人工智慧（AI）領域對資料儲存的旺盛需求，推動日本儲存晶片製造商鎧俠（Kioxia Holdings Corp）2025年斬獲了全球領先的股價漲幅。這一表現表明，儘管市場情緒趨於謹慎，AI熱潮依舊熱度不減。今年年初以來，鎧俠股價累計上漲約540%，不僅跑贏MSCI全球指數的所有成分股，更一舉成為日本東證指數中的年度冠軍股。這家快閃記憶體晶片製造商去年12月才在東京證券交易所上市，其客戶包括蘋果和微軟，目前市值約為5.7兆日元（約合366億美元）。鎧俠股價的大幅上漲表明，隨著超大規模企業競相建設AI基礎設施，科技行業對儲存晶片的需求正呈現爆發式增長。鎧俠生產的晶片對於AI訓練和資料中心而言至關重要。鑑於需求激增，科技公司紛紛預警儲存晶片供應短缺，分析師也預測儲存晶片價格將大幅上漲。儲存熱潮成為鎧俠股價走高的強勁推手。投資者普遍預期，持續旺盛的需求與攀升的產品價格，將大幅提振該公司營收。“展望2026年的科技類股，我們的重心將主要放在儲存晶片領域，無論是直接佈局鎧俠，還是投資相關的間接受益標的。” Asymmetric Advisors Pte的日本股票策略師Amir Anvarzadeh表示。他指出，像Sumco Corp這類晶圓製造商，明年也有望從儲存晶片的強勁需求中獲益。不過，鎧俠股價的暴漲也引發了市場對其估值過高的擔憂，這一情緒同樣波及了其它AI股票。就在上個月，由於鎧俠發佈的季度財報未能達到投資者的高預期，其股價單日暴跌23%。但Anvarzadeh認為，鑑於儲存晶片需求仍遠超供給，鎧俠明年有望從容應對AI市場的波動。“市場擔憂的資料中心投資放緩，應該不會對下一階段的儲存晶片價格造成實質性影響，畢竟目前市場已經處於嚴重的供不應求狀態。”他補充道。 (科創日報)

記憶體條成“電子茅台”：一個月漲超一倍，商家稱“一天一價”風浪越大魚越貴2025 儲存晶片超級周期2025 年，AI 熱潮疊加國際大廠產能調整，儲存晶片開啟超級漲價周期，華強北商家的生意迎來 “一年頂三年” 的紅利，行業洗牌與國產替代也同步加速。國際儲存巨頭三星、美光、SK 海力士自 3 月起陸續漲價，4 月後加速調整產能，宣佈年內停產 DDR4，轉而聚焦 DDR5、LPDDR5 及 HBM 等高附加值產品。這直接引爆 DDR4 價格，現貨市場部分型號從 3 美元飆升至 70 美元，成為本輪 “漲價王”。市場需求空前旺盛，華強北商家日均詢盤量從 30-60 次激增至 100-300 次。但行業洗牌也悄然而至：上游產能轉向，中小貿易商被迫轉向 “老年份” 庫存和拆機料市場；下游中小廠商因成本無法傳導、無力備貨，面臨倒閉風險。商家普遍採取 “邊買邊賣” 策略，不敢大量囤貨，同時對行情走勢看法分化 —— 有人認為漲價周期至少持續至明年年中，也有人預判 DDR4 需求將隨技術迭代回落。漲價壓力已傳導至消費終端，戴爾商用 PC 最高漲價 765 美元，OPPO、vivo、紅米等Android機型售價上調 200-300 元，小米 17 Ultra 也因記憶體等成本上漲調價。此輪周期中，國產儲存晶片迎來關鍵機遇。憑藉成熟性能、穩定供應和高性價比，國產晶片的市場接受度大幅提升，很少有客戶堅持非進口晶片不用。不過，國產晶片在高端領域仍存差距：DDR4 高規格型號覆蓋不足，LPDDR5 高端產品量產時間落後，HBM 等前沿領域尚未形成有效供給。隨著國際大廠退出利基型 DRAM 市場，長鑫儲存、兆易創新等國產廠商迎來發展窗口期。東方證券研報指出，國產廠商有望在利基 DRAM 代際更迭中搶佔更大市場空間。 (芯榜)

根據券商Kiwoon Securities的高級研究員預計，三星明年的營業利潤將達到90兆至100兆韓元（約台幣2.14兆元）。這呼應了先前報告指出，三星計畫在2027年實現晶圓代工業務獲利，意味著提高2nm GAA製程的良率是其首要任務，還有高頻寬記憶體HBM4和DRAM價格56%上漲的加持。wccftech報導，三星面臨的第一個真正考驗是，其首款採用上述曝光技術製造的晶片組Exynos 2600在應用於Galaxy S26系列後的性能表現。資深研究員朴有岳（Park Yoo-ak，音譯）對三星在2026年登頂業界霸主地位做出了最為樂觀的預測，他表示該公司明年的營業利潤將達到100兆韓元。根據《韓國經濟日報》報導，他的預測基於高頻寬記憶體HBM4市場佔額的顯著增長，以及通用DRAM價格56%的上漲。朴有岳也提到，由於NAND快閃記憶體價格上漲，三星的營收可望大幅提升。此外，該公司2nm GAA製程的良率有望提高，目前已獲得兩家中國加密貨幣挖礦裝置製造商的訂單，並與特斯拉簽署了價值165億美元的巨額交易，這將有助於三星建立穩固的客戶基礎。三星還向高通提供驍龍8 Elite Gen 5的樣品，用於評估其2nm GAA製程，但隨著驍龍8 Elite Gen 6 明年的發佈，三星的作用可能會更加突出。另一位來自KB證券的研究員金東元（Kim Dong-won，音譯）指出，三星的成功部分源自於GoogleTPU訂單的成長。根據Newspim報導，金東元還表示，由於Google Gemini的整合，記憶體供應增加，Galaxy智慧型手機銷量上升，這將有利於三星的營業利潤，預計營業利潤將達到100兆韓元，年增129%。HBM4的押注推動三星進入新一輪牛市三星電子股價目前已突破 10 萬韓元（68 美元），投資者開始質疑這家科技巨頭能否保持上漲勢頭，達到幾家券商預測的 15 萬韓元目標價位。這些券商指出，市場對人工智慧至關重要的高頻寬記憶體晶片的需求正在加速增長。10 月 30 日，三星公佈了強於預期的第三季度財報；第二天，人工智慧巨頭輝達宣佈計畫向三星和其他韓國科技公司提供 GPU。受此消息影響，當地券商紛紛上調三星目標股價。韓國投資證券、KB證券和Eugene投資證券均將目標價上調至15萬韓元，NH投資的目標價為14.5萬韓元，未來資產的目標價為14.2萬韓元。SK證券的目標價更高，達到17萬韓元。即使是去年警告儲存晶片行業“寒冬將至”的摩根士丹利，也將其對三星的目標股價上調至 144,000 韓元，並表示在牛市情況下，假設對儲存器和有機發光二極體的強勁需求持續，宏觀經濟狀況趨於穩定，而中國努力進入儲存晶片行業，其股價甚至可能達到 175,000 韓元。樂觀的前景主要基於這樣的預期：三星能夠向輝達供應其下一代 HBM4 晶片，並在 HBM3E 延遲發佈後重新奪回市場份額，此前 HBM3E 的延遲發佈導致該公司落後於競爭對手，並拖累了其盈利。KB證券高級分析師金東元周四表示，他預計三星明年將佔據輝達HBM4供應鏈的40%，並預測三星2026年的HBM出貨量將比今年增長2.5倍。金表示：“三星預計將成為最大的受益者，因為過去三年HBM的折扣價將轉為溢價，而傳統DRAM的價格則持續上漲。”他指出，這一組合可能推動三星市值達到1000兆韓元。截至周四發稿時，三星的市值為675兆韓元。韓國投資證券分析師蔡敏淑也表達了樂觀的看法，她說：“人工智慧驅動的記憶體上行周期才剛剛開始。”“由於供應短缺，平均售價將持續上漲至 2026 年，而 HBM 銷售的擴大將顯著提高（三星的）盈利能力。”三星、SK海力士股價進入第二波上漲行情“從輝達的GPU（圖形處理器）到Google的TPU（張量處理器），人工智慧記憶體半導體的需求比供應量高出50%以上。三星電子和SK海力士即將進入第二波增長階段。”KB證券研究部主管、汝矣島半導體行業長期“最佳分析師”金東元（人稱“半導體先生”）預測，半導體股票將進入第二輪上漲行情。金在1日的一份報告中指出：“三星電子和SK海力士的股價在過去一個月裡從高點下跌了15%，進入了暫時的回呼階段。這主要是由於短期美元流動性收緊、聯準會降息以及對人工智慧泡沫的擔憂引發的外資拋售，但預計這些不確定因素將從12月開始緩解。”他分析道：“人工智慧生態系統的多元化，包括Google的TPU和輝達的GPU，將直接推動HBM（高頻寬記憶體）和伺服器DRAM的普及，從而加劇未來記憶體價格上漲和出貨量增長。截至第四季度，人工智慧記憶體需求已超過供應50%以上，由於供應短缺加劇，預計第四季度的價格漲幅將遠超市場預期。”KB證券預測，三星電子明年的營業利潤將同比增長129%至97兆韓元，而SK海力士的營業利潤將增長89%至81兆韓元。三星預計將受益於北美“七大巨頭”（M7）公司HBM供應量的增加以及晶圓代工廠產能利用率的提高，而SK海力士則將受益於強勁的HBM出貨量。兩家公司明年的合併營業利潤預計為178兆韓元，佔韓國綜合股價指數（KOSPI）預計總營業利潤的40%。金特別指出：“從明年開始，Google的下一代TPU預計將採用HBM4，這將加劇供應短缺。三星電子在HBM4速度方面具有競爭優勢，極有可能在今年年初通過質量認證，從而為擴大對北美大型科技公司的供應鋪平道路。” (EDA365電子論壇)

自今年第三季度起，儲存晶片行業開始進入史無前例的“超級周期”。TrendForce集邦諮詢的資料顯示，2025年第三季度DRAM產業營收季增30.9%，達414億美元；前五大NAND品牌商合計營收季增16.5%，逼近171億美元；前五大企業級SSD品牌廠合計營收季增28%，達65.4億美元，創今年新高。儲存晶片領軍企業SK海力士指出，當前DRAM的需求激增，供應商庫存已經達到最低水平，缺貨情況可能要持續到2028年。全新的周期下，海外大廠產能向高端轉移造成中端供給缺口，本土儲存晶片廠商迎來了關鍵機遇窗口期。如何精準錨定市場缺口、攻克核心技術、最佳化產能佈局，成為本土廠商把握機會的關鍵。“超級周期”導致巨大市場缺口與以往周期不同，此輪“超級周期”的核心驅動力是供需失衡的結構性矛盾。儲存晶片已從消費電子的“成本部件”升級為AI基礎設施的“戰略物資”。隨著AI從訓練階段邁向規模化推理應用，“以存代算”技術成為企業降本增效的核心路徑，直接拉高了高端儲存晶片的需求。今年10月，OpenAI發佈了“星際之門”計畫，與三星、SK海力士正式簽署了儲存晶片供應協議，鎖定每月高達90萬片DRAM晶圓供應，相當於全球DRAM產量的40%。業內專家表示，一台AI伺服器對DRAM和NAND的需求量分別約為普通伺服器的8倍和3倍；同等規格的LPDDR5 DRAM，用於AI伺服器的價格可達消費電子類產品的1.5倍。TrendForce集邦諮詢預計，AI與伺服器相關應用到2026年將佔DRAM總產能的66%，DRAM的整體營收將飆升56%。受利潤驅動，三星、美光、SK海力士三大海外巨頭紛紛將產能向HBM（高頻寬記憶體）、DDR5 DRAM等高端儲存產品傾斜，甚至完全停產DDR4 DRAM、DDR3 DRAM等前代產品，導致供應短缺。美光為聚焦AI資料中心等高增長、高利潤領域，更是在近日宣佈退出旗下Crucial（英睿達）品牌的消費級業務，後續不再向一般消費者銷售該品牌相關產品。圖片來源：集邦儲存市場與此同時，各大廠商相繼調高儲存器產品價格。11月3日，三星率先暫停10月DDR5 DRAM合約報價，引發SK海力士、美光等儲存原廠跟進，恢復報價時間延後至11月中旬。受此影響，短短一周內DDR5現貨價格飆升25%。中信證券研報預測，三大儲存原廠此次暫停報價將導致DDR5 DRAM價格季度漲幅達到30%~50%。DDR4 DRAM產品雖已逐步退出主流產能，但供應短缺導致價格“逆勢上漲”，16GB DDR4記憶體條價格較去年同期漲幅超過200%。巨大的中低端儲存晶片市場需求和價格空間為本土儲存晶片企業提供了多元化的市場切入點。消費電子領域，智慧型手機和筆記型電腦的出貨量預計2026年小幅下滑，但儲存容量升級趨勢未改，中端機型6GB/8GB記憶體、256GB快閃記憶體成為主流配置，本土廠商的高性價比產品有望填補海外廠商留下的市場空白；AI與雲端運算領域，國內雲端運算廠商年儲存採購規模超千億元，阿里雲、騰訊雲等為保障供應鏈安全，持續加大國記憶體儲晶片採購比例；汽車電子領域，L3及以上等級自動駕駛對儲存容量的需求是傳統車型的10倍以上，智能座艙單系統儲存容量已突破256GB，預計2028年全球車用儲存市場規模將達102.5億美元。中國作為新能源汽車大國，已有很多國內車企開始採用本土的儲存晶片產品。本土廠商有望提升話語權當前，本土儲存晶片廠商不斷完善中低端產品佈局，並已實現量產，高端產品也取得新進展，且具備價格優勢，正在逐步填補海外廠商留下的市場空白。在DRAM領域，長鑫儲存自2019年實現了第一代19nm工藝的DDR4 DRAM記憶體量產以來，產品良率穩步提升，已完成從DDR4到DDR5、從LPDDR4X到LPDDR5X的產能與技術雙重迭代。其在第二十二屆中國國際半導體博覽會（IC China 2025）正式發佈的最新DDR5系列產品，最高速率達8000Mbps，最高顆粒容量24Gb；而在今年10月推出的LPDDR5X最高速率達到10667Mbps，產品覆蓋12GB至32GB，並通過封裝創新，滿足手機小型化、輕薄化等需求。長鑫科技集團股份有限公司市場中心負責人駱曉東表示：“當下DRAM市場供不應求的狀況給下遊客戶和行業帶來了極大的挑戰。中國需要有非常穩定的本土DRAM產能供應，通過產能提升和規模效應來減少對國際大廠的產能依賴。”在NAND領域，長江儲存自主研發的Xtacking架構實現了3D NAND技術的跨越式發展，完成了從32層三維快閃記憶體晶片的突破，到64層追趕、128層並跑，再到232層領跑的技術升級，當前294層3D NAND產品良率已突破90%，連續讀寫速度超7000MB/s。其首條全本土化NAND產線於2025年下半年試產，裝置本土化率達45%。在主控方面，江波龍從2023年開始推出自研的主控產品，當前，公司基於自研WM7400主控推出的UFS4.1產品能夠在一個系統中相容TLC（三層單元）和QLC（四層單元），讓容量選擇更加豐富的同時，性能領先業界平均水平。深圳市江波龍電子股份有限公司副總裁、嵌入式儲存事業部總經理黃強表示：“我們擁有自有封測製造基地，主控晶片和軟體完全是自主設計的，更加貼近本土客戶的需求；同時，江波龍始終踐行的PTM（儲存產品技術製造）模式，令我們能夠為本土客戶設計、生產定製化產品的同時，更加靈活、快速地響應客戶需求。”在此次儲存晶片的“超級周期”中，本土廠商已不再是被動跟隨者，而是具備技術突破能力、產能供給能力和產業鏈協同能力的核心參與者。把握這一機遇，本土廠商有望在中端市場快速實現替代，在高端市場逐步突破，提升市場競爭話語權。 (中國電子報)

伯恩斯坦更新了儲存器及行業模型（包括高頻寬儲存器（HBM）、動態隨機存取儲存器（DRAM）、快閃記憶體（NAND）、三星、SK 海力士、美光及鎧俠的模型）。即將到來的資本支出增加或於 2026 年底推動儲存器價格 “正常化”。近期訊號顯示，三星、SK 海力士及美光將大幅增加 DRAM 資本支出，因此，隨著 2026 年底新增產能釋放，儲存器價格或將開始走軟。我們認為，HBM 的增長具備結構性特徵，因此其價格在 2027 年底僅會 “正常化”（而非 “暴跌”）至本輪上漲啟動前的水平。成本下降將維持高利潤率，造就史上最強周期。儘管價格最終會回落至起點，但此期間的成本下降將支撐利潤率維持高位。我們預測，2026 年四季度行業 DRAM 毛利率將達到 77% 的歷史新高，2027 年四季度僅小幅回落至 62%，這意味著本輪周期將成為行業史上表現最佳的周期。歷史交易規律顯示，當前 “下車” 仍為時過早。資本支出增加及中國競爭對手 IPO 可能構成利空訊號，但在以往周期中，只有當儲存器現貨 / 合約價格實際開始下跌時，相關股票才會開啟回呼。中國競爭對手將提升市場份額，但短期內不足以扭轉供需短缺格局。憑藉產能擴張、技術升級及良率提升，我們預測長鑫儲存（DRAM 領域）與長江儲存（NAND 領域）的位元市場份額將從 2025 年的 8%、12%，分別提升至 2027 年的 10%、15%。儘管從低基數來看增速可觀，但未來兩年其新增供給規模仍不足以推動市場從短缺轉向過剩。DRAM 資本支出大幅增加，NAND 增幅有限。我們預計 2026 年 DRAM 行業資本支出將增長 40%，以支援裝置及基礎設施建設；NAND 資本支出雖也將增長，但基數極低，且總體規模仍將顯著低於 2022 年及之前水平。結構性邏輯不變，但需警惕短期波動。儲存器類股票貝塔係數較高，估值易受宏觀風險偏好及 AI 泡沫擔憂影響。我們近期研究進一步印證了 “儲存器是資料經濟基石” 的觀點，但投資者仍需謹慎對待此類股票。註：加粗部分為目標價調整 / 預期調整；評級說明：O - 跑贏大盤，M - 與大盤持平，U - 跑輸大盤，NR - 未評級，CS - 暫停覆蓋；美光的 EPS 為調整後資料，市盈率為調整後市盈率（倍），基準年份為 2025 年。詳細分析即將到來的資本支出增加或於 2026 年底推動儲存器價格 “正常化”，成本下降將維持高利潤率，造就史上最強周期隨著雲服務商需求日益明確，我們認為儲存器供應商或將在 2026 年大幅增加資本支出，以把握當前供需短缺及價格飆升的機遇。因此，我們預計相關企業將在即將發佈的財報中披露 2026 年資本支出大幅增加的計畫；若未披露，晶圓廠裝置（WFE）供應商也可能在其下一次財報中釋放類似訊號。然而，由於裝置訂單到儲存器產能釋放存在時滯，2026 年大部分時間新增產能難以實質貢獻供給，直至 2026 年底新增產能逐步上市，並在 2027 年進一步擴大。因此，短期記憶體儲器短缺局面仍將持續，價格或繼續上漲；2026 年下半年起，價格漲幅將逐漸縮小，2027 年底趨於平穩。2027 年隨著更多產能釋放，價格將出現回落（詳見圖表 1 - 圖表 2）。但我們預計價格不會重現 2019 年的暴跌態勢，因潔淨室空間限制將制約產能擴張幅度；同時，2027 年 HBM 需求仍將保持強勁，使得傳統 DRAM 產能相對緊張。因此，我們認為 2027 年儲存器價格更多是 “正常化”，預計 2027 年底傳統 DRAM 價格將回落至 2025 年三季度末本輪上漲啟動前的水平（詳見圖表 3 - 圖表 4）。短期內價格大幅上漲也將推動利潤率攀升，預計 2026 年下半年利潤率達到峰值，水平接近甚至超過 2018 年的高點。2027 年價格雖將回落，但成本同步下降，我們預測 2027 年底 DRAM 毛利率仍將高於當前水平。如圖表 5 - 圖表 6 所示，本輪周期將成為行業史上最強周期：上行階段推動毛利率創歷史新高，下行階段僅為 “正常化” 而非 “調整” 或 “崩盤”，使得 2027 年底毛利率仍維持在高位。圖表 1：預計 DRAM 價格將持續上漲，直至 2026 年底開始走軟圖表 2：NAND 價格預計呈現類似走勢，但漲幅或不及 DRAM 顯著圖表 3：2026 年底及 2027 年更多產能釋放後，DRAM 價格有望回落至本輪上漲前水平圖表 4：雖對 NAND 需求持續性信心不足，但預計供給增長將保持克制，因此價格或於 2026 年底開始正常化，並在 2027 年進一步延續圖表 5：預計 2026 年底行業 DRAM 毛利率將創歷史新高，即便後續平均售價正常化，2027 年底毛利率仍將維持高位圖表 6：預計行業 NAND 毛利率也將升至新高，並在後續維持強勁水平上調 HBM 及晶圓代工（CoWoS）預期：供應商擴產以滿足強勁需求鑑於過去數月宣佈的 AI 項目及下游積極訊號，我們預計台積電、日月光（未覆蓋）、安靠（未覆蓋）將擴大 CoWoS 產能（詳見我們近期關於台積電的報告）；同理，三星、SK 海力士、美光也將增加 HBM 供給，以支撐這些 AI 項目。例如，輝達若要實現 5000 億美元營收目標，就需要更多 HBM 供給；未來若有更多下游項目公佈，供給缺口或進一步擴大。因此，我們上調 HBM 位元出貨量預期，預計 2026 年增長 100%，2027 年再增長 35%（詳見圖表 23）。2026 年 HBM 與傳統儲存器均將面臨供給緊張，因此 HBM 價格有望保持堅挺 ——HBM3E 價格下跌將被 HBM4 的溢價部分抵消。我們預測，明年起 HBM3E 價格將下跌 20% 以上，但 HBM4 價格較 HBM3E 將有 40% 以上的溢價；綜合來看，2025-2026 年 HBM 綜合平均售價同比僅小幅下跌 5%（詳見圖表 24 - 圖表 25）。這意味著 2026 年 HBM 總收入將增長 91%，達到 750 億美元（詳見圖表 26）。不過，由於傳統 DRAM 價格及收入大幅飆升，2026 年 HBM 在整體 DRAM 收入中的佔比或出現下滑；2027 年隨著傳統 DRAM 價格正常化，HBM 佔比有望回升至約 40%（詳見圖表 27）。鑑於 HBM 對整體 DRAM 平均售價的支撐作用增強，我們預測 2027 年底 DRAM 綜合平均售價仍將高於當前水平（詳見圖表 3）。從晶圓消耗量來看，預計到 2027 年，HBM 晶圓消耗量將佔 DRAM 行業總消耗量的近 30%，或超過傳統伺服器 DRAM，成為 DRAM 晶圓最大應用領域（詳見圖表 29）。如前所述，HBM 晶圓消耗量的擴大將繼續制約傳統 DRAM 產能，因此我們僅預測 DRAM 平均售價 “正常化”，且 2027 年底 DRAM 毛利率仍將維持在可觀水平。相比之下，我們認為三星在 HBM 領域的地位將從 HBM3E 時代向 HBM4 時代提升 —— 其更先進的 DRAM 及基底晶片製造技術，使其既能滿足輝達對更高速度的要求，又能保持良好良率。此外，三星的潔淨室空間限制小於 SK 海力士和美光，在當前供給短缺的市場中可釋放更多產能以提升份額。因此，我們預測 2026 年三星在 HBM 市場的份額將出現回升（詳見圖表 30）。圖表 23：上調 HBM 預期，預計 2026 年 HBM 位元出貨量增長 100%圖表 24：HBM3E 價格下跌將被 HBM4 溢價大幅抵消圖表 25：隨著張量處理單元（TPU）需求升溫，預計 2026 年 HBM3E 及 HBM4 位元出貨量佔比僅為 27%圖表 26：總體來看，預計明年 HBM 總收入將接近翻倍，達到 750 億美元圖表 27：2026 年受傳統 DRAM 價格強勁上漲影響，HBM 收入佔比或下滑；2027 年有望回升圖表 28：預計 2026 年 HBM 位元出貨量佔比將顯著提升，並在 2027 年繼續增長圖表 29：預計 2027 年 HBM 晶圓消耗量將佔 DRAM 行業總消耗量的 28%，或超過傳統伺服器 DRAM圖表 30：預計三星在 HBM 市場的份額將提升 —— 既因 HBM3E 產能釋放，也因 HBM4 時代競爭地位較 HBM3E 時代改善短期與長期需求明確，預計 2026 年 DRAM 資本支出大幅增加，NAND 增幅有限美光首席財務官在近期會議中明確暗示將大幅增加資本支出；我們從供應鏈也獲悉，三星和 SK 海力士也計畫顯著提高資本支出。據此，我們預測 2026 年三星、SK 海力士、美光的 DRAM 資本支出同比增幅將達 30%-65%，整個 DRAM 行業資本支出同比增長 40%，用於晶圓廠裝置採購及基礎設施持續建設（詳見圖表 31）。值得注意的是，資本支出增加的訊號主要集中在 DRAM 領域，NAND 領域相關訊號則弱得多。我們瞭解到，三星甚至計畫將一座 NAND 工廠改造為 DRAM 工廠。這與我們對 NAND 市場的長期謹慎立場一致，因此預測 2026 年 NAND 資本支出同比增長 30%，但基數極低，且總體支出仍將顯著低於 2022 年及之前水平（詳見圖表 32）。圖表 31：預計 2026 年 DRAM 行業資本支出將增長 40%，再創歷史新高DRAM 行業資本支出圖表 32：預計 NAND 資本支出增速較慢，且總體規模仍將顯著低於 2022 年及之前水平NAND 行業資本支出中國企業借力 IPO 擴產，但明年不足以扭轉供需短缺中國正抓住當前供給短缺的機遇擴大生產、提升市場份額，甚至可能借助儲存器價格飆升獲得可觀盈利。我們瞭解到，長江儲存和長鑫儲存正將現有潔淨室空間下的產能提升至接近滿產狀態。隨著製程遷移及良率改善，預計 2026 年兩家企業的位元產出將增長 40%-50%。此外，兩家企業均在尋求 A 股 IPO（詳見相關連結），預計通過股權市場融資後，將啟動新工廠建設，未來兩年內完成並釋放新增產能。儘管如此，中國企業的增長基數仍較低，明年新增供給規模不足以扭轉市場短缺格局。尤其值得注意的是，長鑫儲存或需供應 HBM 以支援中國本土 AI 晶片生產，這將進一步減少其傳統 DRAM 的可用產能。因此，我們預測未來兩年中國企業市場份額將逐步提升，但幅度有限，尤其是在 DRAM 領域（詳見圖表 33）。長期來看，NAND 技術迭代無需極紫外光刻（EUV）裝置，中國在出口管制背景下仍能獲得足夠的本土裝置支援以擴大產能，因此我們認為中國企業是現有 NAND 供應商的長期威脅，這也是我們對 NAND 市場持結構性謹慎立場的原因之一。圖表 33：預計未來兩年長鑫儲存（CXMT）和長江儲存（YMTC）市場份額將提升，但基數較低，幅度有限（長鑫儲存尤為明顯）各企業位元出貨量市場份額總結：雖對 DRAM 持結構性樂觀、對 NAND 持結構性悲觀，但需警惕儲存器股票的高貝塔屬性我們一直主張 “儲存器是資料經濟的基石”然而，傳統儲存器價格的快速波動及對 AI 泡沫的擔憂，仍將導致相關股票波動率高企。因此，儘管我們對 DRAM 持結構性樂觀、對 NAND 持結構性悲觀態度，但仍建議投資者謹慎對待此類股票。 (大行投研)

坐等根據瑞銀（UBS）近期發佈的一份報告，中國半導體裝置領軍企業北方華創（NAURA）在關鍵的深孔刻蝕技術上取得了重大進展。北方華創成功攻克了 90:1 高縱橫比（HAR）深孔刻蝕技術，這為國記憶體儲晶片廠商實現300層以上3D NAND快閃記憶體的製造奠定了裝置基礎。3D NAND技術是當前儲存晶片提高密度的核心路徑，廠商通過不斷堆疊儲存單元層數來提升容量。隨著層數從128層邁向200層乃至300層，對製造工藝的要求也達到了極致。晶片製造商需要在數微米厚的多層材料中，垂直打出直徑僅幾十奈米的“通孔”，以連接各層儲存單元。當層數達到300層以上時，所需的深寬比（即深度與直徑之比）將達到90:1或更高。深孔刻蝕正是實現這一目標的最苛刻工藝之一，長期以來由美國泛林（Lam Research）和日本東京電子（TEL）等國際巨頭主導。在美國對華實施半導體裝置出口管制、先進儲存裝置禁運的背景下，國記憶體儲廠商對核心裝置的中國國產化需求已上升為“必選項”。北方華創此次的技術突破，正是在這一戰略關鍵期的重要進展。值得一提的是，中國另一家刻蝕裝置龍頭中微公司此前也已宣佈具備90:1深孔刻蝕能力，並正在加速攻克100:1技術，顯示出中國裝置廠商在這一領域整體的奮起直追態勢。瑞銀分析指出，如果北方華創的90:1刻蝕裝置能順利獲得中國NAND晶圓廠的訂單，預計將為公司打開數億乃至數十億美元的新增市場空間。同時，由於中國邏輯晶片廠商對先進製程裝置的需求持續旺盛，北方華創來自邏輯客戶的收入也有進一步增長潛力。基於對市場需求的樂觀判斷，瑞銀已將北方華創2026年和2027年的晶圓廠裝置（WFE）收入預測分別上調1%和8%。事實上，北方華創的業務佈局已覆蓋多個高增長領域。公司近期在投資者互動平台上透露，隨著 HBM（高頻寬記憶體）市場需求的爆發，公司在HBM晶片製造領域已形成完整的解決方案。這包括深矽刻蝕、薄膜沉積、熱處理、濕法清洗、電鍍等多款核心裝置。面對投資者關於“美系裝置斷供下訂單情況”的提問，北方華創回應稱，目前公司在儲存裝置和成熟製程裝置方面的訂單保持良好態勢，產品已廣泛應用於中國主流晶片廠商的生產線。當前，AI、雲端運算等新興應用正在推動儲存晶片進入新一輪擴產周期，行業供需缺口明顯。據業內預測，2025 年至2027年全球HBM產能將增長超過300%。中國作為全球最大的儲存晶片消費市場，本土製造的迫切需求為北方華創等中國國產裝置商帶來了歷史性的發展機遇。此次突破，使得國記憶體儲晶片廠商在關鍵裝置採購上擁有了可靠的本土選項，極大地降低了外部管制帶來的風險。配合中微公司的同步進展，中國國產刻蝕裝置正在形成強大的叢集效應，這對於儲存器產業實現自主可控具有里程碑意義。目前中國市場對儲存晶片的依賴度，仍以韓國的三星和 SK 海力士為主，美光也佔據重要地位，有大量的市場等待開拓。當下中國國產DRAM佔據全球市場份額僅3~5%，而NAND快閃記憶體領域也不過是5~8%。而中國是全球雲端運算和 AI 基礎設施增長最快的市場之一，對高性能伺服器記憶體的需求巨大，同時也是全球最大的智慧型手機和 PC 製造及消費市場，對DRAM的需求佔比預估為30~40%。隨著資料中心和 PC 市場對固態硬碟的需求增加，NAND快閃記憶體的需求量持續攀升，在手機儲存上也需要大量的UFS儲存晶片，因此對NAND快閃記憶體的產能需求同樣巨大，佔全球產能1/3左右。而若要實現中國國產裝置儲存全面自主化，這些待開拓的市場價值超過三千億元，這對於我們的企業既是機會也是挑戰。希望我們的儲存晶片企業能夠抓住這次機會，趁上行期好好擴充產能，為全面自主添磚加瓦。 (AMP實驗室)

在當前 AI 市場需求火熱，儲存晶片供應商正將主力放在高頻寬儲存晶片（HBM），以致規模相對較小的電腦的DDR與 SSD 需求被排擠。現階段不僅面臨供貨量縮減，也造成單價大幅上漲，一些電腦製造商 10 月起因儲存晶片單價大漲而計畫調高整機出貨價。最新的消息是：品牌廠戴爾與聯想已正式通知企業使用者，為反映成本的大幅提升將進行價格調整。這意味著 2026 年開始推出的產品將調漲價格，業界估計漲價成本將高達 20%。戴爾電腦（DELL）COO Jeff Clarke 日前在分析師電話會議上就曾坦言，從未見過成本漲這麼快，使得成本最終將傳導至終端客戶，不排除部分產品重新定價的可能。戴爾預計 12 月中以後，產品包括筆記型電腦與 PC 調漲 15%~20%.除了戴爾電腦，全球筆記本銷售量最大聯想（Lenovo）傳出也公佈產品漲價消息。據傳：聯想已通知客戶，現行報價與價格不再有效，原因是全球供應鏈吃緊，儲存晶片成本大幅上升，影響整體硬體價格。聯想建議客戶儘早下單，以確保以現行價格採購，避免因價格調整造成額外成本。不過，聯想通知函沒有明確產品漲幅。而此前，市場研究及調查機構 TrendForce 11 月報告，儲存晶片步入強勁上行周期，導致整機成本上揚，並將迫使終端定價上調，進而衝擊消費市場。據TrendForce ，若以 2025 年記憶體上漲前的成本結構為基準來觀察，DRAM 及 NAND Flash 合計佔筆記型電腦整機 BOM cost 的比重約 10~18%。若品牌選擇將成本轉嫁，預估 2026 年筆記型電腦終端售價將普遍上調 5~15%。因此，TrendForce 當時已修正2026 年全球智能型手機及筆記型電腦的生產出貨預測，從原先的年增 0.1% 及 1.7%，分別調降至年減 2% 及 2.4%。 (芯聞眼)

在全球科技革命的核心地帶，鮮有故事能像韓國半導體產業那樣充滿活力，又如此意義深遠。幾十年來，韓國一直是全球儲存晶片領域的領軍者。但在2024年和2025年，形勢發生了變化。隨著人工智慧的爆炸式增長、地緣政治壓力的加劇以及電子產品需求的轉變，韓國頂尖的半導體製造商不僅在應對這些挑戰，更在進行自我革新。這是三星電子、SK海力士以及眾多規模較小但舉足輕重的企業如何在地球上競爭最激烈、資本最密集、政治關係最錯綜複雜的行業之一中生存的故事。近年來，以輝達、OpenAI 和特斯拉等公司為代表的人工智慧革命，從根本上重新定義了半導體行業領導者的地位。僅僅在傳統儲存器市場佔據主導地位已遠遠不夠。如今，高頻寬儲存器 (HBM)、先進封裝、尖端邏輯晶片和散熱基礎設施才是新的競爭戰場。三星推進其HBM計畫三星電子長期以來一直是DRAM和NAND快閃記憶體領域的霸主，但在一個關鍵領域——人工智慧記憶體——卻發現自己處於追趕狀態。到2025年初，其規模較小的競爭對手SK海力士憑藉在HBM3E研發方面的先發優勢，已超越三星成為全球營收最高的DRAM供應商。SK海力士在該領域的統治地位——該領域是人工智慧伺服器和高性能GPU的基石——給整個行業帶來了巨大震動。對三星而言，這堪稱一次關鍵的抉擇時刻。作為回應，這家科技巨頭採取了積極的行動。它獲得了輝達對其12層HBM3E晶片的認證，並宣佈計畫在2026年前實現HBM4晶片的量產。對於這家曾經引領記憶體發展趨勢的公司來說，重振其在人工智慧基礎設施領域的地位已成為其首要戰略目標。但三星的舉措遠不止於儲存器領域。該公司向系統半導體領域進行了一次引人注目的轉型，並與特斯拉簽訂了一份價值165億美元的里程碑式合同，在其位於德克薩斯州的晶圓廠生產人工智慧晶片。這不僅僅是一筆商業交易，更是一個戰略訊號。三星的目標不僅是保持其在儲存器領域的領先地位，還要成為邏輯晶片和晶圓代工服務領域的一支強大力量——這些領域長期以來一直由台積電和英特爾主導。與此同時，SK海力士並未止步不前。該公司斥資近150億美元擴建位於韓國清州的DRAM工廠，此舉主要受人工智慧晶片需求激增的推動。此外，SK海力士還將目光投向西方，在美國印第安納州破土動工興建一座價值39億美元的先進封裝和研發中心——此舉旨在鞏固其在北美供應鏈中的地位，並避險全球市場的不確定性。更廣泛的重新校準這些投資不僅僅是資產負債表上的數字，它們反映了更廣泛的戰略調整。韓國晶片製造商不再滿足於在傳統儲存器領域保持領先地位，他們正準備塑造人工智慧的未來——從晶片到雲端運算再到冷卻技術。除了資金和合同之外，創新仍然是這些公司使命的核心。為了印證這一點，SK海力士在2025年國際消費電子展（CES 2025）上公佈了其HBM4路線圖，並行布了突破性的伺服器DRAM模組、企業級固態硬碟（SSD）以及具有嵌入式處理能力（PIM）的記憶體。該公司還重點介紹了其在Compute Express Link（CXL）方面的工作，這是一種有望重新定義CPU、GPU和記憶體互動方式的下一代介面。三星則大力推進自身技術堆疊的研發，不僅在記憶體領域，也在邏輯電路和散熱系統方面。其中最引人注目的舉措或許是收購了德國散熱和資料中心冷卻系統領域的領軍企業FläktGroup。隨著人工智慧伺服器的功耗呈指數級增長，散熱正成為制約其發展的瓶頸。三星進軍散熱技術領域，表明其已意識到，未來計算的關鍵不僅在於處理能力，還在於可持續性和效率。產業/政府協調推動這一變革的關鍵在於產業界與政府的緊密合作。韓國政府已公佈在京畿道打造巨型半導體產業叢集的計畫，投資額超過500兆韓元。三星和SK海力士是該計畫的核心，它們與DB HiTek等規模較小的企業攜手合作，共同建構一個涵蓋邏輯電路、儲存器、封裝、研發和教育等各個環節的垂直整合生態系統。這種合作並非僅僅出於愛國情懷。在全球美國、中國和歐盟大力補貼本國晶片製造業的背景下，韓國能否保持競爭力取決於強有力的公私合作。MoaFab項目是一個晶片研發和試生產合作平台，它充分展現了韓國政府如何賦能小型企業，幫助它們在這個競爭激烈的環境中生存和發展。Magnachip 和 DB HiTek誠然，雖然三星和SK海力士佔據了新聞頭條，但像Magnachip和DB HiTek這樣的公司也在果斷地進行轉型。Magnachip曾專注於顯示驅動IC，如今正剝離其顯示業務，轉而專注於功率半導體——這些元件對電動汽車、可再生能源系統和工業自動化至關重要。Magnachip希望借此進入利潤率更高、受消費電子產品市場波動影響較小的市場。與此同時，DB HiTek正加強其作為模擬、電源和感測器晶片專業代工合作夥伴的地位。通過與MoaFab的合作，DB HiTek獲得了共享基礎設施的使用權，並減輕了資本負擔——這在晶圓廠成本飆升的時代至關重要。這些戰略調整反映了行業的日趨成熟：並非每家公司都需要追求最前沿的邏輯或人工智慧記憶。細分市場的專業化、明智的合作以及營運效率同樣能夠提供可持續的成功路徑。多種市場因素和力量美國出口管制措施開始產生影響。2025年中期，三星和SK海力士都受到了美國加強出口限制的影響，這些限制旨在限制從美國向其中國晶圓廠出口半導體裝置。這些規定迫使韓國晶片製造商重新思考其全球供應鏈並調整其生產佈局——這是一個複雜且成本高昂的過程。與此同時，全球半導體市場依然呈現周期性波動。人工智慧需求激增的同時，消費電子和傳統DRAM市場卻有所疲軟。供應過剩的風險依然存在，尤其是在中國廠商加大產能的情況下。即使在HBM等高利潤率領域，競爭也在加劇。此外，還有成本問題。建造一座先進的晶圓廠可能需要高達200億美元的投資，耗時數年。良率提升或客戶認證方面的任何延誤都可能導致盈利能力受損。對比韓國兩大巨頭——三星和SK海力士——的發展軌跡，我們可以發現一個有趣的差異。SK海力士憑藉早期對HBM和人工智慧核心記憶體的大力投入而迅速崛起。它被廣泛認為是HBM領域的領導者，並在營收和聲譽方面都獲得了豐厚的回報。其印第安納項目標誌著SK海力士致力於在韓國以外的全球市場佔據領先地位。儘管三星在HBM領域暫時落後，但它正利用自身規模、整合能力和多元化戰略來追趕。其與特斯拉的交易、對FläktGroup的收購以及在晶圓代工領域的雄心壯志，都體現了其多維戰略——該戰略涵蓋從儲存器到邏輯電路、從晶片到系統等各個方面。當然，兩種路徑都可行。未來幾年將證明，早期集中精力還是廣泛整合那種方式更具可持續性。韓國半導體行業的關鍵時刻2025年即將結束，韓國半導體行業正處於一個關鍵的轉折點。它不再僅僅是儲存器強國，而是正在轉型成為一個多元化、創新驅動、地緣政治靈活的科技生態系統。三星正競相拓展其晶圓代工業務，整合散熱系統，並重塑其在人工智慧時代的角色。SK海力士鞏固了其全球儲存器領導者的地位，並在封裝和人工智慧研發領域佔據一席之地。規模較小的公司則憑藉清晰的戰略定位，開闢了各自的專業細分市場。儘管上文已闡述了上述觀點，但韓國仍面臨諸多挑戰：地緣政治不穩定、成本上漲、執行風險以及來自美國、中國大陸和台灣的激烈競爭。韓國能否保持其優勢，不僅僅取決於資金和產能。 (半導體行業觀察)