三星HBM4的良率已從2月量產初期的不到60%攀升至80%,這一進展在HBM供應持續緊張的背景下尤為突出。良率提升的速度超出了三星最初的預期——公司原計畫在2026年底達成80%的目標,但工藝最佳化處理程序顯著提前。
在技術層面,三星在熱壓非導電薄膜(TC-NCF)工藝上取得了關鍵突破。該工藝此前一直是三星HBM生產中的短板,如今已不再是瓶頸。
另一個重要因素是HBM4所依賴的基礎1c DRAM——三星早在今年年初就將1c DRAM的良率推至80%以上,為HBM4的量產鋪平了道路。
隨著良率改善,三星計畫在第三季度將HBM4收入提升兩倍以上,預計2026年下半年HBM4將佔其HBM總銷售額的60%以上。公司的目標是到年底將HBM市場份額提升至約38%,大致與其在整體DRAM市場中的份額持平。