儲存晶片DRAM市場，長久以來，一直被三星、SK海力士和美光三家巨頭牢牢掌控，形成高度壟斷的“三足鼎立”格局，長期掌控著超過90%的市場份額。對於中國——這個全球最大的電子產品製造與消費國而言，每年數千億人民幣的晶片進口，遠不止是經濟成本，更是在關鍵時刻成為國家資訊安全和產業發展的潛在風險點。正是在這種極度壓抑的產業背景下，一家名為“長鑫科技”的企業（通常以其核心營運主體“長鑫儲存技術有限公司”而聞名），在2016年於安徽合肥正式成立。全球市場也沒能預料到，這家從零開始的企業，會在不到十年時間內，崛起為中國規模最大、技術最先進的DRAM巨頭，並以“中國DRAM第一股”的身份，於2026年擬募資295億元的規模，正式登錄科創板。它的故事，是融合了國家意志、產業智慧、資本耐心與技術勇氣的宏大敘事，自此開啟了中國在DRAM領域的艱難而堅定的追趕之旅。長鑫科技預計2025年實現營收550億元至580億元，較2024年增長約128%至140%，淨利潤相比往年的虧損，此次有望首次轉正，預計為20億元至35億元。自此，其前期的巨額投入將開始進入收穫期。01風投城市的產業雄心長鑫的誕生，離不開兩個關鍵角色的歷史性握手。一是朱一明。作為中國領先的快閃記憶體設計公司兆易創新的創始人，他在Nor Flash領域已證明過產業的成功。但他清醒地認識到，DRAM的產業邏輯截然不同——其技術迭代快、資本投入極重，必須採用IDM模式，將設計、製造、封測全鏈條掌握在自己手中，否則無法建立真正的競爭力和安全壁壘。這需要一位既懂技術、又敢押上全部身家的創業者。二是合肥市。這座因成功投資京東方而被譽為“最牛風投城市”的地方政府，展現了超凡的產業戰略眼光。通過合肥市建設投資控股集團等平台，合肥國資毅然擔當戰略基石的投資者，以真金白銀和巨大耐心，為長鑫儲存扛起了創業初期最沉重的資金壓力，並成功撬動了國家級大基金（國家積體電路產業投資基金）等多元資本入局。一位敢闖的產業領袖，加上一座敢賭的戰略城市，兩者一拍即合，進而共同孕育了長鑫。長鑫自誕生之日，目標就異常清晰：聚焦DRAM，打通全鏈條，實現國產替代。因此，長鑫從一開始就對標國際主流，規劃建設12英吋晶圓廠。2017年，一期廠房以驚人的“合肥速度”迅速完工。如今回望，這條道路投入巨大、風險極高，但也是通向自主可控的唯一路徑。0219nm工藝的量產突破在DRAM儲存晶片領域，後來者面對的是美日韓巨頭憑藉數十年積累構築的、近乎密不透風的技術與專利高牆。對於從零開始的長鑫而言，跨越這道鴻溝，需要的不僅是資金和決心，更需要的是一條務實而智慧的路徑。其核心策略是：合法合規地吸收國際已有的技術遺產，並以此為基礎進行快速的自主創新與迭代。因為DRAM的真正難點往往不在於技術原理本身，而在於如何規避巨頭們布下的複雜專利天羅地網。長鑫的破局點出現在2018年。通過一系列複雜的商業與法律操作，長鑫獲得了已破產的德國晶片巨頭奇夢達（Qimonda）的海量技術遺產。這批資產包括2.8TB的DRAM技術檔案以及約20000份專利（包括5000份以上美國專利）。這不僅為長鑫建立了一道初步的專利護城河，更關鍵的是，它提供了一套體系完整、工程資料詳實的46nm堆疊式DRAM技術基礎，讓長鑫得以繞開與三星、SK海力士的正面專利衝撞，獲得了儲存行業入場資質。手握基礎技術，長鑫沒有選擇從已被淘汰的製程慢慢爬坡，而是做出了一個極具勇氣的跨代研發策略：直接瞄準當時市場主流的19nm工藝平台進行攻堅。這意味著跳過了多個早期技術代次，將有限的研發資源集中用於攻克最接近市場需求的前沿節點。這是一個風險極高但潛在回報巨大的決策。執行迅速而果斷：2018年，自主研發的8GB DDR4晶片投片；同年12月，工程樣片下線，完成了從圖紙到實物的驚險跳躍。真正的關鍵轉折點在2019年到來：採用19nm工藝的8GB DDR4晶片正式量產，通過多家大客戶驗證，並於年底實現交付，產能達到每月2萬片。這標誌著中國企業在主流DRAM產品上首次實現了歷史性的突破，填補了國內市場的關鍵空白。此舉不僅驗證了長鑫儲存技術路線的可行性，更極大地提振了整個中國半導體產業自主創新的信心。0310nm等級工藝的進軍實現19nm量產後，長鑫並未在成熟工藝上停留，而是直接向更複雜的17nm節點發起衝擊。這一戰略決心遠非簡單的尺寸微縮，其核心在於引入了在DRAM製造中難度極高的HKMG（High-K Metal Gate）技術。長鑫通過大量的工程驗證和創新，攻克了該技術與DRAM複雜電容結構、高溫工藝相容的難題，並佈局了多項核心專利。儘管面臨先進EUV光刻裝置的獲取限制，長鑫憑藉在DUV光刻技術上的深度最佳化和溝槽電容器結構上的創新，成功推進了17nm工藝的研發與量產。更激進的是，在下一代產品上，其DDR5直接跳過了17nm，採用了更先進的16nm工藝，展現了高效的技術決策和工程執行力。但這只是漫長征途的第一步。半導體是規模決定成本的行業，沒有足夠的產能，就無法攤薄天量的研發與裝置折舊成本。因此，各節點量產之後，長鑫的故事主題迅速轉變為全方位的“爬坡”——技術爬坡、產能爬坡、市場爬坡。自2019年起，長鑫的月產能從2020年的4.5萬片晶圓，一路攀升至2021年的8.5萬片、2022年的12萬片。產能利用率也從2022年的86%提升至2025年上半年的95%，近乎滿負荷運轉。與此同時，佈局不止於合肥。長鑫在北京投建了新的DRAM項目，形成了兩地三座12英吋晶圓廠的格局。預計到2026年，合肥工廠月產能將至少達18萬片，北京工廠至少12萬片，總月產能將突破30萬片。這一產能規模將穩固其中國第一、全球第四大DRAM製造商的市場地位。有了技術和產能，如何活下去並贏得市場是更殘酷的考驗。面對國際巨頭在伺服器、PC等高端市場的絕對優勢，長鑫採取了靈活務實的發展策略：先從消費電子切入，尤其是智慧型手機市場，再向驗證周期長、門檻高的伺服器領域拓展。自此，憑藉本土化優勢和快速響應的服務，長鑫的LPDDR4X等產品成功打入小米、榮耀等國內一線手機品牌供應鏈，快速打開了國內市場局面。2025年，其全球市場份額已接近5%，主要客戶囊括阿里雲、字節跳動、騰訊、聯想及各大主流手機品牌。雖然目前缺乏海外大廠訂單，但在三星、SK海力士供應受限的背景下，長鑫正成為海外品牌重要的潛在替代選擇。2024年，長鑫成功實現DDR5產品量產，直接跳過17nm工藝，採用了更先進的16nm工藝，並同步推出了LPDDR5系列產品。預計到2026年，DDR5和LPDDR5/5X將成為其銷售主力（三星、美光、SK海力士分別於2019年、2020年、2021年量產LPDDR5，進而將代際差距顯著縮短至2-4年）。更具戰略意義的野心在於HBM。長鑫已明確計畫在2026年開始全面量產HBM3產品，預計月產能至少達5萬片。一旦在此領域取得突破，長鑫將真正躋身全球儲存技術的第一梯隊，這場從追趕到並跑的逆襲，才算是真正完成了最為關鍵的一塊拼圖。從攻克17nm HKMG工藝，到產能狂飆至全球前列，再到以消費電子為支點撬動市場，長鑫儲存的路徑清晰而堅定。它證明了一點：在半導體這場大決戰之中，技術突破、規模製造、市場卡位，缺一不可。如今，隨著DDR5上量、HBM3在即，長鑫的下一個戰場，很大可能將會是與國際巨頭在技術最前沿的正面交鋒。04高研發下的戰略性虧損2026年初回望，長鑫科技於2025年底衝刺科創板的IPO，其擬募資295億元的規模，穩坐當年A股IPO募資榜首。這筆巨額資金將投向以下三個大方向：先進製程研發、產能升級、補充流動資金，總投資計畫高達345億元。此次IPO也創下多個紀錄：它是首家適用“預先審閱機制”以保護核心商業秘密的申報企業，同時也是報告期內累計虧損最大的申報企業。儘管長鑫科技的營收在過去幾年實現了驚人的增長，從2022年的81億元飆升至2024年的239億元，復合年均增長率超過70%——但公司卻深陷戰略性虧損的泥潭。截至IPO前，其累計虧損高達415億元。虧損主要來源於兩方面：一是天文數字般的固定資產折舊，二是持續高強度、不計成本的研發投入。2022年至2025年間，其累計研發投入達190億元，佔累計營收比例超過33%，遠高於行業平均水平。同時，2025年上半年研發費用率達23.7%，高於行業平均值的10.4%，也遠高於三星、SK海力士、美光同期的11.7%、7.4%、10.7%。這是所有追趕者在產能爬坡和技術攻堅階段的必然代價，進而這種戰略性虧損，是以短期利潤換取長期技術進步和市場地位。轉機在2025年開始變得清晰。前三季度，長鑫營收達321億元，同比暴增98%。更關鍵的訊號出現在第三季度：其毛利率回升至35%，並首次實現了扣除非經常性損益後的季度盈利。盈利拐點的出現，極大地提振了資本市場對其未來經營能力的信心。與此同時，全球AI算力爆發導致DRAM巨頭將產能轉向利潤更高的HBM等高端產品，進而造成傳統標準型DDR記憶體供應緊張和價格上漲。這為在標準型DRAM領域已有不錯產能的長鑫，提供了一個千載難逢的市場窗口期（2026年-2028年）。從產品結構看，長鑫的業務版圖正在發生深刻變化，其成長軌跡清晰反映了國產替代的處理程序與市場熱點的遷移：1）第一階段：消費電子驅動。其產品中，功耗更低的LPDDR系列（主要用於手機、平板）長期佔據營收大頭（70%-80%）。其營收從2022年的64億元飆升至2024年的198億元，兩年增長三倍，增速遠超下游整機出貨量，這強力印證了消費電子儲存晶片的國產替代正在加速。2）第二階段：AI伺服器驅動。2023年後，儲存行業的核心增長引擎已轉向AI。這一點在長鑫的業績中迅速得到驗證：2025年上半年，其主要用於伺服器的DDR系列營收已超2024年全年，營收佔比從2024年的13%，快速拉升至28%。業務重心正從手機向更具潛力的資料中心市場快速傾斜。05結語此次發行後，兆易創新將持有長鑫約1.62%股權，並通過“兆易創新設計+長鑫製造”的模式，雙方實現了優勢互補。兆易創新的實際控制人、董事長朱一明先生，同時擔任長鑫科技集團的董事長。這種雙重身份絕非偶然，它確保了兩家公司在最高決策層上能夠實現戰略的高度統一。兆易創新為長鑫的產能提供了穩定的產品出口和技術驗證場景；而長鑫則為兆易創新提供了可靠的產能保障和工藝協同開發能力，使其在供應安全上不再受制於海外代工廠。這種合作已從早期的代銷，深化至長鑫為兆易創新代工自有品牌DRAM，相關採購及委託加工交易額已達可觀規模。2026年，長鑫儲存的裝置國產化率已達近40%，部分環節如刻蝕裝置的國產化率超過50%。這是一個了不起的成就。但是挑戰依然存在，在光刻機、離子注入機、高端量檢測裝置等關鍵環節，國產化率依然很低。這主要是源於國內半導體行業的驗證積累時間相對較短，進而提升國產裝置和材料的性能與可靠性，將是一個需要長期積累的過程。2026年起，長鑫DRAM市場份額將逐步上升至10%，推動全球DRAM市場形成“三星、SK海力士、美光、長鑫”四強市場格局。從合肥的一片工地，到全球DRAM市場的重要位置，長鑫用不到十年時間走過了國際巨頭數十年的路程。它的敘事，遠不止於商業成功，更關乎一個開發中國家在高科技領域尋求尊嚴與自主的頑強意志。IPO是一個新的起點——短期內，長鑫的首要任務是利用募集資金，高效完成既定技術升級和產能最佳化項目，並提升在全球市場中的份額。中期看，長鑫需要證明其不僅能在行業上行周期中分享紅利，更能憑藉技術、成本和客戶關係構築起穿越周期的能力。長期而言，長鑫的願景應是成為全球DRAM產業中不可或缺的領先力量，屆時三分天下有其一。 (新財富)

美光是全球最大的記憶體製造商之一，在人工智慧（AI）和消費級市場均憑藉行業領先的產品佔據主導地位。隨著AI領域對DRAM（動態隨機存取儲存器）模組的需求激增，有一種觀點認為記憶體供應商應對此局面負責。近日，美光行銷、移動及客戶端業務部門副總裁克里斯托弗·穆爾在接受採訪時介紹了記憶體短缺的相關情況。儘管投入巨大，記憶體短缺2028年前難有改善對於美光為何退出了“英睿達（Crucial）”消費級業務，記憶體供應商是否更傾向於服務AI領域而忽視消費者？穆爾的回應如下：  “首先，我希望幫助大家理解，至少從我們的角度來看，這種認知可能並不完全精準。我從不希望指手畫腳或否定他人的想法，但我們的立場是始終致力於為全球消費者提供支援，只是換了不同的管道。我們在客戶端和移動市場仍保有相當規模的業務，同時也在為資料中心客戶提供服務。”“當前，資料中心的總體潛在市場（TAM）正以驚人的速度增長，作為企業，我們也希望助力這一市場的發展。”  美光表示，其原始裝置製造商（OEM）消費級管道佔據了公司市場份額的很大一部分。可能有部分使用者對此並不瞭解：美光直接向戴爾、華碩等整合商供應LPDDR5等記憶體模組，這些製造商隨後會將這些模組重新封裝到自己的產品設計中。穆爾稱，儘管退出英睿達業務給外界造成了“美光拋棄消費者”的印象，但實際上，這家美國製造商通過OEM模式仍在消費級供應鏈中佔據重要地位。穆爾表示，美光與所有PC品牌都保持著記憶體模組供應合作，但目前無法忽視來自AI領域的需求。美光及其他廠商紛紛佈局AI行業的核心原因是，DRAM製造商的總體潛在市場（TAM）正快速擴張，從商業角度而言，美光無法忽視這一領域日益增長的需求。“目前，各類資料中心正在加速建設，企業級或資料中心業務的總體潛在市場（TAM）佔比不斷提升——過去是30%、35%，後來達到40%，如今已增至50%、60%，整個市場對儲存容量的需求遠超以往。而整個行業都面臨供應短缺的問題，這一點值得大家理解。”  “這並非美光一家的問題，而是全行業的挑戰。我們與同行及競爭對手都在盡力滿足這些領域的需求，但供應總量確實無法覆蓋所有需求，這是一個非常遺憾的局面。但我認為至關重要的是，大家要知道我們仍在服務消費級市場。”在訪談中，穆爾強調AI領域的重要性不容忽視，但與此同時，美光也在盡最大努力滿足消費者需求。不幸的是，DRAM需求的突然激增導致了短缺，讓美光等企業幾乎沒有時間調整供應鏈。為何工廠擴建無法短期內解決記憶體短缺談及產能擴張，這絕非簡單地在供應鏈中添置新裝置就能增加DRAM產量。美光表示，當前短缺問題的核心癥結在於需要解決記憶體模組的容量多樣性需求——簡單來說，若蘋果同時需要8GB、12GB和16GB的模組，美光就必須切換裝置以滿足不同產出要求，這會導致產能下降。在AI熱潮興起前，供應商別無選擇，只能滿足各類定製需求，但如今市場格局已發生變化。“大家可以想像一下：如果一家工廠的多台裝置都在生產某一種晶片，之後卻不得不停止這些裝置，轉而生產另一種晶片，產出量必然會減少。實際情況雖更為複雜，但這是最通俗易懂的解釋。目前我們正在努力減少晶片的生產種類，儘可能降低差異化產品的數量，以最大化產能。同時，我們也在與客戶溝通協作。”“我們會告訴客戶：‘我們理解你們過去希望將記憶體從12GB升級到16GB，或從16GB升級到24GB，但這類頻繁調整會導致我們的產能下降。’因此，我們正與客戶合作，力求需求穩定，從而實現供應穩定，進而最大化產能。”  這一表述也印證了此前的報導——筆記型電腦和智慧型手機製造商目前正考慮限制記憶體配置選項。對美光而言，這是短期內確保穩定產能利用率的最佳解決方案。更重要的是，在AI熱潮下，鑑於客戶對計算能力的要求，DRAM代際切換的需求比以往任何時候都更為迫切，這意味著美光需要更頻繁地調整新裝置和生產機制。穆爾表示，美光的工廠擴建計畫要到2028年才能產生實質性效果。因為工廠建設和客戶認證需要大量時間，且AI客戶對技術和產能利用率的要求極高，新建工廠的流程變得更為複雜。“相關擴建計畫確實在推進中。但要大幅提升儲存容量產出，需要更多潔淨室空間，而這需要耗費大量時間。三年前，美光在愛達荷州的ID1工廠破土動工，原計畫2027年底投產，現已提前至2027年年中。但即便如此，在完成所有資質認證、客戶驗收、裝置偵錯及全面投產等工作後，要實現真正有意義的產出，還得等到2028年。”記憶體製造商們正爭相建設新的生產線，但流程限制最終迫使他們將時間表推遲多個季度。這意味著對普通消費者而言，DRAM短缺可能還會持續相當長一段時間，至少在AI需求開始回落之前難以緩解。美光與中國市場中國的長鑫儲存（CXMT）推出了DDR5解決方案，並計畫進行大規模首次公開募股（IPO）。長鑫儲存是全球第四大DRAM製造商，據報導其具備擴大DRAM產量的充足資源，因此有消息稱惠普可能會將長鑫儲存的記憶體模組整合到其消費級產品中。在被問及美光是否認為中國供應商會搶佔其在消費級市場的份額。穆爾表示，美光歡迎來自全球任何地區的競爭。“中國本土的供應能力多年來一直在逐步提升，這些廠商在其專注的市場領域表現出色。”“他們並非覆蓋所有市場，但在目標領域做得非常好。在我看來，競爭能讓我們變得更強大——我一直秉持這一觀點。如果遇到競爭，我們需要挺身而出、積極應對、精益求精。因此，我歡迎來自任何地區的競爭，無論其源自何處。這只會讓我們公司變得更好，也能幫助我們更優質地服務客戶。”美光表態明確，記憶體短缺前路漫漫 我們與美光的訪談聚焦於記憶體短缺的核心問題，尤其是從消費級市場的角度出發。綜合討論內容可以得出一個明確結論：DRAM短缺短期內不會消失。無論是供應商、原始裝置製造商（OEM）還是供應鏈中的其他環節，都處於困境之中，可供選擇的解決方案寥寥無幾。  與所有供應商一樣，美光正通過工廠擴建、DRAM工藝升級和供應鏈最佳化等措施來確保穩定供應，但這些努力的“成果”還需要很長時間才能惠及普通消費者。 (半導縱橫)

The Chinese Company Taking On the World’s Memory-Chip Giants隨著人工智慧需求推高價格，CXMT克服了華盛頓的限制，與美光和韓國領先企業展開競爭。長鑫儲存的首款 12 英吋 DRAM 記憶體晶圓在中國合肥舉行的 2024 年世界製造業大會上展出。在中國合肥舉辦的一場展會上，DRAM記憶體晶圓正在展出。 圖片來源：Cfoto/DDP/Zuma Press中國儲存晶片製造領域的全國領軍企業在取得重大技術進步後，正準備進行 40 億美元的股票發行，這顛覆了由韓國和美國公司主導的行業格局。長鑫儲存科技（CXMT）此次推出的晶片供應是本世紀晶片製造商規模最大的供應之一，對於在人工智慧熱潮期間記憶體晶片短缺的科技公司來說，這無疑是個好消息。人工智慧資料中心一直在佔用原本用於電腦、遊戲機和智慧型手機製造商的晶片產能，從而推高了美國消費者的晶片價格。儘管CXMT計畫提高產量並表示希望拓展國際業務，但地緣壁壘依然很高。歷屆美國政府都收緊了對中國晶片製造商的限制。記憶體晶片就像為電腦引擎供油的燃油管路。隨著美國輝達等公司生產的人工智慧引擎性能越來越強，它們需要更多的記憶體，包括傳統的記憶體和一種叫做高頻寬記憶體的先進記憶體。據市場研究公司 TrendForce 預測，一台 AI 伺服器現在使用的動態隨機存取儲存器比整個筆記型電腦群使用的還要多，而且本季度傳統 DRAM 的價格預計將比上一季度上漲 50% 以上。直到最近，全球DRAM市場一直由三家公司主導——三星、SK海力士和總部位於美國的Micron Technology。這些製造商已將重心轉向利潤更高的AI記憶體晶片，而Micron正在退出部分消費市場。這為CXMT打開了機會之門。該公司成立於十年前，當時一家中國國有企業收購美光科技的嘗試失敗。合肥市政府決定建立自己的DRAM製造商。該公司目前由在美國接受過晶片工程師培訓的朱一明領導，獲得了國家科技基金和包括阿里巴巴和小米在內的一眾中國科技巨頭的支援。CXMT在12月底表示，已提交在上海證券交易所（類似於納斯達克）上市的計畫，目標是籌集相當於40億美元的資金。分析師表示，近期的融資已使該公司的估值超過200億美元。CXMT是中國半導體行業眾多明星企業之一，政府希望這些企業能在與美國的貿易戰中提升中國的自給自足能力。從製造專家中芯國際到裝置製造商AMEC，北京正在推動該行業開發美國及其盟友生產的各種產品的本土替代品。CXMT的招股說明書顯示，該公司在短短幾年內就從原型階段迅速發展到量產階段。其營收在兩年內增長近三倍，預計到2024年將超過30億美元。分析師表示，其工藝技術已與行業領先者相差一到兩代，並且該公司在全球DRAM市場的份額（按營收計）已上升至約5%。儘管美國限制中國獲取先進晶片製造裝置，但中國仍然取得了進展。“面對美國對記憶體的最終用途管制，CXMT 所取得的進展令業界感到驚訝，”諮詢公司 DGA-Albright Stonebridge Group 的技術政策負責人Paul Triolo表示。Triolo表示，如果CXMT能夠向華為供應高頻寬記憶體晶片，美國的擔憂將會加劇，因為華為的AI處理器是中國最接近輝達AI加速器的國產替代品。美國現行法規並未禁止美國公司與 CXMT 進行業務往來，但美國立法者已經表達了他們的不安。華盛頓戰略與國際研究中心高級顧問格雷戈裡·艾倫表示，CXMT對用於人工智慧計算的高頻寬記憶體的追求尤其令人擔憂。他指出，近年來，美國的出口管制措施阻礙了華為獲取HBM晶片，而像CXMT這樣的公司填補這一空白對北京來說將極其重要。“CXMT的崛起意味著中國國內人工智慧晶片製造業的崛起，”艾倫說。公司首席執行長朱先生畢業於清華，後赴紐約就讀於紐約州立大學石溪分校。他曾在矽谷工作，此前還創辦了一家中國專用儲存晶片製造商。十多年前，朱在接受清華大學雜誌採訪時表示：“誰在儲存器技術領域領先，誰就能主宰整個積體電路產業。” (invest wallstreet)

近期供應鏈消息傳出，中國DRAM大廠長鑫儲存，將“加速縮減”DDR4產能，原本2026年底保留單月2萬片DDR4產能，但隨著DDR5及新製程推進順利，或再減至1萬片產能。今年記憶體晶片是暴漲的，其中以DDR4漲的最猛，16GB的DDR4今年漲了700%以上，8GB規格的也漲了500%以，而DDR5、DDR3漲的相對少一些。DDR4為何漲的這麼猛，一方面是因為市場還有需求，很多老款一點的CPU，還在支援DDR4記憶體，所以市場需求還是相當大的。但另外一方面，則是今年上半年的時候，三星、美光、SK海力士等，則宣佈要停產DDR4記憶體。所以一下子，引發了管道的恐慌，整個供需關係打破了，有些管道開始提前囤貨，再加疊加市場需求，導致市場需求大，而產能又跟不上，所以DDR4在今年暴漲。而就算DDR4暴漲，三星、美光、SK海力士等，也不可能再去擴產DDR4了，因為這是註定要被淘汰的產品了，現如今AMD\INTEL的新CPU，都不再支援DDR4，只支援DDR5了。所以DDR4就這樣漲了一年，大家預測到2026年DDR4的價格可能會得到抑制。另市場消息稱，長鑫儲存也無意“戀戰”DDR4，原內部規劃在2026年底保留單月2萬片產能，主要提供給兆易創新的代工需求，但產能規劃可能再調整，降低DDR4產能供應的腳步加快，預計將減少至1萬片規模，加速進攻DDR5/LPDDR5。由於伺服器需求推動記憶體產業加速升級，近來長鑫儲存發表新一代DDR5與LPDDR5X產品，性能表現對標三星電子（Samsung Electronics）、SK海力士（SK Hynix），並預計從2026年起全面量產。外界預期，長鑫儲存2026年超過90%的產能將轉向新製程，快速跟上“記憶體超級循環周期”的成長列車，而長鑫儲存的總投片量，預計2026年將達到30萬片，屬於既有產能規劃，短期內對於緩解DRAM供不應求的實質幫助非常有限。儘管DDR4價格居高不下，從9月初至今的現貨價已上漲2倍多，近半年來現貨市場價格也明顯高於DDR5，但受限於DDR5供貨也同樣吃緊，DDR5價格漲幅也呈現倍數調漲，業界認為，DDR4合約價可望延續高檔至2026年底，後續維持賣方市場。 (半導體行業圈)

12月1日，香港《亞洲時報》等主要外媒報導稱，"日本似乎已從本月中旬起全面停止向中國出口光刻膠的出貨"。儘管日本政府和企業並未正式宣佈此事，但日本和中國業界已普遍將其視為既定事實。有評價指出，此次措施的具體實施範圍已明確到佳能、尼康、三菱化學等具體企業名稱的程度。《亞洲時報》稱此次中斷是"中國擔憂的最壞情況"。當前半導體市場不僅限於 HBM，通用 DRAM需求也同時激增，正處於全面供應短缺的局面，這被認為是中國企業加速成長的時機。雖然 CXMT和SMIC基於政府支援擴大生產能力，與這一趨勢相吻合，但日本光刻膠出口中斷的情況被指直接動搖擴產計畫。若核心材料採購變得不穩定，中國儲存器的市場進入速度也可能受到影響這有可能引發全球供應鏈重組及整體價格結構的變化。另一方面，此次事件也被視為加劇了日本本土企業與中國之間的距離，同時反而強化了韓國與日本供應鏈聯絡更加緊密的趨勢。隨著日本對光刻膠的控制加大中國企業的採購不確定性，韓國企業愈發需要加強與日本中小企業的穩定合作結構，實際上兩國企業間的合作範圍也在擴大。有分析認為，隨著與日本的技術和材料聯絡加強，韓國更有可能在中國與日本之間確立為半導體供應鏈的核心軸。日本此舉被認為中日衝突加劇的背景下，影響已蔓延至半導體供應鏈的訊號。日本正通過限制其優勢領域——部件、材料向中國流入的方式加大施壓，而韓國業界也在密切關注，若此類衝突給中國半導體生產帶來變數，將對韓國企業產生何種影響。光刻膠是一種對光反應後化學性質發生變化的“感光物質”。特別具有將光線聚集到一處的特性，因此在半導體工藝的初期階段“光刻工藝”中被廣泛用作核心材料。塗覆在晶圓上後，能將射向晶圓的光線集中到一點，從而幫助繪製精細的電路圖案。日本在全球光刻膠市場佔據超過70%的份額，地位獨步天下。正因如此，當在政治、經濟領域與其他國家發生衝突時，日本政府最先拿出的施壓手段往往就是光刻膠。2019年將韓國從白名單(出口審查優待國)中排除時，日本在半導體領域最先封鎖的也正是光刻膠。有分析認為，近期展現活力的中國半導體產業整體也將失去活力。日本的感光劑出貨中斷被評價為讓中國連製造各種半導體的第一顆紐扣都無法扣上，更是如此。中芯國際等在全球市場份額中反彈的晶圓代工(半導體委託生產)，以及長鑫儲存等記憶體企業，預計都將受到不小的打擊。業界相關人士表示:“特別是記憶體，近期隨著 DRAM 價格的暴漲，長鑫儲存等中國企業正顯示出增建工廠、擴大產能的動向，但日本的出口限制措施也可能成為絆腳石。”日本對中國的半導體相關出口管制，可能從光刻膠開始逐步擴大範圍。據日本《日經新聞》報導，日本代表性半導體企業“鎧俠”最近已停止進口中國產的 DRAM等儲存器。公司一名高管解釋稱:“出於質量和安全方面的擔憂我們停止了進口。 (半導體材料與工藝裝置)

11月23日，在第二十二屆中國國際半導體博覽會上，長鑫儲存發佈了DDR5和LPDDR5X兩大產品系列。其中，DDR5產品最高速率達8000Mbps，最高顆粒容量為24Gb，並配套推出UDIMM、SODIMM、CUDIMM、CSODIMM、RDIMM、MRDIMM和TFF MRDIMM等七種模組產品，應用場景覆蓋伺服器、工作站及個人電腦。與此同時，長鑫儲存還推出了LPDDR5X產品線，其最高速率可達10667Mbps，最高顆粒容量為16Gb，並提供從12GB到32GB的多種容量方案，進一步豐富了其在移動儲存領域的佈局，也就是說，長鑫儲存終於殺出來了。此次發佈標誌著中國國產DRAM晶片在技術參數上已接近國際主流水平，但長鑫儲存在全球市場份額方面仍處於追趕階段，並面臨國際巨頭的壟斷和供應鏈限制等壓力。目前，長鑫儲存正通過快速擴產來提升市場地位。據Trendforce資料顯示，到2025年底，該公司產能將達到30萬片/月，同比增長近50%。Counterpoint資料顯示，長鑫儲存今年DRAM出貨量同比增長50%，市場份額預計將從一季度的6%提升至四季度的8%。在細分市場方面，長鑫儲存DDR5市場份額預計從一季度不足1%上升至年底的7%，LPDDR5市場份額從0.5%增至9%。長鑫儲存相關負責人表示，DRAM需求的增長對市場供給和價格產生了較大影響，中國需要穩定的中國國產DRAM產能供應，通過產能擴張和規模效應來減少對海外廠商的依賴。全球DRAM市場集中度較高，三星、海力士、美光三家企業合計市佔率超過90%。根據興業證券研報分析，儲存晶片具有大宗商品屬性，價格呈現周期性波動特徵。近期，儲存晶片價格持續上漲。據DRAMexchange資料，DDR5現貨平均價格從9月底的7.676美元升至11月初的20.938美元，同時DDR4和NAND合約平均價格在9月也環比上漲了11%。因此，三星電子在11月調整了部分儲存晶片的價格，較9月漲幅最高達60%。SanDisk也在11月將NAND Flash合約價上調了50%，並預測NAND供需緊張狀況或將持續至2026年底。交銀國際研報進一步指出，DRAM價格強勢將至少延續至2026年三季度。長城證券分析認為，此次價格上漲主要源於頭部廠商對供應的調控以及AI需求推動產能向高階工藝轉移，導致傳統消費級儲存產能受到擠壓。值得注意的是，長鑫儲存的母公司——長鑫科技集團，其上市處理程序正在積極推進中。中國證監會官網10月發佈的資訊顯示，長鑫科技的上市輔導狀態已變更為“輔導工作完成”。此次輔導由中金公司與中信建投共同負責，從7月啟動輔導到完成，歷時約3個月。根據2024年3月的戰略融資情況，長鑫科技的估值約為1400億元。天眼查資訊顯示，長鑫科技成立於2016年，註冊資本約601.93億元，其股東包括基石資本、阿里巴巴等知名機構。具體來看，合肥清輝集電企業管理合夥企業、合肥長鑫積體電路以及國家積體電路產業投資基金二期位列前三大股東，持股比例分別為24.32%、12.43%和9.80%。與此同時，兆易創新與長鑫科技保持著密切的合作關係。兆易創新董事長朱一明曾擔任長鑫儲存首席執行官，並現任長鑫科技董事長。2024年3月，兆易創新更是以15億元參與了長鑫科技的新一輪融資，本輪融資投前估值約1399.82億元，增資價格為2.61元/每一元註冊資本。本輪融資包括合肥長鑫積體電路、合肥產投壹號股權投資合夥企業、建信金融資產投資等多名投資人，融資規模合計108億元。此外，兆易創新自2019年起便與長鑫集團開展DRAM業務合作，從長鑫儲存等子公司採購代工生產的DRAM產品，並在2025年度預計達成1.61億美元的交易額度。中信證券指出，DRAM市場目前仍由韓美廠商佔據主導地位，但長鑫儲存的技術正在加速追趕。其產能在2024年實現了翻倍增長，未來若成功上市，有望進一步推動擴產，並逐步提升裝置中國國產化率。在這樣的背景下，長鑫儲存已推出多款商用DRAM產品，應用於移動終端、電腦、伺服器、虛擬現實和物聯網等領域。今年10月，長鑫儲存宣佈量產LPDDR5X產品。其中8533Mbps和9600Mbps速率產品已於5月實現量產，而10667Mbps速率產品也已啟動客戶送樣。現如今，長鑫儲存依託中國大陸的成本和規模優勢，在技術迭代與產品佈局方面正逐步縮小與國際廠商的差距。 (AI硅基未來)

據外媒報導，在中國廠商長鑫儲存在 IC China 正式發佈最新 DDR5 和 LPDDR5X 產品後， 韓國媒體Business Korea 援引專家觀點分析認為，儲存晶片領域，中國與韓國的差距正在拉平之中。Business Korea 報導稱：長鑫儲存的 DDR5 最高速率達 8,000Mbps、最高顆粒容量 24Gb，性能可媲美三星和 SK 海力士最新 DRAM。今年稍早時，市場曾出現由中國企業生產的少量 DDR5 產品，但這次是長鑫儲存作為代表，首度正式展示實際產品。韓國半導體產業人士指出，長鑫儲存展示 DRAM 性能值得關注，其 DDR5 最大速度 8,000 Mbps，比上一代產品（6,400 Mbps）提升 25%，在技術路線上至少已追上韓國 DRAM 公司。長鑫儲存的性能足以應用於搭載最先進 CPU 的伺服器。Business Korea 還引述日經及研調機構 Counterpoint Research 的資料稱，長鑫儲存第三季 DRAM 市佔率達 8%，排名第四。在 NAND 部分，另一家中國廠商長江儲存第三季市佔率為 13%。長鑫儲存 DRAM 月產能為 27 萬片，約三星（64 萬片）和 SK 海力士（51 萬片）的 42–53%。外界預期，長鑫儲存全面量產 DDR5 與 LPDDR5X 有望降低儲存器熱潮的強度，但也將衝擊韓國公司在中國的銷售。Business Korea 報導指出：以去年為例，韓國兩間公司在中國的總銷售額為 87 兆 3,000 億韓圜（1億韓元大約為50萬人民幣，即接近4300億元人民幣），約佔兩家公司合計總銷售額的 23.7%。由於美國封鎖 EUV 等關鍵裝置出口中國，中國廠商技術發展有所受限，但與韓國在通用 DRAM 市場的技術差距約不到一年。長鑫儲存內部人士表示，新產品將成為替代方案，降低對海外公司的依賴。Business Korea 認為，隨著 2030 年迎來 3D DRAM 時代，競爭關係可能又會出現變數。3D DRAM 是將儲存晶片單元向上堆迭的產品，當 3D DRAM 時代來臨時，對 EUV 曝光裝置的需求將下降，這可能成為中國廠商超車的機會。韓國中國經濟與金融研究院院長 Jeon Byeong-seo 認為，如果五年後能商業化不需 EUV 的製程技術，目前的技術差距可能瞬間縮小。首爾大學材料科學與工程系 Hwang Cheol-seong 教授也表示，單看儲存晶片技術水平，韓國與中國的差距幾乎已經消失。當不需要 EUV 曝光裝置的 3D DRAM 時代在五年後到來時，中國將進一步崛起。 (芯聞眼)

周末，儲存晶片領域傳來一則好消息！11月23日，在第二十二屆中國國際半導體博覽會（IC China）上，長鑫儲存發佈了最新的DDR5產品系列，最高速率達8000Mbps，最高顆粒容量24Gb。同時，長鑫儲存還在現場展示了最高速率10667 Mbps、最高顆粒容量16Gb的最新LPDDR5X移動端記憶體。多家行業媒體稱，上述兩大產品系列速率、容量雙維度均位居業界第一梯隊，標誌著國產儲存晶片具備與國際一線大廠同台競技的技術實力。長鑫儲存發佈DDR5記憶體新品據長鑫儲存官網消息，在11月23日開幕的第二十二屆中國國際半導體博覽會（IC China）上，長鑫儲存以“雙芯共振，5力全開”為主題，首次全面展示DDR5和LPDDR5X兩大產品線最新產品。長鑫儲存發佈了最新的DDR5產品系列：最高速率達8000Mbps，最高顆粒容量24Gb，並推出UDIMM、SODIMM、CUDIMM、CSODIMM、RDIMM、MRDIMM、TFF MRDIMM等七大模組及新型產品，覆蓋伺服器、工作站及個人電腦等全場景領域，滿足各領域的高端市場需求。長鑫儲存同台展出了近期發佈的LPDDR5X產品，該系列針對移動市場旗艦產品，最高速率10667Mbps，最高顆粒容量16Gb，並涵蓋12GB、16GB、24GB、32GB等容量的多種封裝解決方案。長鑫儲存表示，公司通過DDR與LPDDR雙線創新突破，將進一步豐富全球儲存晶片的供給，為下遊客戶創造多元價值選擇。長鑫儲存將持續深耕技術迭代，精準響應市場需求，以自主實力引領產業生態協同升級。公開資料顯示，長鑫儲存是一家一體化儲存器製造公司，專注於動態隨機存取儲存晶片（DRAM）的設計、研發、生產和銷售。長鑫儲存總部位於安徽合肥，在國內外擁有多個研發中心和分支機構。長鑫儲存已推出多款DRAM商用產品，廣泛應用於移動終端、電腦、伺服器、虛擬現實和物聯網等領域。今年10月 ，長鑫儲存宣佈已量產LPDDR5X產品。當時，長鑫儲存在IEEE 2025 ASICON會議上分享了LPDDR5X產品的最新進展。目前，長鑫儲存LPDDR5X的產品陣容包括顆粒、晶片及模組等形態。其中顆粒包括12Gb和16Gb兩個容量點。晶片形態提供了覆蓋12GB、16GB、24GB等多個容量點的解決方案。模組形態的LPCAMM產品容量為16GB和32GB。LPDDR5X產品的速率覆蓋了8533Mbps、9600Mbps、10667Mbps，同時相容LPDDR5。長鑫儲存透露，目前，8533Mbps和9600Mbps速率的LPDDR5X產品已於今年5月量產，10667Mbps速率的產品已經啟動客戶送樣。儲存晶片價格持續上漲最近幾個月，全球儲存晶片價格持續上漲。據DRAMexchange資料，近期主要儲存原廠陸續暫停DDR5合約報價，DDR5（16Gb）現貨平均價格已從9月底的7.676美元升至11月7日的20.938美元。DDR4（8Gb）和NAND（128Gb MLC）的合約平均價格也在9月環比上漲11%。儲存廠SanDisk（閃迪）在11月將NAND Flash合約價上調50%，公司在11月公佈強勁業績的同時，預測NAND供不應求的趨勢或將持續到2026年年底。另外，有消息稱，受全球人工智慧資料中心建設熱潮影響，三星電子11月大幅上調部分儲存晶片價格，較9月份漲幅最高達60%。作為全球最大的儲存晶片製造商，三星曾在10月決定推遲正式公佈供應合同定價——通常情況下，該公司每月都會公佈定價細節，此次漲價正是在此之後。路透社指出，這些主要應用於伺服器的儲存晶片價格飆升，可能進一步加劇大型企業在擴建資料中心基礎設施過程中面臨的壓力，同時也可能推高智慧型手機、電腦等其他終端產品的製造成本——此類晶片亦被廣泛用於上述裝置中。日前，交銀國際發佈研報，維持對儲存價格將繼續堅挺的判斷，認為DRAM的強勁價格將至少延續至2026年三季度，並預計NAND價格將繼續保持強勁到至少2026年三季度（之前預計為2026年上半年）。同時，交銀國際認為，儲存價格的上漲或將繼續令智慧型手機、消費電子等公司的利潤水平承壓。長城證券表示，此次NAND Flash的價格大幅增長，一方面源於頭部儲存廠商通過主動調控供應來扭轉此前因供過於求導致的價格低迷局面，從而提升盈利能力；另一方面，受AI對儲存容量需求急速攀升的影響，儲存廠商將更多產能轉向更高階的工藝，造成傳統消費級儲存產能受到擠壓。根據Omdia的年度NAND快閃記憶體產量資料，三星電子已將今年的NAND晶圓產量目標下調至約472萬片，較去年的507萬片減少約7%。鎧俠也將年產量從去年的480萬片調減至469萬片。Omdia預計，三星和鎧俠的減產趨勢將持續到明年。SK海力士的NAND產量已從去年的約201萬片降至約180萬片，降幅約10%；美光也採取保守的供應策略，將其最大NAND生產基地新加坡Fab 7工廠的產量維持在約30萬片的較低水平。根據閃迪的最新業績會，該公司指出，NAND需求顯著超過供應，這一態勢自2025年起已顯現，並將持續貫穿整個2026年日歷年，甚至可能延續至2027年及以後。公司預計2026年資料中心市場的位元需求將同比增長40%以上，增長主要源於客戶在資料中心和邊緣側尋求更高的AI推理能力，對解決AI推理儲存問題的創新方案需求激增。此外，已有客戶主動尋求長期供應保障，部分已開始洽談2027年供貨協議，因此，受益AI需求持續旺盛，儲存高景氣度有望延續至2027年。 (券商中國)