近期供應鏈消息傳出，中國DRAM大廠長鑫儲存，將“加速縮減”DDR4產能，原本2026年底保留單月2萬片DDR4產能，但隨著DDR5及新製程推進順利，或再減至1萬片產能。今年記憶體晶片是暴漲的，其中以DDR4漲的最猛，16GB的DDR4今年漲了700%以上，8GB規格的也漲了500%以，而DDR5、DDR3漲的相對少一些。DDR4為何漲的這麼猛，一方面是因為市場還有需求，很多老款一點的CPU，還在支援DDR4記憶體，所以市場需求還是相當大的。但另外一方面，則是今年上半年的時候，三星、美光、SK海力士等，則宣佈要停產DDR4記憶體。所以一下子，引發了管道的恐慌，整個供需關係打破了，有些管道開始提前囤貨，再加疊加市場需求，導致市場需求大，而產能又跟不上，所以DDR4在今年暴漲。而就算DDR4暴漲，三星、美光、SK海力士等，也不可能再去擴產DDR4了，因為這是註定要被淘汰的產品了，現如今AMD\INTEL的新CPU，都不再支援DDR4，只支援DDR5了。所以DDR4就這樣漲了一年，大家預測到2026年DDR4的價格可能會得到抑制。另市場消息稱，長鑫儲存也無意“戀戰”DDR4，原內部規劃在2026年底保留單月2萬片產能，主要提供給兆易創新的代工需求，但產能規劃可能再調整，降低DDR4產能供應的腳步加快，預計將減少至1萬片規模，加速進攻DDR5/LPDDR5。由於伺服器需求推動記憶體產業加速升級，近來長鑫儲存發表新一代DDR5與LPDDR5X產品，性能表現對標三星電子（Samsung Electronics）、SK海力士（SK Hynix），並預計從2026年起全面量產。外界預期，長鑫儲存2026年超過90%的產能將轉向新製程，快速跟上“記憶體超級循環周期”的成長列車，而長鑫儲存的總投片量，預計2026年將達到30萬片，屬於既有產能規劃，短期內對於緩解DRAM供不應求的實質幫助非常有限。儘管DDR4價格居高不下，從9月初至今的現貨價已上漲2倍多，近半年來現貨市場價格也明顯高於DDR5，但受限於DDR5供貨也同樣吃緊，DDR5價格漲幅也呈現倍數調漲，業界認為，DDR4合約價可望延續高檔至2026年底，後續維持賣方市場。 (半導體行業圈)

12月1日，香港《亞洲時報》等主要外媒報導稱，"日本似乎已從本月中旬起全面停止向中國出口光刻膠的出貨"。儘管日本政府和企業並未正式宣佈此事，但日本和中國業界已普遍將其視為既定事實。有評價指出，此次措施的具體實施範圍已明確到佳能、尼康、三菱化學等具體企業名稱的程度。《亞洲時報》稱此次中斷是"中國擔憂的最壞情況"。當前半導體市場不僅限於 HBM，通用 DRAM需求也同時激增，正處於全面供應短缺的局面，這被認為是中國企業加速成長的時機。雖然 CXMT和SMIC基於政府支援擴大生產能力，與這一趨勢相吻合，但日本光刻膠出口中斷的情況被指直接動搖擴產計畫。若核心材料採購變得不穩定，中國儲存器的市場進入速度也可能受到影響這有可能引發全球供應鏈重組及整體價格結構的變化。另一方面，此次事件也被視為加劇了日本本土企業與中國之間的距離，同時反而強化了韓國與日本供應鏈聯絡更加緊密的趨勢。隨著日本對光刻膠的控制加大中國企業的採購不確定性，韓國企業愈發需要加強與日本中小企業的穩定合作結構，實際上兩國企業間的合作範圍也在擴大。有分析認為，隨著與日本的技術和材料聯絡加強，韓國更有可能在中國與日本之間確立為半導體供應鏈的核心軸。日本此舉被認為中日衝突加劇的背景下，影響已蔓延至半導體供應鏈的訊號。日本正通過限制其優勢領域——部件、材料向中國流入的方式加大施壓，而韓國業界也在密切關注，若此類衝突給中國半導體生產帶來變數，將對韓國企業產生何種影響。光刻膠是一種對光反應後化學性質發生變化的“感光物質”。特別具有將光線聚集到一處的特性，因此在半導體工藝的初期階段“光刻工藝”中被廣泛用作核心材料。塗覆在晶圓上後，能將射向晶圓的光線集中到一點，從而幫助繪製精細的電路圖案。日本在全球光刻膠市場佔據超過70%的份額，地位獨步天下。正因如此，當在政治、經濟領域與其他國家發生衝突時，日本政府最先拿出的施壓手段往往就是光刻膠。2019年將韓國從白名單(出口審查優待國)中排除時，日本在半導體領域最先封鎖的也正是光刻膠。有分析認為，近期展現活力的中國半導體產業整體也將失去活力。日本的感光劑出貨中斷被評價為讓中國連製造各種半導體的第一顆紐扣都無法扣上，更是如此。中芯國際等在全球市場份額中反彈的晶圓代工(半導體委託生產)，以及長鑫儲存等記憶體企業，預計都將受到不小的打擊。業界相關人士表示:“特別是記憶體，近期隨著 DRAM 價格的暴漲，長鑫儲存等中國企業正顯示出增建工廠、擴大產能的動向，但日本的出口限制措施也可能成為絆腳石。”日本對中國的半導體相關出口管制，可能從光刻膠開始逐步擴大範圍。據日本《日經新聞》報導，日本代表性半導體企業“鎧俠”最近已停止進口中國產的 DRAM等儲存器。公司一名高管解釋稱:“出於質量和安全方面的擔憂我們停止了進口。 (半導體材料與工藝裝置)

11月23日，在第二十二屆中國國際半導體博覽會上，長鑫儲存發佈了DDR5和LPDDR5X兩大產品系列。其中，DDR5產品最高速率達8000Mbps，最高顆粒容量為24Gb，並配套推出UDIMM、SODIMM、CUDIMM、CSODIMM、RDIMM、MRDIMM和TFF MRDIMM等七種模組產品，應用場景覆蓋伺服器、工作站及個人電腦。與此同時，長鑫儲存還推出了LPDDR5X產品線，其最高速率可達10667Mbps，最高顆粒容量為16Gb，並提供從12GB到32GB的多種容量方案，進一步豐富了其在移動儲存領域的佈局，也就是說，長鑫儲存終於殺出來了。此次發佈標誌著中國國產DRAM晶片在技術參數上已接近國際主流水平，但長鑫儲存在全球市場份額方面仍處於追趕階段，並面臨國際巨頭的壟斷和供應鏈限制等壓力。目前，長鑫儲存正通過快速擴產來提升市場地位。據Trendforce資料顯示，到2025年底，該公司產能將達到30萬片/月，同比增長近50%。Counterpoint資料顯示，長鑫儲存今年DRAM出貨量同比增長50%，市場份額預計將從一季度的6%提升至四季度的8%。在細分市場方面，長鑫儲存DDR5市場份額預計從一季度不足1%上升至年底的7%，LPDDR5市場份額從0.5%增至9%。長鑫儲存相關負責人表示，DRAM需求的增長對市場供給和價格產生了較大影響，中國需要穩定的中國國產DRAM產能供應，通過產能擴張和規模效應來減少對海外廠商的依賴。全球DRAM市場集中度較高，三星、海力士、美光三家企業合計市佔率超過90%。根據興業證券研報分析，儲存晶片具有大宗商品屬性，價格呈現周期性波動特徵。近期，儲存晶片價格持續上漲。據DRAMexchange資料，DDR5現貨平均價格從9月底的7.676美元升至11月初的20.938美元，同時DDR4和NAND合約平均價格在9月也環比上漲了11%。因此，三星電子在11月調整了部分儲存晶片的價格，較9月漲幅最高達60%。SanDisk也在11月將NAND Flash合約價上調了50%，並預測NAND供需緊張狀況或將持續至2026年底。交銀國際研報進一步指出，DRAM價格強勢將至少延續至2026年三季度。長城證券分析認為，此次價格上漲主要源於頭部廠商對供應的調控以及AI需求推動產能向高階工藝轉移，導致傳統消費級儲存產能受到擠壓。值得注意的是，長鑫儲存的母公司——長鑫科技集團，其上市處理程序正在積極推進中。中國證監會官網10月發佈的資訊顯示，長鑫科技的上市輔導狀態已變更為“輔導工作完成”。此次輔導由中金公司與中信建投共同負責，從7月啟動輔導到完成，歷時約3個月。根據2024年3月的戰略融資情況，長鑫科技的估值約為1400億元。天眼查資訊顯示，長鑫科技成立於2016年，註冊資本約601.93億元，其股東包括基石資本、阿里巴巴等知名機構。具體來看，合肥清輝集電企業管理合夥企業、合肥長鑫積體電路以及國家積體電路產業投資基金二期位列前三大股東，持股比例分別為24.32%、12.43%和9.80%。與此同時，兆易創新與長鑫科技保持著密切的合作關係。兆易創新董事長朱一明曾擔任長鑫儲存首席執行官，並現任長鑫科技董事長。2024年3月，兆易創新更是以15億元參與了長鑫科技的新一輪融資，本輪融資投前估值約1399.82億元，增資價格為2.61元/每一元註冊資本。本輪融資包括合肥長鑫積體電路、合肥產投壹號股權投資合夥企業、建信金融資產投資等多名投資人，融資規模合計108億元。此外，兆易創新自2019年起便與長鑫集團開展DRAM業務合作，從長鑫儲存等子公司採購代工生產的DRAM產品，並在2025年度預計達成1.61億美元的交易額度。中信證券指出，DRAM市場目前仍由韓美廠商佔據主導地位，但長鑫儲存的技術正在加速追趕。其產能在2024年實現了翻倍增長，未來若成功上市，有望進一步推動擴產，並逐步提升裝置中國國產化率。在這樣的背景下，長鑫儲存已推出多款商用DRAM產品，應用於移動終端、電腦、伺服器、虛擬現實和物聯網等領域。今年10月，長鑫儲存宣佈量產LPDDR5X產品。其中8533Mbps和9600Mbps速率產品已於5月實現量產，而10667Mbps速率產品也已啟動客戶送樣。現如今，長鑫儲存依託中國大陸的成本和規模優勢，在技術迭代與產品佈局方面正逐步縮小與國際廠商的差距。 (AI硅基未來)

據外媒報導，在中國廠商長鑫儲存在 IC China 正式發佈最新 DDR5 和 LPDDR5X 產品後， 韓國媒體Business Korea 援引專家觀點分析認為，儲存晶片領域，中國與韓國的差距正在拉平之中。Business Korea 報導稱：長鑫儲存的 DDR5 最高速率達 8,000Mbps、最高顆粒容量 24Gb，性能可媲美三星和 SK 海力士最新 DRAM。今年稍早時，市場曾出現由中國企業生產的少量 DDR5 產品，但這次是長鑫儲存作為代表，首度正式展示實際產品。韓國半導體產業人士指出，長鑫儲存展示 DRAM 性能值得關注，其 DDR5 最大速度 8,000 Mbps，比上一代產品（6,400 Mbps）提升 25%，在技術路線上至少已追上韓國 DRAM 公司。長鑫儲存的性能足以應用於搭載最先進 CPU 的伺服器。Business Korea 還引述日經及研調機構 Counterpoint Research 的資料稱，長鑫儲存第三季 DRAM 市佔率達 8%，排名第四。在 NAND 部分，另一家中國廠商長江儲存第三季市佔率為 13%。長鑫儲存 DRAM 月產能為 27 萬片，約三星（64 萬片）和 SK 海力士（51 萬片）的 42–53%。外界預期，長鑫儲存全面量產 DDR5 與 LPDDR5X 有望降低儲存器熱潮的強度，但也將衝擊韓國公司在中國的銷售。Business Korea 報導指出：以去年為例，韓國兩間公司在中國的總銷售額為 87 兆 3,000 億韓圜（1億韓元大約為50萬人民幣，即接近4300億元人民幣），約佔兩家公司合計總銷售額的 23.7%。由於美國封鎖 EUV 等關鍵裝置出口中國，中國廠商技術發展有所受限，但與韓國在通用 DRAM 市場的技術差距約不到一年。長鑫儲存內部人士表示，新產品將成為替代方案，降低對海外公司的依賴。Business Korea 認為，隨著 2030 年迎來 3D DRAM 時代，競爭關係可能又會出現變數。3D DRAM 是將儲存晶片單元向上堆迭的產品，當 3D DRAM 時代來臨時，對 EUV 曝光裝置的需求將下降，這可能成為中國廠商超車的機會。韓國中國經濟與金融研究院院長 Jeon Byeong-seo 認為，如果五年後能商業化不需 EUV 的製程技術，目前的技術差距可能瞬間縮小。首爾大學材料科學與工程系 Hwang Cheol-seong 教授也表示，單看儲存晶片技術水平，韓國與中國的差距幾乎已經消失。當不需要 EUV 曝光裝置的 3D DRAM 時代在五年後到來時，中國將進一步崛起。 (芯聞眼)

周末，儲存晶片領域傳來一則好消息！11月23日，在第二十二屆中國國際半導體博覽會（IC China）上，長鑫儲存發佈了最新的DDR5產品系列，最高速率達8000Mbps，最高顆粒容量24Gb。同時，長鑫儲存還在現場展示了最高速率10667 Mbps、最高顆粒容量16Gb的最新LPDDR5X移動端記憶體。多家行業媒體稱，上述兩大產品系列速率、容量雙維度均位居業界第一梯隊，標誌著國產儲存晶片具備與國際一線大廠同台競技的技術實力。長鑫儲存發佈DDR5記憶體新品據長鑫儲存官網消息，在11月23日開幕的第二十二屆中國國際半導體博覽會（IC China）上，長鑫儲存以“雙芯共振，5力全開”為主題，首次全面展示DDR5和LPDDR5X兩大產品線最新產品。長鑫儲存發佈了最新的DDR5產品系列：最高速率達8000Mbps，最高顆粒容量24Gb，並推出UDIMM、SODIMM、CUDIMM、CSODIMM、RDIMM、MRDIMM、TFF MRDIMM等七大模組及新型產品，覆蓋伺服器、工作站及個人電腦等全場景領域，滿足各領域的高端市場需求。長鑫儲存同台展出了近期發佈的LPDDR5X產品，該系列針對移動市場旗艦產品，最高速率10667Mbps，最高顆粒容量16Gb，並涵蓋12GB、16GB、24GB、32GB等容量的多種封裝解決方案。長鑫儲存表示，公司通過DDR與LPDDR雙線創新突破，將進一步豐富全球儲存晶片的供給，為下遊客戶創造多元價值選擇。長鑫儲存將持續深耕技術迭代，精準響應市場需求，以自主實力引領產業生態協同升級。公開資料顯示，長鑫儲存是一家一體化儲存器製造公司，專注於動態隨機存取儲存晶片（DRAM）的設計、研發、生產和銷售。長鑫儲存總部位於安徽合肥，在國內外擁有多個研發中心和分支機構。長鑫儲存已推出多款DRAM商用產品，廣泛應用於移動終端、電腦、伺服器、虛擬現實和物聯網等領域。今年10月 ，長鑫儲存宣佈已量產LPDDR5X產品。當時，長鑫儲存在IEEE 2025 ASICON會議上分享了LPDDR5X產品的最新進展。目前，長鑫儲存LPDDR5X的產品陣容包括顆粒、晶片及模組等形態。其中顆粒包括12Gb和16Gb兩個容量點。晶片形態提供了覆蓋12GB、16GB、24GB等多個容量點的解決方案。模組形態的LPCAMM產品容量為16GB和32GB。LPDDR5X產品的速率覆蓋了8533Mbps、9600Mbps、10667Mbps，同時相容LPDDR5。長鑫儲存透露，目前，8533Mbps和9600Mbps速率的LPDDR5X產品已於今年5月量產，10667Mbps速率的產品已經啟動客戶送樣。儲存晶片價格持續上漲最近幾個月，全球儲存晶片價格持續上漲。據DRAMexchange資料，近期主要儲存原廠陸續暫停DDR5合約報價，DDR5（16Gb）現貨平均價格已從9月底的7.676美元升至11月7日的20.938美元。DDR4（8Gb）和NAND（128Gb MLC）的合約平均價格也在9月環比上漲11%。儲存廠SanDisk（閃迪）在11月將NAND Flash合約價上調50%，公司在11月公佈強勁業績的同時，預測NAND供不應求的趨勢或將持續到2026年年底。另外，有消息稱，受全球人工智慧資料中心建設熱潮影響，三星電子11月大幅上調部分儲存晶片價格，較9月份漲幅最高達60%。作為全球最大的儲存晶片製造商，三星曾在10月決定推遲正式公佈供應合同定價——通常情況下，該公司每月都會公佈定價細節，此次漲價正是在此之後。路透社指出，這些主要應用於伺服器的儲存晶片價格飆升，可能進一步加劇大型企業在擴建資料中心基礎設施過程中面臨的壓力，同時也可能推高智慧型手機、電腦等其他終端產品的製造成本——此類晶片亦被廣泛用於上述裝置中。日前，交銀國際發佈研報，維持對儲存價格將繼續堅挺的判斷，認為DRAM的強勁價格將至少延續至2026年三季度，並預計NAND價格將繼續保持強勁到至少2026年三季度（之前預計為2026年上半年）。同時，交銀國際認為，儲存價格的上漲或將繼續令智慧型手機、消費電子等公司的利潤水平承壓。長城證券表示，此次NAND Flash的價格大幅增長，一方面源於頭部儲存廠商通過主動調控供應來扭轉此前因供過於求導致的價格低迷局面，從而提升盈利能力；另一方面，受AI對儲存容量需求急速攀升的影響，儲存廠商將更多產能轉向更高階的工藝，造成傳統消費級儲存產能受到擠壓。根據Omdia的年度NAND快閃記憶體產量資料，三星電子已將今年的NAND晶圓產量目標下調至約472萬片，較去年的507萬片減少約7%。鎧俠也將年產量從去年的480萬片調減至469萬片。Omdia預計，三星和鎧俠的減產趨勢將持續到明年。SK海力士的NAND產量已從去年的約201萬片降至約180萬片，降幅約10%；美光也採取保守的供應策略，將其最大NAND生產基地新加坡Fab 7工廠的產量維持在約30萬片的較低水平。根據閃迪的最新業績會，該公司指出，NAND需求顯著超過供應，這一態勢自2025年起已顯現，並將持續貫穿整個2026年日歷年，甚至可能延續至2027年及以後。公司預計2026年資料中心市場的位元需求將同比增長40%以上，增長主要源於客戶在資料中心和邊緣側尋求更高的AI推理能力，對解決AI推理儲存問題的創新方案需求激增。此外，已有客戶主動尋求長期供應保障，部分已開始洽談2027年供貨協議，因此，受益AI需求持續旺盛，儲存高景氣度有望延續至2027年。 (券商中國)

根據長鑫儲存官網，2025年10月，長鑫儲存在IEEE 2025 ASICON會議上分享了LPDDR5X產品的最新進展。目前長鑫儲存LPDDR5X的產品陣容包括顆粒、晶片及模組等型態。其中顆粒包括12Gb和16Gb兩個容量點。晶片形態提供了覆蓋12GB、16GB、24GB等多個容量點的解決方案。模組形態的LPCAMM產品容量為16GB和32GB。 LPDDR5X產品的速率涵蓋了8533Mbps、9600Mbps、10677Mbps，同時相容於LPDDR5。目前8533Mbps和9600Mbps速率的LPDDR5X產品已於今年5月量產，10677Mbps速率的產品已啟動客戶送樣。值得注意的是，長鑫儲存LPDDR5X最高高達10667Mbps速率實現國內首次技術突破－此速率與SK海力士去年10月量產的同規格產品完全對標，已達到業界先進水準。(科創板日本)

長鑫科技 IPO 一期輔導完成超規格：34 人團隊護航 “儲存晶片第一股”2025 年 7 月 7 日，長鑫儲存母公司長鑫科技啟動 A 股上市輔導，由中金公司與中信建投聯合輔導，同年 10 月完成為期兩個月的一期輔導。此次輔導團隊達 34 人，遠超常規的 5-15 人（複雜項目 15-20 人），僅略多於此前視涯科技的 33 人團隊。超規模配置既因項目規模大、核查工作量繁重，也為應對人員變動風險。期間，長鑫科技公司解決職工代表董事選舉、國有股東標識批覆問題，建立符合上市要求的治理結構與制度，輔導機構認可其上市基礎條件，新增成員趙善軍曾為 D 類保代，現轉為一般證券業務。長鑫科技全資子公司長鑫儲存，是國內最大、技術最先進的 DRAM IDM 企業，2024 年獲 108 億戰略融資，2025 年投前估值超 1400 億元，DDR4 全球市佔率約 5%，預計 2025 年底升至 8%，DRAM 晶圓產量預計激增 68%。長鑫公司無控股股東，第一大股東為合肥清輝集電（持股 21.67%），49 家股東中國資佔比高，合肥政府曾助力發展，預計最快 2025 年底或 2026 年初提交 IPO 申請，被視為 “儲存晶片第一股”。輔導小組成員情況如下：中金公司輔導小組成員：吳迪、劉飛峙、魏先勇、劉劍峰、胡璇、田桂寧、熊峰、余朝輝、葉建冬、楊妍、李開洲、劉馨蔚、吳家騰、於寧、楊箭宇、楊森、張文、趙善軍，共18人。其中，楊森、張文、趙善軍為新增輔導人員。中信建投輔導小組成員：董軍峰、廖小龍、黃亞穎、胡家榮、諶澤昊、譚谷、汪鵬飛、梁文、周岱岳、吳建航、魏瀟天、王賽、舒福星、程圖展、張鐵、錢堃，共16人。其中，程圖展、張鐵、錢堃為新增輔導人員。(芯榜)

據《金融時報》援引五位知情人士的說法，美國商務部計畫將包括中國儲存晶片製造商長鑫儲存在內的多家中國晶片企業列入“實體清單”，即出口黑名單。不過，一些美國政府官員希望推遲這一行動，以免干擾中美之間正在推進的長期貿易協議談判。這份名單由商務部下屬的工業與安全域（BIS）起草，除了CXMT，還包括中芯國際及長江儲存的一些子公司。值得注意的是，中芯國際和長江儲存早已在黑名單中，此次將擴大限制範圍至其附屬機構。不過，這項決定的推進正遇到阻力。就在上周末，中美達成初步協議，互相降低部分關稅，為未來90天內達成更全面的貿易協議爭取時間。一些官員認為，當前不宜對中方企業出手，以免破壞談判氛圍。長鑫儲存被視為重點目標之一。它近年來在全球DRAM市場份額持續擴大，還在積極佈局HBM領域，而HBM被認為是人工智慧算力發展的關鍵技術。將這些公司列入實體清單，是美國試圖限制中國獲取先進晶片及相關技術的一部分。被列入“實體清單”的公司，未經美方許可，美國企業不得向其出口技術與產品。而近年來，許可證的審批已變得極為嚴格。 (科技巴圖魯)