長鑫存儲宣佈，將動用首次公開募股（IPO）的部分超募資金投建兩大新項目，總投資額達 180 億元人民幣（約合 26.8 億美元）。
根據長鑫存儲周一發佈的公告，公司計畫將 130 億元超募資金投入全新技術研發項目；另有 50 億元將通過增資及股東借款的方式，注入全資子公司長鑫存儲產品（合肥）有限公司，用於建設記憶體晶圓後端測試基地二期項目。
據澎湃新聞報導，這 180 億元總投資並非單純擴充晶圓製造產能，而是聚焦研發與後端測試兩大領域。長鑫存儲認為，在瞬息萬變的記憶體市場中，這兩大領域是維持企業長期競爭力的核心關鍵。
其中，技術研發項目總投資 241 億元，建設周期 30 個月，資金主要用於產品與工藝研發。公告顯示，該項目旨在加快 DRAM 技術與產品設計的迭代速度，助力公司更好地匹配下游應用需求，適配技術範式的更迭變化。
長鑫存儲在公告中表示，持續的研發投入是推動工藝技術代際升級、提升記憶體密度、降低功耗、增強產品性能的核心路徑。這一系列投入不僅是為了滿足客戶需求，更是為了構築更深厚的競爭護城河，提升應對市場波動的抗風險能力。
另一大項目為位於合肥的後端測試與模組封裝工廠，總投資 108 億元，建設周期 37 個月。項目將建成專業測試工廠，為 DRAM 晶片提供測試服務與模組封裝產能。
長鑫存儲指出，後端測試是 DRAM 生產流程中至關重要且專業性極強的環節。隨著公司產能爬坡、產品品類持續擴充，若依賴外部封測廠商，可能面臨產能瓶頸，同時外部供應商的配套投入也難以同步匹配。
通過自建測試產能，長鑫存儲旨在避免測試環節成為生產掣肘，提升供應鏈安全水平，降低測試成本，同時提高營運效率與測試技術水平，進一步支撐公司的整合元件製造商（IDM）模式發展。
長鑫存儲同時披露，截至 2026 年 6 月 30 日，公司已持有國內授權專利 4484 件、海外授權專利 3400 件；研發人員共 7491 人，佔員工總數的 33% 以上。目前，公司第五代工藝技術平台已實現量產，產品覆蓋 DDR5、LPDDR5/5X 及 LPDDR6 全系列。
國內分析師認為，此次投資是長鑫存儲完善 DRAM 業務前後端佈局的又一重要舉措。當前行業競爭日趨激烈，國記憶體儲企業正持續加大投入，聚焦自主可控、產能協同與技術升級。
另有知情人士表示，長鑫存儲已就 NAND 業務規劃與客戶展開溝通，其中包括一家新成立的初創企業 —— 該公司計畫採購長鑫的 NAND 晶片，用於 AI 系統與超級電腦的記憶體產品。不過該知情人士未透露這家初創企業的名稱。
電信與科技產業觀察人士項立剛周二接受《環球時報》採訪時表示，中國記憶體晶片產業已進入全新發展階段，長鑫存儲此番動作體現出更為成熟、更具戰略性的發展思路。
當前 AI 伺服器需求爆發帶動全球記憶體市場回暖，長鑫存儲選擇將更多資金投向工藝研發與後端配套能力，而非盲目擴張產能，這一決策顯得愈發 “明智且審慎”。
項立剛指出，依託現有產線打磨提升產品性能，長鑫存儲不僅在為切入高毛利的 AI 記憶體市場做準備，同時也在強化測試與模組封裝能力，降低對外部環節的依賴，破解產能瓶頸風險。 (銳芯聞)