此前數位測評團隊極客灣已經完成了對華為Mate XT2搭載的標準版麒麟9050晶片的全性能拆解探究。
最近他們又放出了華為Mate90 Pro Max專屬搭載的麒麟9050 Pro的完整性能體驗報告，實測表現繼續給所有人帶來驚喜。
從極客灣放出的多輪實測資料可以看到，滿負載遊戲測試環節裡，搭載麒麟9050 Pro處理器的華為Mate90 Pro Max，相比前代旗艦晶片的提升幅度非常亮眼。
熱門開放世界遊戲《原神》在890P解析度設定下運行的時候，Mate90 Pro Max整機功耗僅為4.2W就能全程跑滿60幀滿幀體驗，這個表現甚至比前代同系列Pro Max機型在更低解析度下的跑分成績還要好，整體能效表現優於部分搭載驍龍8 Elite Gen5的旗艦機型，表現已經接近iPhone 17 Pro Max（A19 Pro）和部分搭載驍龍8 Elite Extreme Gen6的頂級旗艦機型。
在另一款高畫質開放世界遊戲《鳴潮》的測試中，目前Mate90 Pro Max僅適配支援648P解析度，對比前代Mate80 Pro Max的表現已經有了跨越式進步，影格率大幅抬升的同時整機功耗不升反降，綜合表現優於部分搭載天璣9500的旗艦機型，性能能效表現同樣接近iPhone 17 Pro Max（A19 Pro）和部分驍龍8 Elite機型。
在新上線的高畫質遊戲《異環》的實測環節裡，Mate90 Pro Max對比前代旗艦同樣進步明顯，雖然整機功耗相比前代小幅提升了約0.4W，但平均影格率直接拉高了10幀以上，最終的實際表現幾乎和天璣9500、驍龍8 Elite機型的表現持平，完全達到當前Android旗艦第一梯隊水準。
這次麒麟9050 Pro採用了雙層邏輯電路的特殊處理方案，在相同的平面矽片佔地面積裡容納了更多電晶體，同時晶片的運行頻率也得到了進一步拉高，整體硬體基礎大幅升級。
相比前代晶片的三叢集CPU架構，麒麟9050 Pro直接擴充到了四叢集的全新設計，超大核依然保留1顆，原本的4顆大核被進一步細分成2顆性能大核和4顆能效大核，負責極低負載場景的超低功耗小核縮減到2顆，架構調度的靈活性大幅提升。
特別的是麒麟9050 Pro所有性能大核都支援超線程技術，這顆處理器本質上可以看作是9核心16線程的特殊架構設計，在CPU多核性能、GPU能效表現等多個維度，實測成績都勝過了Google今年基於台積電N3P工藝打造的新旗艦處理器Tensor G6，也就是GooglePixel 11 Pro XL搭載的那顆自研晶片。
整個系列測試完成之後，極客灣給出的綜合評價是這款晶片進步幅度巨大，麒麟9050 Pro從日常負載能效、跑分成績到三款主流高畫質遊戲的實測表現，整體素質已經對標友商基於N3P先進工藝打造的旗艦處理器，加上目前部分高負載遊戲的超分、光追、HDR特性還沒有完全針對這款晶片做專屬適配，後續華為和遊戲廠商完成針對性最佳化之後，這款旗艦機的遊戲表現還有非常大的提升空間。
不少數位愛好者看完這份完整測試都感嘆，現在韜定律下的邏輯摺疊技術還遠沒有挖到上限，只是當前比較保守的落地版本就能拿出這種接近全球第一梯隊旗艦晶片的表現，等後續華為在晶片製造工藝上再進一步突破之後，未來新一代麒麟處理器的實際表現完全不敢想像，這種完全跳出傳統摩爾定律路徑的自研技術路線，實打實走出了屬於中國晶片的全新升級路徑。
此前半導體分析機構Kurnal Insights放出了麒麟9050 Pro晶片的裸片顯微實拍圖，在經過短時間的深度拆解研究之後，這家機構近期又對外公開了更多關於這顆晶片底層架構的獨家技術細節。
華為自研韜定律技術在這顆晶片上的直觀落地表現，就是麒麟9050 Pro由兩顆尺寸完全相同的裸片垂直堆疊而成，這種設計的優勢非常突出，不僅整體性能提升幅度明顯，對單一步進工藝的要求沒有傳統先進製程那麼苛刻，堆疊結構的佈局也更利於晶片運行過程中的熱量匯出。
經過實測，兩顆裸片堆疊之後的整體晶片尺寸僅為11.13×10.84mm，單顆裸片的面積約為120.65mm²，這一面積甚至略小於前代麒麟9030S晶片122mm²的裸片面積，在整合度大幅提升的前提下反而做到了核心裸片的瘦身。
兩顆堆疊的裸片分工極其明確，其中一顆完全負責所有的核心計算邏輯運算，另一顆則專門用來承載SRAM和各類快取模組，兩顆裸片之間通過高密度垂直互連技術實現高速資料傳輸，這一特殊架構正是華為韜定律下邏輯摺疊技術的首次商業化落地應用。
根據之前業內爆料者@Taog_1575的拆解解析，負責計算邏輯的裸片採用中芯國際N+3工藝製造，專門做SRAM快取的裸片則採用N+2工藝製造，這種將兩顆不同功能的裸片用不同成熟度工藝節點組合的思路，在整個全球半導體行業都是前所未有的首次嘗試。
得益於單顆裸片的面積大幅縮小，單顆裸片的生產良率理論上要高於前代麒麟9030 Pro的整顆大尺寸裸片，但目前這顆晶片僅搭載在Mate90 Pro Max及以上定位的頂級旗艦機型中，因為涉及到雙層裸片堆疊的複雜工序，整體封裝的良率目前可能仍然處於偏低的水平。
針對這顆晶片的技術成果，有分析機構直言，後續良率爬坡和堆疊後的散熱控制，依舊是這類3D堆疊技術走向大規模量產階段需要持續攻堅的工程挑戰。
隨後，有國外機構給出的報告指出，即便目前量產階段還存在需要打磨最佳化的空間，麒麟9050 Pro已經把中國國產移動旗艦晶片和蘋果同等級產品的技術差距，從上一代的大約四年縮小到了三年左右，這種完全跳出傳統晶片升級路徑的技術突破，對整個中國國產半導體行業的發展都有著里程碑級的特殊意義。 (快科技)