯榜)

英特爾CEO陳立武警告：儲存晶片短缺將成為一個長期存在的問題。彭博社消息：英特爾公司首席執行長陳立武表示，電腦行業的儲存晶片短缺問題大機率將持續至少兩年。他在周二思科系統公司的一場會議上稱：“據我所知，目前尚無緩解跡象。” 陳立武透露，他曾與儲存晶片領域的兩大核心企業交流，對方表示 “直至 2028 年，短缺問題都無法得到緩解”。人工智慧基礎設施的大規模擴建推高了儲存晶片的需求，導致可供傳統電腦和智慧型手機使用的晶片供應量減少，進而引發晶片短缺與價格上漲，還可能削弱消費者對相關產品的購買意願。陳立武指出，人工智慧處理器龍頭企業輝達推出的新一代魯賓平台及後續產品，會進一步拉升儲存晶片的需求。他表示，人工智慧領域將 “消耗海量的儲存晶片”。英特爾是全球最大的個人電腦處理器製造商，而處理器的運行離不開儲存晶片對資料的儲存與管理。當前全球頭部的儲存晶片製造商為三星電子、SK 海力士和美光科技。 (芯榜)

佳能2011年進入後工序光刻裝置市場，目前幾乎壟斷了半導體巨頭使用的後工序光刻裝置。阿斯麥在前工序領域佔絕對優勢，其涉足後工序對佳能構成了威脅。尼康也計畫推出後工序光刻裝置……使用尼康面向後工序的光刻裝置製作的中間基板（2025年12月）全球最大的光刻裝置廠商荷蘭阿斯麥控股（ASML Holdings）已涉足半導體製造過程中組裝最終產品的“後工序”。推出了用於在晶片之間的連接層上繪製布線的裝置，向幾乎壟斷這一領域的佳能發起挑戰。尼康也計畫2026年度實現量產。為了提高最尖端半導體的性能，後工序的重要性日益突出，裝置廠商之間的競爭愈發激烈。在面向AI的半導體中，把圖像處理半導體（GPU）和儲存器等多個晶片組合在一起工作的“先進封裝”技術正逐漸得到普及。阿斯麥已於2025年9月前開始出貨專用於先進封裝的光刻裝置，似乎已交付給全球領先的半導體企業。對於在晶圓上描繪微細電路的“前工序”光刻裝置，阿斯麥已壟斷了面向AI半導體的市場。由於後工序也需要先進技術，市場正在擴大，因此阿斯麥決定進軍這一領域。阿斯麥在採訪中表示：“這不是在現有市場上的單純競爭，而是通過創新的解決方案來滿足新需求”。據說，阿斯麥已開始供貨的“XT:260”的生產效率是前工序用光刻裝置的4倍。此外，能夠處理比前工序更厚的基板，並能減少由於多個晶片疊加而產生的基板翹曲問題。光刻裝置是把電路圖案刻印在晶圓上的裝置。為了在後工序中連接多個晶片，需要在晶片與印刷基板之間形成名為“中間基板”的新布線層。光刻裝置的技術被轉用於繪製這種布線。佳能率先抓住這一潮流，在2011年進入後工序光刻裝置市場。目前佳能幾乎壟斷了半導體巨頭們使用的後工序光刻裝置。在後工序裝置的推動下，佳能2025年的光刻裝置銷量達到241台，5年內幾乎翻了一番。阿斯麥在前工序領域佔絕對優勢，其涉足後工序對佳能構成了威脅。佳能的常務董事武石洋明表示：“雖然我們認為自己有優勢，但性能差距可能會逐漸縮小。裝置能否解決後工序特有的需求才是關鍵”。尼康也計畫在2027年3月之前推出後工序光刻裝置。佳能的裝置採用轉印原有電路圖案的“光掩模”（Photomask）方式，尼康採用無需掩模的“數字曝光”（Digital Exposure）技術。因面向後工序的需求擴大，佳能新建的半導體製造裝置生產廠房（位於宇都宮市）新裝置也更易於滿足封裝大型化的需求。隨著晶片數量增加，用於承載晶片的中間基板也在變大。過去是從直徑300毫米的圓形矽晶圓切割而來，未來預計將更多採用從浪費更少的大型方形基板切割的方式。在光刻裝置以外，進入先進封裝裝置市場的企業也在增加。松下控股（HD）開發了垂直堆疊晶片的裝置，能滿足AI半導體的需求，計畫2027年銷售。在先進封裝領域，“3D堆疊”技術比平面連接晶片的方式更能縮短布線長度。由於布線電阻減小，功耗最多可減少一半，同時單個晶片的處理能力也會提升。台積電、英特爾、三星電子等在先進封裝領域競相開發技術。各家企業在中間基板的大小、材料、設計方法等方面展開開發競爭，並推動各自技術的標準化。與前工序不同，後工序技術開發的方向尚未明確，裝置廠商還需要具備捕捉行業趨勢和需求的能力。 (日經中文網)

上世紀70年代末，日本著名的調味品公司味之素開始研究副產品的應用。在對蛋白質和氨基酸（關鍵調味料成分）進行研究時，味之素研發團隊發現副產物可以做出擁有極高絕緣性的樹脂類合成材料，於是創造出了一種具有高耐用性，低熱膨脹性，易於加工和其他重要特徵的熱固性薄膜，該膜被命名為ABF。1996年，英特爾與味之素聯絡，尋求使用氨基酸技術開發薄膜型絕緣子，這兩家企業合作研發出了FC-BGA（Flip Chip Ball Grid Array），最終讓ABF成為了FC-BGA產品的主要方案。那時沒人會想到，這種從製作味精時產生的“廢料”中提煉出的薄膜，最終會壟斷全球99%的高端CPU和GPU封裝市場。到2021年，當全球晶片荒席捲而來時，味之素ABF材料的交付周期長達30周，英特爾、AMD和輝達等巨頭不得不排隊等待這家調味料公司的供貨。而當我們回望半導體行業近百年發展歷程，像味之素這樣跨界成功的半導體“隱形冠軍”，遠不止一兩家。從拖拉機到潔淨室上世紀20年代，在美國中西部的農場中，弗蘭克·唐納森（Frank Donaldson）望著自己報廢的拖拉機發動機，陷入了沉思。他遇到了一個簡單的問題：每次耕地，發動機就會吸入大量塵土，不出幾天就得大修。但解決方案卻不簡單——如何在不影響進氣量的前提下，把那些微小的灰塵顆粒攔截下來？唐納森用了一年時間，嘗試了十幾種材料和結構，最終發明了世界上第一個實用的拖拉機空氣濾清器。這個簡陋的裝置用多層金屬網和棉纖維構成過濾層，能夠捕捉99%以上的塵埃顆粒，而且不會明顯降低發動機功率。當地的農民們瘋搶這個小小發明，在隨後的日子裡，以唐納森命名的公司，迅速成為了美國最大的工業過濾器製造商。2024年，在台積電的3奈米工廠之中，一套價值數千萬美元的化學氣體過濾系統正在運轉，而這套系統的核心技術，正是出自百年前的拖拉機濾清器。在漫長的時間裡，唐納森公司的工程師發現了一個驚人的相似性：半導體工廠面臨的問題，本質上和一百年前的拖拉機一模一樣，就是如何防止微小顆粒損害精密裝置。只不過“塵土”變成了分子級的化學污染物，“發動機”變成了價值數億美元的光刻機。他們將在拖拉機濾清器上積累的奈米纖維技術（Ultra-Web）進行了升級。這種纖維的直徑只有0.1-0.3微米，比病毒還要細數十倍，能夠捕捉空氣中游離的酸性氣體、有機物分子甚至水蒸氣。在晶片製造過程中，一個矽片要經過數百道工序，任何時候暴露在污染環境中都可能導致整批次產品報廢。而來自唐納森的化學空氣過濾系統確保潔淨室內的空氣純度達到百級甚至十級標準——每立方英呎空氣中0.5微米以上的顆粒不超過100個甚至10個。從保護拖拉機引擎到保護價值數億美元的光刻機，唐納森完成了一個看似不可能的跨越。但仔細審視就會發現，核心能力其實一直沒變：都是防止微小顆粒損害精密裝置。八十年磨“砂輪”無獨有偶，來自日本的DISCO（迪思科），起初只是一家十幾名工人的小工廠，曾經的主要業務是生產工業磨刀石和砂輪，給附近的造船廠和機械廠提供打磨工具。而在1968年，DISCO推出了一款厚度僅有40微米的MICRO-CUT超薄切割輪。這個厚度相當於一根頭髮絲，在當時是絕對的技術奇蹟。但問題隨之而來：市場上沒有任何切割裝置能夠駕馭這種超薄砂輪。即使是定製裝置，也無法充分利用這種砂輪的性能優勢——裝置的剛性不夠，超薄砂輪在高速旋轉時會產生振動，根本切不准。當時DISCO的工程師們面臨一個選擇：要麼放棄超薄砂輪，回到傳統產品；要麼自己造裝置。他們選擇了後者。1970年，DISCO發佈了DAS/DAD系列切割機，專門為超薄砂輪設計。這台裝置採用了空氣軸承和精密導軌，將振動控制在亞微米等級，讓40微米的砂輪可以穩定工作。而在21世紀初，DISCO再次面臨著一個兩難的抉擇，當時它的研發部門提出要進軍雷射切割領域，但遭到了銷售部門的強烈反對。反對的理由很充分：DISCO是做砂輪起家的，我們對雷射器和光學系統一竅不通，憑什麼去碰這個完全陌生的領域？當時的DISCO代表董事社長力排眾議，提出了K-K-M，即Kiru（切）、Kezuru（削）、Migaku（磨），“這才是我們的業務領域。不是砂輪，不是某種具體的產品，而是‘切、削、磨’這三種核心能力。”他說道。這個定義改變了一切。如果DISCO的核心是“切割”能力，那麼無論是用砂輪切還是用雷射切，都屬於公司的業務範疇。“想像一下，要把一個羊角面包乾淨利落地切成兩半，這需要一種特殊的刀和相當高超的工藝，”DISCO首席執行長Kazuma Sekiya在接受採訪時這樣比喻晶圓切割的難度。半導體晶圓比羊角面包脆弱得多，也昂貴得多。一片12英吋晶圓的價值可能超過1萬美元，上面整合了數百顆晶片。切割時稍有不慎，邊緣就會產生微裂紋，這些裂紋會在後續工藝中擴展，導致晶片失效。更重要的是，隨著晶片尺寸不斷縮小，切割精度的要求也越來越高——誤差必須控制在微米甚至奈米等級。一根頭髮的直徑是70微米左右，而DISCO的切割裝置能夠將精度控制在2微米以內，相當於頭髮絲的1/35。DISCO在多年的技術積累後，開發出了厚度僅有幾十微米的超薄金屬鋸片，邊緣鑲嵌著粒度精確控制的金剛石顆粒。這種鋸片在每分鐘數萬轉的高速旋轉下，能夠像切豆腐一樣切割堅硬的矽片，而且切口光滑如鏡，不會有任何崩邊。2016年，第三代半導體材料碳化矽（SiC）開始進入商業化階段。這種材料硬度是矽的4倍，脆性更大，用傳統方法切割效率極低。一個6英吋SiC晶圓，用傳統內圓切割需要3.1小時，材料損耗率高達40%。也就是說，一塊價值數千美元的晶圓，有將近一半在切割過程中變成了廢屑。而DISCO的工程師團隊花了兩年時間，開發出了KABRA雷射切片技術。這種技術不是用刀片物理切割，而是用雷射在晶圓內部形成改質層，然後沿著改質層將晶圓分離。這一技術縮短了SiC晶圓的切割時間，幫助了第三代半導體在新能源市場的普及。今天，DISCO在晶圓切割和研磨裝置領域擁有全球70%-80%的壟斷性市場份額。從台積電到三星，幾乎所有晶片製造商都依賴DISCO的裝置來完成晶片的最後分離步驟，而這一切的原點，就是一家公司在砂輪上的精益求精。膠片企業的絕地反擊同樣是在千禧年的日本，數位相機的走紅衝擊了整個膠片市場。當時富士膠片的新任CEO古森重隆面對的是一個殘酷的現實：數位相機正在以驚人的速度蠶食膠卷市場。佳能、尼康、索尼等傳統相機廠商都在大舉進入數位相機領域，價格競爭白熱化。更讓人絕望的是，富士的老對手柯達正在走向破產邊緣。這個曾經定義了攝影時代的巨頭，因為無法適應數位化浪潮，正在迅速消亡。古森重隆知道，如果不改變，富士將步柯達的後塵。其實早在80年代，還只是科長的古森重隆就預感到數位化將顛覆膠卷行業，多次向公司提議儘早開拓新業務。富士也確實嘗試過自主開發數位化技術，包括數位相機、噴墨列印等。但由於膠卷業務持續快速增長，新業務很快被邊緣化或出售。公司上下都沉浸在膠卷業務的繁榮中，沒人願意相信這座金山會坍塌。直到數位技術的衝擊真正到來，古森重隆被任命為CEO，開始主導一系列改革。2006年，古森做出了一個艱難的決定：關閉大多數與膠卷相關的製造工廠。在隨後一年半時間裡，富士裁掉了5000人，相當於全球膠卷部門員工總數的1/3。同時，他還推動富士成立了“富士膠片先進研究所”，將其在傳統膠卷領域積累的核心技術延伸應用到新領域。其中，富士在半導體材料領域的佈局，是轉型戰略中最重要的一環。膠卷和半導體光刻膠有一個共同的核心：光化學反應。膠卷需要在微觀層面控制化學物質對光的反應，光刻膠的工作原理幾乎如出一轍——都是讓光引發化學變化，在極小的尺度上精確控制反應的位置和強度。富士將其在感光材料上的百年積累，從化學配方到純度控制，從顯影工藝到穩定性測試，全部移植到了光刻膠領域。今天，富士膠片的光刻膠產品覆蓋負膠、i線、KrF、ArF、電子束膠等，正在積極研發EUV光刻膠，已成為信越化學、JSR之後的第三大光刻膠供應商。2018年，富士膠片交出了一份令人震驚的答卷：數位相機等攝影相關業務佔整體營收比重僅剩16%（2001年為54%），膠卷業務僅為1%（2001年為19%）。取而代之的是六大業務類股：影像、醫療健康、電子材料、印刷、檔案處理和生命科學。其中，醫療健康和高性能材料（包括半導體材料）成為新的增長引擎。長達16年的轉型，讓富士膠片從一家膠卷公司變成了多元化的高科技集團。2024年營收超過2.5兆日元，是2000年的近1.5倍。而同期的柯達，早已在2012年申請破產保護，雖然後來重組成功，但市值不到巔峰時期的1%。從登山衝鋒衣到EUV線纜1969年，比爾·戈爾（Bill Gore）和他的妻子維夫·戈爾（Vieve Gore）在自家車庫裡擺弄著一種奇怪的材料，這種名為膨體聚四氟乙烯（ePTFE）是特氟龍（聚四氟乙烯）的變體，通過特殊的拉伸工藝，可以形成微孔結構。這些微孔的直徑比水滴小2萬倍，但比水蒸氣分子大700倍。這意味著什麼？水滴進不去，但水蒸氣能出來，實現了既防水又透氣的神奇效果。1976年，以戈爾命名的公司正式推出了Gore-Tex面料。這種革命性的材料迅速成為戶外運動裝備的黃金標準。從珠穆朗瑪峰到南極冰原，登山者和探險家都依賴Gore-Tex來抵禦惡劣天氣。三十多年後，ASML在開發EUV光刻機時遇到了一個棘手的問題：EUV光刻機的核心部分在真空環境下工作，但傳統電纜在真空中會釋放氣體，這些氣體會污染光刻機內部的精密光學元件，導致性能下降甚至損壞。ASML需要一種特殊的線纜，這種線纜在真空中完全不釋放氣體，同時又足夠柔軟，能夠在裝置內部布線，而戈爾公司製造Gore-Tex時積累的ePTFE技術恰好能夠解決這個問題。通過特殊設計，他們製造出了滿足ASML要求的線纜：絕緣層使用ePTFE材料，其微孔結構中沒有任何殘留的揮發性物質；導體經過特殊處理，表面覆蓋了一層緻密的保護層，消除了任何可能的氣體釋放源；整條線纜在生產過程中經過長時間的真空烘烤，確保沒有任何殘留污染物。這款看似不起眼的特種電纜，成為價值1.5億美元EUV光刻機的關鍵部件。作為全球半導體裝置製造商的長期合作夥伴，戈爾的清潔電纜解決方案不僅解決了真空放氣難題，還能實現高速訊號的低損耗傳輸，適配裝置內部狹小空間的彎曲布線需求，有效減少裝置故障停機時間。如今，幾乎每一台ASML EUV光刻機內部，都使用著戈爾的ePTFE特種電纜。從戶外衝鋒衣面料到半導體核心部件，戈爾的跨界並非偶然，其核心始終是對ePTFE材料的極致深耕與場景化創新——這份跨越行業的技術沉澱，既成就了戶外領域的經典，也為EUV光刻鋪平了道路。那些跨界的明星企業除了以上這幾家，還有更多企業在漫長的發展歷史中實現了跨界轉身。TOTO：馬桶製造商與晶圓靜電卡盤TOTO作為日本最大馬桶製造商，其馬桶相關產品暢銷全球，但它在半導體裝置領域同樣擁有重要一席之地。早在1980年代，TOTO就開始為半導體行業開發高性能陶瓷材料。這些材料需要在高溫、高電漿環境下保持機械穩定性與熱均勻性，最終被應用於晶圓加工中的靜電卡盤（e-chuck）——一種用於固定晶圓並控制溫度分佈的關鍵部件。馬桶製造中對陶瓷成型、燒結和微缺陷控制的經驗，被直接遷移到半導體裝置材料。甚至用於檢測衛浴表面微小瑕疵的顯微檢測技術，也被改造用於發現卡盤中的污染顆粒。隨著3D堆疊與先進製程對工藝穩定性要求提升，TOTO的陶瓷業務在2022財年首次實現顯著盈利，並成為公司增長最快的類股之一。JSR：從輪胎橡膠到光刻膠霸主JSR成立於1957年，最初是日本政府支援的合成橡膠製造商，為汽車工業提供輪胎材料。1979年，這家橡膠企業做出一個看似離譜的決定：進入光刻膠市場。從黑色輪胎到透明光刻膠，表面上是跨界，底層卻是同一門科學——高分子聚合物化學。輪胎依賴精確的分子交聯控制彈性與耐久性，光刻膠同樣需要對分子量與結構進行極端精細的設計，以實現奈米級的感光與圖形穩定性。JSR在橡膠時代積累的聚合物合成與純度控制能力，直接轉化為光刻膠競爭力。到2023年，JSR成為全球最大的ArF光刻膠供應商，市場份額約39%，其生產的光刻材料早已經成為先進晶圓製造的戰略資源，直接服務於台積電、三星與英特爾等核心客戶。HOYA：從玻璃器皿到EUV光罩基板日本的豪雅（HOYA）最初以水晶玻璃和眼鏡片聞名，但今天的它在EUV上同樣扮演著不可或缺的角色，幾乎所有先進製程都離不開其光罩基板。光罩作為晶片製造的“底片”，基板玻璃必須達到原子級平整度。任何奈米級缺陷都會被覆制到最終晶片上。HOYA在光學玻璃領域積累了百年工藝：熔煉控制、應力消除、超精密拋光與缺陷管理，這些技術本用於高端光學製品，卻在半導體時代被推向極限。行業常用一個比喻：如果把EUV光罩基板放大到一個國家的面積，其表面起伏不能超過頭髮絲等級。HOYA通過持續改進配方與工藝，將這種“幾乎不可能”的要求變成工業標準，支撐著3nm乃至未來2nm製程節點。漢高：洗滌劑公司變身先進封裝材料巨頭德國漢高起家於洗衣粉和日化產品，但它如今在高端晶片封裝中佔據關鍵地位，尤其是在毛細底部填充膠（underfill）市場近乎壟斷。先進封裝中，晶片與基板之間的縫隙只有幾十微米，需要一種能自動滲入微結構並穩定固化的材料。這個問題的本質不是電子，而是流體與介面化學。漢高在洗滌劑時代積累的表面活性劑技術——如何控制液體潤濕、擴散、黏度與流動性_恰好就是答案。從家用清潔劑到工業粘合劑，再到半導體封裝材料，漢高的演進路線顯示：很多“電子級”創新，本質上來自對分子與介面行為的長期理解。如今，輝達與AMD等先進封裝方案都依賴這類材料體系。成功的共同密碼當我們把這些跨界成功的企業放在一起看，會發現它們的路徑並非偶然。真正的共通點，不是行業背景，而是對技術本質的理解能力——味之素從氨基酸化學延伸到半導體絕緣材料，JSR把橡膠聚合物經驗轉化為光刻膠優勢，迪思科則意識到磨料與切割技術可以直接服務於矽片加工。這些聯絡從表面看並不直觀，它要求企業既深刻理解自身核心能力，又能敏銳捕捉新領域的需求窗口，更重要的是願意在不確定性中持續投入。許多公司擁有相似的技術積累，但只有少數敢於把它推向陌生賽道。而跨界的真正門檻，也從來不是能不能做出來，而是能否做到極致純度、極端精度與長期穩定。從民用材料到半導體級產品，本質是一場工藝耐力賽，這類能力無法速成，只能依靠數十年的連續迭代。很多日本企業之所以在材料鏈條中佔據關鍵位置，正是因為它們允許長期研發在沒有即時回報的情況下持續推進——味之素開發ABF膜、富士膠片轉向電子材料，背後都是典型的長期主義。更難複製的是那些寫不進論文的工藝經驗。半導體材料的競爭，本質上是“隱性知識”的競爭：微量配方比例、加熱冷卻曲線、裝置調校手感、工藝窗口的邊界判斷。這些 know-how 只能在生產線上通過反覆試錯積累，而不能通過技術轉移直接獲得。新進入者即便掌握原理，也往往需要多年時間才能逼近同樣的良率與一致性，這正是許多“隱形冠軍”能夠長期穩固地位的原因。最後一個共同特徵，是它們主動選擇利基市場，而不是規模最大化的戰場。ABF載板樹脂、晶圓切割裝置、封裝膠水或特種基板，單個市場體量並不龐大，卻是製造流程中不可替代的一環。一旦在這些細分領域建立優勢，客戶轉換成本極高，而市場規模又不足以容納大量競爭者，領先者便能長期維持技術與利潤雙重壁壘。某種意義上，這些跨界企業的成功並不是偶然闖入半導體，而是用幾十年時間，把自己打磨成了某個關鍵節點上唯一可靠的供應者。而當我們比較日本和歐美企業的跨界路徑，還可以發現一個有趣的差異。日本企業更依託於材料化學的同源性。從JSR的橡膠到光刻膠，從富士的膠捲到感光材料，這些轉型都是在化學和材料科學的範疇內進行的。日本在材料科學上的深厚積累，為這種轉型提供了肥沃的土壤。歐美企業則更側重於核心工藝的極限應用。唐納森將拖拉機過濾技術推向極致來進入潔淨室，戈爾將特氟龍薄膜技術用於真空線纜。這些轉型的共同特點是：將某一種工藝或方法論推向極限，然後在新領域找到應用場景。這種差異可能源於兩地的產業結構和技術傳統。日本在二戰後重建過程中，選擇了重點發展材料和零部件產業的戰略，形成了深厚的材料科學基礎。歐美則在工業革命以來積累了大量的工藝know-how，更擅長將成熟工藝推向新的應用領域。但無論是那種路徑，成功的關鍵都在於：找到現有能力與新需求之間的橋樑，然後投入足夠的資源將其打通。結語：隱形的力量在半導體這個看似被巨頭壟斷的行業裡，這些“不務正業”的隱形冠軍告訴我們，在半導體這個高度專業化的行業裡，最大的機會往往不在於直接競爭，而在於發現那些被忽視的連接點，在於將不相關的技術以創造性的方式結合起來。這或許是半導體行業最迷人的地方：它如此複雜，以至於沒有任何一家公司能夠掌握全部；它又如此開放，以至於任何擁有獨特能力的企業都能找到自己的位置。在這個由無數隱形冠軍支撐的產業裡，下一個傳奇可能正在某個看似毫不相關的領域悄然醞釀。也許是某家陶瓷廠，也許是某個化工企業，也許就是你所在的公司——只要找到了那個正確的連接點。 (半導體行業觀察)

隨著摩爾定律逼近物理極限，半導體行業的競爭焦點正從製程工藝轉向先進封裝技術這一新戰場。2025年全球半導體市場預計增長21%達到7934億美元，其中先進封裝市場規模已達460億美元，到2028年將突破794億美元。在這一黃金賽道上，台積電、英特爾、三星三大巨頭近期相繼亮出技術底牌——台積電的WMCM封裝技術劍指蘋果A20晶片，英特爾的玻璃基板突破傳統互聯規則，三星的HPB散熱技術重新定義移動SoC性能邊界。這場圍繞先進封裝的技術競賽，正深刻改變半導體產業的價值分配和競爭格局。台積電WMCM技術：開啟消費電子封裝革命台積電在先進封裝領域持續領跑，其最新突破WMCM（晶圓級多晶片模組）技術已進入量產倒計時。據產業鏈消息，台積電計畫在嘉義AP7工廠新建WMCM生產線，2026年底實現月產6萬片晶圓目標，2027年產能將翻倍至12萬片。這一技術將獨家適配蘋果iPhone 18搭載的A20系列晶片，配合2nm製程實現性能跨越。WMCM技術的核心創新在於採用重布線層替代傳統中介層，在CoWoS基礎上的終極演化。該架構將邏輯SoC與DRAM進行平面封裝，使記憶體與CPU、GPU、NPU整合於同一晶圓，訊號傳輸路徑顯著縮短。相比當前蘋果A系列晶片採用的InFo-PoP技術，WMCM在不顯著增加晶片面積的前提下，互連頻寬提升約40%，功耗降低25%，同時製造成本下降30%。技術優勢體現在三個維度：訊號傳輸路徑縮短使延遲降低35%，提升AI算力即時性；散熱性能最佳化支援更高頻率運行，峰值性能提升20%；整合度提高使晶片尺寸縮小15%，為電池等元件留出空間。這一突破推動先進封裝從資料中心向消費電子下沉，樹立"晶圓級封裝+先進製程"協同新標竿。產能佈局彰顯戰略野心。除WMCM外，台積電CoWoS產能持續擴張，月產能從2024年的3.5-4萬片提升至2025年的6.5-7.5萬片，2026年目標9-11萬片。通過InFO裝置升級和SoIC 3D堆疊技術迭代，台積電建構完整技術矩陣，目標2026年先進封裝業務營收佔比突破10%。英特爾玻璃基板：突破封裝材料邊界英特爾在2026年NEPCON日本電子展上展示的玻璃基板樣品，打破市場對其技術退場的疑慮。這款78mm×77mm超大尺寸樣品採用10-2-10堆疊架構（10層RDL+2層厚核心玻璃基板+10層堆疊層），45μm超微細凸點間距遠超傳統基板極限，代表封裝材料學的重大突破。玻璃基板的核心優勢源於材料特性。與傳統有機基板相比，玻璃具有更佳平整度、低介電損耗和尺寸穩定性，熱膨脹係數與矽片接近，有效解決高溫下基板翹曲導致的晶片接合不良。技術參數顯示，玻璃基板布線密度提升5倍，訊號完整性改善30%，功率傳輸效率提高25%。英特爾的"No SeWaRe"技術通過材料改性解決玻璃脆性難題，使產品可靠性達到汽車電子等級。應用定位明確指向高端市場。該技術專門服務AI加速器、多chiplet GPU等大算力晶片，支援晶片尺寸達2倍光罩大小，滿足萬卡叢集互聯需求。英特爾正推進熱膨脹係數匹配最佳化，目標將偏差控制在3-5ppm/℃，計畫2026-2030年逐步完成產品匯入。這一佈局確保英特爾在AI伺服器市場保持話語權，將先進封裝培育為晶圓代工外的新增長點。產能規劃與技術路線協同。英特爾在全球佈局多個封裝生產基地，美國新墨西哥州Fab 9支援EMIB和Foveros技術，馬來西亞Project Pelican項目聚焦Foveros和Co-EMIB產能。這種全球佈局既滿足地緣政治需求，又最佳化供應鏈效率。三星HPB技術：重新定義移動晶片散熱三星通過Heat Pass Block技術開闢差異化賽道，在Exynos 2600處理器中實現封裝級散熱突破。該技術核心是在SoC裸晶上方整合銅基導熱塊，與LPDDR DRAM記憶體協同放置，結合高k環氧模塑複合材料，形成專屬散熱通道。實測資料顯示，與傳統封裝相比，HPB技術使熱阻降低16%，晶片溫度下降30%，持續高性能輸出時間延長3倍。技術創新體現在架構重構。傳統設計中DRAM配置阻礙熱量匯出，成為散熱瓶頸。HPB技術通過三管齊下解決方案：縮減DRAM尺寸打通散熱路徑；加裝銅基導熱塊促進熱量釋放；應用新型EMC材料確保高效熱傳導。這種設計在處理器架構初始階段解決散熱問題，超越傳統的器件級散熱方式。技術挑戰與收益並存。雖然HPB帶來顯著散熱優勢，但增加封裝Z軸高度，對手機輕薄化設計構成挑戰。多材料結構引入熱膨脹差異，對製程控制和長期可靠性要求極高。初期良率挑戰使成本增加20%，僅適用於旗艦級SoC。然而，這些挑戰背後是巨大收益：晶片持續性能提升40%，為移動AI計算提供堅實基礎。戰略意義超越技術本身。HPB技術是三星重新爭奪高端手機市場的關鍵籌碼，結合2nm製程工藝，向蘋果、高通等客戶展示技術實力。這一突破反映移動SoC發展新階段——性能瓶頸從製程微縮轉向熱管理能力，封裝技術成為差異化競爭核心。2.5D/3D封裝：AI晶片的核心賦能技術2.5D/3D封裝作為先進封裝主流技術，正迎來爆發式增長。Yole Group資料顯示，AI資料中心處理器2.5D/3D封裝出貨量2023-2029年複合增長率達23%，成為增長最快細分市場。這一技術通過中介層實現晶片立體整合，突破平面封裝密度限制，完美適配AI晶片需求。台積電CoWoS技術引領市場。作為輝達H100、AMDMI300等旗艦AI晶片首選封裝方案，CoWoS產能持續吃緊。2025年月產能達6.5-7.5萬片，輝達獨佔63%份額，供需緊張預計持續至2026年。技術迭代不斷加速，CoWoS-L版本支援12顆HBM3e記憶體堆疊，頻寬提升至6.4TB/s。英特爾3D堆疊技術建構完整矩陣。通過EMIB、Foveros和Co-EMIB技術組合，英特爾實現從2.5D到3.5D全場景覆蓋。Foveros Direct版本實現10μm以下凸點間距，混合鍵合密度達每平方毫米10000個連接點。這一技術路線支援晶片分解設計，最佳化性能與成本平衡。三星SAINT技術體系凸視訊記憶體儲優勢。針對HBM與邏輯晶片協同封裝，三星推出SAINT-D技術，通過熱壓鍵合工藝實現12層HBM垂直堆疊，消除對矽中介層依賴。相比傳統2.5D封裝，性能提升30%，功耗降低25%，為AI訓練提供極致能效。面板級封裝：下一代技術競爭焦點三星SoP技術代表封裝尺寸的極限突破。採用415mm×510mm超大面板作為封裝載體，面積是傳統12英吋晶圓的4倍，支援240mm×240mm超大型晶片模組整合。這一技術省去PCB和矽中介層，通過精細銅RDL實現晶片直連，成本降低30%。技術優勢來自多重創新。面板級封裝減少材料浪費，利用率從晶圓的70%提升至85%；支援更寬鬆的布線規則，降低工藝難度；更大的散熱面積改善熱管理效能。三星憑藉顯示領域積累的FOPLP經驗，快速推進SoP商業化處理程序。應用前景聚焦AI晶片。SoP技術特別適合超大規模AI晶片封裝，如特斯拉Dojo系列訓練晶片。三星已獲得特斯拉165億美元AI晶片代工訂單，若SoP技術成熟，有望將封裝環節納入合作範圍，建構完整代工解決方案。競爭格局正在重塑。台積電SoW和英特爾EMIB聚焦晶圓級整合，三星SoP通過尺寸優勢實現錯位競爭。這種差異化路徑可能改變先進封裝市場格局，為後發者提供超越機會。光電合封：突破資料傳輸瓶頸CPO技術成為解決資料中心功耗瓶頸的關鍵。隨著AI叢集規模擴大，傳統可插拔光模組功耗佔比升至50%，CPO將光引擎與計算晶片共封裝，功耗降低40%，頻寬密度提升8倍。英特爾基於EMIB技術建構CPO架構，將XPU與光學I/O晶片通過矽橋互連，採用有源耦合工藝降低損耗。技術挑戰與突破並存。雷射器整合是最大難點，需要解決熱管理、波長穩定性和可靠性問題。Lightmatter等初創公司通過VLSP技術實現突破，支援16波長平行傳輸，單引擎頻寬達51.2Tbps。材料創新同步推進，矽光與磷化銦混合整合成為主流方案。標準化處理程序加速產業化。OIF、COBO等組織推動CPO標準制定，預計2027年實現規模化部署。雲服務商積極匯入，Google計畫2026年在自有資料中心部署CPO技術，預期降低總體擁有成本25%。材料創新：封裝技術的底層突破材料創新推動封裝技術代際演進。玻璃基板成為最新熱點，相比有機基板，玻璃具有更低介電損耗、更優尺寸穩定性和更高布線密度。英特爾展示的玻璃基板樣品實現45μm凸點間距，支援78mm×77mm超大尺寸封裝。先進材料持續湧現。Low-Dk介質材料降低訊號串擾30%，高導熱襯底提升散熱效率40%，底部填充材料增強機械可靠性。這些創新解決高密度整合帶來的訊號完整性和熱管理挑戰。供應鏈佈局加速。日本廠商在高端封裝材料領域領先，住友化學、信越化學等公司推出專用解決方案。材料成本佔比從15%升至25%，成為封裝價值重要組成部分。異構整合：Chiplet生態的基石異構整合成為後摩爾時代主流路徑。通過UCIe等開放標準，不同工藝、不同功能的Chiplet實現"即插即用"。AMD MI300X成功驗證這一路徑，在單一封裝內整合5nm計算晶片和6nm I/O晶片，性能提升3倍。設計方法學革新。EDA工具支援多晶片協同設計，實現性能、功耗和成本最優平衡。測試技術同步升級，邊界掃描和內建自測試解決多晶片測試挑戰。生態系統逐步完善。台積電3DFabric、英特爾EMIB、三星I-Cube等平台降低使用門檻。設計服務公司湧現，提供從架構到封裝的完整解決方案，推動Chiplet普及。熱管理：封裝級散熱新範式熱管理成為性能決定因素。三星HPB技術展示封裝級散熱潛力，通過材料、結構和工藝創新，實現熱阻降低16%。微流道冷卻、相變材料等新技術將熱管理能力提升至新高度。系統級解決方案成熟。從晶片到機櫃的全鏈路熱設計成為標配，液冷技術從資料中心向晶片級滲透。功耗密度超過100W/cm²的晶片需要創新冷卻方案，熱管理成本佔比升至15%。可靠性工程升級。熱循環測試、加速老化實驗驗證封裝壽命，故障預測和健康管理實現預測性維護。這些進步支撐晶片在苛刻環境下的穩定運行。市場格局：三足鼎立到多元競爭先進封裝市場呈現三強領跑格局。台積電憑藉CoWoS技術繫結輝達、AMD等頭部客戶，市佔率超50%；英特爾通過IDM 2.0戰略強化垂直整合，在高端市場佔據一席之地；三星依託儲存優勢差異化競爭，市佔率穩步提升。新興力量加入競爭。日月光、安靠等傳統封測廠加速技術升級，中國長電科技、通富微電等公司積極佈局。裝置供應商迎來機遇，應用材料、ASML推出專用裝置支援先進封裝產線建設。地緣政治影響供應鏈。美國晶片法案推動本土封裝產能建設，歐洲、日本同步加大投入。全球供應鏈呈現區域化趨勢，成本結構面臨重構。展望未來，先進封裝技術將繼續向更高整合度、更優能效、更低成本方向演進。隨著AI、HPC、自動駕駛等應用推動需求增長，掌握先進封裝技術的企業將在新一輪半導體競爭中佔據制高點。這場技術革命不僅改變晶片製造方式，更將重塑整個電子資訊產業的發展軌跡。 (騰訊自選股)

Why Taiwan Semiconductor's Capacity Nightmare Is Intel's Foundry Dream爲什麼台積電的產能噩夢是英特爾的代工美夢Intel Corp.(NASDAQ:INTC) is emerging as an unexpected beneficiary of the AI-driven semiconductor supply crunch afterApple Inc.(NASDAQ:AAPL) andNvidia Corp.(NASDAQ:NVDA) redirected select orders away from capacity-strainedTaiwan Semiconductor Manufacturing Co. Ltd.(NYSE:TSM).英特爾公司（NASDAQ:INTC）正成爲人工智能驅動的半導體供應短缺的意外受益者，此前蘋果公司（NASDAQ:AAPL）和輝達公司（NASDAQ:NVDA）將部分訂單從產能緊張的台積電（NYSE:TSM）轉移。The shift gives the U.S. chipmaker a rare opportunity to advance its long-stated foundry ambitions and compete more directly with rivals such asSamsung Electronics Co. Ltd.(OTC:SSNLF) in advanced manufacturing.這一轉變爲這家美國芯片製造商提供了一個難得的機會，以推進其長期宣稱的代工業務雄心，並更直接地與三星電子等競爭對手在先進製造領域展開競爭。Taiwan Semiconductor Capacity Pressures Create Opening台積電產能壓力創造機會Industry sources have described the spillover as a "Taiwan Semiconductor trickle-down effect," which had been expected to support a turnaround at Samsung's struggling foundry business.行業消息人士將這種溢出效應描述爲「台積電涓滴效應」，原本預計這將支持三星苦苦掙扎的代工業務實現好轉。Instead, with full U.S. government backing, Intel is now positioned to be the primary beneficiary of the excess demand, according to the Chosun Daily.然而，《朝鮮日報》報導稱，在美國政府全力支持下，英特爾現在有望成爲過剩需求的主要受益者。Rapid growth in AI-related chip orders has pushed Taiwan Semiconductor to warn major customers that it cannot meet all requested volumes.人工智能相關芯片訂單的快速增長使得台積電警告主要客戶，它無法滿足所有要求的數量。Apple and Nvidia Test Intel's Foundry Capabilities蘋果和輝達測試英特爾的代工能力A Digitimes report on Wednesday said that Apple and Nvidia have redirected portions of their chip orders to Intel.《Digitimes》周三報導稱，蘋果和輝達已將部分芯片訂單轉交給英特爾。Because Intel has limited experience handling large-scale external manufacturing contracts, both companies are starting with lower-risk products. These initial orders allow Intel to demonstrate its foundry capabilities to two of the world's largest chip buyers.由於英特爾在處理大規模外部製造合同方面經驗有限，兩家公司都選擇從低風險產品入手。這些初始訂單使英特爾能夠向全球最大的兩家芯片買家展示其代工能力。If the ramp-up to large-scale production goes smoothly, leading U.S. technology companies may begin shifting more of their most advanced chip orders to Intel, supporting Washington's push to bring semiconductor manufacturing back home.如果大規模生產的爬坡順利進行，美國領先的技術公司可能會開始將其最先進的芯片訂單更多地轉移到英特爾，從而支持華盛頓將半導體制造業帶回本土的努力。At the same time, the move could complicate Samsung's efforts to regain momentum in the global foundry market, the report said.報導指出，此舉可能會使三星重新在全球代工市場獲得動能的努力複雜化。Intel shares have risen more than 141% over the past 12 months, reflecting growing investor optimism around its turnaround and manufacturing strategy.英特爾股價在過去12個月中上漲了141%以上，反映出投資者對其轉型和製造戰略日益樂觀。INTC Price Action:Intel shares were down 2.24% at $47.68 at the time of publication on Thursday, according to Benzinga Pro data.INTC價格走勢：根據Benzinga Pro的數據，截至周四發佈時，英特爾股價下跌2.24%，報$47.68。 (富途牛牛)

他真的很關注遊戲玩家幾個月前，英特爾公佈了XeSS3技術集，並且預告了提供更流暢遊戲體驗的多幀生成（MFG）技術。現在，英特爾正式推出了Arc Graphics驅動程式，版本號32.0.101.8425/8362。它是最近發佈的 Panther Lake 系列的啟動驅動，這些處理器擁有基於Xe3的iGPU，例如Arc B370和Arc B390。在官網的發行說明，確認了具有多幀生成 (MFG) 功能的 XeSS 3 的正式發佈，該版本基於現有的 XeSS 幀生成而建構。與在兩個渲染幀之間引入一個假幀的傳統幀生成技術不同，MFG 將在每兩個渲染幀之間插入三個假幀。因此，在遊戲難以達到高 FPS 的情況下，MFG 將顯著提高幀速率，使遊戲更流暢。當然，這不會帶來視覺質量的提升，甚至會因為其早期版本的MFG，而引入重影和偽影。鑑於XeSS3 MFG技術還處在第一個發行版，效果可能會有些不穩定。另外，多幀生成在全系Arc顯示卡上受到支援，包括獨立顯示卡和整合顯示卡，也就是Alchemist和Battlemage系列全部圖形處理器。因此，與輝達的DLSS MFG不同，綠廠的MFG功能僅在RTX 50系顯示卡上可以開啟，而英特爾的MFG將在廣泛的英特爾顯示卡上獲得支援。XeSS3 MFG保留了API 向後相容性，使其能夠與所有已經支援 XeSS2 的遊戲一起使用。因此，目前支援 XeSS 2 的近 50 款遊戲將立即支援 XeSS 3 和 MFG。 (AMP實驗室)