在全球科技革命的核心地帶，鮮有故事能像韓國半導體產業那樣充滿活力，又如此意義深遠。幾十年來，韓國一直是全球儲存晶片領域的領軍者。但在2024年和2025年，形勢發生了變化。隨著人工智慧的爆炸式增長、地緣政治壓力的加劇以及電子產品需求的轉變，韓國頂尖的半導體製造商不僅在應對這些挑戰，更在進行自我革新。這是三星電子、SK海力士以及眾多規模較小但舉足輕重的企業如何在地球上競爭最激烈、資本最密集、政治關係最錯綜複雜的行業之一中生存的故事。近年來，以輝達、OpenAI 和特斯拉等公司為代表的人工智慧革命，從根本上重新定義了半導體行業領導者的地位。僅僅在傳統儲存器市場佔據主導地位已遠遠不夠。如今，高頻寬儲存器 (HBM)、先進封裝、尖端邏輯晶片和散熱基礎設施才是新的競爭戰場。三星推進其HBM計畫三星電子長期以來一直是DRAM和NAND快閃記憶體領域的霸主，但在一個關鍵領域——人工智慧記憶體——卻發現自己處於追趕狀態。到2025年初，其規模較小的競爭對手SK海力士憑藉在HBM3E研發方面的先發優勢，已超越三星成為全球營收最高的DRAM供應商。SK海力士在該領域的統治地位——該領域是人工智慧伺服器和高性能GPU的基石——給整個行業帶來了巨大震動。對三星而言，這堪稱一次關鍵的抉擇時刻。作為回應，這家科技巨頭採取了積極的行動。它獲得了輝達對其12層HBM3E晶片的認證，並宣佈計畫在2026年前實現HBM4晶片的量產。對於這家曾經引領記憶體發展趨勢的公司來說，重振其在人工智慧基礎設施領域的地位已成為其首要戰略目標。但三星的舉措遠不止於儲存器領域。該公司向系統半導體領域進行了一次引人注目的轉型，並與特斯拉簽訂了一份價值165億美元的里程碑式合同，在其位於德克薩斯州的晶圓廠生產人工智慧晶片。這不僅僅是一筆商業交易，更是一個戰略訊號。三星的目標不僅是保持其在儲存器領域的領先地位，還要成為邏輯晶片和晶圓代工服務領域的一支強大力量——這些領域長期以來一直由台積電和英特爾主導。與此同時，SK海力士並未止步不前。該公司斥資近150億美元擴建位於韓國清州的DRAM工廠，此舉主要受人工智慧晶片需求激增的推動。此外，SK海力士還將目光投向西方，在美國印第安納州破土動工興建一座價值39億美元的先進封裝和研發中心——此舉旨在鞏固其在北美供應鏈中的地位，並避險全球市場的不確定性。更廣泛的重新校準這些投資不僅僅是資產負債表上的數字，它們反映了更廣泛的戰略調整。韓國晶片製造商不再滿足於在傳統儲存器領域保持領先地位，他們正準備塑造人工智慧的未來——從晶片到雲端運算再到冷卻技術。除了資金和合同之外，創新仍然是這些公司使命的核心。為了印證這一點，SK海力士在2025年國際消費電子展（CES 2025）上公佈了其HBM4路線圖，並行布了突破性的伺服器DRAM模組、企業級固態硬碟（SSD）以及具有嵌入式處理能力（PIM）的記憶體。該公司還重點介紹了其在Compute Express Link（CXL）方面的工作，這是一種有望重新定義CPU、GPU和記憶體互動方式的下一代介面。三星則大力推進自身技術堆疊的研發，不僅在記憶體領域，也在邏輯電路和散熱系統方面。其中最引人注目的舉措或許是收購了德國散熱和資料中心冷卻系統領域的領軍企業FläktGroup。隨著人工智慧伺服器的功耗呈指數級增長，散熱正成為制約其發展的瓶頸。三星進軍散熱技術領域，表明其已意識到，未來計算的關鍵不僅在於處理能力，還在於可持續性和效率。產業/政府協調推動這一變革的關鍵在於產業界與政府的緊密合作。韓國政府已公佈在京畿道打造巨型半導體產業叢集的計畫，投資額超過500兆韓元。三星和SK海力士是該計畫的核心，它們與DB HiTek等規模較小的企業攜手合作，共同建構一個涵蓋邏輯電路、儲存器、封裝、研發和教育等各個環節的垂直整合生態系統。這種合作並非僅僅出於愛國情懷。在全球美國、中國和歐盟大力補貼本國晶片製造業的背景下，韓國能否保持競爭力取決於強有力的公私合作。MoaFab項目是一個晶片研發和試生產合作平台，它充分展現了韓國政府如何賦能小型企業，幫助它們在這個競爭激烈的環境中生存和發展。Magnachip 和 DB HiTek誠然，雖然三星和SK海力士佔據了新聞頭條，但像Magnachip和DB HiTek這樣的公司也在果斷地進行轉型。Magnachip曾專注於顯示驅動IC，如今正剝離其顯示業務，轉而專注於功率半導體——這些元件對電動汽車、可再生能源系統和工業自動化至關重要。Magnachip希望借此進入利潤率更高、受消費電子產品市場波動影響較小的市場。與此同時，DB HiTek正加強其作為模擬、電源和感測器晶片專業代工合作夥伴的地位。通過與MoaFab的合作，DB HiTek獲得了共享基礎設施的使用權，並減輕了資本負擔——這在晶圓廠成本飆升的時代至關重要。這些戰略調整反映了行業的日趨成熟：並非每家公司都需要追求最前沿的邏輯或人工智慧記憶。細分市場的專業化、明智的合作以及營運效率同樣能夠提供可持續的成功路徑。多種市場因素和力量美國出口管制措施開始產生影響。2025年中期，三星和SK海力士都受到了美國加強出口限制的影響，這些限制旨在限制從美國向其中國晶圓廠出口半導體裝置。這些規定迫使韓國晶片製造商重新思考其全球供應鏈並調整其生產佈局——這是一個複雜且成本高昂的過程。與此同時，全球半導體市場依然呈現周期性波動。人工智慧需求激增的同時，消費電子和傳統DRAM市場卻有所疲軟。供應過剩的風險依然存在，尤其是在中國廠商加大產能的情況下。即使在HBM等高利潤率領域，競爭也在加劇。此外，還有成本問題。建造一座先進的晶圓廠可能需要高達200億美元的投資，耗時數年。良率提升或客戶認證方面的任何延誤都可能導致盈利能力受損。對比韓國兩大巨頭——三星和SK海力士——的發展軌跡，我們可以發現一個有趣的差異。SK海力士憑藉早期對HBM和人工智慧核心記憶體的大力投入而迅速崛起。它被廣泛認為是HBM領域的領導者，並在營收和聲譽方面都獲得了豐厚的回報。其印第安納項目標誌著SK海力士致力於在韓國以外的全球市場佔據領先地位。儘管三星在HBM領域暫時落後，但它正利用自身規模、整合能力和多元化戰略來追趕。其與特斯拉的交易、對FläktGroup的收購以及在晶圓代工領域的雄心壯志，都體現了其多維戰略——該戰略涵蓋從儲存器到邏輯電路、從晶片到系統等各個方面。當然，兩種路徑都可行。未來幾年將證明，早期集中精力還是廣泛整合那種方式更具可持續性。韓國半導體行業的關鍵時刻2025年即將結束，韓國半導體行業正處於一個關鍵的轉折點。它不再僅僅是儲存器強國，而是正在轉型成為一個多元化、創新驅動、地緣政治靈活的科技生態系統。三星正競相拓展其晶圓代工業務，整合散熱系統，並重塑其在人工智慧時代的角色。SK海力士鞏固了其全球儲存器領導者的地位，並在封裝和人工智慧研發領域佔據一席之地。規模較小的公司則憑藉清晰的戰略定位，開闢了各自的專業細分市場。儘管上文已闡述了上述觀點，但韓國仍面臨諸多挑戰：地緣政治不穩定、成本上漲、執行風險以及來自美國、中國大陸和台灣的激烈競爭。韓國能否保持其優勢，不僅僅取決於資金和產能。 (半導體行業觀察)

當地時間2025年12月3日，美國儲存晶片大廠美光科技（Micron）通過官網正式宣佈，將退出 Crucial 消費類儲存業務，其中包括在全球主要零售商、電商和分銷商處銷售 Crucial 消費品牌儲存產品。美光科技表示，目前計畫將繼續通過消費管道向消費者銷售 Crucial 品牌消費級產品，直至本財年第二季度末（2026 年 2 月）。在此過渡期間，公司將與合作夥伴和客戶緊密合作，並繼續為 Crucial 產品提供保修服務和支援。美光科技將繼續支援面向全球商業管道客戶的美光品牌企業級產品的銷售。“人工智慧驅動的資料中心增長帶動了記憶體和儲存需求的激增。為了更好地為我們在增長更快的細分市場中的大型戰略客戶提供供應和支援，美光做出了艱難的決定，退出Crucial消費業務。”美光科技執行副總裁兼首席商務官Sumit Sadana表示，“感謝廣大消費者的熱情支援，Crucial品牌已成為技術領先、品質卓越和可靠性領先的記憶體和儲存產品的代名詞。我們衷心感謝數百萬客戶、數百家合作夥伴以及所有在過去29年中支援Crucial發展的美光團隊成員。”美光表示，這一決定體現了美光致力於持續進行產品組合轉型，並使其業務與記憶體和儲存領域長期盈利增長方向保持一致的決心。通過專注於核心企業和商業領域，美光旨在提升長期業務績效，並為戰略客戶和利益相關者創造價值。資料顯示，美光的消費級“Crucial”品牌至今已經擁有29年歷史，主要以記憶體模組和固態硬碟（SSD）的形式，銷售給那些DIY 玩家或升級PC硬體發燒友使用。儘管美光的Crucial消費級業務的營收未在公司財報中單獨列出，但美光的雲端儲存業務部門（cloud memory business unit）在最近一季當中實現了同比213%的暴漲。這也反映了當前AI 基礎設施正加速擴張所帶來的巨大儲存晶片需求。而隨著當前儲存晶片供應短缺、價格上漲的持續，美光此舉顯然是選擇犧牲低毛利的Crucial消費類儲存業務，以滿足毛利更高的資料中心業務的需求，以提升公司整體的獲利。這也顯示出美光認為未來儲存晶片市場將面臨持續短缺，以至於需要犧牲掉Crucial消費類儲存業務。至於退出 Crucial 消費類儲存業務對員工的影響，美光表示，計畫通過為團隊成員提供重新部署到公司現有空缺職位的機會，來減少這項商業決策對團隊成員的影響。 (芯智訊)

2025年10月，OpenAI以“星際之門”為名，與三星和SK海力士簽下協議，鎖定每月高達90萬片DRAM晶圓供應——這大致相當於全球DRAM產量的40%，被單一買家一次性包攬，作為其為期四年、總投資5000億美元的基礎設施計畫的一部分。所有關注儲存市場的人都預見到接下來的走勢。合約DRAM價格在交易公佈後跳漲171%。零售市場受到的影響則更為劇烈。一套Team Delta RGB 64GB DDR5-6400記憶體條，八月售價為190美元；而現在？同款在網上的標價是700美元。不到三個月，漲幅高達268%。在和平時期的大宗商品市場中，如此陡峭的漲勢幾乎史無前例。就連本應供應過剩的DDR4，價格也翻了一倍有餘。儲存裝置同樣受波及：西部資料WD Blue SN5000 1TB SSD從64美元漲到111美元，2TB版本也從115美元升至154美元。需求只是部分原因。OpenAI的“星際之門”擴展需要驚人數量的高頻寬記憶體。資料中心與消費電子製造商爭搶同一批基礎資源，而前者出價更高——高得多。工廠正將先進DRAM產能轉向AI需求，因為資料中心的報價是消費裝置製造商無法匹敵的。如果供應保持穩定，局面或許尚可控制。可惜，供應並未穩定。三星、SK海力士與美光都已將產線轉向HBM，也就是用於AI加速器晶片的專用高頻寬記憶體。那裡的利潤遠高於消費級DDR5。美光2026年全部的HBM產能已被預訂一空。用於傳統記憶體模組的晶圓啟動量持續下降，儘管PC製造商仍在持續採購。於是我們看到：需求激增的同時，生產結構卻在轉向。這意味著一場“合謀”的記憶體暴漲局中局進入短期無解的趨勢中。這次記憶體周期與以往不同之處在於：AI基礎設施的升級路徑與消費硬體截然不同。一旦這些資料中心建成，隨著模型規模擴大，它們將持續吞噬記憶體。需求曲線，只上不下。面對這場風暴，科技巨頭的反應判若雲泥，由此劃分出了兩個陣營。索尼在價格起飛前為PlayStation 5囤積了充足記憶體。據行業消息人士透露，其庫存足以在未來數月維持主機價格穩定，甚至可能安然度過整個短缺期。蘋果也提前鎖定了供應，並且其利潤率足以消化這類會壓垮薄利業務的成本上漲。聯想則走得更遠。據彭博社報導，其記憶體庫存較正常水平高出約50%，足以支撐到2026年。微軟的處境則顯得被動。行業分析師認為，Xbox遊戲機很可能不得不再度漲價——而該公司今年稍早已經提價一次。Valve的時機更是雪上加霜。其原本備受期待的客廳遊戲PC“Steam Machine”，上市時核心元件成本已是所有人預算的兩到三倍。公司不願承諾最終售價，並直接將問題歸咎於記憶體短缺。他們規劃中的任何價值主張，都被記憶體成本徹底吞噬。模組化筆記型電腦公司Framework則已從其商店下架所有獨立記憶體套條。這場由“預見力”劃分的陣營，正在競爭格局中刻下深遠影響——即便價格未來回穩，其效應也將長期存在。索尼與聯想保住了市場地位；微軟與Valve則未能倖免。短短幾個月的供應鏈管理，壓縮了本應多年演變的市場份額變遷。很自然的問題是：三星、SK海力士和美光眼看著價格翻了三倍，為何不全力增產以攫取利潤？去問任何一位在2018年經歷過那場過剩的人，他們會給你確切的答案。2016年末至2017年初：記憶體供應緊張，價格攀升。三大製造商以最直接的方式回應——在韓國與中國破土動工新建晶圓廠，並提升現有產線產能。從紙面上看，追逐高價而擴大產能，演算法上完全合理。然而，2018年到來，演算法失靈。需求趨於平穩，所有新產能卻同時上線。晶片堆積在倉庫中。三星半導體部門——以往的利潤引擎——交出的季度業績令投資者咋舌。SK海力士情況同樣慘淡。供應過剩的陰影一直籠罩到2019年才逐漸散去。那段經歷，深刻塑造了這些公司今日的每一個產能決策。一座記憶體晶圓廠從建設到投產需時數年。2025年11月做出的晶圓分配選擇，將決定2027甚至2028年的市場供應。而屆時AI基礎設施支出是否仍如此火熱？無人能答。如果AGI研發遭遇瓶頸？如果超大規模使用者意識到過度投入而開始取消訂單？製造商寧願維持當前的短缺，也不願重蹈過剩覆轍。他們稱之為“紀律”。而消費者，在眼睜睜看著89美元的記憶體套條變成310美元時，用的可能是別的詞。行業預測指出，DRAM與NAND的供應緊張將持續至2026年；對2027年恢復常態，也僅抱有部分樂觀。大容量近線硬碟的訂單積壓已排至兩年後。分銷商開始將記憶體與主機板捆綁銷售，只為控制庫存分配。將鏡頭拉遠，一個令人不適的景象逐漸清晰：PC組裝者與遊戲玩家，正在為AI基礎設施的發展提供資金。不是直接的，也非出於自願，但機制正是如此運行。OpenAI、微軟、Google、亞馬遜——所有超大規模使用者——他們推高了記憶體價格以儲備訓練叢集所需。製造商優先滿足這些客戶。零售端的可用性不斷萎縮。那個為遊戲電腦攢錢的青少年，不得不為他三個月前僅需130美元的記憶體，多付出400美元。從未有過一場公共政策辯論，去權衡“加速AI發展”是否值得以“消費級計算成本上升”為代價。市場只是將資源導向出價最高者。而當單一客戶能鎖定全球40%的供應時，這一過程變得迅速而猛烈。三家公司生產了全球幾乎所有的DRAM。如此集中度，帶來了尚未受到足夠監管關注的系統性脆弱。說句實在話：已經時候審視這一局面了。 (錦緞)

11月23日，在第二十二屆中國國際半導體博覽會上，長鑫儲存發佈了DDR5和LPDDR5X兩大產品系列。其中，DDR5產品最高速率達8000Mbps，最高顆粒容量為24Gb，並配套推出UDIMM、SODIMM、CUDIMM、CSODIMM、RDIMM、MRDIMM和TFF MRDIMM等七種模組產品，應用場景覆蓋伺服器、工作站及個人電腦。與此同時，長鑫儲存還推出了LPDDR5X產品線，其最高速率可達10667Mbps，最高顆粒容量為16Gb，並提供從12GB到32GB的多種容量方案，進一步豐富了其在移動儲存領域的佈局，也就是說，長鑫儲存終於殺出來了。此次發佈標誌著中國國產DRAM晶片在技術參數上已接近國際主流水平，但長鑫儲存在全球市場份額方面仍處於追趕階段，並面臨國際巨頭的壟斷和供應鏈限制等壓力。目前，長鑫儲存正通過快速擴產來提升市場地位。據Trendforce資料顯示，到2025年底，該公司產能將達到30萬片/月，同比增長近50%。Counterpoint資料顯示，長鑫儲存今年DRAM出貨量同比增長50%，市場份額預計將從一季度的6%提升至四季度的8%。在細分市場方面，長鑫儲存DDR5市場份額預計從一季度不足1%上升至年底的7%，LPDDR5市場份額從0.5%增至9%。長鑫儲存相關負責人表示，DRAM需求的增長對市場供給和價格產生了較大影響，中國需要穩定的中國國產DRAM產能供應，通過產能擴張和規模效應來減少對海外廠商的依賴。全球DRAM市場集中度較高，三星、海力士、美光三家企業合計市佔率超過90%。根據興業證券研報分析，儲存晶片具有大宗商品屬性，價格呈現周期性波動特徵。近期，儲存晶片價格持續上漲。據DRAMexchange資料，DDR5現貨平均價格從9月底的7.676美元升至11月初的20.938美元，同時DDR4和NAND合約平均價格在9月也環比上漲了11%。因此，三星電子在11月調整了部分儲存晶片的價格，較9月漲幅最高達60%。SanDisk也在11月將NAND Flash合約價上調了50%，並預測NAND供需緊張狀況或將持續至2026年底。交銀國際研報進一步指出，DRAM價格強勢將至少延續至2026年三季度。長城證券分析認為，此次價格上漲主要源於頭部廠商對供應的調控以及AI需求推動產能向高階工藝轉移，導致傳統消費級儲存產能受到擠壓。值得注意的是，長鑫儲存的母公司——長鑫科技集團，其上市處理程序正在積極推進中。中國證監會官網10月發佈的資訊顯示，長鑫科技的上市輔導狀態已變更為“輔導工作完成”。此次輔導由中金公司與中信建投共同負責，從7月啟動輔導到完成，歷時約3個月。根據2024年3月的戰略融資情況，長鑫科技的估值約為1400億元。天眼查資訊顯示，長鑫科技成立於2016年，註冊資本約601.93億元，其股東包括基石資本、阿里巴巴等知名機構。具體來看，合肥清輝集電企業管理合夥企業、合肥長鑫積體電路以及國家積體電路產業投資基金二期位列前三大股東，持股比例分別為24.32%、12.43%和9.80%。與此同時，兆易創新與長鑫科技保持著密切的合作關係。兆易創新董事長朱一明曾擔任長鑫儲存首席執行官，並現任長鑫科技董事長。2024年3月，兆易創新更是以15億元參與了長鑫科技的新一輪融資，本輪融資投前估值約1399.82億元，增資價格為2.61元/每一元註冊資本。本輪融資包括合肥長鑫積體電路、合肥產投壹號股權投資合夥企業、建信金融資產投資等多名投資人，融資規模合計108億元。此外，兆易創新自2019年起便與長鑫集團開展DRAM業務合作，從長鑫儲存等子公司採購代工生產的DRAM產品，並在2025年度預計達成1.61億美元的交易額度。中信證券指出，DRAM市場目前仍由韓美廠商佔據主導地位，但長鑫儲存的技術正在加速追趕。其產能在2024年實現了翻倍增長，未來若成功上市，有望進一步推動擴產，並逐步提升裝置中國國產化率。在這樣的背景下，長鑫儲存已推出多款商用DRAM產品，應用於移動終端、電腦、伺服器、虛擬現實和物聯網等領域。今年10月，長鑫儲存宣佈量產LPDDR5X產品。其中8533Mbps和9600Mbps速率產品已於5月實現量產，而10667Mbps速率產品也已啟動客戶送樣。現如今，長鑫儲存依託中國大陸的成本和規模優勢，在技術迭代與產品佈局方面正逐步縮小與國際廠商的差距。 (AI硅基未來)

當長鑫儲存在 IC China 2025 展會上亮出 8000Mbps 速率、24Gb 容量的 DDR5 新品，不僅以 “速率提升 25%、容量突破常規” 的性能指標躋身國際第一梯隊，更在全球儲存晶片漲價潮與技術壟斷的雙重背景下，撕開了一條中國國產替代的關鍵缺口。這款覆蓋伺服器、PC 全場景的產品，與其說是一次技術發佈，不如說是中國半導體產業在核心賽道對全球巨頭的正式宣戰，標誌著 DRAM 領域 “韓美主導” 的格局開始出現鬆動。新品的核心突破，在於精準擊中了當前市場的供需痛點與技術瓶頸。從性能維度看，8000Mbps 速率已遠超 6400Mbps 的行業主流基準，直接滿足 AI 訓練、雲端運算等高算力場景對低延遲、高頻寬的剛需 —— 在 AI 推理任務中，這種性能躍升可使並行請求處理效率提升 30% 以上。而 24Gb 大容量顆粒的推出更具戰略價值，能讓資料中心在不增加物理插槽的前提下實現記憶體擴容，完美匹配 Open AI、阿里雲等巨頭對大模型載入能力的迫切需求。更關鍵的是，這款產品同步覆蓋伺服器與 PC 終端，形成全場景佈局，這與三星、美光當前側重高端伺服器市場的策略形成差異化競爭。在全球儲存市場 “量價齊升” 的特殊周期下，長鑫的突破更顯及時。當前三大巨頭壟斷全球 90% 以上的 DRAM 產能，為應對此前行業下行周期，三星、美光等自 2024 年起持續減產，SK 海力士甚至將 30% 晶圓產能轉向高利潤的 HBM 產品。供給收縮疊加 AI 驅動的需求爆發，直接引發價格失控：DDR4 價格年內飆升 300%，DDR5 現貨一周暴漲 25%，SK 海力士 HBM4 報價較前代上漲超 50%。長鑫此時放量高端 DDR5，不僅能緩解中國 “卡脖子” 困境，更能通過產能補充打破巨頭的價格操控 ——Counterpoint 預測其 DDR5 市場份額將從年初不足 1% 躍升至年底 7%，成為制衡市場的關鍵力量。更深層的意義在於，這款產品推動中國國產儲存生態從 “單點突破” 走向 “系統協同”。此前 DDR5 在中國普及受阻，核心癥結在於 CPU、主機板等配套生態滯後於國際 —— 英特爾 2022 年就要求至強處理器必須搭配 DDR5，而中國資料中心仍大量沿用 DDR4 平台。長鑫新品的發佈將形成 “技術牽引效應”：其與中國國產 CPU 廠商的適配測試已進入收尾階段，配合華為鯤鵬、海光資訊等平台的推廣，有望加速中國算力基礎設施的 DDR5 升級處理程序。這種生態協同至關重要，在金融高頻交易、5G 基站等場景中，全端中國國產化的 DDR5 方案可將資料傳輸延遲降低 40%，顯著提升核心系統競爭力。但在樂觀預期背後，長鑫仍需突破三重挑戰。首先是產能爬坡壓力，當前其 DRAM 產能雖較 2024 年翻倍，但相較於三星單廠百萬片的月產能仍有差距，短期內難以完全滿足中國需求。其次是生態壁壘突破，輝達 GPU 與三星 DDR5 的深度最佳化已形成使用者習慣，長鑫需通過相容性測試與性能認證建立信任。最後是專利風險，全球儲存巨頭手握數萬項核心專利，如何在自主研發與專利規避間找到平衡，將決定其全球化處理程序的順暢度。從全球產業格局看，長鑫的突破恰逢 “百年未有之變局”。日本市場正陷入 “股債匯三殺” 的流動性危機，而韓國半導體則面臨外資撤離壓力，全球科技產業鏈正經歷深刻重構。長鑫此時的技術躍升，不僅為中國在儲存領域爭取到話語權，更能吸引全球資本向中國國產供應鏈傾斜 —— 中信證券指出，長鑫上市後有望拉動裝置、封測等產業鏈環節中國國產化率提升，形成千億級市場機遇。長鑫儲存的 DDR5 新品，是中國國產晶片產業的里程碑式突破。它不僅用 8000Mbps 的速率證明了中國企業的技術實力，更在全球儲存市場的亂局中注入了穩定性力量。對於中國而言，這是擺脫外資依賴、建構自主算力底座的關鍵一步；對於全球市場而言，這是打破壟斷、重構產業生態的重要變數。在 AI 算力競爭白熱化的今天，儲存作為 “算力糧倉” 的戰略價值日益凸顯，長鑫的突圍，正是中國科技產業從 “跟跑” 向 “並跑” 跨越的生動註腳。 (A股資訊圈)

周末，儲存晶片領域傳來一則好消息！11月23日，在第二十二屆中國國際半導體博覽會（IC China）上，長鑫儲存發佈了最新的DDR5產品系列，最高速率達8000Mbps，最高顆粒容量24Gb。同時，長鑫儲存還在現場展示了最高速率10667 Mbps、最高顆粒容量16Gb的最新LPDDR5X移動端記憶體。多家行業媒體稱，上述兩大產品系列速率、容量雙維度均位居業界第一梯隊，標誌著國產儲存晶片具備與國際一線大廠同台競技的技術實力。長鑫儲存發佈DDR5記憶體新品據長鑫儲存官網消息，在11月23日開幕的第二十二屆中國國際半導體博覽會（IC China）上，長鑫儲存以“雙芯共振，5力全開”為主題，首次全面展示DDR5和LPDDR5X兩大產品線最新產品。長鑫儲存發佈了最新的DDR5產品系列：最高速率達8000Mbps，最高顆粒容量24Gb，並推出UDIMM、SODIMM、CUDIMM、CSODIMM、RDIMM、MRDIMM、TFF MRDIMM等七大模組及新型產品，覆蓋伺服器、工作站及個人電腦等全場景領域，滿足各領域的高端市場需求。長鑫儲存同台展出了近期發佈的LPDDR5X產品，該系列針對移動市場旗艦產品，最高速率10667Mbps，最高顆粒容量16Gb，並涵蓋12GB、16GB、24GB、32GB等容量的多種封裝解決方案。長鑫儲存表示，公司通過DDR與LPDDR雙線創新突破，將進一步豐富全球儲存晶片的供給，為下遊客戶創造多元價值選擇。長鑫儲存將持續深耕技術迭代，精準響應市場需求，以自主實力引領產業生態協同升級。公開資料顯示，長鑫儲存是一家一體化儲存器製造公司，專注於動態隨機存取儲存晶片（DRAM）的設計、研發、生產和銷售。長鑫儲存總部位於安徽合肥，在國內外擁有多個研發中心和分支機構。長鑫儲存已推出多款DRAM商用產品，廣泛應用於移動終端、電腦、伺服器、虛擬現實和物聯網等領域。今年10月 ，長鑫儲存宣佈已量產LPDDR5X產品。當時，長鑫儲存在IEEE 2025 ASICON會議上分享了LPDDR5X產品的最新進展。目前，長鑫儲存LPDDR5X的產品陣容包括顆粒、晶片及模組等形態。其中顆粒包括12Gb和16Gb兩個容量點。晶片形態提供了覆蓋12GB、16GB、24GB等多個容量點的解決方案。模組形態的LPCAMM產品容量為16GB和32GB。LPDDR5X產品的速率覆蓋了8533Mbps、9600Mbps、10667Mbps，同時相容LPDDR5。長鑫儲存透露，目前，8533Mbps和9600Mbps速率的LPDDR5X產品已於今年5月量產，10667Mbps速率的產品已經啟動客戶送樣。儲存晶片價格持續上漲最近幾個月，全球儲存晶片價格持續上漲。據DRAMexchange資料，近期主要儲存原廠陸續暫停DDR5合約報價，DDR5（16Gb）現貨平均價格已從9月底的7.676美元升至11月7日的20.938美元。DDR4（8Gb）和NAND（128Gb MLC）的合約平均價格也在9月環比上漲11%。儲存廠SanDisk（閃迪）在11月將NAND Flash合約價上調50%，公司在11月公佈強勁業績的同時，預測NAND供不應求的趨勢或將持續到2026年年底。另外，有消息稱，受全球人工智慧資料中心建設熱潮影響，三星電子11月大幅上調部分儲存晶片價格，較9月份漲幅最高達60%。作為全球最大的儲存晶片製造商，三星曾在10月決定推遲正式公佈供應合同定價——通常情況下，該公司每月都會公佈定價細節，此次漲價正是在此之後。路透社指出，這些主要應用於伺服器的儲存晶片價格飆升，可能進一步加劇大型企業在擴建資料中心基礎設施過程中面臨的壓力，同時也可能推高智慧型手機、電腦等其他終端產品的製造成本——此類晶片亦被廣泛用於上述裝置中。日前，交銀國際發佈研報，維持對儲存價格將繼續堅挺的判斷，認為DRAM的強勁價格將至少延續至2026年三季度，並預計NAND價格將繼續保持強勁到至少2026年三季度（之前預計為2026年上半年）。同時，交銀國際認為，儲存價格的上漲或將繼續令智慧型手機、消費電子等公司的利潤水平承壓。長城證券表示，此次NAND Flash的價格大幅增長，一方面源於頭部儲存廠商通過主動調控供應來扭轉此前因供過於求導致的價格低迷局面，從而提升盈利能力；另一方面，受AI對儲存容量需求急速攀升的影響，儲存廠商將更多產能轉向更高階的工藝，造成傳統消費級儲存產能受到擠壓。根據Omdia的年度NAND快閃記憶體產量資料，三星電子已將今年的NAND晶圓產量目標下調至約472萬片，較去年的507萬片減少約7%。鎧俠也將年產量從去年的480萬片調減至469萬片。Omdia預計，三星和鎧俠的減產趨勢將持續到明年。SK海力士的NAND產量已從去年的約201萬片降至約180萬片，降幅約10%；美光也採取保守的供應策略，將其最大NAND生產基地新加坡Fab 7工廠的產量維持在約30萬片的較低水平。根據閃迪的最新業績會，該公司指出，NAND需求顯著超過供應，這一態勢自2025年起已顯現，並將持續貫穿整個2026年日歷年，甚至可能延續至2027年及以後。公司預計2026年資料中心市場的位元需求將同比增長40%以上，增長主要源於客戶在資料中心和邊緣側尋求更高的AI推理能力，對解決AI推理儲存問題的創新方案需求激增。此外，已有客戶主動尋求長期供應保障，部分已開始洽談2027年供貨協議，因此，受益AI需求持續旺盛，儲存高景氣度有望延續至2027年。 (券商中國)

隨著AI算力需求爆發與儲存行業超級周期的全面開啟，儲存晶片價格的持續飆升正引發全產業鏈的連鎖反應。“一天幾個價”、“暴漲快過黃金”，“我們現在是不愁賣的，如果手機廠家不要的話，我們可以把產能給伺服器客戶，他們現在也很缺貨，還可以賣的更貴。”一位儲存晶片原廠員工向媒體表示。這番自信背後，是正在席捲整個電子產業的晶片漲價浪潮。以DDR5為例，短短一個月內價格就暴增了102%，DDR4漲幅也超過90%。這場最初由儲存晶片開始的漲價風暴，現已蔓延至SoC、GPU、被動元件乃至整個半導體產業鏈。儲存晶片領漲，一個月價格飆升超100%儲存晶片市場的漲價風暴來得異常猛烈。2025年下半年以來，全球儲存晶片行業迎來了一場罕見的普漲行情，進入四季度後漲勢愈演愈烈。根據市場資料顯示，主流DDR5規格的16Gb顆粒在9月底的價格為7.68美元，一個月後竟跳增至15.5美元，單月漲幅高達102%；DDR4 16Gb的漲幅也超過92%。三星電子DDR5-5600（16GB）DRAM的價格在兩個月內更是從9月的69000韓元猛增至208050韓元，直接翻了三倍。前不久，三星電子更是直接宣佈，將伺服器記憶體晶片的合約價格上調30% - 60%。其中，32GB DDR5記憶體模組的價格從9月的149美元急劇攀升至239美元，創下歷史最高的單次漲幅紀錄。漲勢如此迅猛，以至於三星、SK海力士和美光等儲存原廠甚至一度暫停報價，觀望市場變化。摩根士丹利指出，過去六個月NAND 現貨價格上漲約50%，DRAM 現貨更暴漲300%，漲勢遠高於2016-2018年儲存長周期的漲幅。TrendForce也表示，2025年第四季度DRAM合約價對比去年同期上揚逾75%。隨著儲存器佔整機BOM成本約10%~15%的估算，2025年該成本已被墊高8%~10%。本輪價格上漲的核心緣由是“需求猛增與供給縮減”的雙重影響。在供給方面，三星、SK海力士以及美光把產能轉移至HBM和DDR5等高利潤產品領域，傳統儲存的供應量削減了25%。例如，三星將NAND晶圓的生產目標下調至472萬片（降幅7%），鎧俠調至469萬片（降幅2%），SK海力士調至180萬片（降幅10%）。據瞭解，2023-2024年儲存行業資本開支降低了30%，而且產能擴張周期長達18-24個月。有業界人士預測，在2026年之前，供應緊張的局面將持續存在 。與過往的景氣周期不同，此輪儲存晶片市場的上行周期，其核心推手並非個人消費電子，而是AI伺服器。AI大模型訓練和推理所帶來的前所未有的儲存需求，徹底改寫了儲存行業的周期邏輯。AI伺服器對儲存晶片的需求呈現“量價齊升”的特點。在數量上，單台AI伺服器的DRAM用量約為傳統伺服器的8倍，NAND Flash用量也達到傳統伺服器的3倍。另一方面，面對AI模型參數高達兆等級的挑戰，傳統記憶體的資料傳輸速度已成為制約算力釋放的瓶頸，即“記憶體牆”問題。為此而生的高頻寬記憶體（HBM） 通過將多個DRAM晶片垂直堆疊，提供了數倍於傳統記憶體的傳輸速度，成為輝達、AMD等AI晶片巨頭的標配。然而，HBM的製造過程複雜且昂貴，其消耗的晶圓產能是標準DRAM的三倍以上，這直接擠佔了傳統DRAM的產能，加劇了整體市場的供應緊張。這種供需的結構性錯配，在價格上引發了罕見的現象：由於產能被HBM持續侵蝕，傳統DRAM（如DDR4）的供應日趨緊張，其價格漲幅甚至一度超過了更先進的DDR5，出現了價格倒掛。可見，一場由AI引爆的儲存晶片漲價風暴正在席捲全球，並引發了整個晶片產業的連鎖反應。從GPU、SoC到被動元件，晶片漲價潮蔓延儲存晶片的漲價風暴迅速波及整個晶片品類和電子產品製造鏈。其中，GPU晶片成為漲價主力。輝達、AMD等大廠被報導正準備全面提高顯示卡價格，以應對儲存晶片成本上升。因為GPU顯示卡核心的GDDR視訊記憶體與儲存晶片市場聯動緊密，隨著DDR5產能向AI伺服器傾斜，GDDR6X、GDDR7供應緊張，帶動顯示卡整體價格上漲。更關鍵的是，AI顯示卡搭載的HBM價格漲幅驚人，SK海力士與輝達達成的2026年HBM4供應協議中，單價高達560美元，較當前產品漲價超50%。受此影響，高端遊戲顯示卡與AI加速卡價格近三個月平均漲幅已達20%-30%。據VideoCardz報導，AMD已內部明確將調整所有型號GPU的定價，似乎已通知部分合作夥伴，將調漲現有Radeon顯示卡的價格，只是具體時間和幅度尚未最終確定。近日還有消息傳出，受GDDR等儲存晶片成本大幅上漲影響，AMD與輝達可能縮減甚至暫停部分GPU的生產，以將有限的儲存晶片優先分配至毛利較高的產品線。雖然未點名暫停生產GPU的具體型號，但市場普遍推測，面向大眾市場的50/60系列或將首當其衝。供應鏈人士指出，在儲存全面吃緊的情況下，消費型GPU的供貨勢必受到影響。GPU價格高漲不僅影響DIY市場，更將波及預裝系統、筆記型電腦、Xbox和PlayStation遊戲機，以及眾多遊戲手持PC。PCMag報導指出，儲存成本上升可能威脅到明年幾乎所有電子產品的價格上漲，這波暴漲也引發了部分市場的恐慌性採購。隨著雲端運算和AI公司加大採購力道，除了DRAM外，SSD價格也在大幅提升。此外，部分SoC與MCU晶片也迎來普遍漲價。這類晶片廣泛應用於智慧型手機、汽車電子、物聯網裝置等領域，其內部普遍整合DDR等儲存單元，而當前DDR4、DDR5記憶體價格的暴漲直接推高製造成本。以汽車電子領域為例，L3級自動駕駛車型搭載的MCU晶片需整合更高容量DDR，儲存成本佔比已從15%提升至25%，倒逼終端產品調價。消費電子同樣如此，高端SoC晶片因整合LPDDR5X儲存，成本漲幅達30%以上，部分旗艦機型定價已明顯上調。在此次漲價潮中，被動元件也未能倖免。國內被動元件龍頭企業風華高科近日正式向代理商及直接客戶發出調價通知，宣佈對多類產品價格進行上調，幅度在5%至30%不等。其中，電感磁珠類產品價格調升5-25%，壓敏電阻類產品對銀電極全系列調升10-20%，瓷介電容類產品對銀電極全系列產品價格調升10-20%，厚膜電路類產品價格調升15-30%。風華高科在通知中明確指出，漲價核心原因是上游金屬原材料價格上漲，銀價自今年以來累計漲幅已達50%，錫、銅、鉍、鈷等原材料也全線上揚，導致部分產品線面臨巨大的成本壓力。而AI伺服器與新能源汽車對被動元件的需求激增，單台AI伺服器MLCC用量達傳統伺服器的8倍，進一步放大了供需缺口。實際上，包括矽片、晶圓、基板、光刻膠、封裝材料等在內的晶片製造的核心原材料的價格上揚或供應缺口，都會間接傳導至各類晶片成本，進一步壓縮晶片廠商利潤空間。總之，在儲存晶片漲價的市場氛圍下，一系列相關晶片迎來漲價趨勢，以及在晶片市場漲價氛圍下，功率晶片、邏輯晶片等通用品類也在順勢跟漲。有業內人士向筆者表示：“一方面，下游廠商為鎖定成本提前備貨，加劇短期供需緊張；另一方面，頭部廠商借行業景氣度最佳化盈利結構，部分中低端通用晶片價格漲幅雖不及儲存相關晶片，但也達到10%-15%。這種跟漲現像在消費電子與工業控制領域尤為明顯，形成全面漲價的市場預期。”供需失衡、晶片漲價：幾家歡喜幾家愁針對本次漲價根源，可以簡要歸為幾點原因：供需失衡是根本原因：AI算力需求爆發式增長，拉動HBM、DDR5等高端儲存需求激增，而三星、SK海力士等頭部廠商此前減產且產能向高利潤產品轉移，導致傳統與高端產品同時供應短缺。成本傳導形成閉環：從金屬原材料到矽晶圓、基板，上游全鏈條價格上漲，疊加環保限產、裝置交期延長等因素，晶片製造成本持續攀升，最終通過漲價轉移至下游。市場預期強化趨勢：頭部廠商謹慎擴產以維持高景氣度，現貨市場“一天一價”的現象加劇恐慌性備貨，進一步推高價格，形成良性循環。然而，以儲存晶片漲價為首的衝擊波正對消費電子產業造成明顯衝擊。據介面新聞報導稱，多家手機廠商已經暫緩了本季度的儲存晶片採購。小米、OPPO、vivo等廠商庫存普遍低於兩個月，部分廠商DRAM庫存低於三周，正在猶豫是否接受原廠接近50%的漲幅報價。小米集團合夥人、總裁盧偉冰在微博上公開回應Redmi K90系列不同版本差價過大的問題：“我們無法改變全球供應鏈的走勢，儲存晶片成本上漲遠高於預期，且會持續加劇。”CFM快閃記憶體市場分析師對此表示，手機廠商們能接受的是逐季、溫和上漲，而不是在一個季度裡跳漲40%。面對困境，手機廠商們普遍採取了一種“小幅漲價+儲存晶片配置策略性下調”的方式。例如，原本計畫在某個價位段提供512GB ROM+16GB RAM的豪華配置，現在只能降格為512GB ROM+12GB RAM。廠商對運行記憶體（RAM）進行小規格下調，通常不會給使用者的日常使用體驗帶來明顯的差距。然而，對於低端手機市場，衝擊更為猛烈。業內人士指出，對於低端手機來說，硬體利潤的空間一定會更有壓力。明年低端機型市場可能會出現出貨瓶頸，部分入門級機型甚至可能出現生產越多，虧損越多的局面。TrendForce集邦諮詢也表示，由於儲存器供應緊張狀況延續，規模較小的智慧型手機品牌資源取得難度加大，不排除該市場將進入新一輪洗牌，大者恆大的趨勢將更為明確。另一方面，這場由AI驅動的儲存超級周期的到來，對於邏輯晶片代工廠而言，卻可能是一把“雙刃劍”。中芯國際CEO趙海軍表示，儲存漲價對邏輯代工的兩大致命影響：其一是供應鏈無法配套的風險。對於終端廠商而言，儲存晶片是產品關鍵物料，如果無法確保DRAM和NAND的足額供應，他們自然會減少對PMIC、CIS、MCU和顯示驅動等其他配套晶片的採購，而這些晶片，正是中芯國際的主力產品。實際上，四季度是消費電子晶圓代工的傳統淡季，開工情況反映的是明年第一、二季度的需求預期，在這種不確定性下，終端廠商對來年的生產規劃都相對保守。其二是成本擠壓壓力，儲存晶片價格的暴漲，正在擠壓終端產品的利潤空間。“手機的價格並不期待能夠上漲，”趙海軍直言，“客戶就希望別的晶片售價能夠降低，來平衡儲存器價格上漲。”這意味著，即使中芯國際的產線處於滿載，其客戶晶片設計公司也正面臨來自下游終端廠商手機、汽車、家電廠商的巨大降價壓力。為了保住市場份額，晶片設計公司不得不壓縮利潤，這股壓力最終會傳導至晶圓代工廠。趙海軍強調：“這也會使得行業的競爭更加厲害。”這些論調在一定程度商解釋了，為何在產能供不應求的同時，中芯國際卻對四季度的毛利率給出了下滑的指引。能看到，晶片漲價對於不同企業而言感受差異顯著。所謂，彼之蜜糖，吾之砒霜。寫在最後摩根士丹利預測，儲存行業在AI驅動下開啟“超級周期”，預計2025年全球儲存收入有望達2000億美元，2027年將達到近3000億美元，正在推動整個行業進入結構性增長階段。不過筆者認為，這一增長路徑並非坦途，行業依然會延續著高成長與強周期並存的特徵，循環往復。長期來看，漲價潮將呈現結構性分化。AI驅動的高端晶片（HBM、先進製程SoC等）因技術壁壘高，供需緊張格局難以快速緩解；而消費電子領域的中低端晶片，隨著產能調整與需求疲軟，2026年可能進入價格調整階段。此外，在地緣政治因素、國產替代推進等因素影響下，將進一步重塑全球晶片市場的價格體系。需要強調的是，晶片漲價潮或價格體系的重塑，或將會引發全球供應鏈的重構。例如，在供需不平衡的市場環境中，大型廠商能夠憑藉規模優勢，提前鎖定了原廠的大部分產能，而中小企業則只能被迫在現貨市場上爭奪所剩無幾的資源，使其處境愈發艱難。晶片行業的周期輪轉從未停歇，這一輪漲價潮既是AI技術革命催生的結構性機遇，也是全球供應鏈重構中的必然現象。對於產業鏈上的企業而言，漲價潮帶來的不僅是成本壓力，更是戰略調整的窗口，能夠精準把握市場供需變化、提前佈局高端技術與多元化供應鏈的企業，將在周期波動中站穩腳跟；而那些依賴單一產品、缺乏成本控制能力的企業，可能面臨被淘汰的風險。 (半導體行業觀察)

“一天幾個價”、 “暴漲快過黃金”，一場由AI引爆的儲存晶片漲價風暴正在席捲全球。過去半年，全球儲存晶片價格持續上漲。 最近一個月，漲價消息越發密集。繼閃迪NAND快閃記憶體合約報價暴漲50%之後，更多儲存廠商開始“蠢蠢欲動”。媒體援引知情人士透露，三星電子本月提高了某些記憶體晶片的價格，這些晶片因全球建設AI資料中心的熱潮而供應短缺，提高後的晶片價格比九月份上漲了多達60%。2025年下半年以來，儲存晶片行業正邁入一個被廣泛稱為“超級周期”的新階段。矽谷巨頭掀起的第二波AI基建熱潮，不僅消耗了所有可用的GPU，也使得高頻寬記憶體（HBM）陷入嚴重短缺，例如SK海力士明年的HBM訂單早已售罄。價格走勢也從此前的低迷恢復，並出現轉折性訊號：DRAM和NAND Flash價格進入了全面且持續的上行通道。招商證券表示，此次由AI驅動的“超級周期”將比以往任何一次繁榮都更持久、更強勁。“超級周期”這一術語已然強勢回歸，成為儲存半導體市場的新敘事邏輯。不同於過去周期性的庫存回補——本輪更多地被結構性需求與產能錯配所驅動。這次，隨著AI對算力近乎無限的渴求，尤其是大模型、推理加速與高頻寬需求的爆發，記憶體的價值得以重新定義，行業邏輯得以重構，周期特徵也正發生根本性變化。▌AI浪潮驅動儲存晶片牛股輩出：“批發商”香農芯創、高盛吸籌的德明利遭股東減持深圳華強北被譽為中國電子市場的“晴雨表”，在這裡，包括DDR4和SSD在內的儲存產品價格已出現翻倍的情況，甚至“一天幾個價”。儲存晶片走出的逆勢狂飆曲線也被網友調侃為“年度最佳理財產品”“暴漲快過黃金”。今年以來，儲存晶片的狂熱，帶動了產業鏈一眾上市公司股價的狂飆突進。Choice資料顯示，年初迄今，香農芯創股價漲幅為514.1%，德明利股價漲幅為334.53%，東芯股份、誠邦股份、江波龍、西安奕材股價漲幅均超200%。其中，聯合SK海力士等合作方設立控股子公司海普儲存的香農芯創年初迄今股價累計最大漲幅為782.15%。公開資料顯示，香農芯創的主要收入來源於電子元器件分銷業務，公司主要代理產品是SK海力士的儲存器及MTK聯發科的主控晶片。作為儲存晶片的“批發商”，儲存晶片市場的熱火朝天似乎並沒有直接投射至香農芯創的財報上。香農芯創三季報披露，2025年前三季度實現營收264億元，同比上漲59.90%；歸母淨利潤3.59億元，同比反而下降1.36%。知情人士表示，大家看到的是“同比”情況，而同比來看，考慮到去年前兩個季度的市場環境及公司“有一些低價的庫存”等因素，公司的毛利率水平會相對高一些。如果看“環比”，也就是三季度對比二季度，（毛利率）已經是在上升了。香農芯創半年報披露，在其上半年總營收（171.23億元）的構成中，佔絕對大頭的是“電子元器件分銷”業務，收入為166.14億元，佔比97.03%。關於“分銷”，根據半年報資訊，香農芯創手握韓國SK海力士和MTK的代理權及AMD的經銷商資質，客戶則主要是阿里巴巴、華勤通訊這樣的網際網路雲服務商和國內大型ODM。公司分銷業務採購分為訂單採購與備貨採購兩種，以訂單採購為主。也就是說，香農芯創的生意模式，主要是從SK海力士這樣的儲存原廠拿貨，再賣給下游的阿里、華勤。分析人士表示，香農芯創的經營模式主要為佔其總營收高達97%的“分銷”生意，其實分成了兩塊——“以銷定采”的業務是基本盤，毛利穩定，賺的是“量”的錢，行情漲跌對這塊業務的“毛利”影響不大；“備貨採購”的業務，則試圖賺市場波動的錢。此外，香農芯創證券部人士則稱，作為分銷商，儲存上游漲價對公司毛利率影響較小，影響主要來自量的變化。香農芯創還在半年報中披露了“自研晶片”的進展，其自主品牌“海普儲存”，“已完成企業級DDR4、DDR5（第四代、第五代雙倍資料速率記憶體）、Gen4 eSSD（企業級固態硬碟）的研發、試產”。而這家海普儲存，則是香農芯創在2023年聯合大普微電子和SK海力士共同發起設立的。但對於香農芯創近期股價的暴漲，已有股東選擇“落袋為安”。香農芯創11月12日公告稱，11月11日，第三大股東無錫高新區新動能產業發展基金通過集中競價方式減持54.92萬股，持股比例由5.12%下降到4.999985%。另外，主營快閃記憶體主控晶片和儲存模組的德明利年初迄今股價累計最大漲幅為430.14%。值得一提的是，在股價暴漲期間，德明利也吸引了一眾機構佈局。據德明利三季報，“高盛國際-自有資金”新進成為公司第四大流通股東，持有214.32萬股股份，佔總流通股的1.33%。然而，就在本周，德明利公告，公司第二大股東魏宏章11月7日減持78.22萬股公司股份。另外，德明利三季報披露，前三季度淨虧損2707.65萬元。與此同時，2025年前三季度，德明利成本激增，營業總成本從去年同期30.98億元，增長至66.53億元；資金狀況方面，德明利的資產負債率為73.28%，短期借款為27.62億元、一年內到期的非流動負債為6.36億元。帳上貨幣資金6.95億元，交易性金融資產為1.74億元，公司的現金難以覆蓋短債。不過，德明利近期接受機構調研時表示，公司始終高度關注毛利率等核心盈利指標，儲存晶片行業趨勢向好對相關業務具有積極影響，2025年第三季度公司綜合毛利率改善明顯，10月儲存價格延續上漲趨勢，公司四季度業績表現有望進一步改善。▌儲存行業“超級周期”席捲而來：A股玩家誰能在AI儲存盛宴中多分一杯羹？在全球加速擴張與AI訓練/推理密切相關聯基礎設施的史無前例“AI算力競賽”中，摩根士丹利等華爾街巨頭們高呼“儲存超級周期”已至。長期以來，全球儲存市場呈現寡頭格局。根據TrendForce集邦諮詢的統計資料，截至2025年第二季度，全球DRAM市場由SK海力士、三星和美光三家瓜分，市場份額分別為38.7%、32.7%和22%；NAND flash市場則由三星、海力士和鎧俠主導，2025年第二季度市場份額分別為32.9%、21.1%和13.5%。而在A股市場，因長江儲存和長鑫儲存未上市，目前的儲存產業鏈公司主要分為三類：第一類是以江波龍、佰維儲存為代表的模組廠，從上游採購晶圓，進一步加工後出售；第二類是以香農芯創為代表的晶片代理商；第三類以瀾起科技為代表，生產記憶體介面晶片。業內人士表示，儲存晶片的熱潮不會在短期內結束。在儲存晶片價格上漲預期下，引發下游“超量採購”以囤貨，進一步放大需求，使市場迅速轉為“賣方市場”，預計此輪漲價潮持續至2025年底或2026年。在漲價潮下，國記憶體儲晶片廠商的存貨，可以說是上市公司未來盈利的主要影響點，這也是市場關注的焦點之一。江波龍三季報顯示，公司帳上存貨的金額為85.17億元，高於其他儲存晶片企業。顯示出其積極備貨、捕捉上行周期紅利的策略。德明利前三季度末的存貨高達59.4億元。隨著儲存晶片價格一路走高，這些存貨或有機會為公司帶來業績助力。佰維儲存的業績呈現“V型反轉”。公司前三季度淨利潤同比減少86.67%至3041.39萬元，但第三季度單季淨利潤同比大增563.77%至2.56億元。截至三季度末，佰維儲存存貨也增幅顯著，達到56.95億元，同比增長52%。另外，通過查看北京君正、兆易創新、瀾起科技、普冉股份、聯芸科技等儲存晶片“玩家”的三季報來看，各家存貨金額分別為29.2億元、25.67億元、7.96億元、 7.3億元和6.28億元。不過，“存貨為王”雖為當前儲存晶片漲價潮下主流觀點但並非無風險的長期邏輯。分析人士稱，一方面，儲存產品無長期稀缺性，且擴產正在推進，屆時存貨可能從盈利動力變回減值壓力。另一方面，中游模組廠商議價能力弱，前期存在成本前置問題，且若存貨是技術迭代快的低端產品，後續可能面臨滯銷風險。 (科創板日報)