三星電子在第一季度（1月至3月）繼續保持DRAM市場份額領先地位，進一步拉大了與SK海力士的差距。 SK海力士繼續穩居高頻寬記憶體（HBM）市場榜首。 Counterpoint Research資料顯示，三星電子在第一季度DRAM營收市場份額排名第一，佔比38%，SK海力士以29%位居第二，美光科技以22%的市場份額排名第三。 基於營收的DRAM市場份額排名，去年第一季度和第二季度（4月至6月）SK海力士排名第一，三星電子排名第二。

一篇韓國媒體報導，引發全球儲存股連鎖暴跌，美光收跌13%。據報導，輝達Rubin晶片生產預測下調，SK海力士放緩HBM4擴產、轉向利潤率反超HBM逾15個百分點的通用DRAM市場，令AI基礎設施需求前景驟生疑雲。 韓國一篇行業報導在全球市場引發連鎖反應，將高頻寬儲存晶片供應前景的隱憂推至台前。 據韓國媒體23日報導，SK海力士正在放緩第六代高頻寬儲存晶片（HBM4）的量產擴張節奏，並將資源重新傾斜至通用型DRAM市場。 這一消息成為觸發儲存股大幅回呼的導火線。彭博社與CNBC均援引消息稱，"交易員將矛頭指向一篇韓國媒體報導——SK海力士正在放緩AI儲存晶片擴產，並將重心轉回通用型DRAM"。

6月7日，輝達首席執行官黃仁勳對外宣佈，即將與三星電子副董事長兼聯席CEO全永鉉展開會面。 就在此次會晤前夕，輝達已敲定下一代Vera Rubin人工智慧算力平台的核心零部件HBM4供應商，三星電子、SK 海力士、美光科技三大行業頭部企業悉數入選，一場圍繞高端儲存晶片的訂單爭奪戰已然打響，也讓兩大巨頭的此次會面備受市場矚目。 作為AI算力硬體的關鍵組成部分，高頻寬記憶體HBM直接決定高端GPU與AI 伺服器的性能，輝達新一代Vera Rubin算力平台更是對HBM4有著剛性需求。黃仁勳在動身前往韓國開展訪問行程期間向媒體證實，三星、SK海力士、美光三家企業均已順利通過輝達的資質稽核，目前全部進入HBM4量產階段，各家正全力排產，保障Vera Rubin平台的供貨需求。 目前全球AI產業蓬勃發展，市場對HBM的需求持續飆升，行業長期處於供需偏緊的狀態。對於輝達而言，手握穩定、優質的HBM供貨管道，是其GPU 業務和AI算力版圖持續擴張的基礎；而對於三星、SK海力士、美光這三家壟斷全球主流計算級儲存半導體市場的企業來說，拿下輝達的大額訂單，意味著可觀的利潤增量與行業地位的進一步鞏固，三方也因此展開激烈角逐。

要理解企業級SSD、DDR5（DRAM的一種）和HBM4的區別與作用，我們必須建立一個極其重要的電腦底層物理概念：金字塔型儲存層級。 為什麼會有金字塔？因為物理學和經濟學決定了：人類至今無法發明出一種“速度極快、容量極大、斷電不丟資料且極其便宜”的完美儲存介質。只能用不同的材料相互妥協、相互配合。 我們用“廚房做菜”的比喻，為你進行一場降維打擊式的科普： 一、 角色與物理定位：“大廚房”裡的三個關鍵區域

據韓國《商業周刊》報導，三星正計畫將2 奈米工藝應用於其第七代高頻寬記憶體HBM4E的基底裸片。該公司剛量產推出了業界首款商用 HBM4，同時還在單獨推進 HBM4E供電網路的重新設計，以應對在相同封裝面積內，電源凸點從 13682 個增加到 14457 個所帶來的壓力。在 HBM3 及之前的世代中，基底裸片的角色相對被動，僅位於 HBM 堆疊底部，負責供電與訊號控制。而從 HBM4 開始，基底裸片開始直接承擔部分計算任務，角色更趨主動，這也讓底層工藝節點的重要性大幅提升。在 HBM4 上，三星本就已佔據優勢：其採用自家晶圓廠的4 奈米邏輯基底裸片，搭配最新的 1c 級 DRAM 工藝，遠領先於海力士向台積電採購的 12 奈米（N12）工藝。若 HBM4E 改用 2 奈米工藝，三星將進一步拉大領先優勢，在功耗效率、熱管理與面積利用率上實現最佳化。行業其他核心廠商也將定製版 HBM4E 視為下一個競爭焦點：台積電表示計畫採用 3 奈米工藝打造定製版 HBM4E，海力士也在研發自家版本。憑藉此次向 2 奈米節點的推進，三星顯然在刻意保持工藝技術上的領先身位。標準版 HBM4E 預計將於年中推出，定製版產品則計畫在下半年流片。報導還提及晶圓代工層面的考量：內部自產 HBM 基底裸片有助於三星晶圓代工維持高產能利用率，而 2 奈米節點也將在其美國德克薩斯州泰勒晶圓廠的擴產中扮演關鍵角色。目前該廠已開始裝置安裝，目標在年底前完成首批晶圓流片。 (銳芯聞)

2月19日，據外媒報導，三星正就其最新一代人工智慧儲存晶片的定價進行談判，計畫將其HBM4元件的售價定在約700美元，較HBM3E高出20%至30%。受消息影響，韓國儲存晶片巨頭三星電子當日股價再度創下歷史新高，盤中一度漲超5%。彭博分析師Masahiro Wakasugi表示，700美元的定價意味著三星HBM4的營業利潤率高達50%至60%。儲存廠商奪回定價話語權盛寶市場首席投資策略師Charu Chanana表示，三星HBM4的量產與定價凸顯了該行業的“定價權”。“這表明AI儲存晶片市場供應依然緊張，同時三星認為自己在高端晶片市場重新奪回了一定的定價話語權。”她表示。報導還稱，SK海力士預計也將把HBM4的價格定在更高水平。據瞭解，去年8月，該公司向輝達供應的HBM4單價約為500美元。“如果三星向輝達供應更多HBM晶片，2026年三星與SK海力士的平均售價差距將會縮小，因為面向輝達的晶片定價會高於其他客戶。”Masahiro Wakasugi分析稱。有行業人士透露，輝達去年12月初步分配了今年的HBM供應份額，SK海力士獲得55%以上，三星電子佔20%多至接近30%，美光科技約20%。面對AI帶來的HBM需求井噴，廠商們開啟了激進的資本開支計畫。SK海力士的資本開支從2024年四季度的7兆韓元，預計將激增至2025年三季度的12兆韓元。據報導，2月14日，輝達CEO黃仁勳現身輝達總部附近的一家韓式炸雞餐廳，花費約兩小時為30多名SK海力士和輝達工程師逐桌調製燒啤、敬酒致意，並特別提及SK海力士承諾供應的第六代HBM4產品。提前推進生產計畫面對人工智慧驅動的記憶體晶片需求激增，韓國兩大儲存巨頭三星電子與SK海力士正加速推進新建晶圓廠的投產處理程序，戰略重心由此前的謹慎控貨轉向積極擴產。據韓媒報導，SK海力士計畫將其龍仁一期晶圓廠的試執行階段間提前至明年2月至3月，在竣工日期前著手啟動。三星電子亦將平澤P4工廠的投產時間從明年一季度提前至今年四季度，生產規劃前移約3個月。兩家公司均將在新產線重點部署高附加值產品，如高性能DRAM與HBM。市場人士分析稱，兩家公司加速擴產的核心驅動力是AI資料中心擴張導致的伺服器高性能DRAM需求激增。由於生產線集中生產高附加值的HBM晶片，通用DRAM的產量相對減少，加劇了供應緊張。Omdia資料顯示，三星電子的DRAM年產能（以晶圓計）將從2024年的747萬片增至今年的817.5萬片。SK海力士同期產能將從511.5萬片擴大至639萬片。隨著新工廠提前投產，明年產量有望進一步增長。摩根大通等主要市場研究機構預測，記憶體供應短缺將持續至2027年。三星電子和SK海力士在最近的業績發佈會上均表示，將增加今年的資本支出以應對記憶體短缺。“隨著AI相關需求預計持續，我們計畫在2026年大幅擴大裝置投資規模。但今年和明年裝置擴張將受到限制，供應短缺現象可能加劇。”三星電子記憶體事業部副總裁Kim Jae-june表示。 (上海證券報)

美光徹底出局HBM4市場，訂單被韓系雙雄清零剛刷到SemiAnalysis 2月10日的最新報告，越看越唏噓。作為行業權威分析機構，它的這份披露，直接改寫了下一代高頻寬記憶體（HBM4）的市場格局。美國儲存大廠美光，因技術路線失誤，徹底錯失輝達下一代Rubin晶片的HBM4供應訂單。HBM4市場將被韓系廠商SK海力士與三星徹底主導，美光在輝達Rubin平台的供應份額被“清零”。這意味著，美光將完全無緣這一高端記憶體核心市場，顆粒無收。要知道，HBM4是輝達Rubin晶片的核心配套記憶體，直接決定其AI算力表現。韓系雙雄的瓜分格局，已經基本鎖定。市場預計，SK海力士將拿下約70%的HBM4訂單，成為絕對的最大贏家。剩餘30%的份額則被三星收入囊中，兩家攜手，實現對HBM4高端市場的全面壟斷。這一格局，也鞏固了韓系廠商在全球高端記憶體領域的主導地位，短期內難以撼動。美光的翻車，絕非偶然，核心癥結就是技術路線選偏了。為了降低生產成本、掌控供應鏈主動權，它選擇了“單打獨鬥”的策略。全程由內部自主設計、製造HBM4基礎裸片（Base Die），不與任何外部廠商合作。這種選擇，恰恰與SK海力士、三星的合作模式形成了鮮明反差。SK海力士聰明得多，選擇與台積電強強聯手，借力對方的先進製程能力。三星則依託自身成熟的邏輯代工能力，實現HBM4裸片的自主可控。反觀美光，獨立研發生產的模式，不僅引發了嚴重的散熱問題，性能也不達標。其HBM4產品的引腳速度，未能達到輝達的客戶標準，這是最致命的硬傷。更關鍵的是，美光的固執，讓它徹底落後於競爭對手。面對性能差距，它不願轉向更先進的外部製程節點，一味堅守自身路線。美光曾在財報會上宣稱，其HBM4引腳速度將超過11Gbps，但實際未能達到輝達要求。最終，在關鍵性能指標上，被SK海力士、三星遠遠拉開差距，失去競爭資格。如果說技術失誤是導火索，那時間差，就是壓垮美光的致命一擊。當地時間2026年1月5日，輝達CEO黃仁勳已宣佈，Vera Rubin晶片正式進入“全速生產”階段。Rubin平台作為輝達下一代旗艦AI晶片，其供應鏈合作名單早已基本鎖定。美光的技術調整，來得太晚，已經錯失了進入該供應鏈的最佳窗口期。美光並非完全放棄，還在做最後的掙扎。它計畫重新設計基礎裸片、最佳化供電網路，全力彌補技術短板。預計在2026年第二季度，再次提交輝達進行資格測試，試圖挽回訂單。但從當前市場格局和時間節點來看，它挽回訂單的希望，已然十分渺茫。三星能順利拿下30%左右的訂單，也算一次漂亮的逆襲。回顧HBM3時代，三星曾因技術問題遭遇供應延誤，一度落後於SK海力士。三星半導體業務負責人此前也承認，在HBM業務上錯過早期市場機會。而此次，它率先達到了輝達要求的HBM4引腳速度，成功擺脫此前的陰影。三星的突破，也讓韓系雙雄的壟斷地位更加穩固。兩家廠商憑藉各自的優勢，分工協作，徹底堵死了其他廠商的突圍之路。這也意味著，未來一段時間，全球高端AI晶片的HBM4供應，將完全掌握在韓系廠商手中。 (1 ic芯網)

HBM4大戰在即，硝煙瀰漫。儲存晶片正在變天。芯東西1月29日報導，今日新公佈的財報顯示，SK海力士2025年營業利潤首度超越三星，創下47.2兆韓元（約合人民幣228億元）的歷史新高。三星2025年營業利潤為43.6兆韓元（約合人民幣211億元），其中儲存業務創造了24.9兆韓元（約合人民幣121億元）的營業利潤。今日，全球兩大儲存晶片巨頭三星與SK海力士相隔1小時舉行財報電話會議，尤其在談到今年AI記憶體市場角逐的焦點HBM4時，火藥味相當濃嗆。這邊全球HBM晶片“一哥”SK海力士自陳優勢，說HBM需要技術、量產能力、質量保證和供應執行能力，而自己除了技術領先外，積累的量產經驗和客戶信任度都是短時間內難以趕上的。SK海力士稱2025年HBM收入同比增長1倍以上，HBM4正按照與客戶約定的時間表推進，封裝技術競爭力也將成為其HBM4的優勢。那邊三星隔空反擊，宣佈正按計畫推進HBM4量產，計畫在今年2月開始交付，還強調“儘管客戶對性能的要求從最初的開發階段到現在有所提高，但我們並未進行任何重新設計”。而三星提到的“重新設計”，似乎就是在針對SK海力士。此前，SK海力士曾收到其最大客戶輝達關於HBM4樣品產品的反饋，並在產品開發和量產過程中對部分工藝進行了調整。三星稱，自家產品已順利通過更為嚴格的HBM4規格要求，所有已具備量產條件的HBM產能均已被客戶預訂，預計2026年HBM銷量將同比增長3倍以上。以AI為中心的記憶體市場結構性轉變正在加速。過去半年，三星股價已上漲128%，SK海力士股價更是上漲了228%。兩家巨頭均預計今年HBM市場需求將保持強勁，AI記憶體熱潮將持續全年，各類儲存產品仍將出現嚴重短缺。SK海力士正努力提高產能以滿足快速增長的DRAM需求，計畫大幅增加資本支出。三星也表示2026年將加大對記憶體產能的投資，但預計2026年和2027年供應擴張有限。AI的快速發展還提振了晶片代工業務。三星晶片代工業務的目標是在2026年實現兩位數的營收增長，預計2nm晶片訂單量將增長約130%，該公司正在積極與美國和中國的客戶進行洽談。其第二代2nm工藝研發進展順利，預計將於今年下半年量產；1.4nm工藝正在研發中，計畫在2029年量產。01.傳SK海力士拿下輝達HBM4約70%訂單，輝達AMD完成對三星HBM4的驗證當前SK海力士在HBM市場處於統治地位。韓媒報導稱，SK海力士已從輝達獲得超過2/3的HBM供應訂單，將用於今年的Vera Rubin旗艦AI計算平台。據消息人士透露，輝達將其用於先進AI架構的HBM4需求的約70%分配給了SK海力士，高於市場此前估計的50%左右，預計2026年將實現這一目標。消息人士還說，輝達和AMD最近也完成了對三星HBM4產品的質量測試，預計將於2月正式供貨。此前有消息稱，三星正增加對博通等美國主要客戶的HBM供應。三星在HBM記憶體研發方面落後於SK海力士，但如今它重振旗鼓，正力圖憑藉HBM4重奪市場領導地位。三星、SK海力士都聲稱自家HBM4實現了業界最快的穩定速度——11.7Gbps。不同的是，三星HBM4採用自研1c DRAM，並將HBM4整合到4nm製程晶片上，從而提升了性能和量產穩定性。SK海力士HBM4為確保穩定性，採用了與HBM3E相同的第五代1b DRAM晶片，其HBM4基礎晶片採用台積電12nm工藝。三星在電話會議中透露，應一位重要客戶的要求，其11.7Gbps HBM4產品的出貨將於2月開始，客戶正在進行認證測試。該公司計畫於2026年中期開始提供標準HBM4E產品的樣品，下半年推出基於HBM4E核心晶片的定製產品。據其管理層分享，目前市場對16層HBM產品的需求有限，公司暫無計畫大規模商業化上一代16層HBM3E或HBM4產品。三星已掌握可用於量產的16層封裝技術，並已交付基於HBM4的銅混合鍵合樣品，近期重點工作包括擴大HBM3E產能，並積極投資以確保HBM4和HBM4E的1c nm產能。這意味著2026年HBM4市場競賽將劍拔弩張。市場研究機構Counterpoint Research預計，2026年，SK海力士將佔據全球HBM4市場54%的份額，其次是三星電子（28%）和美光科技（18%）。02.SK海力士HBM收入翻倍，三星半導體部門營業利潤狂飆465%在記憶體晶片短缺和AI伺服器強勁需求提振下，SK海力士、三星電子均公佈了創紀錄的季度收益。第四季度，SK海力士營收增長66.1%至32.8兆韓元，營業利潤飆升137.2%至19.2兆韓元，營業利潤率高達58%，盈利能力令人矚目。DRAM業務方面，SK海力士在2025年3月實現全球首批HBM4樣品出貨，為行業第一；傳統DRAM已開始量產1c nm DDR5，並開發了基於1b nm 32Gb的業界最高密度256GB DDR5 RDIMM。受下半年eSSD需求復甦推動，其NAND年度營收也創下新高。三星同樣在第四季度業績創歷史紀錄：營收達93.8兆韓元，同比增長23%，環比增長9%；營業利潤達到20.1兆韓元，同比增長208%。由於新款智慧型手機的上市效應減弱以及激烈的市場競爭，三星裝置體驗（DX）部門的收入環比下降了8%。而AI蓬勃發展推動的記憶體價格飆升和供應緊張，抵消了智慧型手機、電視和家電業務的季節性疲軟。三星DS事業部（包括其儲存器、晶圓代工和系統LSI業務）第四季度表現亮眼，營收環比增長33%，達到44兆韓元；營業利潤同比增長超過465%，達到16.4兆韓元，佔集團總營業利潤的81%以上。其中，記憶體業務是業績增長的主要驅動力。三星在新聞稿中寫道，第四季度，記憶體業務通過滿足強勁的傳統DRAM需求，並在整體價格上漲的情況下擴大HBM銷售，實現了季度收入和營業利潤的歷史新高。第四季度，其DRAM平均售價環比上漲約40%，NAND快閃記憶體平均售價也上漲了20%左右。SK海力士稱其HBM4量產正按照客戶約定的時間表進行，並準備交付最佳化的定製HBM，擴大高密度SV DRAM等高價值產品的生產，加速1c nm遷移以擴展AI記憶體產品組合，並在NAND方面通過下一代245TB產品引領超高密度AI儲存市場。三星亦計畫加大力度推動AI相關的NAND快閃記憶體需求，預計用於AI推理的基於TLC快閃記憶體的PCIe Gen 6固態硬碟的需求將大幅增長。其戰略將專注於TLC產品，以獲取更高的利潤率，並提高伺服器固態硬碟在NAND快閃記憶體總收入中的份額。03.伺服器DRAM報價上調60%~70%，NAND快閃記憶體、LPDDR價格翻倍三星在電話會議中透露，雖然記憶體價格飆升對其晶片業務有利，但成本上升預計也會對其智慧型手機和顯示業務產生影響。三星高管談道，為了降低市場波動風險，公司被迫有選擇地回應客戶的供貨合同請求。三星優先向伺服器客戶供應DRAM晶片，PC和移動客戶則排在後面。這意味著，今年有儲存晶片採購需求的企業，將陷入一場比拚財力的生存競賽。據韓媒報導，三星電子和SK海力士計畫將2026年第一季度伺服器DRAM的報價相較2025年第四季度上調60%~70%。三星第一季度NAND快閃記憶體供應價格上調超過100%。該公司已於2025年底前完成與主要客戶的供應合同談判，修訂後的價格將於2026年1月生效。另據DIGITIMES援引知情人士消息，SK海力士也已實施了類似幅度的NAND快閃記憶體價格上調。還有報導稱，閃迪也計畫在2026年將NAND快閃記憶體價格上調100%。據ZDNet援引業內消息人士報導，三星和SK海力士通過談判，向蘋果公司供應的低功耗DRAM（LPDDR）價格大幅上漲，較上一季度幾乎翻倍。具體而言，三星提出的漲幅超過80%，而SK海力士提出的漲幅約為100%。此前蘋果一直以相對較低的價格採購LPDDR，但自去年中以來，記憶體供應短缺問題日益嚴重，蘋果似乎難以扭轉價格上漲的趨勢，而三星和SK海力士在今年第一季度成功實現了DRAM業務利潤最大化。一位半導體行業內部人士解釋說：“蘋果通常每年都會簽訂記憶體長期協議（LTA），但考慮到最近的記憶體危機，據我瞭解，他們只完成了今年上半年的單價談判。”他預計隨著下半年新產品的推出，價格可能會進一步上漲。另一位消息人士稱，今年第四季度LPDDR價格已經上漲了約40%，第一季度漲幅還會更大，至少達到60%。市場研究公司TrendForce預測，通用DRAM價格將在第一季度環比上漲55%~60%。據Wccftech援引業內消息人士報導，近幾周來，各大科技公司的採購團隊頻繁前往韓國，以確保DRAM的供應，尋求籤訂能夠鎖定2~3年固定供應量的長期協議，但這些努力大多以失敗告終。三星和SK海力士正在拒絕簽訂長期供貨協議，堅持按季度簽訂合同，並大幅漲價。除了向主要伺服器DRAM客戶提價外，供應商們還在尋求對PC和智慧型手機DRAM產品進行類似的提價。因此，預計短期內記憶體短缺和價格上漲的壓力將持續存在。據報導，伺服器級64GB RDIMM記憶體條的現貨價格已攀升至2550美元，漲幅超過20%。這一趨勢表明，製造商的官方報價可能接近1000美元，且季度環比漲幅可能達到90%~100%。網上也流傳著三星向客戶發出通知的消息，檔案暗示三星記憶體產品可能漲價80%。雖然三星尚未公開證實具體細節，但業內人士預計第一季度價格將大幅上漲。一些伺服器供應鏈廠商估計第一季度RDIMM價格漲幅可能超過70%甚至80%，因為大多數供應商2026年的產能配額已基本售罄。04.結語：儲存大廠積極抓住AI時代機遇儲存晶片企業若想保持其市場地位，就必須適應AI時代。本周三，SK海力士宣佈將成立一家總部位於美國的新公司，專注於AI解決方案，並承諾至少投入100億美元，以抓住AI新增長引擎帶來的機遇。該公司將通過重組其美國企業級固態硬碟子公司Solidigm來建立新的AI公司。這家美國新實體暫定名為“AI Company”或“AI Co.”，將作為SK集團AI戰略的中心。已經憑藉抓住AI時代紅利崛起的SK海力士，還在持續加快投資步伐，包括已承諾投資近130億美元在韓國建設一座先進封裝廠。三星半導體部門預計AI和伺服器需求將繼續增長，從而帶來更多結構性增長的機會，為此將繼續專注於盈利能力，重點發展高性能產品。 (芯東西)