全球記憶體市場估值震盪加劇背景下，長鑫科技(688825)最新晶片架構突破引發業內技術路線爭辯。美光科技高管最新表態不會跟進4F²路線，並認為3D DRAM路線更具確定性。10月22日，A股記憶體器指數下跌2.65%，長鑫科技股價下跌3.1%；三星電子最新下跌4%，海力士下跌約5%；美光科技盤前下跌3.41%。
巨頭路線分歧
圍繞長鑫科技最新披露的4F²架構，美光科技總裁兼首席技術與產品官斯科特・德波爾在當地時間10月21日舉辦的技術與產品網絡研討會上表示，公司內部曾對4F²進行長期評估和原型驗證，美光科技可以在較舊的工藝節點上製造4F² DRAM，但這會帶來更高的成本和更大的複雜性；美光科技仍將堅持現有的6F²路線，並邁向3D DRAM。因為從長期演進來看，3D DRAM在「擴展性與成本效益」上是更具確定性。
10月10日，長鑫科技總裁曹堪宇博士在第四屆整合晶片和芯粒大會上公佈公司4F²架構等進展，並預計年底推出融合新技術的新一代DDR5 RDIMM產品。相比DRAM行業主流6F²架構，4F²意味著每個單元僅佔4倍最小特徵尺寸的平方，因此單位面積內的晶體管數量會增多，實現記憶體密度的提升。該技術最核心的特色是在DRAM記憶體陣列晶體管上的創新，即自研的VSG（Vertical Surrounded Gate）晶體管。
針對記憶體密度提升，美光科技提出DRAM微縮的終極瓶頸是電容間距，而非單純的晶體管單元結構；如果電容間距無法同步壓縮，單純改變為4F²結構，並不能線性轉化為持續的成本優勢。另據機構分析，美光科技認為4F²缺乏可持續演進路徑外，還有考慮新架構對ALD（原子層沉積）和選擇性外延等工藝提出了極高的製造複雜度，量產成本可能抵消面積縮小帶來的收益。
儘管美光科技持不同觀點，但記憶體行業龍頭也傳出佈局4F²的消息。資料顯示，三星電子在2026年國際固態電路會議上展示了一款功能性16Gb 4F²測試晶片，SK海力士也提出了把4F² VG（垂直柵極）平台和3D DRAM技術應用於10奈米及以下製程工藝，並在結構、材料和組件方面進行創新。
市場分流
CIC灼識諮詢副總監張笑璐日前向記者分析，VSG屬於學術界與產業界研發多年的立式GAA。 據介紹，海外巨頭原計劃在2027—2028年推進至10nm以下製程或3D DRAM時才導入4F²路線，長鑫科技因外部設備限制選擇提前跳切。從中長期來看，長鑫科技的架構突圍打破韓美廠商在通用DDR5領域的長期定價壟斷。
本次研討會上，美光科技強調將混合鍵合視為更高規格HBM的核心護城河，推進合作開發vHBM（垂直堆疊內存於計算核心之上），並提出AI時代的記憶體競爭已經從「單位元成本控制」遷移到「內存、封裝與邏輯架構的系統級協同」。
中信里昂指出，4F²新架構有望提升單元陣列密度，但商業成功將取決於電氣性能、整合成本及良率。隨著韓國晶片製造商也在向垂直溝道設計推進，預計4F²將在未來三年內實現商業化。儘管認證及訂單時點仍存在不確定性，但產業機會預計集中在要求更高的刻蝕、沉積及熱處理工藝的設備供應商。
記憶體市場分層博弈
當前通用DRAM漲價幅度有所縮小。CFM閃存市場預計，2026年四季度，服務器DDR5、eSSD價格環比漲幅將分別落在0%至10%、0%至10%區間；Mobile LPDDR4X/5X、eMMC/UFS價格漲幅分別約0%至5%、0%至3%；PC DDR5/LPDDR5X漲幅預計約0%至10%，cSSD漲幅約0%至3%。漲幅環比第三季度將均有所回落。
長鑫科技預估，今年前三季度公司營業收入約為2650億元至2700億元，同比增長約7.26倍至7.42倍；歸屬於上市公司股東的淨利潤約為1310億元至1325億元，同比大幅扭虧，但第三季度盈利環比增速放緩。江波龍也表示，受前期較高價格基數影響，DRAM和NAND Flash價格漲幅較前期明顯縮小，記憶體價格上漲對公司盈利的邊際貢獻顯著趨緩，行業正在從消費類價格周期轉向AI驅動技術周期。
另一方面，國產記憶體廠商市場份額在持續擴大。
據國際市場研究機構Counterpoint Research估算，長鑫記憶體在全球DRAM營收中的份額已從2025年第二季度的4%，提升至2026年第二季度的10%，位列全球第四大DRAM廠商。另外，該機構最新預測，2026年第二季度，長江記憶體按NAND(閃存)出貨量排名升至全球第三，僅次於三星電子和SK海力士，超過鎧俠和美光科技。
Yole Group計算、軟件與記憶體市場研究員Daniel Niu最新分析，新增晶圓產能陸續投產、製程升級推動位元產出提升，長鑫記憶體和長江記憶體在出貨量和定價上的話語權將不斷增強，在通用記憶體領域尤為明顯。與此同時，國際廠商正逐步將產能重心轉向數據中心市場，其在通用領域的份額和定價能力也將相應調整。從更長遠來看，長鑫記憶體的擴張可能加速DRAM產業的結構性分層。
據介紹，三星電子、SK海力士和美光科技預計將聚焦HBM和高端服務器DRAM等高價值領域，長鑫記憶體則將在主流PC和智能手機DRAM市場發揮更大作用。不過，除價格競爭力外，中國記憶體在西方供應鏈中的拓展空間還將受到中美關係等外部因素的影響。(證券時報e公司)