路透社：三星2月開始向輝達供貨HBM4

三星電子已通過輝達和AMD的HBM4資格測試，並將於下個月開始向輝達出貨。這標誌著三星電子在先進記憶體晶片領域取得關鍵突破，有望縮小與競爭對手SK海力士的差距。

三星電子計畫下個月啟動下一代高頻寬記憶體晶片HBM4的生產，並向輝達供貨，這標誌著三星電子在先進記憶體晶片領域取得關鍵突破，有望縮小與競爭對手SK海力士的差距。

周一，據路透引述知情人士消息，三星已通過輝達的HBM4資格測試，將於2月開始出貨。此前，三星在HBM供應方面的延遲曾對其去年的業績和股價造成衝擊。

消息公佈後，三星股價周一早盤上漲2.2%，而競爭對手SK海力士股價下跌2.9%。兩家公司均將於本周四公佈第四季財報，屆時預計將披露HBM4訂單的更多細節。

輝達執行長黃仁勳本月稍早表示，該公司下一代晶片Vera Rubin平台已進入「全面生產」階段，這些晶片將搭配HBM4晶片，計劃於今年稍後推出。

三星追趕SK海力士的關鍵一步

根據韓國《經濟日報》周一報導，三星已通過輝達和AMD的HBM4資格測試，並將於下個月開始向輝達出貨。知情人士拒絕透露三星計劃向輝達供應的具體晶片數量。

SK海力士作為輝達AI加速器所需先進記憶體晶片的主要供應商，一直在該領域保持領先地位。該公司去年10月表示已完成明年與主要客戶的HBM供應談判。

SK海力士一位高層本月稍早告訴路透，該公司計劃下月開始在韓國清州的新工廠M15X投入矽晶圓生產HBM晶片，但未詳細說明HBM4是否將成為初期生產的一部分。(invest wallstreet)