有預測稱，計畫於明年實現商業化的下一代 NAND 快閃記憶體產品——高頻寬快閃記憶體 (HBF)，將在大約 10 年內超越高頻寬儲存器 (HBM) 市場，而 HBM 是人工智慧半導體的核心元件。2月3日，韓國科學技術院（KAIST）電氣電子工程系金正浩教授在首爾中區新聞中心舉行了“HBF研究內容和技術開發戰略簡報會”，並強調“隨著人工智慧的思考和推理能力變得重要，以及從文字介面向語音介面的過渡，所需的資料量必將呈爆炸式增長”。他解釋說：“如果說中央處理器（CPU）是個人電腦時代的核心，低功耗是智慧型手機時代的關鍵，那麼記憶體就是人工智慧時代的核心。”他還補充道：“HBM決定速度，HBF決定容量。”HBF是一種通過垂直堆疊NAND快閃記憶體來顯著提升容量的記憶體，主要用於長期儲存，與HBM類似。因此，近年來NAND快閃記憶體在半導體行業的重要性日益凸顯。隨著人工智慧代理服務的擴展，作為長期記憶的“鍵值”（KV）快取的作用也日益增強。過去，HBM承擔著這一角色，但越來越多的觀點認為，NAND快閃記憶體更適合承擔這一角色。在本次簡報會上，由被譽為“HBM之父”的金教授領導的KAIST TeraLab介紹了當前人工智慧技術的發展趨勢和記憶體路線圖。金教授是HBM基本概念和結構的構思者和設計者，HBM是韓國率先在全球範圍內成功實現商業化的核心人工智慧半導體技術。當天，金教授公佈了採用HBF的下一代記憶體架構。他展示了多種架構，其中包括一種在GPU兩側分別安裝4個HBM和4個HBF，總容量為96GB HBM和2TB HBF的架構；以及另一種架構，其中兩排分別安裝8個HBM和8個HBF，以處理更大的容量。金教授強調說：“HBM 將作為書架，HBF 將作為圖書館。”他補充道：“在書架上，您可以立即取出並查看您需要的書籍；而在圖書館裡，即使速度慢一些，您也可以一次查看更多的書籍。”金教授預測，由於HBM單靠自身無法滿足爆炸式增長的需求，業界勢必會採用HBF。目前的架構是將最多兩個圖形處理器（GPU）垂直連接，並在GPU旁邊安裝HBM來處理運算；而未來，通過將HBM和HBF結合使用，可以消除容量限制。金教授預測，“當CPU、GPU和記憶體有機地結合在單個基本晶片上的MCC（記憶體中心計算）架構完成時，所需的HBF容量將進一步增加”，並且從2038年起，HBF的需求將超過HBM。金教授表示：“我們正在與三星電子、SK海力士、閃迪等公司就HBF進行技術交流，並與AMD、Google、輝達等潛在客戶公司保持聯絡。”目前，三星電子、SK海力士和閃迪等全球企業正在加速HBM的研發。金教授認為，韓國國內企業佔據了更有利的地位。閃迪目前只專注於NAND快閃記憶體，而三星電子和SK海力士則同時具備HBM和封裝能力。他表示：“未來10到20年，隨著結構性變革的推進，韓國有望在人工智慧電腦領域佔據領先地位。”他補充道：“而HBM正是實現這一目標的基石。”具體來說，SK 海力士正在開發 HBF，目標是明年實現量產；而 SanDisk 於去年 7 月成立了 HBF 技術諮詢委員會。在今年的CES 2025上，NVIDIA也提出了一種解決NAND快閃記憶體瓶頸的方案，即直接連線據處理單元（DPU）和固態硬碟（SSD），將KV快取（即推理過程中積累的先前對話上下文）儲存在大容量SSD中，而不是HBM中。金教授強調，需要通過與NVIDIA、Google和AMD等大型科技公司合作來搶佔市場。金教授表示：“由於HBF工藝與現有的HBM工藝幾乎相同，最終將演變成一場技術速度的競賽。”他補充道：“對於全面商業化而言，那些服務會採用這項技術至關重要。”金教授認為，“繼 HBM 之後，韓國記憶體製造商也必須在 HBF 領域主動出擊，以免在人工智慧市場失去影響力”，並補充道，“以記憶體為中心的人工智慧時代即將到來”。兩大巨頭，挺進HBF隨著人工智慧市場轉向推理，三星電子和SK海力士正在開發高頻寬快閃記憶體（即所謂的高頻寬記憶體的擴展），儘管它們在人工智慧記憶體競賽的下一階段的策略有所不同。由於 HBM 現在是 AI 晶片的關鍵元件，這兩家韓國儲存器製造商正尋求在下一代儲存器周期中搶佔先機。一位要求匿名的業內人士表示：“由於需求疲軟和價格下跌，NAND 市場一直處於低迷狀態，但 HBF 一旦實現商業化，可能會在人工智慧資料中心開闢新的需求基礎。”據業內人士周三透露，三星電子和SK海力士在HBF（高頻寬快閃記憶體）領域採取了不同的策略。SK海力士堅持以HBM為核心的戰略，同時將基於NAND的HBF定位為一種補充解決方案。相比之下，三星則被視為正在重新定義這項技術在更廣泛的AI記憶體和儲存架構重組中的角色。HBM專為超高速計算而設計。而HBF則作為大規模資料儲存和高效傳輸的支撐層。它的速度約為HBM的80%到90%，容量卻是HBM的8到16倍，功耗卻降低了約40%。對於大型AI訓練和推理伺服器而言，HBF被廣泛認為是能夠緩解HBM瓶頸的“中層記憶體”。其主要優勢在於處理能力。HBM優先考慮處理速度，而HBF可以在更低的成本下實現高達10倍的處理量擴展，使其成為解決HBM價格和處理能力雙重限制的理想選擇。從結構上看，HBF 是通過堆疊多層 NAND 快閃記憶體製成的，類似於 HBM 由堆疊式 DRAM 構成。第一代產品預計將堆疊 16 層 32GB 的 NAND 快閃記憶體，總容量約為 512GB。SK海力士在上周的財報電話會議上表示，正在開發HBF作為HBM的延伸技術。這家晶片製造商計畫明年開始量產HBF，並正與SanDisk合作開發下一代基於NAND快閃記憶體的儲存器以及相關的國際標準化工作。SK海力士的核心研發方向是AIN B，這是一種採用堆疊式NAND快閃記憶體的頻寬增強型設計。該公司正在探索將HBF與HBM結合使用的方案，以幫助彌補人工智慧推理系統中的容量限制。此外，SK海力士還通過與全球科技公司合作以及參與開放計算項目（OCP）的活動來拓展其生態系統。與此同時，三星電子正著力推進人工智慧記憶體和儲存架構的全面革新。在近期舉辦的全球儲存盛會上，該公司概述了人工智慧基礎設施的需求——包括性能、容量、散熱和安全性——並推出了一種整合記憶體和儲存的統一架構。三星正利用其晶圓代工部門的邏輯設計和工藝專業知識，研究如何提高下一代基於 NAND 的解決方案的控制性能和電源效率。業內觀察人士認為，三星此舉旨在圍繞人工智慧推理環境重塑下一代記憶體和儲存格局（包括 HBF）。另一位要求匿名的業內人士表示：“隨著人工智慧需求的持續增長，記憶體市場的重心正迅速從傳統的DRAM和NAND轉向高頻寬產品。”“未來兩到三年內，領導地位的競爭可能會加劇，尤其是在 HBF 和第六代 HBM4 等技術方面，這些技術將成為未來資料中心基礎設施的關鍵組成部分。”據證券公司預測，HBF市場規模將從2027年的10億美元增長到2030年的120億美元。HBF能夠在提升頻寬的同時擴展容量，因此被視為滿足人工智慧資料中心日益增長的需求的關鍵技術。不過，考慮到HBM（於2015年開發）用了七到八年時間才獲得市場認可，HBF也可能面臨漫長的發展階段。即便如此，分析師指出，NAND快閃記憶體行業似乎正處於更廣泛變革的早期階段。韓國科學技術院電氣工程學院教授金鐘浩（Kim Joung-ho）是 HBM 基本結構和概念的先驅，他周三在首爾舉行的新聞發佈會上表示，從 2038 年開始，對 HBF 的需求將超過對 HBM 的需求。“當以記憶體為中心的計算架構（其中 CPU、GPU 和記憶體有機地整合在單個基本晶片上）完全實現時，對 HBF 的需求量將顯著增加，”Kim 說。業內人士預計，輝達的新平台將採用HBF技術。這位教授強調，繼HBM之後，三星和SK海力士等韓國記憶體製造商也必須在HBF領域佔據領先地位，才能保持在全球人工智慧市場的影響力。 (半導體芯聞)

韓國股市近日上演驚天逆轉。在2月2日暴跌熔斷次日，受晶片股大幅反彈帶動，韓國股市2月3日勁升並創出歷史新高。三星電子在韓國交易所盤中一度上漲約11%，創下2009年以來的最大日內漲幅。SK海力士漲幅超過9%。兩隻股票均收復前一交易日的失地。Kospi指數上漲超過6%，今年迄今累計漲幅擴大至25%，鞏固了其作為全球表現最佳的股指之一的地位。今年以來，三星電子和SK海力士股價累計漲幅雙雙超過35%，主要受益於市場日益清晰的共識——AI對高端儲存晶片有著巨大的需求，儲存器價格上漲已轉化為盈利增長和股價上漲。市場目前普遍預計SK海力士和三星電子2026年盈利增幅將達到120%-160%，韓國股市2026年整體盈利增長預期因此上升至70%以上。這兩家韓國上市公司的總市值首次超越了中國兩大網際網路巨頭，凸顯出不斷演進的全球人工智慧熱潮如何重塑亞洲行業的投資格局。三星電子和SK海力士市值2月3日合計達到1.14兆美元，超過了香港上市的最大兩家中國科技公司阿里巴巴和騰訊控股的市值之和1.07兆美元。“我們認為韓國股市昨日的波動是對前期漲幅的良性消化，”Matthews International Capital Management的投資組合經理Sojung Park表示：“從盈利增長和估值角度來看，我們仍看好韓國股市。”此次反彈也使基準股指Kospi指數重回5000點上方，韓國總統李在明2025年的“提升估值計畫”設下該目標位。韓國政府與監管層已持續推動公司治理改革，以吸引更多全球投資者回流。近期韓國股市市值還超過了德國。根據彭博彙編的資料，截至1月28日，韓國股市自2025年初以來增加約1.7兆美元，整體市值升至3.25兆美元。這一規模超過德國的3.22兆美元，使韓國成為全球第十大股市。韓國基準股指Kospi指數在2025年飆升75.63%，跑贏全球其他主要股指。作為該指數的主要成分股，東洋高速公司和天一高速的漲幅接近900%。佔該指數權重近30%的儲存雙雄三星電子和SK海力士全年分別暴漲125%和274%。在這輪牛市之前，韓國股市是典型的價值窪地。2025年4月，韓國政府推出“外資准入改革”，核心措施包括：取消外資持股比例限制、簡化外資開戶流程（從7天縮短至1天）、降低外資交易稅費（交易印花稅從0.3%降至0.1%）。股市上漲表明韓國從周期性出口市場向全球人工智慧AI熱潮核心受益者的轉變。“韓國已不再只是全球貿易的晴雨表；而是目前唯一一個處於2020年代三大關鍵發展趨勢交匯點的市場，即人工智慧、電氣化和國防領域，”新加坡Impactfull Partners的董事總經理Keith Bortoluzzi表示。他指出，德國企業盈利受到汽車和化工行業長期下滑的困擾，而韓國則正享受由國防支出增加及AI基礎設施帶來的超級周期。消除“韓國折價”七十年來，財閥體系始終主導著韓國經濟。這些發軔於朝鮮戰爭廢墟的家族企業，從製造韓流熱門單曲到鋼鐵生產無所不包，卻因公司治理薄弱、壓制競爭及規避遺產稅，長期飽受詬病。在20世紀60至70年代的威權政府扶持下，財閥助力韓國躋身經濟強國之列，四大財閥（三星、現代、大宇、浦項）市值已佔韓國Kospi 200指數比重過半。但監管機構與投資者日益認為，這些企業已成為拖累，導致了“韓國折價”現象，即韓國股市估值低於台灣和日本股市。儘管長期以來，這種現象多被歸咎於臨近的朝鮮威脅，但越來越多的共識認為，財閥治理缺陷才是主因。散戶正成為變革關鍵力量。近30%的韓國人如今持有股票，這一比例是2019年的兩倍多，他們已成為一股強大的政治力量。2025年，散戶投資者的反對幫助阻止了斗山集團（Doosan Group，自稱韓國最古老的企業，主營工程機械）兩家獨立子公司的合併提案。大約同一時間，他們的抗議還促使議員們取消了針對小額國內股票持倉的資本利得稅提案。韓國散戶交易員——在當地被稱為“螞蟻”，向來以敢於承擔風險而聞名。隨著股市不斷飆升，韓國散戶瘋狂加槓桿。2025年3月，韓國股市融資餘額約為65兆韓元，融資交易佔比約18%；2025年12月，融資餘額飆升至158兆韓元，融資交易佔比飆升至35%。其中散戶融資交易佔比達78%。2025年2月，韓國股市日均成交額約80兆韓元，散戶交易佔比約45%；2025年4月，日均成交額飆升至180兆韓元，散戶交易佔比飆升至80%。據統計，2025年4-12月的韓國新增失業人口中，有30%是專門辭職炒股的散戶。李在明常說自己是“螞蟻”。他正提議推行強制性改革。“民主黨如今推行改革會順利得多，”新加坡百達資產管理公司(Pictet Asset Management)的基金經理喬恩·威瑟爾(Jon Withaar)說，他稱讚新總統“刻意致力於消除韓國折價”。房價高企讓韓國民眾在以創紀錄的步伐湧入股市，撤離過熱的房地產市場。韓國金融投資協會的資料顯示，2025年11月20日，韓國人通過借貸投資國內股票的規模升至26.8兆韓元（約合180億美元）的歷史新高。韓國政府試圖改變民眾的行為，尤其是年輕一代的韓國人，鼓勵他們購買股票，遠離泡沫化的房地產市場。根據韓國交易所的資料，2025年4月，韓國股市活躍散戶數約7200萬；截至2026年2月，飆升至9800萬。從持倉上來看，2025年4月，韓國散戶持倉總市值約380兆韓元；截至2026年2月，飆升至920兆韓元，區間增長了540兆韓元。韓國金融監督院的調查資料，前10%人賺走了幾乎所有盈利，虧損的散戶佔比高達65%，其中有20%虧損超過50%。 (i商周)

目前，三星已基本確定將於2026年2月25日舉行Galaxy Unpacked發佈會，屆時將正式推出包含三星Galaxy S26、Galaxy S26+及Galaxy S26 Ultra在內的三款旗艦手機，以及全新的Galaxy Buds 4系列耳機。現在有最新消息，近日有外媒進一步曬出了該系列旗艦的官方渲染圖。據外媒最新曬出的渲染圖顯示，與此前曝光的消息基本一致，全新的三星Galaxy S26系列在延續家族風格的同時進行了細節最佳化。其中三星Galaxy S26 Ultra將採用更為圓潤的邊角設計，機身厚度進一步壓縮至7.9毫米，較前代薄了0.3毫米。正面將配備一塊6.9英吋的QHD+ Dynamic AMOLED螢幕，最高亮度有望突破3000尼特，並搭載全新的M14 OLED面板。而三星Galaxy S26和S26+的螢幕尺寸分別調整為6.3英吋和6.7英吋，且均採用了邊框等寬的直屏設計。其他方面，根據此前曝光的消息，全新的三星Galaxy S26/S26+將有望在韓國和歐洲市場首發搭載三星自研的Exynos 2600，這是全球首款2nm晶片。其餘地區標配的是高通驍龍8 Elite Gen 5。而超大杯的三星Galaxy S26 Ultra則全球僅提供驍龍8 Elite Gen 5處理器版本。影像上，Galaxy S26/S26+的規格保持一致，均將後置5000萬像素OIS主攝+1200萬像素超廣角+1000萬像素3倍長焦三攝組合，支援8K/60fps視訊錄製。Galaxy S26 Ultra預計將搭載2億像素新主攝+5000萬像素超廣角鏡頭+1000萬像素3倍長焦鏡頭+5000萬像素的5倍長焦鏡頭。此外，Galaxy S26機身149.6×71.7×7.2毫米、重137克，內建4300mAh電池。Galaxy S26+機身158.4×75.8×7.3毫米、重190克，內建4900mAh大電池。據悉，全新的三星Galaxy S26系列新旗艦將在2月25日發佈，預計國行版會在3月登場。更多詳細資訊，我們拭目以待。 (TechWeb)

一場儲存熱潮，不僅讓三星與SK海力士賺得盆滿缽滿，也讓資本市場的天平發生了一次微妙的傾斜。2月3日，三星電子與SK海力士合計市值達到1.14兆美元，略微超過阿里巴巴和騰訊在港股合計1.07兆美元的市值。三星與SK海力士是目前韓國市值最高的兩家公司，前者今日大漲11%，後者漲幅超過9%；今年以來，它們的累計漲幅均接近40%。另一邊，在總市值上暫時落後的阿里與騰訊，市場普遍認為，今日下跌主要與一則網際網路增值服務將被“加稅”傳言有關。不過追根溯源，這或許是外界對相關稅收調整政策的誤讀。阿里與騰訊同日收盤跌幅均分別收斂至1.41%與2.92%；今年以來，阿里累計漲幅12.75%，騰訊微跌3%。在這背後，更重要的推動力自然還是席捲全球的儲存缺貨潮。如今，以HBM為首的儲存晶片已成為AI基建中不可或缺的部分，同時，願意支付溢價的大型雲廠商帶來的需求，進一步推高了儲存巨頭們的業績。在DRAM和NAND雙雙出現創紀錄短缺的背景下，三星和SK海力士獲得了前所未有的定價權。高盛集團亞太區首席股票策略師Timothy Moe則預計，今年韓國股市約60%的盈利增長將來自半導體行業。在暫時不同的股價走勢背後，也是在AI領域選擇的不同發展路徑。富時羅素全球投資研究主管Indrani De指出，中國的優勢在於龐大的製造生態體系，這意味著可以非常迅速地實現規模化；韓國則專注於硬體領域，建構結構性優勢。富蘭克林鄧普頓全球投資的投資組合經理Yiping Liao也給出了類似觀點：“韓國高度聚焦於科技供應鏈中的某一個特定環節，而中國則更像是在試圖建構一個端到端、完整覆蓋的AI技術體系。”換言之，兩種路線中，一條專注於關鍵環節的技術深度與掌控力，另一條則偏向於系統整合與市場應用的廣度。更值得注意的是，在事關AI熱潮的全球討論中，阿里、騰訊這些網際網路大廠更頻繁的比較對象，是微軟、Google、Meta等矽谷巨頭們，對比維度也更聚焦於資本開支、AI變現等。在過去幾天，國內幾家網際網路巨頭都已陸續部署2026年發展規劃，AI均是核心發力點。例如騰訊創始人馬化騰表示，未來將大模型和AI 產品以一體化的方式來考慮，持續提升產品長期競爭力與使用者體驗；阿里提出“通雲哥”新概念，即“雲+AI+晶片”三位一體發展，充分發揮全端優勢；字節CEO梁汝波明確，2026年公司在AI上要“勇攀高峰”，短期核心目標聚焦豆包/Dola助手的應用落地。與此同時，隨著春節臨近，AI流量戰也已升溫：此前字節跳動旗下火山引擎已官宣成為央視春晚獨家AI雲合作夥伴，豆包將同步上線多元AI互動玩法；元寶、文心、千問也宣佈將於春節期間派送現金紅包，全力搶佔節日流量入口。長期而言，相較於將自己暴露於儲存晶片供需周期之中的韓國晶片廠商，中國網際網路巨頭在應用層面的優勢，或許能為自身提供更長期、更穩定的增長支撐。 (財聯社AI daily)

英特爾CEO陳立武警告：儲存晶片短缺將成為一個長期存在的問題。彭博社消息：英特爾公司首席執行長陳立武表示，電腦行業的儲存晶片短缺問題大機率將持續至少兩年。他在周二思科系統公司的一場會議上稱：“據我所知，目前尚無緩解跡象。” 陳立武透露，他曾與儲存晶片領域的兩大核心企業交流，對方表示 “直至 2028 年，短缺問題都無法得到緩解”。人工智慧基礎設施的大規模擴建推高了儲存晶片的需求，導致可供傳統電腦和智慧型手機使用的晶片供應量減少，進而引發晶片短缺與價格上漲，還可能削弱消費者對相關產品的購買意願。陳立武指出，人工智慧處理器龍頭企業輝達推出的新一代魯賓平台及後續產品，會進一步拉升儲存晶片的需求。他表示，人工智慧領域將 “消耗海量的儲存晶片”。英特爾是全球最大的個人電腦處理器製造商，而處理器的運行離不開儲存晶片對資料的儲存與管理。當前全球頭部的儲存晶片製造商為三星電子、SK 海力士和美光科技。 (芯榜)

SanDisk財報電話會議NAND行業的發展趨勢。如今，NAND已被公認為全球儲存需求不可或缺的核心，正推動供應商與客戶之間的商業合作模式發生根本性轉變。為支撐超越傳統周期性市場模式的結構性需求，供應穩定性、更長的規劃周期以及多年期合作承諾變得日益重要。我們正與客戶展開磋商，力求從季度談判模式轉向多年期協議，明確供應和定價方面的堅定承諾，以實現更高效的規劃流程和更可觀的回報。我們宣佈已與鎧俠（Kioxia）達成協議，將四日市（Yokkaichi）合資企業的期限延長至2034年12月31日。此次延長後，四日市和北上（Kitakami）合資企業將擁有相同的到期日。作為延長協議的一部分，SanDisk同意支付鎧俠提供的製造服務費用，以確保產品供應的持續可用性，總金額為11.65億美元。該款項將在2026年至2029年期間支付，相關成本將在未來九年內計入產品銷售成本。第三季度，我們預計營收在44億至48億美元之間。我們預計市場供應短缺情況將比第二季度更為嚴重。以資料中心為例，我們已經經歷了三輪預測調整：上一季度，我們將該市場的增長預期從20%多上調至40%多；現在，我們預計2026年資料中心市場的艾字節（EB）增長將達到60%以上。我認為我們的客戶（尤其是資料中心客戶）已經意識到這一點——他們正在規劃2026年、2027年、2028年甚至2029年、2030年的需求，所需的EB容量極為龐大。其次，根據我們的初步評估，以2027年需求為例，KV Cache這部分新增需求大約在75-100EB之間，次年可能翻倍。因此，這是一個相當可觀的需求增量。我們認為有機會重新設計NAND架構以適配人工智慧應用，並為其註冊了“高頻寬快閃記憶體（High Bandwidth Flash）”商標。過去一年，這一方向已得到更廣泛的認可，現在有很多企業都在涉足這一領域。我們也在持續推進相關工作，進展非常順利——我們正與客戶深入探討應用場景，設計NAND晶片，開發控製器。隨著計畫的逐步明確，我們將分享更多資訊。海力士財報電話會議一、整體業績與戰略定位為了應對以AI為核心的市場需求轉型，公司持續加強技術競爭力，擴大高附加值產品佔比，通過兼顧收益性和增長性的戰略實現業績突破。2025年再次印證了公司全球領先的技術實力。公司將依託差異化技術競爭力，在實現可持續業績增長的同時，保持未來投資、財務穩健性與股東回報之間的最佳平衡。將超越傳統的產品供應商角色，致力於滿足客戶對AI性能的需求，進一步鞏固作為AI時代核心基礎設施合作夥伴的地位。針對AI驅動的需求結構重組，通過強化技術競爭力和擴大高附加值產品佔比，同時實現盈利能力和成長性的戰略應對結果。二、AI儲存（HBM為主）目標是在HBM4領域佔據壓倒性的市場份額，就像我們在HBM3和HBM3E產品領域所做的那樣。利用我們專有的封裝技術——先進MR-MUF，我們計畫確保獲得與12-Hi HBM3E產品相當的良率。即使我們最大化生產，也無法100%滿足HBM需求，因此預計會有一些競爭者進入市場。儘管如此，基於性能、可生產性和質量，我們的市場領導地位和主要供應商地位將繼續保持。將加強與客戶和合作夥伴的協作體系，在正成為下一代核心競爭要素的“定製化HBM”領域也做好供應最優產品的準備。三、DRAM與NAND業務HBM銷售額同比增長逾一倍，成為創下歷史最高業績的核心動力。通用DRAM方面，公司已正式量產第六代10奈米級（1c）DDR5 DRAM，並成功開發基於第五代10奈米級（1b）32Gb單片的業界最高容量256GB伺服器DDR5 RDIMM模組。在NAND快閃記憶體業務領域，在上半年需求疲軟之際，公司完成了321層QLC產品研發，下半年通過應對企業級固態硬碟（eSSD）為主的需求，創下了年度銷售額歷史新高。在NAND快閃記憶體方面，將通過轉向321層堆疊技術最大化產品競爭力，同時利用Solidigm的QLC企業級固態硬碟（eSSD），積極滿足面向AI資料中心的儲存器需求。四、供需格局與產能隨著AI市場從訓練向推理轉型，分佈式架構的需求將持續擴大，儲存器的重要性也將進一步凸顯。不僅HBM等高性能儲存器需求增長，面向伺服器的DRAM和NAND快閃記憶體等整體需求也將同步擴大。將優先考慮滿足客戶需求以強化合作關係，儘早最大化清州M15X的產能，並通過龍仁一期工廠建設穩定擴充中長期生產基礎。順利推進韓國清州P&T7工廠和美國印第安納州先進封裝工廠，建構融合前端與後端工藝的全球一體化製造能力，靈活應對客戶需求的變化。五、資本開支由於產能擴張、加速技術遷移以及對未來基礎設施的投資，2026年的資本支出預計同比顯著增加。但同時，我們將通過監控市場狀況並平衡需求可見性與投資效率，維持資本支出紀律。三星Memory DS部門財報電話會議一、DS部門與儲存業務整體業績裝置解決方案（DS）部門季度銷售額環比增長33%，儲存業務在HBM及其他高附加值產品銷量擴大、市場價格全面上漲的推動下，季度營收與營業利潤均創歷史新高。2025年第四季度，儘管供應受限，儲存業務仍通過滿足強勁的傳統DRAM需求、擴大HBM銷量並伴隨價格整體上漲，實現季度營收與營業利潤雙創新高。本業務聚焦於通過提升HBM、伺服器DDR5及企業級SSD等高附加值產品銷量，最佳化盈利能力。展望2026年第一季度，DS部門預計AI與伺服器需求將持續增長，帶來更多結構性增長機遇。對此，部門將繼續聚焦高性能產品，強化盈利能力。二、HBM與AI儲存產品首席財務官朴淳哲（Sooncheol Park）：HBM4已按計畫進入穩定的全面量產階段，包括面向客戶需求的高性能11.7Gbps規格產品，出貨將於2月啟動。首席財務官朴淳哲（Sooncheol Park）：展望2026年HBM業務，我們所有量產產能目前均已被客戶採購訂單（PO）全額預訂。預計2026年HBM銷售額將大幅提升，同比增長超三倍。儲存業務正按計畫於本季度開始交付HBM4產品，包括行業領先的11.7Gbps性能規格——旨在重新確立高端HBM市場的領導地位。2026年，儲存業務將基於產品競爭力，與客戶保持緊密合作，通過及時交付具備競爭力的HBM4產品、擴大DDR5、SOCAMM2及GDDR7等AI相關產品的銷量，滿足客戶需求。三星電子CEO全永鉉：客戶對三星下一代HBM晶片（即HBM4）的競爭優勢給予高度評價，三星正強勢回歸（市場）。三、NAND與企業級儲存公司計畫積極應對AI相關的NAND需求，重點擴大高性能TLC產品的銷售，以滿足推理等關鍵場景下的高價值SSD需求，提升伺服器固態硬碟在NAND快閃記憶體總收入中的佔比。四、市場供需與行業判斷儲存晶片業務高管金在俊（Kim Jaejune）：儲存產品的全面嚴重短缺態勢預計將持續一段時間。2026年全年，DS部門將依託產品競爭力，在需求快速增長的環境中引領AI時代，尤其要擴大DRAM與NAND中AI相關產品的銷量。五、資本開支與產能投資投資者關係主管丹尼爾・吳（Daniel Oh）：2025年第四季度，公司資本開支從上一季度的9.2兆韓元增至20.4兆韓元，其中19兆韓元分配給DS事業部，0.7兆韓元分配給顯示業務。儲存業務的投資環比、同比均有所增加，因我們正推進先進製程過渡，以擴大HBM等高附加值產品的銷售。基於市場前景，我們預計2026年儲存領域的資本支出將有所增加，具體投資計畫仍在最終敲定中。六、DS部門整體戰略DS部門負責人全永鉉：三星DS部門將依託“一站式”解決方案能力，全面應對AI半導體需求的快速增長。作為全球唯一一家覆蓋邏輯晶片、儲存器、晶圓代工及先進封裝的半導體企業，三星致力於與客戶共同引領AI時代。2026年全年，DS部門旨在憑藉產品競爭力引領人工智慧時代，在需求環境迅速增長的情況下，尤其要擴大DRAM和NAND中與人工智慧相關產品的銷售。 (斯托瑞吉)

佳能2011年進入後工序光刻裝置市場，目前幾乎壟斷了半導體巨頭使用的後工序光刻裝置。阿斯麥在前工序領域佔絕對優勢，其涉足後工序對佳能構成了威脅。尼康也計畫推出後工序光刻裝置……使用尼康面向後工序的光刻裝置製作的中間基板（2025年12月）全球最大的光刻裝置廠商荷蘭阿斯麥控股（ASML Holdings）已涉足半導體製造過程中組裝最終產品的“後工序”。推出了用於在晶片之間的連接層上繪製布線的裝置，向幾乎壟斷這一領域的佳能發起挑戰。尼康也計畫2026年度實現量產。為了提高最尖端半導體的性能，後工序的重要性日益突出，裝置廠商之間的競爭愈發激烈。在面向AI的半導體中，把圖像處理半導體（GPU）和儲存器等多個晶片組合在一起工作的“先進封裝”技術正逐漸得到普及。阿斯麥已於2025年9月前開始出貨專用於先進封裝的光刻裝置，似乎已交付給全球領先的半導體企業。對於在晶圓上描繪微細電路的“前工序”光刻裝置，阿斯麥已壟斷了面向AI半導體的市場。由於後工序也需要先進技術，市場正在擴大，因此阿斯麥決定進軍這一領域。阿斯麥在採訪中表示：“這不是在現有市場上的單純競爭，而是通過創新的解決方案來滿足新需求”。據說，阿斯麥已開始供貨的“XT:260”的生產效率是前工序用光刻裝置的4倍。此外，能夠處理比前工序更厚的基板，並能減少由於多個晶片疊加而產生的基板翹曲問題。光刻裝置是把電路圖案刻印在晶圓上的裝置。為了在後工序中連接多個晶片，需要在晶片與印刷基板之間形成名為“中間基板”的新布線層。光刻裝置的技術被轉用於繪製這種布線。佳能率先抓住這一潮流，在2011年進入後工序光刻裝置市場。目前佳能幾乎壟斷了半導體巨頭們使用的後工序光刻裝置。在後工序裝置的推動下，佳能2025年的光刻裝置銷量達到241台，5年內幾乎翻了一番。阿斯麥在前工序領域佔絕對優勢，其涉足後工序對佳能構成了威脅。佳能的常務董事武石洋明表示：“雖然我們認為自己有優勢，但性能差距可能會逐漸縮小。裝置能否解決後工序特有的需求才是關鍵”。尼康也計畫在2027年3月之前推出後工序光刻裝置。佳能的裝置採用轉印原有電路圖案的“光掩模”（Photomask）方式，尼康採用無需掩模的“數字曝光”（Digital Exposure）技術。因面向後工序的需求擴大，佳能新建的半導體製造裝置生產廠房（位於宇都宮市）新裝置也更易於滿足封裝大型化的需求。隨著晶片數量增加，用於承載晶片的中間基板也在變大。過去是從直徑300毫米的圓形矽晶圓切割而來，未來預計將更多採用從浪費更少的大型方形基板切割的方式。在光刻裝置以外，進入先進封裝裝置市場的企業也在增加。松下控股（HD）開發了垂直堆疊晶片的裝置，能滿足AI半導體的需求，計畫2027年銷售。在先進封裝領域，“3D堆疊”技術比平面連接晶片的方式更能縮短布線長度。由於布線電阻減小，功耗最多可減少一半，同時單個晶片的處理能力也會提升。台積電、英特爾、三星電子等在先進封裝領域競相開發技術。各家企業在中間基板的大小、材料、設計方法等方面展開開發競爭，並推動各自技術的標準化。與前工序不同，後工序技術開發的方向尚未明確，裝置廠商還需要具備捕捉行業趨勢和需求的能力。 (日經中文網)

HBM4大戰在即，硝煙瀰漫。儲存晶片正在變天。芯東西1月29日報導，今日新公佈的財報顯示，SK海力士2025年營業利潤首度超越三星，創下47.2兆韓元（約合人民幣228億元）的歷史新高。三星2025年營業利潤為43.6兆韓元（約合人民幣211億元），其中儲存業務創造了24.9兆韓元（約合人民幣121億元）的營業利潤。今日，全球兩大儲存晶片巨頭三星與SK海力士相隔1小時舉行財報電話會議，尤其在談到今年AI記憶體市場角逐的焦點HBM4時，火藥味相當濃嗆。這邊全球HBM晶片“一哥”SK海力士自陳優勢，說HBM需要技術、量產能力、質量保證和供應執行能力，而自己除了技術領先外，積累的量產經驗和客戶信任度都是短時間內難以趕上的。SK海力士稱2025年HBM收入同比增長1倍以上，HBM4正按照與客戶約定的時間表推進，封裝技術競爭力也將成為其HBM4的優勢。那邊三星隔空反擊，宣佈正按計畫推進HBM4量產，計畫在今年2月開始交付，還強調“儘管客戶對性能的要求從最初的開發階段到現在有所提高，但我們並未進行任何重新設計”。而三星提到的“重新設計”，似乎就是在針對SK海力士。此前，SK海力士曾收到其最大客戶輝達關於HBM4樣品產品的反饋，並在產品開發和量產過程中對部分工藝進行了調整。三星稱，自家產品已順利通過更為嚴格的HBM4規格要求，所有已具備量產條件的HBM產能均已被客戶預訂，預計2026年HBM銷量將同比增長3倍以上。以AI為中心的記憶體市場結構性轉變正在加速。過去半年，三星股價已上漲128%，SK海力士股價更是上漲了228%。兩家巨頭均預計今年HBM市場需求將保持強勁，AI記憶體熱潮將持續全年，各類儲存產品仍將出現嚴重短缺。SK海力士正努力提高產能以滿足快速增長的DRAM需求，計畫大幅增加資本支出。三星也表示2026年將加大對記憶體產能的投資，但預計2026年和2027年供應擴張有限。AI的快速發展還提振了晶片代工業務。三星晶片代工業務的目標是在2026年實現兩位數的營收增長，預計2nm晶片訂單量將增長約130%，該公司正在積極與美國和中國的客戶進行洽談。其第二代2nm工藝研發進展順利，預計將於今年下半年量產；1.4nm工藝正在研發中，計畫在2029年量產。01.傳SK海力士拿下輝達HBM4約70%訂單，輝達AMD完成對三星HBM4的驗證當前SK海力士在HBM市場處於統治地位。韓媒報導稱，SK海力士已從輝達獲得超過2/3的HBM供應訂單，將用於今年的Vera Rubin旗艦AI計算平台。據消息人士透露，輝達將其用於先進AI架構的HBM4需求的約70%分配給了SK海力士，高於市場此前估計的50%左右，預計2026年將實現這一目標。消息人士還說，輝達和AMD最近也完成了對三星HBM4產品的質量測試，預計將於2月正式供貨。此前有消息稱，三星正增加對博通等美國主要客戶的HBM供應。三星在HBM記憶體研發方面落後於SK海力士，但如今它重振旗鼓，正力圖憑藉HBM4重奪市場領導地位。三星、SK海力士都聲稱自家HBM4實現了業界最快的穩定速度——11.7Gbps。不同的是，三星HBM4採用自研1c DRAM，並將HBM4整合到4nm製程晶片上，從而提升了性能和量產穩定性。SK海力士HBM4為確保穩定性，採用了與HBM3E相同的第五代1b DRAM晶片，其HBM4基礎晶片採用台積電12nm工藝。三星在電話會議中透露，應一位重要客戶的要求，其11.7Gbps HBM4產品的出貨將於2月開始，客戶正在進行認證測試。該公司計畫於2026年中期開始提供標準HBM4E產品的樣品，下半年推出基於HBM4E核心晶片的定製產品。據其管理層分享，目前市場對16層HBM產品的需求有限，公司暫無計畫大規模商業化上一代16層HBM3E或HBM4產品。三星已掌握可用於量產的16層封裝技術，並已交付基於HBM4的銅混合鍵合樣品，近期重點工作包括擴大HBM3E產能，並積極投資以確保HBM4和HBM4E的1c nm產能。這意味著2026年HBM4市場競賽將劍拔弩張。市場研究機構Counterpoint Research預計，2026年，SK海力士將佔據全球HBM4市場54%的份額，其次是三星電子（28%）和美光科技（18%）。02.SK海力士HBM收入翻倍，三星半導體部門營業利潤狂飆465%在記憶體晶片短缺和AI伺服器強勁需求提振下，SK海力士、三星電子均公佈了創紀錄的季度收益。第四季度，SK海力士營收增長66.1%至32.8兆韓元，營業利潤飆升137.2%至19.2兆韓元，營業利潤率高達58%，盈利能力令人矚目。DRAM業務方面，SK海力士在2025年3月實現全球首批HBM4樣品出貨，為行業第一；傳統DRAM已開始量產1c nm DDR5，並開發了基於1b nm 32Gb的業界最高密度256GB DDR5 RDIMM。受下半年eSSD需求復甦推動，其NAND年度營收也創下新高。三星同樣在第四季度業績創歷史紀錄：營收達93.8兆韓元，同比增長23%，環比增長9%；營業利潤達到20.1兆韓元，同比增長208%。由於新款智慧型手機的上市效應減弱以及激烈的市場競爭，三星裝置體驗（DX）部門的收入環比下降了8%。而AI蓬勃發展推動的記憶體價格飆升和供應緊張，抵消了智慧型手機、電視和家電業務的季節性疲軟。三星DS事業部（包括其儲存器、晶圓代工和系統LSI業務）第四季度表現亮眼，營收環比增長33%，達到44兆韓元；營業利潤同比增長超過465%，達到16.4兆韓元，佔集團總營業利潤的81%以上。其中，記憶體業務是業績增長的主要驅動力。三星在新聞稿中寫道，第四季度，記憶體業務通過滿足強勁的傳統DRAM需求，並在整體價格上漲的情況下擴大HBM銷售，實現了季度收入和營業利潤的歷史新高。第四季度，其DRAM平均售價環比上漲約40%，NAND快閃記憶體平均售價也上漲了20%左右。SK海力士稱其HBM4量產正按照客戶約定的時間表進行，並準備交付最佳化的定製HBM，擴大高密度SV DRAM等高價值產品的生產，加速1c nm遷移以擴展AI記憶體產品組合，並在NAND方面通過下一代245TB產品引領超高密度AI儲存市場。三星亦計畫加大力度推動AI相關的NAND快閃記憶體需求，預計用於AI推理的基於TLC快閃記憶體的PCIe Gen 6固態硬碟的需求將大幅增長。其戰略將專注於TLC產品，以獲取更高的利潤率，並提高伺服器固態硬碟在NAND快閃記憶體總收入中的份額。03.伺服器DRAM報價上調60%~70%，NAND快閃記憶體、LPDDR價格翻倍三星在電話會議中透露，雖然記憶體價格飆升對其晶片業務有利，但成本上升預計也會對其智慧型手機和顯示業務產生影響。三星高管談道，為了降低市場波動風險，公司被迫有選擇地回應客戶的供貨合同請求。三星優先向伺服器客戶供應DRAM晶片，PC和移動客戶則排在後面。這意味著，今年有儲存晶片採購需求的企業，將陷入一場比拚財力的生存競賽。據韓媒報導，三星電子和SK海力士計畫將2026年第一季度伺服器DRAM的報價相較2025年第四季度上調60%~70%。三星第一季度NAND快閃記憶體供應價格上調超過100%。該公司已於2025年底前完成與主要客戶的供應合同談判，修訂後的價格將於2026年1月生效。另據DIGITIMES援引知情人士消息，SK海力士也已實施了類似幅度的NAND快閃記憶體價格上調。還有報導稱，閃迪也計畫在2026年將NAND快閃記憶體價格上調100%。據ZDNet援引業內消息人士報導，三星和SK海力士通過談判，向蘋果公司供應的低功耗DRAM（LPDDR）價格大幅上漲，較上一季度幾乎翻倍。具體而言，三星提出的漲幅超過80%，而SK海力士提出的漲幅約為100%。此前蘋果一直以相對較低的價格採購LPDDR，但自去年中以來，記憶體供應短缺問題日益嚴重，蘋果似乎難以扭轉價格上漲的趨勢，而三星和SK海力士在今年第一季度成功實現了DRAM業務利潤最大化。一位半導體行業內部人士解釋說：“蘋果通常每年都會簽訂記憶體長期協議（LTA），但考慮到最近的記憶體危機，據我瞭解，他們只完成了今年上半年的單價談判。”他預計隨著下半年新產品的推出，價格可能會進一步上漲。另一位消息人士稱，今年第四季度LPDDR價格已經上漲了約40%，第一季度漲幅還會更大，至少達到60%。市場研究公司TrendForce預測，通用DRAM價格將在第一季度環比上漲55%~60%。據Wccftech援引業內消息人士報導，近幾周來，各大科技公司的採購團隊頻繁前往韓國，以確保DRAM的供應，尋求籤訂能夠鎖定2~3年固定供應量的長期協議，但這些努力大多以失敗告終。三星和SK海力士正在拒絕簽訂長期供貨協議，堅持按季度簽訂合同，並大幅漲價。除了向主要伺服器DRAM客戶提價外，供應商們還在尋求對PC和智慧型手機DRAM產品進行類似的提價。因此，預計短期內記憶體短缺和價格上漲的壓力將持續存在。據報導，伺服器級64GB RDIMM記憶體條的現貨價格已攀升至2550美元，漲幅超過20%。這一趨勢表明，製造商的官方報價可能接近1000美元，且季度環比漲幅可能達到90%~100%。網上也流傳著三星向客戶發出通知的消息，檔案暗示三星記憶體產品可能漲價80%。雖然三星尚未公開證實具體細節，但業內人士預計第一季度價格將大幅上漲。一些伺服器供應鏈廠商估計第一季度RDIMM價格漲幅可能超過70%甚至80%，因為大多數供應商2026年的產能配額已基本售罄。04.結語：儲存大廠積極抓住AI時代機遇儲存晶片企業若想保持其市場地位，就必須適應AI時代。本周三，SK海力士宣佈將成立一家總部位於美國的新公司，專注於AI解決方案，並承諾至少投入100億美元，以抓住AI新增長引擎帶來的機遇。該公司將通過重組其美國企業級固態硬碟子公司Solidigm來建立新的AI公司。這家美國新實體暫定名為“AI Company”或“AI Co.”，將作為SK集團AI戰略的中心。已經憑藉抓住AI時代紅利崛起的SK海力士，還在持續加快投資步伐，包括已承諾投資近130億美元在韓國建設一座先進封裝廠。三星半導體部門預計AI和伺服器需求將繼續增長，從而帶來更多結構性增長的機會，為此將繼續專注於盈利能力，重點發展高性能產品。 (芯東西)