在HBM3E價格依舊節節攀升之際，儲存龍頭們已圍繞HBM4展開了新一輪的市場份額之爭。據TheElec報導，SK海力士將其位於清州的M15X工廠的量產計畫提前了四個月，將於明年2月開始量產用於HBM4的1b DRAM晶圓。產能方面，該工廠初期規劃約為1萬片，預計到明年底將提升至數萬片。相關人士透露：“裝置投入和安裝工作正在進行，計畫已進行調整，以實現更快、更大規模的量產。”值得一提的是，M15X又被稱作“HBM4專用工廠”，業內人士認為，此次加速生產表明了SK海力士對HBM4供應的信心。截至目前，SK海力士已完成M15X早期投產的技術準備工作，其中就包括完成1b HBM4工藝的認證，其採用改進型電路的HBM4晶圓將於本月底完成晶圓製造，並於明年1月初向輝達交付其下一代12層HBM4記憶體的最終樣品。與此同時，輝達搭載HBM4的Vera Rubin 200平台出貨預期愈發明確。市場預測顯示，偉達GB300 AI伺服器機櫃明年出貨量有望達到5.5萬台，同比增長129%。Vera Rubin 200平台預計將於明年第四季度開始出貨，部分廠商訂單能見度已遠至2027年。▌三巨頭競逐HBM4份額時至今日，SK海力士在全球HBM市場仍佔據龍頭地位。市場調研機構Counterpoint Research資料顯示，今年第三季度，SK海力士全球HBM營收市佔率達57%，雖有下滑但仍好於去年同期。與之相比，三星與美光的市佔率則分別為22%和21%。然而，未來上述格局或將被撼動。據韓國《每日經濟新聞》日前消息，輝達相關團隊訪問了三星，通報了 HBM4 系統級封裝（SiP）的測試進展。會議透露，在運行速度與功耗效率兩項核心指標上，三星的產品在所有記憶體廠商中取得了最佳表現。基於其優異表現，輝達也為三星HBM4的供應亮起了綠燈。據悉，輝達要求的明年三星HBM4供應量大大超過了其內部預測值。 預計這將對三星業績的改善起到顯著作用。三星內部人士表示：“與上次的HBM3E不同,我們在HBM4開發上處於領先地位。”據報導，三星考慮到其平澤P4生產線的增設速度和生產能力等,將於明年第一季度正式簽訂供應合同。 預計將從第二季度開始正式供應。除此之外，美光也參與到HBM4的競爭之中。最新財報顯示，其HBM4將在2026年第二財季按計畫量產並實現高良率產能爬坡。HBM4在基礎邏輯晶片和DRAM核心晶片上採用先進的CMOS和先進金屬化工藝技術，這些晶片均由美光自主設計與製造。華泰證券指出，2026年全球三大儲存企業的資本開支或將集中在HBM/DRAM上。根據TrendForce預測，2026年DRAM位增長率或將達到26%。儲存超級周期有望成為2026年半導體行業重要主線，但呈現結構性分化特徵，Batch ALD裝置、測試裝置及封裝加工裝置的市場需求有望明顯增長。 (科創板日報)

據全球最大的儲存器製造商之一稱，DRAM 供應緊張的局面預計將持續到 2028 年。主流PC市場正面臨記憶體供需長期失衡的局面，據報導這種情況將持續到2028年。SK海力士的內部分析顯示，“商品級”DRAM的增長將十分有限，無法滿足市場需求。我們已經知道DRAM價格高得離譜，但這種情況似乎已經失控，使得大眾難以買到價格合理的PC。使用者@BullsLab分享了據稱是SK海力士內部分析的截圖。該分析預測，除高頻寬記憶體（HBM）和SOCAMM模組外，普通DRAM的增長至少在2028年之前仍將受到限制。這是因為主要的記憶體製造商已經將重心轉移到滿足AI伺服器的需求上，而面向消費市場的產能出現顯著增長的可能性仍然很低。據報導，現有供應商的庫存已降至歷史低位，這進一步加劇了分配壓力。報告顯示，SK海力士等記憶體製造商採取了保守的產能擴張策略，更注重維持盈利能力，而非向市場大量投放新的DRAM產品。伺服器DRAM的需求幾乎呈指數級增長，預計明年增長速度將更快。據估計，伺服器份額將從2025年的38%飆升至2030年的53%。由於人工智慧的蓬勃發展，雲服務提供商正大力建設人工智慧訓練資料中心，預計這將引發DRAM的超級周期。一些報告還指出，製造商2026年的關鍵DRAM生產配額已經售罄，而傳統PC DRAM的產量預計在未來幾年內將無法滿足需求。我們已經看到人工智慧PC市場份額的激增，預計到2026年，人工智慧PC系統將佔整個PC市場的55%左右。儘管預計2025年PC整體出貨量將與此持平。關於NAND快閃記憶體，SK海力士的分析也表明，由於伺服器端需求更高（利潤也更高），NAND快閃記憶體的供應增長可能會滯後於消費市場的需求增長。總而言之，這項分析揭示了消費市場一個令人擔憂的趨勢。我們此前預計這種情況會持續到2027年，但現在看來，它似乎在2028年底之前不會停止。蘋果DRAM長約到期，漲價在即一家公司兆美元的市值並不足以使其免受全球零部件短缺的影響，這幾乎意味著蘋果也將不得不支付巨額資金，從三星和SK海力士等公司購買DRAM晶片，用於其眾多產品。最新傳聞稱，蘋果公司與韓國廠商簽訂的長期協議（LTA）即將到期，而上述韓國廠商可能正摩拳擦掌，準備從2026年1月起向其利潤豐厚的客戶收取高額的DRAM晶片溢價。真正的問題是，蘋果是否會將這些成本上漲轉嫁給其忠實的粉絲群體。這次的情況極其嚴峻，據報導，三星不僅 為了最大化利潤而拒絕了旗下移動體驗部門的DRAM供應請求，而且還將重心從HBM轉向DDR5生產，因為這種策略能帶來更高的利潤。@jukan05 懇請他在X論壇上的讀者儘可能多地購買電子產品，否則將不得不付出慘痛的代價。據稱，蘋果公司將向三星和SK海力士支付更高的DRAM溢價，這將導致其眾多產品價格大幅上漲，例如即將推出的低價版MacBook、M5 MacBook Air、iPhone 18 系列、iPhone Fold、重新設計的OLED M6 MacBook Pro等等。幸運的是，這家總部位於加利福尼亞的科技巨頭擁有兩項優勢，這兩項優勢將在DRAM短缺期間發揮至關重要的作用。首先，蘋果公司坐擁數十億美元的現金儲備；其次，其專注於自主研發晶片的策略使其能夠消化這些成本上漲。例如，iPhone 16e中使用的 C1 5G 數據機 預計可為蘋果節省每台裝置 10 美元的成本。雖然這聽起來不多，但考慮到每年數百萬台的出貨量，最終節省的金額將相當可觀。據稱，蘋果將於今年晚些時候推出其研發數月的C2晶片，該晶片將應用於明年的旗艦機型。此外，與其他競爭品牌不同，蘋果堅持使用其定製的A系列SoC晶片，並將其獨家應用於自家產品。由於成本上漲，據傳高通和聯發科等其他晶片組製造商明年將把LPPDR6晶片獨家用於驍龍8 Elite Gen 6和天璣9600  ，因此蘋果的處境略好一些。然而，計畫明年升級到iPhone的使用者可能會感到意外，因為@jukan05提到，蘋果很可能會在2026年上半年提高包括iPhone在內的產品價格。戴爾大幅度漲價戴爾是最大的個人電腦製造商之一，該公司已內部通知員工，由於DRAM記憶體短缺，公司準備大幅提高多種產品的價格。記憶體短缺似乎已經蔓延到PC供應鏈中的“主流”製造商。據Business Insider報導，戴爾公司披露的內部郵件顯示，該公司預計將在其“商用產品線”（包括筆記型電腦和預裝PC）上調價格。此次漲價幅度預計將是該公司有史以來最大的漲幅之一，據稱筆記型電腦和PC的價格未來都可能上漲“數百美元”。而且，價格上漲不僅限於記憶體短缺，更大容量的儲存裝置也將大幅增加成本告稱，戴爾最新款Pro和Pro Max系列筆記型電腦和桌上型電腦，下周起價格將上漲，最高漲幅達230美元，具體漲幅取決於記憶體配置。此外，如果選擇128GB記憶體的機型，每台裝置的價格可能上漲高達765美元，如此大幅度的漲幅令消費者感到意外。不僅如此，如果遊戲玩家想要額外購買儲存空間，價格也將大幅上漲。一位戴爾員工預計，最終漲幅可能高達30%，具體取決於戴爾的合同條款，而戴爾的合同金額並不小。預計多款產品將受到記憶體短缺的影響，據 Business Insider 報導，戴爾的新定價表顯示價格上漲情況如下：戴爾Pro和Pro Max筆記型電腦及桌上型電腦（配備32GB記憶體）價格上漲130至230美元配置128GB記憶體的系統價格將上漲520至765美元。配備1TB 固態硬碟的配置價格將上漲 55 至 135 美元。戴爾 Pro 55 Plus 4K 顯示器價格上漲 150 美元配備NVIDIA RTX PRO 500 Blackwell GPU（6 GB）的 AI 筆記型電腦價格上漲 66 美元配備NVIDIA RTX PRO 500 Blackwell GPU（24 GB）的 AI 筆記型電腦價格上漲 530 美元值得注意的是，戴爾是全球最大的PC製造商之一，這意味著如果該公司實施大範圍提價，聯想、宏碁、華碩等其他競爭對手很可能也會效仿，這將導致消費者在未來一年面臨艱難的局面。更重要的是，記憶體短缺問題短期內不太可能結束，一些預測甚至認為這種情況可能會持續到2027年，這意味著未來幾個季度記憶體供應仍將受到限制。人工智慧雖然承諾讓人類的遊戲體驗更輕鬆，但卻給遊戲玩家帶來了挑戰，而且未來購買一台計算裝置似乎會變得更加困難。半導體進入超級周期KB證券15日預測，從明年開始，儲存器半導體周期將擴展到伺服器和高頻寬儲存器（HBM），導致前所未有的供應短缺。KB證券研究部主管金東元表示：“受人工智慧和儲存器業務的推動，今年第三季度全球半導體銷售額環比增長15%，達到318兆韓元，創歷史新高。預計今年全球半導體銷售額將比上年增長24%，達到1180兆韓元，首次突破1000兆韓元大關。”金補充道，從明年開始，半導體周期將從專注於HBM擴展到包括伺服器記憶體和HBM，這將導致前所未有的供應短缺。這一預測源於對HBM、伺服器DRAM和企業級固態硬碟（eSSD）的需求不斷增長，因為隨著人工智慧推理工作負載的擴展以及雲服務提供商增加對人工智慧應用的資料處理，這些需求都在不斷增長。雖然HBM在人工智慧訓練階段至關重要，但人工智慧服務的商業化將推動伺服器DRAM需求的快速增長，以處理推理階段的大規模資料。Kim指出：“根據產品速度和規格的不同，HBM4的價格預計將比HBM3E溢價28%至58%。半導體市場預計將進入一個超級周期，甚至超越以往的超級周期。”他繼續說道：“三星電子擁有多元化的專用積體電路（ASIC）客戶群，主要面向大型科技公司。預計其明年的HBM出貨量將比上年增長兩倍。這將使其HBM市場份額從今年的16%擴大到明年的35%以上，增長超過一倍。儘管三星電子擁有全球最大的DRAM產能，但其目前的估值水平卻是最低的，這表明其被嚴重低估的局面即將得到解決。” (半導體行業觀察)

11月27日消息，據韓國媒體dealsite報導，繼SK海力士完成了與輝達的HBM4供應價格談判之後，三星電子與輝達的HBM4供應價格談判也進入了最後階段。雖然三星電子此前供應的12層堆疊的HBM3E的單價相對較低，但是對於12層堆疊的HBM4的供應價格，三星電子的目標是與SK海力士持平，即維持在500美元中段左右，相比之前的HBM3E供應價格提升了超過150%。據業內人士透露，輝達在與SK海力士敲定明年的HBM4供貨合同僅一周後，便邀請三星電子參與明年HBM4供應的價格談判。目前談判已進入最後階段，預計年內將做出最終決定。一位熟悉該公司情況的官員表示：“我們目前內部判斷，三星電子的HBM4 的主要性能，包括速度，優於 SK 海力士的產品。”他還表示：“我們之前向輝達提供的12層堆疊的HBM3E價格相對較低，但我們正在與輝達談判，目標是以輝達與 SK海力士簽訂HBM4供應合同的價格相當。”此前的報導顯示，SK海力士和輝達最近達成的明年HBM4供貨價格約為500美元中段。考慮到SK海力士12層堆疊的HBM3E的定價在300美元中段，這意味著價格上漲超過50%。雖然SK海力士在台積電生產的HBM4晶片總成本比上一代產品增加了30%，但該公司獲得了相應的溢價，從而顯著抵消了成本負擔。目前，三星電子的HBM3E晶片價格比SK海力士的同類產品低約30%。一位消息人士解釋說：“三星電子此前已為輝達預留了HBM3E晶片，但由於認證延遲，導致產品無法及時出貨，迫使該公司緊急將產品供應給其他大型科技公司。這部分產品不得不以更低的價格出售，從而拉低了平均單價。” 據報導，三星電子的HBM3E晶片供應價格在200美元左右。顯示，三星電子要求對輝達供應HBM4的價格與SK海力士一致，這也意味著三星希望供應價格也能夠提高到超過500美元，相比之前的HBM3E的200美元供應價格提升了超過150%。需要指出的是，三星電子正在避免導致其在 DRAM 領域失去主導地位的錯誤，正在利用更先進的1c DRAM 的 HBM4的大規模生產，來確保對SK海力士的基於1b DRAM的HBM4的競爭優勢。而這或許也是三星電子要求對輝達供應HBM4的價格與SK海力士相當的底氣。另一方面，目前明年市場對於HBM4的需求已經超過了市場供應，畢竟目前只有SK海力士和三星電子具有HBM4量產供應能力，所以三星電子自然是不願意降低單價。一位半導體行業內部人士表示：“輝達對HBM4的需求如此之高，以至於三星電子希望以高價確保供應。目前，三星電子沒有理由降低單價。” 他補充道：“即使他們降價，價格差異也不會很大。” 這表明三星電子在談判桌上佔據相對優勢。另外，為了滿足市場對於HBM4的需求，提升對於SK海力士的競爭力，三星電子計畫在明年年底前將其HBM4的1C DRAM產能從目前的每月2萬片晶圓提高到每月15萬片晶圓。一位三星電子公司官員解釋說：“我們計畫明年將 1c DRAM 產能每月增加約 8 萬片晶圓”，並且“如果算上現有成熟工藝線改造為 1c DRAM的產能，我們明年每月將能夠分配約 15 萬個1c DRAM晶圓用於 HBM4。”HBM 樣品分為 WD（工作晶片）→ ES（工程樣品）→ CS（客戶樣品）三類。三星電子已於去年 9 月向輝達交付了 ES 樣品，認證結果將於本月公佈。一旦獲得批准，必須立即提交量產樣品。整個流程完成後，最終認證結果將於明年初公佈。業內人士最初預計，即便三星電子明年初通過最終認證並立即開始量產，產品出貨也要等到明年下半年。然而，隨著近期市場對輝達HBM4的需求激增，一些人預測三星電子最早可能在明年第二季度就開始供應晶片。這將打破SK海力士在上半年壟斷輝達HBM4供應的格局，並將兩家公司之間的供應差距從半年一次縮小到季度一次。然而，要實現這一願景，提早實現大規模量產必不可少。目前，三星電子1c DRAM的HBM4標準良率僅為50%。另一位半導體行業內部人士解釋說：“最大的挑戰是良率，而非質量。”他還表示：“雖然有人擔心發熱問題，但目前已得到顯著改善。包括輝達在內的主要客戶也更注重速度而非發熱，因此不存在重大問題。”三星電子的HBM4核心晶片採用1c DRAM，邏輯晶片則採用4nm工藝製造。雖然這種先進工藝相比競爭對手在速度和能效方面具有優勢，但也可能導致發熱。 (芯智訊)

今日，市場全天震盪走強，滬指成功重返4000點，受AI產業的持續推動，儲存晶片、AI電力裝置、CPO等領域表現尤為活躍。繼儲存晶片連續漲價後，昨日SK海力士再次釋放漲價消息，其與輝達就明年HBM4供應完成談判，HBM4單價較當前上漲超50%，高端儲存晶片價值持續上升。同時，受益於AI資料中心基建熱潮，全球主要AI客戶正大幅上調對1.6T光模組的採購預期，而CPO技術能解決其功耗高、散熱難等瓶頸，成為資料中心互聯關鍵技術。此外，微軟CEO近日指出，當前AI行業的核心瓶頸並非“算力過剩”而是“電力短缺”，電網裝置集體爆發，也使AI電力產業鏈的價值凸顯。今天我們為大家精選4家處於低位的潛力公司，它們在儲存晶片、CPO、AI算力用電等領域佈局，未來或持續受益於AI產業發展，成長空間可觀：第一家： 儲存晶片+HBM+CPO+PCB+資料中心+軍工公司概述：全球PCB製造百強企業、也是國內少數具備軍工四級資質的民企，公司PCB產品已用於資料中心、機器人、無人機等領域，14-16層HDI板量產能力匹配AI手機需求；能批次生產儲存晶片封裝基板、CPO光模組等，同時投資儲能項目。核心亮點：公司HBM封裝基板通過三星驗證，2025中國IC載板排名前十，股價目前不到20元，且今年以來呈上升趨勢。第二家：儲存晶片+CPO+先進封裝+華為海思+機器人+大基金持股公司概述：全球積體電路封裝測試行業前十企業，在國內外擁有9座生產基地，掌握包括CPO在內的多種先進封裝技術，其儲存晶片封裝產品已量產，與華為海思等知名企業形成穩定合作關係，深度繫結半導體國產替代與行業復甦。核心亮點：與智元機器人戰略合作，打開具身智能市場，2025三季報歸母淨利潤大增超50%，股價目前在10元左右，上升通道打開。第三家：資料中心+核電+儲能+特高壓+深海科技+新材料公司概述：公司是國內特高壓標準主導者，特高壓變壓器、電抗器市佔率領先，擁有核電、海上風電、充電樁、儲能等產品，中標沙烏地阿拉伯164億元訂單；且已為國內多個重點資料中心提供產品，近年來資料中心訂單增長迅速。核心亮點：近三年累計現金分紅超70億元，年均歸母淨利潤超100億元，股價與市盈率TTM目前都小於30，存在低估性，未來潛力巨大。第四家：資料中心+可控核聚變+核電+特高壓+晶片+量子科技公司概述：中國電氣裝備集團旗下，國內最具規模、成套能力最強的輸變電裝置生產基地，業務覆蓋80多個國家和地區；參與核電站及ITER項目，研發全球首套±800千伏高壓直流量子電流感測器，並中標馬來西亞資料中心業務。核心亮點：其研發的800VDC架構SST已在 “東數西算” 資料中心投運，公司連續5年歸母淨利潤實現增長，股價目前不到10元，增長勢頭強勁。 (智牛韜略)

SK 海力士 HBM4 炸場！560 美元單價較上代飆漲 50%，搶先與輝達鎖明年訂單。手握 62% HBM 市佔率，Q3 利潤暴增 62% 破紀錄，9 月量產 HBM4 四季度出貨，2048 位介面 + 16 層堆疊技壓三星美光，明年業績穩沖歷史峰值！（Q3業績炸裂！SK海力士：全系DRAM/NAND 明年100%售罄！！）一、價格狂飆 50%！SK 海力士鎖死輝達，HBM4 王座穩了！560 美元！SK 海力士給 HBM4 的定價直接炸穿行業預期！較 HBM3E 的 370 美元暴漲超 50%，比此前業內猜測的 500 美元還要高出 10%，這波操作直接將 AI 儲存的 “身價” 抬到新巔峰。更狠的是，它已與輝達敲定明年供應協議，手握全球 AI 巨頭的訂單，等於攥住了行業的 “錢袋子”。要知道，SK 海力士本就手握 HBM 市場的半壁江山 —— 二季度 62% 的出貨量佔比碾壓美光（21%）和三星（17%），如今搶先量產 HBM4，直接把競爭壁壘堆到天際。三季度財報早已暴露其強勢底氣：營收 24.45 兆韓元同比暴漲 39%，營業利潤 11.38 兆韓元狂增 62%，史上首次突破 10 兆韓元大關，這還是 HBM3E 撐起來的戰績，HBM4 的爆發力不敢想像！二、技術 + 產能壟斷，AI 儲存話語權穩了！HBM4 的技術飛躍堪稱 “降維打擊”！介面位寬從 1024 位翻倍至 2048 位，頻寬衝破 2TB/s，16 層堆疊直接將容量拉到 64GB，更用 Advanced MR-MUF 工藝把晶片間隙壓到 7 微米內，解決了高堆疊的散熱死結。更狠的是它把速度幹到 10Gb/s，遠超 JEDEC 的 8Gb/s 標準，完美適配輝達 Rubin 平台對 15TB/s 總頻寬的變態需求。當三星還在追趕量產進度、美光樣品剛送檢時，SK 海力士已經在四季度啟動出貨，2026 年全面放量的計畫更是鎖死先機。這種 “技術先跑 + 產能卡位 + 客戶繫結” 的組合拳，讓其 HBM 市佔率有望穩在 60% 以上。隨著 AI 資料中心瘋狂擴張，HBM4 已成剛需，SK 海力士這波不僅賺得盆滿缽滿，更用一枚記憶體晶片，攥住了全球 AI 算力的命脈。 (芯榜)

出貨將推遲至2027年第一快閃記憶體消息：美光 HBM4 栽大跟頭了！因良率拉胯、傳輸速度不達標，直接被輝達驗證流程 “一票否決”，被迫啟動全面重造。而 SK 海力士已搶先量產 HBM4，三星也在加速送樣認證，美光供貨推遲至 2027 年，在 AI 記憶體生死戰中徹底落後，千億市場蛋糕恐被韓系雙雄瓜分！GF證券表示：“預計輝達的HBM4晶片出貨將推遲到2027年”，並補充道：“即使HBM4晶片的交付計畫推遲，也不會對美光的盈利造成重大影響。”一、認證崩盤！美光 HBM4 被輝達 "一票否決"AI 算力軍備賽的關鍵一役，美光直接摔出賽道！廣發證券香港分行報告驚雷炸響：美光 HBM4 因性能不達標、良率慘不忍睹，慘遭輝達驗證流程 "死刑判決"。核心癥結直指資料傳輸速度 —— 連客戶最基本的性能紅線都未能跨越，逼得這家美國儲存巨頭啟動全面架構重造。更致命的是時間窗口的丟失：原本瞄準 2026 年的量產計畫被迫延後，最悲觀預測指向 2027 年才能供貨。要知道，HBM4 作為 AI 伺服器的 "算力心臟"，直接決定 GPU 的運算效率，而輝達、AMD 的下一代 GPU 已箭在弦上，2026 年量產計畫容不得半分等待。業內狠批："這不是延遲，是主動退出下一代 AI 供應鏈的爭奪戰"。二、韓系雙雄狂奔！三星 SK 海力士搶食千億美元蛋糕就在美光陷入重造泥潭時，韓國雙雄已踩下量產油門，上演教科書等級的競速突襲。SK 海力士 9 月率先宣告完成全球首條 HBM4 量產線搭建，第四季度已啟動出貨，其產品不僅實現 10Gbps 速率超越 JEDEC 標準，更憑 2048 個 I/O 終端將頻寬翻倍，還硬生生把能效提升 40%。更關鍵的是，它已穩穩通過輝達驗證，攥緊 Rubin GPU 供應鏈入場券。三星則祭出 "良率殺器"：1c DRAM 工藝良率突破 50%，HBM4 邏輯晶片良率飆至 90%，10 月底更在科技展上公開展出實品，敲定 2025 年底量產時間表。Counterpoint 資料顯示，SK 海力士已以 62% 份額壟斷市場，三星正蓄力衝擊 30% 份額，韓系雙雄合計掌控近 80% 市場，把美光 21% 的份額襯得岌岌可危。三、千億市場洗牌！遲到者恐遭 "驅逐"這場延遲絕非小事，而是關乎千億美元市場的生死判決。摩根大通預警：2026 年 HBM 市場規模將暴漲 70%，佔 DRAM 總市場 45%，2030 年更將衝至千億美金量級，而輝達一家就壟斷 60% 需求。偏偏 HBM4 比 HBM3E 有 30%-40% 價格溢價，誰能卡位量產誰就躺賺暴利。更殘酷的是行業鐵律：AI 供應鏈一旦定型，1-2 年內絕無替換可能。黃仁勳訪韓時那句 "三星 SK 海力士對 AI 至關重要"，早已把美光排除在核心圈外。分析師戳破真相："2026 年 HBM4 供應佔比將達 30%，2027 年更是飆升至 70%，美光若錯失這次，未來連喝湯的資格都沒有"。更要命的是，三星已打響價格戰，進一步壓縮遲到者的生存空間。三星降價搶佔HBM市場。點選看：無貨可賣！炸裂：三大原廠暫停DDR5報價！四、絕地反擊還是徹底出局？美光押注 "技術重生"絕境中的美光仍在頑抗，財報電話會議上拋出 "2026 年 Q2 量產" 的救命稻草，宣稱已送出 11Gbps 速率的樣品，還計畫在 HBM4E 時代轉由台積電代工，押注定製化方案拉高毛利。眼下其 AI DRAM 和 NAND 業務同比暴漲三倍，暫時能撐住營收體面。但現實骨感：HBM4 已轉向 16 層堆疊，無助焊劑鍵合等新技術門檻陡升，美光既要補性能短板，又要追良率差距，難度堪比登天。市場已給出預判：2026 年 HBM4 市場仍由 SK 海力士主導，三星緊追其後。這場 AI 記憶體的生死競速中，美光已被判罰 "遲到離場"，能否改寫結局，全看其重造進度能否跑出奇蹟。 (第一快閃記憶體)

三星首次向公眾展示了其 HBM4 記憶體模組，這表明這家韓國巨頭確實為即將到來的 HBM 競爭做好了準備。雖然目前市場以第五代 HBM3E 晶片為主，但業內觀察人士預計 HBM4 將成為明年的主要因素，因為 Nvidia 計畫在其下一代 AI 加速器 Rubin 中使用它。SK海力士目前是HBM3E的主要供應商，與Nvidia和台積電組成了三方供應鏈，目前已完成HBM4的開發，並正在準備量產。據報導，該公司正在與Nvidia洽談大規模供應事宜。對於長期佔據記憶體市場主導地位但最近在 HBM 領域失利的三星電子而言，新的 HBM4 系列被視為重新獲得競爭優勢的潛在遊戲規則改變者。在今年3月份的股東大會上，三星電子半導體部門負責人全永鉉誓言要按計畫推進HBM4產品的研發和量產，以避免重蹈公司此前在HBM3E市場遭遇的覆轍。根據研究公司 Counterpoint Research 的最新報告，SK 海力士在第二季度的 HBM 出貨量方面領先，佔有 62% 的份額，其次是美光科技公司 (21%) 和三星電子 (17%)。HBM4 是當今市場上最“尊貴”的計算必需品之一，主要是因為該記憶體模組將負責提升 AI 性能。三星、SK 海力士和美光等韓國 HBM 製造商正全力以赴，向全球展示具有競爭力的 HBM4 解決方案，以確保其應用。在主流 HBM 製造商中，三星是在該領域經歷多年低迷後強勢回歸的企業之一。在 2025 年半導體展覽會 (SEDEX) 上，三星向公眾展示了其 HBM4 工藝。據報導，三星正在避免重蹈覆轍，避免在 DRAM 領域失去主導地位。為了確保不落後，這家韓國巨頭正與競爭對手一起推進 HBM4 的量產。據《電子時報》報導，三星 HBM4 邏輯晶片的良率已達到驚人的 90%，這表明該公司的量產進度已步入正軌，更重要的是，目前預計不會出現延期。據報導，這家韓國巨頭還在實施多項策略，以確保HBM4的早期普及，包括保持有競爭力的價格、提供更高的產能，更重要的是，為NVIDIA等客戶提供更快的引腳速度（額定速度約為11 Gbps），高於SK海力士和美光的預期速度。目前，三星尚未獲得NVIDIA的HBM4供應批准，但考慮到該技術取得的進展，這家韓國巨頭無疑對此持樂觀態度。除了三星之外，SK海力士也在此次展會上展示了其與台積電合作開發的HBM4模組。考慮到三星的快速發展，以及市場需求達到前所未有的水平，可以肯定的是，DRAM市場的未來競爭將會更加激烈。三巨頭，競逐HBM 4SK 海力士、美光科技和三星電子正在展開激烈競爭，以爭奪 HBM4 市場的主導地位，該市場價值估計為 1000 億美元（141 兆韓元）。繼SK海力士上個月完成下一代HBM4開發並建立量產系統後，三星電子也已開始為HBM4的量產做準備。與此同時，美國美光公司近日宣佈，其下一代HBM4記憶體樣品已開始出貨，其性能和效率均創下了歷史新高。美光首席執行官 Sanjay Mehrotra 表示：“該模組實現了超過 2.8TB/s 的頻寬和超過 11Gbps 的針腳速度。”這些資料大大超過了 JEDEC HBM4 官方規範的 2TB/s 和 8Gbps。美光科技已開始出貨 12-Hi HBM4 樣品，以支援主要客戶平台的升級，並聲稱該產品提供業界領先的性能和一流的能效。該公司補充說，其 12-Hi HBM4 產品的主要差異化優勢包括美光科技的 1-gamma DRAM 以及基於 CMOS 的專有晶片和封裝創新。關於通過邏輯晶片定製選項擴展基礎設計的HBM4E，美光宣佈它不僅會提供標準產品，還會提供基礎邏輯晶片的定製選項。首席執行官 Sanjay Mehrotra 表示：“定製需要與客戶密切合作，我們預計採用定製基礎邏輯晶片的 HBM4E 將比標準 HBM4E 提供更高的毛利率。” 他補充道：“這項與台積電合作開發的技術，使 NVIDIA 和 AMD 等關鍵客戶能夠定製設計具有最佳化記憶體堆疊的加速器，以實現低延遲和更好的封包路由。”美光公司計畫今年在價值 1000 億美元的 HBM 市場中佔據比去年大幅提高的市場份額，並預計今年高頻寬記憶體領域的收入將超過 80 億美元。HBM領域龍頭企業SK海力士宣佈，已於3月份領先美光、三星等向NVIDIA等大客戶出貨12-Hi HBM4樣品，並於9月份開始準備量產。SK海力士出樣的12-Hi HBM4產品採用台積電12nm工藝製造邏輯晶片，相當於“大腦”，據稱資料處理速度超過每秒2TB（兆兆字節）。不過，目前尚不清楚這款產品是否超越了美光12-Hi HBM4產品，後者的頻寬超過2.8TB/s。SK Hynix 還計畫為其 HBM4E 系列提供“定製 HBM4E”產品，以滿足 NVIDIA、Broadcom 和 AMD 等客戶的需求。據報導，三星電子已於9月向NVIDIA等客戶交付了HBM4樣品，其運行速度提升至每秒11Gbps，與美光的規格一致。三星也正在為HBM4的量產做準備，目標是在今年內開始。 (半導體行業觀察)

當前，輝達正積極推動其記憶體合作廠商突破 JEDEC 組織為 HBM4 設定的官方性能標準。根據 TrendForce 的行業報告，該企業已明確要求 2026 年推出的 Vera Rubin 平台，需將記憶體堆疊的每針傳輸速度提升至 10Gb/s 水平。這一舉措的核心目標，是進一步拉高單 GPU 的頻寬表現，從而在性能上壓制 AMD 計畫推出的下一代 MI450 Helios 系統。按照 JEDEC 為 HBM4 規定的 8Gb/s 每Pin速率計算，若搭配全新的 2048 位介面，單個記憶體堆疊的傳輸速率會略低於 2TB/s。而當速率提升至 10Gb/s 後，單個堆疊的傳輸能力將直接達到 2.56TB/s。若採用六堆疊設計，單塊 GPU 的原始頻寬可實現 15TB/s 的突破。值得注意的是，輝達專為高負載推理任務打造的 Rubin CPX 計算最佳化配置，其整個 NVL144 機架據稱能實現每秒 1.7PB 的傳輸效率。顯然，記憶體針腳速度越高，輝達在其他硬體或軟體層面所需的性能冗餘就越少，更易達成目標傳輸數值。不過，要實現 10Gb/s 的 HBM4 運行速度並非毫無挑戰。更快的輸入輸出（I/O）速率不僅會導致功耗上升，還會對時序控制提出更嚴苛的要求，同時增加基礎晶片的運行壓力。對此，TrendForce 分析指出，若後續成本攀升或散熱問題超出預期，輝達可能會對 Rubin 系列產品的 SKU 進行層級劃分 —— 具體而言，Rubin CPX 版本或將搭載 10Gb/s 速率的記憶體部件，而標準版 Rubin 配置則會選用速率較低的堆疊。為應對潛在風險，輝達已在籌備備選方案，例如通過錯開供應商資質認證流程、延長產品驗證周期等方式，提升記憶體部件的良率水平。從供應商佈局來看，SK 海力士仍是輝達 HBM 產品的核心合作夥伴。該公司透露，目前已完成 HBM4 的研發工作，且具備量產條件，同時提及產品性能 “可超過 10Gb/s”，但尚未公開晶片具體規格、功率指標及製造工藝細節。與之相比，三星在晶片節點迭代上更為激進。其 HBM4 基礎晶片正轉向 4nm FinFET 工藝 —— 這一邏輯級工藝的優勢在於，能夠支援更高的時脈頻率，同時降低開關功耗。即便 SK 海力士當前的 HBM 出貨量更大，三星憑藉這一工藝升級，仍有望在高端 HBM 市場佔據競爭優勢。另外，美光也已確認推出 HBM4 樣品，該樣品採用 2048 位介面，頻寬表現超過 2TB/s，但暫未說明是否支援 10Gb/s 的傳輸速率。再看行業競爭格局，AMD 的 MI450 雖仍處於規劃階段，但其記憶體配置參數已初步曝光。據悉，該產品所屬的 Helios 機架，單 GPU 預計最高可支援 432GB HBM4 視訊記憶體容量。這一配置使得 AMD 在記憶體原始容量上，有望縮小與輝達的差距，甚至實現反超。此外，借助 CDNA 4 架構升級，AMD 也在進一步最佳化性能，力求抵消輝達 Rubin 平台在推理任務中的優勢。不難看出，輝達對提升記憶體速率有著明確的戰略訴求。但需要注意的是，該企業對 10Gb/s HBM4 的依賴程度越高，所面臨的不確定性風險也隨之增加: 無論是供應商間的技術差異、記憶體部件的良率波動，還是機架等級的功率限制，都可能對其計畫造成影響，而可供調整的容錯空間則會不斷縮小。 (IT前哨站)