據DigiTimes報導，國記憶體儲巨頭長江記憶體（YMTC）和長鑫記憶體（CXMT）正尋求提高其記憶體器產品出口至中國以外市場的比例。 作為這一戰略的一部分，據報導，長江記憶體正在向獨立的第三方模組廠商銷售NAND，再由這些廠商將晶片組裝成企業級SSD，最終供應國外新興雲服務商等客戶，以在一定程度上規避產品原產地所帶來的敏感問題。 長江記憶體武漢三期晶圓廠原計畫於2027年第二季度開始量產，但目前預計投產時間將提前至2026 年第四季度。該晶圓廠總規劃產能為每月10萬片晶圓，初期預計以每月約5 萬片的產能運行。 值得注意的是，長江記憶體計畫將該晶圓廠約20%的產能用於LPDDR試產，這將成為長江記憶體首個DRAM製造基地。

今日，小米正式發佈玄戒03晶片O100，新一代玄戒03晶片是全球首個支援LPDDR6記憶體晶片、全球首款專門面向端側大模型的高頻寬AI加速器。 據供應鏈消息，國記憶體儲龍頭長鑫記憶體（CXMT）是小米玄戒03的LPDDR6記憶體核心合作夥伴。 今年3月，已有消息傳出長鑫LPDDR6已經給關鍵客戶送樣，8月初，多家媒體報導長鑫LPDDR6已接近驗證尾聲。 首款產品設計速率達12800Mbps，基礎運行速率為10667Mbps，單顆容量16Gb（晶片容量 16GB），採用1295 Ball的POP封裝。

綜合媒體報導：長鑫記憶體（CXMT）在 DDR5 研發與生產上取得重大進展，其晶片在AMD平台上成功突破 9,000 MT/s 的傳輸速率大關，展現出足以與美光（Micron）、SK 海力士（SK hynix）及三星（Samsung）三大 DRAM 巨頭競爭的實力。 根據最新的實際測試資料顯示，一組容量為 48 GB（24GB×2）的Colorful iGame Shadow II 記憶體模組，搭配 Colorful iGame X870E VULCAN W OC 主機板，在 AMD 平台上成功達成了 9,000 MT/s 的超頻傳輸速度。根據測試資料，該記憶體套件的實際運作頻率達到 4,507 MHz，得益於雙倍資料速率（Double Data Rate）技術，實際傳輸效能高達 9,014 MT/s。 事實上，長鑫記憶體在2025年底曾宣佈其自主研發的 DDR5 記憶體可達到 8,000 MT/s 速度，而本次超頻測試結果證實了該晶片在最新的硬體平台上有著更出色的極限效能。 除了追求極限傳輸速度，長鑫記憶體也積極改善記憶體的延遲效能。目前部分 Colorful iGame Shadow II 記憶體套件正陸續在華碩（ASUS）主機板上進行測試，以達到超低延遲表現。而在最新的 AMD 與Intel平台上，已成功測試了運作在 6,000 MT 且延遲僅為 CL30 的 DDR5 套件，甚至已展開 CL28 延遲的初步測試。不論是傳輸速率還是延遲表現，長鑫記憶體的記憶體產品都正在跟上國際一線大廠的規格標準。

三星電子市場份額擴大至39%。 根據Counterpoint Research《2026年第二季度全球記憶體追蹤報告》，三星電子在2026年第二季度重新登頂DRAM市場，市場份額擴大至39%，這一份額水平上一次出現還是在2024年。一年前，三星將龍頭位置拱手讓給SK海力士，如今實現強勢逆轉。與之形成對比的是，SK海力士DRAM市場份額從2025年第二季度的39%下滑至2026年第二季度的26%，即便該公司季度營收同比暴漲214%。全球記憶體三巨頭之一的美光科技同樣交出亮眼季度業績，憑藉25%的市場份額，幾乎追上SK海力士，爭奪行業第二名。自2023年下半年AI浪潮興起以來，美光一直保持強勁增長態勢。 隨著AI應用持續落地，先進算力基礎設施加速建設，DRAM市場需求持續供不應求。一方面帶動伺服器CPU所用通用DRAM需求上漲，另一方面也推動GPU搭載的新一代高頻寬記憶體（HBM）加速普及。 2026年第二季度全球DRAM營收市場份額

8月4日，據報導，在AI基礎設施需求引發空前記憶體晶片短缺的背景下，PC大廠惠普、華碩和宏碁已開始採用少量長鑫記憶體晶片。 據多位知情人士透露，多家大型PC製造商已於今年年中前後，完成了長鑫記憶體DRAM記憶體晶片的認證流程，並已開始在筆記型電腦中有限度地使用該晶片。 知情人士稱，截至目前，這些PC公司採用長鑫記憶體晶片的數量以及搭載這些晶片的筆記型電腦型號仍非常有限，因為長鑫記憶體正將其大部分產能優先供應給中國客戶。採用長鑫記憶體晶片的筆記型電腦型號，目前主要在非美國市場銷售。 兩名知情人士表示，這些PC廠商在使用長鑫記憶體晶片方面也採取了較為克制的態度，因為它們擔心如果大規模採用，可能會激怒全球主要記憶體晶片製造商美光、三星電子和SK海力士。

截至2026年8月2日，長鑫記憶體尚未正式發佈LPDDR6產品，沒有公佈料號、資料手冊、客戶驗證名單和量產出貨資料。長鑫官網公開產品仍止於LPDDR5/5X；招股書把LPDDR6列入“預研項目及其他”，研發目標是建立未來DRAM技術平台，開發滿足JEDEC標準的更高密度LPDDR5X、LPDDR6和DDR5產品，項目狀態為“研發階段”。7月至8月流傳的“研發驗證接近尾聲、12.8Gb/s、16Gb顆粒、1295 Ball PoP、2026年下半年匯入量產”，主要來自產業媒體和供應鏈轉述，長鑫暫未公開確認。當前可以確認的是技術路線和研發投入，送樣進度、具體規格、客戶名單與量產時間仍屬於市場資訊。 理解長鑫LPDDR6，不能只盯著12.8Gb/s。LPDDR6相對LPDDR5X的核心變化包含介面架構重構。JEDEC在2025年7月發佈JESD209-6，每顆die擁有兩個獨立子通道，每個子通道配置12條DQ資料線，合計24-bit；LPDDR5X典型單通道為16-bit。LPDDR6把介面寬度提高50%，同時維持32Byte最小有效訪問粒度，並支援32Byte與64Byte訪問動態切換，避免匯流排變寬後每次請求搬運過多無效資料，使小資料請求、平行AI算子和混合負載獲得更高利用率。 LPDDR6的頻寬需要區分線路總吞吐和有效使用者資料頻寬。傳聞中的長鑫12.8Gb/s產品，按24-bit介面直接計算，線路總吞吐為12.8×24÷8＝38.4GB/s；考慮每次傳輸中的中繼資料和鏈路保護開銷，按公開技術資料的有效口徑折算，使用者資料頻寬約34.1GB/s。SK海力士在ISSCC展示的14.4Gb/s方案，線路總吞吐為43.2GB/s，有效頻寬約38.4GB/s。長鑫傳聞規格與海力士峰值速率相差約11.1%。 長鑫現有10.667Gb/s LPDDR5X若按典型16-bit介面計算，頻寬約21.33GB/s。由此看，12.8Gb/s LPDDR6的有效使用者資料頻寬提升約60%；即使LPDDR6隻運行在10.667Gb/s入門檔，有效頻寬也約28.5GB/s，仍高出同速率LPDDR5X約33%。LPDDR6的代際價值來自介面變寬、子通道平行和頻率提升共同作用，單看12.8與10.667之間約20%的速率增幅會明顯低估實際變化。

繼長鑫科技上市市值突破3萬多億元之後，長鑫記憶體再創佳績，在LPDDR6研發方面取得重要里程碑，首款LPDDR6研發驗證已接近完成，距離正式量產又邁出了關鍵一步，預計將於2026年下半年開始量產。 按照行業慣例，一款LPDDR產品從研發到量產通常需要經歷四個關鍵階段：裸片（Die）單晶片驗證、研發驗證、小批次匯入驗證、正式量產。 據瞭解，長鑫首款LPDDR6產品的設計傳輸速率達到12,800Mbps（12.8Gbps）；在與SoC協同工作時，基礎運行速率為10,667Mbps。產品採用16Gb單Die容量，單顆封裝容量可達16GB，並使用1295 Ball POP（Package on Package）封裝。 這一性能已與三星電子和SK海力士的同類產品處於同一水平。

據韓國媒體《Herald Corp》報導，SK海力士計畫於2026年下半年正式啟動其下一代低功耗移動DRAM產品LPDDR6的量產及客戶交付。該產品已於今年3月完成內部開發認證，首批出貨對象為中國智慧型手機製造商小米，應用於其下一代旗艦移動終端。 此次產品投放預計將進一步激化三星電子、SK海力士與美光科技三大儲存原廠在SOCAMM（基於LPDDR架構、面向AI伺服器最佳化的低功耗儲存模組）細分市場的競爭格局。SOCAMM作為新興的AI伺服器儲存解決方案，正逐步成為後HBM時代的重要增長賽道。 據知情人士透露，SK海力士將於下半年進入LPDDR6的全面量產階段，小米作為首發客戶，其新一代旗艦機型將率先搭載該款儲存器。該產品基於SK海力士第六代10納米級（1c）製程工藝，相較於前代LPDDR5X，在資料傳輸頻寬與單位功耗能效比方面均有可量化提升。 今年3月，SK海力士宣佈完成其號稱全球首款LPDDR6產品的認證工作，並公開表示：“計畫於上半年完成量產準備，下半年啟動供貨。”但對於涉及小米的具體交易細節，公司方面以商業保密為由，表示不予置評。