最近長鑫科技上市吸引了大量網友的眼光，大家都驚嘆國產記憶體的發展速度，但是很多人不知道的是三星、SK海力士這兩家韓國巨頭長期圍堵長鑫等國產記憶體廠商。
2019年長鑫剛剛實現DRAM記憶體的量產，三星、SK海力士就同時宣佈擴產通用DDR4記憶體顆粒，導致全球記憶體價格暴跌。
而長鑫因為剛實現量產，在良品率、規模、成本方面都不及韓企，因此出現了持續虧損現象。
在記憶體晶片歷史上，韓國巨頭曾多次使用“逆周期擴產降價”的策略，把德國奇夢達、日本爾必達這類對手逼至破產。
好在長鑫背靠國家隊，有著充足的資金支援，才最終扛了過來。
而當長鑫技術迭代、產能提升後，這些韓國巨頭又通過長期鎖價、優先供貨的方式繫結蘋果、輝達、微軟、Meta等頭部企業，阻止國產記憶體進入其產業鏈中。
在專利方面：
三星、SK海力士在DRAM、DDR、HBM領域擁有數十萬核心專利，覆蓋了電容結構、刻蝕、堆疊、訊號傳輸。
不過它們並沒有直接起訴中國記憶體廠商，而是向全球的記憶體模組、PC、手機、伺服器廠商發了一個所謂的專利風險告知，試圖阻止這些企業與長鑫合作。
三星、SK海力士還壟斷了HBM、TSV矽通孔專利，這些是AI晶片的核心配套，但是它們拒絕專利交叉授權，試圖完全封鎖HBM技術。
更為過分的是，三星、SK海力士多次聯合美光向美國國會、韓國政府提案，推動更嚴苛的對華半導體管制，試圖切斷長鑫裝置、材料進口管道，延緩國產記憶體擴產與技術迭代速度。
只要沒有ASML先進的浸沒式DUV光刻機、泛林集團先進的刻蝕機、東京電子優質的刻蝕介質，中國記憶體廠商就無法實現12nm等級1α/1β節點，也就造不出下一代先進LPDDR6移動記憶體。
但是，就在今年8月，長鑫記憶體一紙公告徹底改變了移動記憶體的競爭格局。
長鑫記憶體宣佈：下一代低功耗移動記憶體晶片 LPDDR6 的研發與樣品驗證已打通收尾，設定速率直接拉到12800Mbps，預計 2026 年下半年全球首發並量產匯入！
記憶體產業鏈人士透露，今年3月時，長鑫就將LPDDR6樣品送至國核心心客戶，並計畫在2026年下半年實現量產。
有意思的是，韓國巨頭三星、SK海力士也計畫在2026年下半年量產LPDDR6。
如此看來，今年下半年在移動記憶體領域，國產廠商就可以追平海外巨頭了。
不要小看LPDDR6，它可不是簡單的移動記憶體晶片，其擁有出色的架構、性能、極低的功耗，比上一代主流的LPDDR5X提升了近50%，單位位元資料傳輸的能耗還降低了20%~30%。
這意味著LPDDR6不僅能搭載在智慧型手機、平板電腦、汽車電子等移動平台上，還能夠進入端側AI、資料中心領域。
長鑫量產後，可以進一步減小我們在AI基礎設施中與海外的差距，促進國產AI的快速發展。
先進記憶體的市場格局已經要變天了，國產晶片要打破海外巨頭的壟斷定價權，國內AI終端、資料中心也有了底氣，再也不擔心被海外廠商惡意漲價了。
中國記憶體在缺少核心裝置、先進材料、專利壟斷的情況下的突破，是極為韌性的，而那些曾經信誓旦旦寫下禁令的人，也許該好好品味一下，什麼叫“封鎖了個寂寞”。 (科技銘程)