長江記憶體（YMTC）已開始在武漢第三座晶圓廠（Fab 3）進行生產裝置的全面接入。隨著晶圓廠進入投產前的最後準備階段，其年內啟動初期營運已漸行漸近。
據報導，“武漢長江記憶體FAB3二次配管A區B包工藝裝置配管總承包項目”中的“氣體段3”已啟動，而二次配管（Secondary Piping）是指將已經鋪設到晶圓廠內部的氣體、水等公用工程供應網路，進一步連接到具體生產裝置。氣體管路則負責向刻蝕、沉積等半導體製造工序所使用的裝置輸送特種氣體。
業內將這一工程視為YMTC正在進一步推進已安裝生產裝置的啟用工作。
Fab 3預計年底開始初期營運
據報導，武漢Fab 3計畫於今年年底開始初期營運，該廠滿產後預計月產能約為10萬片12英吋晶圓。
在初期生產啟動後，YMTC預計將通過持續搬入更多裝置以及進行良率爬坡，分階段擴大產能。
Fab 3擴產之所以受到市場關注，與YMTC近年來快速提升的市場份額密切相關。
根據Counterpoint Research資料，今年第二季度，YMTC佔全球NAND Flash位元出貨量的14%，超過鎧俠（Kioxia），躍居全球第三。三星電子以25%的份額排名第一，SK海力士以22%位居第二。
國產裝置佔比提升，NAND競爭或進一步加劇
隨著YMTC新增武漢產能逐步全面投產，全球NAND市場的供應競爭預計將進一步加劇。
尤其值得關注的是，在美國對先進半導體裝置實施出口管制的背景下，YMTC正通過提高國產半導體裝置的使用比例來持續推進產能擴張。
因此，市場正在關注：隨著新產能釋放，YMTC能否進一步縮小與三星電子、SK海力士等傳統NAND巨頭之間的差距。
一位業內人士表示：“YMTC的產能擴張短期內不太可能立即造成NAND供過於求。”但他同時指出，YMTC依託中國本土市場持續擴大產量和市場份額，從中長期來看，可能逐漸成為現有NAND廠商面臨的競爭壓力。 (印科技)