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本報告由美銀全球研究部科技行業分析師團隊發佈，核心主題為三季度DRAM均價（ASP）上漲表現顯著好於市場預期，疊加台積電、ASML超預期的業績與資本開支指引，記憶體類股上行邏輯進一步強化。以下為報告核心內容的結構化總結：

一、核心主題與三季度DRAM合約價管道調研結論

針對市場擔憂“記憶體廠三季度業績或因ASP漲幅不及共識而不及預期”的疑問，報告通過最新管道調研驗證了三季度記憶體價格的強勁韌性，核心結論為美銀預測的三季度DRAMASP環比上漲21%具備支撐，顯著高於TrendForce的一致預期。

1.管道調研五大關鍵發現

伺服器DRAM漲價超預期：高速LPDDR5帶動伺服器DRAM價格環比上漲20%-30%，高於市場共識的20%及以內水平。

現貨需求全面向好：標準型DDR5乃至老舊的DDR4現貨需求均走強，7月價格環比繼續上漲。

高端HBM需求升級：客戶訂單從性價比更高的HBM3e向單價更高的HBM4遷移，產品結構升級進一步拉動均價。

長協佔比低，議價彈性大：基於長期協議（LTA）的DRAM銷售額佔總銷量比重不足50%，非LTA部分佔比達60%-70%；即使是LTA訂單，也普遍實現了5%-10%的環比漲價。

OEM急單驗證漲價幅度：部分終端原廠緊急追單，確認標準型DRAM與NAND的環比漲幅均超過20%。

2.美銀與第三方機構的ASP預測對比

DRAM維度：

TrendForce預測：三季度傳統DRAMASP環比漲13%-18%，含HBM的整體均價僅漲8%-13%；二季度傳統DRAM漲58%-63%，含HBM整體漲53%-58%。

美銀預測：三季度全球DRAM整體ASP環比漲21%，二季度環比漲45%-50%，四季度維持高個位數環比增長；二季度預測較TrendForce更保守，三季度則更樂觀。

NAND維度：

TrendForce預測：三季度ASP環比漲10%-15%，四季度漲0%-5%；二季度環比漲55%-60%（較此前預期下修）。

美銀預測：三季度全球NANDASP環比漲15%，二季度環比漲約65%，四季度基本持平。

二、現貨市場價格表現

1.DRAM：連續八周上漲，價格處於歷史異常高位

DRAM現貨價格已連續8周上行，與2-3個月前“35-40美元見頂”的市場悲觀預期完全反轉。

終端行為變化：前期部分OEM因現貨價格過高（此前採購單價僅約5美元）而減產PC/平板/手機以對抗漲價，當前已轉為主動補庫，為9月及四季度旺季備貨。

交易特徵：現貨交易量僅佔全球供應的低個位數百分比，更多是OEM緊急補單性質；當前DDR5與DDR4現貨價格均指向三季度合約價環比約20%的漲幅。

2.NAND：價格走穩回升，驗證三季度漲價邏輯

本周NAND現貨價格明顯修復，1Tb晶圓價格周環比上漲4%，是三季度NANDASP漲幅有望突破10%的積極訊號。

補充說明：日本廠商二季度NANDASP表現弱於全球平均水平，但7月現貨與合約價同步上漲，目前判斷三季度業績不及預期仍為時過早。

3.核心現貨價格明細（截至最新周度）

三、台積電、ASML業績對記憶體類股的正面催化

1.台積電二季度超預期，資本開支創紀錄

業績與指引：二季度營收400億美元，同比增長34%；營業利潤率60%，毛利率68%；三季度指引營收同比增長46%，全年營收增速預計達40%左右，2nm工藝量產爬坡順利。

資本開支：2026年全年資本開支上調至600-640億美元，另追加1000億美元美國工廠投資，均創歷史新高。

對記憶體的利多：台積電客戶（AI晶片廠商）需要更先進的HBM、SOCAMM（小外形壓縮記憶體模組）、企業級SSD配套，將持續拉動高端記憶體需求。

2.ASML二季度向好，下半年增長強勁

業績與指引：二季度營收93億歐元，同比增長21%，超預期主要來自存量裝置管理業務；三季度指引營收115億歐元（同比+53%），四季度144億歐元（同比+48%）；二季度毛利率54%、營業利潤率37%，下半年指引毛利率55%+、營業利潤率40%+。

區域與結構變化：二季度淨系統銷售額中，韓國佔43%、台灣佔30%、中國佔14%、美國佔9%；中國出口受限導致本土晶片廠開支下降，訂單增長向台灣邏輯晶片廠商傾斜。

對記憶體的利多：管理層對新一代AI晶片與高數值孔徑EUV（HighNAEUV）持樂觀態度，先進邏輯晶片擴產將間接帶動配套記憶體訂單增長；近三年記憶體類裝置收入佔比持續提升，已接近邏輯晶片裝置規模。

四、全球記憶體產業鏈高頻資料

1.韓國半導體出口：維持歷史高位

7月前10天出口額112億美元，環比增長1.3%，增速雖有所放緩但仍處歷史最高水平。

同比增長193%，已連續6個月保持三位數同比增速。

2.台灣科技企業6月銷售

環比增長：邏輯/晶圓製造/ODM廠商領漲，世界先進（+41%）、聯發科（+22%）、廣達（+24%）表現突出。

同比反彈：記憶體廠商彈性最大，南亞科技（+621%）、創見（+382%）、群聯（+301%）領銜；台積電同比增長68%，表現穩健。

3.中國IC進口：創歷史新高，記憶體佔比過半

6月中國IC進口額596億美元，同比增長72%；進口數量537億顆，同比增長7%，金額增速遠高於數量，體現單價大幅提升。

5月記憶體晶片進口額達308億美元，佔IC總進口的54%，同比增長249%，創歷史紀錄。

4.中國智慧型手機市場

5月出貨量2680萬台，同比增長19%，在DRAM缺貨背景下仍實現修復，但可持續增長尚未確認。

二季度整體出貨同比下降4.3%，品牌分化顯著：蘋果、華為同比增長19%-24%，其他主流品牌同比下降10%-22%。

市場份額：華為從2025年二季度的18%提升至23%，蘋果緊隨其後，國產品牌份額普遍下滑。

五、記憶體價格趨勢全景

1.DRAM：價格創數十年新高，上漲邏輯未破

絕對價格水平：16GbDDR5現貨約49美元、16GbDDR4約80美元，遠高於2017年周期頂部約10美元的水平；核心驅動是廠商將產能向高毛利的HBM、伺服器DRAM傾斜，標準型DRAM供應持續收縮。

節奏變化：2025年10月-2026年1月為暴漲階段（單月漲幅最高達60%-120%），2-4月漲幅放緩並出現小幅回呼，5-7月重新反彈並創歷史新高。

特殊現象：DDR4與DDR5合約價基本持平（35-40美元區間），DDR5溢價消失，核心原因是DDR4供應收縮更劇烈，出現結構性短缺。

伺服器記憶體：64GBDDR5伺服器模組合約價約1400美元、DDR4約1100美元，均創歷史新高；4月、1月曾出現單月40%-60%的暴漲，6月DDR5重拾上漲、DDR4走平。

2.NAND：價格高位震盪，三季度重拾上漲

絕對價格：512GbNAND晶圓合約價約26美元，較2025年2月底部2.5美元上漲約10倍。

節奏變化：2025年四季度至2026年一季度為快速上漲期（單月漲40%-60%），2026年二季度以來進入高位震盪，6-7月現貨價格小幅走弱但仍處絕對高位。

SSD終端價格：消費級SSD價格較2025年底翻倍，256GB/512GB/1TB版本6月價格分別達40/73.1/218.7美元。

3.價格展望

DRAM：三季度合約價環比上漲21%（美銀基準預測），四季度維持高個位數增長；現貨供應緊張，夏季或繼續沖高。

NAND：三季度ASP環比上漲約15%，四季度基本持平；夏季或有小幅調整，但不會出現硬著陸，絕對價格仍遠高於歷史正常水平。

六、類股估值與股價表現

1.核心標的估值（FY2026E）

報告覆蓋記憶體、邏輯、裝置全產業鏈標的，核心記憶體廠估值與盈利特徵如下：

DRAM廠商：三星P/E6.3倍、ROE51.8%；美光P/E12.4倍、ROE87.8%；南亞科技P/E7.0倍、股息率4.6%。

NAND廠商：鎧俠P/E6.7倍、ROE128.2%；西部資料P/E27.4倍；群聯P/E5.5倍、股息率9.6%。

裝置龍頭：ASMLP/E37.3倍、ROE68%；應用材料P/E47.7倍；泛林P/E59.4倍。

2.股價表現

年初至今：記憶體類股漲幅領跑，南亞科技、三星、群聯等標的漲幅顯著，NAND相關標的表現強於DRAM，SanDisk/鎧俠年初至今漲幅超500%。

近期走勢：7月上旬記憶體股出現大幅回呼，主要受“業績不及預期”擔憂擾動，但年初至今絕對漲幅仍處於高位。

美股科技對比：CPU廠商（英特爾、AMD）年初至今表現顯著跑贏輝達、蘋果、高通等大盤科技股，裝置股整體表現居中。

七、其他內容

報告包含60余張圖表，覆蓋現貨/合約價的日度、周度、月度、季度及長期歷史走勢，以及全產業鏈財務、估值、出口、進口等維度資料；末尾附有完整的研究合規聲明、風險提示與資訊披露，明確報告僅作參考、不構成投資建議，過往表現不代表未來收益。 (調研紀要速覽)