未來儲存產品價格或有望持續上漲。隨著儲存“超級周期”敘事持續升溫，近日，A股多家儲存產業鏈公司迎來好消息。東芯股份發佈2025年度業績預告，預計歸屬於母公司所有者的淨虧損1.74億元-2.14億元。報告期內，儲存類股已實現盈利。佰維存儲發佈公告稱，預計2025 年實現營業收入 100.00 億元至 120.00 億元，與上年同期（法定披露資料）相比，將增加33.05 億元至 53.05 億元，同比增長49.36% 至 79.23%。預計2025 年度實現歸屬於母公司所有者的淨利潤8.50 億元至 10.00 億元，與上年同期（法定披露資料）相比，將增加6.89 億元至 8.39 億元，同比增加427.19% 至 520.22%。德明利發佈2025年度業績預告公告稱，預計2025年，公司實現營業收入103億元至113億元，同比增長115.82%至136.77%；歸屬於上市公司股東的淨利潤為6.50億元至8.00億元，比上年同期增長85.42%至128.21%。2025年第四季度歸屬於上市公司股東的淨利潤預計為6.77億元至8.27億元，同比增長1051.59%至1262.41%。對於業績的變化，東芯股份表示，2025 年度，公司所處的中小容量儲存晶片市場受益於人工智慧驅動的新一輪行業上升周期，供需結構持續最佳化，產品銷售價格穩步回升。在此背景下，隨著 5G 基站建設的持續推進、智慧城市建設帶動的安防裝置升級、智能穿戴裝置的功能創新、以及汽車電動化與智能化的產業浪潮，公司產品所面對的網路通訊、安防監控、消費電子、工業控制、汽車電子等下游應用領域需求整體呈現復甦與結構性增長。面對上述持續向好的市場機遇，公司積極把握行業發展態勢，堅定深耕儲存晶片主業，通過有效的市場策略與客戶拓展，帶動了公司營業收入與盈利能力的同步提升。報告期內公司營業收入較上年同期增長43.75%左右，各季度營業收入均實現環比增長；隨著產品銷售價格的回升，整體毛利率較上年同期相比大幅提升，各季度毛利率均實現環比增長，儲存類股業務已實現盈利。對於業績變化的原因，佰維存儲表示，受全球宏觀經濟環境影響，儲存價格從2024 年第三季度開始逐季下滑，2025年第一季度達到階段性低點，公司一季度產品銷售價格降幅較大。從2025 年第二季度開始，隨著儲存價格走穩回升，公司重點項目逐步交付，公司銷售收入和毛利率逐步回升，經營業績逐步改善。2025 年度公司在AI 新興端側領域保持高速增長趨勢，並持續強化先進封裝能力建設，晶圓級先進封測製造項目整體進展順利，目前正按照客戶需求推進打樣和驗證工作，為客戶提供“儲存+晶圓級先進封測”一站式綜合解決方案。 2025 年度為提高公司產品的市場競爭力，公司持續加大晶片設計、韌體設計、新產品開發及先進封測的研發投入力度，並大力引進行業優秀人才投入力度。對於業績增長的原因，德明利稱，2025年第三季度起，受益於AI需求驅動，儲存行業景氣度逐步回暖，儲存價格進入上行通道，公司產品銷售毛利率大幅提升，經營業績顯著改善。與此同時，報告期內，德明利聚焦全鏈路儲存解決方案能力強化，加快高端製造能力建設，快速搭建起產品定製化全端解決方案交付體系，在客戶拓展及產品匯入環節取得突破性進展，推動公司經營規模持續快速增長。儲存類股的上漲也帶動了相關概念股上漲，如作為SK海力士代理商的香農芯創發佈2025年年度業績預告，預計歸屬於上市公司股東的淨利潤為4.80億元–6.20億元，比上年同期增長81.77%–134.78%。對於業績的變化，香農芯創表示，隨著生成式人工智慧（AGI）的蓬勃發展，網際網路資料中心（IDC）建設對企業級儲存的需求持續增加。2025 年，公司銷售的企業級儲存產品數量增長，主要產品價格呈現上升的態勢，預計全年收入增長超過40%。公司堅持以產品化為主導，圍繞國內一線自主算力生態，提供國產化、定製化產品，公司自主品牌“海普儲存”已推出包括企業級SSD 以及企業級DRAM兩大產品線的多款產品並進入量產階段。2025 年度，“海普儲存”預計實現銷售收入 17 億元，其中第四季度預計實現銷售收入 13 億元。2025 年“海普儲存”首次實現年度規模盈利。值得一提的是，未來儲存產品價格或有望持續上漲。1月22日，兆易創新發佈日常關聯交易預計額度公告：公司將向長鑫集團採購代工生產的DRAM相關產品，2026年上半年度預計交易額度為15.47億元，大大超過了2025全年與長鑫集團發生的11.82億元。兆易創新表示，2026年上半年採購代工成本預計同比高增，主要源於DRAM市場價格上行，相應導致晶圓代工價格增長所致。申港證券指出，市場預計2026年將迎來一輪晶圓代工價格普漲行情，12英吋方面，7nm及以下製程的主要代工公司台積電預計2026年先進製程漲幅將達3%至10%，中芯國際漲價通知明確對8英吋BCD工藝代工提價約10%。另外，儲存漲價預期上調，需求增長將直接帶動儲存代工產能緊張。在產能利用率提升、代工漲價預期下，國產代工企業中芯國際、華虹公司有望持續受益。該機構進一步表示，儲存漲價需求提升傳導至上游封測領域，AI需求、儲存或帶動封測漲價。受益於DRAM與NAND Flash大廠衝刺出貨，力成、華東、南茂等儲存器封測廠產能利用率逼近滿產，近期陸續調升封測價格，漲幅最高達30%，且後續不排除第二波漲價。先進封裝和儲存相關封裝環節有望受益需求提升帶來的價格上漲，國產封測和裝置環節有望受益。 (半導體產業縱橫)

近期，儲存晶片熱度非凡，產品供不應求使得漲價潮仍在持續，多家公司發佈2025年業績高增預告印證行業景氣度提升。研究機構Counterpoint指出，當前儲存行業已超越2018年的歷史高點，預計2026年的前兩個季度價格還將上漲，儲存晶片的超級周期仍未結束。與此同時，可控核聚變也迎來新突破，全超導托卡馬克裝置（EAST）實現“億度千秒”高約束模電漿體運行，刷新世界紀錄。據統計，中國當前已公佈的多個核聚變項目開支已近2000億元，隨著產業處理程序加速，可控核聚變市場空間將持續擴容。基於此，儲存晶片與核聚變兩大產業未來發展可期，產業熱度有望持續，相關企業增長空間巨大。本期，我們梳理儲存晶片與可控核聚變產業鏈，篩選出仍有巨大發展潛力的4家公司，供大家參考：第一家：儲存晶片+PCB+CPO+輝達+商業航天公司概述：覆銅板領先企業，全球市佔率超20%，產品廣泛用於AI伺服器、儲存晶片、5G等領域，AI伺服器用CCL需求年增速超50%，推動收入高增；且產品匹配1.6T光模組，通過輝達認證，技術優勢明顯。最新亮點：擬45億擴產高端CCL，持續為AI、雲端運算、6G等提供支撐，同時與銀河航天合作，切入商業航天產業鏈。第二家：儲存晶片+CPO+AI PC+擴產+年報預增公司概述：晶片封測領先企業，深度繫結AMD，受益於AI算力與汽車電子景氣度提升，營收連續5年實現增長；在HBM、DRAM、NAND等方面持續佈局，新增儲存封測產能超80萬片，且CPO相關產品通過初步測試。最新亮點：2025年淨利潤預增超62%，近日獲17家機構調研，資金流入超10億，上升趨勢明顯。第三家：可控核聚變+商業航天+液冷+儲能+年報預增公司概述：深冷裝置領先企業，掌握70項相關專利，2025深冷裝置海外業務爆發，其中氦製冷劑已在韓國核聚變裝置運行；液冷技術遷移至GPU散熱領域，並成功交付火箭發射液氧過冷器、液態空氣儲能項目等。最新亮點：2025年淨利潤預告高增超630%，近日明確與藍箭航天合作，且獲得韓國三星供應商資質。第四家：可控核聚變+PCB+軍工+超硬材料+有色金屬公司概述：全球鎢業與硬質合金領先企業，中國鎢儲量佔比超30%，近期鎢價持續上漲，公司關注度領先；與合肥能源研究院合作攻關核聚變用高性能鎢材料，同時在PCB微鑽行業市佔率領先，受益於AI算力需求爆發。 (智牛韜略)

摩根士丹利指出，人工智慧正推動半導體行業劇烈分化，形成一場 “K型”復甦。AI儲存晶片（如HBM）供不應求，使三星、SK海力士等上游廠商顯著受益；但下游的PC和手機製造商則面臨無法轉嫁成本的壓力。這一趨勢由AI的 “產能擠出效應”主導，甚至導致傳統儲存（如DDR4）出現短缺，成為區分行業贏家和輸家的關鍵分水嶺。人工智慧浪潮正在重塑半導體行業的估值邏輯，隨著AI驅動的需求爆發，儲存晶片市場正經歷一場顯著的分化。摩根士丹利1月20日發佈的研報顯示，在2026年上半年，DRAM（動態隨機存取儲存器）價格同比持續走高，但這並非一場“雨露均霑”的盛宴。市場正迅速劃分為兩大陣營：受益於AI推理和高性能計算需求的“贏家”，以及受制於宏觀逆風與成本通脹的“輸家”。大摩分析，AI帶來的技術通脹正在加劇供應鏈的成本壓力，導致儲存晶片與傳統硬體製造商之間的“貧富差距”拉大。分析師指出，AI不僅推動了對HBM（高頻寬儲存器）和企業級SSD的強勁需求，甚至導致DDR4等傳統儲存產品也出現持續短缺。然而，這種上游儲存成本的上漲，對於下游PC和智慧型手機OEM廠商而言，正演變為嚴峻的利潤阻力。在這場“K型”復甦中，投資者應高度關注那些處於AI供應鏈核心位置的企業。大摩明確將SK海力士、三星以及Sandisk等列為“最受青睞”的標的，理由是它們直接受益於AI驅動的大宗商品週期和NAND超級週期。相反，對於無法將上漲的儲存成本轉嫁給消費者的傳統PC外設和OEM廠商，如宏碁和羅技，市場前景則依然承壓。這一趨勢的核心邏輯在於AI的“擠出效應”。隨著晶圓廠和供應鏈優先保證AI相關晶片的生產，非AI領域的產能受到擠壓，導致從高端HBM到傳統DDR4的全面供應緊張。對於投資者而言，理解這一供需錯配是佈局2026年半導體市場的關鍵。贏家：AI浪潮下的核心資產在儲存晶片領域，AI無疑是當前最強勁的催化劑。大摩的研報指出，受益於AI伺服器和推理需求的激增，具備高端儲存技術和產能的供應商正迎來估值重估。SK海力士和三星被列為首選，其上漲潛力分別達到13%和14%。這一判斷基於兩者在HBM市場的主導地位以及整體商品週期的改善。與此同時，NAND市場也迎來了由AI推理需求支撐的“超級週期”。Sandisk和KIOXIA因其在企業級SSD領域的潛力而被看好。分析顯示，AI儲存需求導致NAND出現短缺，甚至NOR Flash的供應不足也可能持續至2026年。除了直接的儲存晶片製造商，半導體裝置（SPE）廠商同樣是這場盛宴的受益者。阿斯麥（ASML）因EUV層數的增加而受益，目標價看漲至1400歐元，上漲空間達25%。日本裝置商如Advantest和DISCO，由於其產品在HBM製造過程中不可或缺，也被視為高增長標的。此外，大中華區的科技企業中，台積電（TSMC）依然是毫無爭議的核心。作為AI邏輯晶片的代工霸主，TSMC不僅在先進封裝（CoWoS）產能上計畫激進擴張，其2026年的資本支出和結構性利潤率改善也十分強勁。大摩預計，隨著輝達 Rubin晶片在2026年放量，以及Apple A20處理器採用N2工藝，TSMC將繼續在高端製程領域保持統治力。輸家：成本通脹下的受困者與上游儲存廠商的狂歡形成鮮明對比的是，處於下游的硬體OEM廠商正面臨嚴峻挑戰。大摩分析師警示，儲存成本的通脹正在被視為全行業的挑戰，特別是對於那些缺乏定價權的消費電子品牌。宏碁被列為“最不受青睞”的股票之一，目標價僅為20新台幣，潛在下跌空間達25%。核心原因在於，儲存元件價格的上漲無法完全轉嫁給終端消費者，這將直接侵蝕OEM廠商的利潤率。同樣，惠普和戴爾也面臨類似的逆風，儘管它們也在嘗試涉足AI PC，但短期記憶體儲成本的上升仍是主要的負面因素。這一壓力同樣波及到了外設和射頻（RF）領域。羅技SA被認為將受到儲存通脹的衝擊，這些成本不僅未能被宏觀經濟的逆風所抵消，反而加劇了經營壓力。射頻巨頭Qorvo和Skyworks Solutions也因高企的成本可能抑制下游硬體需求而被看淡，分析認為這將導致需求進一步疲軟。供需錯配：不僅是高端晶片的短缺值得注意的是，AI帶來的影響並不僅限於高端晶片，它正在對整個儲存供應鏈產生連鎖反應。大摩的研究強調了一個關鍵現象：DDR4的短缺將持續至2026年下半年。這一短缺並非因為DDR4本身的需求激增，而是因為供應鏈的產能被AI相關的高端產品（如HBM和DDR5）擠佔。隨著晶圓廠優先生產高利潤的AI晶片，傳統DDR4和DDR3的產能分配被削減，導致供應緊張，價格隨之上漲。這對台灣的Winbond Electronics（華邦電）和Nanya Technology（南亞科）等專注於利基型儲存的廠商構成了利好，因為它們擁有更好的定價權。此外，AI儲存需求還導致了NAND晶圓現貨價格和模組價格的上漲。隨著雲服務提供商（CSP）的資本支出在2026年預計達到6320億美元，用於AI訓練和推理的資料中心建設將消耗大量儲存資源。這不僅推高了企業級儲存的價格，也帶動了消費級NAND定價的回暖，使得台灣Phison Electronics Corp（群聯電子）和Silicon Motion（慧榮科技）等控製器廠商從中受益。長線邏輯：萬億市場的崛起展望未來，大摩重申了對AI半導體市場的長期看好。輝達 CEO曾預測全球雲資本支出在2028年將達到1萬億美元，而大摩的資料也支援這一趨勢，認為到2030年全球半導體市場規模可能觸及1萬億美元大關。在這一宏大敘事下，技術通脹、AI的自我蠶食和技術擴散將是主導市場的三大驅動力。雖然DeepSeek等新興AI模型展示了更低成本的推理能力，但這並未改變整個行業對高性能計算和海量儲存的依賴。對於投資者而言，當下的策略非常清晰：擁抱那些擁有核心技術、產能被AI需求填滿的上游供應商，規避那些處於產業鏈下游、受困於成本上漲且缺乏轉嫁能力的硬體組裝商。儲存晶片價格不僅是行業週期的溫度計，更是區分市場贏家與輸家的分水嶺。 (invest wallstreet)

一盒記憶體條價格堪比上海一套房，AI大潮正重塑整個儲存行業格局。“一天一個價，甚至一天幾個價。”深圳華強北的儲存商戶們這樣描述近期的市場行情。2025年下半年以來，儲存晶片價格漲幅驚人，記憶體、快閃記憶體價格翻了一倍以上。海力士和三星的256G DDR5伺服器記憶體一根超過4萬元，有的甚至高達49999元/根。一盒100根的記憶體條價格近500萬元，確實堪比上海一套房的價格。行業調研機構TrendForce集邦諮詢的資料顯示，2026年第一季度一般型DRAM合約價將季增55%-60%，NAND Flash各類產品合約價預計上漲33%-38%。儲存市場已進入“超級牛市”階段，當前行情甚至超越了2018年的歷史高點。01 儲存晶片漲價潮的深層邏輯本次儲存晶片價格上漲與過往周期性波動有本質區別。AI革命以前所未有的力量重塑儲存行業的市場需求格局，帶來的是結構性變革而非普通周期性上漲。人工智慧伺服器對儲存的需求是普通伺服器的數倍。單台AI伺服器的儲存配置達1.7TB，而傳統伺服器僅為0.5TB，這直接拉動了高頻寬儲存器、DDR5及企業級固態硬碟等高性能產品的缺口擴大。為滿足AI伺服器需求，三星、SK海力士等海外原廠將產能加速轉向DDR5、HBM等高利潤的高端產品。然而，HBM產能擴張速度遠滯後於需求增長。SK海力士2026年底前的HBM產能已被AI大客戶提前鎖定，三星HBM產能留給中小廠商的份額不足10%。產能向高端產品轉移導致DDR4等傳統儲存產品產能持續縮減，而大量存量伺服器和正在部署的新伺服器仍然大規模依賴成熟、穩定的DDR4記憶體，供給大幅減少導致供不應求，價格飆升。DDR4半年累計漲幅超200%，甚至出現了“前代產品價格反超新一代”的異常現象——DDR4價格比DDR5高出一倍。02 AI算力基礎設施重構儲存需求大模型的參數規模已經達到兆等級，上下文長度普遍超過128K，HBM的容量已難以滿足AI大模型對於記憶體容量的要求。在剛剛結束的CES 2026上，英偉發佈的新一代技術平台引入了BlueField-4技術，其核心邏輯在於改變資料的儲存位置，將原本儲存在GPU視訊記憶體（HBM）中的上下文資料轉移到本地SSD中。AI推理的瓶頸已從“計算能力”實質性轉向“上下文儲存能力”。每個GPU在原有1TB記憶體的基礎上，額外增加了16TB的SSD儲存需求。為了匹配Rubin GPU 5倍於前代Blackwell平台的推理性能，資料中心對大容量、高性能企業級SSD的需求量呈指數級上升。北京大學積體電路學院研究員王宗巍表示：“人工智慧對高頻寬儲存的需求在本輪價格上行中起到了顯著放大作用。以大模型訓練與推理為代表的人工智慧工作負載，對記憶體頻寬、容量和能效提出了遠高於傳統CPU和通用伺服器的要求。”03 國產儲存產業迎來歷史性機遇儲存晶片市場的持續漲價，為國產儲存產業帶來巨大推動作用。近年來，國產儲存廠商正加快技術突破，不斷提升市場份額。國記憶體儲晶片龍頭企業長鑫科技申報科創板IPO近期已獲受理。此次IPO，長鑫科技擬募資295億元，用於儲存器晶圓製造量產線技術升級改造項目、DRAM儲存器技術升級項目及DRAM前瞻技術研究與開發項目。2025年前九個月，長鑫科技實現營業收入320.84億元，公司主營業務收入的複合增長率達72.04%。另一家國產晶片廠商兆易創新2025年前三季度實現營收68.32億元，同比增長20.92%；歸母淨利潤10.83億元，同比增長30.18%。國記憶體儲產業正迎來階段性發展窗口。以長鑫儲存和長江儲存為代表的國產儲存企業持續在記憶體和快閃記憶體市場發力，加快產能佈局，通過IPO、擴產和技術迭代提升綜合競爭力。04 產業鏈擴產潮與供需前景全球儲存器市場迎來“超級周期”，產業鏈上下游同步吹響擴產號角。2026年1月9日，國內先進封測領軍企業通富微電宣佈擬募資不超44億元，其中8億元用於儲存晶片封測產能提升項目。深圳佰維儲存科技股份有限公司佈局的晶圓級先進封測製造項目正處於投產準備過程中。該項目建設完成後將為客戶提供“儲存+晶圓級先進封測”一站式綜合解決方案，服務於人工智慧手機、電腦、眼鏡等對大容量儲存解決方案的需求。儘管儲存產業鏈擴產潮起，但業界普遍認為市場供需緊張的局面短時間內將持續。儲存產線建設周期較長，且技術門檻高，短期內新增產能有限。集邦諮詢顧問分析師許家源表示：“雲服務商帶動的儲存產品需求規模已超越供應商原先的預期，而供應商在原有擴產規劃之外的擴產，最早至2027年下半年方可投入市場，難以緩解2026年行業供不應求的局面。”05 投資視角下的儲存類股機遇從投資角度看，半導體產業正處在“國產替代”與“全球AI技術革命”雙輪驅動的歷史性交匯點。德邦基金基金經理雷濤認為，未來兩年將是行業發展的關鍵窗口期。在半導體產業的眾多細分領域中，半導體裝置類股正處於高速成長期的中早階段。南方基金基金經理鄭曉曦表示：“自主可控方向核心邏輯是國產化率提升疊加需求驅動帶來長期景氣高增長。”她對半導體裝置為代表的自主可控類股非常有信心，未來三年有望進入成長邏輯逐步兌現的右側收穫期。對於市場關注的儲存晶片領域，鄭曉曦保持了冷靜判斷：確實看好儲存擴產帶來大周期的高景氣度，儲存擴產有望在2026年中或下半年實現加速擴張。而在核心儲存晶片領域（如DRAM、SRAM、HBM晶片等）國內與海外企業存在顯著差距，但她預期未來隨著製程的迭代升級、量產規模持續放大、工藝與良率持續提升，能顯著縮小這些差距。資料顯示，全球資料儲存市場空間已超2.6兆元。隨著AI技術發展，可能將引發儲存行業重新洗牌，進而產生新機遇。中國主流儲存產品無論從性能、成本還是能效等方面，都已經趕上海外同類產品。未來兩年將是行業發展的關鍵窗口期。投資者需要調整短期思維，從3-4年維度把握這一歷史機遇。儲存行業正由單一容量驅動向“算力密度+頻寬密度”協同驅動階段演進，這一變革將重塑整個產業鏈的競爭格局和價值分配。 (吐故納新溫故知新)

儲存晶片DRAM市場，長久以來，一直被三星、SK海力士和美光三家巨頭牢牢掌控，形成高度壟斷的“三足鼎立”格局，長期掌控著超過90%的市場份額。對於中國——這個全球最大的電子產品製造與消費國而言，每年數千億人民幣的晶片進口，遠不止是經濟成本，更是在關鍵時刻成為國家資訊安全和產業發展的潛在風險點。正是在這種極度壓抑的產業背景下，一家名為“長鑫科技”的企業（通常以其核心營運主體“長鑫儲存技術有限公司”而聞名），在2016年於安徽合肥正式成立。全球市場也沒能預料到，這家從零開始的企業，會在不到十年時間內，崛起為中國規模最大、技術最先進的DRAM巨頭，並以“中國DRAM第一股”的身份，於2026年擬募資295億元的規模，正式登錄科創板。它的故事，是融合了國家意志、產業智慧、資本耐心與技術勇氣的宏大敘事，自此開啟了中國在DRAM領域的艱難而堅定的追趕之旅。長鑫科技預計2025年實現營收550億元至580億元，較2024年增長約128%至140%，淨利潤相比往年的虧損，此次有望首次轉正，預計為20億元至35億元。自此，其前期的巨額投入將開始進入收穫期。01風投城市的產業雄心長鑫的誕生，離不開兩個關鍵角色的歷史性握手。一是朱一明。作為中國領先的快閃記憶體設計公司兆易創新的創始人，他在Nor Flash領域已證明過產業的成功。但他清醒地認識到，DRAM的產業邏輯截然不同——其技術迭代快、資本投入極重，必須採用IDM模式，將設計、製造、封測全鏈條掌握在自己手中，否則無法建立真正的競爭力和安全壁壘。這需要一位既懂技術、又敢押上全部身家的創業者。二是合肥市。這座因成功投資京東方而被譽為“最牛風投城市”的地方政府，展現了超凡的產業戰略眼光。通過合肥市建設投資控股集團等平台，合肥國資毅然擔當戰略基石的投資者，以真金白銀和巨大耐心，為長鑫儲存扛起了創業初期最沉重的資金壓力，並成功撬動了國家級大基金（國家積體電路產業投資基金）等多元資本入局。一位敢闖的產業領袖，加上一座敢賭的戰略城市，兩者一拍即合，進而共同孕育了長鑫。長鑫自誕生之日，目標就異常清晰：聚焦DRAM，打通全鏈條，實現國產替代。因此，長鑫從一開始就對標國際主流，規劃建設12英吋晶圓廠。2017年，一期廠房以驚人的“合肥速度”迅速完工。如今回望，這條道路投入巨大、風險極高，但也是通向自主可控的唯一路徑。0219nm工藝的量產突破在DRAM儲存晶片領域，後來者面對的是美日韓巨頭憑藉數十年積累構築的、近乎密不透風的技術與專利高牆。對於從零開始的長鑫而言，跨越這道鴻溝，需要的不僅是資金和決心，更需要的是一條務實而智慧的路徑。其核心策略是：合法合規地吸收國際已有的技術遺產，並以此為基礎進行快速的自主創新與迭代。因為DRAM的真正難點往往不在於技術原理本身，而在於如何規避巨頭們布下的複雜專利天羅地網。長鑫的破局點出現在2018年。通過一系列複雜的商業與法律操作，長鑫獲得了已破產的德國晶片巨頭奇夢達（Qimonda）的海量技術遺產。這批資產包括2.8TB的DRAM技術檔案以及約20000份專利（包括5000份以上美國專利）。這不僅為長鑫建立了一道初步的專利護城河，更關鍵的是，它提供了一套體系完整、工程資料詳實的46nm堆疊式DRAM技術基礎，讓長鑫得以繞開與三星、SK海力士的正面專利衝撞，獲得了儲存行業入場資質。手握基礎技術，長鑫沒有選擇從已被淘汰的製程慢慢爬坡，而是做出了一個極具勇氣的跨代研發策略：直接瞄準當時市場主流的19nm工藝平台進行攻堅。這意味著跳過了多個早期技術代次，將有限的研發資源集中用於攻克最接近市場需求的前沿節點。這是一個風險極高但潛在回報巨大的決策。執行迅速而果斷：2018年，自主研發的8GB DDR4晶片投片；同年12月，工程樣片下線，完成了從圖紙到實物的驚險跳躍。真正的關鍵轉折點在2019年到來：採用19nm工藝的8GB DDR4晶片正式量產，通過多家大客戶驗證，並於年底實現交付，產能達到每月2萬片。這標誌著中國企業在主流DRAM產品上首次實現了歷史性的突破，填補了國內市場的關鍵空白。此舉不僅驗證了長鑫儲存技術路線的可行性，更極大地提振了整個中國半導體產業自主創新的信心。0310nm等級工藝的進軍實現19nm量產後，長鑫並未在成熟工藝上停留，而是直接向更複雜的17nm節點發起衝擊。這一戰略決心遠非簡單的尺寸微縮，其核心在於引入了在DRAM製造中難度極高的HKMG（High-K Metal Gate）技術。長鑫通過大量的工程驗證和創新，攻克了該技術與DRAM複雜電容結構、高溫工藝相容的難題，並佈局了多項核心專利。儘管面臨先進EUV光刻裝置的獲取限制，長鑫憑藉在DUV光刻技術上的深度最佳化和溝槽電容器結構上的創新，成功推進了17nm工藝的研發與量產。更激進的是，在下一代產品上，其DDR5直接跳過了17nm，採用了更先進的16nm工藝，展現了高效的技術決策和工程執行力。但這只是漫長征途的第一步。半導體是規模決定成本的行業，沒有足夠的產能，就無法攤薄天量的研發與裝置折舊成本。因此，各節點量產之後，長鑫的故事主題迅速轉變為全方位的“爬坡”——技術爬坡、產能爬坡、市場爬坡。自2019年起，長鑫的月產能從2020年的4.5萬片晶圓，一路攀升至2021年的8.5萬片、2022年的12萬片。產能利用率也從2022年的86%提升至2025年上半年的95%，近乎滿負荷運轉。與此同時，佈局不止於合肥。長鑫在北京投建了新的DRAM項目，形成了兩地三座12英吋晶圓廠的格局。預計到2026年，合肥工廠月產能將至少達18萬片，北京工廠至少12萬片，總月產能將突破30萬片。這一產能規模將穩固其中國第一、全球第四大DRAM製造商的市場地位。有了技術和產能，如何活下去並贏得市場是更殘酷的考驗。面對國際巨頭在伺服器、PC等高端市場的絕對優勢，長鑫採取了靈活務實的發展策略：先從消費電子切入，尤其是智慧型手機市場，再向驗證周期長、門檻高的伺服器領域拓展。自此，憑藉本土化優勢和快速響應的服務，長鑫的LPDDR4X等產品成功打入小米、榮耀等國內一線手機品牌供應鏈，快速打開了國內市場局面。2025年，其全球市場份額已接近5%，主要客戶囊括阿里雲、字節跳動、騰訊、聯想及各大主流手機品牌。雖然目前缺乏海外大廠訂單，但在三星、SK海力士供應受限的背景下，長鑫正成為海外品牌重要的潛在替代選擇。2024年，長鑫成功實現DDR5產品量產，直接跳過17nm工藝，採用了更先進的16nm工藝，並同步推出了LPDDR5系列產品。預計到2026年，DDR5和LPDDR5/5X將成為其銷售主力（三星、美光、SK海力士分別於2019年、2020年、2021年量產LPDDR5，進而將代際差距顯著縮短至2-4年）。更具戰略意義的野心在於HBM。長鑫已明確計畫在2026年開始全面量產HBM3產品，預計月產能至少達5萬片。一旦在此領域取得突破，長鑫將真正躋身全球儲存技術的第一梯隊，這場從追趕到並跑的逆襲，才算是真正完成了最為關鍵的一塊拼圖。從攻克17nm HKMG工藝，到產能狂飆至全球前列，再到以消費電子為支點撬動市場，長鑫儲存的路徑清晰而堅定。它證明了一點：在半導體這場大決戰之中，技術突破、規模製造、市場卡位，缺一不可。如今，隨著DDR5上量、HBM3在即，長鑫的下一個戰場，很大可能將會是與國際巨頭在技術最前沿的正面交鋒。04高研發下的戰略性虧損2026年初回望，長鑫科技於2025年底衝刺科創板的IPO，其擬募資295億元的規模，穩坐當年A股IPO募資榜首。這筆巨額資金將投向以下三個大方向：先進製程研發、產能升級、補充流動資金，總投資計畫高達345億元。此次IPO也創下多個紀錄：它是首家適用“預先審閱機制”以保護核心商業秘密的申報企業，同時也是報告期內累計虧損最大的申報企業。儘管長鑫科技的營收在過去幾年實現了驚人的增長，從2022年的81億元飆升至2024年的239億元，復合年均增長率超過70%——但公司卻深陷戰略性虧損的泥潭。截至IPO前，其累計虧損高達415億元。虧損主要來源於兩方面：一是天文數字般的固定資產折舊，二是持續高強度、不計成本的研發投入。2022年至2025年間，其累計研發投入達190億元，佔累計營收比例超過33%，遠高於行業平均水平。同時，2025年上半年研發費用率達23.7%，高於行業平均值的10.4%，也遠高於三星、SK海力士、美光同期的11.7%、7.4%、10.7%。這是所有追趕者在產能爬坡和技術攻堅階段的必然代價，進而這種戰略性虧損，是以短期利潤換取長期技術進步和市場地位。轉機在2025年開始變得清晰。前三季度，長鑫營收達321億元，同比暴增98%。更關鍵的訊號出現在第三季度：其毛利率回升至35%，並首次實現了扣除非經常性損益後的季度盈利。盈利拐點的出現，極大地提振了資本市場對其未來經營能力的信心。與此同時，全球AI算力爆發導致DRAM巨頭將產能轉向利潤更高的HBM等高端產品，進而造成傳統標準型DDR記憶體供應緊張和價格上漲。這為在標準型DRAM領域已有不錯產能的長鑫，提供了一個千載難逢的市場窗口期（2026年-2028年）。從產品結構看，長鑫的業務版圖正在發生深刻變化，其成長軌跡清晰反映了國產替代的處理程序與市場熱點的遷移：1）第一階段：消費電子驅動。其產品中，功耗更低的LPDDR系列（主要用於手機、平板）長期佔據營收大頭（70%-80%）。其營收從2022年的64億元飆升至2024年的198億元，兩年增長三倍，增速遠超下游整機出貨量，這強力印證了消費電子儲存晶片的國產替代正在加速。2）第二階段：AI伺服器驅動。2023年後，儲存行業的核心增長引擎已轉向AI。這一點在長鑫的業績中迅速得到驗證：2025年上半年，其主要用於伺服器的DDR系列營收已超2024年全年，營收佔比從2024年的13%，快速拉升至28%。業務重心正從手機向更具潛力的資料中心市場快速傾斜。05結語此次發行後，兆易創新將持有長鑫約1.62%股權，並通過“兆易創新設計+長鑫製造”的模式，雙方實現了優勢互補。兆易創新的實際控制人、董事長朱一明先生，同時擔任長鑫科技集團的董事長。這種雙重身份絕非偶然，它確保了兩家公司在最高決策層上能夠實現戰略的高度統一。兆易創新為長鑫的產能提供了穩定的產品出口和技術驗證場景；而長鑫則為兆易創新提供了可靠的產能保障和工藝協同開發能力，使其在供應安全上不再受制於海外代工廠。這種合作已從早期的代銷，深化至長鑫為兆易創新代工自有品牌DRAM，相關採購及委託加工交易額已達可觀規模。2026年，長鑫儲存的裝置國產化率已達近40%，部分環節如刻蝕裝置的國產化率超過50%。這是一個了不起的成就。但是挑戰依然存在，在光刻機、離子注入機、高端量檢測裝置等關鍵環節，國產化率依然很低。這主要是源於國內半導體行業的驗證積累時間相對較短，進而提升國產裝置和材料的性能與可靠性，將是一個需要長期積累的過程。2026年起，長鑫DRAM市場份額將逐步上升至10%，推動全球DRAM市場形成“三星、SK海力士、美光、長鑫”四強市場格局。從合肥的一片工地，到全球DRAM市場的重要位置，長鑫用不到十年時間走過了國際巨頭數十年的路程。它的敘事，遠不止於商業成功，更關乎一個開發中國家在高科技領域尋求尊嚴與自主的頑強意志。IPO是一個新的起點——短期內，長鑫的首要任務是利用募集資金，高效完成既定技術升級和產能最佳化項目，並提升在全球市場中的份額。中期看，長鑫需要證明其不僅能在行業上行周期中分享紅利，更能憑藉技術、成本和客戶關係構築起穿越周期的能力。長期而言，長鑫的願景應是成為全球DRAM產業中不可或缺的領先力量，屆時三分天下有其一。 (新財富)

記憶體從配件變成資源。芯東西1月19日報導，儲存晶片的價格走勢，已經脫離了普通消費電子的理解範疇。根據市場研究機構Counterpoint Research報告，記憶體價格在2025年第四季度飆升了50%，預計到2026年第一季度末還將再漲40%~50%。另據市場研究機構TrendForce預測，本季度包括HBM在內的DRAM平均價格將環比上漲50%~55%。在零售市場，變化更加直觀。過去幾個月，固態硬碟（SSD）及記憶體的價格一路水漲船高。據Ars Technica報導，截至2025年12月，500GB、1TB、2TB固態硬碟的價格約為2025年8月的2倍，而DDR5記憶體的價格漲幅約為3~4倍。另據德國科技媒體ComputerBase最新發佈的記憶體、硬碟和固態硬碟線上零售價格資料，記憶體價格已經漲到2025年9月的4倍多，平均漲幅約為344%。三星、西部資料、閃迪等知名廠商的固態硬碟要麼缺貨，要麼漲價，連機械硬碟的價格都開始攀爬。AI革命總有點石成金的魔力。儲存晶片、銅、能源等大宗商品，都變成了一種被搶購的稀缺資源。在用頂尖技術改變世界之前，AI沒有止境的胃口，先讓普通消費者們付出了代價。01. AI資料中心需求，正在把記憶體市場“抽乾”AI需求正以驚人的速度吞噬記憶體市場。TrendForce預計，到2026年，傳統資料中心和AI資料中心將消耗所有製造商生產的高端記憶體晶片的70%以上，如果可以，他們還會消耗更多。記憶體供給正被重新分配。AI資料中心對記憶體的要求遠高於消費電子產品。例如輝達最新資料中心GPU單卡配備288GB HBM，而一台PC的記憶體容量通常只有幾十GB。在利潤結構面前，記憶體廠商的選擇不難理解。相比價格敏感、利潤微薄的消費級市場，資料中心客戶願意為高端記憶體支付持續溢價，且需求增長潛力巨大。結果是，HBM、DDR5、企業級SSD的記憶體供應被優先保障，留給傳統DRAM和NAND等非HBM市場的產能大幅收縮。隨著AI吸乾其他記憶體買家的市場份額，記憶體價格飆升，庫存快速下滑，進而造成消費電子產品價格上漲、汽車面臨晶片短缺等影響。02. 不止是周期性短缺市場研究機構IDC在2025年12月發表的報告評價道，這並不僅僅是供需不匹配導致的周期性短缺，而是全球矽晶圓產能可能永久性的戰略性重新分配。在IDC看來，這是一場零和博弈：每多一片晶圓分配給輝達GPU的HBM堆疊，就意味著中端智慧型手機的LPDDR5X記憶體模組或消費級筆記型電腦SSD減少一片晶圓。IDC預計2026年DRAM和NAND的供應增長將低於歷史平均水平，同比分別增長16%和17%。短期來看，消費者普遍接受了更高的價格。買家們意識到三星、SK海力士等短期內不太可能大幅擴大DRAM產能。同時，記憶體成本上漲會擠壓消費電子產品的利潤空間，相應製造商可能會選擇漲價，來將部分成本轉嫁給最終消費者。IDC判斷，這些壓力累積起來，可能導致2026年全球智慧型手機及PC市場微縮，同時平均售價上漲。此前PC廠商均已發出價格上漲的預警。聯想、戴爾、惠普、宏碁、華碩等主要製造商均稱未來形勢更加嚴峻。據The Register在2025年12月援引管道消息，主要製造商計畫將伺服器價格提高約15%，將PC價格提高約5%。綜合多家分析機構的預測來看，記憶體價格預計在一兩年內難以穩定下來，SSD缺貨相對沒那麼嚴重，DRAM供應緊張的時間更難預測，持續幾年也不是沒有可能。03. 閃迪美光股價狂飆，SK海力士考慮赴美上市市面上的儲存產品，已經變得奇貨可居。Juice Labs聯合創始人兼CTO Dean Beeler近期在社交平台上分享說，幾個月前，他花了大約300美元給電腦裝了256GB記憶體，誰想到這個記憶體條的價值已經變成了大約3000美元。一家名為Caramon的美國公司專門從報廢伺服器中回收舊記憶體，再應用到PC中。短短幾個月內，它的銷售額就從每月約50萬美元飆升至近90萬美元。資本市場同樣給出了反應。過去一年，閃迪股價漲超1000%，是標普500指數中表現最好的股票之一。美國儲存晶片巨頭美光科技股價過去一年漲超250%，最新季度淨利潤同比大漲180%。2025年12月，全球最大HBM供應商SK海力士在一份監管檔案中披露，它正在考慮在美國股票市場上市。該公司過去一年在韓國市場的股價漲超280%。市場已將記憶體視作AI時代的關鍵資源。04. 儲存廠商開始調整業務結構整個儲存行業都在向利潤更高的AI和資料中心市場轉型。IT媒體NotebookCheck近日援引市場傳聞稱，SK海力士可能會縮減消費級DRAM和NAND快閃記憶體的生產，並將產能轉向B2B客戶和AI伺服器應用。SK海力士回應稱目前沒有考慮或計畫退出消費儲存器業務。此前在2025年12月，美光科技宣佈關閉旗下擁有近30年歷史的消費級固態硬碟和記憶體品牌Crucial，以專注於滿足AI領域的需求。更早之前，SK海力士旗下美國NAND快閃記憶體子公司Solidigm停產消費級SSD，轉而專注於企業級儲存。在CES展會期間，美光科技執行副總裁兼首席商務官Sumit Sadana告訴外媒，記憶體需求增長預計超過整個記憶體行業的供應能力。據悉，全球三大DRAM廠商的2026年總產能已全部售罄。根據市場研究機構Omdia獲得的資料，三星預計今年把DRAM產量提高約5%，預計為793萬片，高於2025年的759萬片；SK海力士的DRAM產量預計將增長約8%，達到約648萬片；美光科技的年產量預計將維持在360萬片左右，與去年基本持平。05. 擴產正在大舉進行新需求，還在路上。在國際消費電子展CES 2026期間，輝達創始人兼CEO黃仁勳被問及，由於記憶體短缺導致遊戲主機和顯示卡價格上漲，他是否擔心公司的遊戲客戶會對AI技術感到不滿。對此，黃仁勳回應說，輝達是記憶體領域的大客戶，與儲存領域的公司有著長期合作關係，但最終，由於AI需求如此之高，還是需要更多的記憶體工廠，每個工廠、每個HBM供應商都在加緊生產，而且都做得很好。儲存廠商們正加緊投入巨資擴產。上周，美光科技接連宣佈重要進展，其投資1000億美元（約合人民幣6964億元）的紐約頂尖儲存器製造綜合體將動工，該公司還以總價18億美元（約合人民幣125億元）現金收購力積電的P5晶圓廠，預計將為DRAM產能帶來顯著貢獻。SK海力士也在上周批准一項19兆韓元（約合人民幣897億元）的投資計畫，將在韓國建設一座專門用於HBM先進封裝測試的工廠，預計於2027年底竣工。Counterpoint Research的資料顯示，2025年第三季度，SK海力士以53%的市場份額領跑全球HBM市場，三星和美光分別以35%和11%的市場份額緊隨其後。此外，SK海力士還將於2027年2月提前三個月在韓國龍仁開設一家新晶片工廠。不過這些新增產能多數要到2027年才能逐步投用，對供應實質性影響，則最快要等到2028年。06. 結語：一場不尋常的儲存狂歡記憶體市場過去也經歷過漲跌周期，但這一輪變化呈現出的特徵更加極端。AI資料中心正在持續抽乾高端記憶體產能，價格訊號已經傳導至消費電子、汽車、工業裝置等多個領域。儲存晶片廠商們大舉擴產，但產能增長滯後於需求。短期內，價格能否回落取決於擴產節奏。更長期的影響，則在於這場重新分配是否會成為常態。 (芯東西)

今天必須給你們整一個硬核財經猛料！ MLCC（多層陶瓷電容器）行業徹底炸鍋了！國巨、風華高科這些大佬直接漲價10%-30%+，這不是小打小鬧，這是要復刻儲存晶片的史詩級暴漲周期啊！🚀 為何這麼猛？核心邏輯就三句話：成本上天、需求爆炸、日本巨頭被卡脖子！ 三股力量一碰，MLCC直接原地起飛！【成本端——原材料瘋漲，廠家不漲價就得虧到姥姥家！】最近銀、銅、錫這些原材料價格跟坐火箭似的往上竄！MLCC生產成本直接翻倍！廠家心裡苦啊：再咬牙不漲價，褲衩都要賠光了！😱 所以這次漲價，說白了就是“保命式漲價”——不漲，真活不下去！【需求端——AI+新能源+航天，MLCC直接成“香餑餑”！】AI算力： 一台GB300伺服器用的MLCC，比傳統伺服器暴增10倍！一個機櫃就得塞44萬顆！AI伺服器一開機，MLCC用量直接“吃瘋了”！AI終端：AI手機、AIPC、AI眼鏡、機器人……這些新品類全面爆發，全是MLCC的“糧倉”！ 你用的每一台AI裝置，裡面都有幾百上千顆MLCC！特種領域：智能汽車一輛車的MLCC用量，是傳統車的3倍！商業航天更誇張，一顆衛星就得用數萬顆這需求，簡直要上天！【供給端——日本巨頭被“鎖喉”，國產廠商直接逆襲！】重點來了！出口管制直接給日本村田、TDK這些大佬“鎖喉”！稀土材料被卡脖子，高端MLCC產能瞬間崩盤！日本廠要麼減產，要麼被逼高價搶原料，成本飆升，只能咬牙漲價！全球高端MLCC缺口直接裂開！而AI伺服器、高端裝置用的MLCC，80%都靠日本！現在日本供不上，缺口誰來補？——中國廠商！國產替代瞬間加速！這些國產大佬，可能直接頂上缺口，瘋狂搶市場份額！下面我們整理一下MLCC核心產業鏈相關公司：(TNL曉曉)

據環球時報援引彭博社報導，美國商務部長盧特尼克16日威脅韓國等儲存晶片製造商，如果不承諾增加在美國本土的生產，或將面臨最高100%的關稅。相關報導發佈後，韓聯社、韓國《朝鮮日報》、《每日經濟》等多家韓國媒體迅速關注。《每日經濟》更在標題中反問“又開始了？”並認為相關表態“瞄準”韓國。盧特尼克16日在回答記者提問時稱，“任何想要建設儲存（產能）的人都有兩種選擇：要麼支付100%的關稅，要麼在美國本土進行建設。”他未提及任何具體的公司名稱，僅聲稱“這就是產業政策。”彭博社稱，針對相關置評請求，美國商務部發言人稱，“盧特尼克部長致力於恢復美國製造業的領先地位，而這一目標首先要從半導體產業著手。”截至目前，三星和SK海力士發言人未立即回應置評請求。 (科創板日報)