三星電子正利用其eM RAM（嵌入式 磁性 隨機 存取 儲存器）技術，加強與全球汽車製造商的代工合作。eM RAM是一種高性能、低功耗的專用儲存器，適用於自動駕駛和電動汽車。近期，該公司一直致力於進軍汽車半導體市場，並採用其旗艦級8nm（奈米，1/10億米）工藝實現eMRAM。
根據8日在ISSCC 2026上發佈的資料，三星電子即將實現其下一代汽車半導體解決方案“8nm eMRAM”的量產。三星通過實際測量資料驗證了該產品在0.6V超低電壓環境下的運行性能，正式確認其技術已達到商業化成熟水平。
8nm eM RAM 擁有業界領先的低功耗和高速性能。根據三星電子發佈的詳細資料，即使在 0.6V 的超低電壓環境下，其讀取速度也高達 125MHz。該規格針對對能效要求極高的電動汽車以及需要即時執行複雜計算的自動駕駛微控製器單元 ( MCU) 進行了最佳化。與上一代 14nm 工藝相比，性能提升更為顯著。8nm eM RAM 的晶片密度比 14nm 工藝提高了 30%，資料讀取速度提高了 33%。這意味著在相同面積的晶片上整合更多功能的同時，資訊處理效率得到了提升。
eMRAM之所以被視為汽車半導體市場的關鍵技術，在於其無與倫比的可靠性和速度。eM RAM 具有與 NAND 快閃記憶體類似的非易失性特性（即使斷電也能保留資料），但其資料處理速度比 NAND 快 1000 倍。
鑑於汽車半導體器件的特性，它們必須在-40°C至+150°C的極端駕駛環境下穩定運行且不丟失資料，因此耐熱且高耐久性的eM RAM被認為是替代傳統快閃記憶體的最佳解決方案。三星電子還可以通過8奈米工藝的微型化顯著降低功耗，從而為延長電動汽車的續航里程做出貢獻。
三星電子已將eM RAM視為其晶圓代工業務的未來增長引擎，並正按計畫推進其發展。該公司於2024年底完成了14nm eM RAM工藝的研發。基於此，三星電子與現代汽車公司簽訂了供貨合同，從而獲得了重要的參考資料。
三星電子計畫於2026年開始8nm eMRAM的全面量產。該公司還計畫在2027年前將eM RAM的應用擴展到5nm工藝，以擴大基於超精細工藝的汽車嵌入式儲存器市場的技術差距。一位半導體行業人士表示：“繼獲得特斯拉2nm自動駕駛晶片訂單後，三星電子通過與現代汽車公司在eM RAM領域開展合作，進一步強化了其汽車產品組合。”他補充道：“8nm eM RAM的研發似乎表明了三星鞏固其汽車領域參考資料的決心。” (半導體行業觀察)