前幾篇文章分別寫了記憶體是什麼、過去幾輪周期如何形成，以及供需為什麼會反覆失衡。這一篇開始，會進入對於全球記憶體產業鏈和各環節競爭格局的解讀。
記憶體產業鏈各環節公司都受到全球資料需求和記憶體產業變化的影響，但收入來源、成本結構和核心競爭力卻截然不同。因此，判斷一家記憶體公司，第一步是確認它位於產業鏈那一類價值環節，向誰採購，又把什麼產品賣給誰。
本文會將全球記憶體產業拆成六個環節，從DRAM等底層記憶體介質開始，再沿著記憶體專用裝置、封測、控製器、模組和資料系統逐層向下，建立一張可以用於後續公司研究和投資分析的全球記憶體產業地圖。同步也會把全球66家核心公司放到各自合適的位置（本文先呈現按產業鏈環節分佈的公司全景圖，後續文章會發按國家/地區分佈的同批公司圖譜，從地緣視角再做一層拆解）。
全球記憶體產業可以拆成那六類價值環節？
從一片記憶體晶圓到企業可以直接使用的資料基礎設施，中間涉及晶片製造、封裝測試、資料控制、產品整合、管道流通和系統部署。市場通常把這些企業統稱為“記憶體公司”，但它們創造價值和獲得收入的方式差異很大。更準確的做法，是將全球記憶體產業拆成六類相互連接、又並非嚴格線性排列的價值環節。
記憶體專用裝置與封測服務
第一類公司為DRAM、NAND和HBM製造提供專用裝置、測試工具和封裝測試服務。
在晶圓製造前道工藝中，Lam Research（泛林集團）和中微公司參與3D NAND高深寬比刻蝕等關鍵工藝。進入HBM以後，Hanmi Semiconductor（韓美半導體）提供熱壓鍵合裝置，幫助原廠完成多層DRAM裸片的精確堆疊。
晶片完成製造後，還需要經過測試和封裝。Advantest（愛德萬）提供自動測試裝置，FormFactor提供探針卡。Powertech Technology（力成科技）、ChipMOS（南茂科技）、Hana Micron、SFA Semicon和深科技等公司則直接營運封裝測試產線。
裝置公司銷售生產和測試工具，封測公司提供加工服務。它們都不直接生產記憶體容量，收入主要來自原廠和封測廠的資本投入、工藝升級及實際加工需求。
核心記憶體介質與晶片
第二類公司直接生產底層記憶體容量，也是整個產業中行業集中度最高的環節。
DRAM主要承擔計算裝置運行過程中的資料暫存，HBM是面向高頻寬計算的高端DRAM產品。NAND用於SSD、手機記憶體和嵌入式產品。HDD通過磁性盤片提供低成本的大容量記憶體。NOR、EEPROM、SRAM和PSRAM則覆蓋程式碼記憶體、工業控制及其他利基應用。
三星電子、SK海力士、美光、長鑫記憶體、長江記憶體、鎧俠、閃迪、西部資料和希捷科技等公司位於這一層。它們直接決定市場能夠獲得多少DRAM、NAND和HDD容量，也承擔製程研發、產能建設、良率提升和產品遷移所需的長期投入。
控製器、介面與配套晶片
記憶體顆粒需要通過控制和連接晶片，才能穩定地接入電腦、伺服器和其他計算系統。
群聯電子、慧榮科技、聯芸科技、Marvell（邁威爾）和FADU等公司提供SSD Controller，即固態硬碟控製器。控製器負責管理NAND讀寫、糾錯、壽命和主機通訊，並與韌體共同決定SSD的性能與可靠性。
瀾起科技、Rambus和Astera Labs則進入伺服器記憶體介面和CXL記憶體擴展領域。它們不生產DRAM顆粒，主要解決處理器、記憶體模組和外部記憶體裝置之間的訊號傳輸、協議轉換與資源連接。
這一環節的主要壁壘來自晶片設計、韌體和協議能力，以及進入處理器平台、記憶體原廠和伺服器客戶供應鏈所需的長期認證。
模組與記憶體產品
記憶體顆粒還需要被做成標準化或定製化產品，才能進入電腦、伺服器、汽車和工業裝置。模組和產品公司把DRAM、NAND、控製器及其他晶片組合成記憶體條、SSD和嵌入式記憶體。
三星、美光等原廠擁有自有記憶體模組、SSD和嵌入式記憶體產品。Kingston（金士頓）、SMART Modular、江波龍、佰維記憶體、宜鼎國際和宇瞻科技等獨立廠商，則從原廠採購DRAM或NAND，並通過產品設計、韌體適配、測試驗證和客戶認證建立業務。
同屬這一環節的公司，市場定位也可能完全不同。部分企業依靠消費品牌和全球管道銷售標準產品，部分企業服務工業、汽車和伺服器客戶，還有一些企業正在向CXL記憶體模組等新形態延伸。
分銷與管道
分銷商連接記憶體原廠、模組公司和下游裝置客戶。它們通過原廠授權獲得貨源，再完成客戶覆蓋、訂單整合、庫存管理、物流交付和帳期服務。分銷商通常不擁有記憶體晶圓廠，也不一定生產最終產品，核心能力在於能否獲得穩定貨源，並把原廠的大批次供應轉化為面向大量客戶的交付能力。同時需要承擔部分庫存和價格風險。
香農芯創是A股市場中記憶體業務佔比較高的該環節代表公司。與消費電子零售管道相比，授權分銷主要流通DRAM、NAND等晶片和元器件，下遊客戶更多是模組企業、伺服器廠商和電子裝置公司。
系統與服務擴展層
記憶體產業繼續向下游延伸後，底層介質會被整合成企業記憶體系統和雲端記憶體服務。
Dell、NetApp和Everpure等公司將SSD、HDD、控製器、網路連線和資料管理軟體組合成企業記憶體系統。Quantum側重檔案、對象和歸檔記憶體。Backblaze以及大型雲平台則進一步把記憶體容量轉化為按容量和使用量計費的雲對象記憶體服務。
這一環節的收入不僅來自硬體，還可能包括軟體、訂閱、維運和資料管理服務。底層DRAM、SSD和HDD仍然重要，但已經只是完整系統中的一部分。
由此可以看到，所謂“記憶體公司”至少覆蓋六種完全不同的產業身份。底層原廠出售記憶體容量，裝置和封測公司服務製造過程，控製器和介面公司提供資料管理與連接能力，模組公司完成產品整合，分銷商負責貨物流通，企業系統和雲平台則將記憶體容量轉化為資料基礎設施。理解公司所在的價值環節，是我們之後進一步做產業追蹤、公司分析和投資價值分析的起點。
全球底層記憶體介質由誰供應？
先具體來看記憶體介質層。
整體來看，DRAM、HBM和HDD由少數企業控制，NAND形成多個公司主體並存的格局，但實際製造體系又比企業數量更集中。NOR和其他利基型記憶體市場能夠容納更多專業廠商，MRAM與ReRAM等新型記憶體則仍處於較早的商業化階段。這些底層原廠通過晶圓投片、技術遷移、良率提升和產品分配，直接影響全球能夠獲得多少可交付記憶體容量。
DRAM仍由三大原廠控制，
長鑫成為標準DRAM的新供給變數
2026年第一季度，全球DRAM行業收入約970億美元。按收入份額計算，三星電子約佔全球DRAM市場的38%，SK海力士約佔29%，美光約佔22%，三家公司合計達到89%。長鑫記憶體約佔8%，南亞科技約佔2%。
三星、SK海力士和美光均已覆蓋伺服器DDR、移動LPDDR、圖形GDDR和HBM等主要DRAM產品。三家公司擁有全球客戶基礎和大規模晶圓產能，也能夠根據不同產品的需求、價格和技術進度調整研發及產能投入。這三家企業構成了全球DRAM供給的核心。伺服器、手機、個人電腦和AI加速器所使用的不同DRAM產品，絕大部分都來自同一組原廠。
長鑫記憶體已經成為三大原廠之外最值得關注的新增供應商。公司公開產品已經覆蓋DDR4、DDR5、LPDDR4X、LPDDR5和LPDDR5X。其全球DRAM收入份額由2025年第一季度約3%提升至2026年第一季度約8%，已經具備影響標準DRAM供需的規模。
但長鑫當前的產品結構仍與三大原廠存在明顯差異。三星、SK海力士和美光同時參與DDR、LPDDR、GDDR和HBM市場，長鑫目前公開商業產品主要集中於DDR和LPDDR。
因此，長鑫現階段的產業影響更多體現為標準DRAM供應增加。全球DRAM市場仍由三大綜合原廠主導，但原有三強之外，已經出現了一個具備規模影響力的第四家供應商。
HBM仍由三家DRAM原廠供應，
但競爭排名已經重新排列
HBM本質上屬於DRAM，其收入已經包含在整體DRAM市場統計中，所以不能把HBM市場規模與DRAM市場規模直接相加。如果單獨來看，美國銀行預計，2026年全球HBM市場規模將達到546億美元，同比增長58%。成為DRAM產業中價值量最高、競爭最受關注的細分產品之一。
2026年第一季度，SK海力士按收入計算約佔全球HBM市場的58%，三星電子和美光分別約佔21%。當前主流商業HBM供應仍全部來自這三家DRAM原廠。
這一排名與整體DRAM市場並不相同。三星在整體DRAM收入中排名第一，SK海力士在HBM市場保持領先，美光在HBM市場中的收入份額也明顯高於其整體DRAM份額。由此可以看到，整體DRAM規模並不能直接代表一家原廠在高端AI記憶體中的競爭位置。
傳統DDR競爭的核心主要集中在製程、良率、單位bit成本和大規模供貨。HBM在此基礎上增加了裸片篩選、TSV、堆疊、鍵合、測試、先進封裝和客戶認證等環節。原廠首先需要生產合格的DRAM Die，即未經封裝的裸片，再把多顆裸片堆疊成完整HBM產品。隨著堆疊層數增加，裸片質量、對位精度和封裝良率都會影響最終能夠交付的產品數量和成本。
HBM對晶圓資源的消耗也高於普通DRAM。隨著原廠把更多晶圓和封裝能力轉向HBM，標準DDR和LPDDR能夠獲得的有效供給也會受到影響。AI需求因此可以通過HBM進一步改變整個DRAM市場。
因此，HBM雖然仍由三家DRAM原廠供應，但其競爭單位已經從單純的DRAM晶圓製造，延伸到晶圓製造、堆疊封裝和客戶協同組成的完整交付能力。長鑫目前暫時沒有大批次製造HBM的能力。
NAND形成六強格局，
實際製造體系更加集中
2026年第一季度，全球NAND收入達到460億美元。按收入份額計算，三星電子約佔全球NAND市場的29%，SK海力士體系約佔18%，鎧俠約佔14%，美光、閃迪和長江記憶體分別約佔13%。
從公司主體看，全球NAND已經形成六家主要供應商。但企業數量並不等於六套完全獨立的晶圓製造體系。SK海力士的市場份額統計通常包含Solidigm。Solidigm承接了英特爾原有NAND和SSD業務，目前重點提供企業級和資料中心SSD。其產品和客戶能力已經併入SK海力士整體NAND體系。鎧俠與閃迪則長期共同開發和製造BiCS 3D NAND。兩家公司擁有獨立品牌和客戶，也共同投資日本的NAND晶圓廠，並按照合作協議取得各自產出。因此，鎧俠和閃迪雖然作為獨立公司參與市場競爭，其部分底層晶圓製造能力來自共同建設的生產體系。所以我們看NAND供應時，既要看各家公司收入份額，也要瞭解其背後的聯合製造關係。
長江記憶體已經成為全球NAND市場的重要供應商。按Counterpoint統計，其2026年第一季度收入份額約為13%，與美光和閃迪處於接近水平。
但收入份額接近，並不意味著各家公司在產品和客戶結構上完全相同。傳統海外原廠在全球資料中心客戶、企業級SSD和高端嵌入式記憶體中積累時間更長，長江記憶體則使全球NAND供給體系增加了一個新的大規模製造主體，後續競爭力還取決於先進層數產品量產、產能擴張、企業SSD認證和海外客戶覆蓋。
整體來看，NAND的公司格局比DRAM更分散，但實際晶圓製造體系受到集團並表和聯合製造關係影響，實際製造主體仍然少於排名顯示的公司數量。
HDD只剩三家，
AI時代大容量低成本記憶體仍有獨立位置
全球HDD產業經過長期退出與整合，目前只剩Western Digital（西部資料）、Seagate Technology（希捷科技）和Toshiba（東芝）三家規模化供應商。按2025年出貨量估算，西部資料約佔全球市場的42%，希捷約佔40%，東芝約佔18%。三家公司共同控制了全球HDD的主要供應。
2025年2月，西部資料完成Flash業務分拆。此後，西部資料的核心業務主要對應HDD，原有NAND和SSD業務則由獨立上市的閃迪承接。因此拆分後，現在的西部資料與閃迪已經分別對應兩類不同的底層記憶體介質。
隨著SSD逐漸進入個人電腦、高性能伺服器和企業全快閃記憶體系統，HDD的主要需求開始集中於雲資料中心和Nearline Storage（近線記憶體，即保存容量大、訪問頻率相對較低的資料），以及長期歸檔和備份。
AI和雲資料增長同時擴大了高性能記憶體與低成本容量需求。需要頻繁訪問和快速處理的資料更適合放在企業級SSD中，大量低頻資料仍然更關注每TB成本，繼續由大容量HDD承擔。
因此，SSD增長並沒有消除HDD的產業位置，而是推動兩種介質形成更加明確的資料分層。HDD市場已經高度集中，西部資料、希捷和東芝繼續控制全球大容量機械記憶體供給。
NOR與利基記憶體容納了更多專業供應商
由於不同機構對序列NOR、平行NOR和部分嵌入式快閃記憶體的統計口徑不同，當前公開市場規模估算大約為30億至50億美元。2024年，全球前三大NOR供應商合計佔市場的63.2%。兆易創新份額約為18.5%，排名全球第二。華邦電子和旺宏電子同樣位於全球前三。
與DRAM和NAND相比，NOR市場的產品規格更分散，單個產品生命周期通常也更長。汽車、工業裝置、通訊基礎設施和消費電子中的控制晶片，往往分別需要不同容量、電壓、封裝和可靠性等級。客戶完成產品設計匯入和驗證以後，更換供應商通常需要重新進行測試，長期認證關係因此成為了重要壁壘。
這種競爭結構降低了晶圓製造規模在全部競爭變數中的重要性，為Fabless設計公司和專業利基記憶體廠商留下了更大空間。
全球利基記憶體市場還包括SLC NAND、EEPROM、SRAM、PSRAM和Specialty DRAM等產品。這些產品規模通常小於主流DRAM和NAND，卻廣泛進入工業控制、汽車電子、通訊裝置和高可靠性應用。
中國大陸已經形成覆蓋多個利基記憶體細分產品的公司群。兆易創新主要覆蓋NOR Flash和部分NAND產品，北京君正進入利基DRAM、SRAM和Flash，東芯股份覆蓋SLC NAND、NOR和DRAM，普冉股份聚焦NOR Flash與EEPROM，恆爍股份覆蓋NOR及部分嵌入式記憶體，聚辰股份則在EEPROM和記憶體配套晶片中佔據位置。
這些公司雖然都可以被歸入“利基記憶體”，實際產品和客戶並不相同。與大宗DRAM和NAND依靠大規模晶圓製造競爭相比，利基記憶體更加依賴細分產品定義、成熟製程、客戶認證和長期供貨能力。
MRAM與ReRAM已經商業化，
現階段仍屬於利基和早期市場
DRAM、NAND和NOR之外，MRAM與ReRAM代表了兩條已經進入商業化的新型非易失性記憶體路線。
MRAM通過磁性狀態保存資料，兼具斷電保存、較高耐久性和較快讀寫速度。Everspin已經形成面向工業、企業裝置和高可靠性場景的商業產品。
ReRAM通過材料電阻狀態變化保存資料，目前更多以IP授權、嵌入式產品驗證和早期客戶匯入為主，Weebit Nano是這一方向的代表公司之一。
兩類技術均已走出純實驗室階段，但產量、收入和應用範圍仍遠小於DRAM、NAND和NOR，現階段還沒有改變主流記憶體介質的市場結構。
結語
將幾類市場放在一起，可以看到全球底層記憶體供給存在多種完全不同的競爭結構。DRAM和HBM由三家綜合原廠主導，HDD只剩三家供應商。NAND擁有更多企業主體，但集團關係和聯合製造降低了實際製造體系的數量。NOR及其他利基記憶體則能夠容納更多專業公司。MRAM和ReRAM仍處於小規模商業化階段。
底層介質高度集中，記憶體技術升級卻在原廠之外創造了更多裝置、測試與封裝需求。之後幾篇會陸續寫產業鏈其他環節。 (清見涵AI產業觀察)