🔷HBM4到HBM8演進路線曝光 🔷TSV、先進封裝、近存計算開啟AI儲存新時代 AI大模型的競爭，正在進入一個全新的戰場。 過去幾年，我們關注更多的是GPU算力、先進製程和晶片架構，但隨著ChatGPT、LLM等AI應用規模不斷擴大，一個隱藏在晶片背後的關鍵技術正在成為決定未來算力上限的核心——HBM（High Bandwidth Memory，高頻寬儲存器）。

大摩將近期記憶體股回撤與資料中心採購情況對照，判斷消費電子、PC和手機端的庫存擾動沒有改變AI伺服器的供給約束。採購調研顯示，三季度資料中心記憶體同規格價格較二季度至少上漲 25%，2027—2028年的短缺預期仍未緩解。長期協議和硬體降配會壓低單季價格波峰，卻可能延長盈利與現金流持續時間，記憶體已從AI需求的受益環節轉向系統擴張的主要瓶頸之一。 ▪ 行業資料中DRAM價格一季度環比上漲約70%，二季度上漲超過40%；在季度收入已由上年同期約460億美元增至 超過2000億美元的背景下，增速自然放緩。三季度同規格價格仍至少上漲25%，說明二階導下降不等於供需關係轉弱。 ▪ 長期協議通常在峰值現貨價與客戶可接受價格之間折中，新簽協議的價格上限可能高於早期約定。該機制限制價格波動幅度，卻提高訂單期限與現金流可見度；客戶為六週加急交付支付高於二季度價格的溢價，也說明短缺集中在真實部署而非管道庫存。 ▪ HBM4複雜度和輝達下一代系統的記憶體配置將繼續吸收產能，後者下一代內容量預計翻倍；低功耗DDR5與企業級記憶體需求同樣偏強。即使DRAM資本開支增加，AI投入增速仍高於傳統終端3%—5%的需求增速，供給釋放與系統重構會共同決定週期長度。

全球三大記憶體晶片廠商正式開啓第四代高帶寬內存（HBM4）良率攻堅戰。此前通用DRAM漲價為記憶體企業業績提供支撐，但如今其漲幅已然放緩，各家企業試圖拉高高利潤率HBM產品競爭力，以此最大化經營收益。 業內消息顯示，三星電子、SK海力士、美光三大記憶體巨頭均在推行HBM4良率提升戰略。HBM4是第六代高帶寬內存產品，將搭載於輝達下半年推出的AI加速晶片Vera Rubin等產品中。 三家企業裡，三星電子最先實現HBM4量產，隨著產線轉入大規模生產階段，良率提升速度十分可觀。業內部分觀點認為，三星HBM4良率已提升至70%左右。依託數月量產積累的經驗，其良率管控能力大幅改善。三星HBM4良率提升的核心依託自家1C工藝DRAM打底，今年年初該款基礎DRAM生產良率就已突破穩定量產門檻80%，為HBM4良率走高提供支撐。 SK海力士暫未對外披露HBM4具體良率數值，但行業普遍判斷其良率也已步入穩定區間。為優化HBM4工藝、擴充產能，SK海力士計劃引進全新生產設備，目前正與多家HBM設備供應商洽談下半年設備採購訂單。

把兩塊晶片直接"焊"在一起，中間不靠任何凸點或焊球——這項被稱為混合鍵合的技術，過去兩年被市場視為HBM先進封裝的下一場革命。但7月初兩家韓國記憶體巨頭幾乎同步做出決定：HBM4這一代先不用了，繼續走傳統路線。背後是國際標準組織JEDEC悄悄放寬了一項規定，讓這場革命突然變得不那麼緊迫了。 一、一項標準的微調，撬動了整個技術路線 HBM（高頻寬記憶體）本質上就是把多層DRAM晶片像千層餅一樣堆疊起來。層數越多，容量和頻寬越大。但封裝有高度上限——晶片堆太高，塞不進GPU旁邊那個狹小的空間。 目前業界主流的堆疊方式叫熱壓鍵合（TC Bonding）：每兩層DRAM之間用微小的金屬凸點連接，像用焊球把兩塊板子粘在一起。這個工藝成熟可靠，但凸點本身佔高度。12層堆疊已經用掉了775微米，想往上堆16層、20層，空間不夠用了。

全球先進封裝市場迎來“黃金時代”，市場規模預計達581億美元，同比增長近97%。其中扇出型封裝（FOWLP）作為核心分支，市場規模約120億美元，同比增長18%。 日月光7月1日宣佈先進封裝報價上調超20%，年內累計漲價30%-50%，CoWoS產能缺口維持在20%-30%，這一組資料構成了2026年先進封裝市場的基本面。但從另一個維度看，日月光2026年資本支出從往年20億美元上調至70-85億美元，創下公司歷史紀錄，全球六座封測廠區同步動工。 台積電年中把資本開支上調到600-640億美元，中國四大封測企業半年砸下274億元。晶片交付的瓶頸已經從前道光刻轉移到了封裝產線，這場產能競賽的核心問題是：誰先把缺口補上？ 一、瓶頸已經不在光刻機了

據韓國媒體The Bell報導稱，SK海力士已正式啟動針對輝達（NVIDIA）下一代AI平台“Vera Rubin”供應的12層堆疊HBM4的量產出貨，產品目前已進入產能提升階段。預計從2026年9月起大規模量產。 報導指出，此次12層堆疊HBM4的量產速度打破了產業傳統，從投入晶圓到最終出貨僅耗時兩個多月，遠低於一般的四個月周期。 業界人士指出，這主要歸功於雙方的緊密配合，包括SK海力士應對輝達的緊急供貨請求，開啟了緊急生產模式，賦予其最高的工序優先順序。而急需確保供貨量的輝達，也配合自行簡化了相關的質量驗證流程。雖然初期出貨量相對有限，但隨著產能穩步攀升，9月起供貨量將達到顯著提升。而憑藉此次極速交付的亮眼表現，SK海力士進一步鞏固了其在輝達供應鏈中的核心首選地位。 市場估算，SK海力士有望承輝達達HBM4總供應量約60%的比例，部分觀點甚至看好其所佔的最高份額可攀升至70%。

據DigiTimes周五發佈的一份報告，行業消息人士指出，受到人工智慧需求激增與產能結構性瓶頸的雙重推動，高頻寬記憶體（HBM）的價格到2027年有望翻倍。 行業消息人士稱，下一代HBM4的價格可能從2026年下半年約2美元/千兆位元飆升至4至5美元甚至更高。 這一方面是因為HBM4製造過程的極端複雜性：其生產周期長達四到六個月，且初始良率顯著偏低；另一方面，HBM的生產耗用的晶圓容量約為標準DDR5 DRAM的三倍，嚴重限制了製造商在現有設施中可生產的總記憶體量。 進一步加劇供應緊張局面的是，當前全球HBM三大主要生產商——三星電子、SK海力士和美光科技正通過與一級AI客戶簽訂為期三到五年的長期協議，鎖定全球記憶體供應。

據報導，這項技術的商業化時間預計將在2030年之後。其封裝尺寸將與HBM4保持一致，每顆晶片的容量可在0.5GB-5GB之間，運行速度最高可達32GT/s。 近日，英特爾公佈一項名為XBM的超高頻寬記憶體專利技術，旨在成為HBM4的替代方案，有望提供更高的頻寬和更低的成本。據wccftech報導，這項技術的商業化時間預計將在2030年之後。 XBM（eXtended Bandwidth Memory），全稱擴展頻寬記憶體，屬於DRAM記憶體方案，其封裝尺寸將與HBM4保持一致，每顆晶片的容量可在0.5GB-5GB之間，搭載32GT/s速率的UCIe通用芯粒互聯介面。 XBM最核心的革新在於重構了晶片底層架構。傳統DRAM的儲存單元製作於前段製程（FEOL），也就是原生用於製作電晶體的底層矽基底；而XBM將1T1C儲存單元轉移至後段製程（BEOL），佈置在電晶體上層的金屬通孔堆疊區域，並採用薄膜電晶體工藝。