英特爾取消德國馬格德堡晶圓廠項目後，這塊原本計畫投資約300億歐元的土地，可能迎來新的半導體項目。
據德國媒體報導，目前至少有三家公司對這處廠址表達了興趣，其中包括來自德累斯頓的記憶體晶片初創公司Ferro-Electric Memory Company，簡稱FMC。
不過，目前項目仍處於評估和談判階段，FMC尚未正式確定在馬格德堡建廠。當地政府預計，相關決定可能在2026年夏末公佈。
FMC計畫建設歐洲新型記憶體晶片工廠
FMC成立於2016年，技術源自德累斯頓工業大學及當地奈米電子材料實驗室NaMLab。該公司目前是一家無晶圓廠企業，少量晶片主要交給外部晶圓代工廠生產。
按照FMC的規劃，公司希望聯合其他合作夥伴，在英特爾原定廠址建設一座大型記憶體晶片工廠，並採用多家公司共同投資、共同營運的模式。其組織方式可能類似台積電在德國德累斯頓建設的歐洲半導體製造公司ESMC項目。
整個項目預計需要約30億歐元投資。FMC希望德國聯邦政府和薩克森-安哈爾特州政府根據《歐洲晶片法案》，提供大約一半的資金支援。
不過，這一項目距離真正落地仍有不少障礙。除了政府補貼，FMC還需要找到產業合作夥伴、客戶和長期資金。即使項目順利推進，從廠房建設到正式量產也可能需要數年時間。
主攻DRAM和SRAM替代技術
FMC正在開發兩類新型記憶體產品，分別為DRAM+和CACHE+。
DRAM+主要瞄準傳統DRAM市場。與普通DRAM不同，DRAM+希望同時具備記憶體的高速性能和記憶體裝置的非易失特性，即斷電後仍能保存資料。理論上，這種設計可以減少資料刷新操作，從而降低功耗，並改善記憶體耐久性。
CACHE+則面向SRAM和處理器快取市場。FMC宣稱，其密度可以達到傳統SRAM的10倍，待機功耗也可以降低至原來的十分之一，同時同樣具備非易失能力。
兩種產品均基於鐵電記憶體技術。FMC計畫利用現有CMOS製造工藝，將傳統電晶體和電容結構轉化為鐵電場效應電晶體FeFET和鐵電電容FeCAP。
這意味著相關晶片理論上可以使用現有半導體裝置生產，不必完全重新建設一套製造體系，有利於降低產業化門檻。
但FMC目前尚未公開完整的晶片規格、製造工藝和量產時間表，其產品能否在性能、可靠性和成本方面真正替代DRAM或SRAM，仍需要進一步驗證。
歐洲希望恢復記憶體晶片製造能力
如果FMC最終選擇馬格德堡，這個項目的意義可能不只是接手英特爾留下的土地。
歐洲曾經擁有奇夢達等重要記憶體晶片企業，但奇夢達在2009年破產後，歐洲在大規模DRAM和NAND Flash製造領域逐漸退出。目前全球記憶體晶片產能主要集中在三星電子、SK海力士、美光等少數廠商手中。
FMC項目如果落地，將成為歐洲重新建立本土記憶體晶片製造能力的一次嘗試，也符合歐盟希望降低半導體供應鏈對亞洲和美國依賴的政策方向。
FMC近期也在為項目擴張做準備。該公司在2026年年初完成了約1億歐元的新一輪融資，並邀請英飛凌前首席執行長Reinhard Ploss擔任顧問委員會主席。
不過，目前更準確的說法是，FMC只是英特爾德國廠址的潛在接盤者之一，並非已經獲得廠址或政府補貼。項目最終能否落地，仍取決於融資、補貼審批、合作夥伴和技術量產進展。(費曼的AI實驗室)