重拾競爭力？客戶高度評價三星HBM4

三星近期與全球主要客戶的供應協議讓代工業務“為大飛躍做好了準備”。

三星電子聯席CEO兼晶片負責人全永鉉在新年致詞中表示，客戶稱讚了其下一代高頻寬記憶體晶片，即HBM4的差異化競爭力，稱“三星回來了”。

10月，三星表示正在就向美國人工智慧領軍企業輝達供應其HBM4進行“密切討論”，這家韓國晶片製造商正努力在AI晶片領域追趕包括本國競爭對手SK海力士在內的對手。

“特別是在HBM4方面，客戶甚至表示‘三星回來了’，”全永鉉在講話中表示，並補充說公司仍需努力進一步提高競爭力。

SK海力士CEO郭魯正在新年致詞中表示，由於人工智慧晶片需求的出現速度快於預期，公司受益於有利的外部環境。

他表示競爭正在迅速加劇，並指出AI需求現在已是既定事實而非意外驚喜，2026年的商業環境將比去年更嚴峻，同時強調需要繼續進行更大膽的投資和努力以備戰未來。

Counterpoint Research的資料顯示，2025年第三季度，SK海力士是HBM市場的領軍者，佔據53%的份額，其次是三星佔35%，美光佔11%。

談及製造客戶設計晶片的代工業務時，三星的全永鉉表示，近期與全球主要客戶的供應協議讓代工業務“為大飛躍做好了準備”。7月，三星電子與特斯拉簽署了一項165億美元的協議。

在另一份致詞中，同時也負責監管手機、電視和家電業務的裝置體驗部門的三星電子聯席CEO盧泰文表示，由於零部件價格上漲和全球關稅壁壘，2026年可能會帶來更大的不確定性和風險。

“為了定位自己在任何情況下都能保持競爭優勢，我們將通過主動的供應鏈多元化和全球營運最佳化來增強核心競爭力，以解決零部件採購和定價以及全球關稅風險等問題，”盧泰文說。

美國決定對三星、SK海力士中國工廠的裝置出口限制部分放寬

美國政府決定部分放寬對包括三星電子和SK海力士在內的韓國半導體公司向其中國工廠出口裝置的限制。此舉將避免每次裝置出貨都需要單獨審批的最壞情況。

據業內人士12月30日透露，美國商務部工業與安全域（BIS）已更改政策，取消韓國半導體公司中國工廠的“終端使用者認證（VEU）”資格，允許其每年出口裝置。

回溯其歷史，美國商務部自2022年起對美製半導體裝置出口中國實施嚴格管制，但當時給予三星、SK海力士及英特爾豁免，允許它們維持在華現有工廠的運作。根據最新規定，這些公司今後如要在中國採購相關裝置，必須逐案申請出口許可證。

隨後在去年8月，美國商務部發佈通知，宣佈將撤銷韓國晶片製造商三星和SK海力士在其中國工廠使用美國裝置的豁免，這將使兩家公司更難在中國生產晶片。限制措施將在120天後生效。美國商務部在一份聲明中稱，美國計畫向相關企業發放許可證，允許其繼續在華營運現有的設施，但不打算發放擴大產能或升級技術的許可，從而取消“只對外國生產商有利、卻沒有給美國製造商帶來類似好處的寬鬆做法”。

三星和SK海力士很大一部分的儲存晶片產能依賴於中國。三星西安廠佔三星NAND Flash四成產能，兩座廠月產能25萬片，佔全球NAND Flash產能1/10，也是三星在海外唯一的儲存晶片工廠。三星蘇州廠主營儲存器、儲存器模組及積體電路的組裝和測試。三星天津廠則主營LED產品，天津三星LED公司成立於2009年，經營範圍包括電子元器件製造、電子元器件批發、電子元器件零售、半導體照明器件製造等。

SK海力士則在中國有兩個生產基地，分別位於重慶與無錫。其中無錫廠是SK海力士的儲存晶片生產主力之一。有分析師之前指出，SK海力士無錫廠的產量約佔該公司DRAM晶片的大約一半、全球產量的15%。重慶廠主要側重於晶片封裝。值得一提的是，SK海力士已於2021年收購英特爾NAND快閃記憶體及儲存業務，其中包括英特爾大連工廠。

根據市場追蹤機構Gartner的資料，全球前五大半導體裝置公司佔整個市場的70%以上的裝置，大多為美國製造。此舉將使韓國兩大儲存晶片製造商在中國的營運難度大增，限制措施也衝擊到美國半導體裝置供應商，包括科磊（KLA Corp）、泛林集團（Lam Research）和應用材料（Applied Materials）。 (半導體產業縱橫)