在最近的國際消費電子展(CES 2026)上,輝達率先推出了人工智慧下一代魯賓平台,為目前最早的獨家HBM4客戶端。它已經將傳輸速度提高到了11 Gbps以上,迫使SK海力士、三星和美光修改HBM4的設計。隨著這三家公司重新提交樣品和Blackwell的強勁需求,HBM4的量產預計不會早於2026年第一季度末。雖然12層HBM4尚未完全投產,但輝達要求在2026年下半年供應16層,HBM之爭趨於白熱化。海力士:技術領先 + 工藝最佳化作為目前HBM領域的領頭羊,海力士在CES上首次展示了16層HBM4,據Etnews報導,新的16層48 GB HBM4建立在12層36 GB的HBM4基礎上,後者已經創造了11.7 Gbps的速度記錄。DRAM堆疊到16層,容量和速度都大大提高,頻寬超過每秒2 TB。然而,《韓國先驅報》強調,從12層擴展到16層比從8層跳到12層要困難得多,16層HBM要求晶圓減薄至30 微米左右,而目前的12層設計約為50 微米。此外,由於JEDEC將HBM4封裝高度限制在775 µm,傳統方法幾乎沒有進一步擴展的空間,這可能是未來的技術障礙。雖然業界越來越多地將混合鍵合視為應對挑戰的長期解決方案,但海力士暫時憑藉其MR-MUF(大規模回流模壓下填充)工藝穩定產量,處於領先地位。雖然該公司也在開發混合鍵合技術作為備用方案,但其核心戰略是儘可能延長MR-MUF技術的使用壽命。海力士表示,MR-MUF將HBM產品中垂直堆疊的所有晶片一次性加熱並互連,比在每個晶片堆疊後使用薄膜材料的TC-NCF(熱壓非導電膜,三星和美光使用)效率更高。不過,為了控制整體封裝高度,12層HBM3的DRAM晶片必須比8層HBM3的DRAM晶片薄40%左右,因此晶片翹曲成為主要問題。為瞭解決這個問題,海力士在其Advanced MR-MUF工藝下引入了一種新的EMC材料,與原始版本相比,散熱能力提高了約1.6倍。三星:工藝迭代 + 產能擴張Etnews此前曾報導,由於競爭對手在較老的1b DRAM節點上製造HBM4,三星打算通過轉向更先進的1c工藝來改變遊戲規則。TrendForce指出,其在HBM4上採用了1c奈米工藝(10奈米級,第6代),並在基礎晶片上採用了4nm邏輯工藝,並對設計進行了微調,使其速度超過了11Gbps,超出了客戶的要求。這種方法有望實現更高的傳輸速度,使三星成為最有可能率先獲得資格的供應商,並有可能在供應高端魯賓產品方面獲得優勢。《朝鮮商業》報導,三星目前已開始生產1c型DRAM,良率已接近80%的量產目標。此外,三星也在推進混合鍵合技術,目標是到2028年推出16層HBM4E產品,不過,雖然三星已經向包括輝達在內的主要客戶提供混合鍵合HBM4原型,但良率仍然很低,約為10%。Etnews報導稱,由於需求強勁,三星計畫在2026年將HBM的產量提高50%,到年底達到每月25萬片左右,主要集中在HBM4上。美光:產能突圍 + 技術跟進美光的HBM4基於1 - beta節點,上個月,美光表示該產品達到了11 Gbps以上的行業領先速度,並有望在2026年第二季度實現高產量提升。其優勢在於低功耗HBM技術,正在努力從12層HBM4產品發展到16層產品、鎖定更多的產能,來挑戰韓國競爭對手。美光即將在新加坡建立的先進封裝廠和日本廣島的工廠預計將大大緩解產能限制。 (銳芯聞)