HBM4大戰在即，硝煙瀰漫。儲存晶片正在變天。芯東西1月29日報導，今日新公佈的財報顯示，SK海力士2025年營業利潤首度超越三星，創下47.2兆韓元（約合人民幣228億元）的歷史新高。三星2025年營業利潤為43.6兆韓元（約合人民幣211億元），其中儲存業務創造了24.9兆韓元（約合人民幣121億元）的營業利潤。今日，全球兩大儲存晶片巨頭三星與SK海力士相隔1小時舉行財報電話會議，尤其在談到今年AI記憶體市場角逐的焦點HBM4時，火藥味相當濃嗆。這邊全球HBM晶片“一哥”SK海力士自陳優勢，說HBM需要技術、量產能力、質量保證和供應執行能力，而自己除了技術領先外，積累的量產經驗和客戶信任度都是短時間內難以趕上的。SK海力士稱2025年HBM收入同比增長1倍以上，HBM4正按照與客戶約定的時間表推進，封裝技術競爭力也將成為其HBM4的優勢。那邊三星隔空反擊，宣佈正按計畫推進HBM4量產，計畫在今年2月開始交付，還強調“儘管客戶對性能的要求從最初的開發階段到現在有所提高，但我們並未進行任何重新設計”。而三星提到的“重新設計”，似乎就是在針對SK海力士。此前，SK海力士曾收到其最大客戶輝達關於HBM4樣品產品的反饋，並在產品開發和量產過程中對部分工藝進行了調整。三星稱，自家產品已順利通過更為嚴格的HBM4規格要求，所有已具備量產條件的HBM產能均已被客戶預訂，預計2026年HBM銷量將同比增長3倍以上。以AI為中心的記憶體市場結構性轉變正在加速。過去半年，三星股價已上漲128%，SK海力士股價更是上漲了228%。兩家巨頭均預計今年HBM市場需求將保持強勁，AI記憶體熱潮將持續全年，各類儲存產品仍將出現嚴重短缺。SK海力士正努力提高產能以滿足快速增長的DRAM需求，計畫大幅增加資本支出。三星也表示2026年將加大對記憶體產能的投資，但預計2026年和2027年供應擴張有限。AI的快速發展還提振了晶片代工業務。三星晶片代工業務的目標是在2026年實現兩位數的營收增長，預計2nm晶片訂單量將增長約130%，該公司正在積極與美國和中國的客戶進行洽談。其第二代2nm工藝研發進展順利，預計將於今年下半年量產；1.4nm工藝正在研發中，計畫在2029年量產。01.傳SK海力士拿下輝達HBM4約70%訂單，輝達AMD完成對三星HBM4的驗證當前SK海力士在HBM市場處於統治地位。韓媒報導稱，SK海力士已從輝達獲得超過2/3的HBM供應訂單，將用於今年的Vera Rubin旗艦AI計算平台。據消息人士透露，輝達將其用於先進AI架構的HBM4需求的約70%分配給了SK海力士，高於市場此前估計的50%左右，預計2026年將實現這一目標。消息人士還說，輝達和AMD最近也完成了對三星HBM4產品的質量測試，預計將於2月正式供貨。此前有消息稱，三星正增加對博通等美國主要客戶的HBM供應。三星在HBM記憶體研發方面落後於SK海力士，但如今它重振旗鼓，正力圖憑藉HBM4重奪市場領導地位。三星、SK海力士都聲稱自家HBM4實現了業界最快的穩定速度——11.7Gbps。不同的是，三星HBM4採用自研1c DRAM，並將HBM4整合到4nm製程晶片上，從而提升了性能和量產穩定性。SK海力士HBM4為確保穩定性，採用了與HBM3E相同的第五代1b DRAM晶片，其HBM4基礎晶片採用台積電12nm工藝。三星在電話會議中透露，應一位重要客戶的要求，其11.7Gbps HBM4產品的出貨將於2月開始，客戶正在進行認證測試。該公司計畫於2026年中期開始提供標準HBM4E產品的樣品，下半年推出基於HBM4E核心晶片的定製產品。據其管理層分享，目前市場對16層HBM產品的需求有限，公司暫無計畫大規模商業化上一代16層HBM3E或HBM4產品。三星已掌握可用於量產的16層封裝技術，並已交付基於HBM4的銅混合鍵合樣品，近期重點工作包括擴大HBM3E產能，並積極投資以確保HBM4和HBM4E的1c nm產能。這意味著2026年HBM4市場競賽將劍拔弩張。市場研究機構Counterpoint Research預計，2026年，SK海力士將佔據全球HBM4市場54%的份額，其次是三星電子（28%）和美光科技（18%）。02.SK海力士HBM收入翻倍，三星半導體部門營業利潤狂飆465%在記憶體晶片短缺和AI伺服器強勁需求提振下，SK海力士、三星電子均公佈了創紀錄的季度收益。第四季度，SK海力士營收增長66.1%至32.8兆韓元，營業利潤飆升137.2%至19.2兆韓元，營業利潤率高達58%，盈利能力令人矚目。DRAM業務方面，SK海力士在2025年3月實現全球首批HBM4樣品出貨，為行業第一；傳統DRAM已開始量產1c nm DDR5，並開發了基於1b nm 32Gb的業界最高密度256GB DDR5 RDIMM。受下半年eSSD需求復甦推動，其NAND年度營收也創下新高。三星同樣在第四季度業績創歷史紀錄：營收達93.8兆韓元，同比增長23%，環比增長9%；營業利潤達到20.1兆韓元，同比增長208%。由於新款智慧型手機的上市效應減弱以及激烈的市場競爭，三星裝置體驗（DX）部門的收入環比下降了8%。而AI蓬勃發展推動的記憶體價格飆升和供應緊張，抵消了智慧型手機、電視和家電業務的季節性疲軟。三星DS事業部（包括其儲存器、晶圓代工和系統LSI業務）第四季度表現亮眼，營收環比增長33%，達到44兆韓元；營業利潤同比增長超過465%，達到16.4兆韓元，佔集團總營業利潤的81%以上。其中，記憶體業務是業績增長的主要驅動力。三星在新聞稿中寫道，第四季度，記憶體業務通過滿足強勁的傳統DRAM需求，並在整體價格上漲的情況下擴大HBM銷售，實現了季度收入和營業利潤的歷史新高。第四季度，其DRAM平均售價環比上漲約40%，NAND快閃記憶體平均售價也上漲了20%左右。SK海力士稱其HBM4量產正按照客戶約定的時間表進行，並準備交付最佳化的定製HBM，擴大高密度SV DRAM等高價值產品的生產，加速1c nm遷移以擴展AI記憶體產品組合，並在NAND方面通過下一代245TB產品引領超高密度AI儲存市場。三星亦計畫加大力度推動AI相關的NAND快閃記憶體需求，預計用於AI推理的基於TLC快閃記憶體的PCIe Gen 6固態硬碟的需求將大幅增長。其戰略將專注於TLC產品，以獲取更高的利潤率，並提高伺服器固態硬碟在NAND快閃記憶體總收入中的份額。03.伺服器DRAM報價上調60%~70%，NAND快閃記憶體、LPDDR價格翻倍三星在電話會議中透露，雖然記憶體價格飆升對其晶片業務有利，但成本上升預計也會對其智慧型手機和顯示業務產生影響。三星高管談道，為了降低市場波動風險，公司被迫有選擇地回應客戶的供貨合同請求。三星優先向伺服器客戶供應DRAM晶片，PC和移動客戶則排在後面。這意味著，今年有儲存晶片採購需求的企業，將陷入一場比拚財力的生存競賽。據韓媒報導，三星電子和SK海力士計畫將2026年第一季度伺服器DRAM的報價相較2025年第四季度上調60%~70%。三星第一季度NAND快閃記憶體供應價格上調超過100%。該公司已於2025年底前完成與主要客戶的供應合同談判，修訂後的價格將於2026年1月生效。另據DIGITIMES援引知情人士消息，SK海力士也已實施了類似幅度的NAND快閃記憶體價格上調。還有報導稱，閃迪也計畫在2026年將NAND快閃記憶體價格上調100%。據ZDNet援引業內消息人士報導，三星和SK海力士通過談判，向蘋果公司供應的低功耗DRAM（LPDDR）價格大幅上漲，較上一季度幾乎翻倍。具體而言，三星提出的漲幅超過80%，而SK海力士提出的漲幅約為100%。此前蘋果一直以相對較低的價格採購LPDDR，但自去年中以來，記憶體供應短缺問題日益嚴重，蘋果似乎難以扭轉價格上漲的趨勢，而三星和SK海力士在今年第一季度成功實現了DRAM業務利潤最大化。一位半導體行業內部人士解釋說：“蘋果通常每年都會簽訂記憶體長期協議（LTA），但考慮到最近的記憶體危機，據我瞭解，他們只完成了今年上半年的單價談判。”他預計隨著下半年新產品的推出，價格可能會進一步上漲。另一位消息人士稱，今年第四季度LPDDR價格已經上漲了約40%，第一季度漲幅還會更大，至少達到60%。市場研究公司TrendForce預測，通用DRAM價格將在第一季度環比上漲55%~60%。據Wccftech援引業內消息人士報導，近幾周來，各大科技公司的採購團隊頻繁前往韓國，以確保DRAM的供應，尋求籤訂能夠鎖定2~3年固定供應量的長期協議，但這些努力大多以失敗告終。三星和SK海力士正在拒絕簽訂長期供貨協議，堅持按季度簽訂合同，並大幅漲價。除了向主要伺服器DRAM客戶提價外，供應商們還在尋求對PC和智慧型手機DRAM產品進行類似的提價。因此，預計短期內記憶體短缺和價格上漲的壓力將持續存在。據報導，伺服器級64GB RDIMM記憶體條的現貨價格已攀升至2550美元，漲幅超過20%。這一趨勢表明，製造商的官方報價可能接近1000美元，且季度環比漲幅可能達到90%~100%。網上也流傳著三星向客戶發出通知的消息，檔案暗示三星記憶體產品可能漲價80%。雖然三星尚未公開證實具體細節，但業內人士預計第一季度價格將大幅上漲。一些伺服器供應鏈廠商估計第一季度RDIMM價格漲幅可能超過70%甚至80%，因為大多數供應商2026年的產能配額已基本售罄。04.結語：儲存大廠積極抓住AI時代機遇儲存晶片企業若想保持其市場地位，就必須適應AI時代。本周三，SK海力士宣佈將成立一家總部位於美國的新公司，專注於AI解決方案，並承諾至少投入100億美元，以抓住AI新增長引擎帶來的機遇。該公司將通過重組其美國企業級固態硬碟子公司Solidigm來建立新的AI公司。這家美國新實體暫定名為“AI Company”或“AI Co.”，將作為SK集團AI戰略的中心。已經憑藉抓住AI時代紅利崛起的SK海力士，還在持續加快投資步伐，包括已承諾投資近130億美元在韓國建設一座先進封裝廠。三星半導體部門預計AI和伺服器需求將繼續增長，從而帶來更多結構性增長的機會，為此將繼續專注於盈利能力，重點發展高性能產品。 (芯東西)

2026年將是儲存巨頭又一個里程碑之年，而這場躍遷的核心賭注，落在了HBM4身上。SK海力士在2025年財報會上宣佈，其HBM4已於9月完成開發並啟動量產，2026年全面放量；三星在2026年新年致詞中直言：“我們的HBM4展現了真正的差異化競爭力，甚至有客戶感慨：Samsung is back。（三星回來了）”；美光則在2025年9月的電話會議中確認：HBM4將於2026年Q2正式量產出貨，下半年進入產能爬坡。HBM4的量產衝刺，已在2026年初正式啟程。01. HBM4，亮相截至目前，美光、三星和SK海力士均已通過不同活動展示了各自的HBM4產品。SK海力士：16層堆疊 + MR-MUF + 台積電邏輯晶片SK海力士正式展示了其新一代HBM4高頻寬記憶體，採用16層堆疊、容量達48GB。相比此前推出的12層36GB版本（曾以11.7Gbps的速率創下行業紀錄），新器件在容量和頻寬上均有明顯提升，整體頻寬突破2TB/s。MR-MUF的優勢實現16層堆疊的同時，還要滿足JEDEC對HBM封裝總高度不超過775微米的要求，這對製造工藝提出了極高挑戰。SK 海力士的一大亮點是其自研的MR-MUF（Mass Reflow Molded Underfill）技術：通過將單顆DRAM晶圓減薄至僅30微米，並在一次回流焊過程中完成多層晶片的垂直互連，既提升了整合密度，也增強了結構穩定性。SK海力士16層HBM4器件的另一大亮點是，與台積電合作將12奈米邏輯晶片整合到HBM4晶片的基礎晶片中，作為HBM4堆疊的控制邏輯或“大腦”。三星：1c DRAM + 混合鍵合 + 全流程自研與SK海力士和台積電合作生產HBM4邏輯晶片不同，三星是在自家4nm工藝上生產邏輯晶片，並且在同一廠區內完成3D封裝。三星是目前唯一在自有晶圓廠完成DRAM、邏輯晶片製造及3D封裝全鏈條的HBM4供應商。封裝技術上，三星未採用MR-MUF，而是加速推進混合鍵合技術；同時，三星在HBM4 的另一個突破在於選擇採用1c DRAM工藝技術。三星的HBM3和HBM3e都是基於1a奈米製程的DRAM，到了HBM4採用1c DRAM工藝技術以形成對SK海力士的競爭優勢。（SK海力士、美光目前仍採用1b DRAM工藝）。三星電子內情的相關人士透露，三星電子1c DRAM良率已接近60%，超過盈虧平衡點，為量產奠定基礎。2025年底，三星已完成HBM4的量產準備認證（PRA），產品達到內部量產標準，正加速推進進入輝達供應鏈的處理程序。在博通主持的技術性測試中，三星HBM4運行速度達到中低段11Gb/s水平，表現位列三大儲存廠商之首。此外，三星計畫在2月舉行的ISSCC（國際固態電路會議）上發佈一款更高性能的HBM4晶片。其首款36GB HBM4頻寬為2.4TB/s，新款產品頻寬預計將達3.3TB/s，較上一代提升37.5%。美光：11Gb/s+ 自研CMOS基地晶片 + 台積電邏輯晶片美光財報美光CEO桑傑·梅赫羅特拉在2025財年第四季度及全年財報中證實，公司新一代HBM4記憶體將於2026年推出，多項性能指標超越JEDEC基礎規範。美光12層堆疊的HBM4正按計畫推進，以支援客戶平台的擴展。近期，美光已向客戶交付HBM4樣品，其頻寬超過2.8TB/s，資料速率突破11Gb/s，處於行業領先水平。美光科技聲稱，新款HBM4產品在性能和效率方面將超越所有競爭對手。美光CEO表示：“我們成熟的1b DRAM、創新且節能的HBM4設計、自主研發的先進CMOS基地晶片以及先進的封裝技術，是成就這款一流產品的關鍵所在。”值得一提的是，美光的HBM4E將與台積電合作生產邏輯晶片（對，和SK海力士類似），計畫會在2027年上市。02. 產能格局，分化加劇主要DRAM供應商的DRAM晶圓加工能力（月產量，單位：千片）和TSV工藝晶圓加工能力（月產量，單位：千片）。所有資料截至年底。來源：2025年FMS會議論文集，TrendForce據TrendForce預測，預計到2025年底，三大DRAM廠商的DRAM晶圓加工能力（月產量）分別為：三星電子65.5萬片，SK海力士54.5萬片，美光科技34萬片。其中，採用TSV工藝（HBM）的晶圓加工能力（月產量）預計分別為：三星15萬片，佔DRAM總產量的23%；SK海力士15萬片，佔28%；美光5.5萬片，佔16%。預計到2026年底，三大DRAM廠商的DRAM晶圓加工能力（月產量）分別為：三星67萬片，同比增長1.5萬片；SK海力士 60萬片，同比增長5.5萬片；美光36萬片，同比增長2萬片。其中，SK海力士的產能增長尤為顯著。SK海力士採取“HBM3E+HBM4”雙代平行策略，在鞏固當前市場優勢的同時，全力衝刺下一代產品。目前已鎖定2026年全部DRAM與NAND產能的客戶需求，預計全年DRAM出貨量同比增長超20%，管理層判斷HBM供應緊張局面將持續至2027年。美光對HBM市場的長期前景保持高度樂觀。其CEO在2025年底業績電話會上表示，預計2025年至2028年全球HBM總潛在市場（TAM）復合年增長率（CAGR）約為40%，規模將從350億美元增至1000億美元。為抓住這一窗口期，美光計畫今年將其HBM4產能提升至每月1.5萬片晶圓。面對AI驅動的爆發性需求，三大廠商正以前所未有的力度推進產能建設。03. 全球佈局加速我們梳理一下各家儲存大廠的製造基地佈局。SK 海力士SK 海力士目前在全球設有多個半導體生產基地，主要分佈在韓國、中國和美國，從分佈來看，最尖端的HBM和先進製程DRAM集中在韓國，成熟DRAM依賴中國無錫廠支撐，而美國工廠主攻先進封裝。重點來看韓國這邊，SK海力士在利川有三家工廠：M10、M14和M16。M10工廠聚焦基礎DRAM和HBM晶圓製造，2025年完成產線改造（M10F），承擔HBM記憶體封裝任務；M14工廠與M16廠協同擴產，最新建成於2021年的M16工廠主要專注於生產DRAM產品。在韓國清州地區，SK 海力士有M15工廠，主攻NAND快閃記憶體製造，是清州園區的核心生產設施。配套還有M15X工廠，是M15擴建計畫的一部分，生產HBM，2025年Q4投產，總投資20兆韓元。最新進展顯示，SK海力士已將M15X的量產時間從原定的2026年6月大幅提前至2026年2月，初期月產能約1萬片，目標到2026年底提升至5.5萬–6萬片。該廠將同時生產HBM3E與HBM4，並已通過1b DRAM工藝認證。值得注意的是，M15X還將為下一代HBM4E鋪路，未來將匯入10nm級第六代（1c）DRAM技術。此外，在清州地區SK海力士今年會投資19兆韓元，建設一個P&T7工廠。主要面向HBM等AI記憶體的需求的先進封裝後端晶圓廠。這個晶圓廠佔地面積7萬坪（約合 23.14 萬平方米），計畫於 2026 年 4 月開工建設，預計於2027 年底竣工。其將與SK 海力士的清州M15X DRAM 前端晶圓廠構成有機整體。更長遠看，SK海力士在京畿道龍仁市啟動了規模空前的龍仁半導體叢集項目，規劃四座大型晶圓廠，總投資高達600兆韓元。首座工廠已於2025年2月動工，預計2027年5月投產。在美國方面，SK 海力士在印第安納州準備建設一個先進封裝中心，投資38.7億美元，負責半導體產品的封裝和測試，計畫於2028年下半年開始營運。在中國有兩家工廠，一家在無錫、一家在重慶。其中無錫廠是SK海力士的儲存晶片生產主力之一，佔其全球DRAM總產量的30%–40%。目前該廠12英吋晶圓月產能達18萬–19萬片，已升級至1a工藝。三星三星在美國和韓國都有工廠。韓國這邊，華城工廠位於京畿道華城市，是三星在韓國的重要儲存晶片生產基地，主要生產DRAM和NAND Flash儲存晶片。器興（Giheung）工廠是三星早期建立的晶圓廠，主要生產成熟工藝節點的儲存晶片及相關半導體產品，支援從350奈米到8奈米的工藝，為三星儲存業務提供基礎產能支援。平澤工廠是三星儲存業務的戰略核心。該基地已建成P1至P4晶圓廠，並正在重啟P5建設（預計2028年投產）。其中，P4工廠被明確指定用於1c DRAM的量產，計畫用於HBM4等高端儲存產品。同時，三星在美國有奧斯汀和泰勒晶圓廠，奧斯汀主要生產65nm至14nm邏輯晶片，產品應用於移動裝置、通訊等領域；泰勒專注於先進製程晶片生產，準備生產特斯拉AI6晶片（預計基於2nm工藝）。據韓國《每日經濟新聞》報導，輝達團隊已訪問三星，通報了HBM4系統級封裝（SiP）的測試結果。結果顯示，三星HBM4在運行速度與功耗效率兩大核心指標上，表現優於所有競爭對手。“與HBM3E時期不同，我們在HBM4開發上處於領先地位，”一位三星內部人士表示。據悉，三星正綜合評估平澤P4產線的擴產進度與交付能力，計畫於2026年第一季度敲定最終供應合同，並於第二季度啟動正式量產交付。美光前兩天，美光全球營運執行副總裁Manish Bhatia在接受採訪時表示：“我們當前看到的短缺情況，確實是前所未有的。”Bhatia在最新的講話中指出，用於人工智慧加速器的HBM（高頻寬儲存）“消耗了整個行業大量可用產能，導致傳統行業領域，例如智慧型手機和個人電腦，出現巨大的供給缺口”。在HBM的巨大需求下，美光同樣也在瘋狂擴產。美光的HBM工廠分佈在新加坡、日本、美國，其中大多都是新建工廠。去年年初，美光就在新加坡投資70億美元，準備建設一家專門的HBM先進封裝工廠。這個工廠原計畫是2026年開始營運，並且從2027年開始擴大美光的先進封裝總產能。後來，美光又宣佈在日本建廣島工廠，這家則是專門生產HBM晶片。工廠在2025年5月正式動工，預計2028年左右實現HBM晶片的規模化出貨。該工廠將採用先進製程技術，是美光自2019年以來規劃的首個新生產基地。當然，日本政府說要給美光的新工廠提供最多5,360億日元的補貼（約合人民幣259億元）。之前，美光承諾將其40%的DRAM製造產能轉移到美國本土。在美國，美光投資了1000億美元建設的大型晶圓廠綜合體，規劃四座晶圓廠，其中兩座已動工，預計2030年開始投產。今年1月，美光在紐約州奧農多加縣為其晶圓廠舉行正式開工儀式。之前美光還宣佈，還會在自家總部的愛達荷州博伊西市建設第二座記憶體製造工廠，提升美國國內半導體生產和研發能力。從新建工廠來看，處理程序在明後年才能實現投產。面對當下的生產需求，美光決定直接買工廠。也就是最近宣佈的，以18億美元現金收購力積電苗栗銅鑼P5晶圓廠，交易預計於2026年第二季完成。在銅鑼廠之前，美光已收購AUO台南廠2座、AUO Crystal在台中的廠房，以及Glorytek的台中廠房，作為Wafer Probe（晶圓測試）、Metallization （金屬化）、HBM TSV等各項用途。此外，美光還規劃將部分新加坡NAND Flash無塵室改用於DRAM Metallization。值得一提的是，雖然SK海力士和美光都在積極擴張產能，但三星的擴張步伐卻顯得較為謹慎。據TrendForce預測，預計到2026年底，三星的TSV工藝（HBM）晶圓加工能力（月產量）將與去年持平，為15萬片；SK海力士的產能將同比增長5萬片，達到20萬片；美光的產能將同比增長4.5萬片，達到10萬片。 (半導體產業縱橫)

摩根大通將SK海力士目標價上調至100萬韓元，AI記憶體需求增長與美股ADR上市是核心利多。憑藉HBM4技術領先地位及產能擴張，預計未來盈利上調20%至25%。ADR上市有望縮小與美系同行的估值差距，吸引全球資本流入。報告建議關注1月底財報會關於HBM4及上市計畫的最新進展。摩根大通將SK海力士的目標價大幅上調至100萬韓元。該行認為，AI記憶體需求的長期增長趨勢未變，疊加潛在的美股上市計畫，將成為推動股價上漲的雙重催化劑。摩根大通Jay Kwon分析團隊在16日的報告中維持了對SK海力士的“增持”評級，並將2026年12月的目標價從此前的80萬韓元上調至100萬韓元。分析師指出，未來3至6個月內強勁的定價動能將推動盈利預期上調，預計2026至2027財年的每股收益（EPS）將有20%至25%的向上修正空間。截至發稿，SK海力士股價上漲1.26%至765500韓元/股。除了基本面的強勁表現，資本運作層面的新動態也成為市場焦點。SK海力士在去年12月的一份監管檔案中表示，公司正在"評估提升企業價值的各種措施，包括利用庫存股在美國股市上市的可能性，但目前尚未最終確定"。摩根大通認為，ADR上市將是下一個關鍵事件催化劑，有望縮小其與美系同行的估值差距。受益於HBM4技術領先地位的鞏固以及傳統儲存周期的延長，摩根大通建議投資者累積頭寸。該行基於2026年底的目標價設定，反映了對儲存行業上行周期更強、更長的預期，給予其歷史峰值市淨率（P/B）30%的溢價。HBM4與產能擴張鞏固技術護城河摩根大通分析師Jay Kwon在報告中指出，SK海力士近期宣佈的19兆韓元封裝廠投資計畫，重申了公司優先發展AI記憶體業務解決方案的堅定承諾。該計畫針對新的PT7工廠，預計將於2028年開始大規模生產，旨在整合分散在多個工廠的後端封裝和測試資源，並擴大生產能力。儘管隨著傳統記憶體價格的大幅上漲，預計今年的HBM銷售佔比將暫時下降至30%（去年為38%），但摩根大通預測，這一比例將從2027年開始回升至39%，並在隨後幾年繼續走高。在技術路線上，摩根大通認為SK海力士將繼續保持其市場份額和技術領先地位。儘管由於高基數效應和競爭對手的份額正常化，預計SK海力士的價值份額將小幅下降至略低於50%的水平，但在下一代HBM4/4E市場上，該公司仍將佔據主要份額，從而支撐行業的高利潤率表現。強勁定價動能推動盈利預期上調報告顯示，伺服器需求正在推動傳統DRAM和NAND市場的上行空間。基於CoWoS模型的向上修正，摩根大通將2026至2027年的HBM潛在市場規模（TAM）預估上調了7-9%，並維持對多年上行周期的看漲觀點。基於此，摩根大通將SK海力士2026至2027財年的EPS預期上調了20-25%。新的目標價100萬韓元基於2.7倍的市淨率（P/B），這意味著相較於過去15年的歷史峰值P/B有30%的溢價。分析師認為，鑑於純記憶體業務具有更高的貝塔係數，基本面的改善將使SK海力士處於有利地位。隨著PT7新投資計畫的反映，摩根大通將2026至2027財年的資本支出（Capex）預測上調至36-48兆韓元，增量主要來自基礎設施支出。儘管如此，隱含的資本密集度仍為20-23%，遠低於2016至2025年平均33%的歷史水平。美股ADR上市：估值重塑的關鍵一步SK海力士在美國上市的可能性被視為提升股東回報和重塑估值的重要途徑。據報導，該公司已收到多家投行的提案，計畫以ADR（美國存托憑證）形式上市約2.4%的流通股，相當於約1740萬股。SK海力士在去年12月的一份的監管檔案中表示，公司正在評估利用庫存股在美國股市上市的可能性，以提升企業價值。分析認為，通過ADR上市，SK海力士不僅能縮小與美光和台積電等同業的估值差距，還可能吸引僅投資美國上市股票的被動基金、ETF和純多頭基金的資本流入。摩根大通在報告中指出，雖然SK海力士管理層表示若行業動態發生結構性轉變，可能提前實施新的股東回報計畫，但目前評估這一可能性為時尚早。相比之下，ADR上市是更為明確的下一個關鍵事件催化劑。摩根大通建議投資者關注1月29日的財報電話會議，重點留意管理層關於HBM4認證、定價及利潤率影響的評論。此外，長期協議（LTA）的討論、各終端市場的供需看法更新，以及關於ADR上市相關的管理層立場，都將是市場關注的焦點。 (invest wallstreet)

在最近的國際消費電子展（CES 2026）上，輝達率先推出了人工智慧下一代魯賓平台，為目前最早的獨家HBM4客戶端。它已經將傳輸速度提高到了11 Gbps以上，迫使SK海力士、三星和美光修改HBM4的設計。隨著這三家公司重新提交樣品和Blackwell的強勁需求，HBM4的量產預計不會早於2026年第一季度末。雖然12層HBM4尚未完全投產，但輝達要求在2026年下半年供應16層，HBM之爭趨於白熱化。海力士：技術領先 + 工藝最佳化作為目前HBM領域的領頭羊，海力士在CES上首次展示了16層HBM4，據Etnews報導，新的16層48 GB HBM4建立在12層36 GB的HBM4基礎上，後者已經創造了11.7 Gbps的速度記錄。DRAM堆疊到16層，容量和速度都大大提高，頻寬超過每秒2 TB。然而，《韓國先驅報》強調，從12層擴展到16層比從8層跳到12層要困難得多，16層HBM要求晶圓減薄至30 微米左右，而目前的12層設計約為50 微米。此外，由於JEDEC將HBM4封裝高度限制在775 µm，傳統方法幾乎沒有進一步擴展的空間，這可能是未來的技術障礙。雖然業界越來越多地將混合鍵合視為應對挑戰的長期解決方案，但海力士暫時憑藉其MR-MUF（大規模回流模壓下填充）工藝穩定產量，處於領先地位。雖然該公司也在開發混合鍵合技術作為備用方案，但其核心戰略是儘可能延長MR-MUF技術的使用壽命。海力士表示，MR-MUF將HBM產品中垂直堆疊的所有晶片一次性加熱並互連，比在每個晶片堆疊後使用薄膜材料的TC-NCF（熱壓非導電膜，三星和美光使用）效率更高。不過，為了控制整體封裝高度，12層HBM3的DRAM晶片必須比8層HBM3的DRAM晶片薄40%左右，因此晶片翹曲成為主要問題。為瞭解決這個問題，海力士在其Advanced MR-MUF工藝下引入了一種新的EMC材料，與原始版本相比，散熱能力提高了約1.6倍。三星：工藝迭代 + 產能擴張Etnews此前曾報導，由於競爭對手在較老的1b DRAM節點上製造HBM4，三星打算通過轉向更先進的1c工藝來改變遊戲規則。TrendForce指出，其在HBM4上採用了1c奈米工藝（10奈米級，第6代），並在基礎晶片上採用了4nm邏輯工藝，並對設計進行了微調，使其速度超過了11Gbps，超出了客戶的要求。這種方法有望實現更高的傳輸速度，使三星成為最有可能率先獲得資格的供應商，並有可能在供應高端魯賓產品方面獲得優勢。《朝鮮商業》報導，三星目前已開始生產1c型DRAM，良率已接近80%的量產目標。此外，三星也在推進混合鍵合技術，目標是到2028年推出16層HBM4E產品，不過，雖然三星已經向包括輝達在內的主要客戶提供混合鍵合HBM4原型，但良率仍然很低，約為10%。Etnews報導稱，由於需求強勁，三星計畫在2026年將HBM的產量提高50%，到年底達到每月25萬片左右，主要集中在HBM4上。美光：產能突圍 + 技術跟進美光的HBM4基於1 - beta節點，上個月，美光表示該產品達到了11 Gbps以上的行業領先速度，並有望在2026年第二季度實現高產量提升。其優勢在於低功耗HBM技術，正在努力從12層HBM4產品發展到16層產品、鎖定更多的產能，來挑戰韓國競爭對手。美光即將在新加坡建立的先進封裝廠和日本廣島的工廠預計將大大緩解產能限制。 (銳芯聞)

輝達周一表示，其下一代 Rubin AI 晶片已“全面投產”，並將於 2026 年下半年上市。同時，該公司還公佈了備受期待的 Blackwell 系列繼任者的更多細節。“我們必須每年都推進計算技術的進步，一年也不能落後，” 輝達首席執行長黃仁勳在 CES 2026 電子貿易展期間的主題演講中表示。魯賓發表此番言論之際，人們越來越擔心會出現“人工智慧泡沫”，因為人們越來越質疑大規模人工智慧基礎設施建設還能持續多久。這家晶片巨頭通常會在加州聖何塞舉行的 GTC 開發者大會上公佈其人工智慧晶片的最新進展，今年的 GTC 大會將於 3 月 16 日至 19 日舉行。輝達在2025年3月的GTC大會上預覽了Vera CPU和Rubin GPU，並表示Vera-Rubin晶片組將比其前代產品Grace-Blackwell提供更出色的AI訓練和推理性能。推理是指使用訓練好的AI模型來生成內容或執行任務。在周一的發佈會上，黃仁勳公佈了Rubin系列產品的更多細節。Rubin GPU的推理計算性能是Blackwell的五倍，訓練計算性能是Blackwell的3.5倍。與Blackwell相比，新一代晶片還能降低訓練和推理成本，推理令牌成本最多可降低10倍。Rubin 架構包含 3360 億個電晶體，在處理 NVFP4 資料時可提供 50 petaflops 的性能。相比之下，Nvidia 上一代 GPU 架構 Blackwell 的性能最高為 10 petaflops。同時，Rubin 的訓練速度提升了 250%，達到 35 petaflops。晶片的部分計算能力由一個名為 Transformer Engine 的模組提供，該模組也隨 Blackwell 一起發佈。據輝達稱，魯賓的 Transformer Engine 基於一種更新的設計，並具有一項名為硬體加速自適應壓縮的性能提升功能。壓縮檔案可以減少其包含的位元數，從而減少 AI 模型需要處理的資料量，進而加快處理速度。輝達首席執行長黃仁勳表示：“Rubin 的問世恰逢其時，因為人工智慧的訓練和推理計算需求正呈爆炸式增長。憑藉我們每年推出新一代人工智慧超級電腦的節奏，以及六款全新晶片的深度協同設計，Rubin 的推出標誌著我們向人工智慧的下一個前沿領域邁出了巨大的一步。”據輝達稱，Rubin 還將成為首款整合 HBM4 記憶體晶片的 GPU，其資料傳輸速度高達每秒 22 TB，比 Blackwell 有了顯著提升。該公司表示，Rubin 系列晶片已經“全面投產”，並將於今年下半年提高產量。微軟 Azure 和輝達支援的雲服務提供商 CoreWeave 將成為首批在 2026 年下半年提供由 Rubin 提供支援的雲端運算服務的公司之一。在周日的一次媒體簡報會上，輝達高級總監迪翁·哈里斯表示，提前推出 Rubin 產品是因為這些晶片“在展示實際準備情況方面達到了一些非常關鍵的里程碑”，並補充說，該公司正在努力使生態系統做好準備，以採用 Vera-Rubin 架構。“鑑於我們目前的準備情況，以及市場對 Vera-Rubin 的熱情，我們認為這是一個絕佳的機會，可以在 CES 上推出這款產品，”哈里斯說。然而，比預期更早發佈的 Rubin 一代晶片並未給市場留下深刻印象，輝達股價在周一盤後交易中下跌 0.13%，此前收於 188.12 美元。黃仁勳身著一件閃亮的黑色皮夾克，這是他標誌性皮夾克的改良版，在拉斯維加斯BleauLive劇院向3000名座無虛席的聽眾發表了主題演講 。現場氣氛熱烈——這位CEO一出場就受到了歡呼、掌聲和觀眾用手機拍照的熱烈歡迎——這充分證明了這家公司如彗星般迅速崛起，如今它已被視為人工智慧時代最重要的風向標。首席執行長此前表示，即使沒有中國或其他亞洲市場，該公司預計到 2026 年，其最先進的 Blackwell AI 晶片和 Rubin 的“早期產能提升”也將帶來5000 億美元的收入。與此同時，黃仁勳認為人工智慧的未來將主要體現在物理世界中。在CES 2026正式開幕前一天，也就是周一的場外活動中，輝達宣佈與多家製造商、機器人製造商和領先的汽車製造商達成合作，其中包括比亞迪、LG電子和波士頓動力公司。黃仁勳表示：“機器人領域的 ChatGPT 時刻已經到來。物理人工智慧的突破——能夠理解現實世界、推理和規劃行動的模型——正在解鎖全新的應用。”他指的是開啟生成式人工智慧熱潮的聊天機器人 ChatGPT。輝達發佈Vera Rubin NVL72人工智慧超級電腦在2026年國際消費電子展（CES）上，人工智慧無處不在，而輝達GPU則是不斷擴展的人工智慧領域的核心。今天，在CES主題演講中，輝達首席執行長黃仁勳分享了公司將如何繼續引領人工智慧革命的計畫，因為這項技術的應用範圍將遠遠超出聊天機器人，擴展到機器人、自動駕駛汽車以及更廣泛的物理世界。首先，黃仁勳正式發佈了輝達下一代AI資料中心機架級架構Vera Rubin。Rubin是輝達所謂的“極致協同設計”的成果，它由六種晶片組成：Vera CPU、Rubin GPU、NVLink 6交換機、ConnectX-9 SuperNIC、BlueField-4資料處理單元和Spectrum-6乙太網路交換機。這些元件共同構成了Vera Rubin NVL72機架。對人工智慧計算的需求永無止境，而每款 Rubin GPU 都承諾為這一代產品提供更強大的計算能力：NVFP4 資料類型的推理性能高達 50 PFLOPS，是 Blackwell GB200 的 5 倍；NVFP4 訓練性能高達 35 PFLOPS，是 Blackwell 的 3.5 倍。為了滿足如此龐大的計算資源需求，每款 Rubin GPU 都配備了 8 個 HBM4 視訊記憶體堆疊，提供 288GB 的容量和 22 TB/s 的頻寬。每個GPU的計算能力只是人工智慧資料中心的一個組成部分。隨著領先的大型語言模型從啟動所有參數以生成給定輸出詞元的密集架構，轉向每個詞元僅啟動部分可用參數的專家混合（MoE）架構，這些模型的擴展效率得以相對提高。然而，模型內部專家之間的通訊需要大量的節點間頻寬。Vera Rubin推出用於縱向擴展網路的NVLink 6，將每個GPU的交換矩陣頻寬提升至3.6 TB/s（雙向）。每個NVLink 6交換機擁有28 TB/s的頻寬，每個Vera Rubin NVL72機架配備9個這樣的交換機，總縱向擴展頻寬可達260 TB/s。Nvidia Vera CPU 採用 88 個定製的 Olympus Arm 核心，並配備 Nvidia 所謂的“空間多線程”技術，可同時運行多達 176 個線程。用於將 Vera CPU 與 Rubin GPU 連接起來的 NVLink C2C 互連頻寬翻倍，達到 1.8 TB/s。每個 Vera CPU 可定址高達 1.5 TB 的 SOCAMM LPDDR5X 記憶體，記憶體頻寬高達 1.2 TB/s。為了將 Vera Rubin NVL72 機架擴展為每個包含八個機架的 DGX SuperPod，Nvidia 推出了兩款採用 Spectrum-6 晶片的 Spectrum-X 乙太網路交換機，這兩款交換機均整合了光模組。每顆 Spectrum-6 晶片可提供 102.4 Tb/s 的頻寬，Nvidia 將其應用於兩款交換機中。更多產品同步發佈NVIDIA正式發佈了面向AI資料中心的新型CPU“Vera”和GPU“Rubin”。雖然此前已有相關計畫公佈，但首席執行長黃仁勳於1月5日在拉斯維加斯的主題演講中正式揭曉了這些產品。此外，該公司還發佈了高速網路產品，例如 NVLink 6 交換機（允許使用 Vera 和 Rubin 在機架內進行擴展）、ConnectX-9 SuperNIC、BlueField-4 DPU 和 Spectrum-6 乙太網路交換機（允許在資料中心內擴展此類機架）。Rubin是當前一代GPU“Blackwell”（NVIDIA B300/B200/B100）的繼任者，採用了全新的GPU架構和HBM4視訊記憶體。根據NVFP4的計算，Blackwell的AI推理和訓練性能為10 PFLOPS，而Rubin的推理性能達到50 PFLOPS，速度提升了5倍；訓練性能達到35 PFLOPS，速度提升了3.5倍。NVIDIA 正式宣佈 Vera 是一款採用 Arm 架構的 CPU，配備 88 個 NVIDIA 定製設計的 Olympus 核心；Rubin 是一款面向 AI 資料中心的 GPU，將成為當前 Blackwell (B300/B200/B100) 產品的繼任者。這款以美國著名科學家庫珀·魯賓 (Cooper Rubin) 命名的 Rubin GPU，採用 Rubin 架構，相比 Blackwell 架構，能夠實現更高效的 AI 計算。它還配備了全新的 HBM4 記憶體技術、第六代 NVLink、機密計算功能和 RAS 引擎，從而提升了平台級的性能和安全性。通過這些改進，在使用 NVIDIA 的高級推理模型和實現智能體 AI 的 MoE（專家混合）模型時，推理的每個令牌成本最多可以降低十分之一，訓練的每個令牌成本最多可以降低四分之一。與上一代 Blackwell（可能是 GB200 中搭載的 B200）相比，Rubin 的 NVFP4 推理性能提升至 50 PFLOPS，性能提升 5 倍；訓練性能提升至 35 PFLOPS，性能提升 3.5 倍（Blackwell 的這兩項均為 10 PFLOPS）。HBM4 的記憶體頻寬為 22 TB/s，是 Blackwell 的 2.8 倍；每個 GPU 的 NVLink 頻寬為 3.6 TB/s，性能提升兩倍。另一方面，Vera 是一款搭載 88 個 NVIDIA 定製設計的 Olympus 核心的 Arm CPU。它支援 NVIDIA 的專有虛擬多線程 (SMT) 技術“NVIDIA Spatial Multi-threading”，啟用後可作為 176 線程 CPU 使用。它可配備 1.5TB 的 LPDDR5X 記憶體（容量是上一代 Grace 的三倍），基於資料中心記憶體模組標準“SOCAMM”，記憶體頻寬為 1.2TB/s。與 Blackwell 系列一樣，Vera Rubin 每個模組將包含一個 Vera 處理器和兩個 Rubin 處理器。此外，還將推出 Vera Rubin NVL72，這是一款可擴展解決方案，可將 36 個 Vera Rubin 處理器整合到單個機架中。Vera Rubin NVL72 配備了支援第六代 NVLink 協議的 NVLink 6 交換機，單個機架可容納 36 個 Vera CPU 和 72 個 Rubin GPU。此外，NVIDIA 還計畫推出“HGX Rubin NVL8”，這是一款面向 OEM 廠商的設計，將八個 Rubin 模組整合在一台伺服器中；以及“DGX Rubin NVL8”，這是一款專為 x86 處理器設計的伺服器。客戶可以選擇將 Rubin 與 NVIDIA 的 Arm CPU 或 x86 CPU 搭配使用。同時，NVIDIA 還發佈了用於橫向擴展的高速網路新產品，包括 ConnectX-9 SuperNIC、BlueField-4 DPU 和 Spectrum-6 乙太網路交換機。這些產品可以與前文提到的 Vera Rubin NVL72 和 HGX Rubin NVL8 配合使用，實現橫向擴展。該公司還發佈了“DGX SuperPOD with DGX Vera Rubin NVL72”，這是一款由八塊 Vera Rubin NVL72 GPU 組成的擴展型超級電腦，可作為人工智慧超級電腦的參考設計。通過利用 CUDA 等軟體解決方案，一台超級電腦即可使用 256 個 Vera CPU 和 512 個 Rubin GPU。據該公司稱，Vera 和 Rubin 計畫於 2026 年下半年發佈，並將通過四大雲服務提供商（AWS、Google雲、微軟 Azure 和 Oracle 雲基礎設施）以及戴爾科技、HPE、聯想和超微等原始裝置製造商 (OEM) 提供。該公司解釋說，OpenAI、Anthropic 和 Meta 等人工智慧模型開發公司已經宣佈了他們的採用計畫。輝達五年來首次“缺席”CES展會整個行業正陷入零部件短缺的困境，輝達剛剛在X平台上宣佈，其2026年CES主題演講將“不會發佈任何新的GPU”，這無疑給新PC組裝商們僅存的一點希望潑了一盆冷水。這打破了輝達連續五年在CES上發佈新款GPU（無論是桌面級還是移動級）的慣例；這一次，將不會有任何新的硬體產品問世。此次發佈會的大部分內容可能都會聚焦於人工智慧領域的最新進展。自2021年以來，微軟每年都會在CES上展示其最新的晶片產品。最近，RTX 50系列顯示卡在拉斯維加斯標誌性的CES展廳首次亮相，並且一直有傳言稱RTX 50 Super系列顯示卡也將在CES 2026上發佈。雖然官方從未正式確認，但DRAM短缺可能導致了此次發佈計畫的擱淺。否則，輝達本可以在CES 2024上發佈RTX 40 Super系列顯示卡，而這距離首款Ada Lovelace顯示卡發佈僅一年之隔。此外，該公司最新的Blackwell GPU採用的是GDDR7視訊記憶體，而GDDR7視訊記憶體的生產難度更高。情況已經惡化到如此地步，甚至有傳言稱輝達將重啟RTX 3060的生產，因為該顯示卡採用的是GDDR6視訊記憶體，並且採用的是三星較老的8nm工藝製造。記憶體供應是問題的關鍵所在。如果背後的工廠完全癱瘓，輝達就無法發佈新的GPU。全球只有三家公司——美光、SK海力士和三星——能夠生產尖端DRAM，而且它們都樂於將產品賣給AI客戶以獲取更高的利潤。對通用人工智慧（AGI）的渴求促使像OpenAI這樣的公司制定了突破性的計算目標，這些目標遠遠超出了我們現有供應鏈的承載能力。有些人可能會疑惑，為什麼政府不介入幫助消費者？監管市場難道不是他們的職責嗎？不幸的是，地緣政治因素使情況更加複雜，因為前沿人工智慧代表著另一場軍備競賽，而華盛頓希望保持對中國的領先優勢。歸根結底，不會有救星出現。就像2014年的記憶體危機和過去十年間各種GPU短缺一樣，我們只能等到人工智慧熱潮停滯不前才能迎來轉機。目前，輝達顯示卡的價格尚未上漲，所以這或許是我們重返黃牛倒賣時代的最後時刻。不過，社區裡有些人，比如藍寶石的公關經理，仍然抱有希望，相信這場風暴最終能夠過去。 (半導體行業觀察)

三星近期與全球主要客戶的供應協議讓代工業務“為大飛躍做好了準備”。三星電子聯席CEO兼晶片負責人全永鉉在新年致詞中表示，客戶稱讚了其下一代高頻寬記憶體晶片，即HBM4的差異化競爭力，稱“三星回來了”。10月，三星表示正在就向美國人工智慧領軍企業輝達供應其HBM4進行“密切討論”，這家韓國晶片製造商正努力在AI晶片領域追趕包括本國競爭對手SK海力士在內的對手。“特別是在HBM4方面，客戶甚至表示‘三星回來了’，”全永鉉在講話中表示，並補充說公司仍需努力進一步提高競爭力。SK海力士CEO郭魯正在新年致詞中表示，由於人工智慧晶片需求的出現速度快於預期，公司受益於有利的外部環境。他表示競爭正在迅速加劇，並指出AI需求現在已是既定事實而非意外驚喜，2026年的商業環境將比去年更嚴峻，同時強調需要繼續進行更大膽的投資和努力以備戰未來。Counterpoint Research的資料顯示，2025年第三季度，SK海力士是HBM市場的領軍者，佔據53%的份額，其次是三星佔35%，美光佔11%。談及製造客戶設計晶片的代工業務時，三星的全永鉉表示，近期與全球主要客戶的供應協議讓代工業務“為大飛躍做好了準備”。7月，三星電子與特斯拉簽署了一項165億美元的協議。在另一份致詞中，同時也負責監管手機、電視和家電業務的裝置體驗部門的三星電子聯席CEO盧泰文表示，由於零部件價格上漲和全球關稅壁壘，2026年可能會帶來更大的不確定性和風險。“為了定位自己在任何情況下都能保持競爭優勢，我們將通過主動的供應鏈多元化和全球營運最佳化來增強核心競爭力，以解決零部件採購和定價以及全球關稅風險等問題，”盧泰文說。美國決定對三星、SK海力士中國工廠的裝置出口限制部分放寬美國政府決定部分放寬對包括三星電子和SK海力士在內的韓國半導體公司向其中國工廠出口裝置的限制。此舉將避免每次裝置出貨都需要單獨審批的最壞情況。據業內人士12月30日透露，美國商務部工業與安全域（BIS）已更改政策，取消韓國半導體公司中國工廠的“終端使用者認證（VEU）”資格，允許其每年出口裝置。回溯其歷史，美國商務部自2022年起對美製半導體裝置出口中國實施嚴格管制，但當時給予三星、SK海力士及英特爾豁免，允許它們維持在華現有工廠的運作。根據最新規定，這些公司今後如要在中國採購相關裝置，必須逐案申請出口許可證。隨後在去年8月，美國商務部發佈通知，宣佈將撤銷韓國晶片製造商三星和SK海力士在其中國工廠使用美國裝置的豁免，這將使兩家公司更難在中國生產晶片。限制措施將在120天後生效。美國商務部在一份聲明中稱，美國計畫向相關企業發放許可證，允許其繼續在華營運現有的設施，但不打算發放擴大產能或升級技術的許可，從而取消“只對外國生產商有利、卻沒有給美國製造商帶來類似好處的寬鬆做法”。三星和SK海力士很大一部分的儲存晶片產能依賴於中國。三星西安廠佔三星NAND Flash四成產能，兩座廠月產能25萬片，佔全球NAND Flash產能1/10，也是三星在海外唯一的儲存晶片工廠。三星蘇州廠主營儲存器、儲存器模組及積體電路的組裝和測試。三星天津廠則主營LED產品，天津三星LED公司成立於2009年，經營範圍包括電子元器件製造、電子元器件批發、電子元器件零售、半導體照明器件製造等。SK海力士則在中國有兩個生產基地，分別位於重慶與無錫。其中無錫廠是SK海力士的儲存晶片生產主力之一。有分析師之前指出，SK海力士無錫廠的產量約佔該公司DRAM晶片的大約一半、全球產量的15%。重慶廠主要側重於晶片封裝。值得一提的是，SK海力士已於2021年收購英特爾NAND快閃記憶體及儲存業務，其中包括英特爾大連工廠。根據市場追蹤機構Gartner的資料，全球前五大半導體裝置公司佔整個市場的70%以上的裝置，大多為美國製造。此舉將使韓國兩大儲存晶片製造商在中國的營運難度大增，限制措施也衝擊到美國半導體裝置供應商，包括科磊（KLA Corp）、泛林集團（Lam Research）和應用材料（Applied Materials）。 (半導體產業縱橫)

三星電子（Samsung Electronics）共同執行長兼晶片業務負責人全永鉉（Jun Young-hyun）在新年致詞中表示，客戶對其下一代高頻寬記憶體（HBM）晶片（即 HBM4）的差異化競爭力表示讚賞，並稱“三星回來了”。去年 10 月，三星表示正就向美國人工智慧領軍企業輝達（Nvidia）供應 HBM4 進行“密切磋商”。這家韓國晶片製造商正竭力趕超包括同胞對手 SK 海力士（SK Hynix）在內的競爭對手，以奪回在 AI 晶片領域的地位。根據 Counterpoint Research 的資料顯示，在 2025 年第三季度，SK 海力士佔據了 HBM 市場 53% 的份額，緊隨其後的是三星（35%）和美光（Micron，11%）。投資者正密切關注三星是否能通過其第四代晶片（譯註：此處指 HBM 演進路線中的關鍵節點）縮小市場差距。三星在第三季度財報電話會議上表示，目前正向主要客戶交付 HBM4 樣品。基於不斷增長的需求，公司將重點放在 2026 年實現 HBM4 產品的量產上。今日早盤交易中，三星電子股價上漲 1.9%，表現優於韓國綜合股價指數（KOSPI）0.5% 的漲幅。三星HBM4，傳獲晶片巨頭認證三星電子(Samsung Electronics)第六代高頻寬記憶體「HBM4」，在博通(Broadcom)主持的技術性測試中，運作速度寫下歷史新高紀錄。據傳，針對Google第八代AI加速器「TPU v8」進行性能驗證時，三星HBM4的表現優於競爭對手。BusinessKorea 31日引述半導體業界消息報導，三星HBM4在博通進行的「系統級封裝(SiP)」測試中，運作速度達到了低至中段的11Gbps水平，表現居三大記憶體廠商之冠。據傳，三星在散熱管理方面的評分，也優於其他競爭對手。散熱管理是整合HBM時長期面臨的挑戰。由於博通是Google客制化AI專用ASIC的主要設計夥伴，上述結果證明，三星HBM4具備Google第八代張量處理單元(TPU)需要的優越性能。市場普遍預測，TPU v8 2026年有望進入商業化生產。三星、博通自2023年便開始在HBM與AI晶片領域合作，最新HBM4測試結果有望進一步強化雙方聯盟。由於Google計畫將TPU提供給外部客戶、而非僅限於內部資料中心使用，三星的HBM供應量有望於2026年快速拉高。一名業界高層表示，三星在博通測試中寫下的創紀錄速度，顯示其整合晶圓代工服務與先進封裝的解決方案，如今已具備充分競爭力。這次評估讓三星接下來一年在爭取Google供應鏈訂單時，處於極為有利的位置。Google母公司Alphabet Inc.最新「Gemini 3」聊天機器人大獲好評，自家研發的TPU成為支援其AI模型的重要資產。Melius Research分析師Ben Reitzes 10月27日透過報告表示，Google及夥伴博通自2016年就開始攜手研發客制化ASIC，如今已來到第七代。對AI工作負載而言，除了輝達(Nvidia Corp.)繪圖處理器(GPU)外，TPU可說是獲得最多實證的ASIC，如今動能更是最強。Reitzes認為，Alphabet雖然前景看俏，但博通受惠程度可能更佳，因為除了Alphabet將貢獻大量AI營收外，其他許多夥伴也都看上博通的設計專長、想要分杯羹。他補充說，TPU對Alphabet成長策略的重要性迅速變高。 (半導體行業觀察)

在HBM3E價格依舊節節攀升之際，儲存龍頭們已圍繞HBM4展開了新一輪的市場份額之爭。據TheElec報導，SK海力士將其位於清州的M15X工廠的量產計畫提前了四個月，將於明年2月開始量產用於HBM4的1b DRAM晶圓。產能方面，該工廠初期規劃約為1萬片，預計到明年底將提升至數萬片。相關人士透露：“裝置投入和安裝工作正在進行，計畫已進行調整，以實現更快、更大規模的量產。”值得一提的是，M15X又被稱作“HBM4專用工廠”，業內人士認為，此次加速生產表明了SK海力士對HBM4供應的信心。截至目前，SK海力士已完成M15X早期投產的技術準備工作，其中就包括完成1b HBM4工藝的認證，其採用改進型電路的HBM4晶圓將於本月底完成晶圓製造，並於明年1月初向輝達交付其下一代12層HBM4記憶體的最終樣品。與此同時，輝達搭載HBM4的Vera Rubin 200平台出貨預期愈發明確。市場預測顯示，偉達GB300 AI伺服器機櫃明年出貨量有望達到5.5萬台，同比增長129%。Vera Rubin 200平台預計將於明年第四季度開始出貨，部分廠商訂單能見度已遠至2027年。▌三巨頭競逐HBM4份額時至今日，SK海力士在全球HBM市場仍佔據龍頭地位。市場調研機構Counterpoint Research資料顯示，今年第三季度，SK海力士全球HBM營收市佔率達57%，雖有下滑但仍好於去年同期。與之相比，三星與美光的市佔率則分別為22%和21%。然而，未來上述格局或將被撼動。據韓國《每日經濟新聞》日前消息，輝達相關團隊訪問了三星，通報了 HBM4 系統級封裝（SiP）的測試進展。會議透露，在運行速度與功耗效率兩項核心指標上，三星的產品在所有記憶體廠商中取得了最佳表現。基於其優異表現，輝達也為三星HBM4的供應亮起了綠燈。據悉，輝達要求的明年三星HBM4供應量大大超過了其內部預測值。 預計這將對三星業績的改善起到顯著作用。三星內部人士表示：“與上次的HBM3E不同,我們在HBM4開發上處於領先地位。”據報導，三星考慮到其平澤P4生產線的增設速度和生產能力等,將於明年第一季度正式簽訂供應合同。 預計將從第二季度開始正式供應。除此之外，美光也參與到HBM4的競爭之中。最新財報顯示，其HBM4將在2026年第二財季按計畫量產並實現高良率產能爬坡。HBM4在基礎邏輯晶片和DRAM核心晶片上採用先進的CMOS和先進金屬化工藝技術，這些晶片均由美光自主設計與製造。華泰證券指出，2026年全球三大儲存企業的資本開支或將集中在HBM/DRAM上。根據TrendForce預測，2026年DRAM位增長率或將達到26%。儲存超級周期有望成為2026年半導體行業重要主線，但呈現結構性分化特徵，Batch ALD裝置、測試裝置及封裝加工裝置的市場需求有望明顯增長。 (科創板日報)