#長鑫儲存
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《研報》長鑫記憶體、長江儲存、兆易創新、瀾起科技、江波龍深度商業解讀：從DRAM、NAND到主控與SSD，讀懂中國儲存產業鏈價值分工

研究對象：長鑫儲存（DRAM IDM）、長江儲存（3D NAND IDM）、兆易創新（NOR+SPI NAND Fabless）、瀾起科技（記憶體介面晶片Fabless）、江波龍（儲存模組/SSD系統整合） 核心命題：五家企業並非同業競爭，而是儲存產業鏈上五個完全不同的價值節點。長鑫與長江是底層晶圓顆粒製造（IDM）；兆易是小容量非易失儲存晶片設計；瀾起是伺服器記憶體互連配套晶片；江波龍是把顆粒、主控、PCB組裝成記憶體條、SSD、嵌入式儲存模組的系統整合商。 底層邏輯：儲存產業鏈的價值分配，遵循「裝置材料>晶圓製造IDM>專用晶片設計>模組整合」。儲存週期波動傳導順序：上游裝置材料→儲存原廠顆粒→模組廠商。國產儲存的突圍不是單點突破，而是顆粒、配套晶片、主控、模組、韌體、測試全鏈條協同。 第一卷 緒論：大眾最容易混淆的概念——DRAM、NAND、NOR、記憶體介面晶片、SSD模組
A股#長鑫儲存#長江儲存#兆易創新
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長鑫記憶體、長江記憶體、兆易創新、瀾起科技、江波龍到底有什麼區別？從DRAM、NAND到主控和SSD，看懂中國記憶體產業鏈真正的價值分工

上一篇文章我們聊HBM時提到：未來記憶體行業競爭，不會只是“誰能製造DRAM”。 而會變成：記憶體製造能力、先進封裝能力、高速介面能力以及系統解決方案能力的綜合競爭。 這也帶來一個問題：中國記憶體產業裡面，到底誰真正受益？ 很多時候，市場會把：長鑫記憶體、長江記憶體、兆易創新、瀾起科技、江波龍、佰維記憶體放在一起討論。
科技#半導體#長鑫儲存#長江儲存
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長鑫記憶體下一代DRAM新突破：垂直無結電晶體+MoN金屬柵，Vth提升35%！

🔷DRAM電晶體開始“豎起來”，金屬柵也從TiN走向MoN 🔷Vth提升35%、漏電降低約40%，下一代1T1C技術路線浮出水面 在整理這份DRAM技術資料時，小編最大的感受是 當傳統DRAM不斷逼近微縮極限，電晶體“豎起來”只是第一步，如何進一步解決漏電、閾值電壓與可靠性問題，正在成為下一代DRAM的關鍵。這篇論文中，長鑫儲存（CXMT）將垂直無結柱狀電晶體（VJLPT）與高功函數MoN金屬柵結合，在保持約7.6 μA/cell導通電流的同時，將閾值電壓從0.20 V提升至0.35 V。 今天，小編就藉著這篇論文，帶大家看看下一代1T1C DRAM如何從平面電晶體走向垂直電晶體，以及MoN金屬柵、Wrapped Gate和VJLPT，如何成為DRAM繼續向更高密度、更低漏電方向演進的新技術路線。
長鑫記憶體下一代DRAM新突破：垂直無結電晶體+MoN金屬柵，Vth提升35%！
科技#DRAM#長鑫儲存#MoN
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大摩：中國半導體裝置強勁增長將持續2028年，看好中微、北方華創和盛美！

我們預計，中國半導體裝置市場規模在2027年和2028年均將以23%的年增速增長。持續的記憶體器投資以及本土化處理程序加速，將支援中國本土半導體裝置供應商繼續提升市場份額。 中國半導體裝置增長將持續強勁至2027-28年。大摩預計中國半導體裝置支出在2026/27/28年分別為456億美元/558億美元/686億美元，對應同比增長9%/23%/23%；中國佔全球WFE的比例分別為28%/25%/27%。增長越來越由記憶體器驅動，因為國內DRAM和NAND製造商正在擴充產能並推動關鍵工藝環節國產化。進入2028年，先進製程邏輯晶片擴產可能帶來另一增長動力，使WFE機會從記憶體器進一步擴展。 記憶體器擴產仍在持續，但時間安排更加靈活。 長江記憶體：我們預測其在 2027 年和 2028 年都將新增 10 萬片/月 (kwpm) 的產能。其 IPO 申請檔案支援了其持續的 WFE 投資強度：在其計畫募集的 330 億元人民幣中，有 208 億元已被指定用於大規模生產線的技術升級。
大摩：中國半導體裝置強勁增長將持續2028年，看好中微、北方華創和盛美！
A股#長鑫儲存#長江儲存#MATCH法案
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中國國產記憶體加速出海！

據DigiTimes報導，國記憶體儲巨頭長江記憶體（YMTC）和長鑫記憶體（CXMT）正尋求提高其記憶體器產品出口至中國以外市場的比例。 作為這一戰略的一部分，據報導，長江記憶體正在向獨立的第三方模組廠商銷售NAND，再由這些廠商將晶片組裝成企業級SSD，最終供應國外新興雲服務商等客戶，以在一定程度上規避產品原產地所帶來的敏感問題。 長江記憶體武漢三期晶圓廠原計畫於2027年第二季度開始量產，但目前預計投產時間將提前至2026 年第四季度。該晶圓廠總規劃產能為每月10萬片晶圓，初期預計以每月約5 萬片的產能運行。 值得注意的是，長江記憶體計畫將該晶圓廠約20%的產能用於LPDDR試產，這將成為長江記憶體首個DRAM製造基地。
中國國產記憶體加速出海！
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長鑫記憶體LPDDR6首發！

今日，小米正式發佈玄戒03晶片O100，新一代玄戒03晶片是全球首個支援LPDDR6記憶體晶片、全球首款專門面向端側大模型的高頻寬AI加速器。 據供應鏈消息，國記憶體儲龍頭長鑫記憶體（CXMT）是小米玄戒03的LPDDR6記憶體核心合作夥伴。 今年3月，已有消息傳出長鑫LPDDR6已經給關鍵客戶送樣，8月初，多家媒體報導長鑫LPDDR6已接近驗證尾聲。 首款產品設計速率達12800Mbps，基礎運行速率為10667Mbps，單顆容量16Gb（晶片容量 16GB），採用1295 Ball的POP封裝。
長鑫記憶體LPDDR6首發！
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長鑫記憶體 DDR5 在 AMD 平台突破 9,000MT/s 速率 幾近追平全球前三大廠性能

綜合媒體報導：長鑫記憶體（CXMT）在 DDR5 研發與生產上取得重大進展，其晶片在AMD平台上成功突破 9,000 MT/s 的傳輸速率大關，展現出足以與美光（Micron）、SK 海力士（SK hynix）及三星（Samsung）三大 DRAM 巨頭競爭的實力。 根據最新的實際測試資料顯示，一組容量為 48 GB（24GB×2）的Colorful iGame Shadow II 記憶體模組，搭配 Colorful iGame X870E VULCAN W OC 主機板，在 AMD 平台上成功達成了 9,000 MT/s 的超頻傳輸速度。根據測試資料，該記憶體套件的實際運作頻率達到 4,507 MHz，得益於雙倍資料速率（Double Data Rate）技術，實際傳輸效能高達 9,014 MT/s。 事實上，長鑫記憶體在2025年底曾宣佈其自主研發的 DDR5 記憶體可達到 8,000 MT/s 速度，而本次超頻測試結果證實了該晶片在最新的硬體平台上有著更出色的極限效能。 除了追求極限傳輸速度，長鑫記憶體也積極改善記憶體的延遲效能。目前部分 Colorful iGame Shadow II 記憶體套件正陸續在華碩（ASUS）主機板上進行測試，以達到超低延遲表現。而在最新的 AMD 與Intel平台上，已成功測試了運作在 6,000 MT 且延遲僅為 CL30 的 DDR5 套件，甚至已展開 CL28 延遲的初步測試。不論是傳輸速率還是延遲表現，長鑫記憶體的記憶體產品都正在跟上國際一線大廠的規格標準。
長鑫記憶體 DDR5 在 AMD 平台突破 9,000MT/s 速率 幾近追平全球前三大廠性能
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Q2 DRAM排位生變：三星重新登頂，長鑫迅猛崛起

三星電子市場份額擴大至39%。 根據Counterpoint Research《2026年第二季度全球記憶體追蹤報告》，三星電子在2026年第二季度重新登頂DRAM市場，市場份額擴大至39%，這一份額水平上一次出現還是在2024年。一年前，三星將龍頭位置拱手讓給SK海力士，如今實現強勢逆轉。與之形成對比的是，SK海力士DRAM市場份額從2025年第二季度的39%下滑至2026年第二季度的26%，即便該公司季度營收同比暴漲214%。全球記憶體三巨頭之一的美光科技同樣交出亮眼季度業績，憑藉25%的市場份額，幾乎追上SK海力士，爭奪行業第二名。自2023年下半年AI浪潮興起以來，美光一直保持強勁增長態勢。 隨著AI應用持續落地，先進算力基礎設施加速建設，DRAM市場需求持續供不應求。一方面帶動伺服器CPU所用通用DRAM需求上漲，另一方面也推動GPU搭載的新一代高頻寬記憶體（HBM）加速普及。 2026年第二季度全球DRAM營收市場份額
Q2 DRAM排位生變：三星重新登頂，長鑫迅猛崛起
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