長鑫儲存，未來已來

儲存晶片DRAM市場，長久以來，一直被三星、SK海力士和美光三家巨頭牢牢掌控，形成高度壟斷的“三足鼎立”格局，長期掌控著超過90%的市場份額。對於中國——這個全球最大的電子產品製造與消費國而言，每年數千億人民幣的晶片進口，遠不止是經濟成本，更是在關鍵時刻成為國家資訊安全和產業發展的潛在風險點。

正是在這種極度壓抑的產業背景下，一家名為“長鑫科技”的企業（通常以其核心營運主體“長鑫儲存技術有限公司”而聞名），在2016年於安徽合肥正式成立。全球市場也沒能預料到，這家從零開始的企業，會在不到十年時間內，崛起為中國規模最大、技術最先進的DRAM巨頭，並以“中國DRAM第一股”的身份，於2026年擬募資295億元的規模，正式登錄科創板。它的故事，是融合了國家意志、產業智慧、資本耐心與技術勇氣的宏大敘事，自此開啟了中國在DRAM領域的艱難而堅定的追趕之旅。長鑫科技預計2025年實現營收550億元至580億元，較2024年增長約128%至140%，淨利潤相比往年的虧損，此次有望首次轉正，預計為20億元至35億元。自此，其前期的巨額投入將開始進入收穫期。

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風投城市的產業雄心

長鑫的誕生，離不開兩個關鍵角色的歷史性握手。一是朱一明。作為中國領先的快閃記憶體設計公司兆易創新的創始人，他在Nor Flash領域已證明過產業的成功。但他清醒地認識到，DRAM的產業邏輯截然不同——其技術迭代快、資本投入極重，必須採用IDM模式，將設計、製造、封測全鏈條掌握在自己手中，否則無法建立真正的競爭力和安全壁壘。這需要一位既懂技術、又敢押上全部身家的創業者。二是合肥市。這座因成功投資京東方而被譽為“最牛風投城市”的地方政府，展現了超凡的產業戰略眼光。通過合肥市建設投資控股集團等平台，合肥國資毅然擔當戰略基石的投資者，以真金白銀和巨大耐心，為長鑫儲存扛起了創業初期最沉重的資金壓力，並成功撬動了國家級大基金（國家積體電路產業投資基金）等多元資本入局。一位敢闖的產業領袖，加上一座敢賭的戰略城市，兩者一拍即合，進而共同孕育了長鑫。長鑫自誕生之日，目標就異常清晰：聚焦DRAM，打通全鏈條，實現國產替代。因此，長鑫從一開始就對標國際主流，規劃建設12英吋晶圓廠。2017年，一期廠房以驚人的“合肥速度”迅速完工。如今回望，這條道路投入巨大、風險極高，但也是通向自主可控的唯一路徑。

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19nm工藝的量產突破

在DRAM儲存晶片領域，後來者面對的是美日韓巨頭憑藉數十年積累構築的、近乎密不透風的技術與專利高牆。對於從零開始的長鑫而言，跨越這道鴻溝，需要的不僅是資金和決心，更需要的是一條務實而智慧的路徑。其核心策略是：合法合規地吸收國際已有的技術遺產，並以此為基礎進行快速的自主創新與迭代。因為DRAM的真正難點往往不在於技術原理本身，而在於如何規避巨頭們布下的複雜專利天羅地網。

長鑫的破局點出現在2018年。通過一系列複雜的商業與法律操作，長鑫獲得了已破產的德國晶片巨頭奇夢達（Qimonda）的海量技術遺產。這批資產包括2.8TB的DRAM技術檔案以及約20000份專利（包括5000份以上美國專利）。這不僅為長鑫建立了一道初步的專利護城河，更關鍵的是，它提供了一套體系完整、工程資料詳實的46nm堆疊式DRAM技術基礎，讓長鑫得以繞開與三星、SK海力士的正面專利衝撞，獲得了儲存行業入場資質。

手握基礎技術，長鑫沒有選擇從已被淘汰的製程慢慢爬坡，而是做出了一個極具勇氣的跨代研發策略：直接瞄準當時市場主流的19nm工藝平台進行攻堅。這意味著跳過了多個早期技術代次，將有限的研發資源集中用於攻克最接近市場需求的前沿節點。這是一個風險極高但潛在回報巨大的決策。執行迅速而果斷：2018年，自主研發的8GB DDR4晶片投片；同年12月，工程樣片下線，完成了從圖紙到實物的驚險跳躍。真正的關鍵轉折點在2019年到來：採用19nm工藝的8GB DDR4晶片正式量產，通過多家大客戶驗證，並於年底實現交付，產能達到每月2萬片。這標誌著中國企業在主流DRAM產品上首次實現了歷史性的突破，填補了國內市場的關鍵空白。此舉不僅驗證了長鑫儲存技術路線的可行性，更極大地提振了整個中國半導體產業自主創新的信心。

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10nm等級工藝的進軍

實現19nm量產後，長鑫並未在成熟工藝上停留，而是直接向更複雜的17nm節點發起衝擊。這一戰略決心遠非簡單的尺寸微縮，其核心在於引入了在DRAM製造中難度極高的HKMG（High-K Metal Gate）技術。長鑫通過大量的工程驗證和創新，攻克了該技術與DRAM複雜電容結構、高溫工藝相容的難題，並佈局了多項核心專利。儘管面臨先進EUV光刻裝置的獲取限制，長鑫憑藉在DUV光刻技術上的深度最佳化和溝槽電容器結構上的創新，成功推進了17nm工藝的研發與量產。更激進的是，在下一代產品上，其DDR5直接跳過了17nm，採用了更先進的16nm工藝，展現了高效的技術決策和工程執行力。但這只是漫長征途的第一步。半導體是規模決定成本的行業，沒有足夠的產能，就無法攤薄天量的研發與裝置折舊成本。因此，各節點量產之後，長鑫的故事主題迅速轉變為全方位的“爬坡”——技術爬坡、產能爬坡、市場爬坡。自2019年起，長鑫的月產能從2020年的4.5萬片晶圓，一路攀升至2021年的8.5萬片、2022年的12萬片。產能利用率也從2022年的86%提升至2025年上半年的95%，近乎滿負荷運轉。與此同時，佈局不止於合肥。長鑫在北京投建了新的DRAM項目，形成了兩地三座12英吋晶圓廠的格局。預計到2026年，合肥工廠月產能將至少達18萬片，北京工廠至少12萬片，總月產能將突破30萬片。這一產能規模將穩固其中國第一、全球第四大DRAM製造商的市場地位。有了技術和產能，如何活下去並贏得市場是更殘酷的考驗。面對國際巨頭在伺服器、PC等高端市場的絕對優勢，長鑫採取了靈活務實的發展策略：先從消費電子切入，尤其是智慧型手機市場，再向驗證周期長、門檻高的伺服器領域拓展。自此，憑藉本土化優勢和快速響應的服務，長鑫的LPDDR4X等產品成功打入小米、榮耀等國內一線手機品牌供應鏈，快速打開了國內市場局面。2025年，其全球市場份額已接近5%，主要客戶囊括阿里雲、字節跳動、騰訊、聯想及各大主流手機品牌。雖然目前缺乏海外大廠訂單，但在三星、SK海力士供應受限的背景下，長鑫正成為海外品牌重要的潛在替代選擇。

2024年，長鑫成功實現DDR5產品量產，直接跳過17nm工藝，採用了更先進的16nm工藝，並同步推出了LPDDR5系列產品。預計到2026年，DDR5和LPDDR5/5X將成為其銷售主力（三星、美光、SK海力士分別於2019年、2020年、2021年量產LPDDR5，進而將代際差距顯著縮短至2-4年）。

更具戰略意義的野心在於HBM。長鑫已明確計畫在2026年開始全面量產HBM3產品，預計月產能至少達5萬片。一旦在此領域取得突破，長鑫將真正躋身全球儲存技術的第一梯隊，這場從追趕到並跑的逆襲，才算是真正完成了最為關鍵的一塊拼圖。

從攻克17nm HKMG工藝，到產能狂飆至全球前列，再到以消費電子為支點撬動市場，長鑫儲存的路徑清晰而堅定。它證明了一點：在半導體這場大決戰之中，技術突破、規模製造、市場卡位，缺一不可。如今，隨著DDR5上量、HBM3在即，長鑫的下一個戰場，很大可能將會是與國際巨頭在技術最前沿的正面交鋒。

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高研發下的戰略性虧損

2026年初回望，長鑫科技於2025年底衝刺科創板的IPO，其擬募資295億元的規模，穩坐當年A股IPO募資榜首。這筆巨額資金將投向以下三個大方向：先進製程研發、產能升級、補充流動資金，總投資計畫高達345億元。此次IPO也創下多個紀錄：它是首家適用“預先審閱機制”以保護核心商業秘密的申報企業，同時也是報告期內累計虧損最大的申報企業。

儘管長鑫科技的營收在過去幾年實現了驚人的增長，從2022年的81億元飆升至2024年的239億元，復合年均增長率超過70%——但公司卻深陷戰略性虧損的泥潭。截至IPO前，其累計虧損高達415億元。虧損主要來源於兩方面：一是天文數字般的固定資產折舊，二是持續高強度、不計成本的研發投入。2022年至2025年間，其累計研發投入達190億元，佔累計營收比例超過33%，遠高於行業平均水平。同時，2025年上半年研發費用率達23.7%，高於行業平均值的10.4%，也遠高於三星、SK海力士、美光同期的11.7%、7.4%、10.7%。

這是所有追趕者在產能爬坡和技術攻堅階段的必然代價，進而這種戰略性虧損，是以短期利潤換取長期技術進步和市場地位。

轉機在2025年開始變得清晰。前三季度，長鑫營收達321億元，同比暴增98%。更關鍵的訊號出現在第三季度：其毛利率回升至35%，並首次實現了扣除非經常性損益後的季度盈利。盈利拐點的出現，極大地提振了資本市場對其未來經營能力的信心。與此同時，全球AI算力爆發導致DRAM巨頭將產能轉向利潤更高的HBM等高端產品，進而造成傳統標準型DDR記憶體供應緊張和價格上漲。這為在標準型DRAM領域已有不錯產能的長鑫，提供了一個千載難逢的市場窗口期（2026年-2028年）。

從產品結構看，長鑫的業務版圖正在發生深刻變化，其成長軌跡清晰反映了國產替代的處理程序與市場熱點的遷移：

1）第一階段：消費電子驅動。其產品中，功耗更低的LPDDR系列（主要用於手機、平板）長期佔據營收大頭（70%-80%）。其營收從2022年的64億元飆升至2024年的198億元，兩年增長三倍，增速遠超下游整機出貨量，這強力印證了消費電子儲存晶片的國產替代正在加速。2）第二階段：AI伺服器驅動。2023年後，儲存行業的核心增長引擎已轉向AI。這一點在長鑫的業績中迅速得到驗證：2025年上半年，其主要用於伺服器的DDR系列營收已超2024年全年，營收佔比從2024年的13%，快速拉升至28%。業務重心正從手機向更具潛力的資料中心市場快速傾斜。

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結語

此次發行後，兆易創新將持有長鑫約1.62%股權，並通過“兆易創新設計+長鑫製造”的模式，雙方實現了優勢互補。兆易創新的實際控制人、董事長朱一明先生，同時擔任長鑫科技集團的董事長。這種雙重身份絕非偶然，它確保了兩家公司在最高決策層上能夠實現戰略的高度統一。兆易創新為長鑫的產能提供了穩定的產品出口和技術驗證場景；而長鑫則為兆易創新提供了可靠的產能保障和工藝協同開發能力，使其在供應安全上不再受制於海外代工廠。這種合作已從早期的代銷，深化至長鑫為兆易創新代工自有品牌DRAM，相關採購及委託加工交易額已達可觀規模。2026年，長鑫儲存的裝置國產化率已達近40%，部分環節如刻蝕裝置的國產化率超過50%。這是一個了不起的成就。但是挑戰依然存在，在光刻機、離子注入機、高端量檢測裝置等關鍵環節，國產化率依然很低。這主要是源於國內半導體行業的驗證積累時間相對較短，進而提升國產裝置和材料的性能與可靠性，將是一個需要長期積累的過程。2026年起，長鑫DRAM市場份額將逐步上升至10%，推動全球DRAM市場形成“三星、SK海力士、美光、長鑫”四強市場格局。從合肥的一片工地，到全球DRAM市場的重要位置，長鑫用不到十年時間走過了國際巨頭數十年的路程。它的敘事，遠不止於商業成功，更關乎一個開發中國家在高科技領域尋求尊嚴與自主的頑強意志。IPO是一個新的起點——短期內，長鑫的首要任務是利用募集資金，高效完成既定技術升級和產能最佳化項目，並提升在全球市場中的份額。中期看，長鑫需要證明其不僅能在行業上行周期中分享紅利，更能憑藉技術、成本和客戶關係構築起穿越周期的能力。長期而言，長鑫的願景應是成為全球DRAM產業中不可或缺的領先力量，屆時三分天下有其一。 (新財富)